JP2001244043A - スパークプラグ - Google Patents

スパークプラグ

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JP2001244043A JP2000054513A JP2000054513A JP2001244043A JP 2001244043 A JP2001244043 A JP 2001244043A JP 2000054513 A JP2000054513 A JP 2000054513A JP 2000054513 A JP2000054513 A JP 2000054513A JP 2001244043 A JP2001244043 A JP 2001244043A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Pb成分の含有量が少なく、しかも比較的低
温で釉焼可能であって絶縁性に優れ、かつ平滑な釉焼面
を得やすい釉薬層を有したスパークプラグを提供する。 【解決手段】 アルミナ系の絶縁体2の表面に形成され
た釉薬層2dが、以下の組成を有する。まず、分の含有
量がPbO換算にて1mol%以下とされる。また、S
i成分をSiOに酸化物換算した値にて15〜60m
ol%、B成分をBに酸化物換算した値にて10
〜50mol%、Zn成分をZnOに酸化物換算した値
にて0.5〜25mol%、Ba成分をBaOに酸化物
換算した値にて5〜25mol%含有する。さらに、M
o、W、Ni、Co及びMnの1種又は2種以上の成分
を、MoはMoO、WはWO、NiはNiО
CoはCoО、MnはMnОにそれぞれ酸化物換
算した値にて合計で0.5〜5mol%の範囲にて含
有。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスパークプラグとそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】自動車エンジン等の内燃機関の点火用に
使用されるスパークプラグは、一般に、接地電極が取り
付けられる主体金具の内側に、アルミナ系セラミック等
で構成された絶縁体が配置され、その絶縁体の内側に中
心電極が配置された構造を有する。絶縁体は主体金具の
後方側開口部から軸方向に突出し、その突出部の内側に
端子金具が配置され、これがガラスシール工程により形
成される導電性ガラスシール層や抵抗体等を介して中心
電極と接続される。そして、その端子金具を介して高圧
を印加することにより、接地電極と中心電極との間に形
成されたギャップに火花放電が生ずることとなる。
【0003】ところが、プラグ温度が高くなったり、周
囲の湿度が上昇したりするなどの条件が重なると、高圧
印加してもギャップに飛火せず、絶縁体突出部の表面を
回り込む形で端子金具と主体金具との間で放電する、い
わゆるフラッシュオーバ現象が生じることがある。その
ため、一般に使用されているほとんどのスパークプラグ
においては、主にこのフラッシュオーバ現象防止のため
に絶縁体表面に釉薬層が形成されている。他方、釉薬層
は、絶縁体表面を平滑化して汚染を防止したり、化学的
あるいは機械的強度を高めたりするといった役割も果た
す。
【0004】スパークプラグ用のアルミナ系絶縁体の場
合、従来は、ケイ酸塩ガラスに比較的多量のPbOを配
合して軟化温度を低下させた鉛ケイ酸塩ガラス系の釉薬
が使用きたが、環境保護に対する関心が地球規模で高ま
りつつある近年では、Pbを含有する釉薬は次第に敬遠
されるようになってきている。例えばスパークプラグが
多量に使用される自動車業界においては、廃棄スパーク
プラグによる環境への影響を考慮して、Pb含有釉薬を
使用したスパークプラグの使用は将来全廃しようとの検
討も進められている。
【0005】しかしながら、そのようなPb含有釉薬の
代替品として検討されている硼珪酸ガラスやアルカリ硼
珪酸ガラス系の無鉛釉薬は、ガラス転移点が高かった
り、あるいは絶縁抵抗が不足したりする等の不具合が避
けがたかった。この問題を解決するために、特開平11
−43351号公報には、Zn成分の組成調整等によ
り、粘性を上昇させることなくガラス安定化を図った無
鉛釉薬の組成が、また、特開平11−106234号公
報には、アルカリ成分の共添加効果により絶縁抵抗の向
上を図った無鉛釉薬の組成がそれぞれ開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スパークプ
ラグ用の釉薬の場合、エンジンに取り付けた環境下で使
用されることもあって、通常の絶縁磁器等よりも温度が
上昇しやすく、また、近年ではエンジンの高性能化に伴
いスパークプラグへの印加電圧も高くなってきているこ
とから、釉薬に対してもより厳しい環境に耐えうる絶縁
性能が求められるようになってきている。しかしなが
ら、前述の特開平11−106234号公報に開示され
た釉薬組成では高温での絶縁性能、特に釉薬層形成した
絶縁体をスパークプラグに組み込んだ状態にて評価した
絶縁性能(例えば、耐フラッシュオーバ性等)が、必ず
しも十分とはいえない問題がある。
【0007】また、特開平11−43351号公報及び
特開平11−106234号公報のいずれにおいても
(特に前者)、Zn成分の含有量が比較的高く(10〜
30mol%)設定されているが、本発明者らの検討に
よれば、Zn成分が単独で多くなりすぎると、平滑な釉
薬面が却って得にくくなることが判明した。この傾向
は、ガス炉など、水蒸気を多く含有した雰囲気中での釉
焼を行った場合に特に顕著である。
【0008】本発明の課題は、Pb成分の含有量が少な
く、しかも比較的低温で釉焼可能であって絶縁性に優
れ、かつ平滑な釉焼面を得やすい釉薬層を有したスパー
クプラグを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するため、本発明のスパークプラグは、中心電極
と主体金具との間にアルミナ系セラミックからなる絶縁
体を配したスパークプラグにおいて、その絶縁体の表面
の少なくとも一部を覆う形態で酸化物主体の釉薬層が形
成され、該釉薬層を構成する釉薬が、Pb成分の含有量
がPbO換算にて1mol%以下とされ、SiOに酸
化物換算した値にて5〜60mol%のSi成分と、B
に酸化物換算した値にて3〜50mol%のB成
分とからなる第一成分を35〜80mol%と、Zn成
分とアルカリ土類金属成分R(ただし、RはCa、S
r、Baから選ばれる1種又は2種以上)との少なくと
