JP2001250850A - プローブ方法及びプローブ装置 - Google Patents
プローブ方法及びプローブ装置Info
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- JP2001250850A JP2001250850A JP2000058657A JP2000058657A JP2001250850A JP 2001250850 A JP2001250850 A JP 2001250850A JP 2000058657 A JP2000058657 A JP 2000058657A JP 2000058657 A JP2000058657 A JP 2000058657A JP 2001250850 A JP2001250850 A JP 2001250850A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査を行う時にはプローブからの針荷重によ
って載置台が傾いてプローブカードと半導体ウエハ間の
平行が崩れ、複数のプローブの中には電極パッドと十分
に接触できないプローブが現れ、検査不良を招く。 【解決手段】 本発明のプローブ方法は、載置台１１を
移動させその上面の半導体ウエハＷと複数のプローブ１
２Ａとを接触させた後、載置台１１をオーバドライブさ
せて半導体ウエハＷの電気的特性検査を行うプローブ方
法において、載置台１１をオーバードライブさせて半導
体ウエハＷの複数の電極パッドＰと各プローブ１２Ａを
軽く接触させる工程と、半導体ウエハＷと各プローブ１
２Ａが軽く接触した状態で載置台１１を水平方向のみに
超音波振動させる工程とを有することを特徴とする。
って載置台が傾いてプローブカードと半導体ウエハ間の
平行が崩れ、複数のプローブの中には電極パッドと十分
に接触できないプローブが現れ、検査不良を招く。 【解決手段】 本発明のプローブ方法は、載置台１１を
移動させその上面の半導体ウエハＷと複数のプローブ１
２Ａとを接触させた後、載置台１１をオーバドライブさ
せて半導体ウエハＷの電気的特性検査を行うプローブ方
法において、載置台１１をオーバードライブさせて半導
体ウエハＷの複数の電極パッドＰと各プローブ１２Ａを
軽く接触させる工程と、半導体ウエハＷと各プローブ１
２Ａが軽く接触した状態で載置台１１を水平方向のみに
超音波振動させる工程とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検査体の電気的
特性検査を行うプローブ方法及びプローブ装置に関し、
更に詳しくはオーバードライブ時の針荷重による載置台
の傾斜を抑制することができるプローブ方法及びプロー
ブ装置に関する。
特性検査を行うプローブ方法及びプローブ装置に関し、
更に詳しくはオーバードライブ時の針荷重による載置台
の傾斜を抑制することができるプローブ方法及びプロー
ブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプローブ装置は、被検査体（例え
ば、ＩＣチップが多数形成された半導体ウエハ）を載置
しＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台と、この載
置台の上方に固定配置されたプローブカードとを備えて
いる。そして、半導体ウエハの電気的特性検査を行う場
合には、載置台をＸ、Ｙ及びθ方向へ移動させて半導体
ウエハの複数の電極とプローブカードの複数のプローブ
を位置決めした後、載置台をＺ方向に上昇させて各電極
パッドとこれらに対応する複数のプローブが接触した
後、更に載置台をオーバードライブさせて各電極パッド
と各プローブを電気的に接続している。
ば、ＩＣチップが多数形成された半導体ウエハ）を載置
しＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台と、この載
置台の上方に固定配置されたプローブカードとを備えて
いる。そして、半導体ウエハの電気的特性検査を行う場
合には、載置台をＸ、Ｙ及びθ方向へ移動させて半導体
ウエハの複数の電極とプローブカードの複数のプローブ
を位置決めした後、載置台をＺ方向に上昇させて各電極
パッドとこれらに対応する複数のプローブが接触した
後、更に載置台をオーバードライブさせて各電極パッド
と各プローブを電気的に接続している。
【０００３】ところが、電極パッドの表面は自然酸化膜
等の絶縁膜が形成されているため、載置台をオーバード
ライブさせただけでは絶縁膜で電極パッドとプローブ間
の導通が阻害される。そこで、従来からオーバードライ
ブ時に載置台を振動させてプローブにより電極パッド表
