JP2001226173A - ハニカム構造体の製造方法 - Google Patents
ハニカム構造体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な圧縮強度を得ることができるととも
に、触媒担持性が良好なハニカム構造体の製造方法を提
供するものである。 【解決手段】 そのため、本発明は、コージェライトの
結晶相形成温度を下げる成分を溶媒に混合させた混合液
を準備し、該混合液を基体に付着させ、その後焼成する
というハニカム構造体の製造方法とするものである。
に、触媒担持性が良好なハニカム構造体の製造方法を提
供するものである。 【解決手段】 そのため、本発明は、コージェライトの
結晶相形成温度を下げる成分を溶媒に混合させた混合液
を準備し、該混合液を基体に付着させ、その後焼成する
というハニカム構造体の製造方法とするものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガス浄化装置の
触媒担体に用いられるコージェライトの結晶相を主成分
とするハニカム構造体の製造方法に関するものである。
触媒担体に用いられるコージェライトの結晶相を主成分
とするハニカム構造体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の排ガス浄化装置の触媒担体に用い
られるコージェライトの結晶相を主成分とするハニカム
構造体は、特開平6−165939号公報に示されるよ
うなハニカム構造体が知られていた。
られるコージェライトの結晶相を主成分とするハニカム
構造体は、特開平6−165939号公報に示されるよ
うなハニカム構造体が知られていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなコージェライトの結晶相を主成分とするハニカム構
造体では、前述の公報の図3にも示されるように、気孔
率が小である場合には、圧縮強度が強い反面、触媒担持
量が小となってしまい、また、気孔率が大である場合に
は、触媒担持量が多い反面、圧縮強度が弱くなってしま
うという関係がある。
うなコージェライトの結晶相を主成分とするハニカム構
造体では、前述の公報の図3にも示されるように、気孔
率が小である場合には、圧縮強度が強い反面、触媒担持
量が小となってしまい、また、気孔率が大である場合に
は、触媒担持量が多い反面、圧縮強度が弱くなってしま
うという関係がある。
【0004】そのため、圧縮強度が強く、かつ触媒担持
量が多いハニカム構造体を得ることは、容易なことでは
なかった。
量が多いハニカム構造体を得ることは、容易なことでは
なかった。
【0005】本発明は、上記問題点を鑑みたものであ
り、十分な圧縮強度を得ることができるとともに、触媒
担持性が良好なハニカム構造体の製造方法を提供するも
のである。
り、十分な圧縮強度を得ることができるとともに、触媒
担持性が良好なハニカム構造体の製造方法を提供するも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明において
は、主成分の化学成分が重量基準でSiO2が42〜5
6%,Al2O3が30〜42%,MgOが12〜18%
で結晶相の主成分がコージェライトとなる隔壁をハニカ
ム状に設けてなるハニカム構造体の製造方法において、
SiO2、Al2O3及びMgOを主成分とする基体を用
意し、該基体に対して、前記基体の焼成により形成され
る結晶相であるコージェライトの結晶相形成温度を下げ
る成分を溶媒に混合させた混合液を付着させ、その後、
焼成するハニカム構造体の製造方法を提供するものであ
る。
は、主成分の化学成分が重量基準でSiO2が42〜5
6%,Al2O3が30〜42%,MgOが12〜18%
で結晶相の主成分がコージェライトとなる隔壁をハニカ
ム状に設けてなるハニカム構造体の製造方法において、
SiO2、Al2O3及びMgOを主成分とする基体を用
意し、該基体に対して、前記基体の焼成により形成され
る結晶相であるコージェライトの結晶相形成温度を下げ
る成分を溶媒に混合させた混合液を付着させ、その後、
焼成するハニカム構造体の製造方法を提供するものであ
る。
【0007】上述のように、基体に対して、混合液を付
着させ、焼成することにより、触媒の担持性に起因する
気孔径が1μmより大なる気孔の全体割合を実質的に減
