JP2944726B2 - 半導体用導電性樹脂ペースト - Google Patents
半導体用導電性樹脂ペーストInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銀粉、エポキシ樹脂、硬化剤よりなる導電
性樹脂ペーストで、IC、LSI等の半導体素子を金属フレ
ーム等に接着する導電性樹脂ペーストに関するものであ
る。更に詳しくは、IC等の大型チップを銅フレームに接
着し、IC等の組立工程の加熱処理時間を大幅に短縮化で
き、しかも加熱処理時における大型チップと銅フレーム
の熱膨張率の差によるチップのクラックやチップの反り
によるIC等の特性不良を防ぐ、応力緩和特性に優れた導
電性樹脂ペーストに関するものである。
性樹脂ペーストで、IC、LSI等の半導体素子を金属フレ
ーム等に接着する導電性樹脂ペーストに関するものであ
る。更に詳しくは、IC等の大型チップを銅フレームに接
着し、IC等の組立工程の加熱処理時間を大幅に短縮化で
き、しかも加熱処理時における大型チップと銅フレーム
の熱膨張率の差によるチップのクラックやチップの反り
によるIC等の特性不良を防ぐ、応力緩和特性に優れた導
電性樹脂ペーストに関するものである。
エレクトロニクス業界の最近の著しい発展により、ト
ランジスター、IC、LSI、超LSIと進化してきており、こ
れら半導体素子に於ける回路の集積度が急激に増大する
と共に大量生産が可能となり、これらを用いた半導体製
品の普及に伴って、その量産に於ける作業性の向上並び
にコストダウンが重要な問題となってきた。従来は半導
体素子を金属フレームなどの導体にAu−Si共晶法により
接合し、次いでハーメチックシールによって封止して、
半導体製品とするのが普通であった。しかし量産時の作
業性、コストの面より、樹脂封止法が開発され、現在
は、一般化されている。これに伴い、マウント工程に於
けるAu−Si共晶法の改良としてハンダ材料や導電性樹脂
ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げられ
るようになった。
ランジスター、IC、LSI、超LSIと進化してきており、こ
れら半導体素子に於ける回路の集積度が急激に増大する
と共に大量生産が可能となり、これらを用いた半導体製
品の普及に伴って、その量産に於ける作業性の向上並び
にコストダウンが重要な問題となってきた。従来は半導
体素子を金属フレームなどの導体にAu−Si共晶法により
接合し、次いでハーメチックシールによって封止して、
半導体製品とするのが普通であった。しかし量産時の作
業性、コストの面より、樹脂封止法が開発され、現在
は、一般化されている。これに伴い、マウント工程に於
けるAu−Si共晶法の改良としてハンダ材料や導電性樹脂
ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げられ
るようになった。
しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、素子の電極
の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を
要するパワートランジスター、パワーICの素子に使用が
限られている。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に
較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れてお
り、その需要が急激に増大している。
の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を
要するパワートランジスター、パワーICの素子に使用が
限られている。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に
較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れてお
り、その需要が急激に増大している。
更に最近、IC等の組立工程で半導体素子とフレームと
を接着させる導電性樹脂ペーストを硬化させる為に加熱
処理する際の加熱時間の短縮化が組立メーカーから強く
要望されていた。即ち、従来はフレームに導電性樹脂ペ
ーストを塗布し、半導体素子をマウントした製品をまと
めて容器にいれその容器を加熱炉にいれ加熱処理するバ
ッチ方式であったが、この加熱処理を連続的に熱盤上で
行う方式にするものである。
を接着させる導電性樹脂ペーストを硬化させる為に加熱
処理する際の加熱時間の短縮化が組立メーカーから強く
要望されていた。即ち、従来はフレームに導電性樹脂ペ
ーストを塗布し、半導体素子をマウントした製品をまと
めて容器にいれその容器を加熱炉にいれ加熱処理するバ
ッチ方式であったが、この加熱処理を連続的に熱盤上で
行う方式にするものである。
通常、バッチ方式で加熱する条件は150℃〜200℃で１
時間〜２時間処理を行うが、連続的に熱盤上で処理する
条件は180℃〜250℃で15秒〜60秒の加熱処理を行うもの
