JP2001195982A

JP2001195982A - フェースプレートの製造方法及び画像形成装置の製造方法

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Publication number: JP2001195982A
Application number: JP2000330435A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Yamano; 明彦山野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-11-05
Filing date: 2000-10-30
Publication date: 2001-07-19
Anticipated expiration: 2020-10-30
Also published as: JP3754885B2; US6604972B1

Abstract

(57)【要約】【課題】輝度が高く、高い画質の画像を長期に渡り安
定に形成することが可能なフェースプレートの製造方法
及び画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に蛍光体粒子２を形成する工程
と、蛍光体粒子２による蛍光膜上に第１の導電膜３を形
成する工程と、第１の導電膜３と間隔をおいて電極を配
置し、第１の電極３と電極との間に電圧を印加する工程
と、電圧を印加した後に、第１の導電膜３上に第２の導
電膜４を形成する工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、フィール
ドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）や陰極線管（Ｃ
ＲＴ）などの電子線を利用した画像形成装置の製造方
法、及びこのような画像形成装置に適用されて好適なフ
ェースプレートの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＣＲＴをはじめとする画像形成装
置は、より一層の大型化が求められ研究が盛んに行なわ
れている。ここで、大型化に伴って、装置の薄型化・軽
量化・低コスト化が重要な課題となっている。

【０００３】しかしながら、ＣＲＴは高電圧で加速した
電子を偏向電極で偏向し、フェースプレート上の蛍光体
に照射することで励起する構造であるため、大型化を行
なうと原理的に奥行きが必要となり、薄型・軽量のもの
を提供する事が困難である。

【０００４】発明者らは上記の問題を解決し得る画像形
成装置として、表面伝導型電子放出素子を用いた画像形
成装置について研究を行なってきた。

【０００５】ＵＳＰ５，９３６，３４２、ＵＳＰ５，４
５１，８３５、ＷＯ００/４４０２２号などには、図１
１に示されるような電気的配線方法による、電子放出素
子のマルチ電子ビーム源への応用が開示されている。

【０００６】図１１に示される装置は表面伝導型電子放
出素子を２次元的に多数個配列し、これらの素子を図示
のように単純マトリクス状に配線したマルチ電子ビーム
源である。図１１に、表面伝導型電子放出素子をマトリ
クス配線接続した場合の回路図を示す。

【０００７】図中、４０１２は表面伝導型電子放出素子
を模式的に示したものであり、４００２は列方向配線、
４００３は行方向配線、４００４は抵抗である。

【０００８】なお、図示の便宜上、６×６マトリクスで
示しているが、マトリクスの規模はむろんこれに限った
わけではなく、所望の画像表示を行うのに足りるだけの
素子を配列し配線するものである。

【０００９】また、図１２は、図１１に示されるマルチ
電子ビーム源を用いた平板型の陰極線管の構造を示す斜
視模式図である。

【００１０】図１２においては、基板４００１上に表面
伝導型電子放出素子４０１２を備え、リアプレート４０
０５及び側壁４００７と、蛍光体層４００８を備えたフ
ェースプレート４００６と、蛍光体層上に設けられた導
電膜としてのメタルバック４００９とからなる構造をと
っている。

【００１１】また、メタルバック４００９には高電圧導
入端子４０１１を通じて、高電圧電源４０１０から高電
圧が印加される構成となっている。

【００１２】表面伝導型電子放出素子４０１２を単純マ
トリクス配線したマルチ電子ビーム源においては、所望
の電子ビームを出力させるため、列方向配線４００２及
び行方向配線４００３に適宜の電気信号を印加する。

【００１３】たとえば、マトリクス中の任意の１行の表
面伝導型電子放出素子を駆動するには、選択する行の行
方向配線４００３には選択電圧Ｖｓを印加し、同時に非
選択の行の行方向配線４００３には非選択電圧Ｖｎｓを
印加する。

【００１４】また、これと同期して列方向配線４００２
に電子ビームを出力するための駆動電圧Ｖｅを印加す
る。

【００１５】この方法によれば、選択する行の表面伝導
型電子放出素子には、Ｖｅ−Ｖｓの電圧が印加され、ま
た非選択行の表面伝導型電子放出素子にはＶｅ−Ｖｎｓ
の電圧が印加される。

【００１６】これらＶｅ、Ｖｓ、Ｖｎｓの電圧の大きさ
を適宜調整すれば、選択する行の表面伝導型電子放出素
子だけから所望の強度の電子ビームが出力され、また、
列方向配線の各々に異なる駆動電圧Ｖｅを印加すれば、
選択する行の素子の各々から異なる強度の電子ビームが
出力される。

【００１７】また、表面伝導型電子放出素子の応答速度
は高速であるため、駆動電圧Ｖｅを印加する時間の長さ
を変えれば、電子ビームが出力される時間の長さも変え
ることができる。

【００１８】上記のような電圧印加により、表面伝導型
電子放出素子により構成されるマルチ電子ビーム源から
出力された電子ビームは、高電圧Ｖａを印加されている
メタルバック４００９に照射され、メタルバック４００
９を通過し、ターゲットである蛍光体層４００８の蛍光
体に衝突し、蛍光体を励起して発光させる。

【００１９】したがって、図１２に示される画像形成装
置は、たとえば画像情報に応じた電圧信号を適宜印加す
るようにして画像形成装置となる。ここで、図１２に示
される画像形成装置は、画像表示装置としても機能する
ものである。すなわち本明細書において、画像形成装置
には画像表示装置が含まれる。

【００２０】このように、上記画像形成装置は、メタル
バック４００９に高電圧を印加し、リアプレート４００
５とフェースプレート４００６との間に電界を生じさせ
電子を加速し、蛍光体を励起させ発光させることにより
画像を表示する。

【００２１】一方、画像形成装置の一層の薄型化を実現
するためには、例えば図１２に示されるリアプレート４
００５とフェースプレート４００６との間の距離を小さ
くしなければならない。

【００２２】したがって、リアプレート４００５とフェ
ースプレート４００６との間にはＣＲＴに比べて、かな
り高い電界強度が生じることになる。また、加速電圧が
高いほど発光が強く輝度の高い画像形成装置が実現でき
る。