少させることなく、触媒の担持性に影響のない1μm以
下の気孔の全体割合を実質的に減少させることができ
る。
着させ、焼成することにより、触媒の担持性に起因する
気孔径が1μmより大なる気孔の全体割合を実質的に減
少させることなく、触媒の担持性に影響のない1μm以
下の気孔の全体割合を実質的に減少させることができ
る。
【0008】そのため、従来より、小なる気孔の全体割
合を低下させることができたので、全体の気孔率を低く
し強度を向上させることができるとともに、大なる気孔
の存在量の減少が実質的にないので、従来に比して、触
媒担持性を維持できたハニカム構造体を得ることができ
る。
合を低下させることができたので、全体の気孔率を低く
し強度を向上させることができるとともに、大なる気孔
の存在量の減少が実質的にないので、従来に比して、触
媒担持性を維持できたハニカム構造体を得ることができ
る。
【0009】この理由は明確ではないが、我々発明者ら
においては、焼成過程において、基体を構成する隔壁表
面において、コージェライトの結晶形成温度を下げたの
で、焼成時には、隔壁表面よりコージェライトの結晶相
が形成される。この時、隔壁におけるコージェライト結
晶の段階的な形成時に、小なる径を有する気孔が優先的
に消失するものと思われる。
においては、焼成過程において、基体を構成する隔壁表
面において、コージェライトの結晶形成温度を下げたの
で、焼成時には、隔壁表面よりコージェライトの結晶相
が形成される。この時、隔壁におけるコージェライト結
晶の段階的な形成時に、小なる径を有する気孔が優先的
に消失するものと思われる。
【0010】尚、前記焼成温度は、前記混合液付着前の
前記基体の焼成温度近傍とすることが好ましい。このよ
うに、焼成温度を前記基体の焼成温度近傍とすることに
より、より効果的に小なる径である気孔を減少させるこ
とができる。
前記基体の焼成温度近傍とすることが好ましい。このよ
うに、焼成温度を前記基体の焼成温度近傍とすることに
より、より効果的に小なる径である気孔を減少させるこ
とができる。
【0011】ここで、焼成温度近傍とは、実質的に基体
が焼成できればよい温度であればよく、理論的な焼成温
度でなければならないものではない。
が焼成できればよい温度であればよく、理論的な焼成温
度でなければならないものではない。
【0012】また、前記基体に対して、前記混合液は、
前記基体を構成する隔壁全表面積の80%以上に付着さ
せること、さらに好ましくは、隔壁全表面積の90%以
上に付着させることが好ましい。
前記基体を構成する隔壁全表面積の80%以上に付着さ
せること、さらに好ましくは、隔壁全表面積の90%以
上に付着させることが好ましい。
【0013】このように、基体の隔壁全表面積の80
%、好ましくは90%以上にあらかじめ混合液を付着焼
成させることにより、得られるハニカム構造体の略全体
にわたって、小なる気孔を減少でき、そのため強度が向
上されるとともに、触媒担持性の優れたハニカム構造体
を提供することができる。
%、好ましくは90%以上にあらかじめ混合液を付着焼
成させることにより、得られるハニカム構造体の略全体
にわたって、小なる気孔を減少でき、そのため強度が向
上されるとともに、触媒担持性の優れたハニカム構造体
を提供することができる。
【0014】また、上記ハニカム構造体に上記混合液を
付着させた後、余分に付着した混合液を除去する余剰液
除去工程を行うことが好ましい。
付着させた後、余分に付着した混合液を除去する余剰液
除去工程を行うことが好ましい。
【0015】この方法を採用することにより、ハニカム
構造体に対して、余分な混合液を除去させることができ
るので、略均一的に混合液を塗布することが可能とな
る。
構造体に対して、余分な混合液を除去させることができ
るので、略均一的に混合液を塗布することが可能とな
る。
【0016】さらに、上記混合液を付着させる基体は未
焼成の基体であり、かつ、上記混合液の上記溶媒は非水
溶性有機媒体であることが好ましい。
焼成の基体であり、かつ、上記混合液の上記溶媒は非水
溶性有機媒体であることが好ましい。
【0017】この方法によれば、混合液を塗布しようと
する基体が未焼成であるので、基体の焼成と同時に、所
望のハニカム構造を得ることができる。
する基体が未焼成であるので、基体の焼成と同時に、所
望のハニカム構造を得ることができる。
【0018】また、コージェライトの結晶相形成温度を
