JP2834658B2 - 半導体用導電性樹脂ペースト - Google Patents
半導体用導電性樹脂ペーストInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子を金属フレーム等に接着する導電性樹脂ペーストに
関するものである。
素子を金属フレーム等に接着する導電性樹脂ペーストに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレーム等の導体に
Ａｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチックシ
ールによって封止して、半導体製品とするのが普通であ
った。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封
止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴
い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良とし
てハンダ材料や導電性樹脂ペースト即ちマウント用樹脂
による方法が取り上げられるようになった。しかし、ハ
ンダ法では信頼性が低いこと、素子の電極の汚染を起こ
し易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を要するパワー
トランジスター、パワーＩＣの素子に使用が限られてい
る。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に較べ、作業
性に於いても信頼性等に於いても優れており、その需要
が急激に増大している。
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレーム等の導体に
Ａｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチックシ
ールによって封止して、半導体製品とするのが普通であ
った。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封
止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴
い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良とし
てハンダ材料や導電性樹脂ペースト即ちマウント用樹脂
による方法が取り上げられるようになった。しかし、ハ
ンダ法では信頼性が低いこと、素子の電極の汚染を起こ
し易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を要するパワー
トランジスター、パワーＩＣの素子に使用が限られてい
る。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に較べ、作業
性に於いても信頼性等に於いても優れており、その需要
が急激に増大している。
【０００３】更に近年、ＩＣ等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフレームである４２合金フレームが高価なこ
とより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられ
るようになってきた。ここでＩＣ等のチップの大きさが
約４〜５mm角より大きくなると、ＩＣ等の組立工程での
加熱により、マウント法としてＡｕ−Ｓｉ共晶法を用い
ると、チップの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差
からチップのクラックや反りにより特性不良が問題とな
ってきている。即ちこれは、チップの材料であるシリコ
ン等の熱膨張率が３×１０-6／℃であるのに対し、４２
合金フレームでは８×１０-6／℃であるが、銅フレーム
では２０×１０-6／℃と大きくなる為である。これに対
し、マウント法としてマウント用樹脂を用いることが考
えられるが、従来のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬
化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が高く、チップと
銅フレームとの歪みを吸収するには至らなかった。
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフレームである４２合金フレームが高価なこ
とより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられ
るようになってきた。ここでＩＣ等のチップの大きさが
約４〜５mm角より大きくなると、ＩＣ等の組立工程での
加熱により、マウント法としてＡｕ−Ｓｉ共晶法を用い
ると、チップの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差
からチップのクラックや反りにより特性不良が問題とな
ってきている。即ちこれは、チップの材料であるシリコ
ン等の熱膨張率が３×１０-6／℃であるのに対し、４２
合金フレームでは８×１０-6／℃であるが、銅フレーム
では２０×１０-6／℃と大きくなる為である。これに対
し、マウント法としてマウント用樹脂を用いることが考
えられるが、従来のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬
化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が高く、チップと
銅フレームとの歪みを吸収するには至らなかった。
【０００４】また、硬化時に架橋密度を小さくするよう
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに銀粉を配合すると粘度が高くなりす
ぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が悪くな
る。作業性を改良するために多量の溶剤を添加するとボ
イドが発生するという問題があった。また従来のマウン
ト用樹脂の硬化には、１５０〜２００℃のオーブンで１
〜２時間加熱処理する必要があった。最近では半導体組
立工程の合理化のため、熱板上で１分以内に硬化するイ
ンライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤として第３級アミン類やイミダゾール類
を多量に添加する方法があるが、常温または低温での保
存性、すなわちポットライフやシェルライフが短くな
