JP2001214065A - 半導体封止用材料およびその樹脂組成物およびその成型品 - Google Patents
半導体封止用材料およびその樹脂組成物およびその成型品Info
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Abstract
体封止用樹脂組成物および成形品を提供する。 【解決手段】 合成樹脂100重量部に対し、酸化マグ
ネシウム粒子50〜1500重量部を配合した樹脂組成
物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記(i)〜
(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下 を満足することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物並
びにそれから形成された成形品。
Description
成物に関し、特に難燃性、耐水性および熱伝導性に優れ
た半導体封止用樹脂組成物に関する。また本発明は、か
かる樹脂組成物に使用される半導体封止材料にも関す
る。
動、衝撃、塵埃、水分、雰囲気ガス、等からの影響を受
けないように、各種の封止材料による封止が行われてい
る。封止材料としては、金属材料、セラミック、ガラス
等が使用されてきたが、コスト、量産性の観点から最近
ではほとんどがプラスチックを用いた樹脂封止が行われ
ている。従来からエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェ
ノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂
等が用いられており、良好な成績を納めている。しか
し、半導体分野の技術革新により集積度の向上、素子サ
イズの小型化、配線の微細化が進み、パッッケージも小
型で薄型になる傾向にあり、これに伴って封止材料に対
し高い信頼性が必要となってきた。
燃性が必要とされ、臭素化エポキシ樹脂および酸化アン
チモンを添加する方法が行われている。しかしながら三
酸化アンチモン使用の場合、燃焼時に臭化水素、ブロム
系ガス、臭素化アンチモン等の発生による人体への有害
性や機器への腐食性と、半導体素子封止過程で産出する
産業廃棄物や使用後の半導体装置の処分の問題等環境上
の安全性が問題となっている。
高温で長時間放置すると、遊離した臭素の影響で半導体
素子上のアルミニュウム配線が腐食し、半導体装置の故
障の原因となり高温信頼性の低下が問題となる。上記の
問題点を解決するために、難燃剤として、金属水酸化物
を添加する方法が提案されている。しかしながら、この
方法では金属水酸化物を大量(40重量%以上)配合し
なければならないので、また半導体装置が高温(通常2
15−260℃)に曝され吸水量が多い金属水酸化物は
吸湿した水分の急激な気化により、半導体装置の膨れや
クラックが発生するという、耐半田性の低下という問題
が生じている。
00%の高温高湿環境下での半導体素子機能が低下する
という問題がある。再公表公報平成7年第806085
号公報には熱硬化性樹脂および硬化剤とともに、金属水
酸化物と金属酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性
樹脂組成物が提案されているが、近年の半導体分野の技
術革新により、より高い難燃性とより高い耐湿性および
安全性が必要とされている。さらに酸化マグネシウム粒
子中の不純物、特にFe化合物、Mn化合物が多い場合
は、金型や半導体素子が錆びる原因となる。
は、高温高湿条件下においても充分な耐水性を有し、金
型や半導体素子に対して耐食性を有しかつ難燃性に優れ
た半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
ば、前記本発明の目的は、合成樹脂に配合される酸化マ
グネシウム粒子として、特定の2次粒子径および特定の
BET法比表面積を有し、またFe化合物およびMn化
合物が一定量以下でありさらにNa含量およびCl含量
が極めて少ない酸化マグネシウム粒子を選択することに
より達成されることが見出された。
0重量部に対し、酸化マグネシウム粒子50〜1500
重量部を配合した樹脂組成物であって、該酸化マグネシ
ウム粒子は、下記(i)〜(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足するこ
とを特徴とする半導体封止用樹脂組成物が提供される。
る。本発明に使用される酸化マグネシウム粒子は下記
(i)〜(v)の要件を満足している。 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm、好ましく
は0.5〜50μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g、好ましく
は0.1〜3m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下、好ましくは0.005
重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下、好ましくは
0.0005重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下、好ましくは
0.002重量%以下。
ず酸化マグネシウム中の鉄化合物およびマンガン化合物
の含有量が多いほど、配合した樹脂の熱安定性を著しく
低下させる原因となる。しかし、鉄化合物およびマンガ
ン化合物の合計量が前記範囲を満足するのみで樹脂の物
性低下が損なわれないというわけではなく、その上に前
記平均2次粒子径および比表面積がそれぞれ前記範囲を
満足することが必要である。粒子の平均2次粒子径が大
