JP2001188261A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規なエレクトロクロミック活性物質を使用
したエレクトロクロミック素子の提供。 【解決手段】 エレクトロクロミック素子のイオン伝導
層に、ビピリジニウムイオン対構造とメタロセン構造を
兼備した有機化合物を含有させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、調光ガラスなどの
透過型素子、自動車等の防眩ミラー、装飾用ミラー等の
反射型素子、表示素子などとして有用なエレクトロクロ
ミック素子に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の調光ガラスなどに使用されるエレクトロクロミック素
子(以下、EC素子と略称する)は、例えば、酸化タングス
テン（ＷＯ₃）のようなエレクトロクロミック活性物質
を、透明導電膜上に真空蒸着法などで成膜し、これを発
色剤として用いているものが知られている（特開昭６３
−１８３３６号公報）。しかしながら、このEC素子は、
エレクトロクロミック活性物質の成膜を、真空下で行わ
なければならないため製造コストが高騰し、大面積のEC
素子を得るためには大型の真空装置が必要となる。ま
た、酸化タングステンを用いる場合には青色の発色しか
得られないという問題もある。本発明はこのような実状
を鑑みて成されたものであり、その目的は、安価な発色
剤を使用し、簡便な方法により製造することが可能で、
しかも色調が可変なEC素子を提供することにある。

【０００３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記したよ
うな従来技術の問題点を解決する手段について鋭意研究
を重ねた結果、以下のような構成を有するEC素子がこれ
らの問題を解決できることを見出し、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明に係るEC素子は、少なくと
も一方が透明である２枚の導電基板間に、イオン伝導層
を設けたエレクトロクロミック素子において、前記のイ
オン伝導層が、一般式（１）で表されるビピリジニウム
イオン対構造(I)と、下記の一般式（２）または一般式
（３）で表されるジヒドロフェナジン構造(II)とを兼備
した有機化合物を含有していることを特徴とする。 (I) ビピリジニウムイオン対構造：、

【化４】 （式中、Ｘ^-およびＹ^-は同一でも異なっていてもよく、
それぞれ個別にハロゲンアニオン、ＣｌＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、
ＰＦ₆ ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、ＣＨ₃（Ｃ₆Ｈ₄）ＳＯ₃ ^-から選
ばれる対アニオンを示す。） (II) ジヒドロフェナジン構造：

【化５】 （式中、Ｒ¹およびＲ²は同一でも異なっていてもよく、
それぞれ個別に炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニ
ル基およびアリール基から選ばれる炭化水素基または下
記の一般式（ａ）〜（ｎ）で示される有機残基を示
す。）

【化６】 （式中、Ｒ³は水素または炭素数１〜５のアルキル基を
示し、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は同一でも異なっていてもよ
く、それぞれ個別に炭素数１〜３０の２価の炭化水素残
基を示し、aは０または１を示す。Ｒ⁷は水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｒ
⁸は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示
す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹²およびＲ¹⁴は同一でも異なってい
てもよく、それぞれ個別に炭素数１〜３０の２価の炭化
水素残基を示し、Ｒ¹¹およびＲ¹³は同一もしくは異なる
基であって、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキ
ル基またはアルコキシ基を示す。ｍ’、ｎ’は０≦ｍ’
≦３、０≦ｎ’≦３の範囲の整数を示す。Ｚは−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＯＣ
ＯＮＨ−、−ＮＨＯＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−から選ばれ
る２価基を示す。）

【０００４】

【発明の実施の形態】本発明のEC素子には２枚の導電基
板が使用される。ここで導電基板とは電極としての機能
を果たす基板を意味する。従って、本発明でいう導電基
板には、基板自体を導電性材料で製造したものと、導電
性を持たない基板の片面又は両面に電極層を積層させた
積層板が包含される。導電性を備えているか否かに拘ら
ず、基板自体は常温において平滑な面を有していること
が好ましいが、その面は平面であっても、曲面であって
も差し支えなく、応力で変形するものであっても差し支
えない。本発明で使用される２枚の導電基板の少なくと
も一方は透明導電基板であり、他方は透明であっても、
不透明であっても差し支えなく、また、光を反射できる
反射性導電基板であってもよい。一般に、２枚の導電基
板がいずれも透明である素子は、表示素子や調光ガラス
に好適であり、１枚を透明導電基板とし、もう１枚を不
透明導電基板としたものは表示素子に好適であり、１枚
を透明導電基板とし、もう１枚を反射性導電基板とした
ものはエレクトロクロミックミラーに適している。

【０００５】透明導電基板は、通常、透明基板上に透明
電極層を積層させて製造される。ここで、透明とは可視
光領域において１０〜１００％の光透過率を有すること
を意味する。透明基板の材質は特に限定されず、例え
ば、無色あるいは有色ガラス、強化ガラス等であって差
し支えなく、無色あるいは有色の透明性樹脂でもよい。
ここでいう透明性樹脂の具体例としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミ
ド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレン等が挙げられる。透明電極層として
は、例えば、金、銀、クロム、銅、タングステン等の金
属薄膜、金属酸化物からなる導電膜などが使用できる。
前記金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−
ＳｎＯ₂）、酸化錫、酸化銀、酸化亜鉛、酸化バナジウ
ム等が挙げられる。電極層の膜厚は、特に制限されるも
のではないが、通常１０〜５００ｎｍ、好ましくは５０
〜３００ｎｍの範囲にあり、表面抵抗（Rsq：単位面積
当りの抵抗）は特に制限されるものではないが、通常
０．５〜５００Ω／ｓｑ、好ましくは１〜５０Ω／ｓｑ
の範囲にあることが望ましい。透明電極層の形成には、
公知の手段を任意に採用することができるが、電極を構
成する金属及び／又は金属酸化物等の種類により、採用
する手段を選択するのが好ましい。通常は、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ゾル
ゲル法等が採用される。透明電極層への酸化還元能の付
与、導電性の向上、電気二重層容量の付与などの目的
で、透明電極層の表面には部分的に不透明な電極活性物
質の層を設けることができる。この電極活性物質として
は、例えば、銅、銀、金、白金、鉄、タングステン、チ
タン、リチウム等の金属、ポリアニリン、ポリチオフェ
ン、ポリピロール、フタロシアニンなどの酸化還元能を
有する有機物、活性炭、グラファイトなどの炭素材、Ｖ
₂Ｏ₅、ＭｎＯ₂、ＮｉＯ、Ｉｒ₂Ｏ₃などの金属酸化物ま
たはこれらの混合物が使用可能である。電極活性物質の
層を透明電極層上に設けるに際しては、透明電極層の透
明性が過度に損なわれないように留意する必要がある。
従って、例えば、透明なＩＴＯ層上に、活性炭素繊維、
グラファイト、アクリル樹脂等からなる組成物を、細か
いストライプ状またはドット状に塗布する方法とか、金
の薄膜上に、Ｖ₂Ｏ₅、アセチレンブラック、ブチルゴム
等からなる組成物をメッシュ状に塗布する方法が採用さ
れる。透明であることを必要としない導電基板は、上記
した透明導電基板に使用される透明基板を、透明でない
各種プラスチック、ガラス、木材、石材など素材とする
基板に置き換えることで、透明導電基板と同様な方法で
製造することができる。