り、１液タイプでは実用性がなく、熱時の接着強度も低
いという欠点があった。
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに銀粉を配合すると粘度が高くなりす
ぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が悪くな
る。作業性を改良するために多量の溶剤を添加するとボ
イドが発生するという問題があった。また従来のマウン
ト用樹脂の硬化には、１５０〜２００℃のオーブンで１
〜２時間加熱処理する必要があった。最近では半導体組
立工程の合理化のため、熱板上で１分以内に硬化するイ
ンライン化の要求が高まっている。速硬化にするために
は、硬化促進剤として第３級アミン類やイミダゾール類
を多量に添加する方法があるが、常温または低温での保
存性、すなわちポットライフやシェルライフが短くな
り、１液タイプでは実用性がなく、熱時の接着強度も低
いという欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱時
接着強度を低下させず、硬化物の低弾性率化を計ること
により、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合せで
もチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が起こ
らず、速硬化でかつボイドの発生のない導電性樹脂ペー
ストを提供することにある。
接着強度を低下させず、硬化物の低弾性率化を計ること
により、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合せで
もチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が起こ
らず、速硬化でかつボイドの発生のない導電性樹脂ペー
ストを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）全エポ
キシ樹脂中に３０重量％以上含む式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂、
キシ樹脂中に３０重量％以上含む式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂、
【０００７】
【化２】 （ここでＲ1、Ｒ2：２価の炭素数１〜５の脂肪族基、又
は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を
示し、互いに同じであっても異なってもよい）
は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を
示し、互いに同じであっても異なってもよい）
【０００８】（Ｂ）エポキシシラン化合物（Ｃ）ビスフ
ェノール類（Ｄ）有機ボレート塩及び（Ｅ）銀粉を必須
成分とする半導体用導電性樹脂ペーストである。
ェノール類（Ｄ）有機ボレート塩及び（Ｅ）銀粉を必須
成分とする半導体用導電性樹脂ペーストである。
【０００９】本発明に用いる式（１）のエポキシ樹脂
は、低弾性率、低吸水性の特徴を有し、かつ構造中にジ
シロキサンユニットを有するため接着性も優れている。
式中のＲ1、Ｒ2の２価の脂肪族基は、炭素数６以上のも
のは工業化されていない。これらの中でＲ1、Ｒ2として
はプロピレンが好ましい。全エポキシ樹脂中に含まれる
式（１）のエポキシ樹脂は、３０重量％以上好ましくは
５０重量％以上である。３０重量％未満では接着後のチ
ップの反りが急激に大きくなり、低応力性の特徴がなく
なる。本発明に用いる式（１）以外のエポキシ樹脂とし
ては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フ
ェノールノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得
られるジグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニ
ルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオ
キシド、アリサイクリックジエポキシド−アジペイトの
ような脂環式エポキシ等が挙げられ、単独でも混合して
用いてもよい。
は、低弾性率、低吸水性の特徴を有し、かつ構造中にジ
シロキサンユニットを有するため接着性も優れている。
式中のＲ1、Ｒ2の２価の脂肪族基は、炭素数６以上のも
のは工業化されていない。これらの中でＲ1、Ｒ2として
はプロピレンが好ましい。全エポキシ樹脂中に含まれる
式（１）のエポキシ樹脂は、３０重量％以上好ましくは
５０重量％以上である。３０重量％未満では接着後のチ
ップの反りが急激に大きくなり、低応力性の特徴がなく
なる。本発明に用いる式（１）以外のエポキシ樹脂とし
ては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フ
ェノールノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得
られるジグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニ
ルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオ
キシド、アリサイクリックジエポキシド−アジペイトの
ような脂環式エポキシ等が挙げられ、単独でも混合して
用いてもよい。
【００１０】本発明で用いるエポキシシラン化合物は、
希釈剤としての作用及び接着性を付与するために用いら
れる。このシラン化合物としては、例えばγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルメトキシシラン等が挙げら
れ、単独でも混合して用いてもよい。エポキシシラン化
合物の配合量は、ペーストの全量中に１〜２０重量％と
するのが好ましい。１重量％未満では充分な接着強度が
得られず、２０重量％を越えると低応力性が低下する。
希釈剤としての作用及び接着性を付与するために用いら
れる。このシラン化合物としては、例えばγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルメトキシシラン等が挙げら
れ、単独でも混合して用いてもよい。エポキシシラン化
合物の配合量は、ペーストの全量中に１〜２０重量％と
するのが好ましい。１重量％未満では充分な接着強度が
得られず、２０重量％を越えると低応力性が低下する。
【００１１】本発明で用いるビスフェノール類はエポキ
シ樹脂の硬化剤としての作用をする。ビスフェノール類
