JPH11263826A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH11263826A JPH11263826A JP37631798A JP37631798A JPH11263826A JP H11263826 A JPH11263826 A JP H11263826A JP 37631798 A JP37631798 A JP 37631798A JP 37631798 A JP37631798 A JP 37631798A JP H11263826 A JPH11263826 A JP H11263826A
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Abstract
に優れ、パッケージ反り量が少なく、かつワイヤー流れ
率が小さく、作業性及び信頼性に優れる硬化物を与える
エポキシ樹脂組成物を得る。 【解決手段】 式(1)の多官能型エポキシ樹脂と、式
(2)の多官能型フェノール樹脂硬化剤と、有機リン系
硬化促進剤と、アミノシランカップリング剤と、無機質
充填剤とを必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 【化1】 (R1,R2はH、−CH3又は−C(CH3)3、R3は
H、−CH3又は−C2H5、kは1〜5の整数であ
る。) 【化2】 (R1〜R3は上記の通り、nは1〜5の整数である。)
Description
性、硬化性が良好で、かつ接着性に優れ、パッケージの
反り量が小さく、ワイヤー流れが少なく、耐湿信頼性に
優れた硬化物を与え、ボール・グリッド・アレイ(以
下、BGAと記す)封止用に好適な半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物及びこの組成物の硬化物で封止された半導
体装置、特にBGAパッケージに関する。
半導体産業の中で樹脂封止型デバイスが主流になってい
るが、一般にエポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べて
成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れ
ているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止す
ることが多く行われている。
ローラ社で開発されたが、これは回路基板にチップを直
接実装し、その上をプラスチック封止するという特殊な
構造を有している。このBGAは、基板に対して片側だ
けを樹脂封止するため、基板と樹脂の収縮率の差に起因
するパッケージの反り現象が大きな問題となる。
(ガラス転移温度)化及び低膨張化により基板と樹脂の
収縮率の差を小さくし、パッケージ反り量を抑える試み
が種々行われてきた。具体的には、エポキシ樹脂に多官
能型エポキシ樹脂、硬化剤にフェノールノボラック樹
脂、硬化促進剤にイミダゾール化合物を使用して高Tg
化し、シリカフィラーを高充填することで低膨張化する
提案がなされている。また、シリカフィラーを高充填
し、かつ高流動性を維持するため破砕状シリカを含まな
い全球状シリカを使用し、その粒度分布の最適化を図る
技術や、カップリング剤によるシリカ表面処理を最適化
する技術も公知となっている。
重視しなければならない特性として、基板表面を被覆し
ているソルダマスクと樹脂との接着性が挙げられる。こ
の樹脂とソルダマスクの接着性は、カップリング剤とし
てエポキシシランカップリング剤やメルカプトシランカ
ップリング剤を選択することにより飛躍的に向上できる
ことはよく知られている。
挙げる種々の欠点があることが判明してきた。即ち、硬
化促進剤にイミダゾール化合物を使用したエポキシ樹脂
組成物は、リン系硬化促進剤を使用した場合に比べて保
存安定性に劣り、樹脂封止工程での急激な粘度上昇によ
るワイヤー流れ及び未充填が発生し易くなる。また、エ
ポキシ樹脂中の加水分解性塩素が引き抜かれ易くなるた
め、耐湿信頼性にも問題が生じてしまう。更に、年々進
むパッケージ大型化に対応するため、更なる低膨張化が
必要となるが、現行のシリカ高充填では高粘度化により
ワイヤー流れが頻発してしまう。
るカップリング剤の種類によっては樹脂封止時の硬化性
が阻害され、結果的にパッケージ反り量が増大してしま
うことがある。
ように様々な問題点を抱えており、有効な解決策は未だ
見つからないのが現状であった。
されたもので、流動性、保存安定性、硬化性が良好で、
接着性に優れ、パッケージ反り量及びワイヤー流れ率が
小さく、作業性及び信頼性に優れる硬化物を与える半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びこの組成物の硬化物で
封止された半導体装置を提供することを目的とする。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、下記一般式(1)で表わされる多官能型エポキシ樹
脂と、下記一般式(2)で表わされる多官能型フェノー
ル樹脂硬化剤と、下記一般式(3)で表わされる有機リ
ン系硬化促進剤と、下記一般式(4)で表わされるアミ
ノシランカップリング剤と、無機質充填剤とを必須成分
として組み合わせて配合することにより、上記した従来
のエポキシ樹脂組成物の問題点が解決されて、流動性が
よく、高温で長時間保存しても安定で、速硬化性である
上、耐湿信頼性に優れ、優れた基材接着性を有し、BG
Aパッケージ封止時においてもパッケージ反り現象がほ
とんど起こらず、ワイヤー流れ率も小さい硬化物を与え
ること、従って、上記エポキシ樹脂組成物は、BGA封
止用樹脂等として好適に使用できることを知見し、本発
