JPH1160686A - 半導体用樹脂ペースト - Google Patents
半導体用樹脂ペーストInfo
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- JPH1160686A JPH1160686A JP21424797A JP21424797A JPH1160686A JP H1160686 A JPH1160686 A JP H1160686A JP 21424797 A JP21424797 A JP 21424797A JP 21424797 A JP21424797 A JP 21424797A JP H1160686 A JPH1160686 A JP H1160686A
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- Japan
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- resin
- epoxy resin
- paste
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 液状エポキシ樹脂、、潜在性硬化剤、イミダ
ゾール化合物、及び無機フィラーからなる半導体用樹脂
ペースト。 【効果】 オーブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着
強度が高く、かつ応力緩和性に優れているため、IC等の
大型チップと銅フレームとの接着に通しており、IC組立
工程でのチップクラックやチップ歪みによるIC等の特性
不良を防止できる。
ゾール化合物、及び無機フィラーからなる半導体用樹脂
ペースト。 【効果】 オーブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着
強度が高く、かつ応力緩和性に優れているため、IC等の
大型チップと銅フレームとの接着に通しており、IC組立
工程でのチップクラックやチップ歪みによるIC等の特性
不良を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
【０００３】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
【０００４】更に近年、IC等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたりードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたりードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
【０００５】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×10-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×10-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
【０００６】また、硬化時に架橋密度を小さくするよう
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。また従来の
マウント用樹脂は硬化に150〜200℃のオーブンで1〜2時
間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程
の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するイン
ライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温ま
たは低温での保存性、すなわちポットライフやシェルラ
イフが短くなり、1液タイプでは実用性がなく、熱時の
接着強度も低いという欠点があった。
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。また従来の
マウント用樹脂は硬化に150〜200℃のオーブンで1〜2時
間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程
の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するイン
ライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温ま
たは低温での保存性、すなわちポットライフやシェルラ
イフが短くなり、1液タイプでは実用性がなく、熱時の
接着強度も低いという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱時
接着強度を低下させないで、硬化物の低弾性率化を計る
ことにより、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合
せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が
起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペース
トを提供することにある。
接着強度を低下させないで、硬化物の低弾性率化を計る
ことにより、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合
せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が
起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペース
トを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）下記式
（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を
有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０
である液状エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）
イミダゾール化合物、（Ｄ）無機フィラーを必須成分と
し、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．
５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である
半導体用樹脂ペーストである。
（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を
有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０
である液状エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）
イミダゾール化合物、（Ｄ）無機フィラーを必須成分と
し、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．
５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である
半導体用樹脂ペーストである。
【０００９】
【化１】
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に用いる液状エポキシ樹脂
（Ａ）は下記式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂
とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４
０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂で、下記式
（１）で示されるもので分子量により各種のものがある
が、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するとき
の作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
（Ａ）は下記式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂
とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４
０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂で、下記式
（１）で示されるもので分子量により各種のものがある
が、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するとき
の作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
【００１１】下記式（１）で示される液状エポキシ樹脂
と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤にはｎ−ブ
チルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジル
エステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグ
リシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル
等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可
能である。
と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤にはｎ−ブ
チルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジル
エステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグ
リシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル
等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可
能である。
【００１２】下記式（１）で示される液状エポキシ樹脂
とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比は５０：５
０〜９０：１０であることが好ましい。反応性希釈剤の
重量比が５０を越えると接着強度が弱く、１０未満では
樹脂ペーストとしたときに粘度が高くなり作業性が低下
する。
とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比は５０：５
０〜９０：１０であることが好ましい。反応性希釈剤の
重量比が５０を越えると接着強度が弱く、１０未満では
樹脂ペーストとしたときに粘度が高くなり作業性が低下
する。
【００１３】本発明においては他のエポキシ樹脂を混合
して用いてもよい。上記液状エポキシ樹脂と混合する場
合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾ
ールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により
