JP2001249130A - マイクロアレイ、マイクロアレイ作製方法及びマイクロアレイにおけるピン間スポット量誤差補正方法 - Google Patents
マイクロアレイ、マイクロアレイ作製方法及びマイクロアレイにおけるピン間スポット量誤差補正方法Info
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Abstract
に生じるピン間スポット量誤差を補償し、マイクロアレ
イ実験においてより正確なデータを取得する。 【解決手段】 マイクロアレイ作製時、ピン間スポット
量誤差補正コントロールとして用いる試料を全てのピン
でマイクロアレイ支持体上へ固定化する。マイクロアレ
イ実験後、その発光強度積算値を測定する。各ピン毎の
ピン間スポット量誤差補正コントロールスポットとして
用いた試料の発光強度積算値から各ピン毎のピン間スポ
ット量誤差補正パラメータを求め、他の試料の発光強度
積算値を補正するために利用する。
Description
ピン方式のマイクロアレイ作製方法及びマイクロアレイ
におけるピン間スポット量誤差補正方法に関する。
遺伝子の探索や病気の診断などのために生体内の核酸や
タンパク質などの生体高分子を同定・分画することが行
われ、その際の前処理として、既知の配列をもつ核酸や
タンパク質と試料中のターゲット分子とをハイブリダイ
ズさせるハイブリダイゼーション反応が多用されてい
る。このため、既知の配列をもつDNA、RNA、タン
パク質などのプローブを所定位置に固定しておくバイオ
チップやDNAチップと呼ばれるマイクロアレイが用い
られている。
れる多数の領域が画定され、各フィーチャーにはそれぞ
れ異なるプローブが固定されている。このマイクロアレ
イを試料DNA等と共に反応容器の中に入れ、反応容器
内でマイクロアレイの各フィーチャーに結合させたプロ
ーブと蛍光標識した試料DNAとのハイブリダイゼーシ
ョンを行う。その後、マイクロアレイに励起光を照射
し、各フィーチャーから発せられる蛍光強度を測定する
ことによって各プローブと試料DNAとの結合量を知
り、それを必要な情報に変換する。
く分けて、マイクロアレイ支持体上でオリゴヌクレオチ
ドを合成する方法とマイクロアレイ支持体上にcDNA
などの試料をスポットして固定化していく方法の二種が
ある。そのうち後者のマイクロアレイ作製方法において
は、試料が保存されているウェルプレートの各ウェルか
ら試料を取得しマイクロアレイ支持体上に固定化するた
めにピンを使用する方法が広く用いられており、また、
マイクロアレイの作製を高速化するために、複数のピン
を同時に使用する方法が用いられている。多くのマイク
ロアレイ実験においては、スポット間の定量的な差を測
定することが必要であるため、同時に使用される複数の
ピンの間でスポット量に誤差が生じない様、均一なピン
の製造、及びピンの装置への正確な取り付けには細心の
注意が払われている。
速なマイクロアレイ作製を行うために、同時に使用する
ピン数を増加した場合、均一なピンの製造、及びピンの
装置への正確な取り付けによるピン間のスポット量の均
一化(ハード的手法)が難しくなってきている。
間のスポット量に個体差があったとしても測定結果に影
響が及ぶことのないマイクロアレイ、マイクロアレイ作
製方法及びマイクロアレイにおけるピン間スポット量誤
差補正方法を提供することを目的とする。
法によって前記目的を達成する。すなわち、マイクロア
レイ作製時に固定化する試料の一部として、同一の試料
を、同時に使用される全てのピンでスポットしたものを
コントロールスポット(ピン間誤差補正コントロールス
ポット)とし、マイクロアレイ読み取り装置を用いてピ
ン間誤差補正コントロールスポットの発光強度積算値を
測定し、スポット量の誤差情報を得る。得られたスポッ
ト量の誤差より、各ピン毎のピン間誤差補正パラメータ
を求め、マイクロアレイ読み取り装置を用いて測定され
た同じマイクロアレイ上のスポットの発光強度積算値を
補正することにより各スポットにおける測定値の補正値
を求める。
めには、各スポットが、どのピンによりスポットされた
かを特定する必要がある。本発明では、マイクロアレイ
作製時に、各スポットに固定された試料が、試料を保存
していたウェルプレートのどのウェル(座標位置)に存
在したかの情報を保存するデータベース、及び結果とし
てどのピンでその試料がスポットされたかを追跡するた
めのプログラムを用意する。
は、支持体上に複数の試料スポットを2次元アレイ状に
配列したマイクロアレイにおいて、複数の試料スポット
のうち特定の位置関係を有する一群の試料スポットは、
当該試料スポット群内での位置関係と同じ相対的位置関
