JP2001210223A - 三極構造の電界放出素子 - Google Patents

三極構造の電界放出素子

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JP2001210223A JP2000400103A JP2000400103A JP2001210223A JP 2001210223 A JP2001210223 A JP 2001210223A JP 2000400103 A JP2000400103 A JP 2000400103A JP 2000400103 A JP2000400103 A JP 2000400103A JP 2001210223 A JP2001210223 A JP 2001210223A
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field emission
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anode
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Riyuushu Sai
龍洙 崔
Jun-Hee Choi
濬照 崔
Nae-Sung Lee
來成 李
Jong-Min Kim
鐘民 金
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電界放出物質を用いた三極構造の電界放出素
子を提供する。 【解決手段】 従来の電界放出物質を用いた二極の電子
放出素子において電子を電界放出物質の陰極から引出す
役割をするゲート電極を陰極下の基板上に配置すること
によって素子製作を容易にし、ゲート電圧制御により電
界放出物質から放出される電子を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低電圧電界放出物質
であるカーボンナノチューブを用いた三極構造の電界放
出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は既存の、電界放出物質を用いた三
極構造の電界放出素子の概略的な構造を示す断面図であ
る。図１に示されるように、従来の三極構造の電界放出
素子はスペーサ６を介在して一定の間隔を保ちながら相
互対向する背面基板１及び前面基板１０を備え、これら
２つの基板の間に電子放出源として電界放出物質５が形
成された陰極２、ゲート３及び陽極４を具備している。
陰極２は背面基板１上にストライプ状に平行に配置され
ており、陽極４は陰極２との交差方向にストライプ状に
前面基板１０上に平行に配列されている。陽極４の下の
陰極２上には一定の間隔をおいて陰極２との交差方向に
ストライプ状にゲート３が前記陽極４と対応して平行に
配置されている。陰極２とゲート３の交点には各々電界
放出物質５及び開口部３aが形成されている。即ち、電
子放出源として用いられる物質が、陰極２とゲート３の
交点の陰極２上に塗布されており、開口部３aが陰極２
とゲート３の交点のゲート３（電界放出物質に対応する
ゲート３の領域）に、形成されているために、電界放出
物質５から放出された電子は陽極４に流れることとな
る。
【０００３】このように、電界放出素子は、陰極(catho
de)と陽極(anode)よりなる両極構造、または両電極間に
ゲートを位置させた三極構造の形態を有しているため
に、陰極から放出される電子量が制御される。最近、新
たな電界放出物質のカーボンナノチューブの出現で、陰
極上に形成される電子放出源として既存の金属チップか
らカーボンナノチューブを適用する構造が試みられてい
る。カーボンナノチューブは、大きな縦横比(aspect ra
tio)(>１００)と導体のような伝導性を有する電気的特
性と、安定した機械的特性を有するために、電界放出源
に塗布する材料として現在数多くの研究機関から脚光を
浴びている新物質である。カーボンナノチューブを用い
た両極構造の電子放出素子は、現在既存の方法により製
造されうる。しかしながら、両極構造の電子放出素子は
製造しやすいにもかかわらず、放出電流を制御すること
が困難であるといった問題があったことより、動映像や
多階調(gray-scale)の映像を実現しにくかった。カーボ
ンナノチューブを用いた三極構造の電子放出素子は、陰
極の直上にゲート電極を配置することにより、またはグ
