JP2000302949A - 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛フリー化の動向に伴い、リフロー温度が２
６０℃に変更されても良好な耐リフロー性を示す高信頼
性の液状樹脂組成物を提供し、ひいては本発明の液状樹
脂組成物を使用することで高信頼性のパッケージを提供
することである。 【解決手段】 フィラー（Ａ）、常温で液状のエポキシ
樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）からなり、常温で液状のエポ
キシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５０ｗｔ％が加水分解
性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である化合物を用いた液
状樹脂組成物である。更に液状樹脂組成物をダイアタッ
チペーストとして用いた半導体装置である。
６０℃に変更されても良好な耐リフロー性を示す高信頼
性の液状樹脂組成物を提供し、ひいては本発明の液状樹
脂組成物を使用することで高信頼性のパッケージを提供
することである。 【解決手段】 フィラー（Ａ）、常温で液状のエポキシ
樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）からなり、常温で液状のエポ
キシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５０ｗｔ％が加水分解
性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である化合物を用いた液
状樹脂組成物である。更に液状樹脂組成物をダイアタッ
チペーストとして用いた半導体装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等に接着する液状樹脂組成物に
関するものである。
導体素子を金属フレーム等に接着する液状樹脂組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の環境問題への意識の向上に伴い半
導体製品を有機基板に搭載する工程で使用されていた半
田を鉛フリーの半田に置き換える検討が盛んになされて
いる。このためリフロー温度も従来の２２０℃あるいは
２４０℃から２６０℃へ変更する必要があり、半導体製
品構成部材もより高温での耐リフロー性が要求され始め
ている。しかし、従来のダイアタッチ材では２４０℃ま
でのリフロー温度では使用可能であったが２６０℃リフ
ローに耐えるものは存在しなかった。
導体製品を有機基板に搭載する工程で使用されていた半
田を鉛フリーの半田に置き換える検討が盛んになされて
いる。このためリフロー温度も従来の２２０℃あるいは
２４０℃から２６０℃へ変更する必要があり、半導体製
品構成部材もより高温での耐リフロー性が要求され始め
ている。しかし、従来のダイアタッチ材では２４０℃ま
でのリフロー温度では使用可能であったが２６０℃リフ
ローに耐えるものは存在しなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は鉛フリー化の
動向に伴い、リフロー温度が２６０℃に変更されても良
好な耐リフロー性を示す高信頼性の液状樹脂組成物を提
供し、ひいては本発明の液状樹脂組成物を使用すること
で高信頼性のパッケージを提供することである。
動向に伴い、リフロー温度が２６０℃に変更されても良
好な耐リフロー性を示す高信頼性の液状樹脂組成物を提
供し、ひいては本発明の液状樹脂組成物を使用すること
で高信頼性のパッケージを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】フィラー（Ａ）、常温で
液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）からなり、常
温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５０ｗ
ｔ％が加水分解性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である下
記式（１）で示される化合物である液状樹脂組成物であ
る。更に好ましい態様としては、硬化物のＴＭＡ法によ
り測定したＴｇが１５０℃以上である液状樹脂組成物で
ある。
液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）からなり、常
温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５０ｗ
ｔ％が加水分解性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である下
記式（１）で示される化合物である液状樹脂組成物であ
る。更に好ましい態様としては、硬化物のＴＭＡ法によ
り測定したＴｇが１５０℃以上である液状樹脂組成物で
ある。
【化１】
【０００５】また、上記の液状樹脂組成物をダイアタッ
チ材として使用して作製した半導体装置である。
チ材として使用して作製した半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いるフィラー（Ａ）は
用いる分野が半導体用途のためハロゲンイオン、アルカ
リ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下で
あることが望ましい。また要求特性により銀、金、銅、
ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アルミ、窒