【０００６】本発明で使用可能な反射性導電基板として
は、（１）導電性を持たない透明又は不透明な基板上に
反射性電極層を積層させた積層体、（２）導電性を持た
ない透明基板の一方の面に透明電極層を、他方の面に反
射層を積層させた積層体、（３）導電性を持たない透明
基板上に反射層を、その反射層上に透明電極層を積層さ
せた積層体、（４）反射板を基板とし、これに透明電極
層を積層させた積層体、および（５）基板自体が光反射
層と電極層の両方の機能を備えた板状体などが例示でき
る。本発明でいう反射性電極層とは、鏡面を有し、しか
も電極として電気化学的に安定な機能を発揮する薄膜を
意味する。そのような薄膜としては、例えば、金、白
金、タングステン、タンタル、レニウム、オスミウム、
イリジウム、銀、ニッケル、パラジウム等の金属膜や、
白金−パラジウム、白金−ロジウム、ステンレス等の合
金膜が挙げられる。このような鏡面を備えた薄膜の形成
には、任意の方法を採用可能であって、例えば、真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法など
を適宜採用することができる。反射性電極層を設ける基
板は透明であるか、不透明であるかを問わない。従っ
て、反射性電極層を設ける基板としては、先に例示した
透明基板の他、透明でない各種のプラスチック、ガラ
ス、木材、石材等が使用可能である。本発明で言う反射
板または反射層とは、鏡面を有する基板又は薄膜を意味
し、これには、例えば、銀、クロム、アルミニウム、ス
テンレス、ニッケル−クロム等の板状体又はその薄膜が
含まれる。なお、上記した反射性電極層自体が剛性を備
えていれば、基板の使用を省略することができる。

【０００７】本発明に係るEC素子は、上記したビピリジ
ウムイオン対構造(I)と、ジヒドロフェナジン構造(II)
とを兼備した有機化合物を、イオン伝導層のエレクトロ
クロミック活物質として併用する。イオン伝導層におけ
るエレクトロクロミック活物質の濃度は、特には制限さ
れないが、通常、その下限値は１mM以上、好ましくは５
mM以上、さらに好ましくは１０mM以上であり、上限値は
２００mM以下、好ましくは１００mM以下、さらに好まし
くは５０mM以下の値にある。ジヒドロフェナジン構造(I
I)を示す一般式（２）および一般式（３）において、Ｒ
¹および／またはＲ²が一般式（ａ）〜（ｎ）で示される
有機残基をとる場合、これら有機残基におけるＲ³は水
素または炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ｒ⁴、Ｒ⁵お
よびＲ⁶は同一でも異なっていてもよく、それぞれ個別
に炭素数１〜３０、好ましくは１〜１０のアルキレン基
を示す。aは０または１を示す。Ｒ⁷は、水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５のア
ルキル基を示す。Ｒ⁸は、水素原子または炭素数１〜３
０、好ましくは１〜１０のアルキル基を示す。Ｒ⁹、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹²およびＲ¹⁴は同一でも異なっていてもよく、そ
れぞれ個別に炭素数１〜３０、好ましくは１〜１０のア
ルキレン基を示し、Ｒ¹¹およびＲ¹³は、同一もしくは異
なる基であって、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０、好
ましくは１〜５のアルキル基またはアルコキシ基を示
す。ｍ’、ｎ’は０≦ｍ’≦３、０≦ｎ’≦３の範囲の
整数を示す。Ｚは−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ
−、−ＮＨＣＯ−、−ＯＣＯＮＨ−、−ＮＨＯＣＯ−、
−Ｏ−、−Ｓ−から選ばれる２価基を示す。上記したア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基など
が例示され、アリール基としてはフェニル基が代表例と
して挙げられる。特に、メチル基、エチル基、プロピル
基が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、i-プロポキシ基、ブトキシ
基、t-ブロキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ
基などが例示される。

【０００８】前記一般式（a）〜（ｎ）で示される有機
残基の代表的具体例を以下に示す。

【化７】

【化８】

【化９】

【０００９】ビピリジウム対イオン構造(I)とジヒドロ
フェナジン構造(II)と併有するエレクトロクロミック活
物質の代表例は、下記の一般式（４）〜（１１）で表さ
れる。

【化１０】

【化１１】 一般式（４）〜（１１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ^-およ
びＹ^-は一般式（１）〜（３）の中のそれと同じものを
示す。Ｒ⁴およびＲ⁶は同一でも異なっていてもよく、そ
れぞれ個別に炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル
基およびアリール基から選ばれる炭化水素基または上記
の一般式（ａ）〜（ｎ）で示される有機残基を示す。Ｒ
³、Ｒ⁵、Ｒ⁷およびＲ⁸は同一でも異なっていてもよく、
炭素数１〜２０のアルキレン基をを示す。アルキレン基
の好適な具体例としてはメチレン基、エチレン基、トリ
メチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基などが挙げられる。ｍは２以上、好ましくは２〜１
０００の整数を示す。

【００１０】一般式（４）〜（１１）で表される化合物
の具体例を例示すれば、次の化号物が例示できる。

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】

【化２０】

【化２１】

【化２２】

【化２３】 なお、上記において、ｍは２以上、好ましくは２〜１０
００程度である。

【００１１】EC素子におけるイオン伝導層は、室温にお
いて１×１０^-7S/cm以上のイオン伝導度を有し、上記し
たエレクトロクロミック活性物質を着色、消色、変色さ
せる役割を果たす。本発明のイオン伝導層は、液系イオ
ン伝導性物質、ゲル化液系イオン伝導性物質あるいは固
体系イオン伝導性物質のいずれかを用いて形成すること
ができるが、特に固体系イオン伝導性物質を使用するこ
とが望ましく、これによって本発明のEC素子を実用性に
富んだ種々の固体型EC素子することができる。 液系イオン伝導性物質 液系イオン導電性物質は、電気化学の分野又は電池の分
野で通常使用される塩類、酸類、アルカリ類などの支持
電解質を、溶媒に溶解して調製される。溶媒としては、
電気化学セルや電池に一般に使用される溶媒が、いずれ
も使用可能である。具体的には、水、無水酢酸、メタノ
ール、エタノール、テトラヒドロフラン、プロピレンカ
ーボネート、ニトロメタン、アセトニトリル、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホアミド、エチレンカーボネート、ジメトキシエタ
ン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、スルホ
ラン、ジメトキシエタン、プロピオンニトリル、グルタ
ロニトリル、アジポニトリル、メトキシアセトニトリ
ル、ジメチルアセトアミド、メチルピロリジノン、ジメ
チルスルホキシド、ジオキソラン、スルホラン、トリメ
チルホスフェイト、ポリエチレングリコール等が使用可
能であって、特に、プロピレンカーボネート、エチレン
カーボネート、ジメチルスルホキシド、ジメトキシエタ
ン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン、スルホラ
ン、ジオキソラン、ジメチルホルムアミド、ジメトキシ
エタン、テトラヒドロフラン、アジポニトリル、メトキ
シアセトニトリル、ジメチルアセトアミド、メチルピロ
リジノン、ジメチルスルホキシド、ジオキソラン、スル
ホラン、トリメチルホスフェイト、ポリエチレングリコ
ール等が好ましい。溶媒はその１種を単独で使用でき、
また２種以上を混合しても使用できる。溶媒の使用量は
特に制限はないが、通常、溶媒はイオン伝導層の２０重
量％以上、好ましくは５０重量％以上、さらに好ましく
は７０重量％以上を占め、その上限値は９８重量％、好
ましくは９５重量％、さらに好ましくは９０重量％の値
にある。支持電解質として使用する塩類には、特に制限
はない。例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩
等の無機イオン塩；４級アンモニウム塩；環状４級アン
モニウム塩、４級ホスホニウム塩などが挙げられる。塩
類の具体例としてはＬｉＣｌＯ₄、ＬｉＳＣＮ、ＬｉＢ
Ｆ₄、ＬｉＡｓＦ₆、ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃、ＬｉＰＦ₆、Ｌｉ
Ｉ、ＮａＩ、ＮａＳＣＮ、ＮａＣｌＯ₄、ＮａＢＦ₄、Ｎ
ａＡｓＦ₆、ＫＳＣＮ、ＫＣｌ等のＬｉ、Ｎａ、Ｋのア
ルカリ金属塩；（ＣＨ₃）₄ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ ₅）₄ＮＢＦ
₄、（ｎ−Ｃ₄Ｈ₉）₄ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）₄ＮＢｒ、（Ｃ
₂Ｈ₅）₄ＮＣｌＯ₄、（ｎ−Ｃ₄Ｈ₉）₄ＮＣｌＯ₄、（Ｃ₂
Ｈ₅）₃ＣＨ₃ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＣＨ₃ＮＣｌＯ₄、
（Ｃ₂Ｈ₅）₂（ＣＨ₃）₂ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）₂（ＣＨ₃）
₂ＮＣｌＯ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）₃ＮＢＦ₄、（Ｃ
₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）₃ＮＣｌＯ₄などのほか、

