JP4627268B2 - 3次元デバイスシミュレーションプログラムおよび3次元デバイスシミュレーションシステム - Google Patents
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Description
2次元データであるマスクデータに対して高さ方向に変形を加えて3次元形状を生成し、構造を反映した知識情報を用いてさらにこれに変形を加えることにより、2次元のマスクデータから半導体素子の特性シミュレートを行うためのパラメータを正確に抽出できるような正しい3次元形状を生成する技術が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。
従来のMEMS用のシミュレーションシステムは、図18の(A)に示したような単純な形状のマスクを押し出して、(B)に示したような単純な3次元形状のモデルを生成するものである。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、マイクロ/ナノデバイスの3次元形状モデルを生成する際に、マスクエッジ部分の断面形状を指定することにより、マスクを使って複雑な3次元形状を簡単に生成することが可能な3次元デバイスシミュレーションプログラムおよび3次元デバイスシミュレーションシステムを提供することを目的とする。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明の3次元デバイスシミュレーションプログラムは、マスクデータを用いてデバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションシステムに実行させるためのコンピュータ実行可能な3次元デバイスシミュレーションプログラムであって、マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する手順と、前記マスクデータと入力された断面形状情報とに基づいて、前記3次元モデルを算出する手順とを実行させるための3次元デバイスシミュレーションプログラムである。
また、本発明の一態様によれば、本発明の3次元デバイスシミュレーションシステムは、マスクデータを用いてデバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションシステムであって、マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する断面形状入力手段と、前記マスクデータと前記断面形状入力手段によって入力された断面形状情報とに基づいて、前記3次元モデルを算出する3次元モデル算出手段とを備えることを特徴とする。
図1は、簡易的なモデル生成の方法を説明するための図である。
デバイスは複数の製造プロセスを経て多層の薄膜構造が形成される。例えば図1の(A)に示したように、第1のプロセスにおいて、下地層11に対して第1のマスクパターンを押し出すと第1のモデル13が生成され、図1の(B)に示したように、第2のプロセスにおいて、第1のモデル13に重ねて第2のマスクパターン14を押し出すと第2のモデル15が生成される。このように、レジストなどの一時的な膜を除けば、デバイスの最終形状の概略は図1の(B)に示すようにマスクパターンのパターン形状とその膜厚とから簡易的に構成することができる。この場合、第1のモデル13や第2のモデル15のマスクエッジ部分は理想的な垂直な側面になるが、実際のデバイスでは製造プロセスの特性により様々な形状のマスクエッジ部分を有するモデルが生成される。
上述したように、実際のデバイスは様々な形状のマスクエッジ部分を有している。このマスクエッジ部分の形状を再現するため、本発明では、マスクエッジ部分の断面形状を指定し、この断面形状に基づいてマスクエッジ部分の3次元形状を生成する。これにより、わずかな工数で、任意のマスクエッジ形状を持つ3次元デバイスモデルを生成できるようになる。
図3において、3次元デバイスシミュレーションシステム30は、モデルの生成条件を設定・入力する計算条件入力部31と、モデルの形状を計算する形状計算部32と、計算結果を出力する計算結果出力部33とを備えている。また、計算条件入力部31は、データ入力部311と断面形状設定部312と計算環境設定部313とを備え、計算結果出力部33は、形状表示部331を備えている。
図4は、3次元デバイスシミュレーションシステムにおいて実行される3次元デバイスシミュレーション処理の流れを示すフローチャートである。
図5は、入力されるマスクデータの例を示す図である。
図4の説明に戻り、ステップS42において、データ入力311が、プロセス数、プロセス種類、膜厚等の製造プロセスデータ35を入力して膜厚を設定する。
図6において、入力されるプロセスデータはプロセス数が「7」であり、例えば下地層(BASE)の上に第1層として押し出すマスクパターン(番号:1)は、プロセス種類が「デポジション」、膜厚が「0.3mm」である。
図7において、断面形状は2次関数y=−a×x2を使って表され、パラメータaを変えることで断面形状の傾きを変えることができる。また、断面形状データ36として、断面写真から画像処理により輪郭を抽出し、その輪郭データを指定することで、正確な断面形状の入力・設定することもできる。
そして、ステップS45において、サブルーチン「デバイス形状の計算」が実行される。
サブルーチン「デバイス形状の計算」は、「マスクエッジ部分の形状の計算」と「マスク内側領域の形状の計算」との2つの計算により行われる。
図9は、サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の流れを示すフローチャートであり、図10は、サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の概要を説明するための図である。
xy平面上にエッジE1とエッジE2とを投影し、これら2本のエッジ(エッジE1とエッジE2)で囲まれる矩形範囲内に格子点Gij(0≦i<m,0≦j<n)を配置する(図11参照。)。そして、格子点Gijに対して、下地層11の表面上の位置を(xB,yB,zB)とし、スロープ高さをzS=F(yB)とすると、格子点Gijの真上のエッジスロープ位置は、(xB,yB,zB+zS)となる。なお、断面形状は、z=F(y)で表現でき、y=WがエッジE1の位置であり、y=0がエッジE2の位置である(図12参照。)。
なお、実際に製造したデバイスの形状は、様々な要因によってバラツキが生じる。これを表現するために、デバイスの形状の表面にランダムな凹凸を生成するようにする。凹みの深さ、凸部の高さ、凹凸の密度は事前に設定する。さらに、他のバラツキとして、規則性のあるバラツキがある。例えば、デバイスの右側(内側)のマスクエッジと左側(外側)のマスクエッジで断面形状が異なることがある。これを表現するために、マスクパターンのエッジ位置とそれに対する断面形状とを指定できるようにする。