面の絶縁膜を削り取り、プローブと電極パッドの導通を
取っている。載置台を振動させる手段としては、例えば
特開昭６４−９１０７３号公報、特開平１−１７１２３
６号公報あるいは特開平１０−６２４９９号公報に記載
された技術が知られている。これらの公報に記載された
技術は載置台に超音波振動を付与してプローブと電極パ
ッド間の導通を取る方法である。
等の絶縁膜が形成されているため、載置台をオーバード
ライブさせただけでは絶縁膜で電極パッドとプローブ間
の導通が阻害される。そこで、従来からオーバードライ
ブ時に載置台を振動させてプローブにより電極パッド表
面の絶縁膜を削り取り、プローブと電極パッドの導通を
取っている。載置台を振動させる手段としては、例えば
特開昭６４−９１０７３号公報、特開平１−１７１２３
６号公報あるいは特開平１０−６２４９９号公報に記載
された技術が知られている。これらの公報に記載された
技術は載置台に超音波振動を付与してプローブと電極パ
ッド間の導通を取る方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
ようにＩＣチップの高集積化により電極パッド数が急激
に増加しプローブ本数が急激に増加すると、オーバード
ライブ時のプローブによる針荷重が急激に大きくなり、
しかも半導体ウエハも大口径化して来ると、半導体ウエ
ハの中心から外れた位置のＩＣチップの検査を行う時に
はプローブからの針荷重によって載置台が傾いてプロー
ブカードと半導体ウエハ間の平行が崩れ、複数のプロー
ブの中には電極パッドと十分に接触できないプローブが
現れ、検査不良を招くという課題があった。この状態で
載置台に超音波振動を付与したとしてもプローブと電極
パッドの電気的接触不良を免れるものではない。また、
接触不良を解消するために更に針荷重を高めると、電極
パッドやプローブを傷めたる事態に陥る。
ようにＩＣチップの高集積化により電極パッド数が急激
に増加しプローブ本数が急激に増加すると、オーバード
ライブ時のプローブによる針荷重が急激に大きくなり、
しかも半導体ウエハも大口径化して来ると、半導体ウエ
ハの中心から外れた位置のＩＣチップの検査を行う時に
はプローブからの針荷重によって載置台が傾いてプロー
ブカードと半導体ウエハ間の平行が崩れ、複数のプロー
ブの中には電極パッドと十分に接触できないプローブが
現れ、検査不良を招くという課題があった。この状態で
載置台に超音波振動を付与したとしてもプローブと電極
パッドの電気的接触不良を免れるものではない。また、
接触不良を解消するために更に針荷重を高めると、電極
パッドやプローブを傷めたる事態に陥る。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、被検査体が高集積化、大型化してもオーバ
ードライブ時の載置台の傾斜を抑制し全てのプローブを
対応する電極と接触させ被検査体の電気的特性検査を確
実に行うことができるプローブ方法及びプローブ装置を
提供することを目的としている。
れたもので、被検査体が高集積化、大型化してもオーバ
ードライブ時の載置台の傾斜を抑制し全てのプローブを
対応する電極と接触させ被検査体の電気的特性検査を確
実に行うことができるプローブ方法及びプローブ装置を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプローブ方法は、載置台を移動させその上面の被検査
体と複数のプローブとを接触させた後、上記載置台をオ
ーバドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を行
うプローブ方法において、上記載置台をオーバードライ
ブさせて上記被検査体の複数の電極と上記各プローブを
軽く接触させる工程と、上記被検査体と上記各プローブ
が軽く接触した状態で上記載置台を水平方向のみに超音
波振動させる工程とを有することを特徴とするものであ
る。
のプローブ方法は、載置台を移動させその上面の被検査
体と複数のプローブとを接触させた後、上記載置台をオ
ーバドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を行
うプローブ方法において、上記載置台をオーバードライ
ブさせて上記被検査体の複数の電極と上記各プローブを
軽く接触させる工程と、上記被検査体と上記各プローブ
が軽く接触した状態で上記載置台を水平方向のみに超音
波振動させる工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【０００７】また、本発明の請求項２に記載のプローブ
方法は、請求項１に記載の発明において、上記超音波振
