JP2001187794A - 電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents
電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジInfo
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- JP2001187794A JP2001187794A JP2000148896A JP2000148896A JP2001187794A JP 2001187794 A JP2001187794 A JP 2001187794A JP 2000148896 A JP2000148896 A JP 2000148896A JP 2000148896 A JP2000148896 A JP 2000148896A JP 2001187794 A JP2001187794 A JP 2001187794A
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Abstract
も帯電性の低下を生じない安定な光導電材料を提供し、
また、これら光導電材料の特性を生かし切った分散液を
提供し、電子写真感光体及び繰り返し使用によっても異
常画像の少ない、安定した画像を得ることのできる電子
写真方法を提供し、高速プリントに対応し、且つ繰り返
し使用によっても感光体の絶縁破壊を生じず、安定な画
像を形成する電子写真装置、電子写真用プロセスカート
リッジを提供し、また、前記特性を維持した高耐久な電
子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジを提供す
ること。 【解決手段】 CuKαの特性X線(波長1.514
Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2
°)として、少なくとも27.2°に最大回折ピークを
有し、且つ最も低角側の回折ピークとして7.3°にピ
ークを有し、且つ26.3°にもピークを有するチタニ
ルフタロシアニン結晶。
Description
料、詳しくは、特定のX線回折スペクトルを与えるフタ
ロシアニン結晶に関し、より詳しくは、有機感光体の電
荷発生用材料に関する。また、特定のX線回折スペクト
ルを与えるフタロシアニン結晶を含有する電子写真感光
体用分散液と電子写真感光体、この感光体を用いる電子
写真方法に関する。また、本発明は、接触若しくは近接
配置された帯電ローラーを用い、画像欠陥の少ない電子
写真装置に関する。また、前記特性を維持した機械的高
耐久な電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカート
リッッジに関する。
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が
著しい。このデジタル記録技術はプリンターのみならず
通常の複写機にも応用され所謂デジタル複写機が開発さ
れている。また、従来からあるアナログ複写にこのデジ
タル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処理
機能が付加されるため今後その需要性がますます高まっ
ていくと予想される。
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザー(LD)や発
光ダイオード(LED)が多く使われている。現在よく
使われているLEDの発光波長は660nmであり、L
Dの発光波長域は近赤外光領域にある。このため可視光
領域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光
体の開発が望まれている。
用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決まっ
てしまう。そのため従来から各種アゾ顔料、多環キノン
系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料等多
くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、特開
平3−35064号公報、特開平3−35245号公
報、特開平3−37669号公報、特開平3−2690
64号公報、特開平7−319179号公報等に記載さ
れているチタニルフタロシアニン(TiOPcと略記さ
れる)は600〜800nmの長波長光に対して高感度
を示すため、光源がLEDやLDである電子写真プリン
ターやデジタル複写機用の感光体用材料として極めて重
要かつ有用である。
おいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件として
は、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電
位、分光特性に代表される静電特性が優れていることが
要求される。とりわけ、高感度感光体については繰り返
し使用による帯電性の低下と残留電位の上昇が、感光体
の寿命特性を支配することが多くの感光体で経験的に知
られており、前記チタニルフタロシアニンもこの例外で
はない。したがって、チタニルフタロシアニンを用いた
感光体の繰り返し使用による安定性は未だ十分とはいえ
ず、その技術の完成が熱望されていた。
x発生量の低減、および帯電時の省エネルギーの観点か
ら、帯電ローラー方式が提案されている。これは、帯電
用のローラーが感光体に接触若しくは近接配置された状
態で使用されるものである。確かに、スコロトロンに代
表される非接触帯電機に比べ、帯電機に印加する電圧が
小さくて済み、前記反応性ガスの発生量が少なくなる。
しかしながら、大きな副作用として、感光体の絶縁破壊
という問題が生じる。これは、帯電ローラー使用による
感光体への帯電が微小ギャップでの放電により行なわれ
るためと解釈されているが、詳細については分かってい
ない。更に、この絶縁破壊を防ぐ有効な手段もほとんど
提案されていない。
用いた感光体でも帯電ローラを用いたカールソンプロセ
ス及び類似プロセスにおいて繰り返し使用した場合、絶
縁破壊により異常画像の発生が認められ、感光体の寿命
を決定していた。
度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低下
を生じない安定な光導電材料を提供することにある。ま
た、これら光導電材料の特性を生かし切った分散液を提
供することにある。さらに本発明の目的は、高感度を失
うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低下を生じ
ない安定な電子写真感光体、及び、繰り返し使用によっ
ても異常画像の少ない、安定した画像を得ることのでき
る電子写真方法を提供することにある。さらに本発明の
目的は、高速プリントに対応し、且つ繰り返し使用によ
っても感光体の絶縁破壊を生じず、安定な画像を形成す
る電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジを提
供することにある。また、前記特性を維持した高耐久な
電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジを提供
することにある。
cの結晶型に着目し、この課題を解決すべく感光体の繰
り返し使用後の画像特性に関して検討を行なった結果、
前述の特定のX線回析スペクトルを示す結晶を用いた場
合に、上述物性の繰り返し特性が優れたものになること
を確認し、本発明を完成した。
「CuKαの特性X線(波長1.514Å)に対するブ
ラッグ角2θの回折ピーク(±0.2°)として、少な
くとも27.2°に最大回折ピークを有し、且つ最も低
角側の回折ピークとして7.3°にピークを有し、且つ
26.3°にもピークを有するチタニルフタロシアニン
結晶」、(2)「9.4°より低角側の領域における回
折ピークが7.3°であることを特徴とする前記第
(1)項に記載のチタニルフタロシアニン結晶」、
(3)「7.4〜9.4°の範囲にピークを有さないこ
とを特徴とする前記第(1)項に記載のチタニルフタロ
シアニン結晶」、(4)「26.3°のピーク強度が2
7.2°の強度の10%未満であることを特徴とする前
記第(1)項乃至第(3)項のいずれかに記載のチタニ
ルフタロシアニン結晶」、(5)「前記チタニルフタロ
シアニンが28.6°にも同時にピークを有する場合、
その強度が27.2°の強度の20%未満であることを
特徴とする前記第(1)項乃至第(4)項のいずれかに
記載のチタニルフタロシアニン結晶」、(6)「前記チ
タニルフタロシアニンが、ハロゲン化チタンを用いずに
合成されたものであることを特徴とする前記第(1)項
乃至第(5)項のいずれかに記載のチタニルフタロシア
ニン結晶」により達成される。
Kαの特性X線(波長1.514Å)に対するブラッグ
角2θの回折ピーク(±0.2°)として、少なくとも
7.0°に最大回折ピークを有する不定形チタニルフタ
ロシアニンを水の存在下で有機溶媒により結晶変換を行
ない、次いで機械的なシェアを与える処理を行なうこと
を特徴とする前記第(1)項乃至第(6)項のいずれか
に記載のチタニルフタロシアニンの製造方法、(8)
「前記7.0°の回折ピークの半値巾が1°以上である
不定形チタニルフタロシアニンを水の存在下で有機溶媒
により結晶変換を行なうことを特徴とする前記第(7)
項に記載のチタニルフタロシアニンの製造方法」、
(9)「前記有機溶媒が、少なくともテトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン、トルエン、塩化メチレン、二硫
化炭素、オルトジクロロベンゼン、1,1,2−トリク
ロロエタンの中から選ばれる1種を含むことを特徴とす
る前記第(7)項又は第(8)項に記載のチタニルフタ
ロシアニンの製造方法」により達成される。
0)「前記第(1)項乃至第(6)項のいずれかに記載
のチタニルフタロシアニン結晶を含有することを特徴と
する電子写真感光体用分散液」、(11)「前記分散液
に含有される分散媒が、少なくともケトン系或いはエス
テル系有機溶媒の中から選ばれる1種を含むことを特徴
とする前記第(10)項に記載の電子写真感光体用分散
液」、(12)「前記分散液に含有されるバインダー樹
脂が、少なともアセチル化度が4mol%以上のポリビ
ニルアセタールを含むことを特徴とする前記第(10)
項又は第(11)項に記載の電子写真感光体用分散液」
により達成される。
3)「導電性支持体上に少なくとも感光層を設けた電子
写真感光体において、該感光層中に電荷発生物質として
前記第(1)項乃至第(6)項のいずれかに記載のチタ
ニルフタロシアニンを含有することを特徴とする電子写
真感光体」、(14)「前記感光層中に、アセチル化度
が4mol%以上のポリビニルアセタールを含むことを
特徴とする前記第(12)項に記載の電子写真感光
