JP2001201415A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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Abstract
力を充分に吸収でき、ノイズを防止することで高い検出
精度を有する半導体圧力センサを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体圧力センサは、センサ素
子6と、センサ素子6を収容する内部空間を有し、その
底面にセンサ外部と連通する圧力導入孔10が設けられ
たパッケージとを備えている。そして、圧力導入孔10
の縁部に第1の凸部11が設けられたことにより接着剤
溜め12が形成されており、第1の凸部11上にセンサ
素子6が配置され、接着剤溜め12に接着剤13が充填
された状態でセンサ素子6がパッケージ内に固定されて
いる。
Description
に関し、特に、半導体材料で形成したダイヤフラム等の
構造体の歪みを検出することによって圧力を検出するタ
イプの半導体圧力センサに関するものである。
フラム等の構造体を備え、圧力を受けた際に生じる構造
体の歪みから圧力の大きさを検出する半導体センサが従
来から知られている。この種の半導体センサは、シリコ
ン構造体の歪みに伴う電気抵抗の変化を電気信号として
取り出すものであり、半導体圧力センサとして自動車や
家電製品等に応用されている。
の要部を示す図である。一般に、この種の半導体圧力セ
ンサは、センサ素子が例えばPPS(Poly-Phenylene S
ulfide)等の樹脂からなるパッケージ内に収容されて使
用されることが多い。センサ素子101はダイヤフラム
102、抵抗体(図示せず)を有するSi(シリコン)
センサチップ103がガラス台座104に接合された構
成となっており、シリコーンゴム、エポキシ樹脂等から
なる接着剤105によってパッケージ106の底面10
6aに固定されている。また、パッケージ106には電
気信号を取り出すための複数のリード107が設けら
れ、Siセンサチップ103上のパッド(図示せず)と
リード107とが金ワイヤー108によって接続されて
いる。
ージ106の底面にセンサ外部と連通する圧力導入孔1
09が設けられており、センサが設置された環境の圧力
はこの圧力導入孔109を通じてセンサ内部に導入さ
れ、Siセンサチップ103に加わる。そして、その圧
力に応じてダイヤフラム102が歪み、歪みによって生
じるSiセンサチップ103上の抵抗体の抵抗変化をリ
ード107を通じて電気信号として取り出す構成となっ
ている。
成の従来の半導体圧力センサには、以下のような問題点
があった。この半導体圧力センサを他の回路基板等に実
装して使用する際に、例えば何らかの外力により回路基
板が歪んだ場合などにパッケージ自体に過大な曲げ応力
が発生することがある。また、リードを通じてパッケー
ジに曲げ応力が発生する場合もある。その場合、この応
力がSiセンサチップに加わると、圧力変動以外の要因
によりダイヤフラムが歪むことになるので、この歪みが
ノイズとなってセンサの出力信号が変動してしまい、検
出精度が低下するという問題が生じていた。
との間に介在している接着剤の厚みを厚くし、接着剤に
よって応力を吸収することも検討された。ところが、一
般に使用されている接着剤では、粘度等の物性の関係か
らむやみに厚くしても圧力導入孔に流れ出してしまった
り、センサ素子が自重で接着剤に沈み込んだりするた
め、ある程度の厚み以上にすることはできなかった。さ
らに、応力吸収に最適な接着剤の厚みを見いだしたとし
ても、そのような厚みに制御することが困難であった。
されたものであって、センサ素子を固定する接着剤によ
りパッケージから伝わる外部応力を充分に吸収でき、ノ
イズの発生を防止することで高い検出精度を有する半導
体圧力センサを提供することを目的とする。
めに、本発明の半導体圧力センサは、センサ素子と、セ
ンサ素子を収容する内部空間を有し、その底面にセンサ
外部と連通する圧力導入孔が設けられたパッケージとを
備え、圧力導入孔の縁部に内部空間に向けて突出する第
1の凸部が設けられたことにより接着剤溜めが形成さ
れ、第1の凸部上にセンサ素子が配置されて接着剤溜め
に接着剤が充填された状態でセンサ素子がパッケージ内
に固定されたことを特徴とする。
ッケージの底面に第1の凸部を設け、その上にセンサ素
子を配置する構成としたことにより、第1の凸部に対し
て凹んだ部分が接着剤溜めとなり、この中に接着剤を充