係を有する複数の試料スポットによって構成される他の
試料スポット群における試料スポット間のスポット量誤
差を補正するために同一の試料をスポットしたコントロ
ールスポットであることを特徴とする。
ットは相互に隣接していないスポットとすることができ
る。マイクロアレイに、スポット手段に備えられている
複数のピンのピン間隔より小さなピッチで試料スポット
を固定する場合、コントロールスポットはマイクロアレ
イ上で飛び飛びの位置を占めることになる。
複数のピンを備えるスポット手段を用いて支持体上に複
数の試料を同時にスポットする動作を反復し、支持体上
に複数の試料スポットが2次元アレイ状に配列されたマ
イクロアレイを作製する方法において、スポット手段の
全てのピンによって支持体上に同一試料を同時にスポッ
トする工程を含むことを特徴とする。スポット手段の全
てのピンによって同時にスポットされた同一試料は、ス
ポット手段の複数のピンの個体差により生じるピン間ス
ポット量誤差を測定するためのコントロールスポットと
して機能する。
ット量誤差補正方法は、複数のピンを備えるスポット手
段を用いて支持体上に複数の試料を同時にスポットする
動作を反復して作製したマイクロアレイのピン間スポッ
ト量誤差を補正する方法において、スポット手段で支持
体上に複数の試料を同時にスポットする際にスポット手
段の全てのピンによって支持体上に同一試料をコントロ
ールとして同時にスポットする工程と、スポット手段の
各ピンによるコントロールのスポット量を測定してピン
間スポット量誤差補正パラメータを求める工程と、前記
工程で求めたピン間スポット量誤差補正パラメータを用
いて支持体上の各試料スポットに対する測定量を補正す
る工程とを含むことを特徴とする。
のスポット量の測定は、サンプルとのハイブリダイゼー
ション反応を行った後に実行することもできるし、ハイ
ブリダイゼーション反応を行う前に実行することもでき
る。ハイブリダイゼーション反応を行った後にコントロ
ールのスポット量を測定する場合には、例えばコントロ
ールにハイブリダイズした蛍光標識試料からの発光強度
積算値を測定して、それをコントロールのスポット量と
すればよい。一方、ハイブリダイゼーション反応を行う
前にコントロールのスポット量を測定する場合には、コ
ントロール中に例えば一定濃度の蛍光物質を含有させて
おき、その蛍光物質からの発光強度積算値を測定して、
それをコントロールのスポット量とすればよい。
差補正方法において、各試料スポットへの試料の固定に
用いられたピンの識別情報は、当該ピンによってマイク
ロプレートに運ばれた試料が保持されていたウェルのウ
ェルプレート内での位置情報を介して求めることができ
る。
施の形態を説明する。ここでは説明を簡単にするために
4本のピンを有するスポット手段を用いる例によって説
明するが、4本以上のピンを有するスポット手段を用い
てマイクロアレイを作製する場合にも同様に本発明が適
用可能であるのは勿論である。
いた測定の概要を示す。マイクロアレイを用いた実験に
おいて、各種試料の調整101からマイクロアレイの作
製102、そしてマイクロアレイの読み取り103まで
の過程で得られる試料データ、マイクロアレイ作製デー
タ、そしてマイクロアレイデータなど様々なデータはそ
れぞれマイクロアレイ情報データベース104へ格納さ
れる。データベース104中のデータは、各種試料を識
別するものとして利用されるとともに、試料が格納され
ていたウェルプレートのどの位置に存在したか、及び結
果としてどのピンでその試料がマイクロアレイ上にスポ
ットされたかを追跡するためのデータとしても利用され
る。各スポットの発光強度積算値の補正値計算命令10
7が実行されると発光強度積算値補正プログラム105
が起動し、マイクロアレイ情報データベース104から
取得した情報をもとに各スポットの発光強度積算値の補
正値を計算し、結果を表示装置106へ表示する。マイ
クロアレイ情報データベース104、発光強度積算値補
正プログラム105、表示装置106の表示等の詳細は
以下に説明する。
に調整した試料201〜205をウェルプレート214
へ分注する過程を示した概略図である。試料201〜2
05はマイクロアレイに固定される試料であり、それぞ
れの試料は各エッペンチューブに分注されている。試料
201はピン間スポット量誤差補正コントロールとして
用いるために調整した試料であり、試料202から試料
205まではマイクロアレイを用いて調べたい試料Samp
le1からSample4である。各スポットの発光強度積算値
の補正値を求めるためには、ピン間スポット量誤差補正
コントロールとして用いる試料201を他の試料と同様