体」、(15)「前記感光層中の吸収スペクトルが81
0nm以短にピークを有することを特徴とする前記第
(13)項又は第(14)項に記載の電子写真感光体」
により達成される。
「電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現
像、転写を繰り返し行なう電子写真方法において、該電
子写真感光体が導電性支持体上に少なくとも感光層を有
し、該感光層中に電荷発生物質として、CuKαの特性
X線(波長1.514Å)に対するブラッグ角2θの回
折ピーク(±0.2゜)として、少なくとも27.2゜
に最大回折ピークを有し、かつ最も低角側の回折ピーク
として7.3゜にピークを有し、かつ26.3゜にもピ
ークを有することを特徴とする電子写真感光体であるこ
とを特徴とする電子写真方法」、(17)「帯電部材が
感光体と接触若しくは近接配置された帯電部材であるこ
とを特徴とする前記第(16)項に記載の電子写真方
法」によって達成される。
「少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写
手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置
であって、該電子写真感光体が導電性支持体上に少なく
とも感光層を有し、該感光層中に電荷発生物質として、
CuKαの特性X線(波長1.514Å)に対するブラ
ッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、少なく
とも27.2゜に最大回折ピークを有し、かつ最も低角
側の回折ピークとして7.3゜にピークを有し、かつ2
6.3゜にもピークを有することを特徴とする電子写真
感光体であることを特徴とする電子写真装置」、(1
9)「帯電部材が感光体と接触若しくは近接配置された
帯電部材であることを特徴とする前記第(18)項に記
載の電子写真装置」、(20)「該帯電部材に直流成分
に交流成分を重畳し、感光体に帯電を与えることを特徴
とする前記第(19)項に記載の電子写真装置」によっ
て達成される。
なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用
プロセスカートリッジであって、該電子写真感光体が前
記第(13)項乃至第(15)項のいずれか1に記載の
電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用
プロセスカートリッジ」、(22)「前記帯電部材が感
光体と接触若しくは近接配置された帯電部材であること
を特徴とする前記第(21)項に記載の電子写真装置用
プロセスカートリッジ」により達成される。
用いられるチタニルフタロシアニン顔料の基本構造は次
の一般式(1)で表わされる。
原子を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の
数字を表わす。)
る文献としては、例えば特開昭57−148745号公
報、特開昭59−36254号公報、特開昭59−44
054号公報、特開昭59−31965号公報、特開昭
61−239248号公報、特開昭62−67094号
公報などが挙げられる。また、TiOPcには種々の結
晶系が知られており、特開昭59−49544号公報、
特開昭59−166959号公報、特開昭61−239
248号公報、特開昭62−67094号公報、特開昭
63−366号公報、特開昭63−116158号公
報、特開昭63−196067号公報、特開昭64−1
7066号公報等に各々結晶形の異なるTiOPcが開
示されている。
つ結晶型の材料は、高い光キャリア発生能を有し、有機
電子写真用感光体のキャリア発生材料として有望視され
ている。しかしながら、不純物等を含んでいる場合には
必ずしも高感度にならなかったり、繰り返し使用後の帯
電低下或いは残留電位の上昇が発生する場合があった。
特に他の結晶型を有するTiOPcを含んでいるような
場合には、この現象が顕著である。これは一般的な不純
物は溶媒に可溶で、湿式法による結晶変換工程等の時点
で洗われてしまうことがあるが、顔料化されたものは結
晶変換以降の工程で取り除かれることがほとんど不可能
なためである。したがって、有機顔料の作製時点で、そ
れを用いた感光体の特性が決まってしまうといっても過
言ではない。本発明者らは、TiOPcの結晶型及び顔
料の製造方法(結晶変換条件)に着目し、上記課題を解
決すべく鋭意検討を行ない、本発明を完成するに至っ
た。
結晶は、他の結晶型に比べ、結晶の安定性に劣るもので
ある。このため、これを用いた感光体作製のための分散
液を作製する際、適当な条件(分散方法・分散媒・樹脂
等)を選定しないと、せっかく所望の結晶を用いたにも
拘らず、作製される分散液に他の結晶型が混入してしま
うことがある。このため、所望の特性を得ることができ
ないことがあった。この点に関して、分散条件を検討し
た結果、適当な分散媒及びバインダー樹脂を用いること
により、安定な分散液を得られることが判り、本発明を
完成するに至った。
ンは、CuKαの特性X線(波長1.514Å)を用い
たX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角2θの回折
ピーク(±0.2°)として、少なくとも27.2°に
最大ピークを有し、且つ最も低角側の回折ピークとして
7.3°にピークを有し、且つ26.3°にもピークを
有するチタニルフタロシアニンが好ましく使用される。
7.3°にあるチタニルフが好適に用いられる。また、
7.4〜9.4°にピークを有さない、特に7.5°に
ピークを有さないフタロシアニンが有効に使用される。
7.4〜9.4°にピークを有する(特に、7.5°に
ピークを有する)タロシアニンを電荷発生物質に用いた
感光体は、有さないそれを用いた場合に比較して、感光体
の繰り返し使用時において帯電性の低下が顕著であり、
ネガ・ポジ現像を行なう電子写真装置においては、地汚
れ・黒ポチなどの画像欠陥を生じてしまう。また、2
6.3°のピーク強度は、同時に存在する27.2°の
ピーク強度の10%未満が良好に使用される。これは、
26.3°のピーク強度が大きいほど、これを使用した
感光体においては帯電性が高くなるが、あまり大きすぎ
ると繰り返し使用時の残留電位の上昇が大きくなるため
である。したがって、0.1%以上、10%未満程度のピ
ーク強度が適当である。また、28.6°にもピークを
有する場合、その27.2°に対するピーク強度が20
%未満の材料が好適に使用される。これは、28.6°
のピーク強度が大きすぎると、これを用いた感光体の繰
り返し使用において、帯電性の低下が大きくなるためで
ある。
成過程と類似の過程による方法、洗浄・精製過程で結晶
を変える方法、特別に結晶変換工程を設ける方法が挙げ
られる。さらに、結晶変換工程を設ける方法の中には溶
媒、機械的な負荷による一般的な変換法ならびに、チタ
ニルフタロシアニンを硫酸中にて溶解せしめ、この溶液
を水に注ぎ得られる無定形結晶を経て上記変換を行なう
硫酸ペースティング法が挙げられる。
の存在下で有機溶媒と接触させることによる結晶変換を
行ない、次いで機械的なシェアを与える処理により所望
の結晶型を得る方法が好適に用いられる。特に、最大回
折ピークを7.0〜7.5°にもち、無定型結晶を用い
ること、更に好ましくは7.0〜7.5°のピークの半
値巾が1°以上のものが好適に使用できる。
が1°以下の比較的シャープなピークを有する材料(無
定型結晶)を用いると、結晶変換処理後のフタロシアニ
ンに7.4〜9.4°にピークを有する結晶ができやす
いためである。この結晶は上述のような欠点を有するも
のであり、これを回避するためである。
結晶型を得られるものであれば、いかなる有機溶媒も使
用できるが、特にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、トルエン、塩化メチレン、二硫化炭素、オルトジク
ロロベンゼン、1,1,2−トリクロロエタンの中から
選ばれる一種を含むことが望ましい。なお、有機溶媒は
二種以上混合して用いても構わない。
は、上記の結晶変換の後、機械的なシェアを与えること
により得られる方法が特に有効である。このとき、結晶
変換後に与える機械的シェアに関しては、所望の結晶型
を得られるものであれば、乾式法でも、湿式法でもどち
らでも構わない。乾式法の手段としては、ミキサー、乾
式ミル等が挙げられ、湿式法としては適当な溶媒と共
に、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等が挙げられ
る。
を用いた感光体でもカールソンプロセスおよび類似プロ
セスにおいて繰り返し使用した場合、帯電性の低下と残
留電位の上昇を生じ、感光体の寿命が限定されていた。
本発明者らは、TiOPcの結晶型に着目し、この課題
を解決すべく感光体の繰り返し使用後の静電特性に関し
て検討を行なった結果、前述の特定のX線回折スペクト
ルを示すTiOPcを用いた場合に、上記物性の繰り返
し特性が優れたものになるこをと確認し、本発明を完成
した。
ンも、その合成工程によって、それを用いた感光体の特
性が大きく異なる。チタニルフタロシアニンを合成する
ルートは幾つか知られているが、ハロゲン化チタンを用
いる方法が知られている。この方法により作製されたチ
タニルフタロシアニンを用いた感光体は、繰り返し使用
において、帯電性の低下が著しいことを見い出した。こ
れを回避するためには、ハロゲン化チタンを用いずに合
成する(例えば、有機チタンを原料とする)方法により
作製することが望ましい。
クトルは、合成・精製・結晶変換工程等を経て作製され
たTiOPc結晶を市販のX線回折スペクトル測定装置
により測定することができる。
えば、7.3°、26.3°、27.2°、28.6
°)のピーク強度について説明する。前述の装置にて、
一般的なX線回折スペクトルを測定し、ベースライン補
正を行なった後、それぞれのピーク強度を求めた値が、
本発明で言うところのピーク強度である。また、ピーク
半値巾とは、ベースライン補正後のピーク強度の1/2
の強度におけるピークの巾を言う。
載されている最大主要ピークを27.2゜に持つ結晶型
の材料は、最低角側のピークとして7.5゜にピークを
有している。この7.5゜のピークはこれまでに27.
2゜にピークを有する材料の別のピーク(別の面間隔に
基づくピーク)と考えられてきたようである。しかしな
がら、本発明者らの検討に依れば、このピークは特開昭
61−239248号公報に記載された結晶型に基くも
のではないかと考えられる。すなわち、特開平2−28
265号公報に記載されている結晶型の材料は、少なく
とも2種類の材料の混合物ではないかと考えられる。
れた材料は導電性が高く、この材料を単独で電子写真感
光体の電荷発生物質に用いた場合、比較的良好な光感度
が得られるものの暗減衰が大きく、また感光体の繰り返
し使用における帯電性の低下が顕著なものであった。こ
のような傾向は、7.5゜にピークを有する材料が他の
