JP2001233938A - 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２６０℃の高温でも金属フレームに良好な接
着性を示し、また大型チップに適用しても反りが小さい
液状樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 フィラー、常温で液状のエポキシ樹脂、
硬化剤を必須成分とし、常温で液状のエポキシ樹脂のう
ち少なくとも５ｗｔ％が1分子内に3つのエポキシ基を有
する化合物と式（１）で示される化合物の反応物である
液状樹脂組成物である。 【化３】
着性を示し、また大型チップに適用しても反りが小さい
液状樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 フィラー、常温で液状のエポキシ樹脂、
硬化剤を必須成分とし、常温で液状のエポキシ樹脂のう
ち少なくとも５ｗｔ％が1分子内に3つのエポキシ基を有
する化合物と式（１）で示される化合物の反応物である
液状樹脂組成物である。 【化３】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等に接着する液状樹脂組成物に
関するものである。
導体素子を金属フレーム等に接着する液状樹脂組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の環境問題への意識の向上に伴い半
導体製品を有機基板に搭載する工程で使用されていた半
田を鉛フリーの半田に置き換える検討が盛んになされて
いる。このためリフロー温度も従来の２２０℃あるいは
２４０℃から２６０℃へ変更する必要があり、半導体製
品構成部材へもより高温での耐リフロー性が要求され始
めている。
導体製品を有機基板に搭載する工程で使用されていた半
田を鉛フリーの半田に置き換える検討が盛んになされて
いる。このためリフロー温度も従来の２２０℃あるいは
２４０℃から２６０℃へ変更する必要があり、半導体製
品構成部材へもより高温での耐リフロー性が要求され始
めている。
【０００３】また同時に半導体素子高集積化に伴い半導
体素子の大きさはこれまでに比べ急激に大きくなってき
ている。すなわちこのような半導体製品の動向の中、ダ
イアタッチペーストにこれまでにない熱時高接着性と超
低応力性が要求されはじめているが、従来のダイアタッ
チ材では熱時高接着性と超低応力性を併せ持つものは存
在しなかった。
体素子の大きさはこれまでに比べ急激に大きくなってき
ている。すなわちこのような半導体製品の動向の中、ダ
イアタッチペーストにこれまでにない熱時高接着性と超
低応力性が要求されはじめているが、従来のダイアタッ
チ材では熱時高接着性と超低応力性を併せ持つものは存
在しなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は鉛フリー化の
動向に伴いリフロー温度が２６０℃に変更されても良好
な耐リフロー性を示すとともに大型チップでも使用可能
な超低応力性を併せ持つ高信頼性の液状樹脂組成物を提
供し、その液状樹脂組成物を使用することで高信頼性の
パッケージを提供することである。
動向に伴いリフロー温度が２６０℃に変更されても良好
な耐リフロー性を示すとともに大型チップでも使用可能
な超低応力性を併せ持つ高信頼性の液状樹脂組成物を提
供し、その液状樹脂組成物を使用することで高信頼性の
パッケージを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】フィラー（Ａ）、常温で
液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）を必須成分と
し、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも
５ｗｔ％が1分子内に3つのエポキシ基を有する化合物と
下記式（１）で示される化合物の反応物である液状樹脂
組成物である。
液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）を必須成分と
し、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも
５ｗｔ％が1分子内に3つのエポキシ基を有する化合物と
下記式（１）で示される化合物の反応物である液状樹脂
組成物である。
【化２】 更に好ましい形態としては、1分子内に3つのエポキシ基
を有する化合物がトリヒドロキシフェニルメタンのトリ
グリシジルエーテルであり、式（１）の化合物がＮ−フ
ェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである
液状樹脂組成物である。また、上記の液状樹脂組成物を
ダイアタッチ材として使用して作製した半導体装置であ
る。
を有する化合物がトリヒドロキシフェニルメタンのトリ
グリシジルエーテルであり、式（１）の化合物がＮ−フ
ェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである
液状樹脂組成物である。また、上記の液状樹脂組成物を
ダイアタッチ材として使用して作製した半導体装置であ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いるフィラー（Ａ）
は、用いる分野が半導体用途のためハロゲンイオン、ア
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以
下であることが望ましい。また要求特性により銀、金、
銅、ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アル
ミ、窒化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェ
ノール粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独あ
るいは併用して使用可能である。形状としてはフレーク
状、繊維状、樹脂状、不定形あるいは球状のものを単独
あるいは混合して用いることができる。さらに粒径に関
