JP2001230471A - 磁気抵抗変換素子およびその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗変換素子およびその製造方法

Info

Publication number
JP2001230471A
JP2001230471A JP2000356782A JP2000356782A JP2001230471A JP 2001230471 A JP2001230471 A JP 2001230471A JP 2000356782 A JP2000356782 A JP 2000356782A JP 2000356782 A JP2000356782 A JP 2000356782A JP 2001230471 A JP2001230471 A JP 2001230471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
nickel
iron
ferromagnetic
magnetization direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000356782A
Other languages
English (en)
Inventor
Wei Tsuan Je
ウェイ ツァン ジェ
Deienii Bernardo
ディエニー ベルナルド
Mao-Min Chen
ミン チン マオ
Hon Chin
ホン チン
Tsuan Jii Kou
ツァン ジー コウ
Ryao Sumo
リャオ スモ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Headway Technologies Inc
Original Assignee
Headway Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Headway Technologies Inc filed Critical Headway Technologies Inc
Publication of JP2001230471A publication Critical patent/JP2001230471A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1107—Magnetoresistive
    • Y10T428/1121—Multilayer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1107—Magnetoresistive
    • Y10T428/1121—Multilayer
    • Y10T428/1129—Super lattice [e.g., giant magneto resistance [GMR] or colossal magneto resistance [CMR], etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1157—Substrate composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1171—Magnetic recording head with defined laminate structural detail
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12944—Ni-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子反射を改善することができる磁気抵抗変
換素子およびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 基体１０の上にシード層１２、バッファ
層１３、フリー層１４、スペーサー層１６、磁化方向被
固定層１８および磁化方向固定作用層２０が順次積層さ
れている。バッファ層１３は、酸化ニッケル（II）また
はα−酸化鉄（III ）を含む金属酸化物により構成され
ており、フリー層１４と類似する結晶構造および格子定
数を有している。これにより、フリー層１４とバッファ
層１３との界面における電子の反射率が向上し、抵抗変
化率が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にデータ記憶再
生装置またはデータ再生専用装置に用いられる磁気抵抗
変換素子およびその製造方法に関する。さらに詳細に
は、本発明は、巨大磁気抵抗素子およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサ感度の改善および磁気
記録密度の増大が進んでいる。同時に、磁気抵抗変換素
子の１つである磁気抵抗効果センサ（以下ＭＲセンサと
呼ぶ）および磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼
ぶ）の開発が急速な進歩を遂げている。ＭＲセンサおよ
びＭＲヘッドは、外部磁界に応じて電気抵抗が変化する
ことを利用して外部磁界信号を読み取ることができる。
このようなＭＲセンサおよびＭＲヘッドにおいては、記
録媒体に対する相対的な変位速度によって再生出力が決
まることはなく、これにより、高密度磁気記録において
も高感度および高出力レベルを得ることができる。
【０００３】ＭＲセンサおよびＭＲヘッドとしては、異
方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresis
tive）効果）を示す磁性膜（ＡＭＲ膜）を用いたＡＭＲ
センサおよびＡＭＲヘッドと、巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ（Giant Magnetoresistive）効果）を示す磁性膜（Ｇ
ＭＲ膜）を用いたＧＭＲセンサおよびＧＭＲヘッドなど
がある。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１Ｇｂｉｔ／ｉ
ｎｃｈ2 超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッ
ドは、面記録密度が３Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2 を超える再
生ヘッドとして利用されている。
【０００４】ところで、ＧＭＲ膜としては、「多層型
（アンチフェロ型）」、「誘導フェリ型」、「グラニュ
ラ型」、「スピンバルブ型」等が提案されている。これ
らの中で、比較的構成が単純で、弱い磁場でも大きな抵
抗変化を示し、量産に好ましいと考えられるＧＭＲ膜
は、スピンバルブ型である。
【０００５】このスピンバルブ型のＧＭＲ膜は、一対の
強磁性層の間に非磁性層を挟んだ構造を有しており、一
対の強磁性層それぞれにおける磁化方向の相対角度に応
じて、強磁性層と非磁性層との界面における伝導電子の
スピン依存散乱により抵抗が変化するようになってい
る。これは例えば「スピンバルブ効果」と呼ばれてい
る。なお、本明細書において‘非磁性’という言葉の意
味は、‘常磁性’および‘反磁性’の意味、または‘常
磁性’あるいは‘反磁性’の意味で用いられる。
【０００６】近年、このスピンバルブ型のＧＭＲ膜で
は、一方の強磁性層の外側に絶縁膜を設け、界面におい
て電子を反射させて抵抗変化率を向上させることが提案
されている。しかし、現実には更なる抵抗変化率の向上
が求められており、絶縁膜の構造および材料に関する改
良が要求されている。なお、関連従来技術としては、例
えば、米国特許第5,843,589 および米国特許第5,766,74
3 がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点に鑑みてなされたもので、その目的は、電子反射を改
善することのできる磁気抵抗変換素子およびその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗変
換素子の製造方法は、基体上に、ニッケル・クロム合
金、ニッケル・クロム・銅合金およびニッケル・鉄・ク
ロム合金からなる群のうちのいずれかを含む磁気抵抗感
度を向上させる材料からなるシード層を形成する工程
と、シード層上に、酸化ニッケル（II）またはα−酸化
鉄（III）を含む金属酸化物からなるバッファ層を形成
する工程と、バッファ層上に、強磁性のフリー層を形成
する工程と、フリー層上に、非磁性導体からなるスペー
サ層を形成する工程と、スペーサ層上に、強磁性の磁化
方向被固定層を形成する工程と、磁化方向被固定層上
に、磁化方向固定作用層を形成する工程と、磁化方向固
定作用層上に保護層を形成する工程とを含むものであ
る。
【０００９】また、本発明による磁気抵抗変換素子は、
基体上に、ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・
銅合金およびニッケル・鉄・クロム合金からなる群のう
ちのいずれかを含む磁気抵抗感度を向上させる材料から
なるシード層と、このシード層上に設けられ、酸化ニッ
ケル（II）またはα−酸化鉄（III）を含む金属酸化物
からなるバッファ層と、このバッファ層上に設けられた
強磁性のフリー層と、このフリー層上に設けられた非磁
性の導体からなるスペーサ層と、このスペーサ層上に設
けられた強磁性の磁化方向被固定層と、この磁化方向被
固定層上に設けられた磁化方向固定作用層と、この磁化
方向固定作用層上に設けられた保護層とを備えている。
【００１０】本発明による磁気抵抗変換素子およびその
製造方法では、バッファ層が、フリー層と類似する結晶
構造（例えば、面心立法構造あるいは体心立法構造）お
よび格子定数を有する金属酸化物により構成されてい
る。このバッファ層は、従来のタンタル（Ｔａ）よりな