【００２３】また、メタルバック４００９は金属膜で構
成されるものである。この理由は、蛍光体層全体に高電
圧を印加する目的のため、また、蛍光体が絶縁性である
ので、蛍光体の帯電をメタルバックによって除去する目
的のため、さらに蛍光体から後方（リアプレート方向）
に出た光を鏡面効果により前方に取り出す（反射する）
という目的を持つためである。そのため、メタルバック
は、ある程度の厚さをもつ連続膜である事が必要とな
る。

【００２４】さらに、加速された電子ビームがメタルバ
ック４００９を透過して蛍光体を励起しなければならな
いので、メタルバックに印加する電位にもよるが、メタ
ルバック４００９の厚みは制限される。

【００２５】一方、蛍光体は一般に粉体であるため、蛍
光体層４００８はポーラスになり表面にはかなりの凹凸
が存在する。

【００２６】また、蛍光体の混色防止や、ビーム位置が
多少ずれても色ずれを起こさないようにするためや、外
光を吸収し画像のコントラストを向上する、などの理由
で設けられる黒色部材（ブラックマトリクス等）の表面
にも、かなりの凹凸が存在する。

【００２７】そのために蛍光体層上に直接金属を成膜し
たのでは、所望厚みの連続膜にならないので、一般的に
メタルバック作製の工程としてフィルミング工程が用い
られている。

【００２８】このフィルミング工程とは、蛍光体層など
の表面にアクリルなどの樹脂フィルム（フィルミング膜
又は樹脂膜）を作製し、蛍光体層などの表面を平坦化す
る工程である。

【００２９】この、平坦化されたフィルム（フィルミン
グ膜）上に真空蒸着法などで金属膜を成膜し、その後、
フィルミング膜を焼成によって熱分解除去することによ
り、金属膜を蛍光体層と密着させ、メタルバックとす
る。

【００３０】なお、上記フィルミング膜は、金属膜を作
製した後に、焼成によって熱分解して除かれるために、
フィルミング膜がガスとなり、そのガスが抜ける穴がメ
タルバック（金属膜）に生じてしまう（図１３参照）。
図１３は、従来のフェースプレートの断面模式図であ
る。

【００３１】図１３において、４００６はフェースプレ
ート、２は蛍光体粒子、３は金属膜（メタルバック）、
１０４は金属膜（メタルバック）に生じた孔の外周部に
形成される突起である。そして、この孔および突起１０
４は、フィルミング膜上に形成する金属膜（メタルバッ
ク）の厚みが大きいほど、その形状が酷い場合が多い。

【００３２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術の場合には、リアプレートとフェースプ
レートとの間の電界強度が大きくなり両電極間に火花放
電が発生する場合があり、画像形成装置が表示する画像
の画質が劣化する場合があるという問題点を有してい
る。

【００３３】上記問題点について前述の従来技術を例に
説明する。図１２に示されるように、リアプレート４０
０５とフェースプレート４００６との間の電界強度が大
きくなった際に火花放電が発生する場合がある。

【００３４】この場合、火花放電が発生し始める火花電
圧は高真空のギャップを介している時には電極の材料や
表面状態が影響する。

【００３５】そのため、前記したように、メタルバック
に孔や突起があると、フェースプレート４００６とリア
プレート４００５との間の放電を誘発する場合がある。

【００３６】また、メタルバック４００９の孔の外周部
にある構造的に弱い突起などが、クーロン力などによっ
てリアプレート側に落下し、リアプレート側に高密度に
配置された配線間のショートなどを引き起こす場合があ
った。

【００３７】このような問題は、図１３を用いて説明し
たように、前述したフィルミング膜を用いるためにメタ
ルバック４００９に形成される孔および孔の外周部に形
成される突起１０４にその一因がある。

【００３８】そのため、フィルミング膜上に形成する金
属膜（メタルバック）の厚みを薄くし、ガス抜けによる
孔および突起１０４の軽減を図ることが考えられる。

【００３９】しかしながら、このようにメタルバックを
薄くすると、メタルバック自体の導電性の低下や、蛍光
体からの発光をフェースプレート側に反射するというメ
タルバック本来の目的を満たすことができなくなる場合
があった。

【００４０】そのため、信頼性、寿命の観点から実用に
際しては、メタルバックに印加する電圧をさげる必要が
あり、その結果輝度が暗くなるなど画像形成装置として
の画質を低下させるという問題があった。

【００４１】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
輝度が高く、高い画質の画像を長期に渡り安定に形成す
ることが可能なフェースプレートの製造方法及び画像形
成装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００４２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るフェースプレートの製造方法は、基板
上に蛍光体を形成する工程と、前記蛍光体上に第１の導
電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜と間隔をおい
て電極を配置し、前記第１の導電膜と電極との間に電圧
を印加する工程と、前記電圧を印加した後に、前記第１
の導電膜上に第２の導電膜を形成する工程とを備える。

【００４３】また、前記蛍光体を形成した後であって、
前記第１の導電膜を形成する前に、前記蛍光体上に樹脂
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜を形成した後に
焼成を行う工程とを備える。

【００４４】また、前記フェースプレートは、放出され
た電子が前記蛍光体に照射されることにより該蛍光体が
発光し、所望の画像が形成される画像形成装置に使用さ
れるフェースプレートである。

【００４５】また、前記基板上に形成される蛍光体は、
それぞれ赤、青、緑の蛍光を発する部分を有する蛍光体
である。

【００４６】また、前記第１の導電膜と前記第２の導電
膜とが異なる材料である。

【００４７】また、前記第２の導電膜の材料がゲッター
材料である。

【００４８】また、前記基板が透光性の絶縁性基板であ
る。

【００４９】さらに、本発明に係る画像形成装置の製造
方法は、第１基板と、前記第１基板と間隔を置いて対向
して配置された第２基板と、前記第１基板の主面上に配
置された電子放出素子と、前記電子放出素子と対向する
ように前記第２基板の主面上に配置された、蛍光体膜お
よび該蛍光体膜を覆う導電膜と、を有する画像形成装置
の製造方法であって、前記第２基板上に蛍光体を形成す
る工程と、前記蛍光体上に第１の導電膜を形成する工程
と、前記第１の導電膜と間隔をおいて電極を配置し、前
記第１の導電膜と電極との間に電圧を印加する工程と、
前記電圧を印加した後に、前記第１の導電膜上に第２の
導電膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。