下げる成分は、コージェライトを構成する原料の一部で
ある、タルク,アルミナ,カオリンおよびこれらの混合
物である。ただし、これらすべてを混合することはな
い。また、コージェライトの不純物となる成分、鉄,チ
タンを用いてもよい。
下げる成分は、コージェライトを構成する原料の一部で
ある、タルク,アルミナ,カオリンおよびこれらの混合
物である。ただし、これらすべてを混合することはな
い。また、コージェライトの不純物となる成分、鉄,チ
タンを用いてもよい。
【0019】さらに、基体を焼成した後、焼成体とし、
この焼成体に対して、前記基体成分の少なくとも一部を
溶媒に混合させた原料混合液を付着させ、再度、焼成す
ることが好ましい。
この焼成体に対して、前記基体成分の少なくとも一部を
溶媒に混合させた原料混合液を付着させ、再度、焼成す
ることが好ましい。
【0020】この場合には、予め焼成体をkゐ性する隔
壁の小なる気孔中に、原料混合液を注入させ、焼成させ
ることにより、小なる気孔を減少させる。
壁の小なる気孔中に、原料混合液を注入させ、焼成させ
ることにより、小なる気孔を減少させる。
【0021】この方法によれば、すでに焼成した焼成体
に対し、混合液を塗布しているので、塗布する焼成体が
安定的であり、原料混合液の塗布工程を容易に行うこと
ができる。
に対し、混合液を塗布しているので、塗布する焼成体が
安定的であり、原料混合液の塗布工程を容易に行うこと
ができる。
【0022】
【発明の実施の形態】(実施形態例1)以下、本発明の
実施形態例にかかるハニカム構造体につき、図1〜図5
を用いて説明する。
実施形態例にかかるハニカム構造体につき、図1〜図5
を用いて説明する。
【0023】本実施形態のハニカム構造体1は、図1に
示すような主成分がコージェライトとなる円柱状のハニ
カム構造体1である。このハニカム構造体1は、円柱状
の周壁13内に、隔壁10をハニカム状に設けている。
尚、この隔壁10は、厚みが約100μmであり、かつ
一辺約1.27mmの四角形状のセル18を多数設けた
ものである。
示すような主成分がコージェライトとなる円柱状のハニ
カム構造体1である。このハニカム構造体1は、円柱状
の周壁13内に、隔壁10をハニカム状に設けている。
尚、この隔壁10は、厚みが約100μmであり、かつ
一辺約1.27mmの四角形状のセル18を多数設けた
ものである。
【0024】図1(b)は、ハニカム構造体1を横から
みた図である。
みた図である。
【0025】図2に示す如く、ハニカム構造体1は、排
ガス浄化装置6の内部に触媒を担持させた状態で設置さ
れる。そして、ハニカム構造体1の隔壁10により構成
されるセル18内に、排ガス8を通過させることによ
り、排ガスを浄化させている。
ガス浄化装置6の内部に触媒を担持させた状態で設置さ
れる。そして、ハニカム構造体1の隔壁10により構成
されるセル18内に、排ガス8を通過させることによ
り、排ガスを浄化させている。
【0026】このようなハニカム構造体1を製造するに
当たっては、まず、焼成することによりコージェライト
結晶相となるように、タルク、カオリン、仮焼カオリ
ン、アルミナをそれぞれの成分比および粒度等を調整し
て原料を整える。そして、この原料を、図示しない公知
の金型にて押し出し成形し、押し出し成形品を乾燥させ
てハニカム状の基体3を得る。
当たっては、まず、焼成することによりコージェライト
結晶相となるように、タルク、カオリン、仮焼カオリ
ン、アルミナをそれぞれの成分比および粒度等を調整し
て原料を整える。そして、この原料を、図示しない公知
の金型にて押し出し成形し、押し出し成形品を乾燥させ
てハニカム状の基体3を得る。
【0027】次に、図3(a)に示す如く、コージェラ
イトの結晶形成温度を下げる成分として、タルク25w
t%と非水溶性有機溶媒75wt%(例えば、石油系炭
化水素)とからなる混合液7を予め作成しておく。な
お、上記タルクは、例えば、コージェライトを構成する
他の材料あるいは、コージェライト成分に対する不純物
に置き換えることもできる。
イトの結晶形成温度を下げる成分として、タルク25w
t%と非水溶性有機溶媒75wt%(例えば、石油系炭
化水素)とからなる混合液7を予め作成しておく。な
お、上記タルクは、例えば、コージェライトを構成する
他の材料あるいは、コージェライト成分に対する不純物
に置き換えることもできる。
【0028】ついで、図3(b)に示す如く、基体3を