る下地層に代わるものである。これにより、フリー層と
バッファ層との界面における電子の反射率が向上し、抵
抗変化率が向上する。
【００１１】なお、本発明による磁気抵抗変換素子およ
びその製造方法では、抵抗変化率を向上させるために、
バッファ層とフリー層との間に高伝導層を備えた構成と
することが好ましい。高伝導層は、例えば、銅または銅
・ニッケル合金を含む材料により構成することが好まし
い。この高伝導層を設けた構造は、スピンフィルター構
造などと呼ばれている。
【００１２】また、本発明による磁気抵抗変換素子およ
びその製造方法では、磁化方向被固定層を、強磁性下部
層、非磁性の導体からなる結合層および強磁性上部層の
３層構造を有し、結合層により強磁性下部層と強磁性上
部層との間に反強磁性交換結合を生じるような構成とす
ることが好ましい。この場合、強磁性下部層と強磁性上
部層には反平行磁気方向性がある。ここに、反平行磁気
方向性があるとは、「磁化方向が互いに反対向き」の意
であり、磁化の向きが１８０°異なる場合のみを言うの
ではなく、２つの磁化の向きが１８０°±２０°異なる
場合を含めて言う。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
【００１４】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態に係る磁気抵抗変換素子の一具体例である
スピンバルブ型ＧＭＲセンサ（以下、ＳＶＧＭＲセンサ
と言う）のエアベアリング面側から見た平面の構成を表
すものである。
【００１５】なお、このＳＶＧＭＲセンサは、基体１０
上に、ニッケル・クロム合金（ＮｉＣｒ）、ニッケル・
クロム・銅合金（ＮｉＣｒＣｕ）およびニッケル・鉄・
クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）からなる群のうちのいずれ
かを含む磁気抵抗感度を向上させる材料からなるシード
層１２を備えている。シード層１２上には、酸化ニッケ
ル（II）（ＮｉＯ）またはα−酸化鉄（III）（α−Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ）を含む金属酸化物からなるバッファ層１３が
設けられている。バッファ層１３上には、強磁性のフリ
ー層１４、非磁性の導体からなるスペーサ層１６、強磁
性の磁化方向被固定層１８、磁化方向固定作用層２０お
よび保護層２２が、この順で積層されている。これらシ
ード層１２，バッファ層１３，フリー層１４，スペーサ
層１６，磁化方向被固定層１８，磁化方向固定作用層２
０および保護層２２よりなる積層構造の両側には、積層
構造の両端のエッジ部分を保護するように一対の磁気バ
イアス層２４Ａ，２４Ｂおよびリード層２６Ａ，２６Ｂ
が設けられている。
【００１６】このＳＶＧＭＲセンサは、バッファ層１３
を備えていることを特徴としている。このバッファ層１
３は、フリー層１４の結晶格子定数に類似し、また、同
様の結晶構造（例えば、面心立法構造あるいは体心立法
構造）を有する金属酸化物からなり、本発明者による従
来のタンタル（Ｔａ）からなる下地層に取って代わるも
のである。本実施の形態では、このバッファ層１３によ
り、バッファ層１３とフリー層１４との界面における電
子の反射率が向上し、抵抗変化率が向上するようになっ
ている。
【００１７】このＳＶＧＭＲセンサにおけるバッファ層
１３以外の構成については、一般的に知られているもの
であり、従来の方法および材料を用いて作成することが
できる。本実施の形態の特徴は、金属酸化物により構成
されるバッファ層１３にあるが、以下、各構成要素につ
いて説明する。
【００１８】基体１０は、一般に、酸化物、窒化物、ホ
ウ化物あるいは炭化物に限定することなく、酸化物、窒
化物、ホウ化物および炭化物のうちの少なくとも１種を
含む均一あるいは不均一な非磁性セラミック材料により
構成される。本実施の形態では、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 ・
ＴｉＣ（アルティック）により構成されることが望まし
い。
【００１９】なお、図１では明確に記載していないが、
基体１０の上部面は酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）に
より構成されることが好ましい。更に、必要に応じて、
基体１０の上、すなわち基体１０とシード層１２との間
には、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などよりなるシール
ド層および酸化アルミニウムよりなるシールドギャップ
層が基体１０の側からこの順に形成されていることが好
ましい。
【００２０】また、基体１０は、例えば、デジタル式の
磁気データ記憶再生装置または磁気データ再生専用装置
である直接アクセス型の記憶再生装置（ＤＡＳＤ）など
においては、ヘッドが搭載されるスライダを構成するよ
うに、十分な寸法で形成されることが望ましい。直接ア
クセス型の記憶再生装置の構成は、従来通りのものであ
るので、その記載は省略する。なお、このＳＶＧＭＲセ
ンサは、他のデジタル式の磁気データ記憶再生装置、あ
るいは磁気変換装置、またはアナログ式の磁気データ記
憶装置あるいは磁気変換装置にも同様に用いることがで
きる。その場合には、基体１０はそれらの構造に応じて
形成される。
【００２１】シード層１２は、磁気抵抗（ＭＲ）感度を
向上する材料から形成されるものであり、下記の（１）
〜（３）のいずれかを含むように構成されることが望ま
しいことが実験的にわかっている。 （１）ニッケル・鉄・クロム合金。特に、ニッケル：
鉄：クロムの質量比率が約５６：１４：３０〜４０：１
０：５０の範囲内、より望ましくは約５３：１２：３５
〜４４：１１：４５の範囲内であるもの。 （２）ニッケル・クロム合金。特に、フリー層１４の少
なくとも一部がニッケル・鉄合金よりなる場合、例え
ば、ニッケル：鉄の質量比率が約７０：３０〜９０：１
０の範囲内、より望ましくは約７７：２３〜から８５：
１５の範囲内であるニッケル・鉄合金よりなる場合に
は、ニッケル：クロムの質量比率が約４０：６０〜６
０：４０の範囲内、より望ましくは約４５：５５〜５
５：４５の範囲内であるもの。 （３）ニッケル・クロム・銅合金。
【００２２】シード層１２の膜厚は、例えば、３ｎｍ〜
１０ｎｍの範囲が好ましく、より望ましくは、４ｎｍ〜
６ｎｍの範囲である。
【００２３】バッファ層１３は、酸化ニッケル（II）ま
たはα−酸化鉄（III）などを含む金属酸化物により構
成される。バッファ層１３の膜厚は薄く、例えば約０．
５ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲であることが望ましい。
【００２４】例えば、バッファ層１３が酸化ニッケル
（II）よりなる場合には、膜厚が約２０ｎｍよりも厚い
と、反強磁性および誘電性を示すようになるが、膜厚が
薄いと、非磁性および誘電性を示すようになる。このＳ
ＶＧＭＲセンサでは、バッファ層１３の膜厚を非常に薄
くすることにより、バッファ層１３とフリー層１４との
界面における電子の反射率を向上させ、磁気抵抗感度を
向上させることができるようになっている。
【００２５】バッファ層１３は、例えばＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition:化学的気相成長 )法やスパッタリ
ング法により形成することができるが、勿論これらに限
定されるものではない。例えば、ニッケルをターゲット
とし、アルゴン・酸素混合ガスを用いた反応性高周波ス
パッタリング法により形成する場合には、条件を下記の
（１）〜（３）に示したようにすることが好ましい。 （１）反応室（リアクタ）内の圧力＝６６６．６ｍＰａ
〜１９９９．８ｍＰａ。 （２）高周波電力＝５０Ｗ〜１００Ｗ（周波数は１３．
５６ＭＨｚ）。 （３）アルゴン・酸素混合ガスの流量＝５０ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ〜１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（５０ｓｃｃｍ〜１００ｓ
ｃｃｍ）。
【００２６】また、バッファ層１３におけるニッケルと
酸素の原子比率を０．８：１．０〜１．０：０．８とす
るためには、アルゴン・酸素混合ガス中の酸素含有量を
４体積％〜１２体積％とすることが好ましい。
【００２７】フリー層１４は、ＳＶＧＭＲセンサにおい
て一般的に用いられる強磁性材料により構成され、その
膜厚は薄く、例えば２ｎｍ〜３ｎｍの範囲が好ましい。
強磁性材料としては、一般に、ニッケル（Ｎｉ）、鉄
（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、あるいはこれら少なくと
も１種を含む合金があり、フリー層１４は、これらのい
ずれか１種よりなる単層構造、あるいはこれらの２種以
上よりなる積層構造とされている。
【００２８】但し、フリー層１４の少なくとも一部、具
体的にはシード層１２およびバッファ層１３の側の少な
くとも一部は、ニッケルおよび鉄からなる群のうちの少
なくともニッケルにより構成されていることが好まし
く、ニッケル・鉄合金により構成されていればより好ま
しい。ニッケル・鉄合金におけるニッケル：鉄の質量比
率は約７０：３０〜９０：１０の範囲内であることが好
ましく、約７７：２３〜８５：１５の範囲内であればよ
り好ましい。これらの場合に高い磁気抵抗（ＭＲ）感度
を得ることができ、しかも上述したバッファ層１３と類
似した結晶構造および格子定数を有するようにできるか
らである。
【００２９】具体的には、フリー層１４は、次のように
構成されることが好ましい。例えば、（１）酸化ニッケ
ル（II）からなるバッファ層１３上に、２ｎｍ〜１０ｎ