きくなるほど、樹脂との接触面が減り熱安定性は良くな
るが、機械的強度が低下したり、外観不良という問題が
生じてくる。
平均2次粒子径、比表面積、鉄化合物およびマンガン化
合物の合計含量、NaおよびCl含有量が前記範囲であ
れば、樹脂との相溶性、分散性、成形および加工性、成
形品の外観、機械的強度および難燃性等の諸特性を満足
する樹脂組成物が得られる。
法で製造されたものでもよい。例えば特開平6−171
928号公報に記載の方法、すなわち、高分散性水酸化
マグネシウムを所定の温度で焼成し、ついで該焼成物の
結晶を実質的に破壊しないように所定粒径に粉砕分級す
ることにより、高流動性、高充填性、高耐水和性を有す
る酸化マグネシウム粒子が得られることを見いだし完成
されたものである。この酸化マグネシウム粒子は高分散
性水酸化マグネシウムスラリーを、噴霧乾燥などにより
造粒乾燥し、所定の温度で焼成することにより得られる
球状の形状を有する酸化マグネシウム粒子であってもよ
く、その方が好ましい。
化合物、NaおよびClの含有量が前記範囲となるよう
に、Mg原料およびアルカリ原料は高純度のものを選択
し、また耐食性の反応装置を選択すべきである。
ネシウムの合成は、水溶性マグネシウム塩1当量に対し
アルカリ性物質0.95等量以下特に好ましくは0.5〜
0.90等量を、40℃以下特に好ましくは30℃以下
で混合して反応させ、その後反応物を反応母液とともに
約5〜30kg/cm2の加圧下に約0.5〜数時間加熱
させて行うことにより調製することができる。
配合した場合、既存の他の充填材に比べて流動性がよ
く、粘度も低くなるので加工の作業性に優れている。ま
た、酸化マグネシウム粒子の粒子径の範囲(粒度分布)
を前記平均粒径の範囲内において広くすることによっ
て、樹脂に配合した場合、組成物の溶融粘度を下げるこ
とができる。具体的には、酸化マグネシウム粒子は、粒
子径10μm以上の粒子が30〜80重量%、好ましく
は55〜75重量%であり、粒子径10μm未満の粒子
が20〜70重量%、好ましくは25〜45重量%であ
る粒度分布を有するものが有利である。
級脂肪酸、アニオン系界面活性剤、リン酸エステル類、
カップリング剤および多価アルコールの脂肪酸エステル
類よりなる群から選ばれた少なくとも一種類の表面処理
剤で表面処理されてもよい。これら表面処理剤として
は、リン酸エステル類が好ましく、殊に下記式で表され
るリン酸エステル類が特に適当である。
またはアルケニル基を示す、)
型、ジエステル型あるいはこれらの混合型のいずれでも
よいが、1つのエステルに付属する直鎖または分岐した
アルキル基の炭素原子数が4〜30のものが好ましい。
リン酸エステルの例としては、ブチルアシッドフォスフ
ェイト、2−エチルヘキシルアシッドフォスフェイト、
ラウリルアシッドフォスフェイト、トリデシルアシッド
フォスフェイト、ステアリルアシッドフォスフェイト、
ジ−2−エチルヘキシルフォスフェイト、オレイルアシ
ッドフォスフェイト等が挙げられる。より好ましくは、
1つのエステルに付随する直鎖または分岐したアルキル
基の炭素原子数が8〜20のものであり、ステアリルア
シッドフォスフェイトが最も好ましい。
子の表面処理方法は酸化マグネシウム粒子と表面処理剤
を直接加熱する方法、有機溶剤に溶解させた表面処理剤
を、酸化マグネシウム粒子に直接噴霧または混合処理
後、有機溶剤を揮発除去する方法、有機溶剤に懸濁させ
た酸化マグネシウムスラリーに有機溶剤に溶解した表面
処理剤を加え、混合処理後、有機溶剤を分離、揮発除去
する方法等を用いることが出来る。また前記表面処理剤
は、合成樹脂と酸化マグネシウム粒子との混練時に添加
することもできる。
対し0.01〜10.00重量%、好ましくは0.05〜
5.00重量%である。合成樹脂としては、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイ
ド樹脂、アクリルゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレ
ンゴム、オレフィン系エラストマーまたはフッ素樹脂等
が挙げられる。
−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ビフェニル、4,
4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)3,3’5,
5’−テトラメチルビフェニル、4,4’−ビス(2,3
−エポキシプロポキシ)−3,3’5,5’−テトラエチ
ルビフェニル、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポ
キシ)−3.3’5,5’−テトラメチル−2−クロロビ
フェニルなど、ビフェニル骨格を有するビフェニル型エ
ポキシ樹脂、1,5−ジ(2,3−エポキシプロポキシ)
ナフタレン、1,6−ジ(2,3−エポキシプロポキシ)
ナフタレンなどのナフタレン型エポキシ樹脂、4,4’
−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)スチルベン、4,
4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3’
5,5’−テトラメチルスチルベンなどのスチルベン型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹
脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアリー
ルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨
格含有エポキシ樹脂、トリス(2,3−エポキシプロポ
キシ)フェニルメタンなどの多官能エポキシ樹脂などが
