JP2001185583A - 半導体実装製品の製造方法および半導体実装製品 - Google Patents
半導体実装製品の製造方法および半導体実装製品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップへのバンプ形成を省略した、低コ
ストのフリップチップ実装を実現すること。 【解決手段】 配線パターン付きシート基板の配線パタ
ーン側に接着材を塗布し、これにＩＣチップを対向載置
し、配線パターンの裏面より超音波を印加してＩＣチッ
プの電極パッドと配線パターンとの間に介在する接着材
を排除しながら、電極パッドと配線パターンとを超音波
接続することにより、バンプなしでも接続信頼性が確保
できる。
ストのフリップチップ実装を実現すること。 【解決手段】 配線パターン付きシート基板の配線パタ
ーン側に接着材を塗布し、これにＩＣチップを対向載置
し、配線パターンの裏面より超音波を印加してＩＣチッ
プの電極パッドと配線パターンとの間に介在する接着材
を排除しながら、電極パッドと配線パターンとを超音波
接続することにより、バンプなしでも接続信頼性が確保
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線パターン付き
シート基板上にＩＣチップを搭載してなる半導体実装製
品、およびその製造方法に係り、特に、ＩＣチップおよ
び配線パターンの両者にバンプを形成することなく、シ
ート基板の配線パターンとＩＣチップの電極パッドとを
接続可能とした半導体実装製品、およびその製造方法に
関するものである。
シート基板上にＩＣチップを搭載してなる半導体実装製
品、およびその製造方法に係り、特に、ＩＣチップおよ
び配線パターンの両者にバンプを形成することなく、シ
ート基板の配線パターンとＩＣチップの電極パッドとを
接続可能とした半導体実装製品、およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型・薄形化要求に伴い、そ
の高密度実装技術が重要となってきている。特に、半導
体素子を配線基板に接続する実装技術は重要であり、こ
れまでに種々の小型・薄形化実装技術が開発されてき
た。中でも、ＩＣチップをベアで配線基板に対向させ、
ＩＣチップ電極と配線基板の配線パターン導体とを接続
するフリップチップ実装は、略ＩＣチップの面積で実装
が可能となるため、最も高密度な実装が実現できる方法
である。
の高密度実装技術が重要となってきている。特に、半導
体素子を配線基板に接続する実装技術は重要であり、こ
れまでに種々の小型・薄形化実装技術が開発されてき
た。中でも、ＩＣチップをベアで配線基板に対向させ、
ＩＣチップ電極と配線基板の配線パターン導体とを接続
するフリップチップ実装は、略ＩＣチップの面積で実装
が可能となるため、最も高密度な実装が実現できる方法
である。
【０００３】従来のフリップチップ実装においては、Ｉ
Ｃチップ電極と配線基板の配線パターン導体との接続
は、ＩＣチップのＡｌパッドに形成されたバンプを介し
て行うようになっていた。代表的なフリップチップ接合
方法およびバンプ形成方法については、社団法人日本電
子機械工業会がまとめた「半導体パッケージに関するロ
ードマップ」（１９９６年１２月発行）等に記載されて
おり、その要約を図７に示す。図７の（ａ）に示すよう
に、接合形態としては、金属接続、導電ペースト接続、
光・熱硬化樹脂接続、異方性導電樹脂接続があるが、何
れもＩＣチップのＡｌパッドにバンプ形成が必要であ
る。図７の（ｂ）には主なバンプ形成方法を示す。その
方法には、ワイヤボンディング法、電解めっき法、無電
解めっき法、転写法がある。
Ｃチップ電極と配線基板の配線パターン導体との接続
は、ＩＣチップのＡｌパッドに形成されたバンプを介し
て行うようになっていた。代表的なフリップチップ接合
方法およびバンプ形成方法については、社団法人日本電
子機械工業会がまとめた「半導体パッケージに関するロ
ードマップ」（１９９６年１２月発行）等に記載されて
おり、その要約を図７に示す。図７の（ａ）に示すよう
に、接合形態としては、金属接続、導電ペースト接続、
光・熱硬化樹脂接続、異方性導電樹脂接続があるが、何
れもＩＣチップのＡｌパッドにバンプ形成が必要であ
る。図７の（ｂ）には主なバンプ形成方法を示す。その
方法には、ワイヤボンディング法、電解めっき法、無電
解めっき法、転写法がある。
【０００４】一方、薄形化実装方式として、フィルムキ
ャリヤにベアのＩＣチップを実装するＴＡＢ実装もよく
知られている。この方法は、フィルムキャリヤに形成さ