填することができる。よって、パッケージを製作する際
に第1の凸部の高さ(換言すると、凹部(接着剤溜め)
の深さ)を所望の寸法に設定することによって、接着剤
の厚みを任意に設定することができる。これにより、パ
ッケージに加わる外部応力を充分に吸収することがで
き、圧力変動以外の要因によるダイヤフラムの歪みが抑
制されるので、従来に比べて検出精度を向上させること
ができる。さらに、第1の凸部は圧力導入孔の縁部に内
部空間に向けて突出するように形成されており、第1の
凸部が圧力導入孔の延長のような形状となっている。よ
って、第1の凸部が圧力変動に対して抵抗となるような
こともなく、センサ外部の圧力がセンサ内部に円滑に導
入される。
を裏面側から支持する第2の凸部をパッケージ内部の底
面上に設けてもよい。この構成によれば、センサ素子を
第1の凸部の上に載置するだけでは不安定な場合であっ
ても、第1の凸部と第2の凸部が協働してセンサ素子を
安定して支持することができる。
素子と、センサ素子を収容する内部空間を有するパッケ
ージとを備え、内部空間の底面に内部空間に向けて突出
するとともにその形状もしくは形成位置がセンサ素子の
中心に対して点対称とされた第1の凸部が設けられたこ
とにより接着剤溜めが形成され、第1の凸部上にセンサ
素子が支持されて接着剤溜めに接着剤が充填された状態
でセンサ素子がパッケージ内に固定されたことを特徴と
するものである。
素子の裏面側から圧力導入孔を通じて圧力を導入するも
のではなく、センサ素子の表面側から加圧されるタイプ
のものである。この種の半導体圧力センサにおいても、
上記本発明の半導体圧力センサと同様、パッケージ内に
第1の凸部を設けたことにより接着剤の厚みを任意に設
定でき、接着剤により外部応力を充分に吸収することが
できるので、検出精度の向上を図ることができる。さら
に、第1の凸部の形状もしくは形成位置がセンサ素子の
中心に対して点対称とされているので、第1の凸部の上
にセンサ素子を載置した際にセンサ素子を安定して支持
することができる。
明の第1の実施の形態を図1〜図3を参照して説明す
る。図1は本実施の形態の半導体圧力センサの全体形状
を示す平面図、図2は図1のA−A’線に沿う断面図で
ある。本実施の形態の半導体圧力センサは、圧力導入パ
イプを有するセンサの例である。
体形状を示しているが、蓋(図示略)を取った状態のパ
ッケージ2の部分のみを示している。PPS等の樹脂か
らなるパッケージ本体3の下方に突出する圧力導入パイ
プ4がパッケージ本体3と一体に形成されている。パッ
ケージ本体3には段状に掘り込まれた内部空間5が形成
されており、この内部空間5の最下部のセンサ素子実装
部5aに後述するセンサ素子6が収容される。本実施形
態の半導体圧力センサ1の場合、外部回路との間で信号
のやり取りを行うためのリード7を6本有しており、6
本のリード7はパッケージ本体3下部の第1の段部5b
上に片側3本ずつ取り付けられている。なお、パッケー
ジ本体3上部の第2の段部5cは、蓋を落とし込むため
の段部である。
ッケージ本体3の最下部を拡大した断面図、図3(b)
は平面図である。センサ素子6はダイヤフラム7、抵抗
体(図示せず)を有するSiセンサチップ8がガラス台
座9に接合されてなるものである。これらの図に示すよ
うに、パッケージ本体3の底面3aの中央には圧力導入
パイプ4の中心を長手方向に貫通する圧力導入孔10が
設けられ、圧力導入孔10を通じてセンサの内部と外部
とが連通している。圧力導入孔10の縁に沿って上方
(センサの内部空間)に向けて突出する環状の第1の凸
部11が設けられており、第1の凸部11の周囲の、第
1の凸部11の上面に対して凹んだ部分が接着剤溜め1
2となっている。そして、接着剤溜め12の内部に接着
剤13が充填された状態でガラス台座9とパッケージ本
体3の底面3aとが接着されたことにより、センサ素子
6がパッケージ2に固定されている。
に熱硬化性のシリコーン系接着剤を用いるものとして、
第1の凸部11の高さh(接着剤溜め12の深さ)は5
0μm程度に設定されている。これにより、センサ素子
6とパッケージ本体3との間に介在する接着剤13の厚
みをほぼ50μm程度にすることができる(実際には、
第1の凸部11の上面上にも若干の接着剤13が載るた
め、接着剤13の厚みは厳密には第1の凸部11の高さ
より大きくなる)。また、平面視した際の第1の凸部1
1の面積は極力小さい方が望ましい。なぜならば、この
部分は応力の吸収にはほとんど寄与しないからである。