はエポキシ基と反応する水酸基を１分子に２個有する、
いわゆる２官能性硬化剤であるため、例えばフェノール
ノボラック樹脂のような多官能硬化剤と比較して、硬化
物の架橋密度が低く、低弾性率である硬化物が得られ、
導電性樹脂ペーストに用いると非常に応力緩和性に優れ
たペーストが得られる。ビスフェノール類の配合量は全
エポキシ樹脂１００重量部に対し、２０〜１００重量部
用いるのが接着性及び低応力性の点から好ましい。ビス
フェノール類としては例えば、ビスフェノールＡ、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフ
ェノールＡ、テキラメチルビスフェノールＦ、テトラメ
チルビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、ジヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ヒドロキシフェ
ノール、ｍ−ヒドロキシフェノール、ｐ−ヒドロキシフ
ェノール、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、
エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス（メ
チルフェノール）、α−メチルベンジリデンビスフェノ
ール、シクロヘキシリデンビスフェノール等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
シ樹脂の硬化剤としての作用をする。ビスフェノール類
はエポキシ基と反応する水酸基を１分子に２個有する、
いわゆる２官能性硬化剤であるため、例えばフェノール
ノボラック樹脂のような多官能硬化剤と比較して、硬化
物の架橋密度が低く、低弾性率である硬化物が得られ、
導電性樹脂ペーストに用いると非常に応力緩和性に優れ
たペーストが得られる。ビスフェノール類の配合量は全
エポキシ樹脂１００重量部に対し、２０〜１００重量部
用いるのが接着性及び低応力性の点から好ましい。ビス
フェノール類としては例えば、ビスフェノールＡ、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフ
ェノールＡ、テキラメチルビスフェノールＦ、テトラメ
チルビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、ジヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ヒドロキシフェ
ノール、ｍ−ヒドロキシフェノール、ｐ−ヒドロキシフ
ェノール、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、
エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス（メ
チルフェノール）、α−メチルベンジリデンビスフェノ
ール、シクロヘキシリデンビスフェノール等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１２】本発明に用いる有機ボレート塩は硬化促進
剤で、イミダゾール類、第３級アミン類、ホスホニウム
類とテトラフェニルボレートとの塩として得られるもの
である。テトラフェニルボレートとの塩でないものを硬
化促進剤に用いると保存性が極めて悪く実用性がない。
有機ボレート塩を用いた場合は硬化性を損なわずに保存
性にも極めて優れた樹脂ペーストが得られる。有機ボレ
ート塩としては、例えば１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７・テトラフェニルボレート塩、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
塩等が挙げられる。有機ボレート塩の配合量はエポキシ
樹脂、エポキシシラン化合物、ビスフェノール類の合計
１００重量部に対し、０．１〜２０重量部用いるのが好
ましい。０．１重量部未満では充分な硬化性が得られ
ず、２０重量部を越えると保存性が低下する。
剤で、イミダゾール類、第３級アミン類、ホスホニウム
類とテトラフェニルボレートとの塩として得られるもの
である。テトラフェニルボレートとの塩でないものを硬
化促進剤に用いると保存性が極めて悪く実用性がない。
有機ボレート塩を用いた場合は硬化性を損なわずに保存
性にも極めて優れた樹脂ペーストが得られる。有機ボレ
ート塩としては、例えば１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７・テトラフェニルボレート塩、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
塩等が挙げられる。有機ボレート塩の配合量はエポキシ
樹脂、エポキシシラン化合物、ビスフェノール類の合計
１００重量部に対し、０．１〜２０重量部用いるのが好
ましい。０．１重量部未満では充分な硬化性が得られ
ず、２０重量部を越えると保存性が低下する。
【００１３】本発明に用いる銀粉は、導電性及びペース
トとしての作業性を付与するために用いられ、ハロゲン
イオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有
量は１０ppm 以下であることが好ましい。又銀粉の形状
としてはフレーク状、樹枝状や球状等が用いられる。必
要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の粒径は
異なるが、通常平均粒径は２〜１０μｍ、最大粒径は５
０μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細か
い銀粉とを混合して用いることもでき、形状についても
各種のものを適宜混合してもよい。銀粉の配合量はペー
ストの全量中に、５０〜９０重量％であるのことが好ま
しい。５０重量％未満では充分な導電性が得られず、９
０重量％を越えるとペーストの粘度が高くなり過ぎ、実
用性がない。本発明における導電性樹脂ペーストには、
必要により用途に応じた特性を損なわない範囲内で、顔
料、染料、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明のペーストの製造法としては、例えば
各成分を予備混合して三本ロール等を用いて、ペースト
を得て、真空下脱泡すること等がある。
トとしての作業性を付与するために用いられ、ハロゲン
イオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有