動工程では上記各プローブにより実質的に上記各電極表
面に形成された絶縁膜のみを破ることを特徴とするもの
である。
方法は、請求項１に記載の発明において、上記超音波振
動工程では上記各プローブにより実質的に上記各電極表
面に形成された絶縁膜のみを破ることを特徴とするもの
である。
【０００８】また、本発明の請求項３に記載のプローブ
装置は、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に移動可能な被検査体の載置
台と、この載置台上の被検査体の複数の電極と電気的に
接触する複数のプローブを有するプローブカードとを備
え、上記載置台のオーバードライブにより上記被検査体
と上記プローブを接触させて上記被検査体の電気的特性
検査を行うプローブ装置において、上記載置台に超音波
振動を付与する手段を設けると共に超音波振動の振動方
向を水平方向に制限する手段を設けたことを特徴とする
ものである。
装置は、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に移動可能な被検査体の載置
台と、この載置台上の被検査体の複数の電極と電気的に
接触する複数のプローブを有するプローブカードとを備
え、上記載置台のオーバードライブにより上記被検査体
と上記プローブを接触させて上記被検査体の電気的特性
検査を行うプローブ装置において、上記載置台に超音波
振動を付与する手段を設けると共に超音波振動の振動方
向を水平方向に制限する手段を設けたことを特徴とする
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプローブ
装置１０は、図１に示すように、例えば半導体ウエハＷ
を載置する載置台１１と、この載置台１１の上方に配置
された複数のプローブ１２Ａを有するプローブカード１
２とを備えている。載置台１１は制御装置１３の制御下
で駆動機構（図示せず）を介してＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向
に移動し、プローブカード１２は例えばインサートリン
グ１４に固定されている。検査時には制御装置１３の制
御下で載置台１１が、Ｘ、Ｙ及びθ方向に移動し半導体
ウエハＷの電極パッドＰ（図２参照）とプローブ１２Ａ
の位置合わせを行った後、載置台１１がＺ方向に上昇し
て電極パッドＰとプローブ１２Ａを接触させた後オーバ
ドライブして半導体ウエハＷとプローブ１２Ａの電気的
接触させて半導体ウエハＷのＩＣチップの電気的特性検
査を行う。
態に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプローブ
装置１０は、図１に示すように、例えば半導体ウエハＷ
を載置する載置台１１と、この載置台１１の上方に配置
された複数のプローブ１２Ａを有するプローブカード１
２とを備えている。載置台１１は制御装置１３の制御下
で駆動機構（図示せず）を介してＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向
に移動し、プローブカード１２は例えばインサートリン
グ１４に固定されている。検査時には制御装置１３の制
御下で載置台１１が、Ｘ、Ｙ及びθ方向に移動し半導体
ウエハＷの電極パッドＰ（図２参照）とプローブ１２Ａ
の位置合わせを行った後、載置台１１がＺ方向に上昇し
て電極パッドＰとプローブ１２Ａを接触させた後オーバ
ドライブして半導体ウエハＷとプローブ１２Ａの電気的
接触させて半導体ウエハＷのＩＣチップの電気的特性検
査を行う。
【００１０】本実施形態では、載置台１１のオーバード
ライブ時に載置台１１に超音波振動を付与し、プローブ
１２Ａで電極パッドＰの絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ
１２Ａと電極パッドＰの導通を取る。即ち、上記載置台
１１の側面には超音波振動子１５が取り付けられ、この
超音波振動子１５には周波数発生器１６が接続されてい
る。超音波振動子１５は周波数発生器１６から加励信号
が入力すると、加励印号を超音波振動に変換し、載置台
１１に対して所定の振動数を持った超音波振動を付与す
る。この時、載置台１１は超音波振動子１５を介して振
動するが、載置台１１は上下、左右、前後の全方向に振
動することになる。そこで、本実施形態では、載置台１
１に振動方向を制御する振動方向制御子１７が取り付け
られている。この振動方向制御子１７は載置台１１の上
下方向の超音波振動を抑え、図１の矢印でい示すように
載置台１１を水平方向にのみ振動させる。超音波振動子