ｍの厚みのニッケル・鉄合金の単層構造を有するよう
に、または（２）バッファ層１３の上に、このニッケル
・鉄合金層の上に厚さ０．５ｎｍ〜２ｎｍのコバルト層
あるいは鉄を２０質量％以下、より好ましくは５質量％
〜１５質量％の範囲で含有するコバルト・鉄合金（Ｃｏ
Ｆｅ）層とがこの順に積層された積層構造を有するよう
に構成されることが好ましい。
【００３０】なお、フリー層１４のバッファ層１３側の
少なくとも一部は、結晶構造および格子定数がバッファ
層１３と類似するものであれば、上述した材料以外の強
磁性材料により構成されてもよい。また、フリー層１４
の少なくとも一部は、コバルトおよび鉄からなる群のう
ちの少なくともコバルトにより構成するようにしても好
ましく、コバルトおよび鉄からなる群のうちの少なくと
もコバルトを含む層の上にニッケルおよび鉄からなる群
のうちの少なくともニッケルを含む層が積層された積層
構造を有するようにしてもよい。
【００３１】スペーサ層１６は、銅（Ｃｕ），金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ）などの非磁性の導体材料により形成さ
れている。また、これらの金属の合金層としてもよく、
あいはこれらの金属の積層構造としてもよい。具体的に
は、例えば、フリー層１４上に、例えば銅を２ｎｍ〜３
ｎｍの厚みに形成する。
【００３２】磁化方向被固定層１８は、例えば、フリー
層１４と同様に一般的な強磁性材料、例えばニッケル、
鉄、コバルト、あるいはこれら少なくとも１種を含む合
金により構成され、その膜厚は薄い方が好ましい。磁化
方向被固定層１８は、フリー層１４と同一の強磁性材料
により構成されていてもよく、異なる強磁性材料により
構成されていてもよい。中でも、磁化方向被固定層１８
は、コバルトおよび鉄かななる群のうちの少なくともコ
バルトを含む強磁性材料により、約１ｎｍ〜３ｎｍの範
囲の膜厚で構成されることが好ましい。特に、コバルト
・鉄合金により構成される場合には、鉄を約２０質量％
以下の範囲、更には約１０質量％以下の範囲で含むもの
が好ましい。
【００３３】磁化方向固定作用層２０は、例えば、下記
の（１）または（２）に記載した材料を含むように構成
される。 （１）反強磁性硬磁性磁化方向固定作用材料 鉄・マンガン合金（ＦｅＭｎ）、ニッケル・マンガン合
金（ＮｉＭｎ）、白金・マンガン合金（ＰｔＭｎ）、イ
リジウム・マンガン合金（ＩｒＭｎ）、あるいはこれら
のうちのいずれかを含む反強磁性硬磁性磁化方向固定作
用材料など。なお、反強磁性硬磁性磁化方向固定作用を
有する材料であればこれらに限定されない。 （２）永久磁石硬磁性磁化方向固定作用材料 コバルト・白金合金（ＣｏＰｔ）、あるいはこれを含む
永久磁石硬磁性磁化方向固定作用材料など。なお、永久
磁石硬磁性磁化方向固定作用を有する材料であればこれ
らに限定されない。
【００３４】中でも、磁化方向固定作用層２０は、反強
磁性硬磁性磁化方向固定作用材料を含むように構成され
ることが好ましく、特に、白金・マンガン合金を含むよ
うに構成されることが好ましい。白金：マンガンの質量
比率は、約６０：４０〜４０：６０の範囲が好ましい。
磁化方向固定作用層２０の膜厚は、約１５ｎｍ〜３０ｎ
ｍの範囲が好ましい。
【００３５】保護層２２は、スペーサ層１６と同様の一
般的な非磁性導体材料により、あるいは保護層２２を通
って分路する電流を制限するためにより高抵抗の非磁性
導体材料により構成される。このような高抵抗の非磁性
導体材料としては、タンタル（Ｔａ）あるいはタンタル
を含むものなどが挙げられるが、これに限定されない。
具体的には、例えば、タンタルにより３ｎｍ〜１０ｎｍ
の範囲の膜厚、より好ましくは４ｎｍ〜６ｎｍの範囲の
膜厚で構成されることが好ましい。
【００３６】なお、保護層２２は、非磁性導体材料に代
えて、シード層１２と同様あるいは類似する材料により
構成されてもよい。すなわち、ニッケル・鉄・クロム合
金、ニッケル・クロム合金およびニッケル・クロム・銅
合金からなる群のうちのいずれかを含む材料により構成
されてもよい。この場合、保護層２２とシード層１２と
は、同一の材料により構成されてもよく、異なる材料に
より構成されてもよい。
【００３７】なお、保護層２２は、任意の構成要素であ
り、保護層２２の下に形成されている構造、すなわちシ
ード層１２から磁化方向固定作用層２０までの積層構造
の劣化を防止するための防壁として機能するものであ
る。
【００３８】磁気バイアス層２４Ａ，２４Ｂは、シード
層１２に沿ってリード層２６Ａ，２６Ｂの下に形成され
ている。磁気バイアス層２４Ａ，２４Ｂの膜厚は、例え
ば、約２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲が好ましい。磁気バイ
アス２４Ａ，２４Ｂは、例えば、磁化方向固定作用層２
０と同様のあるいは類似する材料により構成される。
【００３９】リード層２６Ａ，２６Ｂは、特に限定され
ないが、例えば、金、銀、銅、あるいはこれらの少なく
とも１種を含む合金などの一般的な導体材料により構成
される。具体的には、金とタンタルとの積層構造とされ
ることが好ましい。リード層２６Ａ，２６Ｂの膜厚は、
例えばエアベアリング面におけるトラック幅が０．５μ
ｍ〜１．５μｍの範囲である場合には、約２０ｎｍ〜８
０ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００４０】上述した各々の層は、ＳＶＧＭＲセンサ素
子の技術において一般的であるとされる方法により形成
することができる。
【００４１】このように本実施の形態によれば、ニッケ
ル・クロム合金、ニッケル・鉄・クロム合金およびニッ
ケル・クロム・銅合金からなる群のうちのいずれかを含
む材料よりなるシード層１２の上に、酸化ニッケル（I
I）あるいはα−酸化鉄（III）などを含む金属酸化物か
らなるバッファ層１３を形成し、この上に強磁性材料よ
りなるフリー層１４を形成するようにしたので、バッフ
ァ層１３とフリー層１４との界面における電子の反射率
を向上させることができ、良好な磁気抵抗感度を得るこ
とができる。
【００４２】なお、図１には明確に記載してないが、現
実に用いる際には、外部磁界の影響がない状態におい
て、磁化方向被固定層１８の磁化方向がフリー層１４の
磁化方向に対して垂直となるようにすることが好まし
い。例えば、フリー層１４の磁化方向は、エアベアリン
グ面に平行で、フリー層１４の長いほうの軸と合致する
ことが一般的であり、また望ましい。同時に、磁化方向
被固定層１８の磁化方向は、エアベアリング面に垂直で
あることが一般的であり、また望ましい。このような磁
化方向は、ＳＶＭＲセンサ素子の技術において一般的と
される方法、例えば磁界を印加した状態で熱アニール
（約２８０℃以下の温度で約５時間以内）する方法、あ
るいは磁界を印加した状態で蒸着する方法により得られ
うる。
【００４３】また、このＳＶＧＭＲセンサは、用いられ
る磁気データ記憶再生装置，磁気データ再生専用装置あ
るいは磁気変換装置において十分に機能するように、他
の一般的なあるいは更に改良された層あるいは構造を有
していてもよい。他の層あるいは構造としては、限定さ
れないが、例えば、シールド層、パッシベーション膜
（保護被膜）、配線層あるいは誘導型書き込み素子、ま
たはこれらの構造が挙げられる。このように、これらま
たは他の層あるいは構造を更に有するＳＶＧＭＲセンサ
により、磁気再生専用ヘッド、磁気記憶再生ヘッド、あ
るいはその他の磁気ヘッドは構成される。
【００４４】〔第２の実施の形態〕図２は本発明の第２
の実施の形態に係るＳＶＧＭＲセンサの構成を表すもの
である。このＳＶＧＭＲセンサは、第１の実施の形態の
バッファ層１３とフリー層１４との間に高伝導層３０が
介在していることを除いて、第１の実施の形態と同じ構
成を有している。従って、第１の実施の形態と同一構成
部分については、同一符号を付してその説明は省略す
る。また、表１に第１の実施の形態と第２の実施の形態
の構成を併せて示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】高伝導層３０は、例えば非磁性導体材料、
具体的には銅または銅・ニッケル合金（ＣｕＮｉ）を含
む材料により形成されることが好ましい。高伝導層３０
の膜厚は０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲であることが好まし
く、より具体的には高伝導層３０とバッファ層１３との
間の界面における電子の反射率に応じて好ましい範囲が
異なり、１ｎｍ〜３ｎｍの範囲あるいは０．５ｎｍ〜
１．５ｎｍの範囲であればより好ましい。この高伝導層
３０によってスピンフィルタ効果が生まれ、抵抗変化率
がより向上する。
【００４７】〔第３の実施の形態〕図３は本発明の第３
の実施の形態に係るＳＶＧＭＲセンサの磁化方向被固定
層１８の構成を表すものであり、（ａ）は図１に対応し
た積層構造を表し、（ｂ）は磁化方向被固定層１８の詳
細な構成を拡大して表している。このＳＶＧＭＲセンサ
は、磁化方向被固定層１８が、強磁性下部層１８Ａ，結
合層１８Ｂおよび強磁性上部層１８Ｃよりなる３層構造
を有することを除き、第１の実施の形態と同一の構成を
有している。よって、ここでは、同一の構成要素には同
一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、表
２に本実施の形態における磁化方向被固定層１８の構成
を示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】磁化方向被固定層１８は、強磁性下部層１
８Ａ、結合層１８Ｂ、強磁性上部層１８Ｃをスペーサ層
１６の側からこの順に積層した構造を有している。強磁
性下部層１８Ａおよび強磁性上部層１８Ｃは、コバルト
および鉄からなる群のうちの少なくともコバルトを含む
強磁性材料により形成され、その膜厚は、例えば、０．
