JP2001230323A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001230323A5
JP2001230323A5 JP2000035267A JP2000035267A JP2001230323A5 JP 2001230323 A5 JP2001230323 A5 JP 2001230323A5 JP 2000035267 A JP2000035267 A JP 2000035267A JP 2000035267 A JP2000035267 A JP 2000035267A JP 2001230323 A5 JP2001230323 A5 JP 2001230323A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
analysis
layout
area ratio
width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000035267A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4018309B2 (ja
JP2001230323A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2000035267A priority Critical patent/JP4018309B2/ja
Priority claimed from JP2000035267A external-priority patent/JP4018309B2/ja
Publication of JP2001230323A publication Critical patent/JP2001230323A/ja
Publication of JP2001230323A5 publication Critical patent/JP2001230323A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4018309B2 publication Critical patent/JP4018309B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2000035267A 2000-02-14 2000-02-14 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 Expired - Fee Related JP4018309B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000035267A JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2000-02-14 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000035267A JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2000-02-14 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005116149A Division JP2005294852A (ja) 2005-04-13 2005-04-13 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001230323A JP2001230323A (ja) 2001-08-24
JP2001230323A5 true JP2001230323A5 (enExample) 2005-09-22
JP4018309B2 JP4018309B2 (ja) 2007-12-05

Family

ID=18559491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000035267A Expired - Fee Related JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2000-02-14 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4018309B2 (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4497791B2 (ja) * 2002-05-09 2010-07-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
JP2004022823A (ja) 2002-06-17 2004-01-22 Fujitsu Ltd シミュレーション方法及び装置並びにコンピュータプログラム
KR101547077B1 (ko) 2003-04-09 2015-08-25 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4244771B2 (ja) * 2003-05-29 2009-03-25 パナソニック株式会社 フォーカスずれ量の測定方法および露光方法
TWI511179B (zh) 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI494972B (zh) 2004-02-06 2015-08-01 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
JP4509703B2 (ja) 2004-09-01 2010-07-21 富士通株式会社 配線容量算出装置、配線容量算出方法および配線容量算出プログラム
KR101524964B1 (ko) 2005-05-12 2015-06-01 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
WO2006127408A2 (en) * 2005-05-20 2006-11-30 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for increased accuracy for extraction of electrical parameters
JP4718914B2 (ja) 2005-06-28 2011-07-06 株式会社東芝 半導体集積回路の設計支援システム、半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計支援プログラム、半導体集積回路の製造方法
TW200721260A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Nikon Corp Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask and device manufacturing method
US7713889B2 (en) 2005-11-16 2010-05-11 Nikon Corporation Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask, and device manufacturing method
JP4627268B2 (ja) 2006-02-21 2011-02-09 富士通株式会社 3次元デバイスシミュレーションプログラムおよび3次元デバイスシミュレーションシステム
JP5340534B2 (ja) * 2006-11-28 2013-11-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積回路のためのマスク・レイアウト設計方法およびプログラムならびに集積回路のマスク・レイアウトの最適化方法
JP4380729B2 (ja) 2007-05-24 2009-12-09 ソニー株式会社 パターン設計方法、パターン設計プログラムおよびパターン設計装置
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009217366A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Nec Electronics Corp 配線モデルライブラリ構築装置及び構築方法、レイアウトパラメータ抽出装置及び抽出方法
JP5011360B2 (ja) 2009-09-21 2012-08-29 株式会社東芝 フォトマスクの設計方法
CN102841500B (zh) * 2011-06-24 2015-04-15 台湾积体电路制造股份有限公司 用于双重图样化设计的掩模偏移感知rc提取
JP6491974B2 (ja) * 2015-07-17 2019-03-27 日立化成株式会社 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法
CN114707462B (zh) * 2022-04-18 2025-05-23 山东浪潮科学研究院有限公司 一种超导量子比特芯片制备方法及设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001230323A5 (enExample)
US8020121B2 (en) Layout method and layout apparatus for semiconductor integrated circuit
KR100826655B1 (ko) 광 근접 효과 보정 방법
US6298473B1 (en) Apparatus and method for inhibiting pattern distortions to correct pattern data in a semiconductor device
US9613177B2 (en) Methods of generating circuit layouts that are to be manufactured using SADP routing techniques
TWI256527B (en) Design pattern correction method, mask producing method and semiconductor device producing method
CN108957944B (zh) 使用骨架的基于规则的辅助特征放置
US20100223583A1 (en) Hierarchical feature extraction for electrical interaction calculations
CN105405117B (zh) 基于图像轮廓的角点提取方法及装置
JP4018309B2 (ja) 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
CN108663897A (zh) 光学邻近校正方法
JP2005181523A5 (enExample)
JP2003273221A (ja) 配線の遅延調整を可能にする集積回路のレイアウト方法及びそのプログラム
CN102385242A (zh) 掩膜版制作方法及系统
CN109254494A (zh) 一种光学邻近修正方法
CN108121843A (zh) Cmp缺陷预测方法和系统
US7784015B2 (en) Method for generating a mask layout and constructing an integrated circuit
CN111367149B (zh) 曲线图形光学邻近修正方法
CN100592494C (zh) 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法
CN111367148B (zh) 曲线图形光学邻近修正方法
KR100924335B1 (ko) 멀티 도즈 시뮬레이션을 이용한 광근접보정 방법
JP2011028120A (ja) パタン作成方法、パタン作成プログラムおよび半導体デバイスの製造方法
CN108875200B (zh) 通用型wpe优化模型及其提取方法
TW200605161A (en) Design pattern correcting method, process proximity effect correcting method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method and program
US7281224B2 (en) Wide geometry recognition by using circle-tangent variable spacing model