で加熱工程の時間短縮化により大幅な合理化を図れるも
のである。
時間〜２時間処理を行うが、連続的に熱盤上で処理する
条件は180℃〜250℃で15秒〜60秒の加熱処理を行うもの
で加熱工程の時間短縮化により大幅な合理化を図れるも
のである。
一方、IC等の集積度の高密度化により、チップが大型
化してきており、従来用いられてきたリードフレームで
ある42合金フレームが高価なことより、コストダウンの
目的から銅フレームが用いられるようになってきた。こ
こでIC等のチップの大きさが約４〜5mm角より大きくな
ると、IC等の組立工程での加熱より、チップの熱膨張率
と銅フレームの熱膨張率との差からチップのクラックや
反りによる特性不良が問題となってきている。
化してきており、従来用いられてきたリードフレームで
ある42合金フレームが高価なことより、コストダウンの
目的から銅フレームが用いられるようになってきた。こ
こでIC等のチップの大きさが約４〜5mm角より大きくな
ると、IC等の組立工程での加熱より、チップの熱膨張率
と銅フレームの熱膨張率との差からチップのクラックや
反りによる特性不良が問題となってきている。
即ちこれは、チップの材料であるシリコン等の熱膨張
率が３×10-6/℃であるのに対し、42合金フレームでは
８×10-6/℃であるが、銅フレームでは２×10-5/℃と大
きくなる為である。これに対し従来から熱盤上で連続的
に加熱処理できる導電性樹脂ペーストはあったが、大型
チップを銅フレームに接着した場合、チップのクラック
や反りによる特性不良が発生したり、チップのクラック
や反りがないものでは導電性樹脂ペーストの硬化物中に
ボイドが発生しており接着強度低下、電気伝導及び熱伝
導不良の原因となり、信頼性面から好ましくないという
問題があった。
率が３×10-6/℃であるのに対し、42合金フレームでは
８×10-6/℃であるが、銅フレームでは２×10-5/℃と大
きくなる為である。これに対し従来から熱盤上で連続的
に加熱処理できる導電性樹脂ペーストはあったが、大型
チップを銅フレームに接着した場合、チップのクラック
や反りによる特性不良が発生したり、チップのクラック
や反りがないものでは導電性樹脂ペーストの硬化物中に
ボイドが発生しており接着強度低下、電気伝導及び熱伝
導不良の原因となり、信頼性面から好ましくないという
問題があった。
本発明は上記のような従来技術の欠点を改良し、熱盤
上での連続処理で加熱硬化の時間短縮化ができ、しかも
硬化物中にボイドがなく、IC等の大型チップと銅フレー
ムとの組合せでもチップクラックやチップ反りによるIC
等の特性不良が起こらない導電性樹脂ペーストを提供す
ることにある。
上での連続処理で加熱硬化の時間短縮化ができ、しかも
硬化物中にボイドがなく、IC等の大型チップと銅フレー
ムとの組合せでもチップクラックやチップ反りによるIC
等の特性不良が起こらない導電性樹脂ペーストを提供す
ることにある。
本発明は （Ａ）常温で液状で、加水分解性塩素含有率が500ppm以
下であるエポキシ樹脂 （Ｂ）次式で示されるイミダゾール系硬化剤 （ＲはＣ数が８〜20の脂肪族炭化水素基） （Ｃ）銀粉 を必須成分とし、その組成比が（Ｂ）／（Ａ）＝１〜15
/100（重量部）であり、かつ （Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝60〜80重量％ であることを特徴とする半導体用導電性樹脂ペーストで
ある。
下であるエポキシ樹脂 （Ｂ）次式で示されるイミダゾール系硬化剤 （ＲはＣ数が８〜20の脂肪族炭化水素基） （Ｃ）銀粉 を必須成分とし、その組成比が（Ｂ）／（Ａ）＝１〜15
/100（重量部）であり、かつ （Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝60〜80重量％ であることを特徴とする半導体用導電性樹脂ペーストで
ある。
本発明の特徴は、硬化時間が短く、硬化物中にボイド
がなく、しかもチップと銅フレームとの熱膨張率の差に
よる歪みを吸収し、応力緩和に優れているところにあ
る。
がなく、しかもチップと銅フレームとの熱膨張率の差に
よる歪みを吸収し、応力緩和に優れているところにあ
る。
本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状のものであ
るのに限定しているが、常温で液状のものでないと銀粉
との混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡発生の
原因となり、硬化物の導電性を著しく低下させ使用でき
ない。
るのに限定しているが、常温で液状のものでないと銀粉
との混練において溶剤を必要とする。溶剤は気泡発生の
原因となり、硬化物の導電性を著しく低下させ使用でき
ない。
また、エポキシ樹脂に含まれる加水分解性塩素量を50
0ppm以下に限定しているが、このようなエポキシ樹脂を
用いることにより導電性樹脂ペーストから抽出（プレッ
シャクッカ）される塩素の量を大幅に低減することがで