混合液7に基体のほぼ全体を一度に浸漬することによっ
て、基体3を構成する隔壁全表面積の約95%に混合液
7を付着させる。
混合液7に基体のほぼ全体を一度に浸漬することによっ
て、基体3を構成する隔壁全表面積の約95%に混合液
7を付着させる。
【0029】ここで、基体3を構成する隔壁全表面積の
約95%程度しか混合液7を付着できなかったのは、基
体3全体を混合液7中に浸漬させても、浸漬中におい
て、基体3中の気泡が完全に除去できないためであっ
た。しかしながら、基体3の混合液中への浸漬時におけ
る、基体3の気泡の除去が完全に可能であれば、隔壁全
表面積の100%程度に混合液を付着させることが好ま
しい。しかしながら、隔壁全表面積の80%以上、好ま
しくは90%以上が混合液に付着されていれば、十分な
強度を得ることができる。
約95%程度しか混合液7を付着できなかったのは、基
体3全体を混合液7中に浸漬させても、浸漬中におい
て、基体3中の気泡が完全に除去できないためであっ
た。しかしながら、基体3の混合液中への浸漬時におけ
る、基体3の気泡の除去が完全に可能であれば、隔壁全
表面積の100%程度に混合液を付着させることが好ま
しい。しかしながら、隔壁全表面積の80%以上、好ま
しくは90%以上が混合液に付着されていれば、十分な
強度を得ることができる。
【0030】この基体3の混合液7への浸漬により、図
3(c)の斜線で示されるように、基体3の隔壁30の
ほぼ全体に、混合液7が塗布される。
3(c)の斜線で示されるように、基体3の隔壁30の
ほぼ全体に、混合液7が塗布される。
【0031】その後、隔壁30に余剰に付着された混合
液7を、余剰液除去工程であるエアーブローもしくは吸
引にて除去する。
液7を、余剰液除去工程であるエアーブローもしくは吸
引にて除去する。
【0032】基体3に対して、混合液7を付着すること
により、付着前においては、焼成によりSiO2が50
wt%,Al2O3が36wt%,MgOが14wt%よ
りなるコージェライトを主成分とするハニカム構造体で
あるのを、焼成によりSiO 2が51wt%,Al2O3
が33wt%,MgOが16wt%よりなるコージェラ
イトを主成分とするハニカム構造体とした。
により、付着前においては、焼成によりSiO2が50
wt%,Al2O3が36wt%,MgOが14wt%よ
りなるコージェライトを主成分とするハニカム構造体で
あるのを、焼成によりSiO 2が51wt%,Al2O3
が33wt%,MgOが16wt%よりなるコージェラ
イトを主成分とするハニカム構造体とした。
【0033】これは、混合液7の付着により、基体を構
成するコージェライトの結晶相形成温度である約146
0℃を、混合液3付着により、約1430℃と結晶相形
成温度を低くしたことを意味している。
成するコージェライトの結晶相形成温度である約146
0℃を、混合液3付着により、約1430℃と結晶相形
成温度を低くしたことを意味している。
【0034】次いで、混合液7の付着によりコージェラ
イトの結晶相形成温度を下げた基体3を、混合液7付着
前の基体3の焼成温度である1400℃で4時間焼成す
る。
イトの結晶相形成温度を下げた基体3を、混合液7付着
前の基体3の焼成温度である1400℃で4時間焼成す
る。
【0035】図4(a)に、混合液を付着させることな
しで、基体を焼成した従来のハニカム構造体を、また図
4(b)に、上述のように混合液を付着させて基体を焼
成した本実施形態のハニカム構造体のそれぞれの隔壁の
断面図を模式的に示す。
しで、基体を焼成した従来のハニカム構造体を、また図
4(b)に、上述のように混合液を付着させて基体を焼
成した本実施形態のハニカム構造体のそれぞれの隔壁の
断面図を模式的に示す。
【0036】また、従来と本実施形態の隔壁に細孔径と
細孔容積との関係を図5に示す。尚、図5のaを従来の
ハニカム構造体とし、bを本実施形態により得られたハ
ニカム構造体の細孔径と細孔容積との関係を示す。
細孔容積との関係を図5に示す。尚、図5のaを従来の
ハニカム構造体とし、bを本実施形態により得られたハ
ニカム構造体の細孔径と細孔容積との関係を示す。
【0037】図4(a)(b)および図5に示されるよ
うに、本実施形態のハニカム構造体の隔壁10は、隔壁
10のコージェライト結晶相形成温度を低下させること
により、従来のハニカム構造体の隔壁10に比べて、触