結晶型の材料(例えば、27.2゜にピークを有する材
料)に混合された状態においても、発現されてしまう。
2゜にピークを有する材料の別のピークであるか、別の
結晶型によるものかは、その帰属ができていない。しか
しながら少なくとも、特開昭61−239248号公報
に記載された結晶型に依存したピークでないことは、実
験から明らかになった。また、これを用いた感光体の特
性面から言えば、上述のような問題点は解消され、少な
くとも実使用上、帯電性の低下、暗減衰の増大を低減で
きるという点で、公知の材料とは大きな差異がある。
−125871号明細書に新規チタニルフタロシアニン
結晶を用いた電子写真感光体を提案した。この感光体は
過去の感光体に比べ、繰り返し使用時における帯電性の
低下防止、絶縁破壊の低減、残留電位上昇の低減を可能
にした。更に、本発明者が検討を重ねた結果、特願平1
1−125871号明細書に記載された結晶型に、更に
26.3゜にもピークを有する結晶型は、同等以上の安
定性を示すことが分かった。
一層の拍車がかかり、電子写真プロセスを用いた複写機
・プリンタ・ファクシミリ等においては、そのほとんど
がデジタル処理を用いたものが主流となっている。この
ようなプロセスにおいては、実際のモノクロ原稿が用紙
全体に対する書き込み率は多めに見積もっても10%以
下である。また、感光体への書き込み光は前述のように
LDやLEDといった高出力のものが使用され、この感
光体へのハザードによる光疲労も見逃せない。このよう
な点に鑑み、デジタル機においてはネガ・ポジ現像が採
用されている。ネガ・ポジ現像においては、感光体表面
の電位が低い部分にトナーが現像される。従って、帯電
電位の低下や暗減衰の増大は、地汚れや黒ポチ等の画像
欠陥として現れてしまう。実際、図面や英文原稿等の原
稿出力・複写においては、本来原図にはないはずのドッ
トやピリオドが出現してしまうことになり、この欠陥は
上記のような種類の原稿に対しては致命的なものといわ
ざるを得ない。本発明はこの点に鑑みたものであり、ス
ペクトル的にはわずかな差に見えるものであるが、感光
体として評価した場合には大きな差となって現れるもの
である。
れる分散媒について説明する。分散媒は結晶型を変化さ
せないものであれば如何なるものも使用できるが、特
に、ケトン系溶媒或いはエステル系溶媒が有効に使用で
きる。ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサ
ノン、2−メチル−4−ペンタノン、2−ヘプタノン、
イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノ
ン、アセトフェノン等が挙げられる。また、エステル系
溶媒としては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチ
ル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル等が挙げ
られる。これらは溶媒は単独で用いてもよいが、他の溶
媒と混合して用いても構わない。
るバインダー樹脂について説明する。バインダー樹脂は
分散系が安定で、感光体特性に影響を与えないものなら
ば、、如何なるものも使用できるが、ポリビニルアセタ
ールが良好に用いられる。ポリビニルアセタールは下記
一般式(2)で表わされるが、Rがプロピル基だけのい
わゆるポリビニルブチラールが有効に使用される。特
に、アセチル化度が4mol%以上のポリビニルアセタ
ールは中でも特に有効に使用できる。アセチル化度の上
限に特に規制はないが、ポリビニルアセタールの合成方
法から必然的に上限が決定される。一般的には、10%
程度が上限になる。これらバインダー樹脂は単独でも良
好に使用できるが、他のバインダー樹脂を併用すること
も可能である。
図面に沿って説明する。図1は、本発明の光導電性材料
を用いた電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性
支持体(31)上に、電荷発生材料と電荷輸送材料を主
成分とする単層感光層(33)が設けられている。図
2、図3は、本発明の光導電性材料を用いた電子写真感
光体の別の構成例を表す断面図であり、電荷発生材料を
主成分とする電荷発生層(35)と、電荷輸送材料を主
成分とする電荷輸送層(37)とが、積層された構成を
とっている。
1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アル
ミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、
白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属
酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム
状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、
あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケ
ル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩な
どの表面処理した管などを使用することができる。ま
た、特開昭52−36016号公報に開示されたエンド
レスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導
電性支持体(31)として用いることができる。
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体(31)として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、
亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、IT
Oなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。また、同時
に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−
アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重
合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタ
ン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布
することにより設けることができる。
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
(登録商標)などの素材に前記導電性粉体を含有させた
熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、
本発明の導電性支持体(31)として良好に用いること
ができる。
単層でも積層でもよいが、説明の都合上、先ず電荷発生
層(35)と電荷輸送層(37)で構成される場合から
述べる。電荷発生層(35)は、電荷発生材料として上
述した特定のX線回折スペクトルを示すTiOPcを主
成分とする層である。電荷発生層(35)は、前記Ti
OPcを必要に応じてバインダー樹脂とともに適当な溶
剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波
などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、
乾燥することにより形成される。
れる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エ
ポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン
樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ
スルホン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリ
ルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢
酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられ
る。中でも、ポリビニルブチラールに代表されるポリビ
ニルアセタールは良好に使用され、特にアセチル化度が
4mol%以上のブチラール樹脂は良好に使用される。
結着樹脂の量は、電荷発生物質100重量部に対し0〜
500重量部、好ましくは10〜300重量部が適当で
ある。
X線回折スペクトルを与えるTiOPcの他にその他の
電荷発生材料を併用することも可能であり、その代表と
して、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、
ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔
料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、
他のフタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、
アズレニウム塩系染料等が挙げられ用いられる。
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特
にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良
好に使用される。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート、ビードコート、ノズルコート、ス
ピナーコート、リングコート等の方法を用いることがで
きる。電荷発生層(35)の膜厚は、0.01〜5μm
程度が適当であり、好ましくは0.1〜2μmである。
感光体の電荷発生層(単層感光層の場合には感光層)に
おける該チタニルフタロシアニンの吸収スペクトルが8
10nm以短の状態のときに有効に作用する。この吸収
スペクトルは顔料の結晶状態及び分散状態を如実に表わ
すものであり、810nmより長波長に吸収ピークを示
す場合には、形成した塗膜がザラザラであったり、所望
の特性が得られない場合が存在する。なお、結晶型が極
端に変化した場合には、非常に短波長側にシフトする場
合も存在し、好ましくは750〜810nm程度に存在
することである。
結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷
発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。ま
た、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を