きる。抽出された塩素は半導体素子表面のアルミ配線腐
食をひきおこす原因となるため、抽出量が少なければそ
れだけ信頼性が高くなる。
0ppm以下に限定しているが、このようなエポキシ樹脂を
用いることにより導電性樹脂ペーストから抽出（プレッ
シャクッカ）される塩素の量を大幅に低減することがで
きる。抽出された塩素は半導体素子表面のアルミ配線腐
食をひきおこす原因となるため、抽出量が少なければそ
れだけ信頼性が高くなる。
加水分解性塩素含有量の測定は以下のようにして行
う。即ち、エポキシ樹脂0.5gをジオキサン30mlに完全に
溶解させ、これにIN−KOH液（エタノール溶液）5mlを加
え、30分間煮沸還流する。これに80％アセトン水100ml
加え、さらにConc,HNO32ml加えて、0.01N−AgNO3水溶液
で電位差滴定を行う。
う。即ち、エポキシ樹脂0.5gをジオキサン30mlに完全に
溶解させ、これにIN−KOH液（エタノール溶液）5mlを加
え、30分間煮沸還流する。これに80％アセトン水100ml
加え、さらにConc,HNO32ml加えて、0.01N−AgNO3水溶液
で電位差滴定を行う。
本発明に用いるエポキシ樹脂としては、例えばビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック
とエピクロルヒドリンとの反応で得られるジグリシジル
エーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロヘキセンジ
オキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド、アリサイ
クリックジエポキシ−ア ジペイトのような脂環式エポ
キシ等がありこれらを単独もしくは、２種以上を併用し
て用いることができる。
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック
とエピクロルヒドリンとの反応で得られるジグリシジル
エーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロヘキセンジ
オキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド、アリサイ
クリックジエポキシ−ア ジペイトのような脂環式エポ
キシ等がありこれらを単独もしくは、２種以上を併用し
て用いることができる。
また上記エポキシ樹脂に、一般に反応希釈剤と呼ばれ
る低粘度のエポキシ樹脂を併用してもよい。例えばジグ
リシジルフェニルグリシジルエーテルやジビニルベンゼ
ンジエポキシなどのポリオレフィンエポキシド類、ジグ
リシジルアニリンやジグリシジルトルイジンなどのグリ
シジルアミン類、ブチルグリシジルエーテル、フェニル
グリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなど
のグリシジルエーテル類、その他グリシジルエステル類
などである。
る低粘度のエポキシ樹脂を併用してもよい。例えばジグ
リシジルフェニルグリシジルエーテルやジビニルベンゼ
ンジエポキシなどのポリオレフィンエポキシド類、ジグ
リシジルアニリンやジグリシジルトルイジンなどのグリ
シジルアミン類、ブチルグリシジルエーテル、フェニル
グリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなど
のグリシジルエーテル類、その他グリシジルエステル類
などである。
また、本発明においては硬化剤としては、（１）式で
示されるイミダゾール系硬化剤を用いることを特徴とし
ている。
示されるイミダゾール系硬化剤を用いることを特徴とし
ている。
（ＲはＣ数が８以上20以下の脂肪族炭化水素基） イミダゾール系硬化剤は硬化時間が短かいことはよく
知られているが硬化時にボイドが発生しやすいことや、
ポットライフが短い欠点がある。また硬化物中にボイド
がなくてもチップの反りが大きく、応力緩和特性が劣っ
ている。
知られているが硬化時にボイドが発生しやすいことや、
ポットライフが短い欠点がある。また硬化物中にボイド
がなくてもチップの反りが大きく、応力緩和特性が劣っ
ている。
発明者らはイミダゾール系硬化剤の短時間硬化できる
特徴に注目して、他の欠点を改良すべく鋭意検討した結
果、（１）式で示されるイミダゾール系硬化剤が、硬化
物中にボイドも発生せず、応力緩和特性にも優れている
ことを見出し本発明に至ったものである。
特徴に注目して、他の欠点を改良すべく鋭意検討した結
果、（１）式で示されるイミダゾール系硬化剤が、硬化
物中にボイドも発生せず、応力緩和特性にも優れている
ことを見出し本発明に至ったものである。
ここで（１）式のＲのＣ数を８以上20以下の脂肪族炭
化水素基に限定しているが、Ｒの分子量が硬化物の応力
緩和特性やボイドのないことに大きく影響を与えてい
る。
化水素基に限定しているが、Ｒの分子量が硬化物の応力
緩和特性やボイドのないことに大きく影響を与えてい
る。
すなわち、ＲのＣ数が７以下であると応力緩和特性が
低下するとともに硬化反応性が上がり、硬化物中にボイ