【００５０】また、前記蛍光体膜を形成した後であっ
て、前記第１の導電膜を形成する前に、前記蛍光体膜上
に樹脂膜を形成する工程と、前記第１の導電膜を形成し
た後に焼成を行うことで前記樹脂膜を除去する工程とを
備える。

【００５１】また、前記第１の導電膜と前記第２の導電
膜とが異なる材料である。

【００５２】また、前記第２の導電膜の材料がゲッター
材料である。

【００５３】また、前記第２基板が透光性の絶縁性基板
である。

【００５４】また、前記第１の導電膜と前記電極との間
に印加される電圧が、前記画像形成装置の駆動時に、前
記電子放出素子と前記第１の導電膜との間に印加される
電圧以上であることを特徴とする。

【００５５】また、前記第１の導電膜と前記電極との間
に電圧が印加される際に生じる電界強度が、前記画像形
成装置の駆動時に、前記電子放出素子と前記第１の導電
膜との間に印加される電界強度以上であることを特徴と
する。

【００５６】このように、本発明によれば、第１の導電
膜と電極との間に電圧を印加することで、耐圧を上昇さ
せることができると共に、フェースプレートとリアプレ
ートとの間に印加させる電圧を上昇させることができ、
表示される画像の画質を向上させることができる。

【００５７】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、この発明
の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただ
し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、
材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載が
ない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣
旨のものではない。

【００５８】また、以下の図面において、前述の従来技
術の説明で用いた図面に記載された部材、及び既述の図
面に記載された部材と同様の部材には同じ番号を付す。
また、以下に説明する本発明に係る画像形成装置の製造
方法の実施形態の説明は、本発明に係るフェースプレー
トの製造方法の実施形態の説明を兼ねる。

【００５９】（画像形成装置の製造方法の実施形態）ま
ず、本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施形態
について図１から図６を参照して以下に説明する。

【００６０】図１は、本発明に係る画像形成装置の製造
方法の一実施形態により製造される画像形成装置の斜視
模式図である。１００１はリアプレートであり、電子放
出素子１００２、電子放出素子を駆動するための行方向
配線配線１００３および列方向配線１００４を有する。
１０１２はフェースプレートであり、画像形成部材１２
を有する。

【００６１】画像形成装置をディスプレイとして用いる
場合、画像形成部材１２は、蛍光体膜１００８と導電膜
（メタルバック）１００９から構成される。

【００６２】１００６は支持枠であり、フェースプレー
ト１０１２とリアプレート１００１間の空間を減圧状態
に保持するための部材であり、また、フェースプレート
１０１２とリアプレート１００１間の間隔を維持するた
めの部材でもある。

【００６３】フェースプレート１０１２とリアプレート
１００１間の間隔は、５００μｍ以上１０ｍｍ以下であ
り、用いる電子放出素子の放出ビームの広がり角にもよ
るが、１ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。そして、前記
導電膜１００９には、高圧端子Ｈｖが接続されている。

【００６４】上記フェースプレート１０１２とリアプレ
ート１００１間距離やメタルバック１００９の厚み、放
電開始電圧などを考慮すると、リアプレート１００１の
電位に対して、１ｋＶ以上２０ｋＶ以下の電圧、好まし
くは６ｋＶ以上１５ｋＶ以下の電圧が、上記画像形成装
置の駆動時に、メタルバック１００９に印加される。

【００６５】そして、メタルバック１００９は、前記し
た蛍光体の帯電をメタルバック１００９によって除去す
る目的、蛍光体から後方（リアプレート方向）に出た光
を鏡面効果により前方に取り出す（反射する）目的、さ
らに、電子放出素子から放出された電子を十分に透過さ
せる目的から、上記したメタルバックに印加される電圧
の範囲からは、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましく
は４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚に設定される。

【００６６】ここで、本発明に係る画像形成装置の製造
方法の一実施形態により製造されたフェースプレート１
０１２を、図１に示すリアプレート１００１側から見た
際の概略図として図５（ｂ）を示す。

【００６７】次に、蛍光体膜１００８の３種類のパター
ンの例を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。図２
（ａ）〜（ｃ）は、図１に示される画像形成装置に適用
される、蛍光体膜１００８の３種類のパターンの例を、
前記リアプレート側から見た模式図である。

【００６８】図２（ａ）〜（ｃ）において、１０１１は
蛍光体であり、１０１０は黒色部材である。この蛍光体
（および黒色部材）により蛍光体膜１００８が構成され
る。

【００６９】黒色部材１０１０は、蛍光体間の混色を防
止したり、発光時のコントラストを向上するために好ま
しく用いられる。しかし、上記黒色部材は必ずしも必要
ではない。ここでは、蛍光体１０１１として、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色を発光する各色の
蛍光体を用いている。

【００７０】図２（ａ）、図２（ｂ）は所謂ブラックマ
トリクス構造であり、図２（ｃ）は所謂ブラックストラ
イプ構造である。また、フェースプレート上には、さら
に、蛍光体上に導電膜（所謂メタルバック）１００９が
配置されるが、図２では、説明の都合上、省いている。

【００７１】図５（ｂ）は、図２（ａ）のパターンの蛍
光体膜１００８上に、図中の斜線の領域で示される多層
の導電膜（メタルバック）を被覆した状態のフェースプ
レートの模式図である。

【００７２】図５（ｂ）では、多層の導電膜が蛍光体膜
１００８の面積と同じ面積になるように形成している
が、蛍光体膜１００８よりも導電膜の面積が大きい場合
や、蛍光体膜１００８よりも導電膜の面積が小さい場合
もある。

