JP2001249625A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】電気光学装置及び電子機器

【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置された薄膜トランジスタと画素電極とを有する電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタの半導体層に電気的に接続され前記データ線と同一膜で形成された第１中継導電層と、前記データ線より上層に形成され、少なくとも部分的に画素開口領域を規定する遮光膜と、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域と、前記遮光膜と同一膜で形成され、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域に形成され、前記第１中継導電層と電気的に接続された第２中継導電層と、前記第２中継導電層に電気的に接続された画素電極とを具備することを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置された薄膜トランジスタと画素電極とを有する電気光学装置であって、 前記データ線より上層に形成され、少なくとも部分的に画素開口領域を規定する遮光膜と、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域と、前記遮光膜と同一膜で形成され、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域に形成され、前記薄膜トランジスタの半導体層と電気的に接続された中継導電層と、前記中継導電層に電気的に接続された画素電極とを具備することを特徴とする。
また、本発明は、基板に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置された薄膜トランジスタと画素電極と、前記薄膜トランジスタのソース及び、ドレイン領域を構成する半導体層と前記画素電極との間に介在し、前記半導体層と電気的に接続され且つ前記画素電極と電気的に接続された遮光性の第１導電層と、前記第１導電層と同一膜からなり、平面的に見て前記データ線に少なくとも部分的に重なっている第２導電層とを備える。

【００６２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板に複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの接続された画素電極とを有する電気光学装置の製造方法において、前記基板にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁薄膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜上の所定領域に走査線及び蓄積容量の一方の電極を形成する工程と、前記走査線及び前記一方の電極上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜及び前記第１層間絶縁膜に前記半導体層に通じる窮１コンタクトホールを開孔する工程と、前記第２絶縁膜上に、前記第１コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続されるように遮光性の第１導電層と、前記第１導電層と同一膜から第２導電層を形成する工程と、前記第１導電層及び前記第２導電層上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁繰上に、データ線を形成する工程と、前記データ線上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜に前記第１導電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程と、前記第２コンタクトホールを介して前記第１導電層に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを有し、前記第２導電層は、平面的に見て前記データ線に少なくとも部分的に重なるように形成されている。

【００６３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板に、半導体層、絶縁薄膜、走査線及び蓄積容量の一方の電極並びに第１層間絶縁膜がこの順で積層形成される。次に、絶縁薄膜及び第１層間絶縁膜に半導体層に通じる第１コンタクトホールが開孔され、この第１コンタクトホールを介して半導体層に電気的に接続されるように遮光性の第１導電層が形成される。同時に、この第１導電層と同一膜から、平面的に見て画素電極が形成される領域の間隙内に少なくとも部分的に配置されるように第２導電層が形成される。続いて、第２層間絶縁膜、データ線、及び第３層間絶縁膜がこの順で積層形成される。次に、第１導電層に通じる第２コンタクトホールが開孔され、この第２コンタクトホールを介して第１導電層に電気的に接続されるように画素電離形成される。従って、上述したデータ線よりも基板に近い層として第１及び第２導電層を形成して二つのコンタクトホールを介して画素電極と半導体層とを第２導電層で中継する構成を有する本発明の電気光学装置を比較的容易に製造できる。特に、第１導電層と第２導電層とを同一膜から形成するので、製造プロセスの単純化並びに低コスト化を図れる。

【００６４】
本発明の前記電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第２層間絶縁膜を形成する工程の後に、前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第３コンタクトホールを開孔する工程を更に含み、前記データ線を形成する工程において、前記第３コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続されるように前記データ線を形成し、前記第１コンタクトホールを開孔する工程において、前記第１コンタクトホールを開孔すると同時に前記第１層間絶縁膜に前記蓄積容量の一方の電極に通じる第４コンタクトホールを開孔し、前記第２導電層を形成する工程において、前記第４コンタクトホールを介して前記蓄積容量の一方の電極に電気的に接続されるように前記第２導電層を形成する。