ドができ易くなったり、ポットライフが短くなったりす
る。一方ＲのＣ数が21以上になると硬化反応性が低下
し、密着力が低下したり、硬化時間が長くなったりす
る。
低下するとともに硬化反応性が上がり、硬化物中にボイ
ドができ易くなったり、ポットライフが短くなったりす
る。一方ＲのＣ数が21以上になると硬化反応性が低下
し、密着力が低下したり、硬化時間が長くなったりす
る。
また硬化剤として、他のイミダゾール系硬化剤やエポ
キシ硬化剤を少量併用してもよい。例えば硬化剤として
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２
−フェニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダ
ゾール、２−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾー
ル等やフェノールノボラック樹脂のような多価フェノー
ル類、アジピン酸ヒドラジド、ドデカン酸ヒドラジドや
ジシアンジアミドのような潜在性アミン化合物等であ
る。
キシ硬化剤を少量併用してもよい。例えば硬化剤として
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２
−フェニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダ
ゾール、２−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾー
ル等やフェノールノボラック樹脂のような多価フェノー
ル類、アジピン酸ヒドラジド、ドデカン酸ヒドラジドや
ジシアンジアミドのような潜在性アミン化合物等であ
る。
本発明に用いる銀粉としては、ハロゲンイオン、アル
カリ金属イオン等のイオン性不純物の含量は好ましくは
10ppm以下であることが望ましい。また粒径としてはフ
レーク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。また比
較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることもで
き、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
カリ金属イオン等のイオン性不純物の含量は好ましくは
10ppm以下であることが望ましい。また粒径としてはフ
レーク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。また比
較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることもで
き、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
本発明において （Ａ）常温で液状で、加水分解性塩素含有率が500ppm以
下であるエポキシ樹脂 （Ｂ）次式で示されるイミダゾール系硬化剤 （ＲはＣ数が８以上20以下の脂肪族炭化水素基） （Ｃ）銀粉 の組成比として（Ｂ）／（Ａ）＝１〜15/100（重量部）
であり、かつ （Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝60〜80重量％ としているが、（Ｂ）／（Ａ）＜1/100（重量部）であ
ると硬化剤が少ないため硬化性が低下し、短時間で硬化
できなくなる。
下であるエポキシ樹脂 （Ｂ）次式で示されるイミダゾール系硬化剤 （ＲはＣ数が８以上20以下の脂肪族炭化水素基） （Ｃ）銀粉 の組成比として（Ｂ）／（Ａ）＝１〜15/100（重量部）
であり、かつ （Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝60〜80重量％ としているが、（Ｂ）／（Ａ）＜1/100（重量部）であ
ると硬化剤が少ないため硬化性が低下し、短時間で硬化
できなくなる。
（Ｂ）／（Ａ）＞15/100（重量部）になると硬化剤が
多いため粘度が高くなると共に、ポットライフが短くな
り作業性が著しく低下する。
多いため粘度が高くなると共に、ポットライフが短くな
り作業性が著しく低下する。
また（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＜60重量％
であるとペースト中の銀粉量が少ないため電気伝導性が
低下する。
であるとペースト中の銀粉量が少ないため電気伝導性が
低下する。
（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＞80重量％であ
るとペースト中の銀粉量が多いためペーストの粘度が高
くなり作業性が著しく低下する。
るとペースト中の銀粉量が多いためペーストの粘度が高
くなり作業性が著しく低下する。
更に本発明においては必要により、消泡剤、カップリ
ング剤等を添加してもよい。また粘度調整用として硬化
物にボイドの発生しない範囲で溶剤を添加することがで
きる。
