JP2001203139A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004246094A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂ブラックマトリックスの製造方法及びそれに用いるフォトマスク、樹脂ブラックマトリックス、カラーフィルタ及び液晶表示素子
JP2006268934A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Tdk Corp スタンパーの製造方法および情報記録媒体の製造方法
JP2007328323A (ja) * 2006-04-06 2007-12-20 Asml Masktools Bv ダークフィールド二重双極子リソグラフィ（ｄｄｌ）を実行する方法および装置
JP2010040849A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
JP2010156994A (ja) * 2004-08-11 2010-07-15 Spansion Llc 狭い間隔のフラッシュメモリコンタクト開口部を形成する方法
JP2012064939A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nikon Corp パターン形成方法及びデバイス製造方法
US8395932B2 (en) 2002-01-10 2013-03-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor storage device and method of fabricating the same
JP2013232006A (ja) * 2013-07-22 2013-11-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
WO2014061760A1 (ja) * 2012-10-19 2014-04-24 株式会社ニコン パターン形成方法及びデバイス製造方法
CN111745313A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社迪思科 检查用基板和检查方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8395932B2 (en) 2002-01-10 2013-03-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor storage device and method of fabricating the same
US8908419B2 (en) 2002-01-10 2014-12-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor storage device and method of fabricating the same
US8422274B2 (en) 2002-01-10 2013-04-16 Renesas Electronics Corporation Semiconductor storage device and method of fabricating the same
JP2004246094A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂ブラックマトリックスの製造方法及びそれに用いるフォトマスク、樹脂ブラックマトリックス、カラーフィルタ及び液晶表示素子
JP2010156994A (ja) * 2004-08-11 2010-07-15 Spansion Llc 狭い間隔のフラッシュメモリコンタクト開口部を形成する方法
JP2006268934A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Tdk Corp スタンパーの製造方法および情報記録媒体の製造方法
US8632930B2 (en) 2006-04-06 2014-01-21 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL)
JP2011141544A (ja) * 2006-04-06 2011-07-21 Asml Masktools Bv ダークフィールド二重双極子リソグラフィ（ｄｄｌ）を実行する方法および装置
US7981576B2 (en) 2006-04-06 2011-07-19 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL)
US7824826B2 (en) 2006-04-06 2010-11-02 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL)
JP2007328323A (ja) * 2006-04-06 2007-12-20 Asml Masktools Bv ダークフィールド二重双極子リソグラフィ（ｄｄｌ）を実行する方法および装置
JP2010040849A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
JP2012064939A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nikon Corp パターン形成方法及びデバイス製造方法
WO2014061760A1 (ja) * 2012-10-19 2014-04-24 株式会社ニコン パターン形成方法及びデバイス製造方法
JP2013232006A (ja) * 2013-07-22 2013-11-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
CN111745313A (zh) * 2019-03-26 2020-10-09 株式会社迪思科 检查用基板和检查方法
CN111745313B (zh) * 2019-03-26 2024-05-07 株式会社迪思科 检查用基板和检查方法

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