媒担持性に起因しない余分な細孔である1μm以下の小
なる気孔20のみを実質的に減少させることができたこ
とがわかる。
うに、本実施形態のハニカム構造体の隔壁10は、隔壁
10のコージェライト結晶相形成温度を低下させること
により、従来のハニカム構造体の隔壁10に比べて、触
媒担持性に起因しない余分な細孔である1μm以下の小
なる気孔20のみを実質的に減少させることができたこ
とがわかる。
【0038】そのため、本実施形態の隔壁の気孔率は、
小なる気孔が減少したので、混合液を塗布しない場合の
気孔率である35%よりも小である25%とでき、隔壁
の強度を向上させることができた。それとともに、大な
る気孔の減少が実質的に抑制できたので、触媒の担持量
を維持させることができた。
小なる気孔が減少したので、混合液を塗布しない場合の
気孔率である35%よりも小である25%とでき、隔壁
の強度を向上させることができた。それとともに、大な
る気孔の減少が実質的に抑制できたので、触媒の担持量
を維持させることができた。
【0039】本実施形態例1と比較例とのハニカム構造
体の端面強度および触媒担持量の比較を図6および図7
として示す。
体の端面強度および触媒担持量の比較を図6および図7
として示す。
【0040】ここで使用したハニカム構造体は、外形形
状がφ103mmn,長さが105mmの円筒形状であ
り、セルは、隔壁厚さ約50μmで900メッシュとし
た。
状がφ103mmn,長さが105mmの円筒形状であ
り、セルは、隔壁厚さ約50μmで900メッシュとし
た。
【0041】図6および図7より、本実施形態例1のハ
ニカム構造体は、比較例のハニカム構造体と比して、触
媒担持性を維持させたまま、端面での強度が向上させる
ことができたことがわかる。
ニカム構造体は、比較例のハニカム構造体と比して、触
媒担持性を維持させたまま、端面での強度が向上させる
ことができたことがわかる。
【0042】(実施形態例2)上記実施形態例1では、
混合液3の付着前では、焼成により,SiO2が50w
t%,Al2O3が36wt%,MgOが14wt%のコ
ージェライト成分で代表される図8のA領域であるの
を、混合液3の付着後においては、焼成により,SiO
2が51wt%,Al2O3が33wt%,MgOが16
wt%のコージェライト成分で代表されるB領域の組成
を有する基体3とした。
混合液3の付着前では、焼成により,SiO2が50w
t%,Al2O3が36wt%,MgOが14wt%のコ
ージェライト成分で代表される図8のA領域であるの
を、混合液3の付着後においては、焼成により,SiO
2が51wt%,Al2O3が33wt%,MgOが16
wt%のコージェライト成分で代表されるB領域の組成
を有する基体3とした。
【0043】しかしながら、焼成後に得られる組成であ
る領域Bの組成は、焼成後に得られるハニカム体の熱膨
張係数が、領域Aのそれよりも高く、ハニカム構造体に
要求される特性の一つである熱衝撃性に劣る場合があ
る。
る領域Bの組成は、焼成後に得られるハニカム体の熱膨
張係数が、領域Aのそれよりも高く、ハニカム構造体に
要求される特性の一つである熱衝撃性に劣る場合があ
る。
【0044】そこで、実施形態例2においては、混合液
3の付着前では、隔壁の組成として、焼成により,Si
O2が49wt%,Al2O3が39wt%,MgOが1
2wt%のコージェライト成分で代表される図8のC領
域であるのを、混合液3の付着後においては、焼成によ
り,SiO2が50wt%,Al2O3が36wt%,M
gOが14wt%のコージェライト成分で代表されるA
領域の組成を有する基体3とした。
3の付着前では、隔壁の組成として、焼成により,Si
O2が49wt%,Al2O3が39wt%,MgOが1
2wt%のコージェライト成分で代表される図8のC領
域であるのを、混合液3の付着後においては、焼成によ
り,SiO2が50wt%,Al2O3が36wt%,M
gOが14wt%のコージェライト成分で代表されるA
領域の組成を有する基体3とした。
【0045】このように、混合液3の付着によって、焼
成後には、従来のコージェライト組成になるように、当
初の原料組成比を設定することにより、気孔率が小さく
強度が向上するとともに触媒担持性がよいのみでなく、
熱膨張係数の上昇をも抑制することのできたハニカム構
造体を提供することができた。
成後には、従来のコージェライト組成になるように、当