リッド(grid)形態の金属シート(metal sheet)を配置す
ることにより製造されうる。前者の場合は、ゲートの配
置関係によって陰極へのカーボンナノチューブの接合す
ることが困難であり、後者の場合は工程が複雑になり、
制御電圧が増加するといった問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
を改善するために、ゲート電極を陰極の下部に位置させ
ることにより、放出電流を制御しやすく、かつ、電界放
出物質を陰極上に塗布しやすくした、三極構造の電界放
出素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、一定の間隔に相互対向して配置された背
面基板及び前面基板と、前記両基板の間隔を保ちながら
その内部を真空密封するスペーサと、前記両基板の対向
面上に各々相互交差する方向のストライプ状に配置され
た陰極及び陽極と、前記陰極及び陽極の交点に対応する
陰極上に形成された電子放出源と、前記電子放出源から
放出される電子を制御するゲートとを備えた三極構造の
電界放出素子において、前記ゲートは前記陰極の下部の
前記背面基板上に配置され、前記ゲートと陰極との間に
電気的な絶縁のための絶縁層が形成されたことを特徴と
する三極構造の電界放出素子を提供する。本発明におい
て、前記ゲートは前記陰極の下部の前記背面基板上に前
記陰極との交差方向に前記陽極に対応する位置にストラ
イプ状に配置されることが望ましい。
【０００６】本発明において、前記電子放出源は、金
属、ダイアモンド、グラファイトからなる群から選択さ
れた少なくとも１つの物質からなり、前記陰極及び陽極
の交点に対応する陰極上に形成されなることが望まし
い。本発明において、前記電子放出源は、伝導性物質、
誘電性物質または絶縁性物質と、カーボンナノチュー
ブ、金属、ダイアモンド、グラファイトからなる群から
選択された少なくとも１つの物質との混合物からなり、
前記陰極及びゲート交点に対応する陰極上に形成される
ことが望ましい。本発明において、前記電子放出源は、
前記陰極及びゲート交点に対応する陰極上に、カーボン
ナノチューブ、金属、ダイアモンド、グラファイトから
なる群から選択された少なくとも１つの物質と伝導性物
質、誘電性物質または絶縁性物質と混合して形成される
ことが望ましい。
【０００７】本発明において、前記電子放出源は前記陰
極及びゲートの交点に対応する陰極上の全面または一側
縁部にまっすぐに形成され、前記陰極及びゲートの交点
に対応する陰極に少なくとも１つ以上の孔をあけその孔
に形成されることが望ましい。本発明において、前記電
子放出源はプリンティング法、電気泳動法及び気相蒸着
法のうち何れか１つの方法で形成され、前記孔が３つ以
上形成される場合、真ん中に位置するほど孔を大きくあ
けその縁部に電界放出物質を形成させ、１画素内の放出
電流の均一度を高めることが望ましい。本発明におい
て、前記絶縁層は、全面に形成されるか、または陰極電
極線に沿って線形に形成されることが望ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づいて本
発明に係る三極構造の電界放出素子を詳しく説明する。
図２は本発明に係るカーボンナノチューブを用いた三極
構造の電界放出素子の実施例の概略的な構造を示す断面
図である。図２に示されるように、本発明に係る三極構
造の電界放出素子は、スペーサ１６を介在して一定の間
隔を保ちながら相互対向する背面基板１１及び前面基板
２０を備え、これら２つの基板の間に電子放出源とし
て、カーボンナノチューブ、金属、ダイアモンドまたは
グラファイトからなる電子放出源１５が局所的に形成さ
れた陰極１２及び陽極１４を備え、陰極１２の下部に絶
縁層１７を介在してゲート１３を備えている。ゲート１
３は背面基板１１上に全面またはストライプ状に平行に
配置されている。これらゲート１３の形成された背面基
板１１上に絶縁層１７が形成されている。ゲート１３が
全面でないストライプ状に配置された場合、ゲート１３
との交差方向にストライプ状に相互平行に陰極１２が形
成される。陽極１４は陰極１２との交差方向にストライ
プ状(ゲート１３に対応する平行した方向のストライプ
状)に前面基板２０の陰極対向面上に平行に配置され
る。陰極１２とゲート１３との交点の陰極１２上にはカ
ーボンナノチューブ、金属、ダイアモンドまたはグラフ
ァイトからなる電子放出源１５が形成されている。
【０００９】前記電子放出源１５を形成する場合、その