れた配線パターンの接続部がリード状態になっていて、
これにバンプ付きＩＣチップ電極を熱圧着し、ＩＣチッ
プを樹脂封止して形成する。この方法においても、予め
ＩＣチップのＡｌパッド上に、上記した方法でバンプを
形成しておく必要がある。
ャリヤにベアのＩＣチップを実装するＴＡＢ実装もよく
知られている。この方法は、フィルムキャリヤに形成さ
れた配線パターンの接続部がリード状態になっていて、
これにバンプ付きＩＣチップ電極を熱圧着し、ＩＣチッ
プを樹脂封止して形成する。この方法においても、予め
ＩＣチップのＡｌパッド上に、上記した方法でバンプを
形成しておく必要がある。
【０００５】上記したようにフリップチップ実装あるい
はＴＡＢ実装などベアチップＩＣを直接配線基板に接続
する方法として、ＩＣチップの電極パッドにバンプを形
成することがよく行われる。しかし、特開平１０−１８
９６５７号公報には、一部バンプ形成なしにＩＣチップ
と配線基板の接続を行う方法が開示されている。この方
法によれば、ＩＣチップと配線基板の配線パターン間に
接着剤を介在させ、ＩＣチップ電極と配線パターンを圧
し付けて接着剤を排除し、超音波を付与することで両端
子間を接続するものである。
はＴＡＢ実装などベアチップＩＣを直接配線基板に接続
する方法として、ＩＣチップの電極パッドにバンプを形
成することがよく行われる。しかし、特開平１０−１８
９６５７号公報には、一部バンプ形成なしにＩＣチップ
と配線基板の接続を行う方法が開示されている。この方
法によれば、ＩＣチップと配線基板の配線パターン間に
接着剤を介在させ、ＩＣチップ電極と配線パターンを圧
し付けて接着剤を排除し、超音波を付与することで両端
子間を接続するものである。
【０００６】なお、特開平９−２６３０７９号公報に
は、フィルム状基板の両面に形成した導電体同志を、超
音波によって基板の基材を排除しつつ、接続するように
した技術が開示されているが、この先願公報には、ＩＣ
チップをシート基板上にフリップチップ実装するという
技術思想は、一切開示されていない。
は、フィルム状基板の両面に形成した導電体同志を、超
音波によって基板の基材を排除しつつ、接続するように
した技術が開示されているが、この先願公報には、ＩＣ
チップをシート基板上にフリップチップ実装するという
技術思想は、一切開示されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、小
形化実装を狙ったフリップチップ実装や、薄形化を狙っ
たＴＡＢ実装のほとんどは、ＩＣチップのＡｌパッドに
バンプ形成が必要であり、その形成コスト削減が小形・
薄形実装の大きな課題となっていた。
形化実装を狙ったフリップチップ実装や、薄形化を狙っ
たＴＡＢ実装のほとんどは、ＩＣチップのＡｌパッドに
バンプ形成が必要であり、その形成コスト削減が小形・
薄形実装の大きな課題となっていた。
【０００８】一方、これらの実装に使われているバンプ
の共通の役割は、ＩＣチップのＡｌパッドとの接続歩留
りおよび接続信頼性の確保である。図７の（ｂ）で示し
たバンプ形成法の何れにおいても、Ａｌパッドとバンプ
は良好な金属接続を実現することができる。また、この
接続部は、図７の（ａ）のフリップチップ実装プロセス
でも、良好な金属接続状態を保つことができる。すなわ
ち、従来のフリップチップ実装ではバンプを用いること
で、接続歩留りおよび接続信頼性の確保をしてきた。
の共通の役割は、ＩＣチップのＡｌパッドとの接続歩留
りおよび接続信頼性の確保である。図７の（ｂ）で示し
たバンプ形成法の何れにおいても、Ａｌパッドとバンプ
は良好な金属接続を実現することができる。また、この
接続部は、図７の（ａ）のフリップチップ実装プロセス
でも、良好な金属接続状態を保つことができる。すなわ
ち、従来のフリップチップ実装ではバンプを用いること
で、接続歩留りおよび接続信頼性の確保をしてきた。
【０００９】しかし、バンプ形成には図７の（ｂ）の工
程が必要であり、そのためバンプ形成コストが余分にか
かっていた。
程が必要であり、そのためバンプ形成コストが余分にか
かっていた。
【００１０】一方、特開平１０−１８９６５７号公報に
記載のバンプ形成しない方法では、ＩＣチップと配線基
板の配線パターン間に接着剤を介在させ、ＩＣチップ電
極と配線パターンを圧し付ける際、突起部がほとんどな
いため両端子間の圧接および超音波接続が十分でなく、
信頼性上問題があることが分かった。
記載のバンプ形成しない方法では、ＩＣチップと配線基
板の配線パターン間に接着剤を介在させ、ＩＣチップ電
極と配線パターンを圧し付ける際、突起部がほとんどな
いため両端子間の圧接および超音波接続が十分でなく、
