JP3423175B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
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- JP3423175B2 JP3423175B2 JP03869997A JP3869997A JP3423175B2 JP 3423175 B2 JP3423175 B2 JP 3423175B2 JP 03869997 A JP03869997 A JP 03869997A JP 3869997 A JP3869997 A JP 3869997A JP 3423175 B2 JP3423175 B2 JP 3423175B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特に、青色発光
ダイオード、青色レーザダイオードなど青色の発光デバ
イスに用いられる窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎ x
Ａｌ y Ｇａ 1-x-y Ｎ、０≦ ｘ≦１、０≦ｙ≦１）が積層
された発光素子において、最表面にｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を有し、このｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層側を発光観測面側とする発光素子に用いて好適
なオーミック電極を用いた発光素子の製造方法に関す
る。
ダイオード、青色レーザダイオードなど青色の発光デバ
イスに用いられる窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎ x
Ａｌ y Ｇａ 1-x-y Ｎ、０≦ ｘ≦１、０≦ｙ≦１）が積層
された発光素子において、最表面にｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を有し、このｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層側を発光観測面側とする発光素子に用いて好適
なオーミック電極を用いた発光素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、発光ダイオードの作成の容易さ
から、発光観測面側から、正、負両方の電極を取り出せ
ることが望ましい。しかし、発光観測面側に電極が存在
することは、電極により発光が阻害されるため、外部量
子効率が低下するという欠点がある。
から、発光観測面側から、正、負両方の電極を取り出せ
ることが望ましい。しかし、発光観測面側に電極が存在
することは、電極により発光が阻害されるため、外部量
子効率が低下するという欠点がある。
【０００３】この欠点を解決するために、発光観測面側
の化合物半導体層に形成する電極を透光性の全面金属と
し、外部量子効率を向上させることが提案されている
（例えば、特開平７−３０２７７０号、特開平７−９４
７８２号公報参照。）上記電極としては、ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層とオーミック接触の取り易いニッ
ケル（Ｎｉ）と、このニッケルよりも高い導電性を有す
る金（Ａｕ）の２種類の金属薄膜を積層した構造のもの
が用いられ、これら膜の膜厚を薄くすることで、透光性
を持たせている。
の化合物半導体層に形成する電極を透光性の全面金属と
し、外部量子効率を向上させることが提案されている
（例えば、特開平７−３０２７７０号、特開平７−９４
７８２号公報参照。）上記電極としては、ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層とオーミック接触の取り易いニッ
ケル（Ｎｉ）と、このニッケルよりも高い導電性を有す
る金（Ａｕ）の２種類の金属薄膜を積層した構造のもの
が用いられ、これら膜の膜厚を薄くすることで、透光性
を持たせている。
【０００４】一方、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
に設けるｎ型電極は、オーミック接触を得るために、電
子ビーム蒸着等により電極を設けた後に、約６００℃以
上の温度で熱処理を行う必要がある。
に設けるｎ型電極は、オーミック接触を得るために、電
子ビーム蒸着等により電極を設けた後に、約６００℃以
上の温度で熱処理を行う必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明者等は、透光
性電極として用いられるニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）
とを積層した電極の熱処理温度とシート抵抗について検
討した。その結果、熱処理温度が６００℃を越えると、
金とニッケルとの濡れ性が悪いために上層の金が凝集す
ることにより部分的に金が存在しなくなる部分が生じ、
このために導電性が損なわれ、シート抵抗が大きくな
り、電極として作用しなくなることが判明した。そし
て、この傾向は熱処理温度が高くなるほど顕著になる。
このため、透光性電極としての機能を生かし、且つｎ型
電極のオーミック接触を得るためには、ｎ型電極を形成
し、熱処理を施した後に、透光性電極を形成する方法が
考えられる。
性電極として用いられるニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）
とを積層した電極の熱処理温度とシート抵抗について検
討した。その結果、熱処理温度が６００℃を越えると、
金とニッケルとの濡れ性が悪いために上層の金が凝集す
ることにより部分的に金が存在しなくなる部分が生じ、
このために導電性が損なわれ、シート抵抗が大きくな
り、電極として作用しなくなることが判明した。そし
て、この傾向は熱処理温度が高くなるほど顕著になる。
このため、透光性電極としての機能を生かし、且つｎ型
電極のオーミック接触を得るためには、ｎ型電極を形成