【００７３】次に、本発明に係る画像形成装置の製造方
法の工程について、図３〜図６を用いてさらに詳細に説
明する。ここでは、図２（ａ）に示したパターンの蛍光
体膜を作成した例で説明する。図３から図５は、本発明
に係る画像形成装置の製造方法の一実施形態の工程図で
あり、図６は、本発明に係る画像形成装置の製造方法の
一実施形態の各工程におけるフェースプレートの断面図
である。

【００７４】（工程Ａ）まず、第１の主面と第２の主面
とを有する基板１００７を用意する。ここでは、基板と
してソーダライムガラスを用いた。しかし、基板の材料
は、これに限られるものではなく、その他、光学的に透
明（透光性）な種々の絶縁性材料を用いることができ
る。

【００７５】（工程Ｂ）次に、上記基板を必要に応じて
洗浄、乾燥した後、その基板の表面（第１の主面）上
に、ガラスペースト及び黒色顔料を含んだ黒色顔料ペー
ストを例えばマトリクス状に開口部を有する様に形成す
る（図３（ａ））。

【００７６】例えば、図２（ａ）に示したマトリクス状
の形態の黒色部材１０１０を形成する場合には、縦方向
（Ｙ方向）に延びる、幅１００［μｍ］、ピッチ２９０
［μｍ］のストライプを２４０本、横方向（Ｘ方向）に
延びる、幅３００［μｍ］、ピッチ６５０［μｍ］のス
トライプを７２０本有するパターンを、縦、横共に２０
［μｍ］の厚さでスクリーン印刷法により作製する。こ
のように形成することで、所謂ブラックマトリクス構造
の黒色部材１０１０が形成される（図３（ａ））。

【００７７】ここで、上記幅及びピッチの値は一例であ
り、これらの値はそれぞれ任意に変更することができ
る。

【００７８】本実施形態ではスクリーン印刷法により黒
色部材１０１０を作製したが、もちろんこれに限定され
るものではなく、たとえばフォトリソグラフィー法を用
いて作製してもよいが、膜厚が厚いこととコストの観点
から印刷法を用いることが好ましい。

【００７９】また、黒色部材１０１０の材料として、ガ
ラスペーストと黒色顔料を含んだ黒色顔料ペーストを用
いたが、もちろんこれに限定されるものではない。そし
て、たとえばカーボンブラックなどを用いてもよいが、
ここでは、スクリーン印刷法を用い、膜厚２０［μｍ］
と厚く形成したため上記黒色顔料ペーストを用いた。

【００８０】また、黒色部材１０１０は、ここでは図２
の（ａ）のようにマトリクス状に作製したが、もちろん
これに限定される訳ではなく、図２の（ｂ）に示される
ようにデルタ状配列や、図２（ｃ）のようなストライプ
状配列等その他の配列であっても良い。

【００８１】（工程Ｃ）次に、本発明に係る発光膜を形
成する工程として、図３（ｂ）に示すように、黒色部材
１０１１の開口部に、赤色、青色、緑色の各色蛍光体を
スクリーン印刷法により、充填する。

【００８２】本実施形態ではスクリーン印刷法を用いて
蛍光体を配置したが、もちろんこれに限定される訳では
なく、たとえばフォトリソグラフィー法などにより作製
しても良い。

【００８３】また、ここで用いた蛍光体は、ＣＲＴの分
野で用いられているＰ２２の蛍光体とし、赤色（Ｙ₂Ｏ₂
Ｓ：Ｅｕ³⁺）、青色（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のもので平均粒径はメジアン径Ｄｍ
ｅｄで７［μｍ］のものを用いた。しかしながら、もち
ろんこれに限定される訳ではなく、その他の蛍光体を用
いても良い。

【００８４】また、蛍光体の膜厚は、平均して２０［μ
ｍ］程度になるように作製した。ここで、蛍光体の膜厚
が十分平坦にならないような場合には、充分な平坦度を
もつ平板ガラスにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を
吸収させた不織布をもうけ、これによりフェースプレー
ト上の蛍光体１０１１及び黒色部材１０１０を加圧し平
坦度を増してもよい。

【００８５】（工程Ｄ）ついで、この基板を４５０
［℃］で４時間焼成する事により、ペースト中に含まれ
る樹脂分を熱分解除去し、対角画面サイズ１０型、アス
ペクト比４：３、画素数７２０×２４０からなる蛍光体
膜１００８を得た。本発明において、「蛍光体膜」と
は、フェースプレート１００７の第１の主面上に配置さ
れた、前記蛍光体１０１１と黒色部材１０１０とからな
る膜を指す。

【００８６】次に、この蛍光体膜１００８上に本発明に
係る第１の導電膜を作製する方法の一例について説明す
る。

【００８７】（工程Ｅ）上記のようにして作製した蛍光
体膜１００８を有するフェースプレート１００７をスピ
ンコーター上に配置し、純水にコロイダルシリカを溶解
させた溶液を、基板を回転させながら塗布し、蛍光体膜
１００８の凹凸部を湿潤させた。

【００８８】（工程Ｆ）次に、フィルミング工程とし
て、ポリメタクリレートをトルエンに溶解した溶液を、
フェースプレートを回転させながら全面にスプレーによ
り塗布し、温風を基板に吹きかける事により乾燥させ、
蛍光体膜１００８を構成する蛍光体１０１１および黒色
部材１０１０上に、樹脂膜（フィルミング膜）を作製す
ることによって、蛍光体膜１００８の表面の平坦化を行
なった（図４（ａ））。

【００８９】ここで、平坦化のための工程として、蛍光
体膜１００８を湿潤した後にポリメタクリレートをトル
エンに溶解した溶液を塗布したが、もちろんこれに限定
されるものではなく、他の溶剤系ラッカー液を用いても
良いし、その他の方法としてたとえばアクリルエマルジ
ョンを蛍光体に塗布し乾燥させるという工程を行なって
も良い。

【００９０】（工程Ｇ）次に、フィルミング膜上に、本
発明に係る第１の導電膜として２０ナノメートルの厚み
のアルミニウム膜を真空蒸着法により作製した（図４
（ｂ））。