信頼性上問題があることが分かった。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、コスト低減のためバンプを用
いないフリップチップ実装を接続信頼性を確保しつつ、
実現するにある。
その目的とするところは、コスト低減のためバンプを用
いないフリップチップ実装を接続信頼性を確保しつつ、
実現するにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、次の手段を採った。通常、ＩＣチップの
Ａｌパッドには酸化皮膜が形成されている。従来、これ
に良好な電気的接続を得るため、図７の（ｂ）に示した
何れかの方法でバンプ形成し、金属接続をしていた。し
かし本発明では、低コスト化のためＩＣチップのＡｌパ
ッドにはバンプを形成せず、その替わりに被接続配線導
体すなわち配線パターン導体を直接Ａｌパッドに超音波
で金属接続する手法を採る。
成するために、次の手段を採った。通常、ＩＣチップの
Ａｌパッドには酸化皮膜が形成されている。従来、これ
に良好な電気的接続を得るため、図７の（ｂ）に示した
何れかの方法でバンプ形成し、金属接続をしていた。し
かし本発明では、低コスト化のためＩＣチップのＡｌパ
ッドにはバンプを形成せず、その替わりに被接続配線導
体すなわち配線パターン導体を直接Ａｌパッドに超音波
で金属接続する手法を採る。
【００１３】配線パターン導体には、超音波接続性を確
保するためＩＣチップのＡｌパッドと同じＡｌを用い
る。ただし、本発明による半導体実装製品を外部回路に
接続する必要があるときには、ＩＣチップのＡｌパッド
に対向する面をＡｌとし、外部回路に接続する面をＣｕ
またはＮｉになるように、Ａｌ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ
／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／Ｃｕから構
成された積層金属箔を、配線パターン導体とする。
保するためＩＣチップのＡｌパッドと同じＡｌを用い
る。ただし、本発明による半導体実装製品を外部回路に
接続する必要があるときには、ＩＣチップのＡｌパッド
に対向する面をＡｌとし、外部回路に接続する面をＣｕ
またはＮｉになるように、Ａｌ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ
／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／Ｃｕから構
成された積層金属箔を、配線パターン導体とする。
【００１４】ＩＣチップを配線パターン付きシート基板
に超音波接続するとき、位置ずれ防止と封止を兼ねて、
超音波接続に先立ち、接着材を用いてＩＣチップを配線
パターン付きシート基板上の所定の位置に対向載置し、
前記シート基板に固定することは、特開平１０−１８９
６５７号公報記載の内容と同じである。接着材にホット
メルトなどの熱可塑性樹脂を用いる場合は、高温チャッ
キングヘッドによりＩＣチップを高温ハンドリングさ
せ、ホットメルトを溶融させながら前記シート基板上に
載置し、チャックの後退による冷却過程で固定する。一
方、接着材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいは
光硬化性樹脂ないしはこれらの複合樹脂を用いる場合
は、これらの接着材の塗布後、ＩＣチップを位置合わせ
して載置し、完全硬化より少ない熱エネルギーあるいは
紫外線エネルギーを印加することで、前記熱硬化性樹脂
または前記光硬化性樹脂あるいはこれらの複合樹脂を半
硬化状態にして、ＩＣチップを固定する。なお、接着材
に熱硬化性樹脂を使用する場合は、高温チャッキングヘ
ッドによりＩＣチップを高温ハンドリングさせ、熱硬化
性樹脂を半硬化させながら、前記シート基板上に載置固
定することもできる。
に超音波接続するとき、位置ずれ防止と封止を兼ねて、
超音波接続に先立ち、接着材を用いてＩＣチップを配線
パターン付きシート基板上の所定の位置に対向載置し、
前記シート基板に固定することは、特開平１０−１８９
６５７号公報記載の内容と同じである。接着材にホット
メルトなどの熱可塑性樹脂を用いる場合は、高温チャッ
キングヘッドによりＩＣチップを高温ハンドリングさ
せ、ホットメルトを溶融させながら前記シート基板上に
載置し、チャックの後退による冷却過程で固定する。一
方、接着材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいは
光硬化性樹脂ないしはこれらの複合樹脂を用いる場合