挙げられる。これらの中で、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂等の2官能エポキシ樹脂が特に好ましく用いられ
る。
リオルガノシロキサンと硬化剤を含む組成物が挙げられ
る。このポリオルガノシロキサン組成物は、(a)ポリ
オルガノシロキサンベースポリマーと、(b)硬化剤
と、必要に応じて各種添加剤等とを均一に分散させたも
のである。このような組成物に用いられる各種成分のう
ち、(a)ポリオルガノシロキサンベースポリマーと
(b)硬化剤とは、ゴム弾性体を得るための反応機構に
応じて適宜選択されるものである。その反応機構として
は、(1)有機過酸化物加硫剤による架橋方法、(2)
縮合反応による方法、(3)付加反応による方法等が知
られており、その反応機構によって、(a)成分と
(b)成分すなわち硬化用触媒もしくは架橋剤との好ま
しい組合せが決まることは周知である。このような各種
の反応機構において用いられる(a)成分のベースポリ
マーとしてのポリガノシロキサンにおける有機基は、1
価の置換または非置換の炭化水素基であり、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ドデシ
ル基のようなアルキル基、フェニル基のようなアリール
基、β−フェニルエチル基、β−フェニルプロピル基の
ようなアラルキル基等の非置換の炭化水素基や、クロロ
メチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等の置換
炭化水素基が例示される。シリコーン樹脂のうち、シリ
コンゴムが好ましい。
脂と酸化マグネシウム粒子との割合は、合成樹脂100
重量部に対して、酸化マグネシウム粒子50〜1500
重量部、好ましくは70〜1000重量部、特に好まし
くは90〜800重量部の範囲が適当である。
に応じて硬化剤天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪
酸およびその金属塩類、若しくはパラフィン等の離型
剤;カーボンブラックのような着色剤等を添加してもよ
い。また、三酸化アンチモン、リン化合物、ブロム化エ
ポキシ樹脂等の難燃剤を加えてもよい。また、低応力化
するために、各種エラストマーを添加またはあらかじめ
反応して用いてもよい。具体的には、ポリブタジエン、
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シリコーンゴ
ム、シリコーンオイルなどの添加型あるいは反応型のエ
ラストマー等が挙げられる。
を溶融混練することにより混合するのが好ましく、例え
ばニーダー、ロール単軸もしくは二軸の押し出し機また
はコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練す
ることにより製造される。
粉末またはタブレット状態で半導体の封止に供される。
半導体を基板に固定した部材を半導体封止用樹脂組成物
により成形する方法としては、低圧トランスファー成形
法が一般的であり、インジェクション成形法や圧縮成形
法も可能である。成形条件としては、例えば封止用樹脂
組成物を成形温度150〜200℃、圧力5〜15MP
a、成形時間30〜300秒で成形し、封止用樹脂組成
物の硬化物とすることによって封止された半導体成形物
が製造される。また、必要に応じて上記成形物を100
〜200℃で2〜15時間、追加加熱処理をしてもかま
わない。
化剤は樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬
化物とした場合に吸水率が低い化合物として分子中にヒ
ドロキシル基を有するフェノール化合物が好ましく用い
られる。フェノール化合物の具体例としては、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフト
ールノボラック樹脂、トリス(ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1,2−トリス(ヒドロキシフェニル)エタ
ン、1,1,3−トリス(ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹
脂、ナフトールアラルキル樹脂、カテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール
などが挙げられる。その中でも、水酸基当量が130以
上の硬化剤が特に好ましく、またフェノールアラルキル
樹脂やテルペン骨格含有フェノール樹脂が特に好ましく
用いられる。硬化剤の配合量は合成樹脂100重量部に
対し50〜200重量部、好ましくは70〜150重量
部である。
ない限り、重量%および重量部を意味する。実施例中、
酸化マグネシウム粒子の特性および成形物の物性の測定
は下記の方法で行った。
子径 MICROTRAC粒度分析計SPAタイプ[LEED
S & NORTHRUP INSTRUMENTS
社製]を用いて測定決定する。試料粉末700mgを7
0mlの水に加えて、超音波(NISSEI 社製、M
ODEL US−300、電流300μA)で3分間分
散処理した後、その分散液の2−4mlを採って、25
0mlの脱気水を収容した上記粒度分析計の試料室に加
え、分析計を作動させて8分間その懸濁液を循環した
後、粒度分布を測定する。合計2回の測定を行ない、そ
れぞれの測定について得られた50%累積2次粒子径の
算術平均値を算出して、試料の平均2次粒子径とする。
表面積 液体窒素の吸着法により測定した。 (3)難燃性 UL 94VE法に準じて測定した。 (4)吸水率 恒温恒湿槽(アドバンテック東洋 AGX−326)を