もいずれかからなる第二成分とを、ZnはZnОに、ま
たRは組成式RОに酸化物換算した値にて合計で5〜6
0mol%とを含有するとともに、それら第一成分と第
二成分との合計含有量が60〜98mol%であり、ま
た、アルカリ金属成分として、NaはNaO、KはK
O、LiはLiOに酸化物換算した値にて、それら
の1種又は2種以上を合計で2〜15mol%の範囲に
て含有し、さらに、Mo、W、Ni、Co、Fe及びM
nの1種又は2種以上の成分を、MoはMoO、Wは
WO、NiはNiО、CoはCoО、Feは
FeО、MnはMnОにそれぞれ酸化物換算した
値にて合計で0.5〜5mol%の範囲にて含有するこ
とを特徴とする。
【0010】上記スパークプラグの構成においては、前
述の環境問題への適合性を図るため、使用する釉薬が、
Pb成分の含有量がPbO換算にて1.0mol%以下
とすることを前提とする(以下、このレベルにPb成分
含有量が低減された釉薬を無鉛釉薬と称する)。また、
釉薬中にPb成分が価数の低いイオン(例えばP
)の形で含有されていると、釉薬層表面からのコ
ロナ放電等によりこれが価数の高いイオン(例えばPb
3+)に酸化され、釉薬層の絶縁性が低下して耐フラッ
シュオーバ性が損なわれる場合もあるので、Pb含有量
を上記のように削減することはこの観点においても好都
合である。なお、Pbの含有量は望ましくは0.1mo
l%以下、より望ましくは実質的に含有しない(ただ
し、釉薬原料等から不可避的に混入するものを除く)の
がよい。
【0011】そして、本発明では、Pb含有量を上記の
ように低減しつつ、絶縁性能確保、釉焼温度の最適化及
び釉焼面の仕上がり状態を良好に確保するために、上記
特有の組成が選択されている。従来の釉薬においては、
Pb成分が釉薬の軟化点調整(具体的には釉薬の軟化点
を適度に下げ、釉焼時の流動性を確保する)に関して重
要な役割を果たしていたが、無鉛釉薬では、B成分(B
)やアルカリ金属成分が軟化点調整に深く関係す
る。本発明者らは、B成分には、Si成分の含有量との
関連において、釉焼面の仕上がり改善を図る上で好都合
な前記した特有の含有量範囲が存在し、かつ、その含有
量範囲を前提としてMo、W、Ni、Co、Fe及びM
nの1種又は2種以上の成分を、前述の含有量範囲にて
添加することにより、溶融釉薬の流動性が著しく高めら
れ、ひいては比較的低温で釉焼可能であって絶縁性に優
れ、かつ平滑な釉焼面を有する釉薬層が得られることを
見出して、本発明を完成するに至ったのである。
【0012】釉薬構成成分の各含有量範囲の臨界的意味
は以下の通りである。釉薬中のMo、W、Ni、Co、
Fe及びMnの1種又は2種以上の成分(以下、必須遷
移金属成分という)の、酸化物換算した合計含有量が
0.5mol%未満では、溶融釉薬の流動性改善効果が
不十分となり、平滑な釉薬層が得にくくなる。他方、5
mol%を超えると、釉薬軟化点の過度の上昇により釉
焼が困難あるいは不能となる場合がある。
【0013】また、必須遷移金属成分の含有量が過剰と
なった場合の問題点として、釉薬層に意図せざる着色を
生ずる場合があることが挙げられる。例えば、絶縁体の
外面には、製造者等を特定するための文字や図形あるい
は品番などの視覚情報を色釉を用いて印刷することが行
われているが、釉薬層の着色があまり強くなりすぎる
と、印刷された視覚情報の読み取りが困難となる場合が
ある。また、別の現実的な問題としては、釉薬組成変更
に由来する色調変化が、購買者側では「使い慣れた外観
色の理由なき変更」に映じ、その抵抗感から必ずしもス
ムーズに製品が受け入れられない、といった不具合も生
じうる。
【0014】例えば、釉薬層の下地を形成する絶縁体
は、本発明においては白色を呈するアルミナ系セラミッ
クにて構成されるが、上記着色の防止ないし抑制の観点
においては、絶縁体上に形成された状態にて観察した釉
薬層の外観色調が、彩度Csが0〜6、明度Vsが7.
5〜10となるように、例えば必須遷移金属成分の含有
量を調整することが望ましい。彩度が6を超えると、肉
眼による色相識別性が顕著となり、また、明度が7.5
より小さくなると、灰色あるいは黒っぽい色調が識別さ
れ易くなる。いずれも、外観上、「明らかに色がついて
いる」印象がぬぐいきれなくなる問題を生ずる。なお、
彩度Csは望ましくは0〜2、よりに望ましくは0〜1
とするのがよく、彩度Vsは望ましくは8〜10、より
望ましくは9〜10とするのがよい。本明細書において
は、明度VS及び彩度CSの測定方法については、JIS
−Z8722「色の測定方法」において、「4.分光測
色方法」の「4.3反射物体の測定方法」に規定された
方法を用いるものとする。ただし、簡略な方法として、
JIS−Z8721に準拠して作成された標準色票との
目視比較により、明度及び彩度を知ることもできる。
【0015】溶融釉薬の流動性改善効果が特に顕著であ
るのはMo、次いでWであり、例えば必須遷移金属成分
の全てをMoあるいはWとすることも可能である。ま
た、溶融釉薬の流動性改善効果をより高める上では、必
須遷移金属成分の50mol%以上をMoとすることが
望ましい。
【0016】次に、釉薬中のSi成分含有量が5mol
%未満では、釉薬のガラス化が困難となり、均一な釉薬
層の形成が不能となる。他方、該Si成分含有量が60
mol%を超えると、釉薬の線膨張係数が小さくなり過
ぎ、釉薬層に亀裂や釉飛び等の欠陥が生じやすくなる。
Si成分の含有量は、より望ましくは15〜60mol
%とするのがよい。
【0017】また、B成分含有量が3mol%未満にな
ると、釉薬の軟化点が上昇し、釉焼が困難あるいは不能
となる。他方、B成分含有量が50mol%を超える
と、釉薬層の耐水性が不十分となるほか、釉薬層の失透
や絶縁性の低下あるいは下地との線膨張係数不適合とい
った問題が引き起こされる場合がある。B成分の含有量
はより望ましくは10〜50mol%とするのがよい。
なお、Si成分の含有量をNSiO2(mol%)、B成分
の含有量をNB2O3(mol%)としたときに、NSiO2/
NB2O3が0.5〜1.5となっていることが望ましい。
該値が0.5未満では、釉薬層の失透や絶縁性の低下あ
るいは下地との線膨張係数不適合といった問題が引き起
こされる場合があり、1.5を超えると、釉薬の線膨張
係数が小さくなり過ぎ、釉薬層に亀裂や釉飛び等の欠陥
が生じやすくなる。
【0018】また、Si成分とB成分とについては、S
i成分をSiOに酸化物換算した値にて15〜29.