しては通常平均粒径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましく、比較的細かいフィラーと粗い
フィラーを混合して用いてもよい。
は、用いる分野が半導体用途のためハロゲンイオン、ア
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以
下であることが望ましい。また要求特性により銀、金、
銅、ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アル
ミ、窒化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェ
ノール粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独あ
るいは併用して使用可能である。形状としてはフレーク
状、繊維状、樹脂状、不定形あるいは球状のものを単独
あるいは混合して用いることができる。さらに粒径に関
しては通常平均粒径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましく、比較的細かいフィラーと粗い
フィラーを混合して用いてもよい。
【０００７】また本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で
液状の物に限定しているが、常温で液状の物でないとペ
ースト状の樹脂組成物を得ることができない。ここで常
温で液状のエポキシ樹脂とは例えば常温で固形のもので
も常温で液状のエポキシ樹脂あるいは溶剤と混合するこ
とで常温で安定して液状を示す物を含む。
液状の物に限定しているが、常温で液状の物でないとペ
ースト状の樹脂組成物を得ることができない。ここで常
温で液状のエポキシ樹脂とは例えば常温で固形のもので
も常温で液状のエポキシ樹脂あるいは溶剤と混合するこ
とで常温で安定して液状を示す物を含む。
【０００８】本発明に用いるエポキシ樹脂としては１分
子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示さ
れる化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも
５ｗｔ％含まれる。これは１分子内に３個のエポキシ基
をもつ化合物を使用することにより高Ｔｇの硬化物を得
ることが出来高温での接着力に優れることは良く知られ
ているが、反面硬化物の弾性率が高いため特に１５ｍｍ
を越えるような大型チップへの適用が難しかった。１分
子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）で示さ
れる化合物の反応にエポキシ基の一部を使用することで
良好な接着性を維持しつつ硬化物の架橋密度を下げより
柔軟な硬化物を得ることを見いだした。ここで１分子内
に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示される
化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも５ｗ
ｔ％含まれると限定しているが、これは５％より少ない
場合には目的とする架橋密度の低下が充分に得られない
ためである。
子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示さ
れる化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも
５ｗｔ％含まれる。これは１分子内に３個のエポキシ基
をもつ化合物を使用することにより高Ｔｇの硬化物を得
ることが出来高温での接着力に優れることは良く知られ
ているが、反面硬化物の弾性率が高いため特に１５ｍｍ
を越えるような大型チップへの適用が難しかった。１分
子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）で示さ
れる化合物の反応にエポキシ基の一部を使用することで
良好な接着性を維持しつつ硬化物の架橋密度を下げより
柔軟な硬化物を得ることを見いだした。ここで１分子内
に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示される
化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも５ｗ
ｔ％含まれると限定しているが、これは５％より少ない
場合には目的とする架橋密度の低下が充分に得られない
ためである。
【０００９】１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物
としては、特にトリヒドロキシフェニルメタンのトリグ
リシジルエーテルが好ましい。式（１）の化合物として
は、特にＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシランが好ましい。
としては、特にトリヒドロキシフェニルメタンのトリグ
リシジルエーテルが好ましい。式（１）の化合物として
は、特にＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシランが好ましい。
【００１０】１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物
と式（１）に示される化合物の反応物のみをエポキシ樹
脂として使用しても差し支えないが、目的とする低応力
性のレベルにより通常のエポキシ樹脂を併用してもかま
わない。ここで通常のエポキシ樹脂とは例えば、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラッ
ク、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの
反応により得られるポリグリシジルエーテル、１、６ー
ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテル、ブタン
ジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコー
ルジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシ
ジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロ
ヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサ
イド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのよう
な脂環式エポキシ、さらにはｎ−ブチルグリシジルエー
テル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレン
オサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニ
ルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、
ブチルフェニルグリシジルエーテル等のような通常のエ
ポキシ樹脂の希釈剤として用いられるものがあり、これ
らは単独でも混合して用いても差し支えない。
と式（１）に示される化合物の反応物のみをエポキシ樹
脂として使用しても差し支えないが、目的とする低応力
性のレベルにより通常のエポキシ樹脂を併用してもかま
わない。ここで通常のエポキシ樹脂とは例えば、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラッ
ク、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの
反応により得られるポリグリシジルエーテル、１、６ー
ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテル、ブタン
ジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコー
ルジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシ
ジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロ
ヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサ
イド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのよう
な脂環式エポキシ、さらにはｎ−ブチルグリシジルエー
テル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレン
オサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニ
ルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、
ブチルフェニルグリシジルエーテル等のような通常のエ
ポキシ樹脂の希釈剤として用いられるものがあり、これ
らは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１１】本発明で使用される硬化剤についてはイオ
ン性不純物が極めて少ないことが好ましい点を除きフェ
ノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物などの使
用が可能であり構造については特に限定されない。また
必要に応じ、３級アミン、イミダゾール類、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフェニ
ルボレート等といった硬化促進剤として知られている化
合物を添加することもでき、さらに可とう性付与剤、消
泡剤、カップリング剤等を用いることもできる。
ン性不純物が極めて少ないことが好ましい点を除きフェ
ノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物などの使
用が可能であり構造については特に限定されない。また
必要に応じ、３級アミン、イミダゾール類、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフェニ
ルボレート等といった硬化促進剤として知られている化
合物を添加することもでき、さらに可とう性付与剤、消
泡剤、カップリング剤等を用いることもできる。
【００１２】本発明の製造方法は例えば各成分を予備混
合した後、３本ロールを用いて混練し、真空下脱泡して
樹脂ペーストを得るなどがある。本発明の液状封止樹脂
組成物を用いて製作された半導体装置は、信頼性の高い
半導体装置となる。半導体装置の製造方法は公知の方法
を用いることができる。
合した後、３本ロールを用いて混練し、真空下脱泡して
樹脂ペーストを得るなどがある。本発明の液状封止樹脂
組成物を用いて製作された半導体装置は、信頼性の高い
半導体装置となる。半導体装置の製造方法は公知の方法
を用いることができる。
【００１３】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明す
る。配合割合は重量部で示す。 ＜実施例１〜３＞１分子内に３個のエポキシ基をもつ化
合物としてトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシ
ジルエーテル２３４ｇを用い、これとトルエン１０００
ｍｌを３ｌのセパラブルフラスコに仕込み、ディーンス
タークトラップにより脱水した後、式（１）に示される
化合物としてＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン２５５．４ｇを１０分かけて滴下し環流下
４時間かけて反応した。反応後エバポレーターならびに
減圧乾燥によりトルエンを除去した。得られた反応物は
室温で粘ちょうな液体であった。（以下反応物Ａ） 粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍのフレーク状銀粉
（以下銀粉）とビスフェノールＡとエピクロルヒドリン
との反応により得られるジグリシジルビスフェノールＡ