得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダント
イン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポ
キシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用
可能である。
して用いてもよい。上記液状エポキシ樹脂と混合する場
合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾ
ールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により
得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダント
イン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポ
キシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用
可能である。
【００１４】本発明に用いる潜在性硬化剤（Ｂ）はエポ
キシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジ
ヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジ
ヒドラジド、P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボ
ン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤
である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独
で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。
又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さい
ため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜
在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることが
できる。潜在性硬化剤(C)の配合量は全エポキシ樹脂に
対し、0.5〜5重量％使用するのが好ましい。0.5重量％
未満では熱時接着強度が弱く、5重量％を越えると低応
力性が低下する。
キシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジ
ヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジ
ヒドラジド、P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボ
ン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤
である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独
で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。
又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さい
ため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜
在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることが
できる。潜在性硬化剤(C)の配合量は全エポキシ樹脂に
対し、0.5〜5重量％使用するのが好ましい。0.5重量％
未満では熱時接着強度が弱く、5重量％を越えると低応
力性が低下する。
【００１５】本発明においては，速硬化を可能とするた
めイミダゾール化合物を使用することを必須としてい
る．一般にイミダゾール化合物は，目的とする温度１７
０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られている．イ
ミダゾール化合物としては，２−メチルイミダゾール，
２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダゾール，
２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−フェニル
−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール，２
−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾー
ル，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的なイミ
ダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し，保存
安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチル
イミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン，ま
たそのイソシアネート付加物等があり，これらの内の１
種類あるいは複数種と併用可能である．イミダゾール化
合物の配合量は、全エポキシ樹脂に対し、０．５〜１０
重量％使用するのが好ましい。０．５重量％未満では熱
時接着強度が弱く、１０重量％を越えるとポットライフ
著しくが短くなる。
めイミダゾール化合物を使用することを必須としてい
る．一般にイミダゾール化合物は，目的とする温度１７
０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られている．イ
ミダゾール化合物としては，２−メチルイミダゾール，
２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダゾール，
２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−フェニル
−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール，２
−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾー
ル，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的なイミ
ダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し，保存
安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチル
イミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン，ま
たそのイソシアネート付加物等があり，これらの内の１
種類あるいは複数種と併用可能である．イミダゾール化
合物の配合量は、全エポキシ樹脂に対し、０．５〜１０
重量％使用するのが好ましい。０．５重量％未満では熱
時接着強度が弱く、１０重量％を越えるとポットライフ
著しくが短くなる。
【００１６】本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）として
は銀粉、シリカフィラー等がある。銀粉は導電性を付与
するために用いられ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イ
オン等のイオン性不純物の含有量は10ppm以下であるこ
とが好ましい。又銀粉の形状としてはフレーク状、樹脂
状や球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する娘粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μｍ、最大粒径は50μｍ程度のものが好ましい。
又比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いること
もでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよ
い。
は銀粉、シリカフィラー等がある。銀粉は導電性を付与
するために用いられ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イ
オン等のイオン性不純物の含有量は10ppm以下であるこ
とが好ましい。又銀粉の形状としてはフレーク状、樹脂
状や球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する娘粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μｍ、最大粒径は50μｍ程度のものが好ましい。
又比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いること
もでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよ
い。
【００１７】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm以下だと粘度が高くなり、20μｍ以上だと塗布
又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生する
ため好ましくない。最大粒径が50μm以上だとディスペ
ンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を
塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカ
フィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いるこ
ともでき、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm以下だと粘度が高くなり、20μｍ以上だと塗布
又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生する
ため好ましくない。最大粒径が50μm以上だとディスペ
ンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を
塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカ
フィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いるこ
ともでき、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
【００１８】又、必要とされる特性を付与するために本
発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
【００１９】本発明における樹脂ペーストには、必要に
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
【００２０】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する．各成分