5mol%、B成分をBに酸化物換算した値にて
25〜50mol%含有するものとする組成を選択する
ことにより、釉薬の軟化点が適度に低下して流動性のよ
いガラス融液を生ずるので、短時間焼成でも良好な仕上
がりの釉焼面を得ることができる。また、釉薬層のめく
れや縮れ、剥げあるいはピンホールといった欠陥も効果
的に抑制できる。
【0019】Zn成分及び/又はアルカリ土類金属成分
Rからなる第二成分の合計含有量が5mol%未満で
は、釉薬の軟化点が上昇し、所期の温度での釉焼が不能
となる場合がある。また、釉薬層の絶縁性が不十分とな
り、耐フラッシュオーバ性が損なわれる場合がある。他
方、第二成分の合計含有量が60mol%を超えると、
釉薬の軟化点が上昇し、所期の温度での釉焼が不能とな
る場合がある。また、釉薬の線膨張係数が大きくなり過
ぎ、釉薬層に貫入(クレージング)等の欠陥が生じやす
くなる場合がある。さらに、第一成分と第二成分との合
計含有量は、酸化物換算した値にて60〜98mol%
となっていることが望ましい。これらの合計含有量が9
8mol%を超えると釉薬の軟化点が上昇し、釉焼が不
能となる場合がある。また、60mol%未満では、絶
縁性と軟化点及び線膨張係数の調整とを両立させること
が困難となる。なお、該合計含有量は、望ましくは70
〜95mol%となっているのがよい。
【0020】また、上記第二成分としては特にZn成分
とBa成分が、釉薬層の絶縁性向上に寄与するほか、耐
水性や強度の向上にも効果があるので、本発明に特に好
ましく使用することができる。Zn成分はZnOに酸化
物換算した値にて0.5〜25mol%、Ba成分はB
aOに酸化物換算した値にて5〜25mol%とするの
がよい。Zn成分の含有量が0.5mol%未満では、
釉薬層の熱膨張係数が小さくなりすぎ、釉薬層に亀裂や
釉飛び等の欠陥が生じやすくなる場合がある。また、Z
n成分は釉薬層の絶縁性を向上させる作用も有するの
で、これが不足すれば釉薬層の絶縁性が不十分となるこ
ともある。他方、Zn成分の含有量が25mol%を超
えると、失透により釉薬層に白濁等を生じやすくなる場
合がある。他方、Ba成分の含有量が5mol%未満に
なると、釉薬の絶縁性が低下し、耐フラッシュオーバー
性が損なわれることにつながる場合がある。また、Ba
成分の含有量が25mol%を超えると、釉薬の軟化点
が上昇し、釉焼が不能となる場合がある。
【0021】次に、釉薬中のアルカリ金属成分は釉薬の
軟化点を低下させる作用を有する。その含有量が2mo
l%未満になると釉薬の軟化点が上昇し、釉焼が不能と
なる場合がある。また、15mol%を超えると、釉薬
の絶縁性が低下し、耐フラッシュオーバー性が損なわれ
る場合がある。アルカリ金属成分の含有量は、望ましく
は3〜10mol%とするのがよい。なお、アルカリ金
属成分Qの含有量をNQ2O(mol%)としたときに、
NQ2O/NB2O3が0.1〜0.25となっているのがよ
い。該値が0.1未満では釉薬の軟化点が上昇し、釉焼
が不能となる場合がある。また、0.25を超えると、
釉薬層の絶縁性が低下し、耐フラッシュオーバ性が損な
われる場合がある。
【0022】また、アルカリ金属成分に関しては1種類
のアルカリ金属成分を単独添加するのではなく、Na、
K、Liから選ばれる2種類を共添加することが釉薬層
の絶縁性低下抑制に有効である。その結果、絶縁性をそ
れほど低下させずにアルカリ金属成分の含有量を増大さ
せることができ、結果として耐フラッシュオーバ性の確
保及び釉焼温度の低温化という2つの目的を同時に達成
することが可能となる。なお、アルカリ金属成分の共添
加による導電性抑制の効果が損なわれない範囲で、第三
成分以降の他のアルカリ金属成分を配合することも可能
である。なお、絶縁性低下抑制のためには、各アルカリ
金属成分の添加量を5mol%以下とすることがより望
ましい。
【0023】以下、本発明にさらに付加可能な要件につ
いて説明する。まず、釉薬には、上記説明した成分以外
にも、Alに酸化物換算した値にて0.5〜10
mol%のAl成分、CaОに酸化物換算した値にて
0.5〜10mol%のCa成分、及びSrに酸化物換
算した値にて0.5〜30mol%のSr成分の1種又
は2種以上を合計で0.5〜30mol%含有させるこ
とができる。Al成分は釉薬の失透を抑制する効果を有
し、Ca成分とSr成分とは釉薬層の絶縁性向上に寄与
する。添加量が上記の各下限値未満では効果に乏しく、
また、個々の成分の上限値又は合計含有量の上限値を超
えた場合には、釉薬軟化点の過度の上昇により釉焼が困
難あるいは不能となる場合がある。
【0024】また、補助成分として、Zr、Ti、M
g、Bi、Sn、Sb及びPの1種又は2種以上を、F
eはFeに、ZrはZrOに、TiはTiO
に、MgはMgOに、BiはBiに、SnはSn
に、SbはSbに、PはPにそれぞれ
酸化物換算した値にて合計で5mol%以下の範囲で含
有させることができる。これらの成分は、各種目的に応
じて積極的に添加することもできるし、原料(あるい
は、後述する釉薬スラリーの調製時に配合する粘土鉱
物)や溶融工程における耐火材等からの不純物(あるい
はコンタミ)として不可避に混入する場合もある。な
お、釉薬の原料におけるFe成分源としては、Fe(II)
イオン系のもの(例えばFeO)とFe(III)イオン系
のもの(例えばFe)とのいずれも使用可能であ
るが、最終的な釉薬層中のFe成分の含有量は、Feイ
オンの価数に関係なくFeに換算した値で表示す
るものとする。これらの成分は、釉薬の軟化温度の調整
(例えばBi、ZrO、TiO)、絶縁性向
上(例えばZrOやMgO)、あるいは色調調整等の
ために適宜配合することができる。また、Ti成分やZ
r成分を配合すると、得られる釉薬層の耐水性あるいは
耐薬品性が改善され、例えば釉薬層中のアルカリ金属成
分が含有されている場合でも、その溶出が抑制されて釉
薬層の耐電圧性能向上に寄与する。Zr成分に関して
は、釉薬層の耐薬品性改善効果がTi成分に比して一層
顕著である。なお、「耐水性が良好」とは、例えば形成
された釉薬層からの水への成分溶出が起こりにくいこと
の他、釉薬フリットを水性スラリーの形で長時間放置し
た場合に、成分溶出によるスラリーの粘性が高くなる不
具合を生じにくくなるということも意味する。また、S
bは、釉薬層中の気泡形成を抑制する効果を有する。
【0025】なお、本発明のスパークプラグの構成にお
いては、釉薬中における各成分は酸化物の形で含有され
ることとなるが、非晶質のガラス相を形成するなどの要
因により、酸化物による存在形態を直接は同定できない
ことも多い。この場合は、釉薬層中における、酸化物換
算した値での元素成分の含有量が前述の範囲のものとな
っていれば、本発明の範囲に属するものとみなす。
【0026】ここで、絶縁体上に形成された釉薬層の各
成分の含有量は、例えばEPMA(電子プローブ微小分
析)やXPS(X線光電子分光)等の公知の微小分析方
法を用いて同定できる。例えばEPMAを用いる場合、
特性X線の測定には、波長分散方式とエネルギー分散方
式のいずれを用いてもよい。また、絶縁体から釉薬層を
剥離し、これを化学分析あるいはガス分析することによ
り組成同定する方法もある。
【0027】また、上記釉薬層を有する本発明のスパー
クプラグは、絶縁体の貫通孔内において、中心電極と一
体に、又は導電性結合層を間に挟んで中心電極と別体に
設けられた軸状の端子金具部を備えたものとして構成で
きる。この場合、該スパークプラグ全体を約500℃に
保持し、絶縁体を介して端子金具部と主体金具との間で
通電することにより絶縁抵抗値を測定することができ
る。そして、高温での絶縁耐久性を確保するために、こ
の絶縁抵抗値は200MΩ以上が確保されていること
が、フラッシュオーバ等の発生を防止する上で望まし
い。
【0028】図8は、その測定系の一例を示すものであ
る。すなわち、スパークプラグ100の端子金具13側