位置は図３に示されるように、ゲート１３(または陽極)
との交点の陰極１２の縁部に局所的に塗布されるか、全
面に塗布されるか、或いは図４乃至図７に示されるよう
に、ゲート１３(または陽極)との交点の陰極１２に少な
くとも１つ以上の孔をあけ、その孔に電子放出源１５が
局所的に形成される。このように電子放出源１５は、ゲ
ート１３との交点の陰極上の何れの部分にも形成しう
る。しかしながら、陰極の縁部から最も強い電界が形成
されるということが実験から分かっていることより、陰
極の縁部に電子放出源１５を形成することが都合がよ
い。前記陰極１２上に形成される電子放出源１５は前記
陰極１２の線幅より小さく形成される他に、線幅を前記
陰極１２の線幅と同一かまたはそれより大きく形成され
うる。
【００１０】図３はゲート１３との交点の陰極１２の一
側縁部に電界放出物質１５を線形的に塗布した場合を示
し、図４乃至図７はゲート１３との交点の陰極１２に各
々１つ、２つ、３つ及び４つの孔をあけ、その孔の縁部
に沿って円形(他形も可能)に電子放出源１５を形成した
場合を示している。特に、これら孔が３つ以上形成され
る場合、真ん中に位置するほど孔を大きくあけ、望まし
くは縁部に電界放出物質を形成させて１画素内の放出電
流の均一度を高めるようにする。このような原形または
他形の電界放出物質の数は陰極間の間隔、陰極とゲート
との間隔、陰極と陽極との間隔などの規格と絶縁層の材
料及び各電極に印加される電圧などの諸条件によって最
小電力で最大の均一な電子放出効果が得られるように調
節されることとなる。
【００１１】前記絶縁層１７はゲート１３及び陰極１２
間にその絶縁のために配置されるが、その形態を平面及
び陰極１２の電極線に沿って線形に形成されうる。この
際、線形の場合には絶縁層１７の線幅は、陰極１２の線
幅と同一か、またはそれよりも大きく形成されうる。こ
のように、本発明に係る電界放出素子は、放出電流の制
御が容易な三極構造としてゲート電極を陰極の下部に位
置させることによって、電子放出源として用いられる電
子放出物質を陰極上に容易に形成される。また、陰極の
縁部電界による電界放出により放出電流が低電圧に制御
され、多様なパターンが形成されることにより、放出電
流の均一性が向上されうる。
【００１２】また、ゲート電極は、陰極の下に形成され
た絶縁層の下に形成されたことにより、ゲート電極に適
当な電圧を印加すれば、ゲート電圧による電場が絶縁層
を透過し、電子放出源に強い電場が形成されて電界放出
により電子を放出することとなる。放出された電子は陽
極電圧による追加的な電場として陽極電極側に移動して
本来の役割に供する。ゲート電圧にかかる等電圧線の分
布及び電界分布(電子放出経路となる)を示す曲線が図８
及び図９に各々示されている。これらは各々陰極間の間
隔が６０μm、陽極電圧が５００Ｖ、陰極と陽極との間
隔が２００μm、陰極とゲートとの間隔ｈが同一な場合
をシミュレーションした結果である。ここで、図８はゲ
ートに０Ｖが印加された場合であり、図９はゲートに８
０Ｖが印加された場合である。等電圧線分布曲線は、ゲ
ート電圧が高い時(８０Ｖ)に陰極付近の等電圧の間隔が
さらに粗密に示され、これは陰極付近の電界の強度がさ
らに強いということを意味するので、陰極からさらに多
くの電子が放出されうることを意味する。これは図１０
及び図１１のシミュレーションの結果にもよく示されて
いる。
【００１３】また、図１０及び図１１は各々前述したよ
うに陰極間の間隔が６０μm、陽極電圧が５００Ｖ、陰
極と陽極との間隔が２００μmの条件で陰極とゲートと
の間隔ｈが各々５μm、１０μm、１５μmの場合におけ
るゲートへの印加電圧を変化させながら測定した縁部電
場の強度及び放出電子が放出点から左右側への偏差(dev
iation)を示すグラフである。図１０に示されるよう
に、ゲート電圧が高まるほど縁部電界の強度が大きくな
ることが分かる。図１１はゲート電圧の変化に対する陰
極の縁部からの放出電子の偏差を陽極上で測定したグラ
フである。
【００１４】
【実施例】<実施例１>図１２乃至図１４は、本発明に係
る電界放出素子のゲート電圧変化に対する電気的特性を
示す図面である。この場合、陽極電圧は４００Ｖに設定
され、また本発明に係る電界放出素子は陰極と陽極との
間隔が１．１ｍｍになるように製造されている。ここ
で、図１２及び図１３は各々ゲート電圧変化に対する陽
極電流の強度及びそのファウラノルドハイムプロット