ては、パッケージ本体3の底面に第1の凸部11を設け
たことにより、第1の凸部11に対して凹んだ部分が接
着剤溜め12となり、この中に接着剤13を充填するこ
とができる。よって、パッケージ製作時に第1の凸部1
1の高さを所望の寸法に設定することによって接着剤1
3の厚みを任意に設定することが可能になり、接着剤1
3自体の粘度等により自然に保持される厚み以上に厚く
することができる。このため、パッケージ2に加わる外
部応力を充分に吸収することができ、圧力変動以外の要
因によるダイヤフラム7の歪みが抑制されるので、従来
に比べて圧力の検出精度を向上させることができる。ま
た、第1の凸部11は圧力導入孔10の縁部に内部空間
5に向けて突出するように形成されており、第1の凸部
11が圧力導入孔10の延長のような形状となってい
る。よって、第1の凸部11が圧力変動に対して抵抗と
なるようなこともなく、センサ外部の圧力がセンサ内部
に円滑に導入される。
の実施の形態を図4〜図13を参照して説明する。本実
施の形態の半導体圧力センサの基本構成は第1の実施の
形態と全く同様であり、異なる点は、パッケージ内に第
1の凸部に加えて第2の凸部を設けた点である。よっ
て、以下の例ではセンサ全体の図示は省略し、センサ素
子が実装されるパッケージの下部のみを図示する。以下
の図面は全て(a)が平面図、(b)が断面図である。
また、図1〜図3に示した第1の実施の形態と共通の構
成要素には同一の符号を付す。
(a)、(b)に示すように、圧力導入孔10の縁部に
設けた環状の第1の凸部11に加えて、矩形状のセンサ
素子実装部5aの対角線上にあたる圧力導入孔10の周
囲の4箇所に円柱状の第2の凸部16が設けられてい
る。第2の凸部16は第1の凸部11と同じ高さに形成
されている。
の上にセンサ素子を配置する形となるため、第1の実施
の形態のような構成では、センサ素子6を第1の凸部1
1の上に載置した際にセンサ素子6が若干不安定にな
り、センサ素子6が傾いて固定される恐れがある。これ
に対して、本実施の形態の場合、センサ素子6は第1の
凸部11と第2の凸部16の双方に支持されるため、セ
ンサ素子6が傾いて固定されたりすることがない。
は、図4(a)、(b)に示したもの以外にも様々なも
のが考えられる。例えば、図5(a)、(b)に示すよ
うに、図4に示す第2の凸部16の上部をR加工して丸
め、センサ素子6との接触面積を最小にした第2の凸部
17を有するもの、図6(a)、(b)に示すように、
センサ素子実装部5aの4つの角に3角形状の第2の凸
部18を設けたもの、図7(a)、(b)に示すよう
に、センサ素子実装部5a内の第1の凸部11から縦横
4方向に張り出す第2の凸部19を設けたもの、図8
(a)、(b)に示すように、図7に示す第2の凸部1
9をパッケージの内壁部まで延在させた第2の凸部20
を有するもの、図9(a)、(b)に示すように、第1
の凸部11の外側に環状の第2の凸部21を設けたも
の、図10(a)、(b)に示すように、センサ素子実
装部5a内の第1の凸部11から対角線に沿う4方向に
張り出す第2の凸部22を設けたもの、図11(a)、
(b)に示すように、センサ素子実装部5aの縁に沿っ
て第2の凸部23を設けたもの、図12(a)、(b)
に示すように、図10に示す第2の凸部22と図11に
示す第2の凸部23とを組み合わせた形状の第2の凸部
24を設けたもの、図13(a)、(b)に示すよう
に、センサ素子実装部5a内の第1の凸部11の周囲に
矩形状の第2の凸部25を設けたもの、等が挙げられ
る。いずれの形状のものも、センサ素子6を安定して支
持できる、という図4のセンサと同様の効果を得ること
ができる。
の実施の形態を図14〜図20を参照して説明する。第
1,第2の実施の形態では圧力導入パイプを有するセン
サの例を挙げたが、本実施の形態では表面加圧型の半導
体圧力センサの例を挙げる。このセンサにおいても基本
構成は大きく変わらないため、以下ではセンサ素子実装
部の平面図のみを図示する。
は、図14に示すように、センサ素子実装部5aの4つ
の角に3角形状の第1の凸部31が設けられている。本
例の場合、これら第1の凸部31は、その形状もしくは
形成位置がセンサ素子の中心(重心)に対して点対称と
されている。そして、第1の凸部31により接着剤溜め
が形成され、第1の凸部31上にセンサ素子が支持され
て接着剤溜めに接着剤が充填された状態でセンサ素子が
パッケージ内に固定されている。
第1の凸部31は接着剤溜めを形成すると同時にセンサ