し、熱処理を施した後に、透光性電極を形成する方法が
考えられる。
【０００６】しかしながら、この方法で素子を作成する
と、フォトリソグラフィの工程が増加し作業工程が複雑
になり、実用的ではなかった。
と、フォトリソグラフィの工程が増加し作業工程が複雑
になり、実用的ではなかった。
【０００７】この発明は、上述した従来の問題点に鑑み
なされたものにして、量産性の優れた窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子を提供することをその目的とする。
なされたものにして、量産性の優れた窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の発光素子の製
造方法は、発光観測面側にｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層を備えた発光素子の製造方法であって、前記ｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層表面に透光性電極を形成
する工程と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と
対をなすｎ型半導体層上にオーミック用電極を形成する
工程と、前記透光性電極及びオーミック用電極を形成し
た後に熱処理を施すことで、これら各電極と前記各半導
体層とのオーミック接触を得る工程と、を有し、前記透
光性電極を形成する工程が、前記ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層表面にオーミック層 を被着する工程と、こ
のオーミック層よりも高い導電率を有する第１の導電層
を形成する工程と、この第１の導電層上に当該第１の導
電層との間で前記オーミック層との濡れ性の良い固有性
合金を形成する材料からなる第２の導電層を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
造方法は、発光観測面側にｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層を備えた発光素子の製造方法であって、前記ｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層表面に透光性電極を形成
する工程と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と
対をなすｎ型半導体層上にオーミック用電極を形成する
工程と、前記透光性電極及びオーミック用電極を形成し
た後に熱処理を施すことで、これら各電極と前記各半導
体層とのオーミック接触を得る工程と、を有し、前記透
光性電極を形成する工程が、前記ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層表面にオーミック層 を被着する工程と、こ
のオーミック層よりも高い導電率を有する第１の導電層
を形成する工程と、この第１の導電層上に当該第１の導
電層との間で前記オーミック層との濡れ性の良い固有性
合金を形成する材料からなる第２の導電層を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】さらに、この発明は、発光観測面側にｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層を備えた発光素子の製造
方法であって、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
表面に透光性電極を形成する工程と、前記ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層と対をなすｎ型半導体層上にオー
ミック用電極を形成する工程と、前記透光性電極及びオ
ーミック用電極を形成した後に熱処理を施すことで、こ
れら各電極と前記各半導体層とのオーミック接触を得る
工程と、を有し、前記透光性電極を形成する工程が、前
記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にオーミック
層を被着する工程と、前記オーミック層上に金からなる
第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上
に、銀、銅、パラジウム、ニッケル或いは白金の中から
選択される１種または複数の金属からなる第２の導電層
を形成する工程と、からなることを特徴とする。
窒化ガリウム系化合物半導体層を備えた発光素子の製造
方法であって、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
表面に透光性電極を形成する工程と、前記ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層と対をなすｎ型半導体層上にオー
ミック用電極を形成する工程と、前記透光性電極及びオ
ーミック用電極を形成した後に熱処理を施すことで、こ
れら各電極と前記各半導体層とのオーミック接触を得る
工程と、を有し、前記透光性電極を形成する工程が、前
記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にオーミック
層を被着する工程と、前記オーミック層上に金からなる
第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上
に、銀、銅、パラジウム、ニッケル或いは白金の中から
選択される１種または複数の金属からなる第２の導電層
を形成する工程と、からなることを特徴とする。
【００１０】さらに、前記熱処理を、約６００℃〜約１
２００℃の範囲で行うように構成するとよい。
２００℃の範囲で行うように構成するとよい。
【００１１】前記ｎ型半導体層を、ｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層で構成するとよい。