【化２４】 などの４級アンモニウム塩；（ＣＨ₃）₄ＰＢＦ₄、（Ｃ₂
Ｈ₅）₄ＰＢＦ₄、（Ｃ₃Ｈ ₇）₄ＰＢＦ₄、（Ｃ₄Ｈ₉）₄ＰＢ
Ｆ₄などの４級ホスホニウム塩またはこれらの混合物が
好適なものとして挙げられる。支持電解質として使用す
る酸類にも特別な限定はなく、無機酸、有機酸などが、
具体的には硫酸、塩酸、リン酸類、スルホン酸類、カル
ボン酸類などが使用できる。支持電解質としてのアルカ
リ類も特に限定されず、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化リチウムなどがいずれも使用可能である。
支持電解質の使用量は任意であるが、一般的には、支持
電解質はイオン伝導層中に０．０１Ｍ以上、好ましくは
０．１Ｍ以上、さらに好ましくは０．５Ｍ以上存在し、
その上限値は２０Ｍ、好ましくは１０Ｍ、さらに好まし
くは５Ｍの値にある。

【００１２】ゲル化液系イオン伝導性物質 ゲル化液系イオン伝導性物質とは、上記した液系イオン
伝導性物質を増粘又はゲル化させた物質を意味し、上記
の液系イオン伝導性物質にさらにポリマー又はゲル化剤
を配合して調製される。ゲル化液系イオン伝導性物質の
調製に使用されるポリマーには、特別な制限はなく、例
えば、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロ
ース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンオキサイド、ポリ
ウレタン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポ
リアミド、ポリアクリルアミド、セルロース、ポリエス
テル、ポリプロピレンオキサイド、ナフィオンなどが使
用できる。同様にゲル化剤にも特別な限定はない。オキ
シエチレンメタクリレート、オキシエチレンアクリレー
ト、ウレタンアクリレート、アクリルアミド、寒天など
が使用可能である。

【００１３】固体系イオン伝導性物質 固体系イオン伝導性物質は、室温で固体であり、かつイ
オン伝導性を有する物質を指し、これには、ポリエチレ
ンオキサイド、オキシエチレンメタクリレートのポリマ
ー、ナフィオン、ポリスチレンスルホン酸、Ｌｉ₃Ｎ、
Ｎａ-β-Ａｌ₂Ｏ ₃、Ｓｎ（ＨＰＯ₄）₂・Ｈ₂Ｏ等を使用
することができる。このほか、オキシアルキレンメタク
リレート系化合物、オキシアルキレンアクリレート系化
合物またはウレタンアクリレート系化合物を重合するこ
とによって得られる高分子化合物に、支持電解質を分散
させた高分子固体電解質が使用可能である。本発明が推
奨する高分子固体電解質の第１の例は、下記の一般式
（１２）で表されるウレタンアクリレートと、上記した
有機極性溶媒及び支持電解質を含有する組成物を、固化
させて得られる高分子固体電解質である。なお、高分子
固体電解質に関していう固化とは、重合性または架橋性
成分が重合（重縮合）反応又は架橋反応によって硬化
し、組成物全体が常温で実質的に流動しない状態になる
ことを指す。この固化によって重合性または架橋性成分
は３次元網目構造（ネットワーク）を形成する。

【化２５】 （式中、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は同一または異なる基であっ
て、一般式（１３）〜（１５）で表される基から選ばれ
る基を示す。Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は同一または異なる基であ
って、炭素数１〜２０、好ましくは２〜１２の２価炭化
水素残基を示す。Ｙはポリエーテル単位、ポリエステル
単位、ポリカーボネート単位またはこれらの混合単位を
示す。またａは１〜１００、好ましくは１〜５０、さら
に好ましくは１〜２０の範囲の整数である。）

【化２６】 一般式（１３）〜（１５）において、Ｒ¹⁹〜Ｒ²¹は同一
または異なる基であって、水素原子または炭素数１〜３
のアルキル基を示す。またＲ²²は炭素数１〜２０、好ま
しくは炭素数２〜８の２〜４価の有機残基を示す。この
有機残基としては、具体的には、アルキルトリイル基、
アルキルテトライル基、下記の一般式（１６）で示され
るアルキレン基等の炭化水素残基などが挙げられる。

【化２７】 一般式（１６）において、Ｒ²³は炭素数１〜３のアルキ
ル基または水素を示し、ｂは０〜６の整数である。ｂが
２以上の場合、Ｒ²³は同一でも異なっても良い。一般式
（１６）中の水素原子は、その一部が炭素数１〜６、好
ましくは１〜３のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリ
ールオキシ基などの含酸素炭化水素基により置換されて
いる基でもよい。一般式（１３）〜（１５）におけるＲ
¹⁹の具体例としては、メチレン基、テトラメチレン基、
１−メチル−エチレン基、１，２，３−プロパントリイ
ル基、ネオペンタントリイル基等を好ましく挙げること
ができる。

【００１４】一般式（１２）のＲ¹⁷及びＲ¹⁸で示される
２価の炭化水素残基としては、脂肪族炭化水素基、芳香
族炭化水素基、脂環式炭化水素基などが挙げられるが、
脂肪族炭化水素基としては、先の一般式（１６）で表さ
れるアルキレン基等を挙げることができる。また、２価
の芳香族炭化水素基および２価の脂環式炭化水素基とし
ては、下記一般式（１７）〜（１９）で表される炭化水
素基等が挙げられる。

【化２８】 一般式（１７）〜（１９）において、Ｒ²⁴及びＲ²⁵は同
一または異なる基であって、フェニレン基、置換フェニ
レン基（アルキル置換フェニレン基等）、シクロアルキ
レン基、置換シクロアルキレン基（アルキル置換シクロ
アルキレン基等）を示す。Ｒ²⁶〜Ｒ²⁹は同一または異な
る基であって、水素原子または炭素数１〜３のアルキル
基を示す。また、ｃは１〜５の整数である。一般式（１
２）におけるＲ¹⁷およびＲ¹⁸の具体例としては、以下に
示す２価の基が挙げられる。

【化２９】

【００１５】一般式（１２）におけるＹはポリエーテル
単位、ポリエステル単位およびポリカーボネート単位ま
たはこれらの混合単位を示すが、このポリエーテル単
位、ポリエステル単位、ポリカーボネート単位及びこれ
らの混合単位としては、それぞれ下記の一般式（ｏ）〜
（ｒ）で示される単位を挙げることができる。