１５は、加励信号を超音波振動に変換できるものであれ
ば特に制限されず、従来公知のものを使用することがで
きる。また、振動方向制御子１７は振動方向を特定の方
向に制限することができるものであれば特に制限されな
いが、振動方向制御子１７としたは例えば超音波接合機
器に使用されるコーンやホーン等を挙げることができ
る。
ライブ時に載置台１１に超音波振動を付与し、プローブ
１２Ａで電極パッドＰの絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ
１２Ａと電極パッドＰの導通を取る。即ち、上記載置台
１１の側面には超音波振動子１５が取り付けられ、この
超音波振動子１５には周波数発生器１６が接続されてい
る。超音波振動子１５は周波数発生器１６から加励信号
が入力すると、加励印号を超音波振動に変換し、載置台
１１に対して所定の振動数を持った超音波振動を付与す
る。この時、載置台１１は超音波振動子１５を介して振
動するが、載置台１１は上下、左右、前後の全方向に振
動することになる。そこで、本実施形態では、載置台１
１に振動方向を制御する振動方向制御子１７が取り付け
られている。この振動方向制御子１７は載置台１１の上
下方向の超音波振動を抑え、図１の矢印でい示すように
載置台１１を水平方向にのみ振動させる。超音波振動子
１５は、加励信号を超音波振動に変換できるものであれ
ば特に制限されず、従来公知のものを使用することがで
きる。また、振動方向制御子１７は振動方向を特定の方
向に制限することができるものであれば特に制限されな
いが、振動方向制御子１７としたは例えば超音波接合機
器に使用されるコーンやホーン等を挙げることができ
る。
【００１１】而して、載置台のオーバードライブ量はプ
ローブ１２Ａの種類によっても異なる値が規定されてい
る。例えば図１に示した片持ちタイプのプローブ１２Ａ
のオーバードライブ量の規定値が例えば８０μｍ程度で
あるとすると、検査時には載置台１１を約８０μｍオー
バードライブさせた後、載置台１１に超音波振動を付与
すると、例えば図３に示すようにプローブ１２Ａによっ
て絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ１２Ａと電極パッドＰ
を電気的に接触させる。ところが、この接触により電極
パッドＰ表面には例えば深さ０．３〜０．４μｍ程度の
針跡が形成される。また、半導体ウエハＷの周縁部のＩ
Ｃチップを検査する時にはオーバードライブ時の針荷重
によって載置台１１が傾斜する。この傾斜は針荷重が大
きいほど、また半導体ウエハＷが大口径化するほど顕著
になる。
ローブ１２Ａの種類によっても異なる値が規定されてい
る。例えば図１に示した片持ちタイプのプローブ１２Ａ
のオーバードライブ量の規定値が例えば８０μｍ程度で
あるとすると、検査時には載置台１１を約８０μｍオー
バードライブさせた後、載置台１１に超音波振動を付与
すると、例えば図３に示すようにプローブ１２Ａによっ
て絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ１２Ａと電極パッドＰ
を電気的に接触させる。ところが、この接触により電極
パッドＰ表面には例えば深さ０．３〜０．４μｍ程度の
針跡が形成される。また、半導体ウエハＷの周縁部のＩ
Ｃチップを検査する時にはオーバードライブ時の針荷重
によって載置台１１が傾斜する。この傾斜は針荷重が大
きいほど、また半導体ウエハＷが大口径化するほど顕著
になる。
【００１２】そこで、本実施形態ではプローブカード１
２の規定オーバードライブ量を目安に、規定オーバード
ライブ量よりも格段に小さい値、例えば規定値の５〜１
０％程度に設定して針荷重を軽減する。これによって半
導体ウエハＷの周縁部のＩＣチップを検査する時でも載
置台１１の傾斜を無視できる程度まで軽減することがで
き、複数のプローブ１２Ａと対応する電極パッドＰを確
実に接触させることができる。針荷重を軽減した状態で
載置台１１を超音波振動させると、載置台１１の水平方
向の超音波振動する際にプローブ１２Ａにより電極パッ
ドＰの絶縁膜Ｏを削り取る。しかし、載置台１１は上下
方向にも振動するため、本実施形態ではプローブ１２Ａ
と電極パッドＰの接触が浅く、載置台１１の上下方向の
振動によりプローブ１２Ａと電極パッドＰが離接して電
気的に接触したり、離れたりすることがある。
２の規定オーバードライブ量を目安に、規定オーバード
ライブ量よりも格段に小さい値、例えば規定値の５〜１
０％程度に設定して針荷重を軽減する。これによって半
導体ウエハＷの周縁部のＩＣチップを検査する時でも載
置台１１の傾斜を無視できる程度まで軽減することがで