は、これらの接着材の塗布後、ＩＣチップを位置合わせ
して載置し、完全硬化より少ない熱エネルギーあるいは
紫外線エネルギーを印加することで、前記熱硬化性樹脂
または前記光硬化性樹脂あるいはこれらの複合樹脂を半
硬化状態にして、ＩＣチップを固定する。なお、接着材
に熱硬化性樹脂を使用する場合は、高温チャッキングヘ
ッドによりＩＣチップを高温ハンドリングさせ、熱硬化
性樹脂を半硬化させながら、前記シート基板上に載置固
定することもできる。
【００１５】次に、ＩＣチップが載置固定された配線パ
ターン付きシート基板の裏面より超音波を印加して、前
記ＩＣチップのＡｌパッドと前記配線パターン導体との
間に介在する接着材を排除しながら、配線パターン導体
を凸状に変化させ前記ＩＣチップのＡｌパッドと前記配
線パターン導体とを超音波接続する。接着材に熱硬化性
樹脂あるいは光硬化性樹脂ないしはこれらの複合樹脂を
用いた場合、超音波接続後、十分な加熱あるいは光照射
ないしはその両者を印加して完全に硬化させ、機械的お
よび化学的に信頼性の高い半導体実装製品を形成する。
ターン付きシート基板の裏面より超音波を印加して、前
記ＩＣチップのＡｌパッドと前記配線パターン導体との
間に介在する接着材を排除しながら、配線パターン導体
を凸状に変化させ前記ＩＣチップのＡｌパッドと前記配
線パターン導体とを超音波接続する。接着材に熱硬化性
樹脂あるいは光硬化性樹脂ないしはこれらの複合樹脂を
用いた場合、超音波接続後、十分な加熱あるいは光照射
ないしはその両者を印加して完全に硬化させ、機械的お
よび化学的に信頼性の高い半導体実装製品を形成する。
【００１６】なお、ＩＣチップのＡｌパッドと前記配線
パターン導体とを超音波接続するとき、超音波エネルギ
ーで接着材を排除しながら行うが、前記シート基板の基
材に軟化点の低いポリ塩化ビニルや非晶質ポリエステル
などを用いる場合は、超音波印加のとき、超音波ヘッド
により同時に前記基材をも排除し、超音波エネルギーが
十分接合部位に到達するように行う。一方、前記シート
基板の基材に軟化点の高いポリイミドやポリエチレンテ
レフタレートなどを用いる場合は、予め接続部位のシー
ト基材に孔を開けておくか、接続工程でレーザ光により
基材を排除してから、ＩＣチップのＡｌパッドと前記配
線パターン導体とを超音波接続する。
パターン導体とを超音波接続するとき、超音波エネルギ
ーで接着材を排除しながら行うが、前記シート基板の基
材に軟化点の低いポリ塩化ビニルや非晶質ポリエステル
などを用いる場合は、超音波印加のとき、超音波ヘッド
により同時に前記基材をも排除し、超音波エネルギーが
十分接合部位に到達するように行う。一方、前記シート
基板の基材に軟化点の高いポリイミドやポリエチレンテ
レフタレートなどを用いる場合は、予め接続部位のシー
ト基材に孔を開けておくか、接続工程でレーザ光により
基材を排除してから、ＩＣチップのＡｌパッドと前記配
線パターン導体とを超音波接続する。
【００１７】なおまた、ＩＣチップの個別接続について
その基本的手段を説明したが、ＩＣウエハで同様な接続
を行い、最後に個別ＩＣ毎にダイサーで分離する、多数
個取りが可能な方法もある。
その基本的手段を説明したが、ＩＣウエハで同様な接続
を行い、最後に個別ＩＣ毎にダイサーで分離する、多数
個取りが可能な方法もある。
【００１８】以上、本発明の基本的手段について述べた
が、その具体的方法ならびに適用製品については発明の
実施の形態で詳述する。
が、その具体的方法ならびに適用製品については発明の
実施の形態で詳述する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフローで
ある。
面を用いて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフローで
ある。
【００２０】先ず、図１の（ａ）に示すように、エポキ
シ系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニール系樹脂、
フッ素系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリビニー
ルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、セル
ロース系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂の
何れかよりなる基材２１０に、Ａｌ単体の金属箔２２０
が接着されたシート基板２００、あるいは、Ａｌ／Ｎｉ
またはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが積層
された金属箔２２０をＡｌが表面になるよう接着された
シート基板２００を準備する。
シ系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニール系樹脂、
フッ素系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系
樹脂、スチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリビニー
ルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、セル
ロース系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂の
何れかよりなる基材２１０に、Ａｌ単体の金属箔２２０
が接着されたシート基板２００、あるいは、Ａｌ／Ｎｉ
またはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが積層
された金属箔２２０をＡｌが表面になるよう接着された
シート基板２００を準備する。
【００２１】次に、図１の（ｂ）に示す工程において、
金属箔２２０を通常のエッチング手法によりエッチング
し、配線パターン２３０を形成する。
金属箔２２０を通常のエッチング手法によりエッチング
し、配線パターン２３０を形成する。
【００２２】次に、図１の（ｃ）に示す工程において、
ワーク支持台８００上に保持されたシート基板２００上
のＩＣチップ搭載予定部位に、ホットメルトなどの熱可
塑性樹脂、あるいは、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線
硬化型アクリレート系樹脂、熱・紫外線併用型エポキシ
系樹脂など熱硬化性樹脂からなる接着材３００を塗布す
る。
ワーク支持台８００上に保持されたシート基板２００上
のＩＣチップ搭載予定部位に、ホットメルトなどの熱可
塑性樹脂、あるいは、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線
硬化型アクリレート系樹脂、熱・紫外線併用型エポキシ
系樹脂など熱硬化性樹脂からなる接着材３００を塗布す
る。
【００２３】次に、図１の（ｄ）に示す工程において、
ＩＣチップ１００のＡｌパッド１１０を、配線パターン
２３０の所望の位置に位置合わせして、ＩＣチップ１０
０を接着材３００を介してシート基板２００に搭載す
る。搭載時、チャッキングヘッドによりＩＣチップ１０
０をシート基板２００に押し付けるようにすることで、
接着材３００を流動させ、搭載とともにＩＣチップ１０
０の封止を行う。ここで、接着材３００に熱可塑性樹脂
を用いる場合、チャッキングヘッドを高温にしてＩＣチ
ップ１００を高温にし、位置合せ搭載時に接着材３００
の流動性を向上させ、チャッキングヘッドの後退後の冷
却で接着材３００を固化させることによって、ＩＣチッ
プ１００の位置ずれ防止とＩＣチップ１００のＡｌパッ
ド部位の封止とを図る。また、接着材３００に熱硬化性
樹脂を用いる場合は、同様にチャッキングヘッドを高温
にしてＩＣチップ１００を高温にし、位置合せ搭載時に
接着材３００を流動かつ半硬化させる。あるいは、接着
材３００に紫外線硬化型樹脂または熱・紫外線併用型樹
脂を用いる場合は、ＩＣチップ１００の搭載後、シート
基板２００の裏面より紫外線を照射し接着材３００を半
硬化させる。そして、これより、ＩＣチップ１００の位
置ずれ防止とＩＣチップ１００のＡｌパッド部位の封止
とを図る。
ＩＣチップ１００のＡｌパッド１１０を、配線パターン
２３０の所望の位置に位置合わせして、ＩＣチップ１０
０を接着材３００を介してシート基板２００に搭載す
る。搭載時、チャッキングヘッドによりＩＣチップ１０
０をシート基板２００に押し付けるようにすることで、
接着材３００を流動させ、搭載とともにＩＣチップ１０
０の封止を行う。ここで、接着材３００に熱可塑性樹脂
を用いる場合、チャッキングヘッドを高温にしてＩＣチ
ップ１００を高温にし、位置合せ搭載時に接着材３００
の流動性を向上させ、チャッキングヘッドの後退後の冷
却で接着材３００を固化させることによって、ＩＣチッ
プ１００の位置ずれ防止とＩＣチップ１００のＡｌパッ
ド部位の封止とを図る。また、接着材３００に熱硬化性
樹脂を用いる場合は、同様にチャッキングヘッドを高温
にしてＩＣチップ１００を高温にし、位置合せ搭載時に
接着材３００を流動かつ半硬化させる。あるいは、接着
材３００に紫外線硬化型樹脂または熱・紫外線併用型樹