添加することもできる。
送物質とがある。電荷輸送物質としては、例えばクロル
アニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、
2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−
トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン
−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェ
ン−5,5−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等の電
子受容性物質が挙げられる。
カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホル
ムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘
導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、
α−フェニルスチルベン誘導体、、ベンジジン誘導体、
ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、
9−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン
誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチ
ルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙
げられる。これら電荷輸送物質は単独又は2種以上混合
して用いられる。
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレ
ート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロ
ース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン
樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬
化性樹脂が挙げられる。
0重量部に対し、20〜300重量部、好ましくは40
〜150重量部が適当である。また電荷輸送層の膜厚は
5〜100μm程度とすることが好ましい。ここで用い
られる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、
ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケト
ン、アセトンなどが用いられる。
の機能とバインダー樹脂の機能をもった高分子電荷輸送
物質も良好に使用される。これら高分子電荷輸送物質か
ら構成される電荷輸送層は耐摩耗性に優れたものであ
る。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用で
きるが、トリアリールアミン構造を主鎖及び/又は側鎖
に含むポリカーボネートが良好に用いられる。
7)中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑
剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレー
トなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものが
そのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して0
〜30重量%程度が適当である。レベリング剤として
は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコ
ーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフ
ルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマ
ーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、0〜1
重量%が適当である。
いて述べる。上述した特定のX線回折スペクトルを与え
るTiOPcを結着樹脂中に分散した感光体が使用でき
る。単層感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質お
よび結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを
塗布、乾燥することによって形成できる。さらに、この
感光層には上述した電荷輸送材料を添加した機能分離タ
イプとしてもよく、良好に使用できる。また、必要によ
り、可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加するこ
ともできる。
7)で挙げた結着樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発
生層(35)で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよ
い。もちろん、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に
使用できる。結着樹脂100重量部に対する電荷発生物
質の量は5〜40重量部が好ましく、電荷輸送物質の量
は0〜190重量部が好ましくさらに好ましくは50〜
150重量部である。単層感光層は、電荷発生物質、結
着樹脂を必要ならば電荷輸送物質とともにテトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン
等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗
工法やスプレーコート、ビードコートなどで塗工して形
成できる。単層感光層の膜厚は、5〜100μm程度が
適当である。
(31)と感光層との間に下引き層を設けることができ
る。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これら
の樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考える
と、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂である
ことが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニル
アルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の
水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロ
ン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等
が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電
位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸
化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示で
きる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
ような適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。更に本発明における下引き層として、シランカップ
リング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング
剤等を使用することもできる。この他、本発明における
下引き層には、Al2O3を陽極酸化にて設けたものや、
ポリパラキシリレン(パリレン)等の有機物やSi
O2、SnO2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を
真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。こ
のほかにも公知のものを用いることができる。下引き層
の膜厚は0〜5μmが適当である。
目的で、保護層が感光層の上に設けられることもある。
保護層に使用される材料としてはABS樹脂、ACS樹
脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリ
エーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセター
ル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレー
ト、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレン
テレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスル
ホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタート、ポリ
イミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロ
ピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリ
スチレン、AS樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、
ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその
他、耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチ
レンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂およびこれらの
樹脂に酸化チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機
材料を分散したもの等を添加することができる。保護層
の形成法としては通常の塗布法が採用される。なお保護
層の厚さは0.1〜10μm程度が適当である。また、
以上のほかに真空薄膜作成法にて形成したa−C、a−
SiCなど公知の材料を保護層として用いることができ
る。
との間に中間層を設けることも可能である。中間層に
は、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これ
ら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロ
ン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。中間層の
形成法としては、前述のごとく通常の塗布法が採用され
る。なお、中間層の厚さは、0.05〜2μm程度が適
当である。
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸
収剤、低分子電荷輸送物質およびレベリング剤を添加す
ることができる。これらの化合物の代表的な材料を以下
に記す。各層に添加できる酸化防止剤として、例えば、
下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
ドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エ
チルフェノール、n−オクタデシル−3−(4’−ヒド
ロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェノール)、
2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ
ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼ
ン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−
t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ
−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グ
リコールエステル、トコフェロール類等。
アミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−
フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p
−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’
−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン等。
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノ
ン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t
−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オ
クタデセニル)−5−メチルハイドロキノン等。
アリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−3,3’−チオジプロピオネート等。
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィン等。
記のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)リン酸エステル系可塑剤 リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
オクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロ
ルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェ
ニル等。
ブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチ
ル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フ
タル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸
ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシク
ロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチル
ラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチル
デシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル等。
−オクチル、オキシ安息香酸オクチル等。
ジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−
オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、ア
ジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼラ
イン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、
セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸
ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシ
ル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオ
クチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸
ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチル
等。
ル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトー
ルエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、
トリアセチン、トリブチリン等。
チル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルク
エン酸トリブチル等。
アリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキ
システアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジ
ル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキ
シヘキサヒドロフタル酸ジデシル等。
リコールジ−2−エチルブチラート等。
チル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル等。
ト、ポリエステル、アセチル化ポリエステル等。
ミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエ
ンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチ
ルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシル
アミド等。
エン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセ
チルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエ
ン酸−n−オクチルデシル等。
−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン
酸メチル等。
下のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)炭化水素系化合物 流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワック
ス、低重合ポリエチレン等。
酸、アラキジン酸、ベヘン酸等。
ド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステア
ロアミド等。
ールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル等。
リコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール
等。
酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸マグネシウム等。
ボタロウ、モンタンロウ等。
例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。 (a)ベンゾフェノン系 2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベ
ンゾフェノン等。
ル3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエー
ト等。
(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾト
リアゾール、(2’−ヒドロキシ−5’−エチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ−3’−
ターシャリブチル−5’−メチルフェニル)5−クロロ
ベンゾトリアゾール等。
ト、メチル−2−カルボメトキシ−3−(パラメトキ
シ)アクリレート等。
ェノレート)ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチル
ジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオ
ホスフェート等。
ル)セパケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメ
チル−4−ピペリジル)セパケート、1−[2−{3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオニルオキシ}エチル]−4−{3−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニ
ルオキシ}−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、
8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オ
クチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウンデ
カン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン等。
らびに電子写真装置を詳しく説明する。図4は、本発明
の電子写真プロセスおよび電子写真装置を説明するため
の概略図であり、感光体(1)の周囲には、順に、除電
ランプ(2)、帯電チャージャ(3)、イレーサ
(4)、画像露光部(5)、現像ユニット(6)、転写
前チャージャ(7)、転写チャージャ(7a)、分離チ