５ｎｍ〜２ｎｍの範囲が好ましい。特に、コバルト・鉄
合金により構成される場合には、鉄を約５質量％〜３０
質量％の範囲で含むものが好ましい。また、第１の実施
の形態において説明した磁化方向被固定層１８を構成す
る他の材料により構成するようにしても良い。
【００５０】強磁性下部層１８Ａと強磁性上部層１８Ｃ
との間に介在する結合層１８Ｂは、例えば、その膜厚が
０．５ｎｍ〜１ｎｍであり、例えば、ルテニウムを含む
非磁性材料により構成されている。この結合層１８Ｂ
は、強磁性下部層１８Ａと強磁性上部層１８Ｃとの間に
反強磁性交換結合を生じさせ、強磁性下部層１８Ａと強
磁性上部層１８Ｃに反平行磁気方向性を持たせる。すな
わち、磁化方向被固定層１８は、互いに反対向きの磁化
が併存するようになっている。ちなみに、「磁化が互い
に反対向き」と言うのは、上述したように、２つの磁化
の向きが１８０°±２０°異なる場合を含めて言う。な
お、図３（ｂ）に記載された矢印は、強磁性下部層１８
Ａおよび強磁性上部層１８Ｃのそれぞれの磁化の向きを
表しており、反平行磁気方向性の一例を示すものであ
る。
【００５１】このように結合層１８Ｂにより反平行磁気
方向性を持たせたＳＶＧＭＲセンサの一構成例を、限定
するものではないが以下に示す。下記の構成は、左側に
記載した層の上に右側に記載した層が積層されているこ
とを意味している。シード層１２（ＮｉＦｅＣｒ）／バ
ッファ層１３（α−Ｆｅ2 Ｏ3 ）／フリー 層１４（ＮｉＦｅ＋ＣｏＦｅ）／スペーサ層１６（Ｃ
ｕ）／強磁性下部層１８Ａ（ＣｏＦｅ）／結合層１８Ｂ
（Ｒｕ）／強磁性上部層１８Ｃ（ＣｏＦｅ）／磁化方向
固定作用層２０（ＰｔＭｎ）
【００５２】［模擬実験結果］図４はスピンフィルタ構
造を有するＳＶＧＭＲセンサの模擬実験結果による高伝
導層の厚さと抵抗変化率との関係を表すものであり、高
伝導層の下側の界面における電子の反射率ｐを変えた複
数の場合を表している。横軸は高伝導層の厚さ（単位は
ｎｍ）であり、縦軸は抵抗変化率（単位は％）である。
【００５３】図４において破線で示したｐ＝０．３の抵
抗変化率は、ＳＶＧＭＲセンサを下記のように構成した
場合のものである。 下地層（Ｔａ、厚さ５ｎｍ）／高伝導層／フリー層（Ｃ
ｏＦｅ、厚さ１ｎｍ）／スペーサ層（Ｃｕ、厚さ２．５
ｎｍ）／磁化方向被固定層（ＣｏＦｅ、厚さ２ｎｍ）／
磁化方向固定作用層（ＩｒＭｎ、厚さ５ｎｍ）／保護層
（Ｔａ、厚さ５ｎｍ） なお、この構成は、左側に記載した層の上に右側に記載
した層が積層されていることを意味しており、下地層と
いうのは、本発明におけるバッファ層の代わりに形成し
たものである。
【００５４】また、他の抵抗変化率は、上述した反射率
ｐ＝０．３のＳＶＧＭＲセンサにおいて下地層の構成を
変化させることにより、高伝導層の下側の界面、すなわ
ち高伝導層と下地層との界面における電子の反射率ｐを
変化させた場合のものである。
【００５５】図４に示したように、高伝導層の挿入によ
り抵抗変化率は大きく増大することが分かる。また、界
面における電子の反射率が大きい方が、抵抗変化率が大
きいことも分かる。すなわち、本実施の形態のように、
高伝導層を酸化ニッケル（II）あるいはα−酸化鉄（II
I）を含む金属酸化物よりなるバッファ層の上に形成す
るようにすれば、その界面における電子の反射率を大き
くすることができ、抵抗変化率を大きくできることが分
かる。
【００５６】なお、ここではＳＶＧＭＲセンサの一構成
例について模擬実験結果を説明したが、酸化ニッケル
（II）あるいはα−酸化鉄（III）を含む金属酸化物よ
りなるバッファ層１３と、強磁性材料よりなるフリー層
１４との間に、銅あるいは銅・ニッケル合金を含む材料
よりなる高伝導層３０を介在させるようにすれば、上述
した他の好ましい構成を有するようにしても、同様の結
果を得ることができる。高伝導層３０の膜厚は例えば
０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲あるいは１ｎｍ〜３ｎｍ
の範囲が好ましい。
【００５７】このようにスピンフィルタ構造を有するＳ
ＶＧＭＲセンサの構成例（１）、（２）を、限定するも
のではないが以下に示す。下記の構成は、左側に記載し
た層の上に右側に記載した層が積層されていることを意
味している。 （１）シード層１２（ＮｉＦｅＣｒ）／バッファ層１３
（ＮｉＯ）／高伝導層（Ｃｕ）／フリー層１４（ＣｏＦ
ｅ）／スペーサ層１６（Ｃｕ）／磁化方向被固定層１８
（ＣｏＦｅ）／磁化方向固定作用層２０（ＰｔＭｎ） （２）シード層１２（ＮｉＦｅＣｒ）／バッファ層１３
（α−Ｆｅ2 Ｏ3 ）／高伝導層（Ｃｕ）／フリー層１４
（ＣｏＦｅ）／スペーサ層１６（Ｃｕ）／磁化方向被固
定層１８（ＣｏＦｅ）／磁化方向固定作用層２０（Ｐｔ
Ｍｎ）
【００５８】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、シード層１２の上に金属酸化物からなるバッファ層
１３が形成され、その上に強磁性のフリー層１４が形成
されているというように各層について説明したが、それ
らの層の直接上のみを意味するのではなく、一般的に
は、それらの層の上方に位置する場合を広く含んでい
る。例えば、上記実施の形態においても説明したよう
に、バッファ層１３とフリー層１４との間に高伝導層３
０が介在したり、磁化方向被固定層１８に反平行磁気方
向性を持たせるための結合層１８Ｂが挿入されるなど、
他の層が間に介在するように形成される場合もある。
【００５９】また、本発明は、ＳＶＧＭＲセンサ素子に
限定されず、単純なＳＶＭＲセンサ、反平行磁気方向性
を有するように構成されたＧＭＲセンサ、スピンフィル
タ構造を有するＧＭＲセンサ、およびスピンフィルタ構
造と反平行磁気方向性とを有するように構成されたＧＭ
Ｒセンサなどの各種ＧＭＲセンサに適用される。
【００６０】更に、上記実施の形態では、デジタル式の
磁気データ記憶再生装置あるいは磁気データ再生専用装
置であるダイレクトアクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）に用
いる場合について具体的に説明したが、他のデジタル式
の磁気データ記憶再生装置，磁気データ再生専用装置あ
るいは他の磁気変換装置、またはアナログ式の磁気デー
タ記憶再生装置，磁気データ再生専用装置あるいは他の
磁気変換装置についても同様に用いることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上のように本発明の磁気抵抗変換素子
あるいはその製造方法によれば、ニッケル・クロム合
金、ニッケル・鉄・クロム合金およびニッケル・クロム
・銅合金からなる群のうちのいずれかを含む材料よりな
るシード層の上に、酸化ニッケル（II）あるいはα−酸
化鉄（III）を含む金属酸化物からなるバッファ層を形
成し、この上に強磁性材料よりなるフリー層を形成する
ようにしたので、バッファ層とフリー層との界面におけ
る電子の反射率を向上させることができ、良好な磁気抵
抗感度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＳＶＧＭＲセ
ンサの構成を表すエアベアリング面側から見た平面図で
ある。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るＳＶＧＭＲセ
ンサの構成を表すエアベアリング面側から見た平面図で
ある。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係るＳＶＧＭＲセ
ンサにおける磁化方向被固定層の構成を表す断面図であ
る。
【図４】模擬実験における高伝導層の厚さと抵抗変換率
との関係を表す特性図である。
【符号の説明】
１０…基体、１２…シード層、１３…バッファ層、１４
…フリー層、１６…スペーサ層、１８…磁化方向被固定
層、１８Ａ…強磁性下部層、１８Ｂ…結合層、１８Ｃ…
強磁性上部層、２０…磁化方向固定作用層、２２…保護
層、２４Ａ、２４Ｂ…磁気バイアス層、２６Ａ、２６Ｂ
…リード層、３０…高伝導層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/12 Ｈ０１Ｆ 10/14 10/14 10/16 10/16 10/18 10/18 10/30 10/30 10/32 10/32 Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 ベルナルド ディエニー フランス国 ラン オン バルコル 38250 アリー ド エラブレ 180 (72)発明者 マオ ミン チン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ ウッドビュー プレ ース 1025 (72)発明者 チン ホン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ カルカテッラ ドラ イブ 7174 (72)発明者 コウ ツァン ジー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フレモント ウッドサイド テラ ス 3535 (72)発明者 スモ リャオ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フレモント ベナベンテ アベニ ュー 39757

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に、ニッケル・クロム合金、ニッ
    ケル・クロム・銅合金およびニッケル・鉄・クロム合金
    からなる群のうちのいずれかを含む磁気抵抗感度を向上
    させる材料からなるシード層を形成する工程と、 前記シード層上に、酸化ニッケル（II）またはα−酸化
    鉄（III）を含む金属酸化物からなるバッファ層を形成