【００９１】（工程Ｈ）次に、本発明に係る焼成工程と
して、このフェースプレートを焼成炉内に搬入し、４５
０［℃］まで加熱することにより樹脂フィルム（フィル
ミング膜）を熱分解除去し、蛍光体膜１００８上に第１
の導電膜を配置した（図５（ａ））。上記焼成温度は、
用いるフィルミング膜の材料にも依存するので適宜設定
される。

【００９２】上記工程（Ａ）〜工程（Ｈ）と同様の工程
によって作成したフェースプレートの一部の断面を観測
したところ、図６（ａ）のように第１の導電膜３の所々
に孔が開いていた。

【００９３】図６（ａ）〜（ｃ）において、１０１２は
フェースプレート、２は蛍光体粒子、３は第１の導電
膜、４は本発明の構成要素たる第２の導電膜である。こ
の孔は、上記フィルミング膜の焼成工程に伴って形成さ
れた孔と推測される。そして、この孔の外周は、図６
（ａ）に示す様に突起１０４を形成していた。

【００９４】（工程Ｉ）次に、工程Ｈを行なったフェー
スプレートに、本発明の構成要素たる電圧を印加する工
程としての「電圧印加工程」を行なった。ここでは、真
空チャンバー中で、図７の様に、フェースプレートの第
１の主面より十分大きい面積を有する電極板に、前記第
１の主面を対向して配置する。図７は、本発明に係る画
像形成装置の製造方法の一実施形態における電圧印加工
程の模式図である。

【００９５】この時、フェースプレートの第１の主面
と、前記電極板の表面とを一定のギャップをあけて固定
する。続いて、第１の導電膜に電圧（電界）を印加す
る。

【００９６】この「電圧印加工程」において、前記電極
板と第１の導電膜間に印加する電圧は、好ましくは、図
１で示した画像形成装置において、導電膜（メタルバッ
ク）１００９とリアプレート（配線１００３または１０
０４）との間に印加される電圧以上の電圧である。

【００９７】換言すると、前記電極板と第１の導電膜間
に印加する電圧は、画像形成装置として駆動する際に、
導電膜（メタルバック）に印加される電位と，電子放出
素子に印加される実質的に印加される電位との差で定義
される電圧以上の電圧である。

【００９８】そして、前記「電圧印加工程」において、
前記電極板と第１の導電膜間に印加する電界強度は、好
ましくは、図１で示した画像形成装置において、導電膜
（メタルバック）１００９とリアプレート（配線１００
３または１００４）との間に印加される電界以上の電界
強度に設定する。

【００９９】換言すると、前記電極板と第１の導電膜間
に印加する電界強度は、好ましくは、画像形成装置とし
て駆動する際に導電膜（メタルバック）と、電子放出素
子との間に印加される電界強度以上に設定する。

【０１００】尚、ここで言う「電極板と第１の導電膜間
に印加する電界強度」とは、前記電極板と第１の導電膜
（フェースプレートの第１の主面）間に印加する電圧値
を、単に、前記電極板と第１の導電膜間の距離で割った
値である。

【０１０１】尚、本発明では、後述する第２の導電膜の
成膜を行なうため、前記した電圧（電界強度）よりも低
い電圧（電界強度）であっても、上記「電圧印加工程」
を行なえば、本発明の効果を奏することができる。

【０１０２】上記工程（Ａ）〜（Ｉ）と同様の工程によ
って作成したフェースプレートの一部の断面を観測した
ところ、図６（ｂ）のように第１の導電膜３の所々に孔
が開いていた。しかし、この孔の外周は、工程（Ｈ）に
おいて観測された突起１０４が除去または軽減された形
状となっていた。

【０１０３】これは、「電圧印加工程」によって、電界
が集中し易い構造である突起１０４に電界が集中し、そ
の結果、突起１０４を起点とした放電や、電界蒸発等に
よって、突起が除去された為と推測される。

【０１０４】この放電や、電界蒸発等によって突起が除
去される際に、必要以上の規模で除去が行なわれない様
に、前記「電圧印加工程」でフェースプレートに対向し
て配置する電極板の抵抗値を設定する事も有効である。

【０１０５】特には、シート抵抗で１キロオーム／□以
上１メガオーム／□以下のシート抵抗値を有する膜を成
膜したガラスなどの絶縁性基板を、上記電極板として用
いる。この様にすることにより、必要以上の規模で除去
が行なわれない様にする事ができる。

【０１０６】（工程Ｊ）次に、前記第１の導電膜３上
に、第２の導電膜４としてアルミニウム膜を２０ナノメ
ートルの厚みで配置した（図５（ｂ））。もちろん、こ
こで作製される第２の導電膜４は、アルミニウム膜に限
定されるものではなく、その他適宜な厚さの任意の導電
膜を用いることができる。

【０１０７】上記工程（Ａ）〜（Ｊ）と同様の工程によ
って作成したフェースプレートの一部の断面を観測した
ところ、図６（ｃ）のような形状であった。即ち、第１
の導電膜３の所々に形成されていた孔は、第２の導電膜
４の被覆によって、その数は減少していた。

【０１０８】また、孔が残っていてもその孔の外周部
は、第２の導電膜４によって被覆されているため、孔径
が縮小したことに加え、孔の外周部の形状がなだらかに
なっており、工程（Ｉ）を行なった後の第１の導電膜３
に観測された孔の外周に比べ、電界の集中が一層少ない
形状となっていた。

【０１０９】このようにして作成した図１に示されるフ
ェースプレート１０１２と、前記電子放出素子１００２
０が配列形成されたリアプレート１００１と、支持枠１
００６との各接合部にフリットガラスなどの接合部材を
介して封着して気密容器１１００を作成した後、不図示
の排気管を介して気密容器内部を１０^-7Ｐａまで排気し
た。

【０１１０】その後、排気管を封止した。以上の工程に
より真空気密容器が完成する。尚、ここでは、排気管を
介して気密容器内部を排気する例を示したが、真空チャ
ンバー中で上記封着を行なえば、排気管や排気管の封止
工程を省くことができるので好ましい。