に準備しておく必要がある。
チューブ内の試料201はウェルプレート214上のウ
ェル206〜209へ、試料202はウェル210へ、
試料203はウェル211へ、試料204はウェル21
2へ、そして試料205はウェル213へそれぞれ分注
される。ここで、ピン間スポット量誤差補正コントロー
ルとして用いる試料201については、マイクロアレイ
への固定に用いるスポット手段の複数のピン全てが一度
に試料を取得できるような位置関係にあるウェルに分注
する必要がある。この過程において、試料202〜20
5そのものの情報や、どの試料がウェルプレート214
上のどのウェルに分注されたか等の情報が得られる。得
られた情報はサンプルスポット情報としてマイクロアレ
イ情報データベース104に格納される。
用いて、ウェルプレート上の各ウェルより試料をマイク
ロアレイ上に固定する過程を表わした概念図である。ス
ポット手段301は4本のピンを有し、ウェルプレート
302a,302b,‥‥より一度に4種類の試料を4
本のピンに取得することができるので、マイクロアレイ
支持体303上に一度のスポット動作で4つのスポット
を同時に固定することができる。図3(a)に示すよう
に、スポット手段301の4本のピンの先をウェルプレ
ート302aの試料が入ったウェルに浸し、各ピンに試
料を付着させる。次に、図3(b)に示すように、スポ
ット手段301の試料が付着したピンの先端をマイクロ
アレイ303の指定された座標位置に接触させること
で、各ピンに付着していた試料がマイクロプレートに移
り、そこに試料スポットが形成され固定される。
作製に用いたピン等についての情報は、マイクロアレイ
情報としてマイクロアレイ情報データベース104に保
存される。なお、マイクロアレイ作製装置に依存して試
料を固定するピンの動作は多様であるため、ここでは試
料のウェルプレート302a,302b,‥‥上での位
置とマイクロアレイ303上での位置の対応づけの方法
は記さないが、それぞれの対応は取れているものとす
る。
2を用いて、作製したマイクロアレイ401上の各スポ
ットの発光強度積算値、及びマイクロアレイ401自身
のバックグラウンドの発光強度積算値を読み取る過程を
模式的に示したものである。マイクロアレイに固定化さ
れた試料に対して既知の方法で蛍光標識試料をハイブリ
ダイズさせる。その後、マイクロアレイ401を読み取
り装置402の下方に置き、励起光源403からの励起
光を照射して蛍光標識からの発光を二次元光センサー4
04で読み取る。このとき、二次元光センサー404の
光路中にはランプ403からの励起光を通さず、蛍光標
識からの発光を透過する光学フィルター405を配置す
る。読み取った各スポットの発光強度積算値のデータや
スポット間のバックグラウンド値の情報はコントローラ
406を介してコンピュータ407に取り込まれる。マ
イクロアレイ読み取り装置402を用いてマイクロアレ
イ情報を読み取る過程において得られる各スポットの発
光強度積算値の情報やマイクロアレイのバックグラウン
ド値の情報など様々な情報は、サンプルスポット情報及
びマイクロアレイ情報としてマイクロアレイ情報データ
ベース104に格納される。
104の構成の一例を示す図である。図5(a)に示し
た表はマイクロアレイに関する情報を持つレコードの例
であり、マイクロアレイのID501、マイクロアレイ
のバックグラウンド値502、マイクロアレイの定義5
03、マイクロアレイ作製に用いたピンのタイプ504
などのフィールドを持つ。また、図5(b)に示した表
はマイクロアレイ上に固定されたスポットの情報を持つ
レコードの例であり、スポットID505、マイクロア
レイ情報へのポインター(マイクロアレイID)50
6、試料の名前507、定義情報508、発光強度積算
値509、そしてウェルプレート上でのウェルの位置情
報600,601などのフィールドを持つ。
ット手段301に複数存在するピン(いまの例の場合、
4本のピン)の中からそれぞれのスポット位置に試料を
固定するのに用いたピンを特定し、各ピン毎にピン間ス
ポット量誤差補正パラメータを求める。求めたピン間ス
ポット量誤差補正パラメータを用いて各スポットの発光
強度積算値の補正値を求めるための計算を行う。以下
に、その方法について説明する。
正値を求めるために用いる発光強度積算値補正プログラ
ム105の処理手順の概要を示すフローチャートであ
る。このプログラムが起動されると、初めにピン間スポ
ット量誤差補正コントロールとして用いられた試料を特
定する。そして、その試料の発光強度積算値やウェルの
座標情報、マイクロアレイへの固定に用いたピンタイプ
についての情報をマイクロアレイ情報データベース10