ャージャ(7b)、分離爪(12)、クリーニング前チ
ャージャ(13)、ファーブラシ(14)、クリーニン
グブラシ(15)等の各ユニットが配置されている。レ
ジストローラ(8)により感光体(1)に供給された転
写紙(9)には転写位置でトナー像が転写される。下記
するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
体上に特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタ
ロシアニンを含有する感光層からなるものである。感光
体(1)はドラム状の形状を示しているが、シート状、
エンドレスベルト状のものであってもよい。帯電チャー
ジャ(3)、転写前チャージャ(7)、転写チャージャ
(7a)、分離チャージャ(7b)、クリーニング前チ
ャージャ(13)には、コロトロン、スコロトロン、固
体帯電器(ソリッド・ステート・チャージャ)、帯電ロ
ーラを始めとする公知の手段が用いられる。転写手段に
は、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示される
ように転写チャージャーと分離チャージャーを併用した
ものが効果的である。
(2)等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハ
ロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード
(LED)、半導体レーザー(LD)、エレクトロルミ
ネッセンス(EL)などの発光物全般を用いることがで
きる。そして、所望の波長域の光のみを照射するため
に、シャープカットフィルター、バンドパスフィルタ
ー、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルタ
ー、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種
フィルターを用いることもできる。かかる光源等は、図
4に示される装置及び工程の他に、光照射を併用した転
写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光
等の工程に用いることにより、感光体に光を照射するこ
とができる。
(1)上に現像されたトナーは、転写紙(9)に転写さ
れるが、全部が転写されるわけではなく、感光体(1)
上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーはファ
ーブラシ(14)およびブレード(15)により、感光
体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラ
シだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシに
はファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知の
ものが用いられる。電子写真感光体に正(負)帯電を施
し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の
静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー
(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られるし、
また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得
られる。かかる現像手段には、公知の方法を適用するこ
とができ、また、除電手段にも公知の方法が用いられ
る。
が示される。この例の電子写真装置においては、帯電装
置として接触帯電用の帯電用部材が用いられ、帯電用部
材(3a)が感光体に接触若しくは近接配置されてい
る。除電ランプ(2)、イレーサ(4)、画像露光部
(5)、現像ユニット(6)が感光体に接触若しくは近
接配置され、ファーブラシ(14)及びクリーニングブ
ラシ(15)を有するクリーニングユニットが感光体に
接触若しくは近接配置されており、現像ユニット(6)
で感光体上に形成されたトナー像は、レジストローラ
(8)により供給された転写紙(9)に転写ベルト(7
c)の箇所で転写され、転写像を有する転写紙(9)は
分離爪(12)により感光体(1)から分離される点は
図4の電子写真装置と同様である。必要に応じて、転写
前チャージャ(7)、転写チャージャ(7a)、分離チ
ャージャ(7b)、クリーニング前チャージャ(13)
が配置され、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器
(ソリッド・ステート・チャージャ)、帯電ローラを始
めとする公知の手段が用いられる。帯電用部材により感
光体に帯電を施す際、帯電部材に直流成分に交流成分を
重畳した電界により感光体に帯電を与えることにより、
帯電ムラを低減することが可能で効果的である。
ロセスの更に別の例を示す。感光体(21)は導電性支
持体上に特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフ
タロシアニンを含有する感光層からなるものであり、駆
動ローラ(22a)、(22b)により駆動され、帯電
器(23)による帯電、光源(24)による像露光、現
像(図示せず)、帯電器(25)を用いる転写、光源
(26)によるクリーニング前露光、ブラシ(27)に
よるクリーニング、光源(28)による除電が繰り返し
行なわれる。図6の装置においては、感光体(21)
(勿論この場合は支持体が透光性である)に支持体側よ
りクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
は、本発明における実施形態を例示するものであって、
もちろん他の実施形態も可能である。例えば、図6にお
いて支持体側よりクリーニング前露光を行なっている
が、これは感光層側から行なってもよいし、また、像露
光、除電光の照射を支持体側から行なってもよい。
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して
組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形
でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカート
リッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手
段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段
を含んだ1つの装置(部品)である。プロセスカートリ
ッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、
図7に示すものが挙げられる。この例のプロセスカート
リッジにおいて、感光体(16)の近隣周囲には接触帯
電用の帯電部材(17)、画像露光部(18)、現像ロ
ーラ(19)、転写ローラ(20)、クリーニングブラ
シ(20b)等が配置されており、感光体(16)は、
導電性支持体上に特定のX線回折スペクトルを与えるチ
タニルフタロシアニンを含有する感光層からなるもので
ある。
本発明が実施例により制約を受けるものではない。な
お、部はすべて重量部である。まず、本発明におけるチ
タニルフタロシアニンの具体的な合成例を述べる。
ミノイソインドリン29.2gとスルホラン200ml
を混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド2
0.4gを滴下する。滴下終了後、徐々に180℃まで
昇温し、反応温度を170℃〜180℃の間に保ちなが
ら5時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し
た後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になる
まで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに8
0℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロ
シアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを20倍量
の濃硫酸に溶解し、100倍量の氷水に撹拌しながら滴
下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になる
まで水洗を繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウ
ェットケーキを得た。得られたウェットケーキ2gを表
1に示す有機溶媒20gに投入し、4時間撹拌を行なっ
た。これにメタノール100gを追加して、1時間撹拌
を行なった後、濾過を行ない、乾燥した。更に、市販の
ミキサーにて塊状のチタニルフタロシアニンを100〜
200μm程度の粉末に粗粉砕することにより、本発明
のチタニルフタロシアニン粉末を得た。
下記の条件によりX線回折スペクトル測定した。 X線管球:Cu、電圧:50kV、電流:30mA、走
査速度:2°/分、走査範囲:3°〜40°、時定数:
2秒
ク位置、26.3°及び28.6°のピーク強度の2
7.2°のピーク強度に対する割合を次のように求め
た。まず、スペクトルをベースライン補正を行ない、2
7.2°、26.3°及び28.6°のピーク強度を求
める。これを単純に比較して百分率として割合を求め
た。その結果を併せて表1に示す。なお、得られたウェ
ットケーキを乾燥したものと合成例1〜6及び比較合成
例1、2で作製された顔料のX線回折スペクトルを図8
〜図11に示す。合成例1〜6のスペクトルはほとんど
同一なもののため、合成例1で作製した顔料のX線回折
スペクトルを代表例として図9に示す。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをポリエチレングリコール50gに加え、100
gのガラスビーズと共にサンドミルを行なった。結晶転
移後、希硫酸、水酸化アンモニウム水溶液で順次洗浄
し、乾燥して顔料を得た。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをイオン交換水10gとモノクロルベンゼン1g
の混合溶媒中で1時間撹拌(50℃)した後、メタノー
ルとイオン交換水で洗浄し、乾燥して顔料を得た。
報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわち、フ
タロジニトリル9.8gと1−クロロナフタレン75m
lを撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン2.2ml
を滴下する。滴下終了後、徐々に200℃まで昇温し、