脂を用いる場合は、ＩＣチップ１００の搭載後、シート
基板２００の裏面より紫外線を照射し接着材３００を半
硬化させる。そして、これより、ＩＣチップ１００の位
置ずれ防止とＩＣチップ１００のＡｌパッド部位の封止
とを図る。
【００２４】次に、図１の（ｅ）に示す工程おいて、ワ
ークを反転させ、シート基板２００の裏面より超音波ヘ
ッド７００を用いて、配線パターン（配線パターン導
体）２３０をＩＣチップ１００のＡｌパッド１１０に超
音波接続する。このとき、超音波ヘッド７００は、シー
ト基板２００の基材２１０を排除するとともに、配線パ
ターン２３０とＡｌパッド１１０との間に介在する接着
材３００（熱可塑性接着材または半硬化接着材）３００
を同時に排除しながら配線パターン２３０を凸状に変形
させる。接着材３００が熱可塑性接着材である場合に
は、超音波ヘッド７００による超音波エネルギーで熱可
塑性接着材が加熱されて除去され、接着材３００が半硬
化接着材である場合には、半硬化状態の接着材が超音波
ヘッド７００による超音波エネルギーで除去される。
ークを反転させ、シート基板２００の裏面より超音波ヘ
ッド７００を用いて、配線パターン（配線パターン導
体）２３０をＩＣチップ１００のＡｌパッド１１０に超
音波接続する。このとき、超音波ヘッド７００は、シー
ト基板２００の基材２１０を排除するとともに、配線パ
ターン２３０とＡｌパッド１１０との間に介在する接着
材３００（熱可塑性接着材または半硬化接着材）３００
を同時に排除しながら配線パターン２３０を凸状に変形
させる。接着材３００が熱可塑性接着材である場合に
は、超音波ヘッド７００による超音波エネルギーで熱可
塑性接着材が加熱されて除去され、接着材３００が半硬
化接着材である場合には、半硬化状態の接着材が超音波
ヘッド７００による超音波エネルギーで除去される。
【００２５】図１の（ｅ）の工程後、接着材３００が半
硬化接着材の場合には、図１の（ｆ）に示す工程で、十
分な加熱あるいは紫外線照射を行い、半硬化接着材を完
全硬化接着材とし、封止を確実にするとともに、接続信
頼性を確保する。
硬化接着材の場合には、図１の（ｆ）に示す工程で、十
分な加熱あるいは紫外線照射を行い、半硬化接着材を完
全硬化接着材とし、封止を確実にするとともに、接続信
頼性を確保する。
【００２６】上述した工程を経て、図１の（ｇ）に示す
半導体実装製品が作製される。この図１の（ｇ）には、
実装完了後の要部拡大断面図を併せて示してある。図１
の（ｇ）中の要部拡大断面図に示すように、超音波接続
部４００において、Ａｌパッド１１０のＡｌに配線パタ
ーン２３０のＡｌが超音波接続されている。配線パター
ン２３０の金属箔２２０に積層材を用いる場合も、配線
パターン２３０の表面はＡｌで構成されており、ＩＣチ
ップ１００のＡｌパッド１１０との同種金属接続になる
ので、信頼性の高い接続が達成できる。なお、超音波接
続部４００においては、図１の（ｅ）に示す工程で基材
２１０および接着材３００を排除することで形成された
孔部が、シート基板２００および接着材３００に存在す
る。
半導体実装製品が作製される。この図１の（ｇ）には、
実装完了後の要部拡大断面図を併せて示してある。図１
の（ｇ）中の要部拡大断面図に示すように、超音波接続
部４００において、Ａｌパッド１１０のＡｌに配線パタ
ーン２３０のＡｌが超音波接続されている。配線パター
ン２３０の金属箔２２０に積層材を用いる場合も、配線
パターン２３０の表面はＡｌで構成されており、ＩＣチ
ップ１００のＡｌパッド１１０との同種金属接続になる
ので、信頼性の高い接続が達成できる。なお、超音波接
続部４００においては、図１の（ｅ）に示す工程で基材
２１０および接着材３００を排除することで形成された
孔部が、シート基板２００および接着材３００に存在す
る。
【００２７】続いて、図２を用いて本発明の第２実施形
態の製造方法を説明する。図２は、本発明の第２実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーである。
態の製造方法を説明する。図２は、本発明の第２実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーである。
【００２８】本実施形態の製造プロセスは、図１に示し
前述した第１実施形態の製造プロセスにおいて、シート
基板２００の基材２１０が、超音波ヘッド７００の作用
だけでは排除困難な場合に適用されるものである。
前述した第１実施形態の製造プロセスにおいて、シート
基板２００の基材２１０が、超音波ヘッド７００の作用
だけでは排除困難な場合に適用されるものである。