【化３０】 一般式（ｏ）〜（ｒ）において、Ｒ³⁰〜Ｒ³⁵は同一また
は異なる基であって、炭素数１〜２０、好ましくは２〜
１２の２価の炭化水素残基を示す。Ｒ³⁰〜Ｒ³⁵は、直鎖
または分岐のアルキレン基などが好ましい。具体的に
は、Ｒ³²はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、
テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン
基、プロピレン基等であることが好ましく、Ｒ³⁰〜Ｒ³¹
およびＲ³³〜Ｒ³⁵はエチレン基、プロピレン基等である
ことが好ましい。c'は２〜３００、好ましくは１０〜２
００の整数である。d'は１〜３００、好ましくは２〜２
００の整数、e'は１〜２００、好ましくは２〜１００の
整数、e''は１〜２００、好ましくは２〜１００の整
数、f'は１〜３００、好ましくは１０〜２００の整数で
ある。一般式（ｏ）〜（ｒ）において、各単位は同一で
も、異なる単位の共重合でも良い。即ち、複数のＲ³⁰〜
Ｒ³⁶が存在する場合、Ｒ³⁰同志、Ｒ³¹同志、Ｒ³²同志、
Ｒ³³同志、Ｒ³⁴同志およびＲ³⁵同志は同一でも異なって
も良い。一般式（１２）で表されるウレタンアクリレー
トの分子量は、通常、重量平均分子量で２，５００〜３
０，０００、好ましくは３，０００〜２０，０００の範
囲にあり、１分子中の重合官能基数は、好ましくは２〜
６、さらに好ましくは２〜４の範囲にある。一般式（１
２）で表されるウレタンアクリレートは、公知の方法に
より容易に製造することができ、その製法は特に限定さ
れるものではない。一般式（１２）で表されるウレタン
アクリレートを含有する高分子固体電解質は、このウレ
タンアクリレートに、前記液系イオン伝導性物質で説明
した溶媒と支持電解質を混合したものを前駆体組成物と
し、係る組成物を固化することにより調製されるが、溶
媒の添加量はウレタンアクリレート１００重量部当た
り、通常１００〜１２００重量部、好ましくは２００〜
９００重量部の範囲で選ばれる。溶媒の添加量が少なす
ぎると、最終的に得られる高分子固体電解質のイオン伝
導度が不足し、多すぎると固体電解質の機械的強度が低
下する恐れがある。支持電解質の添加量は溶媒添加量の
０．１〜３０重量％、好ましくは１〜２０重量％の範囲
で選ばれる。ウレタンアクリレートを含有する高分子固
体電解質には、必要に応じて架橋剤や重合開始剤を添加
することができる。

【００１６】本発明が推奨する高分子固体電解質の第２
の例は、アクリロイル変性またはメタクリロイル変性さ
れたポリアルキレンオキシド（以下、この両者を変性ポ
リアルキレンオキシドと総称する）と、溶媒と、支持電
解質を含有する組成物を固化させて得られる高分子固体
電解質である。変性ポリアルキレンオキシドには、単官
能変性ポリアルキレンオキシド、２官能変性ポリアルキ
レンオキシド、３官能以上の多官能変性ポリアルキレン
オキシドが包含される。これらの各変性ポリアルキレン
オキシドは単独で用いても混合して用いてもよく、特
に、単官能変性ポリアルキレンオキシドを必須とし、こ
れに２官能変性ポリアルキレンオキシドおよび／または
多官能変性ポリアルキレンオキシドを混合使用すること
が好ましい。とりわけ、単官能変性ポリアルキレンオキ
シドと２官能変性ポリアルキレンオキシドを混合して使
用することが好ましい。混合使用する場合の混合比率は
任意に選ぶことができるが、単官能変性ポリアルキレン
オキシド１００重量部に対して、２官能変性ポリアルキ
レンオキシドおよび／または多官能変性ポリアルキレン
オキシドを、合計量で０．１〜２０重量部、好ましくは
０．５〜１０重量部の範囲で選ばれる。

【００１７】単官能変性ポリアルキレンオキシドは下記
の一般式（１７）で表される。

【化３１】 （式中、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸およびＲ³⁹は、それぞれ個別
に水素または１〜５の炭素原子を有するアルキル基を示
し、g'は１以上の整数である。） 一般式（１７）において、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸およびＲ³⁹
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基等が挙げられ、互いに同一でも異な
ってもよく、特にＲ³⁶は水素、メチル基、Ｒ³⁷は水素、
メチル基、Ｒ³⁸は水素、メチル基、Ｒ³⁹は水素、メチル
基、エチル基であることがそれぞれ好ましい。一般式
（１７）のg'は、１以上の整数、通常１≦g'≦１００、
好ましくは２≦g'≦５０、さらに好ましくは２≦g'≦３
０の範囲の整数である。一般式（１７）で表される化合
物の具体例としては、オキシアルキレンユニットを１〜
１００、好ましくは２〜５０、さらに好ましくは２〜２
０の範囲で持つメトキシポリエチレングリコールメタク
リレート、メトキシポリプロピレングリコールメタクリ
レート、エトキシポリエチレングリコールメタクリレー
ト、エトキシポリプロピレングリコールメタクリレー
ト、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メ
トキシポリプロピレングリコールアクリレート、エトキ
シポリエチレングリコールアクリレート、エトキシポリ
プロピレングリコールアクリレート、またはこれらの混
合物等を挙げることができ、これらの中でも特にメトキ
シポリエチレングリコールメタクリレートおよびメトキ
シポリエチレングリコールアクリレートが好ましく用い
られる。一般式（１７）のg'が２以上の場合、オキシア
ルキレンユニットは互いに異なるいわゆる共重合オキシ
アルキレンユニットを持つものでもよく、その重合形態
は交互共重合、ブロック共重合またはランダム共重合の
いずれでもよい。その具体例としては、例えば、オキシ
エチレンユニットを１〜５０、好ましくは１〜２０の範
囲で持ち、かつオキシプロピレンユニットを１〜５０、
好ましくは１〜２０の範囲で持つ交互共重合体、ブロッ
ク共重合体またはランダム共重合体であるところの、メ
トキシポリ（エチレン・プロピレン）グリコールメタク
リレート、エトキシポリ（エチレン・プロピレン）グリ
コールメタクリレート、メトキシポリ（エチレン・プロ
ピレン）グリコールアクリレート、エトキシポリ（エチ
レン・プロピレン）グリコールアクリレート、またはこ
れらの混合物などが挙げられる。

【００１８】２官能変性ポリアルキレンオキシドは、下
記の一般式（１８）で表され、３官能以上の多官能アク
リロイル変性ポリアルキレンオキシドは、下記の一般式
（１８）で表される。

【化３２】 （式中、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²およびＲ⁴³は、それぞれ個別
に水素または１〜５の炭素原子を有するアルキル基を示
し、h'は１以上の整数である。）

【化３３】 （式中、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は、それぞれ個別に水素
または１〜５の炭素原子を有するアルキル基であり、
i’は１以上の整数であり、j'は２〜４の整数であり、
Ｌはj'価の連結基を示す。） 一般式（１８）において、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²およびＲ⁴³
は、それぞれ個別に水素または１〜５の炭素原子を有す
るアルキル基を示すが、このアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げら
れる。特に、Ｒ⁴⁰は水素、メチル基、Ｒ ⁴¹は水素、メチ
ル基、Ｒ⁴²は水素、メチル基、Ｒ⁴³は水素、メチル基で
あることがそれぞれ好ましい。また、一般式（１９）中
のh'は、１以上の整数、通常１≦h'≦１００、好ましく
は２≦h'≦５０、さらに好ましくは２≦h'≦３０の範囲
の整数であるが、そうした化合物の具体例は、オキシア
ルキレンユニットを１〜１００、好ましくは２〜５０、
さらに好ましくは１〜２０の範囲で持つポリエチレング
リコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコール
ジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ま
たはこれらの混合物等を挙げることができる。また、h'
が２以上の場合、オキシアルキレンユニットが互いに異
なるいわゆる共重合オキシアルキレンユニットを持つも
のでもよく、その重合形態は交互共重合、ブロック共重
合またはランダム共重合のいずれでもよい。その例とし
ては、例えば、オキシエチレンユニットを１〜５０、好
ましくは１〜２０の範囲で持ち、かつオキシプロピレン
ユニットを１〜５０、好ましくは１〜２０の範囲で持つ
交互共重合体、ブロック共重合体またはランダム共重合
体であるところの、ポリ（エチレン・プロピレン）グリ
コールジメタクリレート、ポリ（エチレン・プロピレ
ン）グリコールジアクリレート、またはこれらの混合物
などが挙げられる。一般式（１９）におけるＲ⁴⁴、Ｒ⁴⁵
およびＲ⁴⁶は、それぞれ個別に水素または１〜５の炭素
原子を有するアルキル基であるが、このアルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基
等が挙げられる。特にＲ⁴⁴、Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は水素また
はメチル基が好ましい。また、式中のi'は１以上の整
数、通常１≦i'≦１００、好ましくは２≦i'≦５０さら
に好ましくは２≦i'≦３０の範囲の整数を示すものであ
る。j'は連結基Ｌの連結数であり、２≦j'≦４の整数で
ある。連結基Ｌとしては、通常、炭素数１〜３０、好ま
しくは１〜２０の二価、三価または四価の炭化水素基で
ある。二価炭化水素基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アリールアルキレン基、アルキルアリーレン
基、またはこれらを基本骨格として有する炭化水素基な
どが挙げられ、具体的にはメチレン基、エチレン基、