に直流定電圧電源(例えば電源電圧1000V)を接続
するとともに主体金具1側を接地し、加熱炉中にスパー
クプラグ100を配置して500℃に加熱した状態で通
電を行う。例えば、電流測定用抵抗(抵抗値Rm)を用
いて通電電流値Imを測定する場合を考えると、通電電
圧をVSとして、測定すべき絶縁抵抗値Rxは、(VS/
Im)−Rmにて求めることができる(図では、通電電流
値Imを、電流測定用抵抗の両端電圧差を増幅する差動
増幅器の出力により測定している)。
【0029】また、絶縁体は、Al成分をAl
酸化物換算した値にて85〜98mol%含有するアル
ミナ系絶縁材料で構成することができる。また、釉薬
は、20〜350℃の温度範囲における釉薬の平均の線
膨張係数が、50×10−7/℃〜85×10−7/℃
の範囲のものとなっていることが望ましい。線膨張係数
がこの下限値より小さくなっていると、釉薬層に亀裂や
釉飛び等の欠陥が生じやすくなる場合がある。他方、線
膨張係数がこの上限値より大きくなっていると、釉薬層
に貫入(クレージング)等の欠陥が生じやすくなる。な
お、上記線膨張係数は、より望ましくは60×10−7
/℃〜80×10−7/℃の範囲のものとなっているの
がよい。
【0030】釉薬の線膨張係数は、釉薬層と略同一組成
となるように原料を配合・溶解して得たガラス質の釉薬
バルク体から試料を切り出し、これを用いて公知のディ
ラトメータ法等により測定した値により推定することが
できる。また、絶縁体上の釉薬層の線膨張係数は、例え
ばレーザ干渉計や原子間力顕微鏡等を用いて測定するこ
とが可能である。
【0031】次に、上記本発明のスパークプラグは、以
下のような製造方法により製造することができる。すな
わち、該方法は、釉薬の各成分源となる成分源粉末を所
期の組成が得られるように配合して混合後、その混合物
を1000〜1500℃に加熱して溶融させ、その溶融
物を急冷・ガラス化し粉砕したフリットを用いて釉薬粉
末を調製する釉薬粉末調製工程と、その釉薬粉末を絶縁
体の表面に堆積させて釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉
末堆積工程と、その絶縁体を焼成することにより、釉薬
粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼
工程と、を含む。
【0032】なお、各成分の成分源粉末としては、それ
ら成分の酸化物(複合酸化物でもよい)の他、水酸化
物、炭酸塩、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩等の各
種無機系材料粉末を使用できる。これら無機系材料粉末
は、いずれも加熱・溶融により酸化物に転化できるもの
を使用する必要がある。また、急冷は、溶融物を水中に
投じる方法の他、溶融物を冷却ロール表面に噴射してフ
レーク状の急冷凝固物を得る方法も採用できる。
【0033】釉薬粉末は、上記フリットを水又は溶媒中
に分散させた釉薬スラリーとして調製可能である。この
場合、釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布し乾燥すること
で、釉薬粉末堆積層を該釉薬スラリーの塗布層として形
成できる。なお、釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布する
方法としては、釉薬スラリーを噴霧ノズルから絶縁体表
面に噴霧する方法を用いると、均一な厚さの釉薬粉末堆
積層を簡単に形成でき、その塗布厚さの調整も容易であ
る。
【0034】釉薬スラリーには、形成した釉薬粉末堆積
層の形状保持力を高める目的で、適量の粘土鉱物や有機
バインダーを配合できる。粘土鉱物は、含水アルミノケ
イ酸塩を主体に構成されるものを使用でき、例えばアロ
フェン、イモゴライト、ヒシンゲライト、スメクタイ
ト、カオリナイト、ハロイサイト、モンモリロナイト、
イライト、バーミキュライト、ドロマイト等(あるいは
それらの合成物)の1種又は2種以上を主体とするもの
を使用できる。また、含有される酸化物系成分の観点に
おいては、SiO及びAlに加え、Fe
、TiO、CaO、MgO、NaO及びK
O等の1種又は2種以上を主に含有するものを使用する
ことができる。
【0035】本発明のスパークプラグは、絶縁体の軸方
向に形成された貫通孔に対し、その一方の端部側に端子
金具が固定され、同じく他方の端部側に中心電極が固定
されるとともに、該貫通孔内において端子金具と中心電
極との間に、それらを電気的に接合するための、主にガ
ラスと導電性材料との混合物からなる焼結導電材料部
(例えば導電性ガラスシール層や抵抗体)が形成された
ものとして構成できる。これを製造する場合、次のよう
な工程を含む方法を採用できる。・組立体製造工程:絶
縁体の貫通孔に対し、その一方の端部側に端子金具が配
置され、同じく他方の端部側に中心電極が配置されると
ともに、該貫通孔内において端子金具と中心電極との間
に、ガラス粉末と導電性材料粉末とを主体とする焼結導
電材料原料粉末の充填層を形成した組立体を製造する。
・釉焼工程:絶縁体の表面に釉薬粉末堆積層を形成した
状態の組立体を、800〜950℃の温度範囲に加熱し
て、釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層と
なす工程と、充填層中のガラス粉末を軟化させる工程と
を同時に行う。・プレス工程:その加熱された組立体に
おいて、貫通孔内にて中心電極と端子金具とを相対的に
接近させることにより、充填層をそれら中心電極と端子
金具との間でプレスして焼結導電材料部となす。
【0036】この場合、焼結導電材料部により端子金具
と中心電極とが電気的に接合されるとともに、絶縁体貫
通孔の内面とそれら端子金具及び中心電極との間が封着
(シール)される。従って、上記釉焼工程がガラスシー
ル工程を形成することになる。該方法では、ガラスシー
ル工程と釉焼工程とが同時になされるので効率的であ
る。また、前述の釉薬を用いるため釉焼温度を800〜
950℃と低くできるので、中心電極や端子金具の酸化
による製造不良が発生しにくく、スパークプラグの製品
歩留まりが向上する。
【0037】釉薬の軟化温度は、例えば600〜700
℃の範囲で調整するのがよい。軟化温度が700℃を超
えると、上記のようにガラスシール工程に釉焼工程を兼
用させる場合に950℃以上の釉焼温度が必要となり、
中心電極や端子金具の酸化が進みやすくなる。他方、軟
化温度が600℃未満になると、釉焼温度も800℃未
満の低温に設定する必要が生ずる。この場合、良好なガ
ラスシール状態が得られるよう、焼結導電材料部に使用
するガラスも軟化温度の低いものを使用しなければなら
なくなる。その結果、完成したスパークプラグが比較的
高温の環境下で長時間使用された場合に、焼結導電材料
部中のガラスが変質しやすくなり、例えば焼結導電材料
部が抵抗体を含む場合には、その負荷寿命特性などの性
能の劣化につながる場合がある。
【0038】なお、釉薬の軟化温度は、例えば釉薬層を
絶縁体から剥離して加熱しながら示差熱分析を行い、屈
状点を表す最初の吸熱ピークの次に現われるピーク(す
なわち第2番目に発生する吸熱ピーク)の温度をもって
該軟化温度とする。また、絶縁体表面に形成された釉薬
層の軟化温度については、釉薬層中の各成分の含有量を
それぞれ分析して酸化物換算した組成を算出し、この組
成とほぼ等しくなるように、各被酸化元素成分の酸化物
原料を配合・溶解後、急冷してガラス試料を得、そのガ
ラス試料の軟化点をもって当該形成された釉薬層の軟化
点を推定することもできる。
【0039】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に示すいくつかの実施例を参照して説明する。図1及び
図2は、本発明の第一の構成に係るスパークプラグの一
実施例を示す。該スパークプラグ100は、筒状の主体
金具1、先端部21が突出するようにその主体金具1の