    する工程と、 前記バッファ層上に、強磁性のフリー層を形成する工程
    と、 前記フリー層上に、非磁性導体からなるスペーサ層を形
    成する工程と、 前記スペーサ層上に、強磁性の磁化方向被固定層を形成
    する工程と、 前記磁化方向被固定層上に、磁化方向固定作用層を形成
    する工程と、 前記磁化方向固定作用層上に、保護層を形成する工程と
    を含むことを特徴とする磁気抵抗変換素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記バッファ層上に高伝導層を形成した
    後、前記高伝導層上に前記強磁性のフリー層を形成する
    工程を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗変
    換素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記高伝導層を銅または銅・ニッケル合
    金を含む材料形成する共に、その膜厚を０．５ｎｍ〜３
    ｎｍの範囲とすることを特徴とする請求項２記載の磁気
    抵抗変換素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記磁化方向被固定層を、強磁性下部
    層、非磁性の導体からなる結合層および強磁性上部層の
    ３層構造として、前記結合層により、前記強磁性下部層
    と前記強磁性上部層との間に反強磁性交換結合を生じさ
    せることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗変換素子
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記強磁性下部層および前記強磁性上部
    層を、コバルトおよび鉄からなる群のうちの少なくとも
    コバルトを含む強磁性材料により形成し、その膜厚を
    ０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲とすると共に、 前記結合層をルテニウムを含む非磁性材料により形成
    し、その膜厚を０．５ｎｍ〜１ｎｍの範囲とすることを
    特徴とする請求項４記載の磁気抵抗変換素子の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 前記シード層を、ニッケル・鉄・クロム
    合金を含む材料により形成することを特徴とする請求項
    １記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記バッファ層を、α−酸化鉄（III）
    を含む金属酸化物により形成すると共に、その膜厚を
    ０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲とすることを特徴とする
    請求項１記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記フリー層を、コバルトおよび鉄から
    なる群のうちの少なくともコバルトを含む単層構造、あ
    るいはニッケルおよび鉄からなる群のうちの少なくとも
    ニッケルを含む単層構造、あるいはコバルトおよび鉄か
    らなる群のうちの少なくともコバルトを含む層とニッケ
    ルおよび鉄からなる群のうちの少なくともニッケルを含
    む層との積層構造とすることを特徴とする請求項１記載
    の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記スペーサ層を、銅により形成すると
    共に、その膜厚を２ｎｍ〜３ｎｍの範囲とすることを特
    徴とする請求項１記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記フリー層および前記磁化方向被固
    定層を、ニッケル，鉄およびコバルトからなる群のうち
    の少なくとも１種を含む強磁性材料によりそれぞれ形成
    することを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗変換素子
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記磁化方向被固定層を、コバルトお
    よび鉄からなる群のうちの少なくともコバルトを含む強
    磁性材料により形成し、その膜厚を１ｎｍ〜３ｎｍの範
    囲とすることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗変換
    素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記磁化方向固定作用層を、白金・マ
    ンガン合金、イリジウム・マンガン合金、ニッケル・マ
    ンガン合金および鉄・マンガン合金からなる群のうちの
    いずれかを含む材料により形成することを特徴とする請
    求項１記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記保護層を、ニッケル・鉄・クロム
    合金、ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・銅合
    金およびタンタルからなる群のうちのいずれかを含む材
    料により形成することを特徴とする請求項１記載の磁気
    抵抗変換素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 スピンバルブ構造、スピンフィルタ構
    造、あるいは反平行磁気方向性を有する構造のうちの少
    なくとも１を備えるように形成することを特徴とする請
    求項１記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 基体上に、ニッケル・クロム合金、ニ
    ッケル・クロム・銅合金およびニッケル・鉄・クロム合
    金からなる群のうちのいずれかを含む磁気抵抗感度を向
    上させる材料からなるシード層を形成する工程と、前記
    シード層上に、酸化ニッケル（II）またはα−酸化鉄
    （III）を含む金属酸化物からなるバッファ層を形成す
    る工程と、 前記バッファ層上に、高伝導層を形成する工程と、 前記高伝導層上に、強磁性のフリー層を形成する工程
    と、 前記フリー層上に、非磁性の導体からなるスペーサ層を
    形成する工程と、 前記スペーサ上に、強磁性の磁化方向被固定層を形成す
    る工程と、 前記被固定層上に、磁化方向固定作用層を形成する工程
    と、 前記磁化方向固定作用層上に、保護層を形成する工程と
    を含むことを特徴とする磁気抵抗変換素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記高伝導層を、銅または銅・ニッケ
    ル合金を含む材料により形成すると共に、その膜厚を
    ０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲とすることを特徴とする請求
    項１５記載の磁気抵抗変換素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記磁化方向被固定層を、強磁性下部
    層、非磁性の導体からなる結合層および強磁性上部層の
    ３層構造として、前記結合層により、前記強磁性下部層
    と前記強磁性上部層との間に反強磁性交換結合を生じさ
    せることを特徴とする請求項１５記載の磁気抵抗変換素
    子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 基体上に設けられると共に、ニッケル
    ・クロム合金、ニッケル・クロム・銅合金およびニッケ
    ル・鉄・クロム合金からなる群のうちのいずれかを含む
    磁気抵抗感度を向上させる材料からなるシード層と、 このシード層上に設けられ、酸化ニッケル（II）または
    α−酸化鉄（III）を含む金属酸化物からなるバッファ
    層と、 このバッファ層上に設けられた強磁性のフリー層と、 このフリー層上に設けられた非磁性の導体からなるスペ
    ーサ層と、 このスペーサ層上に設けられた強磁性の磁化方向被固定
    層と、 この磁化方向被固定層上に設けられた磁化方向固定作用
    層と、 この磁化方向固定作用層上に設けられた保護層とを備え
    たことを特徴とする磁気抵抗変換素子。
  19. 【請求項１９】 前記バッファ層と前記フリー層との間
    に、高伝導層を備えたことを特徴とする請求項１８記載
    の磁気抵抗変換素子。
  20. 【請求項２０】 前記高伝導層は、銅または銅・ニッケ
    ル合金を含む材料よりなることを特徴とする請求項１９
    記載の磁気抵抗変換素子。
  21. 【請求項２１】 前記磁化方向被固定層は、強磁性下部
    層、非磁性の導体からなる結合層および強磁性上部層の
    ３層構造を有し、前記結合層により、前記強磁性下部層
    と前記強磁性上部層との間に反強磁性交換結合を生じる
    ことを特徴とする請求項１８記載の磁気抵抗変換素子。
  22. 【請求項２２】 前記強磁性下部層および前記強磁性上
    部層は、コバルトおよび鉄からなる群のうちの少なくと
    もコバルトを含む強磁性材料よりなり、その膜厚は０．
    ５ｎｍ〜２ｎｍの範囲であると共に、 前記結合層はルテニウムを含む非磁性材料よりなり、そ
    の膜厚は０．５ｎｍ〜１ｎｍの範囲であることを特徴と
    する請求項２１記載の磁気抵抗変換素子。
  23. 【請求項２３】 前記シード層は、ニッケル・鉄・クロ