【０１１１】本実施形態のリアプレート１００１上には
表面伝導型電子放出素子１００２をＮ×Ｍ個形成した。

【０１１２】ここで、上記ＮおよびＭは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。

【０１１３】このＮ×Ｍ個の表面伝導型電子放出素子１
００２は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の列方向配
線１００４により単純マトリクス配線されている。基板
１００１、表面伝導型電子放出素子１００２、行方向配
線１００３及び列方向配線１００４によって構成される
部分を、マルチ電子ビーム源と呼ぶ。

【０１１４】また、図１に示されるＤ_0X１〜Ｄ_0mｍ及び
Ｄ_0y１〜Ｄ_0yｎ及びＨｖは、当該表示パネル（真空気密
容器）と不図示の電気回路とを電気的に接続するために
設けた気密構造の電気接続用端子である。

【０１１５】Ｄ_0X１〜Ｄ_0mｍはマルチ電子ビーム源の行
方向配線１００３と、Ｄ_0y１〜Ｄ_0yｎはマルチ電子ビー
ム源の列方向配線１００４と、Ｈｖはフェースプレート
１０１２のメタルバック１００９と、それぞれ電気的に
接続している。

【０１１６】次に、本発明に係る画像形成装置に用いる
マルチ電子ビーム源を構成する電子放出素子としては、
上記表面伝導型電子放出素子だけでなく、電界放出型電
子放出素子やＭＩＭ（金属層／絶縁層／金属層）型電子
放出素子などの冷陰極電子源や、熱陰極電子源などが好
ましく用いることができる。

【０１１７】作成工程の簡略さや消費電力などの観点か
らは、冷陰極が好ましく、さらには電界放出型電子放出
素子あるいは表面伝導型電子放出素子がより好ましい。

【０１１８】以上説明した、本発明に係る画像形成装置
の製造方法の一実施形態により製造された画像形成装置
によれば、メタルバック１００９に高電圧を印加した場
合であっても、メタルバック１００９の剥離を防止し、
高画質、かつ高輝度の画像形成装置を提供することがで
きる。

【０１１９】尚、ここでは、第１および第２の導電膜に
よってメタルバックを構成したが、３層以上の導電膜に
よってメタルバックを構成しても良い。また、各層の導
電膜の材料が異なるものであっても良い。

【０１２０】そしてまた、気密容器１１００内の真空度
を維持するために、前記第２の導電膜（最もリアプレー
ト側に位置する導電膜）としてゲッター材からなる膜を
用いることが好ましい。この場合には、ゲッター材から
なる膜としてはＢａ膜が好ましい。

【０１２１】

【実施例】次に、本発明に係る画像形成装置の製造方法
の実施形態について説明する。

【０１２２】（実施例１）本実施例で作成した画像形成
装置を図８に示す。図８は、本発明に係る画像形成装置
の製造方法の実施例１により製造された画像形成装置の
斜視模式図である。

【０１２３】図８において、１００１は表面伝導型電子
放出素子１００２が配置されたリアプレート、１００３
および１００４は各電子放出素子に接続された配線、１
００６は支持枠、１０１２はフェースプレート、１１０
１はスペーサである。

【０１２４】フェースプレート１０１２、支持枠１００
６、リアプレート１００１で内部が減圧状態に維持され
る気密容器１１００が構成される。

【０１２５】気密容器１１００内部には、容器が大気圧
によって押しつぶされないよう、スペーサが配置されて
いる。フェースプレートには、前述の蛍光体膜１００
８、メタルバック１００９からなる画像形成部材が配置
されている。

【０１２６】Ｄ_0x１〜Ｄ_0xｍは、気密容器１１００外部
から、前記配線１００３に電圧を印加するための端子で
ある。

【０１２７】同様に、Ｄ_0y１〜Ｄ_0yｎは、気密容器１１
００外部から、前記配線１００４に電圧を印加するため
の端子である。メタルバックは、高圧端子Ｈｖに接続さ
れ、１０ｋＶの電位が印加される。

【０１２８】図９（ａ）は、本発明に係る画像形成装置
の製造方法の実施例１に適用される電子放出素子の平面
模式図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の線Ｂ−Ｂに
おける断面模式図である。また、図１０（ａ）〜（ｆ）
は、図９に示される電子放出素子をリアプレートに形成
する際の作成工程の一部を示す模式図である。

【０１２９】本実施例の画像形成装置の製造方法を記
す。まずリアプレートの作成工程を記す。

【０１３０】（工程１）ガラス板からなるリアプレート
１００１を十分に洗浄および乾燥した。その後、各電子
放出素子を構成する一対の電極４２、４３を列方向に１
０００組、行方向に５０００組形成した（図１０
（ａ））。図１０では、説明の都合上、列方向に３組、
行方向に３組で示している。

【０１３１】（工程２）次に、電極４２を共通に接続す
る列方向配線１００３を、スクリーン印刷法により、５
０００本形成した（図１０（ｂ））。

【０１３２】（工程３）列方向配線１００３に直交する
ように、絶縁層５０を、スクリーン印刷法により、１０
００本形成した（図１０（ｃ））。

【０１３３】（工程４）次に、絶縁層５０上に、行方向
配線１００４を、スクリーン印刷法により、１０００本
形成した（図１０（ｄ））。この時、絶縁層５０に予め
形成した開口部を介して、前記行方向配線１００４と電
極４３とが接続する。

【０１３４】（工程５）各電極４２と４３間を接続する
ように、有機金属錯体をインクジェット法により付与
し、焼成することにより導電性膜４４を形成した（図１
０（ｅ））。

【０１３５】（工程６）次に、真空チャンバー中に、上
記工程１〜５を終えたリアプレートを配置した。そし
て、配線１００３、１００４を介して各導電性膜４４に
電流を流し、各導電性膜４４に間隙４８（図９）を形成
した。

【０１３６】（工程７）続いて、チャンバー中に炭素化
合物ガスを導入した上で、配線１００３、１００４を介
して各導電性膜４４に電流を流し、各間隙４８部にカー
ボン膜１０を形成し、電子放出部４７を形成した（図１
０（ｆ））。