内側に嵌め込まれた絶縁体2、先端に形成された発火部
31を突出させた状態で絶縁体2の内側に設けられた中
心電極3、及び主体金具1に一端が溶接等により結合さ
れるとともに他端側が側方に曲げ返されて、その側面が
中心電極3の先端部と対向するように配置された接地電
極4等を備えている。また、接地電極4には上記発火部
31に対向する発火部32が形成されており、それら発
火部31と、対向する発火部32との間の隙間が火花放
電ギャップgとされている。
【0040】主体金具1は、低炭素鋼等の金属により円
筒状に形成されており、スパークプラグ100のハウジ
ングを構成するとともに、その外周面には、プラグ10
0を図示しないエンジンブロックに取り付けるためのね
じ部7が形成されている。なお、1eは、主体金具1を
取り付ける際に、スパナやレンチ等の工具を係合させる
工具係合部であり、六角状の軸断面形状を有している。
【0041】次に、絶縁体2の軸方向には貫通孔6が形
成されており、その一方の端部側から端子金具13が挿
入・固定され、同じく他方の端部側から中心電極3が挿
入・固定されている。また、該貫通孔6内において端子
金具13と中心電極3との間に抵抗体15が配置されて
いる。この抵抗体15の両端部は、導電性ガラスシール
層16,17を介して中心電極3と端子金具13とにそ
れぞれ電気的に接続されている。これら抵抗体15と導
電性ガラスシール層16,17とが焼結導電材料部を構
成している。なお、抵抗体15は、ガラス粉末と導電材
料粉末(及び必要に応じてガラス以外のセラミック粉
末)との混合粉末を原料とし、後述のガラスシール工程
においてこれを加熱・プレスすることにより得られる抵
抗体組成物で構成される。なお、抵抗体15を省略し
て、一層の導電性ガラスシール層により端子金具13と
中心電極3とを一体化した構成としてもよい。
【0042】絶縁体2は、内部に自身の軸方向に沿って
中心電極3を嵌め込むための貫通孔6を有し、全体が以
下の絶縁材料により構成されている。すなわち、該絶縁
材料はアルミナを主体に構成され、Al成分を、Al
に換算した値にて85〜98mol%(望ましくは
90〜98mol%)含有するアルミナ系セラミック焼
結体として構成される。
【0043】Al以外の成分の具体的な組成としては下
記のようなものを例示できる。 Si成分:SiO換算値で1.50〜5.00mol
%; Ca成分:CaO換算値で1.20〜4.00mol
%; Mg成分:MgO換算値で0.05〜0.17mol
%; Ba成分:BaO換算値で0.15〜0.50mol
%; B成分:B換算値で0.15〜0.50mol
%。
【0044】図1に示すように、絶縁体2の軸方向中間
には、周方向外向きに突出する突出部2eが例えばフラ
ンジ状に形成されている。そして、絶縁体2には、中心
電極3(図1)の先端に向かう側を前方側として、該突
出部2eよりも後方側がこれよりも細径に形成された本
体部2bとされている。一方、突出部2eの前方側には
これよりも細径の第一軸部2gと、その第一軸部2gよ
りもさらに細径の第二軸部2iがこの順序で形成されて
いる。なお、本体部2bの外周面後端部にはコルゲーシ
ョン部2cが形成されている。また、第一軸部2gの外
周面は略円筒状とされ、第二軸部2iの外周面は先端に
向かうほど縮径する略円錐面状とされている。
【0045】他方、中心電極3の軸断面径は抵抗体15
の軸断面径よりも小さく設定されている。そして、絶縁
体2の貫通孔6は、中心電極3を挿通させる略円筒状の
第一部分6aと、その第一部分6aの後方側(図面上方
側)においてこれよりも大径に形成される略円筒状の第
二部分6bとを有する。図1に示すように、端子金具1
3と抵抗体15とは第二部分6b内に収容され、中心電
極3は第一部分6a内に挿通される。中心電極3の後端
部には、その外周面から外向きに突出して電極固定用凸
部3cが形成されている。そして、上記貫通孔6の第一
部分6aと第二部分6bとは、図4(a)の第一軸部2
g内において互いに接続しており、その接続位置には、
中心電極3の電極固定用凸部3cを受けるための凸部受
け面6cがテーパ面あるいはアール面状に形成されてい
る。
【0046】また、第一軸部2gと第二軸部2iとの接
続部2hの外周面は段付面とされ、これが主体金具1の
内面に形成された主体金具側係合部としての凸条部1c
とリング状の板パッキン63を介して係合することによ
り、軸方向の抜止めがなされている。他方、主体金具1
の後方側開口部内面と、絶縁体2の外面との間には、フ
ランジ状の突出部2eの後方側周縁と係合するリング状
の線パッキン62が配置され、そのさらに後方側にはタ
ルク等の充填層61を介してリング状の線パッキン60
が配置されている。そして、絶縁体2を主体金具1に向
けて前方側に押し込み、その状態で主体金具1の開口縁
をパッキン60に向けて内側に加締めることにより加締
め部1dが形成され、主体金具1が絶縁体2に対して固
定されている。
【0047】図4(a)及び図4(b)は絶縁体2のい
くつかの例を示すものである。その各部の寸法を以下に
例示する。 ・全長L1:30〜75mm。 ・第一軸部2gの長さL2:0〜30mm(ただし、突
出部2eとの接続部2fを含まず、第二軸部2iとの接
続部2hを含む)。 ・第二軸部2iの長さL3:2〜27mm。 ・本体部2bの外径D1:9〜13mm。 ・突出部2eの外径D2:11〜16mm。 ・第一軸部2gの外径D3:5〜11mm。 ・第二軸部2iの基端部外径D4:3〜8mm。 ・第二軸部2iの先端部外径D5(ただし、先端面外周
縁にアールないし面取りが施される場合は、中心軸線O
を含む断面において、該アール部ないし面取部の基端位
置における外径を指す):2.5〜7mm。 ・貫通孔6の第二部分6bの内径D6:2〜5mm。 ・貫通孔6の第一部分6aの内径D7:1〜3.5m
m。 ・第一軸部2gの肉厚t1:0.5〜4.5mm。 ・第二軸部2iの基端部肉厚t2(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値):0.3〜3.5mm。 ・第二軸部2iの先端部肉厚t3(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値;ただし、先端面外周縁にアールない
し面取りが施される場合は、中心軸線Oを含む断面にお
いて、該アール部ないし面取部の基端位置における肉厚
を指す):0.2〜3mm。 ・第二軸部2iの平均肉厚tA((t2+t3)/2):
0.25〜3.25mm。
【0048】また、図1において、絶縁体2の主体金具
1の後方側に突出している部分2kの長さLQは、23
〜27mm(例えば25mm程度)である。さらに、絶
縁体2の中心軸線Oを含む縦断面を取ったときに、絶縁
体2の突出部分2kの外周面において、主体金具1の後
端縁に対応する位置から、コルゲーション2cを経て絶
縁体2の後端縁に至るまでの、その断面外形線に沿って
測った長さLPは26〜32mm(例えば29mm程
度)である。
【0049】なお、図4(a)に示す絶縁体2における
上記各部寸法は、例えば以下の通りである:L1=約6
0mm、L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約
11mm、D2=約13mm、D3=約7.3mm、D4
=5.3mm、D5=4.3mm、D6=3.9mm、D
7=2.6mm、t1=3.3mm、t2=1.4mm、
t3=0.9mm、tA=1.15mm。
【0050】また、図4(b)に示す絶縁体2は、第一
軸部2g及び第二軸部2iがそれぞれ、図4(a)に示
すものと比較してやや大きい外径を有している。各部の
寸法は、例えば以下の通りである:L1=約60mm、
L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約11m
m、D2=約13mm、D3=約9.2mm、D4=6.
