JP2001142089A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】電気光学装置及び電子機器

【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、複数の画素電極と、相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、該データ線及び該走査線の交差に対応して配置された複数の薄膜トランジスタと、前記走査線に層間絶縁膜を介して重ねられ且つ前記走査線に沿って前記画素電極毎に分断して夫々形成されていると共に前記走査線に沿って離間した少なくとも２つのコンタクトホールを介して前記走査線に夫々接続されている複数の第１導電層とを備え、前記第２基板上に、前記画素電極に対向する対向電極とを備え、前記画素電極の下地面は、前記第１導電層に対向する領域において凸状に盛り上げられている。

Claims (15)

1. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
   前記第１基板上に、複数の画素電極と、相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、該データ線及び該走査線の交差に対応して配置された複数の薄膜トランジスタと、前記走査線に層間絶縁膜を介して重ねられ且つ前記走査線に沿って前記画素電極毎に分断して夫々形成されていると共に前記走査線に沿って離間した少なくとも２つのコンタクトホールを介して前記走査線に夫々接続されている複数の第１導電層とを備え、
   前記第２基板上に、前記画素電極に対向する対向電極とを備え、
   前記画素電極の下地面は、前記第１導電層に対向する領域において凸状に盛り上げられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１基板上に、前記第１導電層と同一膜からなり前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極間に夫々積層されていると共に前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを夫々中継接続する複数の第２導電層を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１導電層は、前記データ線を形成する導電層と同一膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記第１導電層は、前記薄膜トランジスタの一部を構成する導電層と同一膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記第１基板上に、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板側から見て覆う位置に導電性の第１遮光層を更に備え、 該第１導電層と前記第１遮光層とは、同一膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
6. 前記第１導電層は、前記第１基板上に形成された(i)前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極間に積層されていると共に前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを夫々中継接続する複数の第２導電層と同一膜、(ii)前記データ線を形成する導電層と同一膜、(iii)前記薄膜トランジスタの一部を構成する導電層と同一膜及び(iv)前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板側から見て覆う位置に備えられた導電性の第１遮光層と同一膜のうち、少なくとも２つの膜からなる層が積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
7. 前記第１導電層と、前記第１基板上に形成された(i)前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極間に積層されていると共に前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを夫々中継接続する複数の第２導電層と同一膜、(ii)前記データ線を形成する導電層と同一膜、(iii)前記薄膜トランジスタの一部を構成する導電層と同一膜及び(iv)前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板側から見て覆う位置に備えられた導電性の第１遮光層と同一膜のうち、前記第１導電層と異なる一又は複数の膜からなる層が積層されることにより、前記画素電極の下地面は前記第１導電層に対向する領域において凸状に盛り上げられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
8. 前記少なくとも２つのコンタクトホールは、前記第１導電層における前記走査線に沿った方向の一端部に設けられたものと他端部に設けられたものとを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記データ線は、少なくとも部分的に前記第１基板上に設けられた溝に埋め込まれており、
   前記画素電極の下地面は、前記データ線に対向する領域において平坦化されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記薄膜トランジスタは、少なくとも部分的に前記第１基板上に設けられた溝に埋め込まれており、
    前記画素電極の下地面は、前記薄膜トランジスタに対向する領域において平坦化されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記第１基板上に、前記複数の画素電極に夫々蓄積容量を付与するための複数の容量線を更に備え、
    前記容量線は、少なくとも部分的に前記第１基板上に設けられた溝に埋め込まれており、
    前記画素電極の下地面は、前記容量線に対向する領域において平坦化されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記第１及び第２基板のうち少なくとも一方に、前記画素電極の行間の間隙領域に平面的に見て重なる第２遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 前記少なくとも２つのコンタクトホールは、前記第２導電層と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールと同一工程で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
14. 前記第１導電層は、遮光膜からなることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
15. 請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。