JPH07235570A - 半導体検査装置およびその検査方法 - Google Patents
半導体検査装置およびその検査方法Info
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- JPH07235570A JPH07235570A JP2248894A JP2248894A JPH07235570A JP H07235570 A JPH07235570 A JP H07235570A JP 2248894 A JP2248894 A JP 2248894A JP 2248894 A JP2248894 A JP 2248894A JP H07235570 A JPH07235570 A JP H07235570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ウェハプロセス終了後のウェハのバ
ーイン検査を行う検査装置およびその検査方法におい
て、構造を簡素化でき、多ピン化，狭ピッチ化にも容易
に対応できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、セラミック基板１１の表面に、バー
イン検査を行うウェハＨＷの電極Ｐのそれぞれに対応さ
せて突起状のタングステン電極１２を配置する。そし
て、位置決めしたウェハＨＷ上の各電極Ｐに対して、超
音波発振器１４により検査ヘッド１３を振動させつつ、
その検査ヘッド１３に取り付けられたセラミック基板１
１上のタングステン電極１２のそれぞれを接触させる。
その際に、タングステン電極１２によってウェハＨＷ上
の各電極Ｐの表面に付着した酸化膜を除去することで、
良好なコンタクトを行う構成となっている。
ーイン検査を行う検査装置およびその検査方法におい
て、構造を簡素化でき、多ピン化，狭ピッチ化にも容易
に対応できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、セラミック基板１１の表面に、バー
イン検査を行うウェハＨＷの電極Ｐのそれぞれに対応さ
せて突起状のタングステン電極１２を配置する。そし
て、位置決めしたウェハＨＷ上の各電極Ｐに対して、超
音波発振器１４により検査ヘッド１３を振動させつつ、
その検査ヘッド１３に取り付けられたセラミック基板１
１上のタングステン電極１２のそれぞれを接触させる。
その際に、タングステン電極１２によってウェハＨＷ上
の各電極Ｐの表面に付着した酸化膜を除去することで、
良好なコンタクトを行う構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体装置
の電気的検査に用いられる半導体検査装置およびその検
査方法に関するもので、特に半導体ウェハのバーイン検
査や半導体チップのダイソートテストなどに用いられる
ものである。
の電気的検査に用いられる半導体検査装置およびその検
査方法に関するもので、特に半導体ウェハのバーイン検
査や半導体チップのダイソートテストなどに用いられる
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハプロセス終了後の半導体ウ
ェハの特性試験を行うバーイン検査には、一般にプロー
ブカードが用いられている。プローブカードは、たとえ
ば図２（ａ）に示すように、カード基板１に取り付けら
れた支持体としてのリング２に、ウェハＨＷ上のそれぞ
れの電極位置に対応して配列されたプローブ針３がエポ
キシ樹脂４により固定された構成とされている。
ェハの特性試験を行うバーイン検査には、一般にプロー
ブカードが用いられている。プローブカードは、たとえ
ば図２（ａ）に示すように、カード基板１に取り付けら
れた支持体としてのリング２に、ウェハＨＷ上のそれぞ
れの電極位置に対応して配列されたプローブ針３がエポ
キシ樹脂４により固定された構成とされている。
【０００３】そして、バーイン検査時には、同図（ｂ）
に示すように、カード基板１の端部より所定の角度をも
って突き出たプローブ針３の先端が、ウェハＨＷ上の電
極Ｐのそれぞれに押し当てられる。
に示すように、カード基板１の端部より所定の角度をも
って突き出たプローブ針３の先端が、ウェハＨＷ上の電
極Ｐのそれぞれに押し当てられる。
【０００４】その際に、プローブ針３の先端とウェハＨ
Ｗ上の電極Ｐの表面とがこすり合わされることにより、
電極Ｐの表面についた酸化膜が除去されて、良好なコン