量は１０ppm 以下であることが好ましい。又銀粉の形状
としてはフレーク状、樹枝状や球状等が用いられる。必
要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の粒径は
異なるが、通常平均粒径は２〜１０μｍ、最大粒径は５
０μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細か
い銀粉とを混合して用いることもでき、形状についても
各種のものを適宜混合してもよい。銀粉の配合量はペー
ストの全量中に、５０〜９０重量％であるのことが好ま
しい。５０重量％未満では充分な導電性が得られず、９
０重量％を越えるとペーストの粘度が高くなり過ぎ、実
用性がない。本発明における導電性樹脂ペーストには、
必要により用途に応じた特性を損なわない範囲内で、顔
料、染料、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明のペーストの製造法としては、例えば
各成分を予備混合して三本ロール等を用いて、ペースト
を得て、真空下脱泡すること等がある。
【００１４】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明す
る。各成分の配合割合は、重量部都する。 実施例１〜４、比較例１〜５ 表１に示した組成の各成分と銀粉を配合し、三本ロール
で混練して導電性樹脂ペーストを得た。この導電性樹脂
ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱
泡した後、以下の方法により各種の性能を評価した。評
価結果を表１に示す。
る。各成分の配合割合は、重量部都する。 実施例１〜４、比較例１〜５ 表１に示した組成の各成分と銀粉を配合し、三本ロール
で混練して導電性樹脂ペーストを得た。この導電性樹脂
ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱
泡した後、以下の方法により各種の性能を評価した。評
価結果を表１に示す。
【００１５】用いる原料成分 ・式（２）のシロキサン含有エポキシ樹脂
【００１６】
【化３】
【００１７】・ビスフェノール型エポキシ樹脂：ビスフ
ェノールＦとエピクロロヒドリンの反応で得られた樹
脂、数平均分子量５４０、エポキシ当量１７０ ・ビスフェノールＦ ・フェノールノボラック樹脂：数平均分子量６００、水
酸基当量１０５ ・エポキシシラン化合物：γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（ａという）、γ−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルメトキシシラン（ｂとい
う）、フエニルグリシジルエーテル（ｃという） ・ＴＰＰ−Ｋ：テトラフェニルホスホニウム・テトラフ
ェニルボレート塩 ・ＴＰＰ：トリフェニルホスフィン ・銀粉：粒径が０．１〜５０μｍで平均粒径３μｍのフ
レーク状
ェノールＦとエピクロロヒドリンの反応で得られた樹
脂、数平均分子量５４０、エポキシ当量１７０ ・ビスフェノールＦ ・フェノールノボラック樹脂：数平均分子量６００、水
酸基当量１０５ ・エポキシシラン化合物：γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（ａという）、γ−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルメトキシシラン（ｂとい
う）、フエニルグリシジルエーテル（ｃという） ・ＴＰＰ−Ｋ：テトラフェニルホスホニウム・テトラフ
ェニルボレート塩 ・ＴＰＰ：トリフェニルホスフィン ・銀粉：粒径が０．１〜５０μｍで平均粒径３μｍのフ
レーク状
【００１８】評価方法 粘度：（株）東京計器社製のＥＨＤ型回転粘度計を用
い、２５℃で２．５ rpmにおける粘度を測定。 熱時接着強度：銅フレーム上に銀ペーストをディスペン
スし、２ｍｍ角のシリコンチップを載せ、２００℃で６
０秒間熱板上で硬化させた後、２５０℃熱板上に２０秒
間放置後、テンションゲージでチップをはじき、チップ
が破壊した強度又は剥がれた強度を測定。 チップ歪み：銅フレーム上に銀ペーストをディスペンス
し、シリコンチップ（サイズ６×１５×０．３mm）をマ
ウントして２００℃、６０秒熱板上で硬化した。これを
表面粗さ計にてチップの長辺方向の両端を結ぶ線から垂
直に、チップの反りの頂上までの高さを測定。 保存性：銀ペーストを２５℃で所定日数放置した後の粘
度を測定し、この粘度が初期の粘度の１．２倍以上増粘
するまでの日数を測定。
い、２５℃で２．５ rpmにおける粘度を測定。 熱時接着強度：銅フレーム上に銀ペーストをディスペン
スし、２ｍｍ角のシリコンチップを載せ、２００℃で６
０秒間熱板上で硬化させた後、２５０℃熱板上に２０秒
間放置後、テンションゲージでチップをはじき、チップ
が破壊した強度又は剥がれた強度を測定。 チップ歪み：銅フレーム上に銀ペーストをディスペンス
し、シリコンチップ（サイズ６×１５×０．３mm）をマ
ウントして２００℃、６０秒熱板上で硬化した。これを
表面粗さ計にてチップの長辺方向の両端を結ぶ線から垂
直に、チップの反りの頂上までの高さを測定。 保存性：銀ペーストを２５℃で所定日数放置した後の粘
度を測定し、この粘度が初期の粘度の１．２倍以上増粘
するまでの日数を測定。
【００１９】実施例１〜４では熱時接着強度、チップ歪
み及び保存性の優れたペーストが得られるが、比較例１
はビスフェノールＦを用いず、通常のフェノールノボラ
ック樹脂を用いるので、チップ歪みが大きい。エポキシ
シラン化合物を用いない比較例２では熱時強度が著しく
低下する。硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン
を用いた比較例３では保存性がなく、実用性がない。又
シロキサン含有エポキシ樹脂の含有量が全エポキシ樹脂
の３０重量％未満の比較例４では、チップ歪みが著しく
大きくなり低応力性がない。
み及び保存性の優れたペーストが得られるが、比較例１
はビスフェノールＦを用いず、通常のフェノールノボラ
ック樹脂を用いるので、チップ歪みが大きい。エポキシ
シラン化合物を用いない比較例２では熱時強度が著しく
低下する。硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン
を用いた比較例３では保存性がなく、実用性がない。又
シロキサン含有エポキシ樹脂の含有量が全エポキシ樹脂
の３０重量％未満の比較例４では、チップ歪みが著しく
大きくなり低応力性がない。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体用導電性樹脂ペースト