【０１３７】以上の工程により、リアプレートが形成さ
れる。上記工程により、９個のリアプレートを作成し
た。

【０１３８】続いて、フェースプレートの作成工程を示
す。

【０１３９】（工程８）リアプレートと同じ材質のガラ
ス板からなるフェースプレート１０１２を用意し、十分
に洗浄および乾燥した。

【０１４０】（工程９）フェースプレートの第１の主面
上に、印刷法を用いて、黒色部材１０１０をマトリクス
状に形成した（図３（ａ））。

【０１４１】（工程１０）前記黒色部材１０１０の開口
部に、印刷法を用いて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
の３原色の発光をする蛍光体を図３（ｂ）に示す様な配
列で充填した。

【０１４２】（工程１１）前記蛍光体と黒色部材からな
る蛍光体膜１００８が配置されたフェースプレートの第
１の主面上に、フィルミング工程を施す。本実施例で
は、フィルミング工程として、蛍光体膜１００８を湿潤
した後に、ポリメタクリレートをトルエンに溶解した溶
液を、フェースプレートを回転させながらスピンコート
により塗布し、乾燥させた。

【０１４３】この工程により、蛍光体膜１００８を構成
する蛍光体１０１１および黒色部材１０１０の表面の平
坦化を行なった（図４（ａ））。

【０１４４】（工程１２）前記フィルミング膜上に、第
１の導電膜としてアルミニウムを５０ナノメートルの厚
みで蒸着した。ここで、第１の導電膜は、前記蛍光体膜
１００８と実質的に同一のパターンになるように形成し
た（図５（ａ）、図６（ａ））。

【０１４５】（工程１３）前記フィルミング膜を焼成
し、除去し、蛍光体膜１００８上に第２の導電膜を被覆
した（図５（ｃ）、図６（ｃ））。

【０１４６】以上の工程（８）〜工程（１３）により１
０個のフェースプレートを作成した。

【０１４７】（工程１４）次に、上記工程８〜１３を経
た、１０個のフェースプレートの各々を図７に示す様
に、減圧雰囲気中で、電極板と間隔を置いて対向するよ
うに配置し、第１の導電膜と電極板との間に電圧を印加
する「電圧印加工程」を施した。

【０１４８】第１の導電膜には、パルス幅２００［ｍ
ｓ］で、１［Ｈｚ］の矩形波を、１０［Ｖ／ｓ］のレー
トで、波高値２５［ｋＶ］になるまで印加した。尚、本
実施例では、図７に示す真空チャンバー内の真空度を１
０^-7Ｐａとした。

【０１４９】ここで、上記第１の導電膜に印加する電位
を徐々に上昇させ、前記電極板と第１の導電膜との間で
放電を開始した電圧を測定し、この時のフェースプレー
トと電極板との間の電界強度（以後、「放電開始電界強
度」と呼ぶ事にする。）を求めた。

【０１５０】尚、上記した「電圧印加工程」による条件
においては、１０個のフェースプレート中、多数のフェ
ースプレートが２５ｋＶまでの電圧で放電現象を生じた
が、残る少数のフェースプレートについては、放電現象
が観測されなかった。

【０１５１】ここで、上記「電界強度」とは、第１の導
電膜と、フェースプレートに対向して配置した電極板と
の間に印加した電圧を、電極板とフェースプレートのギ
ャップ距離で割ったものとする。

【０１５２】この測定の結果、本実施例において作成し
た１０個のフェースプレートうち、最も低い「放電開始
電界強度」は、１０［ｋＶ／ｍｍ］であった。

【０１５３】尚、上記「電圧印加工程」で、最も低い
「放電開始電界強度」を示したフェースプレートに対
し、前記「電圧印加工程」と同じ第２の電圧印加工程を
施したところ、「放電開始電界強度」（放電開始電圧）
は上昇していた。

【０１５４】これは、上記フィルミング膜の焼成工程に
よって生じた第１の導電膜に発生した突起や、第１の導
電膜の剥離寸前の箇所などが、上記「電圧印加工程」に
よって取り除かれたためと推測される。

【０１５５】（工程１５）次に、上記第２の電圧印加工
程を施さなかった、残る９個のフェースプレートに対し
て、第２の導電膜形成工程を施した。具体的には、本実
施例では、前記第１の導電膜上に、第２の導電膜として
５０ナノメートルのアルミニウム膜を真空蒸着法により
配置した（図５（ｂ））。

【０１５６】もちろん、第２の導電膜は、上記条件に限
定されるものではなく、その他、適宜な厚さの任意の導
電膜を用いることができる。

【０１５７】このようにして作成したフェースプレート
１００７と、前記リアプレートとの間隔が１．５ｍｍと
なるように、フェースプレートとリアプレートとの間に
スペーサ１１０１および支持枠１００６を配置し接合部
材によって封着し気密容器１１００を形成した（図
８）。

【０１５８】そして、この気密容器１１００に不図示の
ドライバーを接続して画像形成装置とし、メタルバック
（第１および第２の導電膜）に、前記リアプレートに対
して１０ｋＶの電圧を印加して長期に渡って駆動した。

【０１５９】全黒の画像を表示しているところを観察し
ても一切発光現象がみられず安定した表示画像が得られ
た。

【０１６０】また分解して調査した結果、リアプレート
側にアルミニウムが付着したところはなく、また、フェ
ースプレート側を観察しても新たな剥離が生じていると
思われる個所も見つからなかった。また、ビデオ画像を
表示したところ、高輝度で高精彩で安定な画像を長期に
渡って表示することができた。

【０１６１】比較のために、上記実施例において、（工
程１４）のみ行なわなかった画像形成装置を作成し、上
記実施例と同様に駆動したところ、電界強度は１０［ｋ
Ｖ／ｍｍ］以下の時でも全黒表示において肉眼では発光
は観察されなかったが、高感度のＣＣＤを用いて長時間
観察したところ発光が数回／時間の割合で観察されるこ
とがあった。

【０１６２】また、さらに、上記（工程１２）におい
て、第１の導電膜として、１００ｎｍのアルミニウム膜
を蒸着した後に、上記（工程１３）と同様の工程のみを
行なったフェースプレートを用いて上記実施例と同様の
画像形成装置を作成し、同様に駆動したところ、放電と
見られる現象が目視で確認された。