反応温度を200℃〜220℃の間に保ちながら3時間
撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し130℃
になったところ熱時濾過し、次いで、1−クロロナフタ
レンで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノール
で数回洗浄し、さらに80℃の熱水で数回洗浄した後乾
燥し、顔料を得た。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、α型TiOPc5部を食塩10g及びアセトフェノ
ン5gと共にサンドグラインダーにて100℃、10時
間結晶変換処理を行なった。これをイオン交換水及びメ
タノールで洗浄し、希硫酸水溶液で精製し、イオン交換
水で酸分がなくなるまで洗浄した後、乾燥して顔料を得
た。
記載の方法に準じて、顔料を作製した。すなわち、o−
フタロジニトリル20.4部、四塩化チタン7.6部を
キノリン50部中で200℃にて2時間加熱反応後、水
蒸気蒸溜で溶媒を除き、2%塩酸水溶液、続いて2%水
酸化ナトリウム水溶液で精製し、メタノール、N,N−
ジメチルホルムアミドで洗浄後、乾燥し、オキシチタニ
ウムフタロシアニン(TiOPc)を得た。このチタニ
ルフタロシアニン2部を5℃の98%硫酸40部の中に
少しずつ溶解し、その混合物を約1時間、5℃以下の温
度を保ちながら撹拌する。続いて硫酸溶液を高速撹拌し
た400部の氷水中に、ゆっくりと注入し、析出した結
晶を濾過する。結晶を酸が残量しなくなるまで蒸留水で
洗浄し、ウエットケーキを得る。そのケーキをTHF1
00部中で約5時間撹拌を行ない、ろ過、THFによる
洗浄を行ない乾燥後、チタニルフタロシアニンを得た。
以上の比較合成例7で作製した顔料は先ほどと同様の方
法でX線回折スペクトルを測定し、それぞれの公報に記
載のスペクトルと同様であることを確認した。
前述と同様の方法でX線回折スペクトルを測定し、それ
ぞれの公報に記載のスペクトルと同様であることを確認
した。結果を表2に示す。
較合成例1〜7で作製した顔料を用いて、下記組成の分
散液を作製した。 合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール(アセチル化度:4mol%) 10部 メチルエチルケトン 600部 メチルエチルケトンにポリビニルブチラールを溶解し、
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
施例1〜6及び比較例1〜7で用いたメチルエチルケト
ンの代わりに、酢酸n−ブチルを分散媒として用いた以
外は、全く同様に分散液を作製した。
較例1〜7で用いたメチルエチルケトンの代りに、ブタ
ノールを分散媒として用いた以外は、まったく同様に分
散液を作製した。。
した分散液を浸漬塗工法により表面を陽極酸化したアル
ミドラムに塗工製膜した。また、分散液作製後、1か月
の静置保管テストを行なった。その結果、実施例1〜1
2及び比較例1〜14で作製した分散液は浸漬塗工によ
りいずれも良好な塗膜が得られたが、比較例15〜27
で作製した分散液は分散が不良で良好な塗膜が得られな
かった。また、1か月の静置保管の後、沈降性を目視に
て確認したが、実施例1〜12及び比較例1〜14で作
製した分散液は沈降がわずかで、撹拌するだけで十分に
再分散が可能であった。一方、比較例15〜27で作製
した分散液は沈降が著しく、保管容器の底に顔料が溜っ
ており、再分散が非常に困難であった。
4]実施例1〜6及び比較例1〜7で作製した分散液を
用いて、以下の電子写真感光体を作製した。厚さ1mm
のアルミ板上に、下記組成の中間層用塗工液、電荷発生
層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次塗布・乾燥し
て、4μmの中間層、0.3μmの電荷発生層、25μ
mの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成した。
電複写紙試験装置(川口電気製作所製、SP−428
型)を用いて次のように評価した。先ず、−5.6kV
の放電電圧にてコロナ帯電を15秒間行ない、次いで、
暗減衰させ、暗減衰15秒後に1μmW/cm2の光
(780±10nm)を照射した。このとき、帯電15
秒後の表面電位V15(−V)、V15と暗減衰後の表
面電位V30(−V)の比(DD)、および暗減衰後の
表面電位V30(−V)を半分の電位に光減衰させるの
に必要な露光量E1/2(μJ/cm2)を測定した。
結果を表3に示す。更に、上記の帯電と露光を30分間
繰り返した後、同様の測定を行ない、疲労後の特性とし
た。結果を表3に併せて示す。
体は疲労後においても帯電性及び光感度が良好であるこ
とがわかる。
用いて、下記組成の電荷発生層用塗工液を作製した。 合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール(アセチル化度:5.5mol%) 10部 メチルエチルケトン 600部 メチルエチルケトンにポリビニルブチラールを溶解し、
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ボールミリングに
より分散を行なった。これを電荷発生層に用いて実施例
13と同様の方法、条件にて感光体を作製した。
用いて、下記組成の電荷発生層用塗工液を作製した。 合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール(アセチル化度:2mol%) 10部 メチルエチルケトン 600部 メチルエチルケトンにポリビニルブチラールを溶解し、
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ボールミリングに
より分散を行なった。これを電荷発生層に用いて実施例
13と同様の方法、条件にて感光体を作製した。上記の
ように作製した感光体を実施例13と同様に評価した。
結果を表4に示す。
写真装置] [実施例21〜26及び比較例35、36]電鋳ニッケ
ル・ベルト上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層
塗工液、および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥
し、4μmの中間層、0.3μmの電荷発生層、25μ
mの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成した。
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
作製した電子写真感光体を図5に示す電子写真装置(た
だし、クリーニング前露光はなし)に装着し、画像露光
光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラー
による画像書き込み)として、現像直前の感光体の表面
電位が測定できるように表面電位計のプローブを挿入し
た。連続して1万枚の印刷を行ない、そのときの画像露
光部と画像非露光部の表面電位を初期と1万枚後に測定
した。結果を表5に示す。
光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持し
ていることがわかる。
ミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電
荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順次塗布・
乾燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生
層、28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形
成した。
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例27と
同様に電子写真感光体を作製した。
38の各電子写真感光体を図4に示す電子写真装置に装
着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を持つ
LDとした)、連続して1万枚の印刷を行ない、そのと
きの画像を初期と1万枚後に評価した。結果を表6に示
す。
り返し使用後にも、良好な画像を維持していることがわ
かる。また、実施例28の感光体は特に問題にならない
範囲であるが、実施例27の感光体に比べると繰り返し
使用後の画像がやや劣ることがわかる。
ミニウムシリンダー表面を陽極酸化処理した後、封孔処
理を行なった。この上に下記電荷発生層塗工液、電荷輸
送層塗工液を順次塗布・乾燥し、各々0.2μmの電荷
発生層、20μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作製した。
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
発生層塗工液の分散条件を変化させて、分散液を作製し
た。実施例29及び30で作製した電荷発生層をガラス
基板上に塗工して、電荷発生層単独の膜を成膜した。こ
れを分光光度計(日立製、UV−3100)にて吸収ス
ペクトルを測定した。実施例29の膜は最大吸収波長が
800nmであり、実施例30の膜は840nmであっ
た。
作製した電子写真感光体を図7に示す電子写真用プロセ
スカートリッジに装着した後、画像形成装置に搭載し
た。ただし、画像露光光源を780nmの半導体レーザ
ー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)として、現
像直前の感光体の表面電位が測定できるように表面電位
計のプローブを挿入した。連続して1万枚の印刷を行な
い、そのときの画像露光部と画像非露光部の表面電位を
初期と1万枚後に測定した。結果を表7に示す。
繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持している
ことがわかる。実施例30の感光体は特に問題にならな
い範囲であるが、実施例29の感光体に比べると電位安
定性がやや劣ることがわかる。
4]アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗
工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順
次塗布・乾燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電
荷発生層、28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光
体を形成した。
それぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより分
散を行なった。