化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェノール
粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独あるいは
併用して使用可能である。
用いる分野が半導体用途のためハロゲンイオン、アルカ
リ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下で
あることが望ましい。また要求特性により銀、金、銅、
ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アルミ、窒
化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェノール
粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独あるいは
併用して使用可能である。
【０００７】形状としてはフレーク状、繊維状、樹脂
状、不定形あるいは球状のものを単独あるいは混合して
用いることができる。さらに粒径に関しては通常平均粒
径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好
ましく、比較的細かいフィラーと粗いフィラーを混合し
て用いてもよい。
状、不定形あるいは球状のものを単独あるいは混合して
用いることができる。さらに粒径に関しては通常平均粒
径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好
ましく、比較的細かいフィラーと粗いフィラーを混合し
て用いてもよい。
【０００８】また本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で
液状の物に限定しているが、常温で液状の物でないとフ
ィラーとの混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡
の原因となり硬化物の接着強度、熱伝導率を低下させて
しまうので好ましくない。ここで常温で液状のエポキシ
樹脂とは例えば常温で固形のものでも常温で液状のエポ
キシ樹脂と混合することで常温で安定して液状を示す物
を含む。
液状の物に限定しているが、常温で液状の物でないとフ
ィラーとの混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡
の原因となり硬化物の接着強度、熱伝導率を低下させて
しまうので好ましくない。ここで常温で液状のエポキシ
樹脂とは例えば常温で固形のものでも常温で液状のエポ
キシ樹脂と混合することで常温で安定して液状を示す物
を含む。
【０００９】本発明に用いるエポキシ樹脂としては加水
分解性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である式（１）で示
される化合物をエポキシ樹脂に対して少なくとも５０ｗ
ｔ％含まれる。式（１）で示される化合物がエポキシ樹
脂に対して５０ｗｔ％未満の場合、未使用の場合よりも
Ｔｇは向上するが２６０℃でのリフローに十分耐えうる
程の硬化は期待できない。
分解性塩素量が１０００ｐｐｍ以下である式（１）で示
される化合物をエポキシ樹脂に対して少なくとも５０ｗ
ｔ％含まれる。式（１）で示される化合物がエポキシ樹
脂に対して５０ｗｔ％未満の場合、未使用の場合よりも
Ｔｇは向上するが２６０℃でのリフローに十分耐えうる
程の硬化は期待できない。
【００１０】式（１）で示される化合物を含め一般にグ
リシジルアミンタイプのエポキシ樹脂は、特にカーボン
コンポジット、構造用接着剤などの用途で使用されてい
るが市販の物は加水分解性塩素量が例えば１〜５％と多
く半導体用途での使用は困難である。また精製技術の向
上に伴い加水分解性塩素量の少ない樹脂も出現している
が、式（１）で示される化合物の加水分解性塩素量は１
０００ｐｐｍ以下が好ましく、１０００ｐｐｍを越える
場合には、得られた液状樹脂組成物の含有塩素量が多く
なりすぎ半導体製品の信頼性の悪化につながるので使用
できない。また２６０℃での耐リフロー性の向上には、
高温時の物性低下を抑えるために高耐熱性が必要であ
り、Ｔｇは１５０℃以上あることが好ましい。Ｔｇが１
５０℃未満であると２６０℃でのリフロー性が劣り、樹
脂硬化物にクラックや剥離が発生する。
リシジルアミンタイプのエポキシ樹脂は、特にカーボン
コンポジット、構造用接着剤などの用途で使用されてい
るが市販の物は加水分解性塩素量が例えば１〜５％と多
く半導体用途での使用は困難である。また精製技術の向
上に伴い加水分解性塩素量の少ない樹脂も出現している
が、式（１）で示される化合物の加水分解性塩素量は１
０００ｐｐｍ以下が好ましく、１０００ｐｐｍを越える
場合には、得られた液状樹脂組成物の含有塩素量が多く
なりすぎ半導体製品の信頼性の悪化につながるので使用
できない。また２６０℃での耐リフロー性の向上には、
高温時の物性低下を抑えるために高耐熱性が必要であ
り、Ｔｇは１５０℃以上あることが好ましい。Ｔｇが１
５０℃未満であると２６０℃でのリフロー性が劣り、樹
脂硬化物にクラックや剥離が発生する。
【００１１】式（１）で示される化合物のみをエポキシ
樹脂として使用しても差し支えないが、他のエポキシ樹
脂との併用も可能である。併用可能なエポキシ樹脂は、
例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノ
ールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロル
ヒドリンとの反応により得られるポリグリシジルエーテ
ル、１、６ージヒドロキシナフタレンジグリシジルエー