化合物半導体層で構成するとよい。
【００１２】上記のように構成することで、最表面にｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層を備える発光素子にお
いて、透光性電極の導電性を損なうことなくオーミック
電極を容易に形成することができる。
型窒化ガリウム系化合物半導体層を備える発光素子にお
いて、透光性電極の導電性を損なうことなくオーミック
電極を容易に形成することができる。
【００１３】
【実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１４】まず、図１に従いこの発明が適用されるｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とした
発光素子の製造方法につき説明する。
型窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とした
発光素子の製造方法につき説明する。
【００１５】図１（ａ）に示すように、サファイア基板
１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２、ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層３がＭＯＣＶＤ法により形成
される。そして、メサエッチングによりｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層３の一部を除去し、ｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層２の一部を露出する。なお、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層２、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層３間には活性層が設けられている。
１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２、ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層３がＭＯＣＶＤ法により形成
される。そして、メサエッチングによりｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層３の一部を除去し、ｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層２の一部を露出する。なお、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層２、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層３間には活性層が設けられている。
【００１６】次に、同図（ｂ）に示すように、発光観測
面側となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３のほぼ
全面に透光性電極４が電子ビーム蒸着などにより設けら
れる。この発明では、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層３表面にこの半導体層３とオーミック接触を取るため
のニッケル（Ｎｉ）からなる膜厚約２ｎｍのオーミック
層、このオーミック層よりも高い導電率を有した金（Ａ
ｕ）からなる膜厚約４ｎｍの第１の導電層、及びニッケ
ル（Ｎｉ）からなる膜厚約２ｎｍの第２の導電層を、順
次積層している。
面側となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層３のほぼ
全面に透光性電極４が電子ビーム蒸着などにより設けら
れる。この発明では、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層３表面にこの半導体層３とオーミック接触を取るため
のニッケル（Ｎｉ）からなる膜厚約２ｎｍのオーミック
層、このオーミック層よりも高い導電率を有した金（Ａ
ｕ）からなる膜厚約４ｎｍの第１の導電層、及びニッケ
ル（Ｎｉ）からなる膜厚約２ｎｍの第２の導電層を、順
次積層している。
【００１７】続いて、同図（ｃ）に示すように、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層２の表面に膜厚約３０ｎｍ
のチタン（Ｔｉ）と膜厚約５００ｎｍのアルミニウム
（Ａｌ）を積層したｎ電極５が電子ビーム蒸着などによ
り設けられる。そして、６００℃以上の温度で透光性電
極４及びｎ電極５を熱処理（アロイ）し、ｎ電極５のオ
ーミック接触をとる。この熱処理では、後述するよう
に、この発明による透光性電極４の導電性は損なわれな
い。
化ガリウム系化合物半導体層２の表面に膜厚約３０ｎｍ
のチタン（Ｔｉ）と膜厚約５００ｎｍのアルミニウム
（Ａｌ）を積層したｎ電極５が電子ビーム蒸着などによ
り設けられる。そして、６００℃以上の温度で透光性電
極４及びｎ電極５を熱処理（アロイ）し、ｎ電極５のオ
ーミック接触をとる。この熱処理では、後述するよう
に、この発明による透光性電極４の導電性は損なわれな
い。
【００１８】その後、同図（ｄ）に示すように、ＳｉＯ
2、Ｓｉ3Ｏ4等からなる保護膜６を、流動性塗布膜（東
京互化製：ＯＣＤ液）をスピンコートした後にベーキン
グすることで形成し、同図（ｅ）に示すように、保護膜
６の両電極部を開口した後、膜厚約３０ｎｍのニッケル
（Ｎｉ）と膜厚約７００ｎｍの金（Ａｕ）からなるパッ
ド電極７、８を設けることにより、この発明に係る窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる。
2、Ｓｉ3Ｏ4等からなる保護膜６を、流動性塗布膜（東
京互化製：ＯＣＤ液）をスピンコートした後にベーキン
グすることで形成し、同図（ｅ）に示すように、保護膜
６の両電極部を開口した後、膜厚約３０ｎｍのニッケル
（Ｎｉ）と膜厚約７００ｎｍの金（Ａｕ）からなるパッ