用い85℃、85%RHの条件で重量変化を測定した。 (5)熱伝導率 京都電子工業(株)製のQTM迅速熱伝導率計を用い
て、プローブ法にて測定した。
製 (1)MgO粒子−a:下記表1のIに示した組成(M
gO含有量、Cl、Na、MnおよびFe元素含有量)
を有し、平均2次粒子径1.0μm、BET法比表面積
1.8m2/gを有する酸化マグネシウム粒子を2.5倍
(質量比)の水と混合し、105℃で、2.5時間乾燥
した後の吸水率を測定した。その結果を表2に示す。
粒子−aの酸化マグネシウム粒子100Kgを、三井三
池製作所(株)製ヘンシェルミキサーに投入し、撹拌下
にステアリルアシッドフォスフェイト1kgを60℃エ
タノール20リットルに溶解した液を徐々に加え、5分
間撹拌した後、80℃以上に加熱し溶媒のエタノールを
除去して、表面処理をした。このステアリルアシッドフ
ォスフェイト処理した酸化マグネシウム粒子を前記と同
様の方法で吸水率を測定した。その結果を表2に示す。
した組成(MgO含有量、Cl、Na、MnおよびFe
元素含有量)を有し、平均2次粒子径20μm、BET
法比表面積0.4m2/gの酸化マグネシウム粒子を前記
(1)MgO粒子−aと同様の処理をし、吸水率を測定
した。その結果を表2に示す。
粒子−cの酸化マグネシウム粒子を前記(2)MgO粒
子−bと同様に表面処理をし、吸水率を測定した。その
結果を表2に示す。
粒子−aの酸化マグネシウム粒子にビニルトリエトキシ
シラン1%を前記(2)MgO粒子−bと同様の方法で
表面処理をし、吸水率を測定した。その結果を表2に示
す。
粒子−cの酸化マグネシウム粒子に前記MgO粒子−e
と同様の処理をし、吸水率を測定した。その結果を表2
に示す。
記配合条件となる割合でエポキシ樹脂に配合し、得られ
た組成物を真空ポンプで引きながら攪拌し混練した。次
いでステンレスバッド(8cm×12cm×3cm)に
流し込み、前硬化(110℃、2時間)させ、さらに後
硬化(150℃、3時間)させた。)させた。得られた
成形物の熱伝導率、吸水率および難燃性を測定し、表3
に示す。なお、酸化マグネシウム粒子を配合しない場合
を比較例1として示した。
粒子の配合割合を100部から300部に変更する以外
同様にして成形物を得た。その測定結果を表4に示す。
粒子の配合割合を100部から600部に変更する以外
同様にして成形物を得た。その測定結果を表5に示す。
粒子の配合割合を100部から1400部に変更する以
外同様にして成形物を得た。その測定結果を表6に示
す。
子径22.3μmの酸化マグネシウム粒子を表7の割合
で配合し、シリコーンオイルに添加し、真空脱泡しなが
ら混合撹拌した後、粘度と熱伝導率を測定した。表7に
粒度分布も示した。結果を表7に示す。
粒子径0.9μmの酸化マグネシウム粒子を6:4(重
量)の割合で混合し、表8に示した量をシリコーンオイ
ル100重量部に配合し、真空脱泡しながら混合撹拌し
た後、粘度を測定した。なお、粘度(cps)は、東機
産業(株)製 B型粘度計を使用し、ロータNo.4、回
転数4rpmで測定した。また、150℃ 30’ プ
レス架橋で加熱硬化した成形物の熱伝導率を測定した。
結果を表8に示す。
熱伝導性がいずれも優れた半導体封止用樹脂組成物およ
び成形品が提供できた。また本発明の樹脂組成物は、熱
伝導性が優れているので半導体用の放熱シートにも有利
に適用することができる。さらに本発明の樹脂組成物
は、熱伝導性が優れていることを利用して、種々の樹脂
成形品(シート、フィルム成形物)の接合あるいはこれ
らと金属との接合のための接着剤として使用した場合、
熱の除去や伝熱に優れた効果を発現する。
Claims (17)
- 【請求項1】 合成樹脂100重量部に対し、酸化マグ
ネシウム粒子50〜1500重量部を配合した樹脂組成
物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記(i)〜
(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足するこ
とを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項2】 該酸化マグネシウム粒子が、高級脂肪酸
類、アニオン系界面活性剤、リン酸エステル類、カップ
リング剤および多価アルコールの脂肪酸エステル類より
なる群から選ばれた少なくとも一種類の表面処理剤によ
り表面処理されたものであることを特徴とする請求項1
記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項3】 該酸化マグネシウム粒子が、高級脂肪
酸、アニオン系界面活性剤、リン酸エステル類、カップ
リング剤、多価アルコールの脂肪酸エステル類よりなる
群から選ばれた少なくとも一種類の表面処理剤に表面処
理され、その表面処理剤は、該酸化マグネシウムに対し
0.001〜10重量%であることを特徴とする請求項
1記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項4】 該酸化マグネシウム粒子中のNa含量が
0.0005重量%以下かつCl含量が0.002重量%
以下である請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項5】 該酸化マグネシウム粒子はFe化合物お
よびMn化合物の含有量が合計で金属に換算して0.0
05重量%以下である請求項1記載の合成樹脂組成物。 - 【請求項6】 さらに硬化剤を合成樹脂100重量部に
対し50〜200重量部配合したことを特徴とする請求
項1記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項7】 合成樹脂がエポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アクリル
ゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、オレフィ
ン系エラストマーまたはフッ素樹脂である請求項1記載
の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項8】 該シリコーン樹脂がシリコンゴムである
請求項7記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項9】 該酸化マグネシウム粒子は、粒子径10
μm以上の粒子が30〜80重量%であり、粒子径10
μm未満の粒子が20〜70重量%である粒度分布を有
する請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項10】 酸化マグネシウム粒子が、下記(i)
〜(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足するこ
とを特徴とする半導体封止用材料。 - 【請求項11】 該酸化マグネシウム粒子中のNa含量
が0.0005重量%以下かつCl含量が0.002重量
%以下である請求項10記載の半導体用封止材料。 - 【請求項12】 該酸化マグネシウム粒子は、Fe化合
物およびMn化合物の含有量が合計で金属に換算して
0.005重量%以下である請求項10記載の半導体用
封止材料。 - 【請求項13】 酸化マグネシウム粒子が球状の形状を
有する請求項10記載の半導体封止用材料。 - 【請求項14】 請求項1に記載の半導体封止用樹脂組
成物より形成された成型品。 - 【請求項15】 合成樹脂100重量部に対し、酸化マ
グネシウム粒子50〜1500重量部を配合した樹脂組
成物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記(i)
〜(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足する樹
脂組成物より形成された半導体用放熱シート。 - 【請求項16】 酸化マグネシウム粒子が、下記(i)
〜(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足するこ
とを特徴とする半導体用放熱材。 - 【請求項17】 合成樹脂100重量部に対し、酸化マ
グネシウム粒子50〜1500重量部を配合した樹脂組
成物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記(i)
〜(v)の要件 (i)平均2次粒子径が0.1〜130μm (ii)BET法比表面積が0.1〜5m2/g (iii)Fe化合物およびMn化合物の含有量の合計量
が金属として0.01重量%以下 (iv)Na含有量が0.001重量%以下かつ (v)Cl含有量が0.005重量%以下を満足する樹
脂組成物よりなることを特徴とする熱伝導性接着剤。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35434699A JP3836649B2 (ja) | 1999-11-22 | 1999-12-14 | 半導体封止用樹脂組成物およびその成型品 |
PCT/JP2000/008207 WO2001038442A1 (fr) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Composition de resine, article moule fabrique a partir de ladite resine et utilisation associee |
KR1020017008680A KR100617930B1 (ko) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | 수지 조성물, 그것으로부터의 성형품 및 그의 이용 |
AT00976397T ATE280808T1 (de) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Harzzusammensetzung,formgegenstand und verwendung |
DE2000615300 DE60015300T2 (de) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Harzzusammensetzung,formgegenstand und verwendung |
CA 2359035 CA2359035C (en) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Resin composition, molded products formed therefrom and use thereof |
CNB008029709A CN1202174C (zh) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | 树脂组合物、其成形品及其利用 |
AU14188/01A AU774995B2 (en) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Resin composition, molded article therefrom, and utilization thereof |
US09/889,694 US6506828B1 (en) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Resin composition, molded article therefrom, and utilization thereof |