（エポキシ当量１８０、常温で液体、以下ビスＡエポキ
シ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８
５）、フェノールノボラック（水酸基当量１０４、軟化
点８０〜９０℃）、ジシアンジアミド、ジアザビシクロ
ウンデセンを第１表に示す割合で配合し、３本ロールで
混練して液状樹脂組成物を得た。この液状樹脂組成物を
真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後以
下の方法により各種性能を評価した。
る。配合割合は重量部で示す。 ＜実施例１〜３＞１分子内に３個のエポキシ基をもつ化
合物としてトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシ
ジルエーテル２３４ｇを用い、これとトルエン１０００
ｍｌを３ｌのセパラブルフラスコに仕込み、ディーンス
タークトラップにより脱水した後、式（１）に示される
化合物としてＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン２５５．４ｇを１０分かけて滴下し環流下
４時間かけて反応した。反応後エバポレーターならびに
減圧乾燥によりトルエンを除去した。得られた反応物は
室温で粘ちょうな液体であった。（以下反応物Ａ） 粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍのフレーク状銀粉
（以下銀粉）とビスフェノールＡとエピクロルヒドリン
との反応により得られるジグリシジルビスフェノールＡ
（エポキシ当量１８０、常温で液体、以下ビスＡエポキ
シ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８
５）、フェノールノボラック（水酸基当量１０４、軟化
点８０〜９０℃）、ジシアンジアミド、ジアザビシクロ
ウンデセンを第１表に示す割合で配合し、３本ロールで
混練して液状樹脂組成物を得た。この液状樹脂組成物を
真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後以
下の方法により各種性能を評価した。
【００１４】＜評価方法＞ ・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・Ｔｇ：４ｘ２０ｘ０．４ｍｍの試験片を作製し（硬化
条件１５０℃６０分）引っ張りモードのＴＭＡで測定し
ＴＭＡ曲線の屈曲点をもってＴｇとした。（測定長：１
０ｍｍ、温度範囲：−１００℃〜３００℃、昇温速度：
１０℃／分） ・弾性率：１０ｘ１５０ｘ０．１ｍｍの試験片を作製し
（硬化条件１５０℃６０分）引っ張り試験により加重−
変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を算出した。
（測定長：１００ｍｍ、試験速度：１ｍｍ／分、測定温
度：２３℃） ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップを液状樹脂組
成物を用いて銅フレームにマウントし１５０℃オーブン
中６０分間硬化した。硬化後自動マウント強度測定装置
（ＤＡＧＥ ＰＣ−２４００）を用い２４０℃ならびに
２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。また硬化
後のサンプルを８５℃８５％ ７２時間吸
水処理し２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア
強度を 測定した。吸湿処理による保持率
を計算し８０％以上の場合を合格とした。 ・イオン性不純物：２００℃６０分硬化した後粉砕した
試料２ｇおよび純水４０ｍｌを抽出釜にいれ１２５℃２
０時間抽出した上澄みを検液としイオンクロマトグラフ
により塩素量およびナトリウム量の測定を行った。 ・チップの反り：６ｘ１５ｘ０．３ｍｍのベアシリコン
チップを０．２ｍｍ厚の銅フレームにマウントし、表面
粗さ計にてチップ表面長さ方向１３ｍｍでのプロファイ
ルを測定し最高点と最低点の差をもってチップの反りと
した。（硬化条件：１５０℃６０分）
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・Ｔｇ：４ｘ２０ｘ０．４ｍｍの試験片を作製し（硬化
条件１５０℃６０分）引っ張りモードのＴＭＡで測定し
ＴＭＡ曲線の屈曲点をもってＴｇとした。（測定長：１
０ｍｍ、温度範囲：−１００℃〜３００℃、昇温速度：
１０℃／分） ・弾性率：１０ｘ１５０ｘ０．１ｍｍの試験片を作製し
（硬化条件１５０℃６０分）引っ張り試験により加重−
変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を算出した。
（測定長：１００ｍｍ、試験速度：１ｍｍ／分、測定温
度：２３℃） ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップを液状樹脂組
成物を用いて銅フレームにマウントし１５０℃オーブン
中６０分間硬化した。硬化後自動マウント強度測定装置
（ＤＡＧＥ ＰＣ−２４００）を用い２４０℃ならびに
２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。また硬化
後のサンプルを８５℃８５％ ７２時間吸
水処理し２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア
強度を 測定した。吸湿処理による保持率
を計算し８０％以上の場合を合格とした。 ・イオン性不純物：２００℃６０分硬化した後粉砕した
試料２ｇおよび純水４０ｍｌを抽出釜にいれ１２５℃２
０時間抽出した上澄みを検液としイオンクロマトグラフ
により塩素量およびナトリウム量の測定を行った。 ・チップの反り：６ｘ１５ｘ０．３ｍｍのベアシリコン
チップを０．２ｍｍ厚の銅フレームにマウントし、表面
粗さ計にてチップ表面長さ方向１３ｍｍでのプロファイ
ルを測定し最高点と最低点の差をもってチップの反りと
した。（硬化条件：１５０℃６０分）
【００１５】＜実施例４＞用いるフィラーとして市販の