タクトがなされた状態で検査が行われるようになってい
る。
Ｗ上の電極Ｐの表面とがこすり合わされることにより、
電極Ｐの表面についた酸化膜が除去されて、良好なコン
タクトがなされた状態で検査が行われるようになってい
る。
【０００５】しかしながら、上記した方式のプローブカ
ードにおいては、以下のような問題点があった。すなわ
ち、プローブカードは検査しようとするウェハの種類に
応じて用意されるものであり、それぞれの電極位置に対
応させてプローブ針を配列しなければならないなど、そ
の構造上、製作が面倒である。
ードにおいては、以下のような問題点があった。すなわ
ち、プローブカードは検査しようとするウェハの種類に
応じて用意されるものであり、それぞれの電極位置に対
応させてプローブ針を配列しなければならないなど、そ
の構造上、製作が面倒である。
【０００６】また、プローブ針は金型を用いて形成され
るものであるため、ウェハの種類に応じたプローブ針を
作るのにそれぞれに金型が必要となり、コストがかか
る。半導体技術の進歩にともなう高集積化や微細化など
により、半導体装置は多ピン化および狭ピッチ化の傾向
にあり、プローブ針の電極位置に対する位置精度が重要
となるプローブカードの場合、今後、十分な対応が望め
ない。
るものであるため、ウェハの種類に応じたプローブ針を
作るのにそれぞれに金型が必要となり、コストがかか
る。半導体技術の進歩にともなう高集積化や微細化など
により、半導体装置は多ピン化および狭ピッチ化の傾向
にあり、プローブ針の電極位置に対する位置精度が重要
となるプローブカードの場合、今後、十分な対応が望め
ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、構造が複雑であるために製作に手間や費用
を要する、また多ピン化や狭ピッチ化された半導体装置
の検査には不向きであるなどの問題があった。
においては、構造が複雑であるために製作に手間や費用
を要する、また多ピン化や狭ピッチ化された半導体装置
の検査には不向きであるなどの問題があった。
【０００８】そこで、この発明は、構造を簡素化でき、
多ピン化や狭ピッチ化が進む半導体装置の検査にも容易
に対応することが可能な半導体検査装置およびその検査
方法を提供することを目的としている。
多ピン化や狭ピッチ化が進む半導体装置の検査にも容易
に対応することが可能な半導体検査装置およびその検査
方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体検査装置にあっては、被検査用
半導体装置の電気的検査を行うものにおいて、突起状電
極が設けられた検査基板と、この検査基板上の突起状電
極を被検査用半導体装置の電極に当接させる当接手段
と、この当接手段を振動させる振動手段とから構成され
ている。
めに、この発明の半導体検査装置にあっては、被検査用
半導体装置の電気的検査を行うものにおいて、突起状電
極が設けられた検査基板と、この検査基板上の突起状電
極を被検査用半導体装置の電極に当接させる当接手段
と、この当接手段を振動させる振動手段とから構成され
ている。
【００１０】また、この発明の半導体検査装置にあって
は、被検査用半導体装置の電極に対応して突起状電極が
設けられた検査基板と、この検査基板を保持し、その検
査基板上の突起状電極を被検査用半導体装置の電極に当
接させる、振動機構を有する当接手段と、この当接手段
の振動機構を駆動し、前記当接手段によって当接された
前記検査基板上の突起状電極を前記被検査用半導体装置
の電極上で振動させる振動手段とを具備し、当接時に前
記被検査用半導体装置の電極の表面に付着する酸化膜を
除去し、この後、所定の電気的検査を行う構成とされて
いる。
は、被検査用半導体装置の電極に対応して突起状電極が
設けられた検査基板と、この検査基板を保持し、その検
査基板上の突起状電極を被検査用半導体装置の電極に当
接させる、振動機構を有する当接手段と、この当接手段
の振動機構を駆動し、前記当接手段によって当接された
前記検査基板上の突起状電極を前記被検査用半導体装置
の電極上で振動させる振動手段とを具備し、当接時に前
記被検査用半導体装置の電極の表面に付着する酸化膜を
除去し、この後、所定の電気的検査を行う構成とされて
いる。
【００１１】また、この発明の半導体検査装置にあって
は、被検査用半導体装置の電極に対応して突起状電極が
設けられた検査基板と、この検査基板を保持し、その検