EP20000976397 EP1153984B1 (en) | 1999-11-22 | 2000-11-21 | Resin composition, molded article therefrom, and utilization thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33141499 | 1999-11-22 | ||
JP11-331414 | 1999-11-22 | ||
JP35434699A JP3836649B2 (ja) | 1999-11-22 | 1999-12-14 | 半導体封止用樹脂組成物およびその成型品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001214065A true JP2001214065A (ja) | 2001-08-07 |
JP3836649B2 JP3836649B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=26573847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35434699A Expired - Fee Related JP3836649B2 (ja) | 1999-11-22 | 1999-12-14 | 半導体封止用樹脂組成物およびその成型品 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6506828B1 (ja) |
EP (1) | EP1153984B1 (ja) |
JP (1) | JP3836649B2 (ja) |
KR (1) | KR100617930B1 (ja) |
CN (1) | CN1202174C (ja) |
AT (1) | ATE280808T1 (ja) |
AU (1) | AU774995B2 (ja) |
CA (1) | CA2359035C (ja) |
DE (1) | DE60015300T2 (ja) |
WO (1) | WO2001038442A1 (ja) |
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1999
- 1999-12-14 JP JP35434699A patent/JP3836649B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-21 KR KR1020017008680A patent/KR100617930B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-21 CN CNB008029709A patent/CN1202174C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-21 CA CA 2359035 patent/CA2359035C/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-21 US US09/889,694 patent/US6506828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-21 AU AU14188/01A patent/AU774995B2/en not_active Ceased
- 2000-11-21 DE DE2000615300 patent/DE60015300T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-21 EP EP20000976397 patent/EP1153984B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-21 AT AT00976397T patent/ATE280808T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-11-21 WO PCT/JP2000/008207 patent/WO2001038442A1/ja active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1153984A4 (en) | 2002-06-05 |
EP1153984B1 (en) | 2004-10-27 |
KR20010089799A (ko) | 2001-10-08 |
CN1202174C (zh) | 2005-05-18 |
AU1418801A (en) | 2001-06-04 |
JP3836649B2 (ja) | 2006-10-25 |
CA2359035C (en) | 2008-06-10 |
EP1153984A1 (en) | 2001-11-14 |
DE60015300T2 (de) | 2006-03-09 |
ATE280808T1 (de) | 2004-11-15 |
WO2001038442A1 (fr) | 2001-05-31 |
CA2359035A1 (en) | 2001-05-31 |
KR100617930B1 (ko) | 2006-08-30 |
US6506828B1 (en) | 2003-01-14 |
CN1337980A (zh) | 2002-02-27 |
AU774995B2 (en) | 2004-07-15 |
DE60015300D1 (de) | 2004-12-02 |
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