ド電極７、８を設けることにより、この発明に係る窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる。
【００１９】さて、この発明者等は、オーミック層／第
１の導電層／第２の導電層、すなわち、この実施の形態
にあっては、Ｎｉ／Ａｕ／Ｎｉの３層の積層膜からなる
この発明に係る透光性電極をサファイア基板の上に設け
たサンプルａと、比較のために従来の２層の積層構造の
Ａｕ／Ｎｉからなる透光性電極を設けた比較サンプルｂ
とを用意し、これらサンプルａ，ｂに熱処理を施してシ
ート抵抗を測定した。この結果を図２に示す。
１の導電層／第２の導電層、すなわち、この実施の形態
にあっては、Ｎｉ／Ａｕ／Ｎｉの３層の積層膜からなる
この発明に係る透光性電極をサファイア基板の上に設け
たサンプルａと、比較のために従来の２層の積層構造の
Ａｕ／Ｎｉからなる透光性電極を設けた比較サンプルｂ
とを用意し、これらサンプルａ，ｂに熱処理を施してシ
ート抵抗を測定した。この結果を図２に示す。
【００２０】尚、サンプルａは、Ｎｉ／Ａｕ／Ｎｉの膜
厚が１ｎｍ／４ｎｍ／２ｎｍ、また、サンプルｂは、Ａ
ｕ／Ｎｉの膜厚が４ｎｍ／２ｎｍとなるように、電子ビ
ーム蒸着により形成した。形成条件は、室温、２〜５×
１０-6Ｔｏｒｒの圧力下で成膜速度はＡｕが３オングス
トローム／秒、Ｎｉが２オングストローム／秒である。
また、熱処理は各温度で窒素ガスを１．０リットル／分
流して３分間行った。
厚が１ｎｍ／４ｎｍ／２ｎｍ、また、サンプルｂは、Ａ
ｕ／Ｎｉの膜厚が４ｎｍ／２ｎｍとなるように、電子ビ
ーム蒸着により形成した。形成条件は、室温、２〜５×
１０-6Ｔｏｒｒの圧力下で成膜速度はＡｕが３オングス
トローム／秒、Ｎｉが２オングストローム／秒である。
また、熱処理は各温度で窒素ガスを１．０リットル／分
流して３分間行った。
【００２１】図２より明らかなように、この発明に係る
構造の透光性電極であれば、熱処理温度が６００℃を越
えてもシート抵抗は増加せず、電極としての機能を有し
ていることが分かる。これに対して、Ａｕ／Ｎｉの２層
を積層した従来の透光性電極では、熱処理温度が５５０
℃を越える当たりからシート抵抗が増加し、ｎ電極との
オーミック接触をとるために必要とされる熱処理温度６
００℃を越えると、金の凝集が起こり電極として機能で
きなくなるほど導電性が損なわれる。
構造の透光性電極であれば、熱処理温度が６００℃を越
えてもシート抵抗は増加せず、電極としての機能を有し
ていることが分かる。これに対して、Ａｕ／Ｎｉの２層
を積層した従来の透光性電極では、熱処理温度が５５０
℃を越える当たりからシート抵抗が増加し、ｎ電極との
オーミック接触をとるために必要とされる熱処理温度６
００℃を越えると、金の凝集が起こり電極として機能で
きなくなるほど導電性が損なわれる。
【００２２】図３に、上記サンプルａに熱処理を施し、
波長４５０ｎｍにおける透過率を測定した結果を示す。
この図３から明らかなように、この発明の透光性電極
は、処理温度の上昇につれて、透過率が向上する傾向を
示した。
波長４５０ｎｍにおける透過率を測定した結果を示す。
この図３から明らかなように、この発明の透光性電極
は、処理温度の上昇につれて、透過率が向上する傾向を
示した。
【００２３】従って、この発明によれば、透光性電極の
形成後にｎ型電極の熱処理を行っても問題はない。加え
て、この熱処理の温度を高くするほどオーミック性が向
上するので、従来よりも良好な発光素子を提供すること
ができる。なお、熱処理温度が１２００℃以上では、窒
化ガリウム系化合物半導体層自体の変質が生じ、発光素
子の特性が劣化するために、好ましい熱処理温度の範囲
は約６００℃〜１２００℃の範囲である。
形成後にｎ型電極の熱処理を行っても問題はない。加え
て、この熱処理の温度を高くするほどオーミック性が向
上するので、従来よりも良好な発光素子を提供すること
ができる。なお、熱処理温度が１２００℃以上では、窒
化ガリウム系化合物半導体層自体の変質が生じ、発光素
子の特性が劣化するために、好ましい熱処理温度の範囲
は約６００℃〜１２００℃の範囲である。
【００２４】このように、この発明の透光性電極が６０
０℃以上の温度まで熱処理が可能である理由は、熱処理
時にニッケル（Ｎｉ）からなる第２の導電層が金（Ａ
ｕ）からなる第１の導電層との間で、ニッケル（Ｎｉ）
からなるオーミック層との濡れ性の良好な固有性合金を
形成するためと推察される。かかる固有性合金は、オー
ミック層との濡れ性が良いために温度を上げても凝集し
にくく、熱処理温度を６００℃以上に上げてもオーミッ
ク層上の全面に連続的に存在することとなり、従って、
シート抵抗が低下することがない。
０℃以上の温度まで熱処理が可能である理由は、熱処理
時にニッケル（Ｎｉ）からなる第２の導電層が金（Ａ
ｕ）からなる第１の導電層との間で、ニッケル（Ｎｉ）
からなるオーミック層との濡れ性の良好な固有性合金を
形成するためと推察される。かかる固有性合金は、オー
ミック層との濡れ性が良いために温度を上げても凝集し
にくく、熱処理温度を６００℃以上に上げてもオーミッ
ク層上の全面に連続的に存在することとなり、従って、
シート抵抗が低下することがない。
【００２５】また、この実施の形態の如く、オーミック
層としてニッケル（Ｎｉ）を第１の導電層として金（Ａ
ｕ）を用いた場合にあっては、上記第２の導電層とし
て、ニッケル（Ｎｉ）以外に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）或いは白金（Ｐｔ）用いるこ
とができる。或いは、これらの中から選択される複数の
材料からなる合金を用いても良い。
層としてニッケル（Ｎｉ）を第１の導電層として金（Ａ
ｕ）を用いた場合にあっては、上記第２の導電層とし
て、ニッケル（Ｎｉ）以外に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）或いは白金（Ｐｔ）用いるこ
とができる。或いは、これらの中から選択される複数の