明をなすに至った。
ル基又はtert−ブチル基であり、R3は水素原子、
メチル基又はエチル基、好ましくは水素原子である。k
は1〜5の整数である。)
nは1〜5の整数である。)
置換アルキル基、aは0又は1、R6は水素原子、−C2
H4NH2又は−C6H5を示す。)
わされる多官能型エポキシ樹脂と、上記一般式(2)で
表わされる多官能型フェノール樹脂硬化剤と、上記一般
式(3)で表わされる有機リン系硬化促進剤と、上記一
般式(4)で表わされるアミノシランカップリング剤
と、無機質充填剤とを必須成分として含有してなること
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこの
組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
と、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、下記
一般式(1)で示される多官能型エポキシ樹脂である。
ル基(−CH3)及びtert−ブチル基(−C(C
H3)3)から選ばれる基である。また、R3は水素原
子、メチル基(−CH3)又はエチル基(−C2H5)で
ある。kは1〜5、好ましくは1〜3の整数である。)
分子運動が抑制されるためにガラス転移温度(以下、T
gと記す)が高いという特徴を有している。BGAパッ
ケージは、ガラス繊維積層板にBTレジンなど有機樹脂
を含浸させた回路基板に対する片面樹脂封止、いわゆる
バイメタル構造のために大変反り易く、樹脂の選択によ
って反り量を低減する必要がある。反り量を低減する方
法としては、その基板と同じ収縮率をもつ樹脂組成物、
つまりほぼ同じTgと膨張係数の樹脂組成物で封止すれ
ばよい。従って、Tgの高いエポキシ樹脂組成物が望ま
しく、上記式(1)のエポキシ樹脂を使用することによ
り、高Tgのエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
換基R1,R2は、それぞれ水素原子、−CH3基、−C
(CH3)3基、あるいはこれらの混合されたものであ
る。樹脂組成物の硬化物のTgを高くしたい場合、置換
基R1,R2は水素原子又は−CH3基で置換した構造が
望ましく、また、吸水率を小さくしたい場合は、−C
(CH3)3基で置換した構造が望ましい。また、式
(1)の構造に導入される置換基R3は水素原子、メチ
ル基又はエチル基であるが、好適には水素原子である。
その分子量について特に制限はないが、一般的には40
0〜1,200程度、好ましくは500〜800程度の
範囲のものであればよい。また、エポキシ当量に関して
も特に限定はないが、一般的には150〜300程度、
好ましくは160〜200程度の範囲のものであればよ
い。また、シリコーン変性されていても問題はない。
湿信頼性向上のためにこれらのエポキシ樹脂中に含有さ
れるアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲンその他
イオン性不純物が極力少ないことが望ましい。
上記式(1)のエポキシ樹脂以外の他のエポキシ樹脂、
例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エ
ポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
等のビスフェノール型エポキシ樹脂;式(1)以外のト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂;ナフタレン型エポ
キシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂;フ
ェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニルアラル
キル型エポキシ樹脂などを併用して配合することができ
る。
は、全エポキシ樹脂中の70重量%以上、特に90〜1
00重量%が式(1)の多官能型エポキシ樹脂であるこ
とが望ましい。式(1)の多官能型エポキシ樹脂の含有
量が70重量%未満で他のエポキシ樹脂が30重量%を
超えると、Tgが低下し、BGAの反り量が増加してし
まう場合がある。
で表わされる多官能型フェノール樹脂硬化剤を使用する
ものであり、本発明では式(1)の多官能型エポキシ樹
脂と同様の理由で式(2)の多官能型フェノール樹脂硬
化剤が使用される。
ル基又はtert−ブチル基であり、好ましくは水素原
子である。R3は水素原子、メチル基又はエチル基であ
り、好ましくは水素原子である。nは1〜5、好ましく
は1〜3の整数である。)
化剤の分子量については特に制限はないが、一般的には
200〜1,000程度、好ましくは300〜600程
度の範囲のものであればよい。水酸基当量に関しても特
に限定はないが、一般的には100〜150程度、好ま
しくは110〜120程度の範囲のものであればよい。
また、シリコーン変性されていても問題はない。
硬化剤は、耐湿信頼性向上のためにフェノール樹脂中に
含有されるアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン
その他イオン性不純物が極力少ないことが望ましい。
フェノール樹脂以外の他のフェノール樹脂、例えばフェ
ノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等の
ノボラック樹脂;ビスフェノールA型樹脂、ビスフェノ
ールF型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂;パ
ラキシリレン変性フェノール樹脂;メタキシリレン変性