初の原料組成比を設定することにより、気孔率が小さく
強度が向上するとともに触媒担持性がよいのみでなく、
熱膨張係数の上昇をも抑制することのできたハニカム構
造体を提供することができた。
【0046】上記実施形態例1および2では、焼成前の
基体に混合液7を付着する方法を採用した。しかしなが
ら、本発明は、これに限定されるものでなく、例えば、
焼成後のハニカム構造体に対して、混合液を塗布し、そ
の後、再焼成してもよい。この場合には、焼成後に混合
液を塗布する時において、混合液中の成分として、融点
低下成分であるタルクにバインダーと水とを混合させた
ものを使用することが好ましい。
基体に混合液7を付着する方法を採用した。しかしなが
ら、本発明は、これに限定されるものでなく、例えば、
焼成後のハニカム構造体に対して、混合液を塗布し、そ
の後、再焼成してもよい。この場合には、焼成後に混合
液を塗布する時において、混合液中の成分として、融点
低下成分であるタルクにバインダーと水とを混合させた
ものを使用することが好ましい。
【0047】また、上記実施形態例1および2において
は、図3に示されるように、混合液中にハニカム構造体
全体を浸漬させ、浸漬後、余分な混合液を除去すること
により、ハニカム構造体に混合液を塗布したが、本発明
はこれに限られるものでない。例えば、図8に示される
ように、ハニカム構造体の一端と他端に、混合液導入部
材30及び混合液排出部材32を設け、所定の混合液7
を流し、その後、余分な混合液を除去することにより、
ハニカム構造体に混合液を塗布してもよい。
は、図3に示されるように、混合液中にハニカム構造体
全体を浸漬させ、浸漬後、余分な混合液を除去すること
により、ハニカム構造体に混合液を塗布したが、本発明
はこれに限られるものでない。例えば、図8に示される
ように、ハニカム構造体の一端と他端に、混合液導入部
材30及び混合液排出部材32を設け、所定の混合液7
を流し、その後、余分な混合液を除去することにより、
ハニカム構造体に混合液を塗布してもよい。
【図1】図1(a)は、本発明の第1実施形態例におけ
る、ハニカム構造体の正面図及び図1(b)は、本発明
の第1実施形態例におけるハニカム構造体の側面図であ
る。
る、ハニカム構造体の正面図及び図1(b)は、本発明
の第1実施形態例におけるハニカム構造体の側面図であ
る。
【図2】図2は、実施形態例1における排ガス浄化装置
に組み込んだハニカム構造体である。
に組み込んだハニカム構造体である。
【図3】図3は、実施形態例1における、ハニカム構造
体の製造手順を示す説明図である。
体の製造手順を示す説明図である。
【図4】図4(a)は、従来のハニカム構造体の隔壁の
断面拡大模式図であり、図4(b)は、本発明のハニカ
ム構造体の隔壁の断面拡大模式図である。
断面拡大模式図であり、図4(b)は、本発明のハニカ
ム構造体の隔壁の断面拡大模式図である。
【図5】図5は、本発明と従来とのハニカム構造体の細
孔径と細孔容積との関係を示す特性図である。
孔径と細孔容積との関係を示す特性図である。
【図6】図6は、実施形態1と比較例との端面強度の比
較を示す説明図である。
較を示す説明図である。
【図7】図7は、実施形態1と比較例との触媒担持量の
比較を示す説明図である。
比較を示す説明図である。
【図8】図8は、本発明を説明する説明図である。
【図9】図9は、ハニカム構造体の製造手順の他の方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
1…ハニカム構造体 7…混合液 10…隔壁
フロントページの続き Fターム(参考) 4D048 BA10X BB02 4G019 GA02 4G030 AA07 AA36 AA37 BA34 CA01 CA10 GA13 GA35 4G069 AA01 AA08 BA01A BA04A BA10A BA13A BA13B BA15A BA15B BB04A BC66A CA02 CA03 EA19 EB12Y EB14Y FA01 FB06 FB15 FB23 FB33 FB66 FB67 FC08
Claims (8)
- 【請求項1】 主成分の化学成分が重量基準でSiO2
が42〜56%,Al2O3が30〜42%,MgOが1
2〜18%で結晶相の主成分がコージェライトとなる隔
壁をハニカム状に設けてなるハニカム構造体の製造方法
において、 SiO2、Al2O3及びMgOを主成分とする基体を用意