    ム合金を含む材料よりなることを特徴とする請求項１８
    記載の磁気抵抗変換素子。
  24. 【請求項２４】 前記バッファ層はα−酸化鉄（III）
    を含む金属酸化物よりなると共に、その膜厚は０．５ｎ
    ｍ〜１．５ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１
    ８記載の磁気抵抗変換素子。
  25. 【請求項２５】 前記フリー層は、コバルトおよび鉄か
    らなる群のうちの少なくともコバルトを含む単層構造、
    あるいはニッケルおよび鉄からなる群のうちの少なくと
    もニッケルを含む単層構造、あるいはコバルトおよび鉄
    からなる群のうちの少なくともコバルトを含む層とニッ
    ケルおよび鉄からなる群のうちの少なくともニッケルを
    含む層との積層構造を有することを特徴とする請求項１
    ８記載の磁気抵抗変換素子。
  26. 【請求項２６】 前記スペーサ層は銅よりなると共に、
    その膜厚は２ｎｍ〜３ｎｍの範囲であることを特徴とす
    る請求項１８記載の磁気抵抗変換素子。
  27. 【請求項２７】 前記フリー層および前記磁化方向被固
    定層は、それぞれニッケル，鉄およびコバルトからなる
    群のうちの少なくとも１種を含む強磁性材料よりなるこ
    とを特徴とする請求項１８記載の磁気抵抗変換素子。
  28. 【請求項２８】 前記磁化方向被固定層は、コバルトお
    よび鉄からなる群のうちの少なくともコバルトを含む強
    磁性材料よりなり、その膜厚は１ｎｍ〜３ｎｍの範囲で
    あることを特徴とする請求項１８記載の磁気抵抗変換素
    子。
  29. 【請求項２９】 前記磁化方向固定作用層は、白金・マ
    ンガン合金、イリジウム・マンガン合金およびニッケル
    ・マンガン合金および鉄・マンガン合金からなる群のう
    ちのいずれかを含む材料よりなることを特徴とする請求
    項１８記載の磁気抵抗変換素子。
  30. 【請求項３０】 前記保護層は、ニッケル・鉄・クロム
    合金、ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・銅合
    金およびタンタルからなる群のうちのいずれかを含む材
    料よりなることを特徴とする請求項１８記載の磁気抵抗
    変換素子。
JP2000356782A 1999-11-22 2000-11-22 磁気抵抗変換素子およびその製造方法 Pending JP2001230471A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/443447 1999-11-22
US09/443,447 US6770382B1 (en) 1999-11-22 1999-11-22 GMR configuration with enhanced spin filtering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001230471A true JP2001230471A (ja) 2001-08-24

Family

ID=23760848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000356782A Pending JP2001230471A (ja) 1999-11-22 2000-11-22 磁気抵抗変換素子およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6770382B1 (ja)
JP (1) JP2001230471A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004010443A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Honeywell International Inc. Enhanced giant magnetoresistance device and method
JP2004253807A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Headway Technologies Inc Ｍｔｊ素子、ｍｔｊ素子アレイ、ならびにｍｔｊ素子の製造方法
FR2860333A1 (fr) * 2003-09-26 2005-04-01 Anelva Corp Film multicouche magnetoresistif
JP2005523575A (ja) * 2002-04-18 2005-08-04 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト Ｍｒａｍ加工におけるトンネル接合部キャップ層、トンネル接合部ハードマスク、およびトンネル接合部スタック種膜の材質の組み合わせ
FR2868194A1 (fr) * 2003-10-16 2005-09-30 Anelva Corp Procede et dispositif pour la fabrication d'un film multicouche magnetoresistif avec utilisation d'oxygene
US7198818B2 (en) 2002-12-03 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors
US7243412B2 (en) * 2000-11-08 2007-07-17 Sony Corporation Method of manufacturing a magnetic head using a magneto-resistive effect
US7253995B2 (en) 2003-10-28 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Magnetic head and magnetic recording/reproducing device
US7280322B2 (en) 2003-05-22 2007-10-09 Hitachi, Ltd. Magnetic sensor and magnetic head with the magnetic sensor
JP2012119518A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Denso Corp 回転角センサ
US9804234B2 (en) 2014-01-09 2017-10-31 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with an improved seed layer to promote an improved response to magnetic fields
US9812637B2 (en) 2015-06-05 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
US10620279B2 (en) 2017-05-19 2020-04-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US11022661B2 (en) 2017-05-19 2021-06-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US11719771B1 (en) 2022-06-02 2023-08-08 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6770382B1 (en) * 1999-11-22 2004-08-03 Headway Technologies, Inc. GMR configuration with enhanced spin filtering
US6867951B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Spin valve magnetic properties with oxygen-rich NiO underlayer
JP3958947B2 (ja) * 2001-09-14 2007-08-15 アルプス電気株式会社 磁気検出素子及びその製造方法
US6581272B1 (en) * 2002-01-04 2003-06-24 Headway Technologies, Inc. Method for forming a bottom spin valve magnetoresistive sensor element
JP2003203312A (ja) * 2002-01-10 2003-07-18 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果型ヘッドおよび情報再生装置
US6779248B2 (en) * 2002-03-07 2004-08-24 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing a lead overlay bottom spin valve with improved side reading
JP4382333B2 (ja) * 2002-03-28 2009-12-09 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
JP2004303309A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法