フェノール樹脂;オルソキシリレン変性フェノール樹
脂;式(2)以外のトリフェノールアルカン型樹脂;ナ
フタレン型フェノール樹脂;ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂;ビフェニル型フェノール樹脂;フェノ
ールアラルキル樹脂;ビフェニルアラルキル樹脂などを
併用して配合してもよい。
硬化剤は、全フェノール樹脂硬化剤中の70重量%以
上、好ましくは90〜100重量%が式(2)の多官能
型フェノール樹脂であることが望ましい。式(2)の多
官能型フェノール樹脂の含有量が70重量%未満で他の
フェノール樹脂硬化剤が30重量%を超えると、Tgが
低下し、BGAの反り量が増加してしまう場合がある。
シ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の合計に対して25〜4
0重量%が好ましい。25重量%未満もしくは40重量
%を超える場合には、エポキシ樹脂中のエポキシ基数と
フェノール樹脂硬化剤中の水酸基数との差が大きすぎ
て、組成物の硬化性が低下し、それが硬化物のTgの低
下、線膨張係数の上昇につながり、BGAの反り量が増
加してしまう場合がある。従って、フェノール樹脂硬化
剤の配合量は、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1
モルに対し、フェノール樹脂中に含まれるフェノール性
水酸基のモル比が0.5〜1.5、特には0.8〜1.
2の範囲となるように配合することもできる。
般式(3)で表わされる有機リン系硬化促進剤である。
同一もしくは異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアル
コキシ基であり、例えば水素原子、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、tert−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブ
トキシ基、tert−ブトキシ基等が挙げられる。tは
0〜4の整数であり、q,rはそれぞれ0〜12、好ま
しくは0〜4、特には0又は1の整数である。
くは異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基
としては、上記R4と同様の基を挙げることができる。
には、下記構造の化合物が例示される。
しても2種以上を併用してもよく、また、その添加量は
特に制限されないが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量
100重量部に対して0.001〜10重量部、より好
ましくは0.005〜5重量部、更に好ましくは0.0
1〜1重量部の範囲にすることが好ましい。配合量が少
なすぎると硬化反応が十分に起こりにくく、金型離型性
が悪くなる場合があり、多すぎると成形時の粘度が高く
なるとともに、耐湿性などの信頼性が悪くなる場合があ
る。
ン系硬化促進剤と共に必要に応じて公知のその他の硬化
促進剤を併用して添加することもできる。その他の硬化
促進剤としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、トリ(p−トルイル)ホスフィン、
トリ(p−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(p−
エトキシフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィ
ン・トリフェニルボレートなどの上記式(3)以外の有
機ホスフィン化合物;テトラフェニルホスホニウム・テ
トラフェニルボレートなどの4級ホスホニウム塩類;ト
リエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチル
ベンジルジメチルアミン等の第3級アミン化合物や1,
8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン等のシク
ロアミジン化合物などのアミン系化合物;2−メチルイ
ミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4
−メチルイミダゾール、2−エチル−4,5−ジメチル
イミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニ
ル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−ヒド
ロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジ
(ヒドロキシメチル)イミダゾールなどのイミダゾール
類が挙げられる。なお、その他の硬化促進剤の配合量
は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることが
でき、通常エポキシ樹脂とフェノール樹脂との総量10
0重量部に対して0〜5重量部、特に0〜1重量部とす
ることができる。
易くするために予め樹脂成分と混合し、これを粉砕して
もよい。
は、下記一般式(4)で表わされるアミノシランカップ
リング剤である。
置換アルキル基、aは0又は1、R6は水素原子、−C2
H4NH2又は−C6H5を示す。)
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ter
t−ブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、
メトキシエチル基、エトキシエチル基等が挙げられる。
エポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化剤、そしてBGA基
板上のソルダマスクなどのような有機成分やシリカ表面
のような無機成分に対して親和性が高いため、樹脂組成
物中への分散性が良好である。そのため、シリカフィラ
ーに対する有機樹脂のぬれ性を改善し、樹脂組成物の流
動性向上、有機樹脂とシリカフィラー界面の接着力向
上、樹脂組成物とソルダマスクとの接着力向上効果が高
い。このような特性から樹脂組成物の低粘度化が可能と
なり、ワイヤー流れを防止し、接着力の向上は半田浸漬
時の信頼性向上につながる。
体例には、下記構造の化合物が例示される。 (CH3O)3SiC3H6NHC2H4NH2 (C2H5O)3SiC3H6NHC2H4NH2 (CH3O)3SiC3H6NH2 (C2H5O)3SiC3H6NH2 (CH3O)3SiC3H6NHC6H5
加量は特に制限されないが、エポキシ樹脂及び硬化剤の
合計量100重量部に対して0.2〜3重量部、特に
0.15〜1.5重量部の範囲とすることが好ましい。
他の種類のカップリング剤と併用しても差し支えなく、
これにより他の要求性能とのバランスを向上させること
ができる。他のカップリング剤としては、エポキシ基や
メルカプト基を有するもの、例えばγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメ
トキシシランなどが挙げられる。なお、他のカップリン
グ剤を併用する場合は、上記式(4)のアミノシランカ
ップリング剤の使用割合が全カップリング剤中の30重
量%以上、特に50〜70重量%となるように他のカッ
プリング剤の添加量を調整することが好ましく、30重
量%未満では、BGA基板上のソルダマスクなどのよう
な有機成分やシリカ表面のような無機成分に対しての親
和性が低下し、接着性が低下したり、組成物の溶融粘度
が上昇して、モールド時にワイヤー流れの原因になるこ
とがある。
は、無機質充填剤を配合することにより封止材の膨張係
数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させるこ
とができる。このような無機質充填剤としては、通常の
エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することが
できる。具体的には、破砕状、球状の形状を有する溶融
シリカ、結晶性シリカが主に用いられ、この他にアルミ
ナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライ
ド、酸化チタン、ガラス繊維等を使用することもでき
る。
せるためには、上記無機質充填剤として球状と破砕品と
のブレンド、あるいは球状品のみを用いることが好まし
い。更に、上記無機質充填剤の平均粒径は5〜30μm
の範囲が好適である。この平均粒径は、例えば、レーザ
ー光回折法の分析手段による重量平均値(又はメジアン
径)などとして求めることができる。
剤表面との結合強度を強くするため、予めシランカップ
リング剤などで表面処理したものを配合することが好ま
しい。ここで、表面処理に用いるカップリング剤量及び
表面処理方法については特に制限されない。
ないが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量100重量部
に対して200〜1,200重量部、特に400〜1,
000重量部とすることが好ましい。配合量が200重
量部未満では膨張係数が大きくなり、半導体素子に加わ
る応力が増大し、素子特性の劣化を招く場合があり、
1,200重量部を超えると成形時の粘度が高くなり、
成形性が悪くなる場合がある。
料以外に必要に応じてカーボンブラック等の着色剤、ブ
ロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シ
リコーンオイル、シリコーンゴム、オルガノポリシロキ
サンとエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の芳香族樹脂と
の共重合体等の低応力成分などを添加することができ
る。なお、これら任意成分の添加量は、本発明の効果を
妨げない範囲で通常量とすることができる。
脂、フェノール樹脂硬化剤、アミノシランカップリング
剤、無機質充填剤、硬化促進剤、その他の添加剤をミキ
サーにて常温混合し、ロールや押出し機などの一般混練
機にて混練して冷却後、粉砕することで成形材料とする
ことができる。なお、硬化条件は、165〜185℃で
1〜3分程度、ポストキュアーは170〜180℃で4
〜8時間程度とすることができる。
物は、流動性、保存安定性、硬化性、接着性に優れ、ソ
ルダマスクへの接着性も良好であり、パッケージ反り量
が少なく、かつワイヤー流れ率が小さく、作業性及び信
頼性に優れる硬化物を与えるもので、BGA封止用樹脂
等として好適に使用することができる。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。
に示す成分を熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
なお、使用したエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、シランカップリング剤の構造は下記の通り
である。
(チ)の諸特性を測定した。結果を表1,2に併記す
る。 (イ)スパイラルフロー値 EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、70