き、複数のプローブ１２Ａと対応する電極パッドＰを確
実に接触させることができる。針荷重を軽減した状態で
載置台１１を超音波振動させると、載置台１１の水平方
向の超音波振動する際にプローブ１２Ａにより電極パッ
ドＰの絶縁膜Ｏを削り取る。しかし、載置台１１は上下
方向にも振動するため、本実施形態ではプローブ１２Ａ
と電極パッドＰの接触が浅く、載置台１１の上下方向の
振動によりプローブ１２Ａと電極パッドＰが離接して電
気的に接触したり、離れたりすることがある。
【００１３】ところが、本実施形態では振動方向制御子
１７によって載置台１１の振動方向を水平方向に制限
し、載置台１１を超音波振動させても半導体ウエハＷは
図２の（ａ）に示すように水平方向にのみ振動するた
め、同図の（ｂ）に示すようにプローブ１２Ａによって
電極パッドＰの絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ１２Ａと
電極パッドＰが確実に電気的に接触する。しかも載置台
１１は上下方向に振動しないためプローブ１２Ａと電極
パッドＰが接触不良を起こすことはない。また、プロー
ブ１２Ａと電極パッドＰは実質的に電極パッドＰ表面の
絶縁膜Ｏのみを削り取る程度に軽く接触することが好ま
しい。実質的に絶縁膜Ｏのみを削り取るとは、絶縁膜Ｏ
を削り取った時に電極パッドＰの表面を傷つけても極め
て軽微な針跡を残す程度で絶縁膜Ｏを削り取ることを云
う。尚、針荷重に設定には本出願人が特願２０００−３
６３６１号明細書において提案した針荷重設定方法を用
いることができる。
１７によって載置台１１の振動方向を水平方向に制限
し、載置台１１を超音波振動させても半導体ウエハＷは
図２の（ａ）に示すように水平方向にのみ振動するた
め、同図の（ｂ）に示すようにプローブ１２Ａによって
電極パッドＰの絶縁膜Ｏを削り取ってプローブ１２Ａと
電極パッドＰが確実に電気的に接触する。しかも載置台
１１は上下方向に振動しないためプローブ１２Ａと電極
パッドＰが接触不良を起こすことはない。また、プロー
ブ１２Ａと電極パッドＰは実質的に電極パッドＰ表面の
絶縁膜Ｏのみを削り取る程度に軽く接触することが好ま
しい。実質的に絶縁膜Ｏのみを削り取るとは、絶縁膜Ｏ
を削り取った時に電極パッドＰの表面を傷つけても極め
て軽微な針跡を残す程度で絶縁膜Ｏを削り取ることを云
う。尚、針荷重に設定には本出願人が特願２０００−３
６３６１号明細書において提案した針荷重設定方法を用
いることができる。
【００１４】次に、本実施形態のプローブ装置１０を用
いたプローブ方法について説明する。プローブ装置１０
は制御装置１３の制御下で以下のように動作する。即
ち、半導体ウエハＷを載置台１１上に載置すると、載置
台１１がＸ、Ｙ及びθ方向に移動し、プローブカード１
２のプローブ１２Ａと半導体ウエハＷの電極パッドＰと
の位置合わせを行う。次いで、載置台１１が初期位置へ
移動した後、Ｚ方向へ上昇して半導体ウエハＷの電極パ
ッドＰとプローブ１２Ａが接触する。更に、載置台１１
が８μｍ程度オーバードライブすると、プローブ１２Ａ
と電極パッドＰが従来よりも格段に小さな針荷重で図２
の（ａ）に示すように接触する。そして、制御装置１３
の制御下で周波数発生器１６が作動すると超音波振動子
１５を介して載置台１１に超音波振動を付与する。この
際、超音波振動子１５は振動方向制御子１７を介して載
置台１１を水平方向にのみ振動させる。この振動により
プローブ１２Ａが図２の（ｂ）に示すように電極パッド
Ｐの絶縁膜Ｏを削り取って電極パッドＰから離れること
なく確実に電極パッドＰと電気的に接触する。この時図
示しないテスタから検査用信号をプローブ装置１０に印
加すると所定の電気特性検査を確実に行うことができ
る。
いたプローブ方法について説明する。プローブ装置１０
は制御装置１３の制御下で以下のように動作する。即
ち、半導体ウエハＷを載置台１１上に載置すると、載置
台１１がＸ、Ｙ及びθ方向に移動し、プローブカード１
２のプローブ１２Ａと半導体ウエハＷの電極パッドＰと
の位置合わせを行う。次いで、載置台１１が初期位置へ
移動した後、Ｚ方向へ上昇して半導体ウエハＷの電極パ
ッドＰとプローブ１２Ａが接触する。更に、載置台１１
が８μｍ程度オーバードライブすると、プローブ１２Ａ
と電極パッドＰが従来よりも格段に小さな針荷重で図２
の（ａ）に示すように接触する。そして、制御装置１３
の制御下で周波数発生器１６が作動すると超音波振動子
１５を介して載置台１１に超音波振動を付与する。この
際、超音波振動子１５は振動方向制御子１７を介して載
置台１１を水平方向にのみ振動させる。この振動により
プローブ１２Ａが図２の（ｂ）に示すように電極パッド