【０１６３】また、その画像形成装置を分解してみると
リアプレート側にアルミニウムが付着しているところが
多々あることが分かった。

【０１６４】このように、本発明によれば、フェースプ
レート上に形成された蛍光体膜を覆う導電性膜（メタル
バック）として、第１の導電性膜を設け、この第１の導
電性膜を高電界下にさらした後に、さらに、第１の導電
性膜を第２の導電性膜で被覆した膜を用いているため、
メタルバックとリアプレートとの間に高電圧を印加して
もメタルバックの剥離を防止し、画質の低下を防止する
ことができる。

【０１６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の導電膜に十分高い電圧を印加することができ、薄
型で輝度が高く、高精彩で、画質が良好な画像形成装置
及びこのような画像形成装置に適用されるフェースプレ
ートを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態により製造される画像形成装置の斜視模式図であ
る。

【図２】図１に示される画像形成装置に適用される、蛍
光体膜１００８の３種類のパターンの例をリアプレート
側から見た模式図である。

【図３】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態の工程図である。

【図４】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態の工程図である。

【図５】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態の工程図である。

【図６】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態の各工程におけるフェースプレートの断面図であ
る。

【図７】本発明に係る画像形成装置の製造方法の一実施
形態における電圧印加工程の模式図である。

【図８】本発明に係る画像形成装置の製造方法の実施例
１により製造された画像形成装置の斜視模式図である。

【図９】本発明に係る画像形成装置の製造方法の実施例
１に適用される電子放出素子の模式図である。

【図１０】図９に示される電子放出素子をリアプレート
に形成する際の作成工程の一部を示す模式図である。

【図１１】電子放出素子をマトリクス配線接続した場合
の回路図である。

【図１２】図１１に示されるマルチ電子ビーム源を用い
た平板型の陰極線管の構造を示す斜視模式図である。

【図１３】従来のフェースプレートの断面模式図であ
る。

【符号の説明】

２蛍光体粒子３第１の導電膜４第２の導電膜１０カーボン膜１２画像形成部材４２，４３電極４４導電性膜４７電子放出部４８間隙５０絶縁層１０４突起１００１リアプレート１００２電子放出素子１００３列方向配線１００４行方向配線１００６支持枠１００７フェースプレート１００８蛍光体膜１００９メタルバック１０１０黒色部材１０１１蛍光体１０１２フェースプレート１１００気密容器１１０１スペーサ４００１基板４００２列方向配線４００３行方向配線４００４抵抗４００５リアプレート４００６フェースプレート４００７側壁４００８蛍光体層４００９メタルバック４０１０高電圧電源４０１１高電圧導入端子４０１２表面伝導型電子放出素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に蛍光体を形成する工程と、前記蛍光体上に第１の導電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜と間隔をおいて電極を配置し、前記第
１の導電膜と電極との間に電圧を印加する工程と、前記電圧を印加した後に、前記第１の導電膜上に第２の
導電膜を形成する工程とを備えるフェースプレートの製
造方法。
【請求項２】前記蛍光体を形成した後であって、前記
第１の導電膜を形成する前に、前記蛍光体上に樹脂膜を形成する工程と、前記第１の導電膜を形成した後に焼成を行う工程とを備
える請求項１に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項３】前記フェースプレートは、放出された電子が前記蛍光体に照射されることにより該
蛍光体が発光し、所望の画像が形成される画像形成装置
に使用されるフェースプレートである請求項１又は２に
記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項４】前記基板上に形成される蛍光体は、それぞれ赤、青、緑の蛍光を発する部分を有する蛍光体
である請求項１から３のいずれか１項に記載のフェース
プレートの製造方法。
【請求項５】前記第１の導電膜と前記第２の導電膜と
が異なる材料である請求項１から４のいずれか１項に記
載のフェースプレートの製造方法。
【請求項６】前記第２の導電膜の材料がゲッター材料
である請求項１から５のいずれか１項に記載のフェース
プレートの製造方法。
【請求項７】前記基板が透光性の絶縁性基板である請
求項１から６のいずれか１項に記載のフェースプレート
の製造方法。
【請求項８】第１基板と、前記第１基板と間隔を置い
て対向して配置された第２基板と、前記第１基板の主面
上に配置された電子放出素子と、前記電子放出素子と対
向するように前記第２基板の主面上に配置された、蛍光
体膜および該蛍光体膜を覆う導電膜と、を有する画像形
成装置の製造方法であって、前記第２基板上に蛍光体を形成する工程と、前記蛍光体上に第１の導電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜と間隔をおいて電極を配置し、前記第
１の導電膜と電極との間に電圧を印加する工程と、前記電圧を印加した後に、前記第１の導電膜上に第２の
導電膜を形成する工程とを備える事を特徴とする画像形
成装置の製造方法。
【請求項９】前記蛍光体膜を形成した後であって、前
記第１の導電膜を形成する前に、前記蛍光体膜上に樹脂
膜を形成する工程と、前記第１の導電膜を形成した後に焼成を行うことで前記
樹脂膜を除去する工程とを備える請求項８に記載の画像
形成装置の製造方法。
【請求項１０】前記第１の導電膜と前記第２の導電膜
とが異なる材料である請求項８または９に記載の画像形
成装置の製造方法。
【請求項１１】前記第２の導電膜の材料がゲッター材
料である請求項８から１０のいずれか１項に記載の画像
形成装置の製造方法。
【請求項１２】前記第２基板が透光性の絶縁性基板で
ある請求項８から１１のいずれか１項に記載の画像形成
装置の製造方法。
【請求項１３】前記第１の導電膜と前記電極との間に
印加される電圧が、前記画像形成装置の駆動時に、前記
電子放出素子と前記第１の導電膜との間に印加される電
圧以上であることを特徴とする請求項８から１２のいず
れか１項に記載に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項１４】前記第１の導電膜と前記電極との間に
電圧が印加される際に生じる電界強度が、前記画像形成
装置の駆動時に、前記電子放出素子と前記第１の導電膜
との間に印加される電界強度以上であることを特徴とす
る請求項８から１３のいずれか１項に記載の記載の画像
形成装置の製造方法。