の配合割合は重量部とする．
の配合割合は重量部とする．
【００２１】実施例１〜７、比較例１〜８ 表1に示した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三
本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペー
ストを真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、
以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表
1に示す。
本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペー
ストを真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、
以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表
1に示す。
【００２２】 用いる原料成分 ・下記式（１）で示される液状エポキシ樹脂（エポキシＡ） ：粘度2000mPa・s、エポキシ当量２７０
【００２３】
【化１】
【００２４】 ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＢＰＡ） ：粘度４０００ｍＰａ・ｓ、エポキシ等量200 ・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＢＰＦ） ：粘度5000mPa・s、エポキシ等量170 ・反応性希釈剤 ：フェニルグリシジルエーテル ・潜在性硬化剤（Ｂ） ：ジシアンジアミド（ＤＤＡ） ・イミダゾール化合物（Ｃ）：２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ） ・無機フィラー（Ｄ） ：銀粉 ：粒径が0.1〜50μmで平均粒径3μmの フレーク状 シリカフィラー：平均粒径5μｍで最大粒径 20μｍのシリカフィラー
【００２５】評価方法 粘度 ：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 弾性率 ：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍ
ｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃
オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験
長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られ
た応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。 接着強度 ：２×２ｍｍのシリコンチップをペースト
を用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを
用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 反り量 ：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを
銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストで
マウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反
りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。 ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置
した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの
日数を測定した。
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 弾性率 ：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍ
ｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃
オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験
長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られ
た応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。 接着強度 ：２×２ｍｍのシリコンチップをペースト
を用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを
用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 反り量 ：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを
銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストで
マウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反
りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。 ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置
した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの
日数を測定した。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】実施例１〜７では熱時接着強度、低応力性
（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れた
ペーストが得られるが、比較例１はビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が
大きくなりチップクラックが発生する。比較例２はビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が
悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生する。
比較例３は反応性希釈剤の配合量が多く、接着強度が著
しく低下する。比較例４は反応性希釈剤の配合量が少な
く、粘度が著しく高くなり作業性が低下する。比較例５
は潜在性硬化剤の配合量が少なく、接着強度が著しく低
下する。比較例６は潜在性硬化剤の配合量が多く、反り
量が大きくなりチップクラックが発生する。比較例７は
イミダゾール化合物の配合量が少なく、接着強度が著し
く低下する。比較例８はイミダゾール化合物の配合量が
多く、ポットライフが著しく短くなる。
（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れた
ペーストが得られるが、比較例１はビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が
大きくなりチップクラックが発生する。比較例２はビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が
悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生する。
比較例３は反応性希釈剤の配合量が多く、接着強度が著
しく低下する。比較例４は反応性希釈剤の配合量が少な
く、粘度が著しく高くなり作業性が低下する。比較例５
は潜在性硬化剤の配合量が少なく、接着強度が著しく低
下する。比較例６は潜在性硬化剤の配合量が多く、反り
量が大きくなりチップクラックが発生する。比較例７は
イミダゾール化合物の配合量が少なく、接着強度が著し
く低下する。比較例８はイミダゾール化合物の配合量が
多く、ポットライフが著しく短くなる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体用樹脂ペーストは、オー
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、か
つ応力緩和性に優れているため、IC等の大型チップと銅
フレームとの接着に適しており、IC組立工程でのチップ
クラックやチップ歪みによるIC等の特性不良を防止でき
る。
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、か
つ応力緩和性に優れているため、IC等の大型チップと銅
フレームとの接着に適しており、IC組立工程でのチップ
クラックやチップ歪みによるIC等の特性不良を防止でき
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）下記式（１）の構造を有する液状
エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量
比が６０：４０〜９０：１０である液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾール化合物、
（Ｄ）無機フィラーを必須成分とし、成分（Ａ）１００
重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重量部、成分
（Ｃ）が０．５〜１０重量部である半導体用樹脂ペース
ト。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21424797A JPH1160686A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 半導体用樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21424797A JPH1160686A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 半導体用樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1160686A true JPH1160686A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16652616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21424797A Pending JPH1160686A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 半導体用樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1160686A (ja) |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP21424797A patent/JPH1160686A/ja active Pending
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