Ｐの絶縁膜Ｏを削り取って電極パッドＰから離れること
なく確実に電極パッドＰと電気的に接触する。この時図
示しないテスタから検査用信号をプローブ装置１０に印
加すると所定の電気特性検査を確実に行うことができ
る。
【００１５】この際の載置台１１のオーバドライブ量は
針荷重を極力小さくできる値に設定する。理想的には実
質的に電極パッドＰの絶縁膜Ｏのみを削る取り電極パッ
ドＰの金属部分を極力傷つけない程度までオーバードラ
イブ量を小さくする。
針荷重を極力小さくできる値に設定する。理想的には実
質的に電極パッドＰの絶縁膜Ｏのみを削る取り電極パッ
ドＰの金属部分を極力傷つけない程度までオーバードラ
イブ量を小さくする。
【００１６】以上説明したように本実施形態によれば、
載置台１１を移動させ半導体ウエハＷの電極パッドＰと
プローブカード１２のプローブ１２Ａとを接触させた
後、載置台１１をオーバドライブさせて半導体ウエハＷ
の電気的特性検査を行う際に、載置台１１をオーバード
ライブさせ、半導体ウエハＷとプローブ１２Ａを軽く接
触させ、この状態で載置台１１を水平方向のみに超音波
振動させるようにしたため、半導体ウエハＷが高集積
化、大口径化してもオーバードライブ時に載置台１１を
針荷重により傾斜させることなく全てのプローブ１２Ａ
と対応する電極パッドＰとを接触させて確実に電気的特
性検査することができる。また、オーバードライブ時の
針荷重が小さく、各プローブ１２Ａにより実質的に各電
極パッドＰの表面に形成された絶縁膜のみを削り取るよ
うにしたため、プローブ１２Ａによって電極パッドＰを
傷めたり、プローブ１２Ａを傷める虞がない。
載置台１１を移動させ半導体ウエハＷの電極パッドＰと
プローブカード１２のプローブ１２Ａとを接触させた
後、載置台１１をオーバドライブさせて半導体ウエハＷ
の電気的特性検査を行う際に、載置台１１をオーバード
ライブさせ、半導体ウエハＷとプローブ１２Ａを軽く接
触させ、この状態で載置台１１を水平方向のみに超音波
振動させるようにしたため、半導体ウエハＷが高集積
化、大口径化してもオーバードライブ時に載置台１１を
針荷重により傾斜させることなく全てのプローブ１２Ａ
と対応する電極パッドＰとを接触させて確実に電気的特
性検査することができる。また、オーバードライブ時の
針荷重が小さく、各プローブ１２Ａにより実質的に各電
極パッドＰの表面に形成された絶縁膜のみを削り取るよ
うにしたため、プローブ１２Ａによって電極パッドＰを
傷めたり、プローブ１２Ａを傷める虞がない。
【００１７】尚、上記実施形態に何等制限されるもので
はなく、本発明の構成要素は必要に応じて本発明の範囲
内において適宜設計変更することができる。
はなく、本発明の構成要素は必要に応じて本発明の範囲
内において適宜設計変更することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１及
び請求項３に記載の発明によれば、被検査体が高集積
化、大型化してもオーバードライブ時の載置台の傾斜を
抑制し全てのプローブを対応する電極と接触させ被検査
体の電気的特性検査を確実に行うことができるプローブ
方法及びプローブ装置を提供することができる。
び請求項３に記載の発明によれば、被検査体が高集積
化、大型化してもオーバードライブ時の載置台の傾斜を
抑制し全てのプローブを対応する電極と接触させ被検査
体の電気的特性検査を確実に行うことができるプローブ
方法及びプローブ装置を提供することができる。
【００１９】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、被検査体及びプ
ローブを損傷する虞のないプローブ方法を提供すること
ができる。
れば、請求項１に記載の発明において、被検査体及びプ
ローブを損傷する虞のないプローブ方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図１に示すプローブ装置を用いて半導体ウエハ
を検査する時のプローブと電極パッドとの関係を示す断
面図で、（ａ）は載置台がオーバードライブしてプロー
ブと電極パッドが接触した状態を示す図、（ｂ）は載置
台を水平方向に振動させた状態を示す図である。
を検査する時のプローブと電極パッドとの関係を示す断
面図で、（ａ）は載置台がオーバードライブしてプロー
ブと電極パッドが接触した状態を示す図、（ｂ）は載置
台を水平方向に振動させた状態を示す図である。
【図３】従来のプローブ装置を用いて半導体ウエハを検
査する時のプローブと電極パッドとの関係を示す図２の
（ｂ）に相当する図である。
査する時のプローブと電極パッドとの関係を示す図２の