【００２９】本実施形態の製造プロセスと、第１実施形
態の製造プロセスとの違いは、図２の（ｂ）に示す工程
において、シート基板２００におけるＩＣチップ１００
との接続位置の裏面に、レーザ照射などの手法で基材２
００を除去することによって予め接続孔２５０を形成し
ておき、この接続孔２５０の底面に配線パターン２３０
を露呈させておく点と、図２の（ｅ）に示す超音波接続
工程において、超音波による基材２１０の排除がない点
である。上記の相違以外は、第１実施形態の製造プロセ
スと同様である。
態の製造プロセスとの違いは、図２の（ｂ）に示す工程
において、シート基板２００におけるＩＣチップ１００
との接続位置の裏面に、レーザ照射などの手法で基材２
００を除去することによって予め接続孔２５０を形成し
ておき、この接続孔２５０の底面に配線パターン２３０
を露呈させておく点と、図２の（ｅ）に示す超音波接続
工程において、超音波による基材２１０の排除がない点
である。上記の相違以外は、第１実施形態の製造プロセ
スと同様である。
【００３０】なお、本実施形態の製造プロセスの変形と
して、図示はしていないが、図１の（ｄ）工程と（ｅ）
工程との間に、レーザ加工による前記接続孔２５０の形
成工程を付加し、図１の（ｅ）に示した超音波接続工程
において、超音波による基材２１０の排除をなくす手法
を採ってもよい。
して、図示はしていないが、図１の（ｄ）工程と（ｅ）
工程との間に、レーザ加工による前記接続孔２５０の形
成工程を付加し、図１の（ｅ）に示した超音波接続工程
において、超音波による基材２１０の排除をなくす手法
を採ってもよい。
【００３１】続いて、図３を用いて本発明の第３実施形
態の製造方法を説明する。図３は、本発明の第３実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、チップスケールパッケージの
多数個取り製法への適用例である。
態の製造方法を説明する。図３は、本発明の第３実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、チップスケールパッケージの
多数個取り製法への適用例である。
【００３２】図３の（ａ）に示す工程において、Ａｌ／
ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが
積層された金属箔を、基材２１０上に接着してなるシー
ト基板２００を用意し、基材２１０上の金属箔を公知の
手法によりパターニングして積層金属箔配線（配線パタ
ーン）２４０を形成するとともに、シート基板２００の
裏面からレーザを用いて、ＩＣチップ１００との接続位
置にインナー接続孔２５１およびパッケージ外部との接
続位置にアウター接続孔２５２を、それぞれ穿設する。
積層金属箔配線２４０は、その表面側がＡｌ、裏面側が
ＮｉまたはＣｕとなるように基材２１０に接着されてお
り、レーザ照射によって基材２１０を一部除去すること
によって形成されたインナー接続孔２５１およびアウタ
ー接続孔２５２の底面には、ＮｉまたはＣｕが露呈する
ようになっている。
ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが
積層された金属箔を、基材２１０上に接着してなるシー
ト基板２００を用意し、基材２１０上の金属箔を公知の
手法によりパターニングして積層金属箔配線（配線パタ
ーン）２４０を形成するとともに、シート基板２００の
裏面からレーザを用いて、ＩＣチップ１００との接続位
置にインナー接続孔２５１およびパッケージ外部との接
続位置にアウター接続孔２５２を、それぞれ穿設する。
積層金属箔配線２４０は、その表面側がＡｌ、裏面側が
ＮｉまたはＣｕとなるように基材２１０に接着されてお
り、レーザ照射によって基材２１０を一部除去すること
によって形成されたインナー接続孔２５１およびアウタ
ー接続孔２５２の底面には、ＮｉまたはＣｕが露呈する
ようになっている。
【００３３】図３の（ｂ）に示した工程は、図２の
（ｃ）工程〜図２の（ｇ）工程に相当するものであり、
接着材３００を各ＩＣチップ１００の載置予定部位に塗
布した後、多数のＩＣチップ１００を、それぞれ位置決
めして接着材３００上に搭載しつつ、接着材３００に熱
可塑性樹脂を用いる場合、位置合せ搭載時に接着材３０
０を加熱することにより流動性を向上させ、また、接着
材３００に熱硬化性樹脂を用いる場合は、位置合せ搭載
時に接着材３００を流動かつ半硬化させる、ないしは、
搭載後に接着材３００を半硬化させる。この後、インナ
ー接続孔２５１を通して、超音波ヘッド７００によっ