査基板上の突起状電極を被検査用半導体装置の電極に当
接させる、超音波振動子を有する当接手段と、この当接
手段の超音波振動子を駆動し、前記当接手段によって当
接された前記検査基板上の突起状電極を前記被検査用半
導体装置の電極上で振動させる超音波発振器とを具備
し、当接時に前記被検査用半導体装置の電極の表面に付
着する酸化膜を除去し、この後、所定の電気的検査を行
う構成とされている。
は、被検査用半導体装置の電極に対応して突起状電極が
設けられた検査基板と、この検査基板を保持し、その検
査基板上の突起状電極を被検査用半導体装置の電極に当
接させる、超音波振動子を有する当接手段と、この当接
手段の超音波振動子を駆動し、前記当接手段によって当
接された前記検査基板上の突起状電極を前記被検査用半
導体装置の電極上で振動させる超音波発振器とを具備
し、当接時に前記被検査用半導体装置の電極の表面に付
着する酸化膜を除去し、この後、所定の電気的検査を行
う構成とされている。
【００１２】さらに、この発明の半導体検査装置の検査
方法にあっては、半導体装置の電気的検査を行う場合に
おいて、前記半導体装置の電極に検査基板上の突起状電
極を当接させ、その検査基板上の突起状電極を前記半導
体装置の電極上で振動させることにより、前記半導体装
置の電極の表面に付着する酸化膜を除去し、この後、所
定の電気的検査を行うようになっている。
方法にあっては、半導体装置の電気的検査を行う場合に
おいて、前記半導体装置の電極に検査基板上の突起状電
極を当接させ、その検査基板上の突起状電極を前記半導
体装置の電極上で振動させることにより、前記半導体装
置の電極の表面に付着する酸化膜を除去し、この後、所
定の電気的検査を行うようになっている。
【００１３】
【作用】この発明は、上記した手段により、検査基板上
に設けられた突起状電極によって半導体装置とコンタク
トできるようになるため、半導体装置の多ピン化や狭ピ
ッチ化に適した簡単な構造とすることが可能となるもの
である。
に設けられた突起状電極によって半導体装置とコンタク
トできるようになるため、半導体装置の多ピン化や狭ピ
ッチ化に適した簡単な構造とすることが可能となるもの
である。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる装置の要部を
概略的に示すものである。なお、同図（ａ）には構成の
要部を、同図（ｂ）にはコンタクト時の概要をそれぞれ
示している。
照して説明する。図１は、本発明にかかる装置の要部を
概略的に示すものである。なお、同図（ａ）には構成の
要部を、同図（ｂ）にはコンタクト時の概要をそれぞれ
示している。
【００１５】たとえば、ウェハプロセス終了後の半導体
ウェハのバーイン検査に用いられるこの装置は、検査基
板としてのセラミック基板１１を保持し、そのセラミッ
ク基板１１上のタングステン電極（突起状電極）１２の
それぞれをウェハ（被検査用半導体装置）ＨＷ上の各電
極Ｐに当接させる検査ヘッド（当接手段）１３と、この
検査ヘッド１３を超音波により振動させる超音波発振器
（振動手段）１４などから構成されている。
ウェハのバーイン検査に用いられるこの装置は、検査基
板としてのセラミック基板１１を保持し、そのセラミッ
ク基板１１上のタングステン電極（突起状電極）１２の
それぞれをウェハ（被検査用半導体装置）ＨＷ上の各電
極Ｐに当接させる検査ヘッド（当接手段）１３と、この
検査ヘッド１３を超音波により振動させる超音波発振器
（振動手段）１４などから構成されている。
【００１６】セラミック基板１１は、たとえば基板材料
（ここでは、セラミック材）の表面にタングステンなど
からなる所定の配線を有し、その配線上の、上記ウェハ
ＨＷ上の各電極Ｐに対応する位置に、それぞれタングス
テン電極１２が形成されている。
（ここでは、セラミック材）の表面にタングステンなど
からなる所定の配線を有し、その配線上の、上記ウェハ
ＨＷ上の各電極Ｐに対応する位置に、それぞれタングス
テン電極１２が形成されている。
【００１７】このタングステン電極１２のそれぞれは、
印刷またはバンプ電極の形成方法と同様な方法およびエ
ッチング技術などにより、たとえば同一の高さを有する
半球状の突起物として形成されるようになっている。
印刷またはバンプ電極の形成方法と同様な方法およびエ
ッチング技術などにより、たとえば同一の高さを有する
半球状の突起物として形成されるようになっている。