（Fowler-Norheim plot）を示すグラフであり、図１４
はゲートのオン/オフ時における前記の実際に製造され
た電界放出素子の輝度を撮った写真である。図１２にお
いてＲＨＳ（right hand side）、ＬＨＳ（left hand s
ide）は、基板の右側半分と左側半分のみをゲートオン
させた場合の１/２基板におけるゲート電圧に対する陽
極電流の変化を示している。図１３は図１２のファウラ
ノルドハイムプロットであって、得られたデータが一直
線上に載った際の、電流の測定値を電界放出による電流
に変換したものである。即ち、図１３は、１/Ｖに対す
るｌｎ（１/Ｖ2）の変化を示している。
【００１５】<実施例２>図１５乃至図１８は、陽極と陰
極との間隔が２００μmになるように製造された本発明
に係る電界放出素子に関するグラフ及び写真である。こ
の場合、電子放出源としてＡｇ及びカーボンナノチュー
ブを合成（混合）することにより得られたペースト(pas
te)が陰極上にプリンティングされている。ここで、図
１５はゲートの電圧変化による陽極電流の強度を示す図
面であり、図１６はそのファウラノルドハイムプロット
を示すグラフである。図１７は陽極電圧を５００Ｖとし
た場合の二極管電界放出素子の輝度を撮った写真であ
り、図１８は陽極が２５０Ｖにバイアスされ、ゲート電
圧が１２０Ｖの場合の三極管電界放出素子の輝度を撮っ
た写真である。
【００１６】<実施例３>図１９は陽極と陰極との間隔を
１．１ｍｍになるように製造された本発明に係る三極管
電界放出素子に関する写真である。この場合、電子放出
源としてガラス及びカーボンナノチューブを合成（混
合）して得られたペーストが陰極電極上にプリンティン
グされている。ここで、陽極電圧はＤＣ７００Ｖであ
り、ゲート電圧はＡＣ３００Ｖ(１３０Hz、１/１００du
ty)である。ここでは、基板の左側半分のみをゲートオ
ンさせる場合を示す。
【００１７】<実施例４>図２０及び図２１はゲートと陰
極との間に介在されている絶縁層を陰極電極に沿ってス
トライプ状に形成した場合と絶縁層を平面状に形成した
場合の三極管電界放出素子の輝度を示す写真である。こ
の場合、陽極電圧はＤＣ５００Ｖである。図２０のよう
に、絶縁層を線形に形成した場合電界放出の均一性及び
動作電圧(線形の場合１６０Ｖ、全面に形成時２４０Ｖ)
が改善された。
【００１８】このような電界放出素子の製作過程は次の
通りである。まず、基板にストライプ状のゲート電極ラ
インを形成した後、一定の厚さ(約数〜数十μm)の絶縁
物質をその上部に全面的にまたは部分的に塗布する。次
いで、絶縁層上にゲート電極を横切る陰極ラインを形成
する。陰極とゲート電極との重畳部分のドット領域で陰
極の縁部(または陰極ラインのゲート電極との重畳部分
にホールを形成した場合にはホールの縁部)に、例え
ば、カーボンナノチューブをプリンティング法、電気泳
動法または気相蒸着法により接合する。次いで、一般の
方法でスペーサを用いて陽極と基板とを真空密封する。
【００１９】
【発明の効果】前述したように、本発明に係るカーボン
ナノチューブを用いた三極構造の電界放出素子は、陰極
上のカーボンナノチューブから電子を引出す役割をする
ゲート電極を、陰極の下の基板上に配置する構成とした
ことによって、電界放出素子の製造が容易になった。既
存の三極構造の電子放出素子においは、ゲート電極は陰
極と陽極の間に介在して配置する構成をとっていた。と
ころが、本発明に係るカーボンナノチューブを用いた三
極構造の電界放出素子は、ゲート電極を、陰極の下に形
成された絶縁層の下に形成したことにより、ゲート電極
に適当な電圧を印加すれば、ゲート電圧による電場が絶
縁層を透過し、電子放出源に強い電場が形成されて電界
放出により電子を放出することとなるので、カーボンナ
ノチューブに強い電場が形成されることとなる。即ち、
カーボンナノチューブにより電界放出による電子の放出
が制御可能となった。放出された電子は、陽極電圧によ
る追加的な電場によって陽極側に移動して本来の役割を
行うことになる。このような構造の電界放出素子は、製
造工程自体が単純で現在の技術水準で簡単に製作でき、
しかも、カーボンナノチューブを電子放出源として用い
たことにより、電界放出素子の低電圧駆動及び大面積化
を図ることが可能となった。以上のような作用効果を本
発明に係るカーボンナノチューブを用いた三極構造の電
界放出素子は有するので、次世代の平板ディスプレーに