9mm、D5=5.1mm、D6=3.9mm、D7=
2.7mm、t1=3.3mm、t2=2.1mm、t3
=1.2mm、tA=1.65mm。
【0051】次に、図3に示すように、絶縁体2の表
面、具体的にはコルゲーション部2cを含む本体部2b
の外周面と、第一軸部2gの外周面とに釉薬層2dが形
成されている。釉薬層2dの形成厚さは10〜150μ
m、望ましくは20〜50μmとされる。なお、図1に
示すように、本体部2bに形成された釉薬層2dは、そ
の軸方向前方側が主体金具1の内側に所定長入り込む形
で形成される一方、後方側は本体部2bの後端縁位置ま
で延びている。他方、第一軸部2gに形成された釉薬層
2dは、主体金具1の内周面との接触領域を包含するよ
うに、例えばその軸方向中間位置から、板パッキン63
が当接する接続部2hに至る領域に形成されている。
【0052】次に、釉薬層2dは、課題を解決するため
の手段及び作用・効果の欄にて説明した組成を有するも
のである。各成分の組成範囲の臨界的意味については、
既に詳細に説明済みであるからここでは繰り返さない。
また、絶縁体本体部2bの基端部(主体金具1から後方
に突出している部分の、コルゲーション部2cが付与さ
れていない円筒状の外周面を呈する部分)外周面におけ
る釉薬層2dの厚さt1(平均値)は7〜50μmであ
る。コルゲーション部2cは省略することもでき、この
場合は、主体金具1の後端縁を基点として本体部1bの
突出長さLQの50%までの部分の外周面における釉薬
層2dの厚さ(平均値)をt1とみなす。
【0053】次に、接地電極4及び中心電極3の本体部
3aはNi合金等で構成されている。また、中心電極3
の本体部3aの内部には、放熱促進のためにCuあるい
はCu合金等で構成された芯材3bが埋設されている。
一方、上記発火部31及び対向する発火部32は、I
r、Pt及びRhの1種又は2種以上を主成分とする貴
金属合金を主体に構成される。図2(b)に示すよう
に、中心電極3の本体部3aは先端側が縮径されるとと
もにその先端面が平坦に構成され、ここに上記発火部を
構成する合金組成からなる円板状のチップを重ね合わ
せ、さらにその接合面外縁部に沿ってレーザー溶接、電
子ビーム溶接、抵抗溶接等により溶接部Wを形成してこ
れを固着することにより発火部31が形成される。ま
た、対向する発火部32は、発火部31に対応する位置
において接地電極4にチップを位置合わせし、その接合
面外縁部に沿って同様に溶接部Wを形成してこれを固着
することにより形成される。なお、これらチップは、例
えば表記組成となるように各合金成分を配合・溶解する
ことにより得られる溶解材、又は合金粉末あるいは所定
比率で配合された金属単体成分粉末を成形・焼結するこ
とにより得られる焼結材により構成することができる。
なお、発火部31及び対向する発火部32は少なくとも
一方を省略する構成としてもよい。
【0054】上記スパークプラグ100は、例えば下記
のような方法で製造される。まず、絶縁体2であるが、
これは原料粉末として、アルミナ粉末と、Si成分、C
a成分、Mg成分、Ba成分及びB成分の各成分源粉末
を、焼成後に酸化物換算にて前述の組成となる所定の比
率で配合し、所定量の結合剤(例えばPVA)と水とを
添加・混合して成形用素地スラリーを作る。なお、各成
分源粉末は、例えばSi成分はSiO粉末、Ca成分
はCaCO粉末、Mg成分はMgO粉末、Ba成分が
BaCO粉末、B成分がHBO粉末の形で配合で
きる。なお、H BOは溶液の形で配合してもよい。
【0055】成形用素地スラリーは、スプレードライ法
等により噴霧乾燥されて成形用素地造粒物とされる。そ
して、成形用素地造粒物をラバープレス成形することに
より、絶縁体の原形となるプレス成形体を作る。図9
は、ラバープレス成形の工程を模式的に示している。こ
こでは、内部に軸方向に貫通するキャビティ301を有
するゴム型300が使用され、そのキャビティ301の
下側開口部に下パンチ302が嵌め込まれる。また、下
パンチ302のパンチ面には、キャビティ301内にお
いてその軸方向に延びるとともに、絶縁体2の貫通孔6
(図1)の形状を規定するプレスピン303が一体的に
凸設されている。
【0056】この状態でキャビティ301内に、所定量
の成形用素地造粒物PGを充填し、キャビティ301の
上側開口部を上パンチ304で塞いで密封する。この状
態でゴム型300の外周面に液圧を印加し、キャビティ
301の造粒物PGを該ゴム型300を介して圧縮する
ことにより、図10に示すようなプレス成形体305を
得る。なお、成形用素地造粒物PGは、プレス時におけ
る造粒物PGの粉末粒子への解砕が促進されるよう、該
成形用素地造粒物PGの重量を100重量部として、
0.7〜1.3重量部の水分が添加された後、上記プレ
ス成形が行われる。成形体305は、外面側がグライン
ダ切削等により加工されて、図1の絶縁体2に対応した
外形形状に仕上げられ、次いで温度1400〜1600
℃で焼成されて絶縁体2となる。
【0057】他方、釉薬スラリーの調製を以下のように
して行う。まず、Si、B、Zn、Ba、Na、K、M
o、W等の各成分源となる成分源粉末(例えば、Si成
分はSiO粉末、B成分はHBO粉末、ZnはZ
nO粉末、Ba成分はBaCO粉末、NaはNa
粉末、KはKCO粉末、MoはMoО、Wは
WO)を、所定の組成が得られるように配合して混合
する。次いで、その混合物を1000〜1500℃に加
熱して溶融させ、その溶融物を水中に投じて急冷・ガラ
ス化し、さらに粉砕することにより釉薬フリットを作
る。そして、この釉薬フリットにカオリン、蛙目粘土等
の粘土鉱物と有機バインダーとを適量配合し、さらに水
を加えて混合することにより釉薬スラリーを得る。
【0058】そして、図10に示すように、この釉薬ス
ラリーSを噴霧ノズルNから絶縁体2の必要な表面に噴
霧・塗布することにより、釉薬粉末堆積層としての釉薬
スラリー塗布層2d’を形成し、これを乾燥する。
【0059】次に、この釉薬スラリー塗布層2d’を形
成した絶縁体2への、中心電極3と端子金具13との組
付け、及び抵抗体15と導電性ガラスシール層16,1
7との形成工程の概略は以下の通りである。まず、図1
1(a)に示すように、絶縁体2の貫通孔6に対し、そ
の第一部分6aに中心電極3を挿入した後、(b)に示
すように導電性ガラス粉末Hを充填する。そして、
(c)に示すように、貫通孔6内に押さえ棒28を挿入
して充填した粉末Hを予備圧縮し、第一の導電性ガラス
粉末層26を形成する。次いで抵抗体組成物の原料粉末
を充填して同様に予備圧縮し、さらに導電性ガラス粉末
を充填して予備圧縮を行うことにより、図11(d)に
示すように、中心電極3側(下側)から貫通孔6内に
は、第一の導電性ガラス粉末層26、抵抗体組成物粉末
層25及び第二の導電性ガラス粉末層27が積層された
状態となる。
【0060】そして、図12(a)に示すように、貫通
孔6に端子金具13を上方から配置した組立体PAを形
成する。この状態で加熱炉に挿入してガラス軟化点以上
である800〜950℃の所定温度に加熱し、その後、
端子金具13を貫通孔6内へ中心電極3と反対側から軸
方向に圧入して積層状態の各層25〜27を軸方向にプ
レスする。これにより、同図(b)に示すように、各層
は圧縮・焼結されてそれぞれ導電性ガラスシール層1
6、抵抗体15及び導電性ガラスシール層17となる
(以上、ガラスシール工程)。
【0061】ここで、釉薬スラリー塗布層2d’に含ま
れる釉薬フリットの軟化温度を600〜700℃として
おけば、図12に示すように、釉薬スラリー塗布層2
d’を、上記ガラスシール工程における加熱により同時
に釉焼して釉薬層2dとすることができる。また、ガラ
スシール工程の加熱温度として800〜950℃の比較