【００１８】検査ヘッド１３は、図示していない昇降機
構により上下方向に移動自在に設けられており、検査を
行うに際しての下方向への動作により、保持している上
記セラミック基板１１上のタングステン電極１２のそれ
ぞれを、上記ウェハＨＷ上の各電極Ｐに接触させるもの
である。
構により上下方向に移動自在に設けられており、検査を
行うに際しての下方向への動作により、保持している上
記セラミック基板１１上のタングステン電極１２のそれ
ぞれを、上記ウェハＨＷ上の各電極Ｐに接触させるもの
である。
【００１９】また、この検査ヘッド１３は、上記昇降機
構に対して可動可能に取着されている。そして、検査ヘ
ッド１３には、上記超音波発振器１４からの超音波によ
って駆動される振動機構としての超音波振動子（図示し
ていない）が設けられている。
構に対して可動可能に取着されている。そして、検査ヘ
ッド１３には、上記超音波発振器１４からの超音波によ
って駆動される振動機構としての超音波振動子（図示し
ていない）が設けられている。
【００２０】超音波発振器１４は、たとえば上記セラミ
ック基板１１の降下の際に超音波振動子を駆動して上記
検査ヘッド１３を振動させるもので、この検査ヘッド１
３を振動させることで、接触時に、上記タングステン電
極１２と上記ウェハＨＷ上の電極Ｐとをこすり合わせる
ようになっている。
ック基板１１の降下の際に超音波振動子を駆動して上記
検査ヘッド１３を振動させるもので、この検査ヘッド１
３を振動させることで、接触時に、上記タングステン電
極１２と上記ウェハＨＷ上の電極Ｐとをこすり合わせる
ようになっている。
【００２１】すなわち、超音波振動子が駆動されること
によって、上記検査ヘッド１３の振動にともなってセラ
ミック基板１１が降下しながら水平方向に振動される。
これにより、タングステン電極１２との接触によって、
ウェハプロセスの途中の過程にてウェハＨＷ上の電極Ｐ
の表面に付着した酸化膜が除去される。
によって、上記検査ヘッド１３の振動にともなってセラ
ミック基板１１が降下しながら水平方向に振動される。
これにより、タングステン電極１２との接触によって、
ウェハプロセスの途中の過程にてウェハＨＷ上の電極Ｐ
の表面に付着した酸化膜が除去される。
【００２２】そして、良好なコンタクトがなされた状態
で、超音波発振器１４による検査ヘッド１３の振動が停
止された後、ウェハＨＷに対する所定の検査が行われる
ようになっている。
で、超音波発振器１４による検査ヘッド１３の振動が停
止された後、ウェハＨＷに対する所定の検査が行われる
ようになっている。
【００２３】このように、半導体ウェハＨＷとのコンタ
クトに、セラミック基板１１上にタングステン電極１２
が一体的に形成された基板方式を採用することで、その
構造を簡素化することができる。
クトに、セラミック基板１１上にタングステン電極１２
が一体的に形成された基板方式を採用することで、その
構造を簡素化することができる。
【００２４】すなわち、タングステン電極１２は、ウェ
ハＨＷ上の電極パターンのコピーにもとづいて簡単に、
かつ微細に（たとえば、センタ間の最小ピッチを０．１
７ｍｍとして）形成でき、しかも金型などを用いること
なく安価に形成することができる。
ハＨＷ上の電極パターンのコピーにもとづいて簡単に、
かつ微細に（たとえば、センタ間の最小ピッチを０．１
７ｍｍとして）形成でき、しかも金型などを用いること
なく安価に形成することができる。
【００２５】したがって、簡単に製作することが可能
で、また多ピン化や狭ピッチ化にも容易に対応できるよ
うになる。このような構成の装置においては、まず、検
査ヘッド１３が超音波発振器１４からの超音波で振動さ
れることにより、その検査ヘッド１３に取り付けられた
セラミック基板１１が左右方向に振動される。
で、また多ピン化や狭ピッチ化にも容易に対応できるよ
うになる。このような構成の装置においては、まず、検
査ヘッド１３が超音波発振器１４からの超音波で振動さ
れることにより、その検査ヘッド１３に取り付けられた
セラミック基板１１が左右方向に振動される。
【００２６】そして、検査ヘッド１３の降下にともなっ
て、セラミック基板１１上のタングステン電極１２がウ
ェハＨＷ上の電極Ｐに接触される。このとき、ウェハＨ
Ｗは、あらかじめ光学手段などにより位置決めがなされ
て、上記検査ヘッド１３の直下、つまりセラミック基板
１１の降下する位置に正確に載置されるようになってお
