JP2000080149A - 半導体用樹脂ペースト - Google Patents
半導体用樹脂ペーストInfo
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- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱時接着強度を低下させないで、硬化物の低
弾性率化を計ることにより、ＩＣ等の大型チップと銅フ
レーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ
等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生の
ない樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 液状エポキシ樹脂、潜在性硬化剤、イミ
ダゾール化合物、及び無機フィラーからなる半導体用樹
脂ペースト。
弾性率化を計ることにより、ＩＣ等の大型チップと銅フ
レーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ
等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生の
ない樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 液状エポキシ樹脂、潜在性硬化剤、イミ
ダゾール化合物、及び無機フィラーからなる半導体用樹
脂ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
【０００３】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
【０００４】更に近年、IC等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたりードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたりードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
【０００５】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×I0-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×I0-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
【０００６】また、硬化時に架橋密度を小さくするよう
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。また従来の
マウント用樹脂は硬化に150〜200℃のオーブンで1〜2時
間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程
の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するイン
ライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温ま
たは低温での保存性、すなわちポットライフやシェルラ
イフが短くなり、1液タイプでは実用性がなく、熱時の
接着強度も低いという欠点があった。
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。また従来の
マウント用樹脂は硬化に150〜200℃のオーブンで1〜2時
間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程
の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するイン
ライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温ま
たは低温での保存性、すなわちポットライフやシェルラ
イフが短くなり、1液タイプでは実用性がなく、熱時の
接着強度も低いという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱時
接着強度を低下させないで、硬化物の低弾性率化を計る
ことにより、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合
せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が
起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペース
トを提供することにある。
接着強度を低下させないで、硬化物の低弾性率化を計る
ことにより、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合
せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が
起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペース
トを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）一般式
（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）とエポキシ基を
有する反応性希釈剤（ａ２）とからなり、その重量比
（ａ１）：（ａ２）が６０：４０〜９０：１０である液
状エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾ
ール化合物、（Ｄ）無機フィラーを必須成分とし、成分
（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重
量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である半導体用
樹脂ペーストである。
（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）とエポキシ基を
有する反応性希釈剤（ａ２）とからなり、その重量比
（ａ１）：（ａ２）が６０：４０〜９０：１０である液
状エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾ
ール化合物、（Ｄ）無機フィラーを必須成分とし、成分
（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重
量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である半導体用
樹脂ペーストである。
【０００９】
【化１】
【００１０】本発明に用いる液状エポキシ樹脂（Ａ）は
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）とエポキ
シ基を有する反応性希釈剤（ａ２）との重量比が６０：
４０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂であり、一般
式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）は分子量によ
り各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液状のも
のが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から
好ましい。
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）とエポキ
シ基を有する反応性希釈剤（ａ２）との重量比が６０：
４０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂であり、一般
式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ１）は分子量によ
り各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液状のも
のが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から
好ましい。
【００１１】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ
１）と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤（ａ
２）にはｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティッ
ク酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘ
キシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリ
シジルエーテル等があり、これらの内の１種類あるいは
複数種と併用可能である。
１）と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤（ａ
２）にはｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティッ
ク酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘ
キシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリ
シジルエーテル等があり、これらの内の１種類あるいは
複数種と併用可能である。
【００１２】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ
１）とエポキシ基を有する反応性希釈剤（ａ２）との重
量比は６０：４０〜９０：１０であることが好ましい。
反応性希釈剤の重量比が６０を越えると接着強度が弱
く、１０未満では樹脂ペーストとしたときに粘度が高く
なり作業性が低下する。
１）とエポキシ基を有する反応性希釈剤（ａ２）との重
量比は６０：４０〜９０：１０であることが好ましい。
反応性希釈剤の重量比が６０を越えると接着強度が弱
く、１０未満では樹脂ペーストとしたときに粘度が高く
なり作業性が低下する。
【００１３】本発明においては他のエポキシ樹脂を混合
して用いてもよい。上記液状エポキシ樹脂と混合する場
合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾ
ールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により
得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダント
イン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポ
キシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用
可能である。
して用いてもよい。上記液状エポキシ樹脂と混合する場
合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾ
ールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により
得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダント
イン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポ
キシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用
可能である。
【００１４】本発明に用いる潜在性硬化剤（Ｂ）はエポ
キシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジ
ヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジ
ヒドラジド、P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボ
ン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤
である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独
で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。
又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さい
ため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜
在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることが
できる。潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は液状エポキシ樹
脂（Ａ）に対し、0.5〜5重量％使用するのが好ましい。
0.5重量％未満では熱時接着強度が弱く、5重量％を越え
ると低応力性が低下する。
キシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジ
ヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジ
ヒドラジド、P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボ
ン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤
である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独
で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。
又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さい
ため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜
在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることが
できる。潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は液状エポキシ樹
脂（Ａ）に対し、0.5〜5重量％使用するのが好ましい。
0.5重量％未満では熱時接着強度が弱く、5重量％を越え
ると低応力性が低下する。
【００１５】本発明においては，速硬化を可能とするた
めイミダゾール化合物（Ｃ）を使用することを必須とし
ている．一般にイミダゾール化合物は，目的とする温度
１７０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られてい
る．本発明に用いるイミダゾール化合物としては，２−
メチルイミダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フ
ェニルイミダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメ
チルイミダゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾー
ル等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌ
ル酸を付加し，保存安定性を付与した２，４−ジアミノ
−６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−
Ｓ−トリアジン，またそのイソシアネート付加物等があ
り，これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る．イミダゾール化合物（Ｃ）の配合量は、液状エポキ
シ樹脂（Ａ）に対し、０．５〜１０重量％使用するのが
好ましい。０．５重量％未満では熱時接着強度が弱く、
１０重量％を越えるとポットライフ著しくが短くなる。
めイミダゾール化合物（Ｃ）を使用することを必須とし
ている．一般にイミダゾール化合物は，目的とする温度
１７０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られてい
る．本発明に用いるイミダゾール化合物としては，２−
メチルイミダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フ
ェニルイミダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメ
チルイミダゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾー
ル等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌ
ル酸を付加し，保存安定性を付与した２，４−ジアミノ
−６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−
Ｓ−トリアジン，またそのイソシアネート付加物等があ
り，これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る．イミダゾール化合物（Ｃ）の配合量は、液状エポキ
シ樹脂（Ａ）に対し、０．５〜１０重量％使用するのが
好ましい。０．５重量％未満では熱時接着強度が弱く、
１０重量％を越えるとポットライフ著しくが短くなる。
【００１６】本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）として
は銀粉、シリカフィラー等がある。
は銀粉、シリカフィラー等がある。
【００１７】銀粉は導電性を付与するために用いられ、
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。又銀粉
の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられ
る。必要とするペーストの粘度により、使用する娘粉の
粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μｍ、最大粒径
は50μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細
かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状について
も各種のものを適宜混合してもよい。
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。又銀粉
の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられ
る。必要とするペーストの粘度により、使用する娘粉の
粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μｍ、最大粒径
は50μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細
かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状について
も各種のものを適宜混合してもよい。
【００１８】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm以下だと粘度が高くなり、20μｍ以上だと塗布
又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生する
ため好ましくない。最大粒径が50μm以上だとディスペ
ンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を
塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカ
フィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いるこ
ともでき、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm以下だと粘度が高くなり、20μｍ以上だと塗布
又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生する
ため好ましくない。最大粒径が50μm以上だとディスペ
ンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を
塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカ
フィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いるこ
ともでき、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
【００１９】又、必要とされる特性を付与するために銀
粉、シリカフィラー以外の無機フィラーを添加してもよ
い。
粉、シリカフィラー以外の無機フィラーを添加してもよ
い。
【００２０】本発明における樹脂ペーストには、必要に
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
【００２１】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する．各成分
の配合割合は重量部とする。
の配合割合は重量部とする。
【００２２】実施例１〜７、比較例１〜８ 表1に示した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三
本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペー
ストを真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、
以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表
1に示す。
本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペー
ストを真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、
以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表
1に示す。
【００２３】 用いる原料成分 ・一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（エポキシ樹脂ａ１） ：一般式（１）においてＲ＝メチル基 粘度1400mPa・s、エポキシ当量106
【００２４】
【化１】
【００２５】・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＢＰ
Ａ）：粘度9000mPa・s、エポキシ当量185 ・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＢＰＦ）：粘度50
00mPa・s、エポキシ当量170 ・反応性希釈剤（ａ２）：フェニルグリシジルエーテル ・潜在性硬化剤（Ｂ）：ジシアンジアミド（ＤＤＡ） ・イミダゾール化合物（Ｃ）：２−フェニル−４−メチ
ル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨ
Ｚ） ・無機フィラー（Ｄ）： 銀粉 ：粒径が0.1〜50μmで平均粒径3μmのフレーク状
銀粉 シリカフィラー：平均粒径5μｍで最大粒径20μｍのシ
リカフィラー
Ａ）：粘度9000mPa・s、エポキシ当量185 ・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＢＰＦ）：粘度50
00mPa・s、エポキシ当量170 ・反応性希釈剤（ａ２）：フェニルグリシジルエーテル ・潜在性硬化剤（Ｂ）：ジシアンジアミド（ＤＤＡ） ・イミダゾール化合物（Ｃ）：２−フェニル−４−メチ
ル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨ
Ｚ） ・無機フィラー（Ｄ）： 銀粉 ：粒径が0.1〜50μmで平均粒径3μmのフレーク状
銀粉 シリカフィラー：平均粒径5μｍで最大粒径20μｍのシ
リカフィラー
【００２６】評価方法 粘度 ：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 弾性率 ：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍ
ｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃
オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験
長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られ
た応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。 接着強度 ：２×２ｍｍのシリコンチップをペースト
を用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを
用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 反り量 ：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを
銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストで
マウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反
りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。 ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置
した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの
日数を測定した。
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 弾性率 ：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍ
ｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃
オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験
長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られ
た応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。 接着強度 ：２×２ｍｍのシリコンチップをペースト
を用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを
用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 反り量 ：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを
銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストで
マウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反
りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。 ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置
した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの
日数を測定した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】実施例１〜７では熱時接着強度、低応力性
（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れた
ペーストが得られたが、比較例１はビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が
大きくなりチップクラックが発生した。比較例２はビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が
悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。
比較例３は反応性希釈剤の配合量が多いため、接着強度
が著しく低下した。比較例４は反応性希釈剤の配合量が
少ないため、粘度が著しく高くなり作業性が低下した。
比較例５は潜在性硬化剤の配合量が少ないため、接着強
度が著しく低下した。比較例６は潜在性硬化剤の配合量
が多いため、反り量が大きくなりチップクラックが発生
した。比較例７はイミダゾール化合物の配合量が少ない
ため、接着強度が著しく低下した。比較例８はイミダゾ
ール化合物の配合量が多いため、ポットライフが著しく
短くなった。
（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れた
ペーストが得られたが、比較例１はビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が
大きくなりチップクラックが発生した。比較例２はビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が
悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。
比較例３は反応性希釈剤の配合量が多いため、接着強度
が著しく低下した。比較例４は反応性希釈剤の配合量が
少ないため、粘度が著しく高くなり作業性が低下した。
比較例５は潜在性硬化剤の配合量が少ないため、接着強
度が著しく低下した。比較例６は潜在性硬化剤の配合量
が多いため、反り量が大きくなりチップクラックが発生
した。比較例７はイミダゾール化合物の配合量が少ない
ため、接着強度が著しく低下した。比較例８はイミダゾ
ール化合物の配合量が多いため、ポットライフが著しく
短くなった。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体用樹脂ペーストは、オー
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、か
つ応力緩和性に優れているため、IC等の大型チップと銅
フレームとの接着に適しており、IC組立工程でのチップ
クラックやチップ歪みによるIC等の特性不良を防止でき
る。
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、か
つ応力緩和性に優れているため、IC等の大型チップと銅
フレームとの接着に適しており、IC組立工程でのチップ
クラックやチップ歪みによるIC等の特性不良を防止でき
る。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CD012 CD052 CD062 CD131 DA079 DJ01 DJ019 EL026 EQ027 ET007 EU118 GQ01 4J036 AH01 AH02 DC35 DC41 FA02 FA05 FA11 JA06 JA07 5F047 AA11 BA34 BB11
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂（ａ１）とエポキシ基を有する反応性希釈剤（ａ
２）とからなり、その重量比（ａ１）：（ａ２）が６
０：４０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂、（Ｂ）
潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾール化合物、（Ｄ）無機
フィラーを必須成分とし、成分（Ａ）１００重量部に対
し、成分（Ｂ）が０．５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．
５〜１０重量部である半導体用樹脂ペースト。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25015198A JP3719855B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 半導体用樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25015198A JP3719855B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 半導体用樹脂ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000080149A true JP2000080149A (ja) | 2000-03-21 |
| JP3719855B2 JP3719855B2 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=17203588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25015198A Expired - Fee Related JP3719855B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 半導体用樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3719855B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000344859A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
| JP2001106873A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| WO2002031018A1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Die-attaching paste and semiconductor device |
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP25015198A patent/JP3719855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000344859A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
| JP2001106873A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| WO2002031018A1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Die-attaching paste and semiconductor device |
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
| US7449362B2 (en) | 2001-03-30 | 2008-11-11 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One-component hot-setting epoxy resin composition and semiconductor mounting underfill material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3719855B2 (ja) | 2005-11-24 |
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