材料からなる合金を用いても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、６００℃以上の熱処理を施して導電性が損なわれな
いオーミック電極が得られ、量産性の優れた窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子を提供できる。特に、この発明
は、６００℃以上の熱処理を施して導電性が損なわれな
い透光性電極が得られ、量産性の優れた窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子を提供できる。
ば、６００℃以上の熱処理を施して導電性が損なわれな
いオーミック電極が得られ、量産性の優れた窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子を提供できる。特に、この発明
は、６００℃以上の熱処理を施して導電性が損なわれな
い透光性電極が得られ、量産性の優れた窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子を提供できる。
【図１】この発明が適用されるｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層側を発光観測面とした発光素子の製造方法を
工程別に示す断面図である。
物半導体層側を発光観測面とした発光素子の製造方法を
工程別に示す断面図である。
【図２】この発明による透光性電極と従来の透光性電極
の熱処理温度とシート抵抗の関係を示す特性図である。
の熱処理温度とシート抵抗の関係を示す特性図である。
【図３】この発明による透光性電極の熱処理温度と透光
性の関係を示す特性図である。
性の関係を示す特性図である。
１ サファイア基板
２ ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
３ ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
４ 透光性電極
５ ｎ型電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−274372（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−51235（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−314822（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−56206（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−69623（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (4)
- 【請求項１】 発光観測面側にｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層を備えた発光素子の製造方法であって、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に透光性電
極を形成する工程と、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と対をなすｎ型
半導体層上にオーミック用電極を形成する工程と、 前記透光性電極及びオーミック用電極を形成した後に熱
処理を施すことで、これら各電極と前記各半導体層との
オーミック接触を得る工程と、を有し、 前記透光性電極を形成する工程が、前記ｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層表面にオーミック層を被着する工程
と、 このオーミック層よりも高い導電率を有する第１の導電
層を形成する工程と、 この第１の導電層上に当該第１の導電層との間で前記オ
ーミック層との濡れ性の良い固有性合金を形成する材料
からなる第２の導電層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 発光観測面側にｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層を備えた発光素子の製造方法であって、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に透光性電
極を形成する工程と、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と対をなすｎ型
半導体層上にオーミック用電極を形成する工程と、 前記透光性電極及びオーミック用電極を形成した後に熱
処理を施すことで、これら各電極と前記各半導体層との
オーミック接触を得る工程と、を有し、 前記透光性電極を形成する工程が、前記ｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層表面にオーミック層を被着する工程
と、 前記オーミック層上に金からなる第１の導電層を形成す
る工程と、 前記第１の導電層上に、銀、銅、パラジウム、ニッケル
或いは白金の中から選択される１種または複数の金属か
らなる第２の導電層を形成する工程と、 からなることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記熱処理を、約６００℃〜約１２００
℃の範囲で行うことを特徴とする請求項１または２に記
載の発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記ｎ型半導体層が、ｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層であることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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