図13、図14および図15は、モデルの角部の生成方法を説明するための図である。
図13に示したように、マスクエッジとマスクエッジとが交差するモデルの角部に対して、その形状生成方法を指定できるようにする。
マスクデータを用いてデバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションシステムに実行させるためのコンピュータ実行可能な3次元デバイスシミュレーションプログラムであって、
マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する手順と、
前記マスクデータと入力された断面形状情報とに基づいて、前記3次元モデルを算出する手順と、
を実行させるための3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記2)
前記断面形状情報は、前記エッジ部分の断面形状を関数で表現し、前記関数のパラメータを指定することにより前記断面形状情報を入力することを特徴とする付記1に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記3)
前記断面形状情報は、前記エッジ部分の断面形状を断面写真から抽出した輪郭データを使用することを特徴とする付記1に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記4)
さらに、前記エッジ部分の3次元形状として、凹凸のある表面形状を生成する手順と、
を備えることを特徴とする付記1乃至3の何れか1項に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記5)
前記断面形状情報は、位置によって異なる断面形状を指定できることを特徴とする付記1乃至4の何れか1項に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記6)
前記エッジ部分の角部分の形状として、前記角部分を中心とする半径方向の断面形状が、前記入力された断面形状となることを特徴とする付記1乃至5の何れか1項に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記7)
前記エッジ部分の角部分の形状として、前記エッジ部分の位置を前記マスクの平面内で移動させることにより生成される断面形状であることを特徴とする付記1乃至5の何れか1項に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
(付記8)
マスクデータを用いてデバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションシステムであって、
マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する断面形状入力手段と、
前記マスクデータと前記断面形状入力手段によって入力された断面形状情報とに基づいて、前記3次元モデルを算出する3次元モデル算出手段と、
を備えることを特徴とする3次元デバイスシミュレーションシステム。
11a 投影部
12 第1のマスクパターン
12a マスクエッジ
13 第1のモデル
14 第2のマスクパターン
15 第2のモデル
30 3次元デバイスシミュレーションシステム
31 計算条件入力部
32 形状計算部
33 計算結果出力部
34 マスクデータ
35 製造プロセスデータ
36 断面形状データ
37 モデルデータ
311 データ入力部
312 断面形状設定部
313 計算環境設定部
331 形状表示部
1601 CPU
1602 メモリ
1603 入力装置
1604 出力装置
1605 外部記録装置
1606 媒体駆動装置
1607 ネットワーク接続装置
1609 バス
1610 可搬記録媒体
1700 コンピュータ
1701 メモリ
1710 可搬記録媒体
1720 プログラム(データ)
Claims (5)
- デバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションプログラムであって、
コンピュータに、
前記デバイスの製造時に使われるマスクの位置データと該マスクのマスクエッジに対応する断面形状を示す断面形状情報と膜厚高さとを記憶する記憶部から読み出した該位置データから該マスクエッジを前記デバイスの下地層に投影した第1のエッジ位置を計算し、該第1のエッジ位置と該記憶部から読み出した該膜厚高さとから第2のエッジ位置を計算し、該第1のエッジ位置と該記憶部から読み出した該断面形状情報とから第3のエッジ位置を計算し、該第2のエッジ位置と該第3のエッジ位置と該断面形状情報とからエッジスロープ形状を得て前記3次元モデルを算出する処理、
を実行させるための3次元デバイスシミュレーションプログラム。 - 前記断面形状情報は、前記マスクエッジの断面形状を関数で表現し、前記関数のパラメータを指定することにより前記断面形状情報を入力することを特徴とする請求項1に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
- 前記断面形状情報は、前記マスクエッジの断面形状を断面写真から抽出した輪郭データを使用することを特徴とする請求項1に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。
- さらに、前記マスクエッジの3次元形状として、凹凸のある表面形状を生成する処理、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の3次元デバイスシミュレーションプログラム。 - デバイスの3次元モデルを生成する3次元デバイスシミュレーションシステムであって、
前記デバイスの製造時に使われるマスクの位置データと該マスクのマスクエッジに対応する断面形状を示す断面形状情報と膜厚高さとを記憶する記憶部から読み出した該位置データから該マスクエッジを前記デバイスの下地層に投影した第1のエッジ位置を計算し、該第1のエッジ位置と該記憶部から読み出した該膜厚高さとから第2のエッジ位置を計算し、該第1のエッジ位置と該記憶部から読み出した該断面形状情報とから第3のエッジ位置を計算し、該第2のエッジ位置と該第3のエッジ位置と該断面形状情報とからエッジスロープ形状を得て前記3次元モデルを算出する3次元モデル算出手段、
を備えることを特徴とする3次元デバイスシミュレーションシステム。
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