テル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペン
チルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキ
シ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、
ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジ
エンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジ
ペイトのような脂環式エポキシ、さらにはｎ−ブチルグ
リシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステ
ル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエー
テル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジ
ルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等のよ
うな通常のエポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
があり、これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。
樹脂として使用しても差し支えないが、他のエポキシ樹
脂との併用も可能である。併用可能なエポキシ樹脂は、
例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノ
ールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロル
ヒドリンとの反応により得られるポリグリシジルエーテ
ル、１、６ージヒドロキシナフタレンジグリシジルエー
テル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペン
チルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキ
シ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、
ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジ
エンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジ
ペイトのような脂環式エポキシ、さらにはｎ−ブチルグ
リシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステ
ル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエー
テル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジ
ルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等のよ
うな通常のエポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
があり、これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。
【００１２】本発明で使用される硬化剤についてはイオ
ン性不純物が極めて少ないことが好ましい点を除きフェ
ノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物などの使
用が可能であり構造については特に限定されない。また
必要に応じ、３級アミン、イミダゾール類、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフェニ
ルボレート等といった硬化促進剤として知られている化
合物を添加することもでき、さらに可とう性付与剤、消
泡剤、カップリング剤等を用いることもできる。
ン性不純物が極めて少ないことが好ましい点を除きフェ
ノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物などの使
用が可能であり構造については特に限定されない。また
必要に応じ、３級アミン、イミダゾール類、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフェニ
ルボレート等といった硬化促進剤として知られている化
合物を添加することもでき、さらに可とう性付与剤、消
泡剤、カップリング剤等を用いることもできる。
【００１３】本発明の製造方法は例えば各成分を予備混
合した後、３本ロールを用いて混練し、混練後真空下脱
泡し樹脂ペーストを得るなどがある。この様にして得ら
れた液状樹脂組成物をダイアタッチ材として用い、公知
の方法にて半導体装置を得ることが出来る。
合した後、３本ロールを用いて混練し、混練後真空下脱
泡し樹脂ペーストを得るなどがある。この様にして得ら
れた液状樹脂組成物をダイアタッチ材として用い、公知
の方法にて半導体装置を得ることが出来る。
【００１４】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明す
る。配合割合は重量部で示す。 ＜実施例１〜３＞粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍの
フレーク状銀粉（以下銀粉）とビスフェノールＡとエピ
クロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビ
スフェノールＡ（エポキシ当量１８０、常温で液体、以