的低い温度を採用することで、中心電極3や端子金具1
3の表面への酸化も生じにくくなる。また、釉薬組成と
して本発明のものを採用することで、溶融釉薬の流動性
が良好に確保され、平滑で均質であり、かつ絶縁性も良
好な釉薬層形成が可能となる。
【0062】こうしてガラスシール工程が完了した組立
体PAには、主体金具1や接地電極4等が組み付けられ
て、図1に示すスパークプラグ100が完成する。スパ
ークプラグ100は、そのねじ部7においてエンジンブ
ロックに取り付けられ、燃焼室に供給される混合気への
着火源として使用される。ここで、スパークプラグ10
0への高圧ケーブルあるいはイグニッションコイルの装
着は、図1に仮想線で示すように、絶縁体2の本体部2
bの外周面を覆うゴムキャップ(例えばシリコンゴム等
で構成される)RCを用いて行われる。このゴムキャッ
プRCの孔径は、本体部2bの外径D1(図4)よりも
0.5〜1.0mm程度小さいものが使用される。本体
部2bは孔を弾性的に拡径しつつその基端部まで覆われ
るようにこれに押し込まれる。その結果、ゴムキャップ
RCは、孔内面において本体部2bの基端部外周面に密
着し、フラッシュオーバ等を防止するための絶縁被覆と
して機能する。そして、前述の組成の釉薬を使用しつ
つ、基端部外周面を覆う釉薬層2dの膜厚t1を前述の
数値範囲に設定することにより釉焼面の平滑性が向上
し、釉薬層2dの絶縁性を低下させることなく釉焼面と
ゴムキャップRCとの密着性が高められるので、耐フラ
ッシュオーバ性を向上させることができる。
【0063】なお、本発明のスパークプラグは図1に示
すタイプのものに限らず、例えば図5に示すように、接
地電極4の先端を中心電極3の側面と対向させてそれら
の間に火花ギャップgを形成したものであってもよい。
この場合、接地電極4は、図6(a)に示すように、中
心電極3の両側に各1ずつの計2つ設ける態様の他、同
図(b)に示すように、中心電極3の周りに3ないしそ
れ以上のものを配置することもできる。また、図7に示
すように、スパークプラグ100を、絶縁体2の先端部
を中心電極3の側面と接地電極4の先端面との間に進入
させたセミ沿面放電型スパークプラグとして構成しても
よい。この構成では、絶縁体2の先端部の表面に沿う形
で火花放電が起こるので、気中放電型のスパークプラグ
と比べて耐汚損性が向上する。
【0064】
【実験例】本発明の効果を確認するために、以下の実験
を行った。図1の絶縁体2を次のようにして作製した。
まず、原料粉末として、アルミナ粉末(アルミナ95m
ol%、Na含有量(NaO換算値)0.1mol
%、平均粒径3.0μm)に対し、SiO(純度9
9.5%、平均粒径1.5μm)、CaCO(純度9
9.9%、平均粒径2.0μm)、MgO(純度99.
5%、平均粒径2μm)、BaCO(純度99.5
%、平均粒径1.5μm)、HBO(純度99.0
%、平均粒径1.5μm)、ZnO(純度99.5%、
平均粒径2.0μm)を所定比率にて配合するととも
に、この配合した粉末総量を100重量部として、親水
性バインダとしてのPVAを3重量部と、水103重量
部とを加えて湿式混合することにより、成形用素地スラ
リーを作製した。
【0065】次いで、これら組成の異なるスラリーをそ
れぞれスプレードライ法により乾燥して、球状の成形用
素地造粒物を調製した。なお、造粒物は、ふるいにより
粒径50〜100μmに整粒している。そして、この造
粒物を図9を用いて説明したラバープレス法により圧力
50MPaにて成形し、その成形体の外周面にグライン
ダ研削を施して所定の絶縁体形状に加工するとともに、
温度1550℃で焼成することにより絶縁体2を得た。
なお、蛍光X線分析により、絶縁体2は下記の組成を有
していることがわかった: Al成分:Al換算値で94.9mol%; Si成分:SiO換算値で2.4mol%; Ca成分:CaO換算値で1.9mol%; Mg成分:MgOに換算値で0.1mol%; Ba成分:BaOに換算値で0.4mol%; B成分:B換算値で0.3mol%。
【0066】また、図4(a)を援用して示す絶縁体2
の各部寸法は以下の通りである:L1=約60mm、L2
=約8mm、L3=約14mm、D1=約10mm、D2
=約13mm、D3=約7mm、D4=5.5mm、D5
=4.5mm、D6=4mm、D7=2.6mm、t1=
1.5mm、t2=1.45mm、t3=1.25mm、
tA=1.35mm。さらに、図1を援用して示すと、
絶縁体2の主体金具1の後方側に突出している部分2k
の長さLQは25mmであり、絶縁体2の中心軸線Oを
含む縦断面を取ったときに、絶縁体2の突出部分2kの
外周面において、主体金具1の後端縁に対応する位置か
ら、コルゲーション2cを経て絶縁体2の後端縁に至る
までの、その段面外形線に沿って測った長さLPは29
mmである。
【0067】次に、釉薬スラリーを次のようにして調製
した。まず、原料としてSiO(純度99.5%)、
BO粉末(純度98.5%)、ZnO粉末(純度
99.5%)、BaCO粉末(純度99.5%)、N
CO粉末(純度99.5%)、KCO粉末
(純度99%)、LiCO粉末(純度99%)、A
粉末(純度99.5%)、MoО粉末(純度
99%)、WО粉末(純度99%)、SrCO粉末
(純度99%)を各種比率で配合し、その混合物を10
00〜1500℃に加熱して溶融させ、その溶融物を水
中に投じて急冷・ガラス化し、さらにアルミナ製ポット
ミルにより粒径50μm以下に粉砕することにより釉薬
フリットを作製した。そして、この釉薬フリット100
重量部に対し粘土鉱物としてのニュージーランドカオリ
ンを3重量部、及び有機バインダーとしてのPVAを2
重量部配合し、さらに水を100重量部加えて混合する
ことにより釉薬スラリーを得た。
【0068】この釉薬スラリーを、図10のように噴霧
ノズルより絶縁体2の表面に噴霧後、乾燥して釉薬スラ
リー塗布層2d’を形成した。なお、乾燥後の釉薬の塗
布厚さは100μm程度である。この絶縁体2を用い
て、図11〜図12を用いて既に説明した方法により、
図1に示すスパークプラグ100を各種作成した。ただ
し、ねじ部7の外径は14mmとした。また、抵抗体1
5の原料粉末としてはB −SiO−BaO−L
O系ガラス、ZrO粉末、カーボンブラック粉
末、TiO粉末、金属Al粉末を、導電性ガラスシー
ル層16,17の原料粉末としてはB−SiO
−NaO系ガラス、Cu粉末、Fe粉末、Fe−B粉
末をそれぞれ用い、ガラスシール時の加熱温度、すなわ
ち釉焼温度は900℃にて行った。なお、各絶縁体2の
表面に形成された釉薬層2dの厚さはおおむね20μm
程度であった。
【0069】他方、粉砕せずに塊状に凝固させた釉薬試
料も作製した。なお、この塊状の釉薬試料は、X線回折
によりガラス化(非晶質化)したものであることを確認
した。これを用いて下記の実験を行った。 化学組成分析:蛍光X線分析による。各試料毎の分析
値(酸化物換算した値による)を表1及び表3に示して
いる。なお、絶縁体2の表面に形成された釉薬層2dの
各組成をEPMA法により測定したが、該塊状試料を用
いて測定した分析値とほぼ一致していることが確認でき
た。 熱膨張係数:塊状試料から寸法5mm×;5mm×1
0mmの測定試料を切り出し、公知のディラトメータ法
により20℃から350℃までの平均値として測定して
いる。また、絶縁体2からも上記寸法の測定試料を切り
出し、同様の測定を行ったところ、その値は73×10
−7/℃であった。 軟化温度:粉末試料50mgを加熱しながら示差熱分
析を行い、室温より測定開始し、第2番目の吸熱ピーク
となった温度を軟化温度として測定した。
【0070】また、各スパークプラグについては、50
0℃での絶縁抵抗測定を、図8を用いて既に説明した方