素子を支持する役目を果たすものである。この場合も、
第1の凸部31の高さを制御することにより接着剤の厚
みを任意に設定でき、接着剤により外部応力を充分に吸
収できるので、検出精度の向上を図ることができる。さ
らに、第1の凸部31の形状もしくは形成位置がセンサ
素子の中心に対して点対称とされているので、第1の凸
部31の上にセンサ素子を載置した際にセンサ素子を安
定して支持することができる。
は、図14に示したもの以外にも様々なものが考えられ
る。例えば、図15に示すように、センサ素子実装部5
aの対角線上に4つの円形の第1の凸部32を設けたも
の、図16に示すように、センサ素子実装部5aを縦横
に4等分する線分上に4つの円形の第1の凸部33を設
けたもの、図17に示すように、センサ素子実装部5a
の中心を中心とした環状の第1の凸部34を設けたも
の、図18に示すように、センサ素子実装部5aの縁に
沿って第1の凸部35を設けたもの、図19に示すよう
に、センサ素子実装部5aを縦横に4等分する線分に沿
って延びる第1の凸部36を設けたもの、図20に示す
ように、センサ素子実装部5aの中心から対角線に沿っ
て延びる第1の凸部37を設けたもの、等が挙げられ
る。いずれの形状のものも、第1の凸部の存在によりセ
ンサ素子を安定して支持できるとともに外部応力を吸収
して検出精度を向上できる、という図14のセンサと同
様の効果を得ることができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば第1の凸部、第2の凸部、パッケージ、センサ素子
の材料、形状、寸法等の具体的な記載に関しては、上記
実施の形態に限ることなく、適宜変更が可能なことは勿
論である。また、第1の凸部、第2の凸部に関しては、
パッケージと一体成形したものでも良いし、別体で形成
したものを取り付けても良い。
半導体圧力センサによれば、パッケージの底面に第1の
凸部を設けたことにより接着剤溜めを形成でき、パッケ
ージ製作時に第1の凸部の高さを適宜設定することによ
り接着剤の厚みを任意に設定できるため、接着剤の厚み
を厚くすることができる。このため、パッケージに加わ
る外部応力を充分に吸収することができ、圧力変動以外
の要因によるダイヤフラムの歪みが抑制されるので、従
来に比べて圧力の検出精度を向上させることができる。
サを示す平面図である。
1のII−II線に沿う断面図である。
ージ本体の最下部を拡大した断面図、図3(b)は平面
図である。
サのセンサ実装部を示す(a)平面図、(b)(a)の
A−A’線に沿う断面図である。
あって、(a)平面図、(b)(a)のA−A’線に沿
う断面図である。
ンサのセンサ実装部を示す平面図である。
面図である。
す図である。
間、6…センサ素子、10…圧力導入孔、11,31,
32,33,34,35,36,37…第1の凸部、1
2…接着剤溜め、13…接着剤、16,17,18,1
9,20,21,22,23,24,25…第2の凸
部。
Claims (3)
- 【請求項1】 センサ素子(6)と、該センサ素子を収
容する内部空間(5)を有し、その底面にセンサ外部と
連通する圧力導入孔(10)が設けられたパッケージ
(2)とを備え、前記圧力導入孔の縁部に前記内部空間
に向けて突出する第1の凸部(11)が設けられたこと
により接着剤溜め(12)が形成され、前記第1の凸部
上に前記センサ素子が配置され前記接着剤溜めに接着剤
(13)が充填された状態で前記センサ素子が前記パッ
ケージ内に固定されたことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項2】 前記第1の凸部(11)に加えて、前記
センサ素子(6)を裏面側から支持する第2の凸部(1
6〜25)が前記パッケージ内部の底面上に設けられた
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項3】 センサ素子と、該センサ素子を収容する
内部空間を有するパッケージとを備え、前記内部空間の
底面に該内部空間に向けて突出するとともにその形状も
しくは形成位置が前記センサ素子の中心に対して点対称
とされた第1の凸部(31〜37)が設けられたことに
より接着剤溜めが形成され、前記第1の凸部上に前記セ
ンサ素子が支持されて前記接着剤溜めに接着剤が充填さ
れた状態で前記センサ素子が前記パッケージ内に固定さ
れたことを特徴とする半導体圧力センサ。
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