下ビスＡエポキシ）、クレジルグリシジルエーテル（エ
ポキシ当量１８５）、４−（ジグリシジルアミノ）フェ
ニルグリシジルエーテル（分子蒸留品：エポキシ当量１
０３、加水分解性塩素量５４０ｐｐｍ、２５℃での粘度
６．８ポイズ 以下エポキシＢ）、フェノールノボラッ
ク（水酸基当量１０４、軟化点８０〜９０℃）、ジシア
ンジアミド、ジアザビシクロウンデセンを第一表に示す
割合で配合し、３本ロールで混練して液状樹脂組成物を
得た。この液状樹脂組成物を真空チャンバーにて２ｍｍ
Ｈｇで３０分間脱泡した後以下の方法により各種性能を
評価した。
る。配合割合は重量部で示す。 ＜実施例１〜３＞粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍの
フレーク状銀粉（以下銀粉）とビスフェノールＡとエピ
クロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビ
スフェノールＡ（エポキシ当量１８０、常温で液体、以
下ビスＡエポキシ）、クレジルグリシジルエーテル（エ
ポキシ当量１８５）、４−（ジグリシジルアミノ）フェ
ニルグリシジルエーテル（分子蒸留品：エポキシ当量１
０３、加水分解性塩素量５４０ｐｐｍ、２５℃での粘度
６．８ポイズ 以下エポキシＢ）、フェノールノボラッ
ク（水酸基当量１０４、軟化点８０〜９０℃）、ジシア
ンジアミド、ジアザビシクロウンデセンを第一表に示す
割合で配合し、３本ロールで混練して液状樹脂組成物を
得た。この液状樹脂組成物を真空チャンバーにて２ｍｍ
Ｈｇで３０分間脱泡した後以下の方法により各種性能を
評価した。
【００１５】・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い
２５℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・Ｔｇ：４×２０×０．４ｍｍの試験片を作製し（硬化
条件１５０℃６０分）引っ張りモードのＴＭＡで測定し
ＴＭＡ曲線の屈曲点をもってＴｇとした。（測定長：１
０ｍｍ、温度範囲：−１００℃〜３００℃、昇温速度：
１０℃／分）
２５℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・Ｔｇ：４×２０×０．４ｍｍの試験片を作製し（硬化
条件１５０℃６０分）引っ張りモードのＴＭＡで測定し
ＴＭＡ曲線の屈曲点をもってＴｇとした。（測定長：１
０ｍｍ、温度範囲：−１００℃〜３００℃、昇温速度：
１０℃／分）
【００１６】・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップ
を液状樹脂組成物を用いて銅フレームにマウントし１５
０℃オーブン中６０分間硬化した。硬化後自動マウント
強度測定装置（ＤＡＧＥ ＰＣ−２４００）を用い２４
０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。また硬化後のサンプルを８５℃８５％７２時間吸水
処理し２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強
度を測定した。吸湿処理による保持率を計算し８０％以
上の場合を合格とした。 ・イオン性不純物 ：２００℃６０分硬化した後粉砕し
た試料２ｇおよび純水４０ｍｌを抽出釜にいれ１２５℃
２０時間抽出した上澄みを検液としイオンクロマトグラ
フにより塩素量およびナトリウム量の測定を行った。
を液状樹脂組成物を用いて銅フレームにマウントし１５
０℃オーブン中６０分間硬化した。硬化後自動マウント
強度測定装置（ＤＡＧＥ ＰＣ−２４００）を用い２４
０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。また硬化後のサンプルを８５℃８５％７２時間吸水
処理し２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強
度を測定した。吸湿処理による保持率を計算し８０％以
上の場合を合格とした。 ・イオン性不純物 ：２００℃６０分硬化した後粉砕し
た試料２ｇおよび純水４０ｍｌを抽出釜にいれ１２５℃
２０時間抽出した上澄みを検液としイオンクロマトグラ
フにより塩素量およびナトリウム量の測定を行った。
【００１７】・リフロー性：１４×２０×２．０ｍｍの
ＱＦＰ（銅フレーム、ダイパッド：９．５×９．５ｍ
ｍ）フレームに液状樹脂組成物を用い９×９×０．３８
ｍｍのシリコンダイをマウント、１５０℃６０分硬化し
た後、ビフェニル系封止材（フィラー含有率：８８ｗｔ
％）にてモールドした。このパッケージを８５℃８５％
ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理後ＩＲリフローを３回
通した。リフロー温度は２４０℃１０秒および２６０℃
１０秒で行った。リフロー処理後のパッケージを透過型
の超音波探傷装置により剥離の観察をおこない、剥離面
積がダイパッド面積の５％以上のものを不良とし、１０
パッケージ中の不良パッケージ数をもってリフロー性の
指標とした。
ＱＦＰ（銅フレーム、ダイパッド：９．５×９．５ｍ
ｍ）フレームに液状樹脂組成物を用い９×９×０．３８
ｍｍのシリコンダイをマウント、１５０℃６０分硬化し
た後、ビフェニル系封止材（フィラー含有率：８８ｗｔ
％）にてモールドした。このパッケージを８５℃８５％
ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理後ＩＲリフローを３回
通した。リフロー温度は２４０℃１０秒および２６０℃
１０秒で行った。リフロー処理後のパッケージを透過型
の超音波探傷装置により剥離の観察をおこない、剥離面