【００６６】
本発明の他の電気光学装置の製造方法は、基板に複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの接続された画素電極とを有する電気光学装置の製造方法において、前記基板にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁薄膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜上に走査線及び蓄積容量の一方の電極を形成する工程と、前記走査線及び蓄積容量の一方の電極上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第１コンタクトホールを開孔する工程と、前記第１層間絶縁膜上にデータ線を形成すると同時に前記第１コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続されるように前記データ線と同一膜から中継導電層を形成する工程と、前記データ線及び前記中継導電層上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜に前記中継導電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程と、前記第２層間絶縁膜上に前記第２コンタクトホールを介して前記中継導電層に電気的に接続されるように遮光性の第１導電層を形成すると同時に、前記第１導電層と同一膜からなる第２導電層を前記データ線に平面的に重なるように形成する工程と、前記第１導電層及び前記第２導電層上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、前記第３層間絶縁膜に前記第１導電層に通じる第３コンタクトホールを開孔する工程と、前記第３コンタクトホールを介して前記第１導電層に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００６７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板に半導体層、絶縁薄膜、走査線及び蓄積容量の一方の電極並びに第１層間絶縁膜がこの順で積層形成される。次に、半導体層に通じるコンタクトホールが開孔され、データ線が形成されると同時に半導体層に電気的に接続されるようにデータ線と同一膜から中継導電層が形成される。次に、第２層間絶縁膜が形成された後、中継導電層に通じるコンタクトホールが開孔され、中継導電層に電気的に接続されるように遮光性の第１導電層が形成される。これと同時に、第１導電層と同一膜から第２導電層が形成される。続いて、第３層間絶縁膜が形成され、第１導電層に通じるコンタクトホールが開孔されて、第１導電層に電気的に接続されるように画素電極が形成される。従って、上述したデータ線と同一膜からなる導電層として中継導電層を形成すると共にデータ線よりも基板から遠い層、つまり上層として第１導電層を形成して三つのコンタクトホールを介して画素電極と半導体層とを中継導電層及び第１導電層で中継すると共に、画素開口領域を第２導電層で規定する構成を有する本発明の電気光学装置を比較的容易に製造できる。特に、第１導電層と第２導電層とを同一膜から形成するので、製造プロセスの単純化並びに低コスト化を図れる。

【００６８】
本発明の前記電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第１層間絶縁膜を形成する工程の後に、前記第１層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第４コンタクトホールを開孔する工程を更に含み、前記データ線を形成する工程において、前記第４コンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続されるように前記データ線を形成し、前記第２コンタクトホールを開孔する工程において、前記第２コンタクトホールを開孔すると同時に前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜に前記蓄積容量の一方の電極に通じる第５コンタクトホールを開孔し、前記第２導電層を形成する工程において、前記第５コンタクトホールを介して前記蓄積容量の一方の電極に電気的に接続されるように前記第２導電層を形成する。

Claims (9)

1. 基板に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置された薄膜トランジスタと画素電極とを有する電気光学装置であって、
   前記薄膜トランジスタの半導体層に電気的に接続され前記データ線と同一膜で形成された第１中継導電層と、
   前記データ線より上層に形成され、少なくとも部分的に画素開口領域を規定する遮光膜と、
   前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域と、
   前記遮光膜と同一膜で形成され、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域に形成され、前記第１中継導電層と電気的に接続された第２中継導電層と、
   前記第２中継導電層に電気的に接続された画素電極とを具備することを特徴とする電気光学装置。
2. 基板に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置された薄膜トランジスタと画素電極とを有する電気光学装置であって、
   前記データ線より上層に形成され、少なくとも部分的に画素開口領域を規定する遮光膜と、
   前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域と、
   前記遮光膜と同一膜で形成され、前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域に形成され、前記薄膜トランジスタの半導体層と電気的に接続された中継導電層と、
   前記中継導電層に電気的に接続された画素電極とを具備することを特徴とする電気光学装置。
3. 前記遮光膜が部分的に取り除かれた領域は、隣接する前記データ線間の遮光膜の領域に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記半導体層のドレイン領域で形成された第１蓄積容量電極と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一膜で形成され前記第１蓄積容量電極に重なる第２蓄積容量電極とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記ドレイン領域は、前記走査線に沿って形成されることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記ドレイン領域は、前記データ線に沿って形成されることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記遮光膜は定電位であり、前記遮光膜と前記第２蓄積容量電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記遮光膜と前記第２蓄積容量電極の電気的接続は、隣接する前記データ線間の遮光膜の領域に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。