【化３４】 などが挙げられる。また、三価の炭化水素基としては、
アルキルトリイル基、アリールトリイル基、アリールア
ルキルトリイル基、アルキルアリールトリイル基、また
はこれらを基本骨格として有する炭化水素基などが挙げ
られ、具体的には

【化３５】 などが挙げられる。また、四価の炭化水素基としては、
アルキルテトライル基、アリールテトライル基、アリー
ルアルキルテトライル基、アルキルアリールテトライル
基、またはこれらを基本骨格として有する炭化水素基な
どが挙げられ、具体的には

【化３６】 等が挙げられる。

【００１９】こうした化合物の具体例としては、オキシ
アルキレンユニットを１〜１００、好ましくは２〜５
０、さらに好ましくは１〜２０の範囲で持つトリメチロ
ールプロパントリ（ポリエチレングリコールアクリレー
ト）、トリメチロールプロパントリ（ポリエチレングリ
コールメタクリレート）、トリメチロールプロパントリ
（ポリプロピレングリコールアクリレート）、トリメチ
ロールプロパントリ（ポリプロピレングリコールメタク
リレート）、テトラメチロールメタンテトラ（ポリエチ
レングリコールアクリレート）、テトラメチロールメタ
ンテトラ（ポリエチレングリコールメタクリレート）、
テトラメチロールメタンテトラ（ポリプロピレングリコ
ールアクリレート）、テトラメチロールメタンテトラ
（ポリプロピレングリコールメタクリレート）、２，２
−ビス［４−（アクリロキシポリエトキシ）フェニル］
プロパン、２，２−ビス［４−（メタクリロキシポリエ
トキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（ア
クリロキシポリイソプロポキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［４−（メタクリロキシポリイソプロポキ
シ）フェニル］プロパン、またはこれらの混合物等を挙
げることができる。また、一般式（１９）のi'が２以上
の場合、オキシアルキレンユニットが互いに異なるいわ
ゆる共重合オキシアルキレンユニットを持つものでもよ
く、その重合形態は、交互共重合、ブロック共重合、ラ
ンダム共重合のいずれであってもよい。オキシエチレン
ユニットを１〜５０、好ましくは１〜２０の範囲で持
ち、かつオキシプロピレンユニットを１〜５０、好まし
くは１〜２０の範囲で持つ交互共重合体、ブロック共重
合体またはランダム共重合体であるところの、トリメチ
ロールプロパントリ（ポリ（エチレン・プロピレン）グ
リコールアクリレート）、トリメチロールプロパントリ
（ポリ（エチレン・プロピレン）グリコールメタクリレ
ート）、テトラメチロールメタンテトラ（ポリ（エチレ
ン・プロピレン）グリコールアクリレート）、テトラメ
チロールメタンテトラ（ポリ（エチレン・プロピレン）
グリコールメタクリレート）、またはこれらの混合物な
どがその具体例である。一般式（１８）で表される２官
能変性ポリアルキレンオキシドと、一般式（１９）で表
される３官能以上の多官能変性ポリアルキレンオキシド
を併用してもよい。併用する場合の重量比は、通常、
０．０１／９９．９〜９９．９／０．０１、好ましくは
１／９９〜９９／１、さらに好ましくは２０／８０〜８
０／２０の範囲が望ましい。上記した変性ポリアルキレ
ンオキシドを含有する高分子固体電解質は、変性ポリア
ルキレンオキシドに、前記液系イオン伝導性物質で説明
した溶媒と支持電解質を混合したものを前駆体組成物と
し、係る組成物を固化することにより調製されるが、溶
媒の添加量は変性ポリアルキレンオキシド全量の５０〜
８００重量％、好ましくは１００〜５００重量％の範囲
で選ばれる。また、支持電解質の添加量は、変性ポリア
ルキレンオキシド全量と溶媒の合計量の１〜３０重量
％、好ましくは３〜２０重量％の範囲で選ばれる。変性
ポリアルキレンオキシドを含有する高分子固体電解質に
は、必要に応じて架橋剤や重合開始剤を添加することが
できる。

【００２０】高分子電解質に添加可能な架橋剤として
は、２つ以上の官能基を有するアクリレート系架橋剤が
好ましい。その具体例としては、例えば、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、トリエチレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペン
チルグリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラメタクリレート等が挙げられ
る。これらは使用に際して、単独若しくは混合物として
用いることができる。架橋剤の使用量は、高分子固体電
解質に含まれる重合性のウレタンアクリレートまたは変
性ポリアルキレンオキシド１００モル％に対し、０．０
１モル％以上、好ましくは０．０１モル％以上であり、
その上限値は１０モル％、好ましくは５モル％である。
高分子固体電解質に添加可能な重合開始剤は、光重合開
始剤と熱重合開始剤に大別される。光重合開始剤の種類
は特に限定されず、ベンゾイン系、アセトフェノン系、
ベンジルケタール系、アシルホスフィンオキサイド系等
の公知のものを用いることができる。具体的には、アセ
トフェノン、ベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェ
ノン、ベンゾインメチルエーテル、２，２−ジメトキシ
−２−フェニルジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン、ベンジル、ベンゾイル、２−メチルベンゾイン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−オン、
１−（４−イソプロピルフェニル−２−ヒドロキシ−２
−メチルプロパン−１−オン、トリフェニルホスフィ
ン、２−クロロチオキサントン、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチル−（４−
（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノ−１−プ
ロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−
（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１
−（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）−２−
ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ジ
エトキシアセトフェノン、１−（４−イソプロピルフェ
ニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、ベンゾイン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジ
フェニルホスフィンオキシド等が、単独で若しくは混合
物として使用できる。熱重合開始剤の種類も特には限定
されない。過酸化物系重合開始剤またはアゾ系重合開始
剤等の公知のものを用いることができる。具体的には、
過酸化物系重合開始剤としては、例えばベンゾイルパー
オキサイド、メチルエチルパーオキサイド、ｔ−ブチル
パーオキシピバレート、ジイソプロピルパーオキシカー
ボネート等が挙げられ、アゾ系としては、例えば２，
２’−アゾビス（２−イソブチロニトリル）、２，２’
−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス
（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾ
ビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等を、単
独で若しくは混合物として用いることができる。重合開
始剤の使用量は、高分子固体電解質に含まれる重合性の
ウレタンアクリレートまたは変性ポリアルキレンオキシ
ド１００重量部に対して０．１重量部以上、好ましくは
０．５重量部以上であり、その上限は１０重量部、好ま
しくは５重量部以下である。