り、上記セラミック基板１１上のタングステン電極１２
のそれぞれと上記ウェハＨＷ上の各電極Ｐとが正確にコ
ンタクトされるようになっている。
て、セラミック基板１１上のタングステン電極１２がウ
ェハＨＷ上の電極Ｐに接触される。このとき、ウェハＨ
Ｗは、あらかじめ光学手段などにより位置決めがなされ
て、上記検査ヘッド１３の直下、つまりセラミック基板
１１の降下する位置に正確に載置されるようになってお
り、上記セラミック基板１１上のタングステン電極１２
のそれぞれと上記ウェハＨＷ上の各電極Ｐとが正確にコ
ンタクトされるようになっている。
【００２７】そして、その接触の際に、タングステン電
極１２がウェハＨＷ上の電極Ｐの表面上を移動すること
により、電極Ｐの表面に付着した酸化膜が除去されて、
良好なコンタクトが行われる。
極１２がウェハＨＷ上の電極Ｐの表面上を移動すること
により、電極Ｐの表面に付着した酸化膜が除去されて、
良好なコンタクトが行われる。
【００２８】この後、超音波発振器１４による検査ヘッ
ド１３の振動が停止されて、図示していない検査装置に
よる所定の検査が行われる。上記したように、セラミッ
ク基板上に設けられたタングステン電極によって半導体
ウェハとコンタクトできるようにしている。
ド１３の振動が停止されて、図示していない検査装置に
よる所定の検査が行われる。上記したように、セラミッ
ク基板上に設けられたタングステン電極によって半導体
ウェハとコンタクトできるようにしている。
【００２９】すなわち、セラミック基板上に突起状のタ
ングステン電極を配置し、このセラミック基板上のタン
グステン電極を振動させることで、ウェハ上の電極の表
面に付着した酸化膜を除去しつつ、電極の相互を電気的
に接続できるようにしている。これにより、簡単な構成
でありながら、安定したコンタクトを実現できるように
なるなど、半導体装置の多ピン化や狭ピッチ化に適した
簡単な構造とすることが可能となる。したがって、プロ
ーブ針の形成に金型を必要としたり、固定に樹脂を用い
たりするプローブカード方式に比べ、製作にかかる手間
や費用を大幅に減少でき、非常に汎用性の高いものとす
ることができるものである。
ングステン電極を配置し、このセラミック基板上のタン
グステン電極を振動させることで、ウェハ上の電極の表
面に付着した酸化膜を除去しつつ、電極の相互を電気的
に接続できるようにしている。これにより、簡単な構成
でありながら、安定したコンタクトを実現できるように
なるなど、半導体装置の多ピン化や狭ピッチ化に適した
簡単な構造とすることが可能となる。したがって、プロ
ーブ針の形成に金型を必要としたり、固定に樹脂を用い
たりするプローブカード方式に比べ、製作にかかる手間
や費用を大幅に減少でき、非常に汎用性の高いものとす
ることができるものである。
【００３０】しかも、検査ヘッドに取り付けられるセラ
ミック基板を交換するだけで各種類のウェハに対するバ
ーイン検査を容易に実施し得るものである。なお、上記
実施例においては、基板にセラミック材を用いた場合に
ついて説明したが、これに限らず、たとえばガラスエポ
キシ材を基板として用いることも可能である。
ミック基板を交換するだけで各種類のウェハに対するバ
ーイン検査を容易に実施し得るものである。なお、上記
実施例においては、基板にセラミック材を用いた場合に
ついて説明したが、これに限らず、たとえばガラスエポ
キシ材を基板として用いることも可能である。
【００３１】また、突起状電極を、タングステン材のか
わりにパラジウム合金やベリリウムカッパ合金などを用
いて形成することもできる。さらに、モータを発振器に
より駆動することで検査ヘッドを振動させるなど、各種
の方式を採用できる。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
わりにパラジウム合金やベリリウムカッパ合金などを用
いて形成することもできる。さらに、モータを発振器に
より駆動することで検査ヘッドを振動させるなど、各種
の方式を採用できる。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、構造を簡素化でき、多ピン化や狭ピッチ化が進む半
導体装置の検査にも容易に対応することが可能な半導体
検査装置およびその検査方法を提供できる。
ば、構造を簡素化でき、多ピン化や狭ピッチ化が進む半
導体装置の検査にも容易に対応することが可能な半導体