破砕シリカ（平均粒径３μｍ、最大粒径１６μｍ以下シ
リカ）を使用した他は実施例１と同様にして液状樹脂組
成物を作製し評価した。
破砕シリカ（平均粒径３μｍ、最大粒径１６μｍ以下シ
リカ）を使用した他は実施例１と同様にして液状樹脂組
成物を作製し評価した。
【００１６】＜比較例１〜４＞第１表に示す配合割合で
実施例１と全く同様にして導電性樹脂ペーストを作製し
た。なお比較例２〜４では使用するエポキシ樹脂として
トリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテ
ル（以下エポキシＢ）、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン（以下ＰＡＰＳ）を使用した。
実施例１と全く同様にして導電性樹脂ペーストを作製し
た。なお比較例２〜４では使用するエポキシ樹脂として
トリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテ
ル（以下エポキシＢ）、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン（以下ＰＡＰＳ）を使用した。
【００１７】評価結果を第１表に示す。
【表１】
【００１８】
【発明の効果】本発明の液状樹脂組成物は２６０℃の高
温でも金属フレームに対する密着性に優れる。また大型
チップに適用しても反りが小さい従来になかった高信頼
性の半導体素子接着用の液状樹脂組成物である。また高
信頼性を有する半導体装置である。
温でも金属フレームに対する密着性に優れる。また大型
チップに適用しても反りが小さい従来になかった高信頼
性の半導体素子接着用の液状樹脂組成物である。また高
信頼性を有する半導体装置である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J036 AA04 AC02 AC05 CB04 CB26 CC03 DA01 FA01 FB07 JA06 5F047 BA32 BA34 BA51 BB11
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）フィラー、（Ｂ）常温で液状のエ
ポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤を必須成分とし、常温で液状
のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５ｗｔ％が1分
子内に3つのエポキシ基を有する化合物と下記式（１）
で示される化合物の反応物であること特徴とする液状樹
脂組成物。 【化１】 - 【請求項２】 該1分子内に3つのエポキシ基を有する化
合物がトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジル
エーテルである請求項１記載の液状樹脂組成物。 - 【請求項３】 該式（１）の化合物がＮ−フェニル−γ
−アミノプロピルトリメトキシシランである請求項１記
載の液状樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の液状樹
脂組成物をダイアタッチ材として使用して作製した半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000043787A JP4568942B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000043787A JP4568942B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001233938A true JP2001233938A (ja) | 2001-08-28 |
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ID=18566648
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000043787A Expired - Fee Related JP4568942B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4568942B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063465A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Kansai Paint Co Ltd | 水性塗料組成物 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02153917A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 変性エポキシ化合物，その組成物及びそれを主成分とする封止材 |
| JPH1025391A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性組成物、その製造法及び硬化物の製造法 |
| JPH10104837A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント |
| JPH11263826A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-09-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001151992A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
2000
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| JP4568942B2 (ja) | 2010-10-27 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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