し、 該基体に対して、前記基体の焼成により形成される結晶
相であるコージェライト結晶の形成温度を下げる成分を
溶媒に混合させた混合液を付着させ、その後、焼成する
ことを特徴とするハニカム構造体の製造方法。 - 【請求項2】 前記焼成温度は、前記混合液付着前の前
記基体の焼成温度近傍であることを特徴とする請求項1
記載のハニカム構造体の製造方法。 - 【請求項3】 前記基体に対して、前記混合液は、前記
基体を構成する隔壁全表面積の80%以上に付着させる
ことを特徴とする請求項1記載のハニカム構造体の製造
方法。 - 【請求項4】 前記基体に対して、前記混合液は、前記
基体を構成する隔壁全表面積の90%以上に付着させる
ことを特徴とする請求項1記載のハニカム構造体の製造
方法。 - 【請求項5】 前記ハニカム構造体に前記混合液を付着
させた後、余分に付着した前記混合液を除去する余剰液
除去工程を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいず
れか1項記載のハニカム構造体の製造方法。 - 【請求項6】 前記混合液を付着させる基体は未焼成の
基体であり、かつ、前記混合液の前記溶媒は非水溶性有
機媒体であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
か1項記載のハニカム構造体の製造方法。 - 【請求項7】 前記混合液の成分は、少なくとも、タル
ク,アルミナ,カオリン、鉄,チタンの少なくとも一種
よりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
記載のハニカム構造体の製造方法。 - 【請求項8】 主成分の化学成分が重量基準でSiO2
が42〜56%,Al2O3が30〜42%,MgOが1
2〜18%で結晶相の主成分がコージェライトとなる隔
壁をハニカム状に設けてなるハニカム構造体の製造方法
において、 SiO2、Al2O3及びMgOを主成分とする基体を焼成
し焼成体とし、 該焼成体に対して、前記基体成分の少なくとも一部を溶
媒に混合させた原料混合液を付着させ、 再度、焼成することを特徴とするハニカム構造体の製造
方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000361395A JP2001226173A (ja) | 1999-12-07 | 2000-11-28 | ハニカム構造体の製造方法 |
EP00126795A EP1106589A3 (en) | 1999-12-07 | 2000-12-06 | Process for producing honeycomb structure |
US09/729,912 US6506452B2 (en) | 1999-12-07 | 2000-12-06 | Process for producing honeycomb structure |
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JP2000361395A JP2001226173A (ja) | 1999-12-07 | 2000-11-28 | ハニカム構造体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001226173A true JP2001226173A (ja) | 2001-08-21 |
Family
ID=26578493
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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- 2000-11-28 JP JP2000361395A patent/JP2001226173A/ja active Pending
- 2000-12-06 US US09/729,912 patent/US6506452B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-06 EP EP00126795A patent/EP1106589A3/en not_active Withdrawn
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