は、インライン工程での速硬化が可能で、熱時接着強度
が高く、かつ応力緩和に優れているため、ＩＣ等の大型
チップと銅フレームとの接着に適しており、ＩＣ組立工
程でのチップクラックやチップ歪みによるＩＣ等の特性
不良を防止できる。
は、インライン工程での速硬化が可能で、熱時接着強度
が高く、かつ応力緩和に優れているため、ＩＣ等の大型
チップと銅フレームとの接着に適しており、ＩＣ組立工
程でのチップクラックやチップ歪みによるＩＣ等の特性
不良を防止できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 1/22 Ｈ０１Ｂ 1/22 Ａ Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｄ (56)参考文献 特開 平７−118365（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−171073（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−300984（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−274334（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−274336（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−218524（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275713（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−142270（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/52 C08G 59/30 C08G 59/62 C08K 3/08
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）全エポキシ樹脂中に３０重量％以
上含む式（１）で示されるエポキシ樹脂、 【化１】 （ここでＲ1、Ｒ2：２価の炭素数１〜５の脂肪族基、又
は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基を
示し、互いに同じであっても異なってもよい） （Ｂ）エポキシシラン化合物 （Ｃ）ビスフェノール類 （Ｄ）有機ボレート塩及び （Ｅ）銀粉 を必須成分とすることを特徴とする半導体用導電性樹脂
ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30313893A JP2834658B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30313893A JP2834658B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161740A JPH07161740A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2834658B2 true JP2834658B2 (ja) | 1998-12-09 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30313893A Expired - Fee Related JP2834658B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 半導体用導電性樹脂ペースト |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834658B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101477073B (zh) * | 2009-01-12 | 2012-07-18 | 北京有色金属研究总院 | 利用电导率快速检测铝合金淬透性的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001023466A1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Georgia Tech Research Corp. | Electrically conductive adhesive containing epoxide-modified polyurethane |
| JP5285838B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2013-09-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
| JP4664032B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-04-06 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | シリルアルコキシメチルハライドの製造方法 |
| JP5004433B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-08-22 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
| JP4931366B2 (ja) | 2005-04-27 | 2012-05-16 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| JP5285846B2 (ja) | 2006-09-11 | 2013-09-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| JP6734476B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2020-08-05 | 株式会社カネカ | 導電性ペースト組成物、それで形成した電極を含む装置、および、導電性ペースト組成物の製造方法 |
-
1993
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161740A (ja) | 1995-06-23 |
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