4より取得する(S601)。ここでの例の場合、図5
(b)のサンプルスポット情報から、スポットIDがS
S1からSS4の4個のスポットがコントロール試料で
あること、各コントロール試料の発光強度積算値は45
00,4600,4400,4700であること、各コ
ントロール試料が入っていたウェルのXY座標は(1,
1)、(1,2)、(2,1)、(2,2)であること
を知る。また、図5(a)のマイクロアレイ情報から、
マイクロアレイIDがMA1であるマイクロアレイのピ
ンタイプは2×2であること、バックグラウンド値は1
00であることを知る。
イプの情報から次の〔数1〕〔数2〕によって求められ
るピン特定変数(A,B)の組によって、ピン間スポッ
ト量誤差補正コントロールとして用いた試料をマイクロ
アレイ上に固定したピンを特定する(S602)。
1)×ピンのx軸方向の本数 ピン特定変数B=ウェル中のy座標−(Y′−1)×ピ
ンのy軸方向の本数
ット手段301が複数備えるピンのうちどのピンにより
マイクロアレイ上に固定されたかを示すピン特定変数を
求めるための計算式である。〔数1〕では、複数ピンに
より一度に取得される試料が保存されたウェルの範囲を
1ブロックとし、各ウェルがX軸方向に何ブロック目に
位置するか、Y軸方向に何ブロック目に位置するかを求
める。〔数2〕ではX軸,Y軸とも〔数1〕で求めた該
当ブロックの左方向と上方向にあるブロックを削除した
状態でウェルのx座標、及びy座標を求める。そうする
ことで求めたx座標、y座標は常に1ブロック内での座
標となる。つまり、1ブロックはピンが一度に取得する
ことができる試料を保存したウェルの範囲であるので、
求めた座標はピンのx座標、y座標と対応することにな
る。求めたx座標、y座標をピン特定変数として用いる
ことにより各ウェル中の試料がいずれのピンによりマイ
クロアレイ上に固定されたかを特定することができる。
図3に示す配置の場合、上記〔数1〕及び〔数2〕によ
って計算されるピン特定変数(A,B)は{(1,
1),(2,1),(1,2),(2,2)}の4種類
となる。
在するピン(A,B)毎のピン間スポット量誤差補正パ
ラメータC.P.(A,B)を求める。このために先に求めた
ピン毎のピン特定変数、ピン間スポット量誤差補正コン
トロールとして用いた試料の発光強度積算値、そしてマ
イクロアレイのバックグラウンド値BGを用いる(S60
3)。ピン特定変数(A,B)で特定されるピンに対す
るピン間スポット量誤差補正パラメータC.P.(A,B)
は、次の〔数3〕で求められる。
ールの発光強度積算値の平均値は、全コントロールの発
光強度積算値の和を全コントロール数で除算し、その値
からマイクロアレイのバックグラウンド値BGを減算した
ものである。こうして、4本のピンに対するピン間スポ
ット量誤差補正パラメータC.P.(1,1),C.P.(2,
1),C.P.(1,2),C.P.(2,2)が求まる。次
に、マイクロアレイ情報データベースより、補正値を求
めたい試料の発光強度積算値、ウェルプレート上でのウ
ェルの座標情報を取得する(S604)。
報、ピンタイプの情報から、前記〔数1〕〔数2〕によ
りその試料をスポットしたピンのピン特定変数(A,
B)を求める。ピン特定変数が同じ試料スポットは、同
じピンでスポットされた試料である。こうして、マイク
ロアレイ上にその試料をスポットしたピンを特定するこ
とができる(S605)。そして、試料を固定したピン
のピン間スポット量誤差補正パラメータC.P.(A,B)を
用いて、次の〔数4〕により補正された発光強度積算値
(補正値)を算出する(S606)。
複数ある場合は、ステップ607において全ての試料に
対する補正値の算出が完了したと判定されるまで、ステ
ップ604より同じステップを繰り返す。最後に、求め
た各試料の発光強度積算値の補正値を画面上に表示する
(S608)。
示した発光強度積算値の補正値表示画面701には、試
料の名称、その試料が複数あるピンのいずれにより固定
されたか、試料の発光強度積算値の実測値、その補正
値、及びピン毎のピン間スポット量誤差補正パラメータ
等の情報を表示する。図7(b)に示すように、補正値
表示画面701のメニュー702の編集メニューより選
択表示あるいは並び替えを選択することで、図7(c)
のように選択表示ダイアログボックス703あるいは並
び替えダイアログボックス704を開くことができる。
これらのダイアログを操作することにより、補正値表示
画面701により表示されるデータを操作することがで
きる。
いたハイブリダイゼーション反応を行った後にそのマイ
クロアレイのピン間スポット量誤差補正パラメータC.P.