法により通電電圧1000Vにて行った。また、絶縁体
2に対する釉薬層2dの形成状態を目視にて観察した。
以上の結果を及び表2に示す。
【0071】
【表1】
【0072】
【表2】
【0073】この結果によると、本発明の釉薬組成を選
択することにより、Pbをほとんど含有していないにも
かかわらず十分な絶縁性能が確保され、また、適正な釉
焼温度が実現されていることがわかる。さらに、必須遷
移金属成分として、適量のWあるいはMo成分を配合す
ることにより、良好な外観の釉焼面が得られていること
もわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスパークプラグの一例を示す全体正面
断面図。
【図2】図1の要部の正面部分断面図及びその発火部の
近傍をさらに拡大して示す断面図。
【図3】絶縁体の外観を釉薬層とともに示す正面図。
【図4】絶縁体のいくつかの実施例を示す縦断面図。
【図5】本発明のスパークプラグの別例を示す全体正面
図。
【図6】図5の発火部近傍の平面図及びそのその変形例
の平面図。
【図7】本発明のスパークプラグのさらに別の例を示す
全体正面図。
【図8】スパークプラグの絶縁抵抗値の測定方法を示す
説明図。
【図9】ラバープレス法の説明図。
【図10】釉薬スラリー塗布層の形成工程の説明図。
【図11】ガラスシール工程の説明図。
【図12】図11に続く説明図。
【符号の説明】 1 主体金具 2 絶縁体 2d 釉薬層 2d’ 釉薬スラリー塗布層(釉薬粉末堆積層) 3 中心電極 4 接地電極 S 釉薬スラリー
フロントページの続き Fターム(参考) 3G019 KA01 4G062 AA08 AA09 BB01 BB05 CC04 CC10 DA03 DA04 DA05 DA06 DB02 DB03 DC03 DC04 DC05 DD01 DD02 DD03 DE02 DE03 DE04 DE05 DE06 DF01 DF02 EA01 EA02 EA03 EA04 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 ED02 ED03 EE02 EE03 EF02 EF03 EF04 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FE02 FE03 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH08 HH09 HH10 HH11 HH12 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM23 NN32 NN40 5G059 AA05 FF01 FF02 FF12 FF14

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中心電極と主体金具との間にアルミナ系
    セラミックからなる絶縁体を配したスパークプラグにお
    いて、その絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で
    酸化物主体の釉薬層が形成され、該釉薬層を構成する釉
    薬が、 Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以下とさ
    れ、 SiOに酸化物換算した値にて5〜60mol%のS
    i成分と、Bに酸化物換算した値にて3〜50m
    ol%のB成分とからなる第一成分を35〜80mol
    %と、Zn成分とアルカリ土類金属成分R(ただし、R
    はCa、Sr、Baから選ばれる1種又は2種以上)と
    の少なくともいずれかからなる第二成分とを、ZnはZ
    nОに、またRは組成式RОに酸化物換算した値にて合
    計で5〜60mol%とを含有するとともに、それら第
    一成分と第二成分との合計含有量が60〜98mol%
    であり、 また、アルカリ金属成分として、NaはNaO、Kは
    O、LiはLiOに酸化物換算した値にて、それ
    らの1種又は2種以上を合計で2〜15mol%の範囲
    にて含有し、 さらに、Mo、W、Ni、Co、Fe及びMnの1種又
    は2種以上の成分を、MoはMoO、WはWO、N
    iはNiО、CoはCoО、FeはFe
    О、MnはMnОにそれぞれ酸化物換算した値に
    て合計で0.5〜5mol%の範囲にて含有することを
    特徴とするスパークプラグ。
  2. 【請求項2】 前記釉薬は、前記酸化物換算した値に
    て、Si成分の含有量をNSiO2(mol%)、B成分の
    含有量をNB2O3(mol%)、Zn成分の含有量をNZn
    O(mol%)、前記アルカリ土類金属成分Rの含有量
    をNRO(mol%)としたときに、NSiO2/NB2O3が
    0.5〜1.5であり、NRO/NB2O3が0.1〜0.2
    5である請求項1記載のスパークプラグ。
  3. 【請求項3】 前記釉薬は、Si成分をSiOに酸化
    物換算した値にて15〜60mol%、B成分をB
    に酸化物換算した値にて10〜50mol%、Zn成
    分をZnOに酸化物換算した値にて0.5〜25mol
    %、Ba成分をBaOに酸化物換算した値にて5〜25
    mol%含有する請求項1又は2に記載のスパークプラ
    グ。
  4. 【請求項4】 前記釉薬は、Si成分をSiOに酸化
    物換算した値にて15〜29.5mol%、B成分をB
    に酸化物換算した値にて25〜50mol%含有
    する請求項3記載のスパークプラグ。
  5. 【請求項5】 前記釉薬は、Alに酸化物換算し
    た値にて0.5〜10mol%のAl成分、CaОに酸
    化物換算した値にて0.5〜10mol%のCa成分、
    及びSrに酸化物換算した値にて0.5〜30mol%
    のSr成分の1種又は2種以上を合計で0.5〜30m
    ol%含有する請求項1ないし4のいずれかに記載のス
    パークプラグ。
  6. 【請求項6】 前記釉薬は、Zr、Ti、Mg、Bi、
    Sn、Sb及びPの1種又は2種以上の成分を、Zrは
    ZrOに、TiはTiOに、MgはMgOに、Bi
    はBiに、SnはSnOに、SbはSb
    に、PはPにそれぞれ酸化物換算した値にて合計
    で5mol%以下の範囲で含有する請求項1ないし5の
    いずれかに記載のスパークプラグ。
  7. 【請求項7】 前記スパークプラグは、前記絶縁体の貫
    通孔内において、前記中心電極と一体に、又は導電性結
    合層を間に挟んで前記中心電極と別体に設けられた軸状
    の端子金具部を備え、 かつ該スパークプラグ全体を約500℃に保持し、前記
    絶縁体を介して前記端子金具部と前記主体金具との間で
    通電することにより測定される絶縁抵抗値が200MΩ
    以上である請求項1ないし6のいずれかに記載のスパー
    クプラグ。
  8. 【請求項8】 前記絶縁体は、Al成分をAl
    酸化物換算した重量にて85〜98mol%含有するア
    ルミナ系絶縁材料で構成されており、 前記釉薬は、20〜350℃の温度範囲における前記釉
    薬の平均の線膨張係数が、50×10−7/℃〜85×
    10−7/℃である請求項1ないし7のいずれかに記載
    のスパークプラグ。
  9. 【請求項9】 前記釉薬の軟化温度が600〜700℃
    である請求項1ないし8のいずれかに記載のスパークプ
    ラグ。
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