US8104166B1 (en) * 2003-12-19 2012-01-31 Western Digital (Fremont), Llc Self-aligned method for fabricating a high density GMR read element
US7390530B2 (en) * 2004-11-30 2008-06-24 Headway Technologies, Inc. Structure and process for composite free layer in CPP GMR device
US7417832B1 (en) 2005-04-26 2008-08-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetoresistive structure having a novel specular and filter layer combination
JP4786331B2 (ja) 2005-12-21 2011-10-05 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法
US7684160B1 (en) 2006-02-06 2010-03-23 Western Digital (Fremont), Llc Magnetoresistive structure having a novel specular and barrier layer combination
JP4514721B2 (ja) 2006-02-09 2010-07-28 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置
JP2007299880A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4550777B2 (ja) 2006-07-07 2010-09-22 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気メモリ
JP5044157B2 (ja) * 2006-07-11 2012-10-10 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気再生装置
JP2008085202A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置
JP4388093B2 (ja) 2007-03-27 2009-12-24 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置
US7639005B2 (en) * 2007-06-15 2009-12-29 Advanced Microsensors, Inc. Giant magnetoresistive resistor and sensor apparatus and method
US20090034321A1 (en) * 2007-08-01 2009-02-05 Honeywell International Inc. Magnetoresistive Element with a Biasing Layer
JP5361201B2 (ja) * 2008-01-30 2013-12-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP5150284B2 (ja) 2008-01-30 2013-02-20 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
US8542009B2 (en) * 2008-05-14 2013-09-24 Koninklijke Philips N. V. Oxygen concentration measurement with GMR
JP5039007B2 (ja) 2008-09-26 2012-10-03 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
JP5039006B2 (ja) 2008-09-26 2012-10-03 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置
JP2010080839A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置
US8018691B2 (en) * 2008-10-20 2011-09-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP dual free layer magnetoresistive head for magnetic data storage
TWI510768B (zh) * 2011-06-21 2015-12-01 Ind Tech Res Inst 力感測裝置及其力感測系統
KR102465539B1 (ko) 2015-09-18 2022-11-11 삼성전자주식회사 자기 터널 접합 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그의 형성 방법
WO2017171869A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Texture breaking layer to decouple bottom electrode from pmtj device
CN110416405A (zh) * 2019-08-05 2019-11-05 杭州电子科技大学 一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5780176A (en) 1992-10-30 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
JP2778626B2 (ja) 1995-06-02 1998-07-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
US5843589A (en) 1995-12-21 1998-12-01 Hitachi, Ltd. Magnetic layered material, and magnetic sensor and magnetic storage/read system based thereon
US5668688A (en) 1996-05-24 1997-09-16 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Current perpendicular-to-the-plane spin valve type magnetoresistive transducer
US6175477B1 (en) * 1997-12-05 2001-01-16 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
US6303218B1 (en) * 1998-03-20 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element
US6181534B1 (en) * 1998-11-09 2001-01-30 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with specular reflection of conduction electrons
US6222707B1 (en) * 1998-12-28 2001-04-24 Read-Rite Corporation Bottom or dual spin valve having a seed layer that results in an improved antiferromagnetic layer
JP2002542617A (ja) * 1999-04-20 2002-12-10 シーゲイト テクノロジー エルエルシー Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔピン化層とＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒシード層を有する巨大磁気抵抗センサー
US6219210B1 (en) * 1999-07-30 2001-04-17 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nickel oxide pinning layer on a chromium seed layer
US6292336B1 (en) * 1999-09-30 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6770382B1 (en) * 1999-11-22 2004-08-03 Headway Technologies, Inc. GMR configuration with enhanced spin filtering
US6306266B1 (en) * 2000-05-17 2001-10-23 International Business Machines Corporation Method of making a top spin valve sensor with an in-situ formed seed layer structure for improving sensor performance

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7243412B2 (en) * 2000-11-08 2007-07-17 Sony Corporation Method of manufacturing a magnetic head using a magneto-resistive effect