kgf/mm2、成形時間90秒の条件で測定した。 (ロ)ゲル化時問 組成物のゲル化時間を175℃熱板上で測定した。 (ハ)溶融粘度 高下式フローテスター(島津製作所社製)を用いて17
5℃で測定した。 (ニ)熱時硬度 JIS−K 6944に準じて175℃、70kgf/
mm2、成形時間60秒の条件で4×10×100mm
の硬化物を成形したとき、その熱時硬度をバーコール硬
度計で測定した。 (ホ)ガラス転移温度及び線膨張係数 175℃、70kgf/mm2、成形時間90秒の条件
で5×5×15mmの試験片を成形し、180℃で4時
間ポストキュアーしたものを用い、ディラトメーターに
より5℃/分で昇温させることにより測定した。 (ヘ)保存安定性 エポキシ樹脂組成物をアルミニウム製の密封袋に入れ、
25℃で72時間高温器中に放置した。放置後の組成物
のスパイラルフロー値を(イ)と同様に測定し、初期値
に比べて低下したパーセンテージを算出した。
プを実装した回路基板1上に175℃、70kgf/m
m2、成形時間90秒の条件で5×5×15mmの試験
片を封止樹脂2として成形後、モールド樹脂面の反り量
をレーザー式うねり測定装置(安永社製)で測定した。
更に、180℃で4時間ポストキュアーした後、再び同
様に測定した。測定条件は下記の通りである。
で図2に示されるような接着性評価サンプル3を基板4
上に成形し、180℃で4時間ポストキュアーをした
後、プッシュプルゲージを用いて剪断接着力の測定を行
った。測定条件は下記の通りである。
度 1mm/秒 基板:PSR 4000AUS5コートBT板 接着面積:10mm2 サンプル数:n=8 接着力データ:平均値 成形温度:175℃ 成形時間:90秒 ポストキュアー:180℃で4時間 劣化条件:85℃、85%RH、72時間−IRリフロ
ー2回
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、シ
ランカップリング剤を配合したエポキシ樹脂組成物は、
流動性が良好であり、速硬化性に優れると共に保存安定
性に優れ、また、高いガラス転移温度を有し、BGAパ
ッケージの反り量が小さい上、ソルダマスクへの接着性
が良好である。従って、本発明のエポキシ樹脂組成物を
使用した半導体装置は、リフロー時の耐クラック性及び
信頼性に優れるものであることが確認された。
ージの概略図である。
略図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式(1)で表わされる多官能型
エポキシ樹脂と、下記一般式(2)で表わされる多官能
型フェノール樹脂硬化剤と、下記一般式(3)で表わさ
れる有機リン系硬化促進剤と、下記一般式(4)で表わ
されるアミノシランカップリング剤と、無機質充填剤と
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 【化1】 (但し、式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子、メチ
ル基又はtert−ブチル基、R3は水素原子、メチル
基又はエチル基である。kは1〜5の整数である。) 【化2】 (但し、式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子、メチ
ル基又はtert−ブチル基、R3は水素原子、メチル
基又はエチル基である。nは1〜5の整数である。) 【化3】 〔但し、式中R4はそれぞれ独立に水素原子、同一もし
くは異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基
を示し、mはそれぞれ独立に0〜4の整数である。Xは
−(CH2)p−(式中、pは3〜12の整数である。)
又は下記一般式(5)で表わされる基である。 【化4】 (式中R5は水素原子、同一もしくは異種の炭素数1〜
4のアルキル基又はアルコキシ基を示し、tは0〜4の
整数であり、q,rはそれぞれ独立に0〜12の整数で
ある。)〕 【化5】 (式中、Aは炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ
置換アルキル基、aは0又は1、R6は水素原子、−C2
H4NH2又は−C6H5を示す。) - 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置。
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---|---|---|---|
JP37631798A JP3562565B2 (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP10-16353 | 1998-01-12 | ||
JP1635398 | 1998-01-12 | ||
JP37631798A JP3562565B2 (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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JPH11263826A true JPH11263826A (ja) | 1999-09-28 |
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JP37631798A Expired - Lifetime JP3562565B2 (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3562565B2 (ja) |
Cited By (10)
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