で作製した電子写真感光体を図5に示す電子写真装置に
装着し、帯電は以下の条件で行ない、画像露光光源を7
80nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーによる画
像書き込み)として、連続して3万枚の印刷を行ない、
画像評価を行なった。結果を表8に示す。 帯電条件: DCバイアス:−900V ACバイアス:2.0kV(peak to peak)、周波数2
kHz
に下記組成の下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗
工液、および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、
3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、28μ
mの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成した。
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
の電子写真感光体を用いた場合には、繰り返し使用後に
も良好な画像を与えることが分かる。比較例38〜44
の感光体を繰り返し使用後に観察すると、黒ポチ画像に
対応して、感光体表面に絶縁破壊による微細な穴が形成
されていた。
体を用い、先の図5の装置の帯電条件をACバイアスを
印加しない条件に変え、実施例31と同様に連続3万枚
の印刷を行なった。その結果、初期及び3万枚後でも画
像は良好であった。但し、ハーフトーン画像を出力した
際、問題にならないレベルではあるが、帯電ムラに起因
する画像濃度ムラがわずかに発生した。
工液を以下のものに変更した以外は、実施例32と同様
に電子写真感光体を作製した。 電荷発生層塗工液 合成例2で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール(アセチル化度:2mol%) 10部 酢酸n−プロピル 600部
工液の分散条件を変化させて分散液を作製した。これを
用い、実施例32と同様に電子写真感光体を作製した。
実施例32及び39で作製した電荷発生層塗工液をガラ
ス基板上に塗工して、電荷発生層単独の膜を成膜した。
これを分光光度計(日立製、UV−3100)にて吸収
スペクトルを測定した。実施例32の膜は最大吸収波長
が800nmであり、実施例39の膜は840nmであ
った。実施例32、38、及び39で作製した電子写真
感光体を図7に示す電子写真カートリッジを含む電子写
真装置に装着し、帯電は以下の条件で行ない、画像露光
光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラー
による画像書き込み)として、連続して1万枚の印刷を
行ない、画像評価を行なった。結果を表9に示す。 帯電条件: DCバイアス:−850V ACバイアス:1.9kV(peak to peak)、周波数2
kHz
なように、本発明によれば、特定のX線回折スペクトル
を与える新規なチタニルフタロシアニン結晶が提供され
る。また、長期の保存によっても上述の安定した特性を
維持できる分散液が提供される。さらに、これらを使用
した本発明の感光体は、高感度を失うことなく繰り返し
使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を生じな
い安定な特性を有するものであり、この電子写真感光体
を用いることにより、高感度を失うことなく繰り返し使
用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を生じない
安定な電子写真方法が提供される。更にまた、帯電手段
が感光体に接触若しくは近接配置された電子写真装置に
おいて、特定のX線回折スペクトルを与えるなチタニル
フタロシアニンを電荷発生物質に用いた電子写真感光体
を使用することにより、高感度を失うことなく繰り返し
使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を生じ
ず、絶縁破壊が少なく、安定な画像を得ることのできる
電子写真装置が提供される。また、前記特性を維持した
機械的高耐久な電子写真装置および電子写真装置用プロ
セスカートリッジが提供される。
である。
面図である。
す断面図である。
を説明するための概略図である。
図である。
概略図である。
る。
示す図である。
ペクトルを示す図である。
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
Claims (22)
- 【請求項1】 CuKαの特性X線(波長1.514
Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2
°)として、少なくとも27.2°に最大回折ピークを
有し、且つ最も低角側の回折ピークとして7.3°にピ
ークを有し、且つ26.3°にもピークを有するチタニ
ルフタロシアニン結晶。 - 【請求項2】 9.4°より低角側の領域における回折
ピークが7.3°であることを特徴とする請求項1に記
載のチタニルフタロシアニン結晶。 - 【請求項3】 7.4〜9.4°の範囲にピークを有さ
ないことを特徴とする請求項1に記載のチタニルフタロ
シアニン結晶。 - 【請求項4】 26.3°のピーク強度が27.2°の
強度の10%未満であることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれかに記載のチタニルフタロシアニン結晶。 - 【請求項5】 前記チタニルフタロシアニンが28.6
°にも同時にピークを有する場合、その強度が27.2
°の強度の20%未満であることを特徴とする請求項1
乃至4のいずれかに記載のチタニルフタロシアニン結
晶。 - 【請求項6】 前記チタニルフタロシアニンが、ハロゲ
ン化チタンを用いずに合成されたものであることを特徴
とする請求項1乃至5のいずれかに記載のチタニルフタ
ロシアニン結晶。 - 【請求項7】 CuKαの特性X線(波長1.514
Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2
°)として、少なくとも7.0°に最大回折ピークを有
する不定形チタニルフタロシアニンを水の存在下で有機
溶媒により結晶変換を行ない、次いで機械的なシェアを
与える処理を行なうことを特徴とする請求項1乃至6の
いずれかに記載のチタニルフタロシアニンの製造方法。 - 【請求項8】 前記7.0°の回折ピークの半値巾が1
°以上である不定形チタニルフタロシアニンを水の存在
下で有機溶媒により結晶変換を行なうことを特徴とする
請求項7に記載のチタニルフタロシアニンの製造方法。 - 【請求項9】 前記有機溶媒が、少なくともテトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、トルエン、塩化メチレ
ン、二硫化炭素、オルトジクロロベンゼン、1,1,2
−トリクロロエタンの中から選ばれる1種を含むことを
特徴とする請求項7又は8に記載のチタニルフタロシア
ニンの製造方法。 - 【請求項10】 請求項1乃至6のいずれかに記載のチ
タニルフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする
電子写真感光体用分散液。 - 【請求項11】 前記分散液に含有される分散媒が、少
なくともケトン系或いはエステル系有機溶媒の中から選
ばれる1種を含むことを特徴とする請求項10に記載の
電子写真感光体用分散液。 - 【請求項12】 前記分散液に含有されるバインダー樹
脂が、少なともアセチル化度が4mol%以上のポリビ
ニルアセタールを含むことを特徴とする請求項10又は
11に記載の電子写真感光体用分散液。 - 【請求項13】 導電性支持体上に少なくとも感光層を
設けた電子写真感光体において、該感光層中に電荷発生
物質として請求項1乃至6のいずれかに記載のチタニル
フタロシアニンを含有することを特徴とする電子写真感
光体。 - 【請求項14】 前記感光層中に、アセチル化度が4m
ol%以上のポリビニルアセタールを含むことを特徴と
する請求項13に記載の電子写真感光体。 - 【請求項15】 前記感光層中の吸収スペクトルが81
0nm以短にピークを有することを特徴とする請求項1
3又は14に記載の電子写真感光体。 - 【請求項16】 電子写真感光体に、少なくとも帯電、
画像露光、現像、転写を繰り返し行なう電子写真方法に
おいて、該電子写真感光体が導電性支持体上に少なくと
も感光層を有し、該感光層中に電荷発生物質として、C
uKαの特性X線(波長1.514Å)に対するブラッ
グ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、少なくと
も27.2゜に最大回折ピークを有し、かつ最も低角側
の回折ピークとして7.3゜にピークを有し、かつ2
6.3゜にもピークを有することを特徴とする電子写真
感光体であることを特徴とする電子写真方法。 - 【請求項17】 帯電部材が感光体と接触若しくは近接
配置された帯電部材であることを特徴とする請求項16
に記載の電子写真方法。 - 【請求項18】 少なくとも帯電手段、画像露光手段、
現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してな
る電子写真装置であって、該電子写真感光体が導電性支
持体上に少なくとも感光層を有し、該感光層中に電荷発
生物質として、CuKαの特性X線(波長1.514
Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2
゜)として、少なくとも27.2゜に最大回折ピークを
有し、かつ最も低角側の回折ピークとして7.3゜にピ
ークを有し、かつ26.3゜にもピークを有することを
特徴とする電子写真感光体であることを特徴とする電子
写真装置。 - 【請求項19】 帯電部材が感光体と接触若しくは近接
配置された帯電部材であることを特徴とする請求項18
に記載の電子写真装置。 - 【請求項20】 該帯電部材に直流成分に交流成分を重
畳し、感光体に帯電を与えることを特徴とする請求項1
9に記載の電子写真装置。 - 【請求項21】 少なくとも電子写真感光体を具備して
なる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該
電子写真感光体が請求項13乃至15のいずれか1に記
載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装
置用プロセスカートリッジ。 - 【請求項22】 前記帯電部材が感光体と接触若しくは
近接配置された帯電部材であることを特徴とする請求項
21に記載の電子写真装置用プロセスカートリッジ。
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