ング剤等を添加してもよい。また粘度調整用として硬化
物にボイドの発生しない範囲で溶剤を添加することがで
きる。
実施例１〜実施例３ エポキシ樹脂として加水分解性塩素含有率300ppmのフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ａ）（数平均分子
量460、エポキシ当量170）と反応性希釈剤のクレジルグ
リシジルエーテル（加水分解性塩素含有率250ppm）及び
第１表に示したイミダゾール系硬化剤と実施例2,3につ
いてはジシアンジアミドも添加し、第１表に示した割合
で配合、撹拌し、均一分散液とし更に粒径0.1〜20μ
ｍ、平均粒径３μｍのフレーク状銀粉を第１表に示した
割合で加え三本ロールで混練し、均一な導電性樹脂ペー
ストを得た。
ェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ａ）（数平均分子
量460、エポキシ当量170）と反応性希釈剤のクレジルグ
リシジルエーテル（加水分解性塩素含有率250ppm）及び
第１表に示したイミダゾール系硬化剤と実施例2,3につ
いてはジシアンジアミドも添加し、第１表に示した割合
で配合、撹拌し、均一分散液とし更に粒径0.1〜20μ
ｍ、平均粒径３μｍのフレーク状銀粉を第１表に示した
割合で加え三本ロールで混練し、均一な導電性樹脂ペー
ストを得た。
この導電性樹脂ペーストを以下の方法で評価した。
（１） 硬化性（200℃ 熱盤上での硬化時間） 導電性樹脂ペーストを銅フレーム上に塗布し、2mm角
シリコンチップをマウントし、200℃熱盤上で所定時間
加熱した。これの150℃熱時接着強度を測定し、加熱時
間と接着強度との関係を調べ、接着強度が飽和する時間
を硬化時間とした。
シリコンチップをマウントし、200℃熱盤上で所定時間
加熱した。これの150℃熱時接着強度を測定し、加熱時
間と接着強度との関係を調べ、接着強度が飽和する時間
を硬化時間とした。
（２） 応力特性 導電性樹脂ペーストを銅フレームに塗布し4.5×9mmシ
リコンチップをマウントし、200℃熱盤上で硬化した。
これを表面粗さ計でチップの両端を結ぶ線上から垂直に
チップの反りの頂上までの高さを測定した。
リコンチップをマウントし、200℃熱盤上で硬化した。
これを表面粗さ計でチップの両端を結ぶ線上から垂直に
チップの反りの頂上までの高さを測定した。
（３） ポットライフ 導電性樹脂ペーストを25℃で保存し、粘度の経時変化
を調べ、その粘度が初期粘度に対し、1.5倍以上になる
までの日数をポットライフとした。
を調べ、その粘度が初期粘度に対し、1.5倍以上になる
までの日数をポットライフとした。
（４） 硬化物のボイド 導電性樹脂ペーストを銅フレーム上に塗布し、4.5×9
mmガラス片をマウントし、200℃熱盤上で硬化させた
後、ガラス片の上から硬化物を観察した。
mmガラス片をマウントし、200℃熱盤上で硬化させた
後、ガラス片の上から硬化物を観察した。
（５） 350℃熱時接着強度 導電性樹脂ペーストを銅フレームに塗布し2mm角シリ
コンチップをマウントし、200℃熱盤上で硬化させた
後、350℃熱盤上でチップのせん断接着強度を測定し
た。
コンチップをマウントし、200℃熱盤上で硬化させた
後、350℃熱盤上でチップのせん断接着強度を測定し
た。
（６） 体積抵抗率 導電性樹脂ペーストをスライドガラス上に4mm幅、30
μｍ厚みになるように、塗布、硬化（200℃熱盤上）し
た後、体積抵抗率を測定した。
μｍ厚みになるように、塗布、硬化（200℃熱盤上）し
た後、体積抵抗率を測定した。
（７） 熱水抽出Ｃ含有率 導電性樹脂ペーストの硬化物を微粉砕し蒸留水で125
℃20時間処理して、抽出されたＣ量を測定した。
℃20時間処理して、抽出されたＣ量を測定した。
（８） 粘度 FHD型粘度計を用いて、25℃における粘度を測定し
た。
た。
（９） PCT信頼性 アルミ配線チップを用い125℃でのプレッシャークッ
カーテストを行い、800時間まで不良が発生しなかった
ものを○印、不良が発生したものを×印とした。
カーテストを行い、800時間まで不良が発生しなかった
ものを○印、不良が発生したものを×印とした。
これらの評価結果を第１表に示した。
短時間硬化性、応力特性に優れ、他の特性も導電性樹
脂ペーストとして充分満足するものである。
脂ペーストとして充分満足するものである。
比較例１〜比較例７ 第１表に示した配合割合で実施例と同様にして導電性
樹脂ペーストを得た。尚比較例７ではエポキシ樹脂
（Ｂ）（加水分解性塩素含有率700ppm）を用いた。
樹脂ペーストを得た。尚比較例７ではエポキシ樹脂
（Ｂ）（加水分解性塩素含有率700ppm）を用いた。
これらの評価結果を第１表に示した。
比較例１では応力特性が劣り、ポットライフが短い。
比較例2,3では硬化時間が長い。
比較例４では粘度が高く作業性が悪く、ポットライフ
も短い。
も短い。
比較例５〜７では導電性樹脂ペーストとしての特性上
欠点がある。
欠点がある。
〔発明の効果〕 本発明の導電性樹脂ペーストは、銅,42アロイ等の金
属フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機
基板へのIC等の半導体素子の接着に用いることができ、
特に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており、
IC等の組立工程の加熱処理時間を大幅に短縮化でき、し
かも加熱処理時における大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差によるチップのクラックやチップの反りによる
IC等の特性不良を防ぐ、従来になかった応力緩和特性に
優れた導電性樹脂ペーストである。
属フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機
基板へのIC等の半導体素子の接着に用いることができ、
特に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており、
IC等の組立工程の加熱処理時間を大幅に短縮化でき、し
かも加熱処理時における大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差によるチップのクラックやチップの反りによる
IC等の特性不良を防ぐ、従来になかった応力緩和特性に
優れた導電性樹脂ペーストである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ (56)参考文献 特開 平１−165654（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161015（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−1223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−126114（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−123855（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08G 59/20 C08G 59/50 C08L 63/00 - 63/10 C08K 3/08 C09J 163/00 - 163/10 H01L 21/52
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）常温で液状で、加水分解性塩素含有
率が500ppm以下であるエポキシ樹脂 （Ｂ）次式で示されるイミダゾール系硬化剤 （ＲはＣ数が８以上20以下の脂肪族炭化水素基） （Ｃ）銀粉 を必須成分とし、その組成比が（Ｂ）／（Ａ）＝１〜15
/100（重量部）であり、かつ （Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）｝＝60〜80重量％ であることを特徴とする半導体用導電性樹脂ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2225230A JP2944726B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2225230A JP2944726B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108823A JPH04108823A (ja) | 1992-04-09 |
| JP2944726B2 true JP2944726B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16826030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2225230A Expired - Lifetime JP2944726B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944726B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023145668A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | ナミックス株式会社 | 導電性組成物、導電性ペースト、硬化物及び太陽電池 |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP2225230A patent/JP2944726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04108823A (ja) | 1992-04-09 |
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Legal Events
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