【００２１】高分子固体電解質の固化は、重合性のウレ
タンアクリレートまたは変性ポリアルキレンオキシドを
光硬化または熱硬化させることによって達成される。光
硬化は、好ましくは光重合開始剤を含有する高分子固体
電解質に、遠紫外光、紫外光、可視光等を照射すること
によって進行する。光源としては、高圧水銀灯、蛍光
灯、キセノン灯等を使用することができる。光照射量は
特に限定されないが、通常は１００ｍＪ／ｃｍ²以上、
好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ²以上であり、その上限
値は５００００ｍＪ／ｃｍ²、好ましくは２００００ｍ
Ｊ／ｃｍ²であることが好ましい。熱硬化は、好ましく
は熱重合開始剤をする高分子固体電解質を、通常０℃以
上、好ましくは２０℃以上に加熱することによって進行
する。加熱温度は１３０℃以下、好ましくは８０℃以下
であることが望ましい。硬化時間は、通常、３０分間以
上、好ましくは１時間以上であり、かつ１００時間以
下、好ましくは４０時間以下であることが望ましい。前
述の通り、本発明のイオン伝導層は、前記エレクトロク
ロミック活性物質を含有するものであるが、その製法や
形態は特に限定されない。例えば、液系イオン伝導性物
質の場合は前記エレクトロクロミック活性物質を伝導性
物質中に適宜分散または溶解すればよく、ゲル化液系イ
オン伝導性物質の場合は、その前駆体段階から前記エレ
クトロクロミック活性物質を混合し、最終的に当該化合
物が適宜分散または溶解している形態が例示できる。ま
た、固体系イオン伝導性物質層としては、未硬化状態に
ある固体電解質の段階で予め前記エレクトロクロミック
活性物質を混合し、しかる後固化することにより当該化
合物が適宜分散または溶解している形態が挙げられ、ま
た典型的には、高分子固体電解質の場合、同様に未硬化
状態にある固体電解質、即ち、前述の高分子固体電解質
前駆体組成物に前記エレクトロクロミック活性物質を混
合し、係る組成物を硬化することにより前記化合物が分
散または溶解された高分子固体電解質の形態が挙げられ
る。

【００２２】イオン伝導層を構成するイオン伝導性物質
が、液系であるか、ゲル化液系であるか、あるいは固体
系であるかに拘らず、素子の耐光性を向上させる目的
で、前記エレクトロクロミック活性物質を含有する本発
明のイオン伝導層には、紫外線吸収剤を含有させること
もできる。このような紫外線吸収剤としては、ベンゾト
リアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリア
ジン系化合物、サリシレート系化合物、シアノアクリレ
ート系化合物、蓚酸アニリド系化合物等が挙げられ、こ
れらの中でも特にベンゾトリアゾール系化合物およびベ
ンゾフェノン系化合物を好適に用いることができる。ベ
ンゾトリアゾール系化合物としては、例えば、下記の一
般式（２０）で表される化合物が好適に挙げられる。

【化３７】 式中、Ｒ⁴⁷は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１
〜１０、好ましくは１〜６のアルキル基を示す。ハロゲ
ン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等、アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−
プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル
基等が例示でき、特に水素原子および塩素原子が好まし
い。Ｒ⁴⁷の置換位置としては、ベンゾトリアゾール骨格
の４位または５位であるが、ハロゲン原子およびアルキ
ル基の場合は通常５位に位置する。Ｒ⁴⁸は、水素原子ま
たは炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の炭化水素基を
示す。炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ
−アミル基、シクロヘキシル基、１，１−ジメチルベン
ジル基等が例示でき、特にｔ−ブチル基、ｔ−アミル基
および１，１−ジメチルベンジル基が好ましい。Ｒ
⁴⁹は、炭素数２〜１０、好ましくは２〜４のアルキルカ
ルボン酸基、またはアルキリデンカルボン酸基を示す。
アルキル基としては、メチレン基、エチレン基、トリメ
チレン基、プロピレン基等が、アルキリデン基として
は、エチリデン基、プロピリデン基等が挙げられる。ま
た他のＲ⁴⁹としてはｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、１，
１，３，３，−テトラメチルブチル基等のアルキル基、
プロパン酸オクチルエステル等のアルカン酸アルキルエ
ステル、１，１−ジメチルベンジル基等のアリールアル
キル基等が挙げられる。このようなベンゾトリアゾール
系化合物としては、３−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾト
リアゾール−２−イル）−５−（１，１−ジメチルエチ
ル）−４−ヒドロキシ−ベンゼンプロパン酸、３−（２
Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１，１−
ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ−ベンゼンエタン
酸、３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４
−ヒドロキシベンゼンエタン酸、３−（５−メチル−２
Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１−メチ
ルエチル）−４−ヒドロキシベンゼンプロパン酸、イソ
−オクチル−３−（３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−
２−イル）−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル
プロピオネート、メチル−３−［３−ｔ−ブチル−５−
（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−ヒドロ
キシフェニル］プロピオネート、２−（５’−メチル−
２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−
［２’−ヒドロキシ−３’，５’−ビス（α，α−ジメ
チルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２−（３’，５’−ジ−ｔ−
ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェ
ニル）ベンゾトリアゾール、２−（３’−ドデシル−
５’−メチル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリ
アゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−
ｔ−アミル−フェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、
２−（２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，
５’’，６’’−テトラヒドロフタルイミドメチル）−
５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３’
−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシフェニ
ル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３’，
５’−ジ−ｔ−ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）−
５−クロロベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ
−３，５−ジ（１，１−ジメチルベンジル）フェニル］
−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−
３−ジメチルベンジル−５−（１，１，３，３−テトラ
メチルブチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル、３−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２
−イル）−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプ
ロパン酸オクチルエステル、３−（５−クロロ−２Ｈ−
ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル−ｎ−プロパノール等が挙げら
れ、これらの中でも３−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾト
リアゾール−２−イル）−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニルプロパン酸オクチルエステル、３−（５−
クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル−ｎ−プロパノー
ルが特に好ましく用いられる。

【００２３】ベンゾフェノン系化合物としては、例え
ば、下記の一般式（２１）、（２２）で示される化合物
が挙げられる。

【化３８】 式中、Ｒ⁵⁰およびＲ⁵¹は、同一もしくは異なる基であっ
て、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０、好ましくは１〜
６のアルキル基またはアルコキシ基を示す。ｍ’、ｎ’
は０≦ｍ’≦３、０≦ｎ’≦３の範囲の整数を示す。ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｉ−プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキ
シル基等が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ブトキシ基
等が例示される。ベンゾフェノン系化合物の具体例とし
ては、２−ヒドロキシ−、２，２’−ジヒドロキシ−４
−メトキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−
５−スルホン酸、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシ
ベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキ
シベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’
−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−
メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン等が
好適に挙げられ、この中でも２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンが好ましく用いられる。ト
リアジン系化合物としては２−（４，６−ジフェニル−
１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（ヘキシ
ル）オキシ］−フェノール、２−［４−［（２−ヒドロ
キシ−３−ドデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒ
ドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチル
フェニル）−１，３，５−トリアジン、２−［４−
［（２−ヒドロキシ−３−トリデシルオキシプロピル）
オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス
（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジ
ン等を挙げることができる。サリシレート系化合物とし
てはフェニルサリシレート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルサ
リシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート等を挙
げることができる。シアノアクリレート系化合物として
は２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３ ^,ジフェニ
ルアクリレート、エチル−２−シアノ−３，３^,−ジフ
ェニルアクリレート等を挙げることができる。蓚酸アニ
リド系化合物としては２−エトキシ−２’−エチル−オ
キサリック酸ビスアニリド等を挙げることができる。紫
外線吸収剤の使用量は、イオン伝導層中に０．１重量％
以上、好ましくは１重量％以上であり、その上限値は２
０重量％、好ましくは１０重量％であることが望まし
い。

【００２４】本発明に係るEC素子は任意の方法で製造す
ることができる。例えば、使用するイオン伝導性物質が
液系またはゲル化液系である場合は、２枚の導電基板を
適当な間隔で対向させ、周縁部をシールした対向導電基
板の間に、化合物Ａが分散されているイオン伝導性物質
を、真空注入法、大気注入法、メニスカス法等によって
注入し、しかる後、注入口を封鎖する方法で本発明のEC
素子を製造することができる。また、使用するイオン伝
導性物質の種類によっては、スパッタリング法、蒸着
法、ゾルゲル法などによって一方の導電基板上に、エレ
クトロクロミック活性物質を含有するイオン伝導層を形
成させた後、他方の導電基板を合わせる方法や、あるい
はエレクトロクロミック活性物質を含有するイオン伝導
性物質を予めフィルム状に成形し、合わせ板ガラスの製
造する要領で本発明のEC素子を製造することもできる。
使用するイオン伝導性物質が固体系である場合、とりわ
け、ウレタンアクリレートまたは変性アルキレンオキシ
ドを含有する高分子固体電解質を使用する場合は、エレ
クトロクロミック活性物質を含有して未固化状態にある
高分子固体電解質前駆体を、周縁部がシールされた対向
導電基板の間に、真空注入法、大気注入法、メニスカス
法等によって注入し、注入口を封鎖後、適当な手段で高
分子固体電解質を固化させて固体電解質を得るこことに
より本発明のEC素子を得ることができる。本発明に係る
EC素子のイオン伝導層は、通常、室温で１×１０^-7Ｓ／
ｃｍ以上、好ましくは１×１０^-6Ｓ／ｃｍ以上、さらに
好ましくは１×１０^-5Ｓ／ｃｍ以上のイオン伝導度を示
すことが望ましい。 また、イオン伝導層の厚さは、通
常、１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上であって、し
かも３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下であることが望
ましい。