検査装置およびその検査方法を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる装置の要部を概略
的に示す図。
的に示す図。
【図２】従来技術とその問題点を説明するために示すプ
ローブカードの概略図。
ローブカードの概略図。
１１…セラミック基板、１２…タングステン電極、１３
…検査ヘッド、１４…超音波発振器、ＨＷ…半導体ウェ
ハ、Ｐ…電極。
…検査ヘッド、１４…超音波発振器、ＨＷ…半導体ウェ
ハ、Ｐ…電極。
Claims (4)
- 【請求項１】 被検査用半導体装置の電気的検査を行う
半導体検査装置において、 突起状電極が設けられた検査基板と、 この検査基板上の突起状電極を被検査用半導体装置の電
極に当接させる当接手段と、 この当接手段を振動させる振動手段とを具備したことを
特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２】 被検査用半導体装置の電極に対応して突
起状電極が設けられた検査基板と、 この検査基板を保持し、その検査基板上の突起状電極を
被検査用半導体装置の電極に当接させる、振動機構を有
する当接手段と、 この当接手段の振動機構を駆動し、前記当接手段によっ
て当接された前記検査基板上の突起状電極を前記被検査
用半導体装置の電極上で振動させる振動手段とを具備
し、 当接時に前記被検査用半導体装置の電極の表面に付着す
る酸化膜を除去し、この後、所定の電気的検査を行うよ
うにしたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３】 被検査用半導体装置の電極に対応して突
起状電極が設けられた検査基板と、 この検査基板を保持し、その検査基板上の突起状電極を
被検査用半導体装置の電極に当接させる、超音波振動子
を有する当接手段と、 この当接手段の超音波振動子を駆動し、前記当接手段に
よって当接された前記検査基板上の突起状電極を前記被
検査用半導体装置の電極上で振動させる超音波発振器と
を具備し、 当接時に前記被検査用半導体装置の電極の表面に付着す
る酸化膜を除去し、この後、所定の電気的検査を行うよ
うにしたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項４】 半導体装置の電気的検査を行う半導体検
査装置の検査方法において、 前記半導体装置の電極に検査基板上の突起状電極を当接
させ、 その検査基板上の突起状電極を前記半導体装置の電極上
で振動させることにより、前記半導体装置の電極の表面
に付着する酸化膜を除去し、 この後、所定の電気的検査を行うようにしたことを特徴
とする半導体検査装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248894A JPH07235570A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 半導体検査装置およびその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248894A JPH07235570A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 半導体検査装置およびその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235570A true JPH07235570A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12084121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248894A Pending JPH07235570A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 半導体検査装置およびその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235570A (ja) |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP2248894A patent/JPH07235570A/ja active Pending
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