（ｂ）に相当する図である。
１０ プローブ装置 １１ 載置台 １２ プローブカード １２Ａ プローブ １５ 超音波振動子（超音波振動を付与する手段） １７ 振動方向制御子（振動方向を水平方向に制限する
手段） Ｗ 半導体ウエハ（被検査体） ｐ 電極パッド Ｏ 絶縁膜
手段） Ｗ 半導体ウエハ（被検査体） ｐ 電極パッド Ｏ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AG03 AG12 AG20 AH05 AH07 2G011 AA02 AA17 AC14 AE03 AF07 2G032 AF05 AK03 AL03 4M106 AA01 BA01 CA15 DD12 DJ04 9A001 BB05 HH34 JJ48 KK29 KK54 LL05
Claims (3)
- 【請求項１】 載置台を移動させその上面の被検査体と
複数のプローブとを接触させた後、上記載置台をオーバ
ドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を行うプ
ローブ方法において、上記載置台をオーバードライブさ
せて上記被検査体の複数の電極と上記各プローブを軽く
接触させる工程と、上記被検査体と上記各プローブが軽
く接触した状態で上記載置台を水平方向のみに超音波振
動させる工程とを有することを特徴とするプローブ方
法。 - 【請求項２】 上記超音波振動工程では上記各プローブ
により実質的に上記各電極表面に形成された絶縁膜のみ
を削り取ることを特徴とする請求項１に記載のプローブ
方法。 - 【請求項３】 Ｘ、Ｙ及びＺ方向に移動可能な被検査体
の載置台と、この載置台上の被検査体の複数の電極と電
気的に接触する複数のプローブを有するプローブカード
とを備え、上記載置台のオーバードライブにより上記被
検査体と上記プローブを接触させて上記被検査体の電気
的特性検査を行うプローブ装置において、上記載置台に
超音波振動を付与する手段を設けると共に超音波振動の
振動方向を水平方向に制限する手段を設けたことを特徴
とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058657A JP2001250850A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プローブ方法及びプローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058657A JP2001250850A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プローブ方法及びプローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250850A true JP2001250850A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18579224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000058657A Pending JP2001250850A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プローブ方法及びプローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001250850A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115877165A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-03-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种wat测试设备及其管控方法 |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000058657A patent/JP2001250850A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115877165A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-03-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种wat测试设备及其管控方法 |
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