JP2005523575A (ja) * 2002-04-18 2005-08-04 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト Ｍｒａｍ加工におけるトンネル接合部キャップ層、トンネル接合部ハードマスク、およびトンネル接合部スタック種膜の材質の組み合わせ
WO2004010443A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Honeywell International Inc. Enhanced giant magnetoresistance device and method
US7426097B2 (en) 2002-07-19 2008-09-16 Honeywell International, Inc. Giant magnetoresistive device with buffer-oxide layer between seed and ferromagnetic layers to provide smooth interfaces
US7198818B2 (en) 2002-12-03 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors
CN100409314C (zh) * 2002-12-03 2008-08-06 日立环球储存科技荷兰有限公司 磁阻传感器上自对准反射/保护覆盖层的制造及该传感器
JP2004253807A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Headway Technologies Inc Ｍｔｊ素子、ｍｔｊ素子アレイ、ならびにｍｔｊ素子の製造方法
US7280322B2 (en) 2003-05-22 2007-10-09 Hitachi, Ltd. Magnetic sensor and magnetic head with the magnetic sensor
FR2860333A1 (fr) * 2003-09-26 2005-04-01 Anelva Corp Film multicouche magnetoresistif
FR2868194A1 (fr) * 2003-10-16 2005-09-30 Anelva Corp Procede et dispositif pour la fabrication d'un film multicouche magnetoresistif avec utilisation d'oxygene
US7253995B2 (en) 2003-10-28 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Magnetic head and magnetic recording/reproducing device
JP2012119518A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Denso Corp 回転角センサ
US9804234B2 (en) 2014-01-09 2017-10-31 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with an improved seed layer to promote an improved response to magnetic fields
US9922673B2 (en) 2014-01-09 2018-03-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
US10347277B2 (en) 2014-01-09 2019-07-09 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
US9812637B2 (en) 2015-06-05 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
US10620279B2 (en) 2017-05-19 2020-04-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US11002807B2 (en) 2017-05-19 2021-05-11 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US11022661B2 (en) 2017-05-19 2021-06-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US11719771B1 (en) 2022-06-02 2023-08-08 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

Also Published As

Publication number Publication date
US20040170867A1 (en) 2004-09-02
US6770382B1 (en) 2004-08-03
US6882509B2 (en) 2005-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001230471A (ja) 磁気抵抗変換素子およびその製造方法
JP3327375B2 (ja) 磁気抵抗効果型トランスデューサ、その製造方法及び磁気記録装置
JP4421822B2 (ja) ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法
US6888703B2 (en) Multilayered structures comprising magnetic nano-oxide layers for current perpindicular to plane GMR heads
US6292336B1 (en) Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6633464B2 (en) Synthetic antiferromagnetic pinned layer with Fe/FeSi/Fe system
JP5209860B2 (ja) スピンバルブ構造およびその形成方法ならびにｃｐｐ−ｇｍｒ再生ヘッド
US7417832B1 (en) Magnetoresistive structure having a novel specular and filter layer combination
US6724585B2 (en) Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect
US8014109B2 (en) Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with antiparallel-pinned layer containing silicon
US6636389B2 (en) GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers
US7599157B2 (en) Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with high-resistivity amorphous ferromagnetic layers
EP1850144A1 (en) Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with antiparallel-free layer structure and low current-induced noise
JP2008060202A (ja) Ｃｐｐ構造の磁気抵抗効果素子の製造方法。
US6545848B1 (en) Magnetic transducer, thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP2000215415A (ja) 磁気抵抗効果素子
JP4690675B2 (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置
JP5259909B2 (ja) ボトムスピンバルブ型センサおよび対称性デュアルスピンバルブ型センサならびにそれらの形成方法
JP3181525B2 (ja) スピンバルブ型薄膜素子及び前記スピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド
JPH11259820A (ja) 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド
JP2001177163A (ja) 磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド
US6947261B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
KR100849430B1 (ko) 자기저항효과막
JP2000340857A (ja) 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子
JPH11306521A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080619

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090224