【００２５】本発明に係るEC素子の基本構成を、図面に
そって次に説明する。図１に示すEC素子は、透明基板１
とその表面に積層させた透明電極層２からなる透明導電
基板と、透明又は不透明な基板５とその表面に積層させ
た透明、不透明または反射性導電基板４との間に、エレ
クトロクロミック活性物質が分散しているイオン伝導層
３を挟持させた構造にある。図２は表示素子や調光ガラ
スの構成例を示す。透明基板１の一方の面に透明電極層
２を形成した透明導電基板２枚を、両基板の透明電極層
が向き合うよう適宜な間隔で対向させ、この間にエレク
トロクロミック活性物質が分散しているイオン伝導層３
を挟持させた構造にある。図３にはエレクトロクロミッ
クミラーの構成例を示す。透明基板１の一方の面に透明
電極層２を形成した透明導電基板と、透明基板１の一方
の面に透明電極層２を、他方の面に反射層７を形成した
反射性導電基板とを、両基板の透明電極層が向き合うよ
う、適宜な間隔で対向させ、この間にエレクトロクロミ
ック活性物質が分散しているイオン伝導層３を挟持させ
た構造にある。図１〜図３に示すEC素子は、任意の方法
で製造することができる。例えば、図１に示す構成のEC
素子の場合、透明基板１上に前述の方法により透明電極
層２を形成し（積層板Ａ）、別に、基板５上に前述の方
法により透明、不透明または反射性電極層４を形成して
積層板を得る（積層板Ｂ）。続いて、積層板Ａと積層板
Ｂを１〜１０００μｍ程度の間隔で対向させ、注入口を
除いた周囲をシール材６でシールし、注入口付きの空セ
ルを作成する。そして、イオン伝導層の組成物を前述の
方法で注入し、またはこの後所望により硬化することに
よりイオン伝導層３を形成することによりEC素子を得る
ことができる。前記積層板ＡとＢを対向させる際、間隔
を一定に確保するために、例えば、スペーサーを用いる
ことができる。スペーサーとしては特に限定されない
が、ガラス、ポリマー等で構成されるビーズまたはシー
トを用いることができる。スペーサーは、対向する導電
基板の間隙に挿入したり、導電基板の電極上に樹脂等の
絶縁物で構成される突起状物を形成する方法等より設け
ることができる。また、他の方法としては、透明基板１
上に前述の方法により透明電極層２、イオン伝導層３
を、記載順に順次形成して積層体を得る（積層体
Ａ’）。別に、基板５上に前述の方法により透明、不透
明または反射性電極層４を形成して積層体を得る（積層
体Ｂ’）。ついで、積層体Ａ’のイオン伝導層と、積層
体Ｂ’の反射性電極層とが密着するように、両積層体を
１〜１０００μｍ程度の間隔で対向させ、周囲をシール
材６でシールする方法が挙げられる。図２に示す構成の
エレクトロクロミック調光ガラスの場合は、透明基板１
の一方の面に透明電極層２を形成させた透明導電基板２
枚を調製し、図３に示すエレクロトクロミックミラーの
場合は、透明基板１の一方の面に透明電極層２を形成し
た透明導電基板と、透明基板１の一方の面に透明電極層
２を、他方の面に反射層７を形成した反射性導電基板と
を調製し、以後は図１に示す構成の素子の場合と同様の
手順で、それぞれの素子を得ることができる。

【００２６】本発明のEC素子の代表的な構成例について
は、図１〜３に示されているとおりであるが、本発明の
EC素子には、必要に応じて、紫外線反射層や紫外線吸収
層などの紫外線カット層、ミラーの場合はミラー層全体
もしくは各膜層の表面保護を目的とするオーバーコート
層などを任意に付加することができる。前記紫外線カッ
ト層は、透明基板１の外界側もしくは透明電極層側、オ
ーバーコート層としては、透明基板１の外界側や反射層
７の外界側などに設置することが好適な態様として挙げ
られる。本発明の素子は、表示素子、調光ガラス、自動
車等の防眩ミラー、あるいは屋内で使用される装飾用ミ
ラーなどのエレクトロクロミックミラーなどに好適に使
用することができる。また、本発明のＥＣ素子は、基本
特性に優れるていることに加えて、特に着消色応答性や
サイクル特性に優れている。そして、本発明のＥＣ素子
は、従来のものより低い電圧で駆動することができるな
どの特長を有する。

【００２７】

【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらになんら制限されるものではな
い。実施例１ ＩＴＯ被覆された透明ガラス基板の周辺部に、溶液注入
口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状に塗布し、こ
の上に、同じくＩＴＯ被覆された透明ガラス基板を、Ｉ
ＴＯ面が向かい合うように重ね合わせ、加圧しながら接
着剤を硬化させ、注入口付き空セルを作製した。他方
で、メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレー
ト（新中村化学工業株式会社製 Ｍ４０Ｇ）［オキシエ
チレンユニット数４］１．０ｇ、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート（新中村化学工業株式会社製 ４
Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］０．０２ｇ、プロ
ピレンカーボネート ４．０ｇ、１−（４−イソプロピ
ルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−
１−オン０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧ
Ｙ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テト
ラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウムを０．５
Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度になる
ように添加し、均一溶液を得た。

【化３９】 この溶液を脱気後、上述のようにして作成したセルの注
入口より注入した。注入口をエポキシ系接着剤で封止し
た後、両面から蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化
させ、エレクトロクロミック素子（調光ガラス）を得
た。このようにして図１に示す構成のエレクトロクロミ
ック調光ガラスを得た。この調光ガラスは組み立てた時
点では着色しておらず、透過率は約８７％であった。ま
た、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエレクトロ
クロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖの電圧を
印可すると着色し、６３３ｎｍの波長の光の透過率は約
２５％となった。また１０秒毎に着消色を繰り返した
が、約２００時間経過後も消え残りなどが発生すること
はなかった。実施例２ ＩＴＯ被覆された透明ガラス基板の周辺部に、溶液注入
口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状に塗布し、こ
の上に、同じくＩＴＯ被覆された透明ガラス基板を、Ｉ
ＴＯ面が向かい合うように重ね合わせ、加圧しながら接
着剤を硬化させ、注入口付き空セルを作製した。他方
で、メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレー
ト（新中村化学工業株式会社製 Ｍ４０Ｇ）［オキシエ
チレンユニット数４］１．０ｇ、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート（新中村化学工業株式会社製 ９
Ｇ）［オキシエチレンユニット数９］０．０２ｇ、γ−
ブチロラクトン ４．０ｇ、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−
オン０．０２ｇの混合溶液に、過塩素酸リチウムを０．
８Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度にな
るように添加し、均一溶液を得た。