(A,B)を求めたが、コントロール試料の中に予め蛍光
物質を含ませておき、試料をスポットした後ハイブリダ
イゼーション反応を行う前にコントロールスポットの発
光強度積算値を測定してピン間スポット量誤差補正パラ
メータC.P.(A,B)を求めるようにしてもよい。
にピンの個体差により生じるピン間のスポット量の誤差
に起因する発光強度測定値の誤差を補正することがで
き、ハードの品質に左右されない測定結果を得ることが
可能になる。
要を示す図。
概略図。
ロアレイの作製方法の説明図。
タの例を示す図。
要を示すフローチャート。
例を示す図。
用いる試料、202〜205…マイクロアレイ実験に用
いる試料、206〜209…ピン間スポット量誤差補正
コントロールとして用いる試料を保有するウェル、21
0〜2113…試料を保有するウェル、214…ウェル
プレート、301…スポット手段、302a〜302c
…ウェルプレート、303…マイクロアレイ支持体、4
01…マイクロアレイ、402…マイクロアレイ読み取
り装置、403…励起光源、404…二次元光センサ
ー、405…光学フィルター、406…コントローラ、
407…コンピュータ、701…発光強度積算値の補正
値表示画面、702…補正値表示画面のメニュー、70
3…選択表示ダイアログボックス、704…並び替えダ
イアログボックス
Claims (5)
- 【請求項1】 支持体上に複数の試料スポットを2次元
アレイ状に配列したマイクロアレイにおいて、 前記複数の試料スポットのうち特定の位置関係を有する
一群の試料スポットは、当該試料スポット群内での位置
関係と同じ相対的位置関係を有する複数の試料スポット
によって構成される他の試料スポット群における試料ス
ポット間のスポット量誤差を補正するために同一の試料
をスポットしたコントロールスポットであることを特徴
とするマイクロアレイ。 - 【請求項2】 請求項1記載のマイクロアレイにおい
て、前記一群の試料スポットに属する試料スポットは相
互に隣接していないことを特徴とするマイクロアレイ。 - 【請求項3】 複数のピンを備えるスポット手段を用い
て支持体上に複数の試料を同時にスポットする動作を反
復し、支持体上に複数の試料スポットが2次元アレイ状
に配列されたマイクロアレイを作製する方法において、 前記スポット手段の全てのピンによって前記支持体上に
同一試料を同時にスポットする工程を含むことを特徴と
するマイクロアレイ作製方法。 - 【請求項4】 複数のピンを備えるスポット手段を用い
て支持体上に複数の試料を同時にスポットする動作を反
復して作製したマイクロアレイのピン間スポット量誤差
を補正する方法において、 前記スポット手段で支持体上に複数の試料を同時にスポ
ットする際に前記スポット手段の全てのピンによって前
記支持体上に同一試料をコントロールとして同時にスポ
ットする工程と、 前記スポット手段の各ピンによる前記コントロールのス
ポット量を測定してピン間スポット量誤差補正パラメー
タを求める工程と、 前記工程で求めたピン間スポット量誤差補正パラメータ
を用いて前記支持体上の各試料スポットに対する測定量
を補正する工程とを含むことを特徴とするマイクロアレ
イのピン間スポット量誤差補正方法。 - 【請求項5】 請求項4記載のマイクロアレイのピン間
スポット量誤差補正方法において、各試料スポットへの
試料の固定に用いられたピンの識別情報を、当該ピンに
よってマイクロプレートに運ばれた試料が保持されてい
たウェルのウェルプレート内での位置情報を介して求め
ることを特徴とするマイクロアレイのピン間スポット量
誤差補正方法。
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