積がダイパッド面積の５％以上のものを不良とし、１０
パッケージ中の不良パッケージ数をもってリフロー性の
指標とした。
【００１８】＜実施例４＞用いるフィラーとして市販の
破砕シリカ（平均粒径３μｍ、最大粒径１６μｍ以下シ
リカ）を使用した他は実施例１と同様にして液状樹脂組
成物を作製し評価した。
破砕シリカ（平均粒径３μｍ、最大粒径１６μｍ以下シ
リカ）を使用した他は実施例１と同様にして液状樹脂組
成物を作製し評価した。
【００１９】＜比較例１〜４＞第一表に示す配合割合で
実施例１と全く同様にして導電性樹脂ペーストを作製し
た。なお比較例３、４では使用するエポキシ樹脂として
４−（ジグリシジルアミノ）フェニルグリシジルエーテ
ル（エポキシ当量１０４、加水分解性塩素量１８００ｐ
ｐｍ、２５℃での粘度１９ポイズ 以下エポキシＣ）を
使用した。
実施例１と全く同様にして導電性樹脂ペーストを作製し
た。なお比較例３、４では使用するエポキシ樹脂として
４−（ジグリシジルアミノ）フェニルグリシジルエーテ
ル（エポキシ当量１０４、加水分解性塩素量１８００ｐ
ｐｍ、２５℃での粘度１９ポイズ 以下エポキシＣ）を
使用した。
【００２０】評価結果を第一表に示す。
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の液状樹脂組成物は２６０℃の高
温でも金属フレームに対する密着性に優れるため、リフ
ロー温度が２６０℃になっても半田処理時にクラックが
発生しない従来になかった高信頼性の半導体素子接着用
の液状樹脂組成物であり、この液状樹脂組成物を用いて
半導体素子を接着することによりリフロー性に優れ非常
に信頼性の高い半導体装置が得られる。
温でも金属フレームに対する密着性に優れるため、リフ
ロー温度が２６０℃になっても半田処理時にクラックが
発生しない従来になかった高信頼性の半導体素子接着用
の液状樹脂組成物であり、この液状樹脂組成物を用いて
半導体素子を接着することによりリフロー性に優れ非常
に信頼性の高い半導体装置が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CD012 CD022 CD052 CD062 CD082 CD131 DA016 DA076 DA086 DF016 DJ016 DK006 EF007 EJ007 EN007 FD016 FD147 GQ05 4J036 AD08 AF06 AF08 AH01 AH11 DC31 DC46 FA02 FB07 FB14 JA06 5F047 AA11 BA23 BA34 BB11 BB16
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）フィラー、（Ｂ）常温で液状のエ
ポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤からなり、常温で液状のエポ
キシ樹脂（Ｂ）のうち、少なくとも５０ｗｔ％が加水分
解性塩素の量が１０００ｐｐｍ以下である下記式（１）
で示される化合物であることを特徴とする液状樹脂組成
物。 【化１】 - 【請求項２】 該液状樹脂組成物の硬化物のＴＭＡ法に
よるＴｇが１５０℃以上である請求項１記載の液状樹脂
組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載の液状樹脂組成物をダイア
タッチ材として使用した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116155A JP2000302949A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116155A JP2000302949A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000302949A true JP2000302949A (ja) | 2000-10-31 |
Family
ID=14680142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11116155A Pending JP2000302949A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000302949A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001106874A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2012231090A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品用接合材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237157A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11116155A patent/JP2000302949A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237157A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001106874A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2012231090A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品用接合材 |
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