【化４０】 この溶液を脱気後、上述のようにして作成したセルの注
入口より注入した。注入口をエポキシ系接着剤で封止し
た後、両面から蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化
させ、エレクトロクロミック素子（調光ガラス）を得
た。このようにして図１に示す構成のエレクトロクロミ
ック調光ガラスを得た。この調光ガラスは組み立てた時
点では着色しておらず、透過率は約８５％であった。ま
た、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエレクトロ
クロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖの電圧を
印可すると着色し、６３３ｎｍの波長の光の透過率は約
２０％となった。また１０秒毎に着消色を繰り返した
が、約２００時間経過後も消え残りなどが発生すること
はなかった。実施例３ ＩＴＯ被覆された透明ガラス基板の周辺部に、溶液注入
口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状に塗布し、こ
の上に、同じくＩＴＯ被覆された透明ガラス基板を、Ｉ
ＴＯ面が向かい合うように重ね合わせ、加圧しながら接
着剤を硬化させ、注入口付き空セルを作製した。他方
で、メトキシポリエチレングリコールモノメタクリレー
ト（新中村化学工業株式会社製 Ｍ４０Ｇ）［オキシエ
チレンユニット数４］１．０ｇ、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート（新中村化学工業株式会社製 ４
Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］０．０２ｇ、プロ
ピレンカーボネート ４．０ｇ、１−（４−イソプロピ
ルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−
１−オン０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧ
Ｙ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テト
ラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウムを０．５
Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度になる
ように添加し、均一溶液を得た。

【化４１】 この溶液を脱気後、上述のようにして作成したセルの注
入口より注入した。注入口をエポキシ系接着剤で封止し
た後、両面から蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化
させ、エレクトロクロミック素子（調光ガラス）を得
た。このようにして図１に示す構成のエレクトロクロミ
ック調光ガラスを得た。この調光ガラスは組み立てた時
点では着色しておらず、透過率は約８５％であった。ま
た、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエレクトロ
クロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖの電圧を
印可すると着色し、６３３ｎｍの波長の光の透過率は約
２４％となった。また１０秒毎に着消色を繰り返した
が、約２００時間経過後も消え残りなどが発生すること
はなかった。実施例４ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ４Ｇ）［オキシエチレンユニット
数４］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウムを０．５
Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度になる
ように添加し、均一溶液を得た。

【化４２】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３に示す
構成のエレクトロクロミックミラーを得た。このミラー
は組み立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０
％であった。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良
好なエレクトロクロミック特性を示した。すなわち、
１．１Ｖの電圧を印可すると着色し、反射率約１０％と
なった。また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２０
０時間経過後も消え残りなどが発生することはなかっ
た。実施例５ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−ヒドロキシ−４−メトキシ
ベンゾフェノン０．０５ｇの混合溶液に、テトラフルオ
ロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを０．５Ｍ、以
下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度になるように
添加し、均一溶液を得た。

【化４３】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。実施例６ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを
０．５Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度
になるように添加し、均一溶液を得た。

【化４４】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。実施例７ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを
０．５Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度
になるように添加し、均一溶液を得た。

【化４５】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。実施例８ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを
０．５Ｍ、以下の式で表される化合物を３０ｍＭの濃度
になるように添加し、均一溶液を得た。

【化４６】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。実施例９ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ₂被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを
０．５Ｍ、以下の式で表される化合物（Mn=1200、Mw=25
00）をユニットあたり３０ｍＭの濃度になるように添加
し、均一溶液を得た。

【化４７】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。実施例１０ 高反射性電極として基板にパラジウム薄膜の付いた積層
板を用い、積層板のパラジウム層周辺部に、電解質前駆
体溶液の注入口の部分を除いてエポキシ系接着剤を線状
に塗布し、この上にＳｎＯ２被覆された透明ガラス基板
を、ＳｎＯ₂面とパラジウム層とが向かい合うように重
ね合わせ、加圧しながら接着剤を硬化させ、注入口付き
空セルを作製した。他方で、メトキシポリエチレングリ
コールモノメタクリレート（新中村化学工業株式会社製
Ｍ４０Ｇ）［オキシエチレンユニット数４］１．０
ｇ、ポリエチレングリコールジメタクリレート（新中村
化学工業株式会社製 ９Ｇ）［オキシエチレンユニット
数９］０．０２ｇ、プロピレンカーボネート４．０ｇ、
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド０．０２ｇ、２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾール（ＣＩＢＡ−ＧＥＩ
ＧＹ社製 TINUVIN Ｐ）０．０３ｇの混合溶液に、テ
トラフルオロホウ酸トリメチルエチルアンモニウムを
０．５Ｍ、以下の式で表される化合物（Mn=1200、Mw=25
00）をユニットあたり３０ｍＭの濃度になるように添加
し、均一溶液を得た。

【化４８】 注入口をエポキシ系接着剤で封止した後、透明基板側か
ら蛍光灯の光を当ててセル内の溶液を硬化させ、エレク
トロクロミック素子を得た。このようにして図３構成の
エレクトロクロミックミラーを得た。このミラーは組み
立てた時点では着色しておらず、反射率は約７０％であ
った。また、電圧を印可すると応答性に優れ、良好なエ
レクトロクロミック特性を示した。すなわち、１．１Ｖ
の電圧を印可すると着色し、反射率約１０％となった。
また１０秒毎に着消色を繰り返したが、約２００時間経
過後も消え残りなどが発生することはなかった。

【００２８】

【発明の効果】本発明のエレクトロクロミック素子は、
１Ｖ程度の電圧で良好に着色し、応答性に優れ、繰り返
し駆動耐性にも優れたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るエレクトロクロミック素子の構成
の一例を示す断面図である。

【図２】本発明に係るエレクトロクロミック調光ガラス
の一例を示す断面図である。

【図３】本発明に係るエレクトロクロミックミラーの一
例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 透明電極層 ３ イオン伝導層 ４ 透明、不透明または反射性電極層 ５ 透明又は不透明な基板 ６ シール材 ７ 反射層

フロントページの続き (72)発明者 錦谷 禎範 神奈川県横浜市中区千鳥町８番地 日石三 菱株式会社中央研究所内 Ｆターム(参考） 2K001 AA02 AA08 AA10 BB30 CA08 CA25 CA31 CA32 CA37 CA38

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一方が透明である２枚の導電
   基板間に、イオン伝導層を設けたエレクトロクロミック
   素子において、前記のイオン伝導層が、下記の一般式で
   （１）で表されるビピリジニウムイオン対構造(I)と、
   下記の一般式（２）または一般式（３）で表されるジヒ
   ドロフェナジン構造(II)を兼備した有機化合物を含有し
   ていることを特徴とするエレクトロクロミック素子。 (I) ビピリジニウムイオン対構造： 【化１】 （式中、Ｘ^-およびＹ^-は同一でも異なっていてもよく、
   それぞれ個別にハロゲンアニオン、ＣｌＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、
   ＰＦ₆ ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、ＣＨ₃（Ｃ₆Ｈ₄）ＳＯ₃ ^-から選
   ばれる対アニオンを示す。） (II) ジヒドロフェナジン構造： 【化２】 （式中、Ｒ¹およびＲ²は同一でも異なっていてもよく、
   それぞれ個別に炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニ
   ル基およびアリール基から選ばれる炭化水素基または下
   記一般式（ａ）〜（ｎ）で示される有機残基を示す。） 【化３】 （式中、Ｒ³は水素または炭素数１〜５のアルキル基を
   示し、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は同一でも異なっていてもよ
   く、それぞれ個別に炭素数１〜３０の２価の炭化水素残
   基を示し、aは０または１を示す。Ｒ⁷は水素原子、ハロ
   ゲン原子または炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｒ
   ⁸は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示
   す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹²およびＲ¹⁴は同一でも異なってい
   てもよく、それぞれ個別に炭素数１〜３０の２価の炭化
   水素残基を示し、Ｒ¹¹およびＲ¹³は、同一もしくは異な
   る基であって、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアル
   キル基またはアルコキシ基を示す。ｍ’、ｎ’は０≦
   ｍ’≦３、０≦ｎ’≦３の範囲の整数を示す。Ｚは−Ｃ
   ＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−
   ＯＣＯＮＨ−、−ＮＨＯＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−から選
   ばれる２価基を示す。）