適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子の概略的な構造を示す垂直断面図であ
る。
【図２】図２は、本発明に係る電界放出物質を用いた三
極構造の電界放出素子の概略的な構造を示す垂直断面図
である。
【図３】図３は、図２の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子において、電界放出物質を陰極とゲート
との交点の陰極の縁部領域に形成した実施例を示す図面
である。
【図４】図４は、図２の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子において、陰極とゲートとの交点の陰極
に少なくとも１つ以上の孔をあけ、その孔の周囲に電界
放出物質を形成させた実施例を示す図面である。
【図５】図５は、図２の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子において、陰極とゲートとの交点の陰極
に少なくとも１つ以上の孔をあけ、その孔の周囲に電界
放出物質を形成させた実施例を示す図面である。
【図６】図６は、図２の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子において、陰極とゲートとの交点の陰極
に少なくとも１つ以上の孔をあけ、その孔の周囲に電界
放出物質を形成させた実施例を示す図面である。
【図７】図７は、図２の電界放出物質を用いた三極構造
の電界放出素子において、陰極とゲートとの交点の陰極
に少なくとも１つ以上の孔をあけ、その孔の周囲に電界
放出物質を形成させた実施例を示す図面である。
【図８】図８は、陰極間の間隔が６０μm、陽極電圧が
５００Ｖ、陰極と陽極との間隔が２００μmであり、陰
極とゲートとの間隔ｈが同一な図２の電界放出素子にお
けるゲート電圧による等電圧線の分布及び電界分布を示
す曲線である。
【図９】図９は、陰極間の間隔が６０μm、陽極電圧が
５００Ｖ、陰極と陽極との間隔が２００μmであり、陰
極とゲートとの間隔ｈが同一な図２の電界放出素子にお
けるゲート電圧による等電圧線の分布及び電界分布を示
す曲線である。
【図１０】図１０は、陰極間の間隔が６０μm、陽極電
圧が５００Ｖ、陰極と陽極との間隔が２００μmの条件
で、陰極とゲートとの間隔ｈを各々５μm、１０μm、１
５μmとした場合の図２の電界放出素子に対してゲート
に印加する電圧を変化させながら測定した縁部電場の強
度を示すグラフである。
【図１１】図１１は、陰極間の間隔が６０μm、陽極電
圧が５００Ｖ、陰極と陽極との間隔が２００μmの条件
で、陰極とゲートとの間隔ｈを各々５μm、１０μm、１
５μmとした場合の図２の電界放出素子に対してゲート
に印加する電圧を変化させながら測定した縁部電場の偏
差を示すグラフである。
【図１２】図１２は、陰極と陽極との間隔が１．１ｍｍ
に製作された図２の電界放出素子の実施例において陽極
電圧を４００Ｖとした場合のゲートの電圧変化による電
気的な特性を示す図面であって、ゲートの電圧変化によ
る陽極電流の強度及びそのファウラノルドハイムプロッ
ト値を示すグラフである。
【図１３】図１３は、陰極と陽極との間隔が１．１ｍｍ
に製作された図２の電界放出素子の実施例において陽極
電圧を４００Vとした場合のゲートの電圧変化による電
気的な特性を示す図面であって、ゲートの電圧変化によ
る陽極電流の強度及びそのファウラノルドハイムプロッ
ト値を示すグラフである。
【図１４】図１４は、陰極と陽極との間隔が１．１ｍｍ
に製作された図２の電界放出素子の実施例において陽極
電圧を４００Vとした場合のゲートの電圧変化による電
気的な特性を示す図面であって、基板の半分をゲートオ
ンし、残り半分をゲートオフしたとき、実際に製造され
た電界放出素子の輝度を撮った写真である。
【図１５】図１５は、陽極と陰極との間隔が２００μm
であり、Ａｇとカーボンナノチューブとを合成したペー
ストを陰極上にプリンティングした電界放出素子に関す
るグラフである。
【図１６】図１６は、陽極と陰極との間隔が２００μm
であり、Ａｇとカーボンナノチューブとを合成したペー
ストを陰極上にプリンティングした電界放出素子に関す
るグラフである。
【図１７】図１７は、陽極と陰極との間隔が２００μm
であり、Ａｇとカーボンナノチューブとを合成したペー
ストを陰極上にプリンティングした電界放出素子に関す
る写真である。
【図１８】図１８は、陽極と陰極との間隔が２００μm
であり、Ａｇとカーボンナノチューブとを合成したペー
ストを陰極上にプリンティングした電界放出素子に関す
る写真である。
【図１９】図１９は、陽極と陰極との間隔が１．１ｍｍ
であり、ガラスとカーボンナノチューブとを合成したペ
ーストを陰極電極上にプリンティングした三極管の電界
放出素子に関する写真である。
【図２０】図２０は、ゲートと陰極との間に介在されて
いる絶縁層を陰極電極に沿ってストライプ状に形成した
場合と絶縁層を平面状に形成した場合との三極管の電界
放出素子の輝度を示す写真である。
【図２１】図２１は、ゲートと陰極との間に介在されて
いる絶縁層を陰極電極に沿ってストライプ状に形成した
場合と、絶縁層を平面状に形成した場合の三極管の電界
放出素子の輝度を示す写真である。
【符号の説明】
１１ 背面基板 １２ 陰極 １３ ゲート １４ 陽極 １５ グラファイト電子放出源 １６ スペーサ １７ 絶縁層 ２０ 前面基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 來成 大韓民国 ソウル特別市 麻浦区 城山洞 450番地 市営アパート ２棟 1305号 (72)発明者 金 鐘民 大韓民国 京畿道 水原市 八達区 霊通 洞 965−２番地 信元アパート 641棟 1801号

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一定の間隔に相互対向して配置された背
    面基板及び前面基板と、 前記両基板の間隔を保ちながらその内部を真空密封する
    スペーサと、 前記両基板の対向面上に各々相互交差するストライプ状
    に配置された陰極及び陽極と、 前記陰極及び陽極の交点に対応する陰極上に形成された
    電子放出源と、 前記電子放出源から放出される電子を制御するゲートと
    を備えた三極構造の電界放出素子において、 前記ゲートは前記陰極の下部の前記背面基板上に配置さ
    れ、前記ゲートと陰極との間に電気的な絶縁のための絶
    縁層が形成されたことを特徴とする三極構造の電界放出
    素子。
  2. 【請求項２】 前記ゲートは前記陰極の下部の前記背面
    基板上に前記陰極との交差方向に前記陽極に対応する位
    置にストライプ状に配置されたことを特徴とする請求項
    １に記載の三極構造の電界放出素子。
  3. 【請求項３】 前記電子放出源は、金属、ダイアモン
    ド、グラファイトからなる群から選択された少なくとも
    １つの物質からなり、前記陰極及び陽極の交点に対応す
    る陰極上に形成されたことを特徴とする請求項１に記載
    の三極構造の電界放出素子。
  4. 【請求項４】 前記電子放出源は、伝導性物質、誘電性
    物質または絶縁性物質と、カーボンナノチューブ、金
    属、ダイアモンド、グラファイトからなる群から選択さ
    れた少なくとも１つの物質との混合物からなり、前記陰
    極及びゲート交点に対応する陰極上に形成されたことを
    特徴とする請求項１に記載の三極構造の電界放出素子。
  5. 【請求項５】 前記電子放出源は、前記陰極及びゲート
    の交点に対応する陰極上の全面または一側縁部にまっす
    ぐに形成されたことを特徴とする請求項３または４に記
    載の三極構造の電界放出素子。
  6. 【請求項６】 前記電子放出源は、前記陰極及びゲート
    の交点に対応する陰極に少なくとも１つ以上の孔をあけ
    その孔に形成されたことを特徴とする請求項３または４
    に記載の三極構造の電界放出素子。
  7. 【請求項７】 前記電子放出源は、プリンティング法、
    電気泳動法及び気相蒸着法のうち何れか１つの方法で形
    成されたことを特徴とする請求項３乃至６のうち何れか
    １項に記載の三極構造の電界放出素子。
  8. 【請求項８】 前記孔が３つ以上形成される場合、真ん
    中に位置するほど孔を大きくあけその縁部に電界放出物
    質を形成させ、１画素内の放出電流の均一度を高めるこ
    とを特徴とする請求項６に記載の三極構造の電界放出素
    子。
  9. 【請求項９】 前記絶縁層は、全面に形成されるか、ま
    たは陰極電極線に沿って線形に形成されたことを特徴と
    する請求項１に記載の三極構造の電界放出素子。
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