て、積層金属箔配線２４０とＩＣチップ１００のＡｌパ
ッドとの間の基材２１０を排除しつつ、積層金属箔配線
２４０をＩＣチップ１００のＡｌパッドに超音波接続す
る。そしてこの後、接着材３００が半硬化である場合に
は、これを完全硬化させる。
（ｃ）工程〜図２の（ｇ）工程に相当するものであり、
接着材３００を各ＩＣチップ１００の載置予定部位に塗
布した後、多数のＩＣチップ１００を、それぞれ位置決
めして接着材３００上に搭載しつつ、接着材３００に熱
可塑性樹脂を用いる場合、位置合せ搭載時に接着材３０
０を加熱することにより流動性を向上させ、また、接着
材３００に熱硬化性樹脂を用いる場合は、位置合せ搭載
時に接着材３００を流動かつ半硬化させる、ないしは、
搭載後に接着材３００を半硬化させる。この後、インナ
ー接続孔２５１を通して、超音波ヘッド７００によっ
て、積層金属箔配線２４０とＩＣチップ１００のＡｌパ
ッドとの間の基材２１０を排除しつつ、積層金属箔配線
２４０をＩＣチップ１００のＡｌパッドに超音波接続す
る。そしてこの後、接着材３００が半硬化である場合に
は、これを完全硬化させる。
【００３４】図３の（ｃ）に示した工程では、アウター
接続孔２５２にハンダペーストあるいはフラックス付き
ハンダボールを供給かつリフローし、供給したハンダを
積層金属箔配線２４０の裏面と接続して、外部接続用の
ハンダバンプ５００を形成する。ここで、積層金属箔配
線２４０の裏面はＮｉあるいはＣｕになっているため、
ハンダ接続性は確保される。
接続孔２５２にハンダペーストあるいはフラックス付き
ハンダボールを供給かつリフローし、供給したハンダを
積層金属箔配線２４０の裏面と接続して、外部接続用の
ハンダバンプ５００を形成する。ここで、積層金属箔配
線２４０の裏面はＮｉあるいはＣｕになっているため、
ハンダ接続性は確保される。
【００３５】最後に、図３の（ｄ）に示す工程におい
て、分離部６００をカッターなどでカットし、チップス
ケールパッケージ１０００を得る。
て、分離部６００をカッターなどでカットし、チップス
ケールパッケージ１０００を得る。
【００３６】なお、本実施形態においても、インナー接
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣチップ１００を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣチップ１００を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
【００３７】続いて、図４を用いて本発明の第４実施形
態の製造方法を説明する。図４は、本発明の第４実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、マルチチップモジュールの製
法への適用例である。
態の製造方法を説明する。図４は、本発明の第４実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、マルチチップモジュールの製
法への適用例である。
【００３８】本実施形態の製造プロセスと、図３に示し
前述した第３実施形態の製造プロセスとの相違は、本実
施形態においては、図４の（ａ）に示す工程において、
マルチチップモジュールを構成する複数の（２以上の所
定個数の）ＩＣチップ１００同志が接続されるように積
層金属箔配線２４０をパターニングするとともに、マル
チチップモジュール単位でアウター接続孔２５２を形成
する点と、図４の（ｃ）に示す工程において、複数の
（２以上の所定個数の）ＩＣチップ１００がつながった
状態でカットして、マルチチップモジュール１０１０を
得るようにした点である。
前述した第３実施形態の製造プロセスとの相違は、本実
施形態においては、図４の（ａ）に示す工程において、
マルチチップモジュールを構成する複数の（２以上の所
定個数の）ＩＣチップ１００同志が接続されるように積
層金属箔配線２４０をパターニングするとともに、マル
チチップモジュール単位でアウター接続孔２５２を形成
する点と、図４の（ｃ）に示す工程において、複数の
（２以上の所定個数の）ＩＣチップ１００がつながった
状態でカットして、マルチチップモジュール１０１０を
得るようにした点である。
【００３９】かように製造方法で作製されたマルチチッ
プモジュール１０１０は、折り畳むことも可能であるの
で、マルチチップモジュール１０１０を実装する際のス
ペースファクターが一段と向上する。
プモジュール１０１０は、折り畳むことも可能であるの
で、マルチチップモジュール１０１０を実装する際のス
ペースファクターが一段と向上する。
【００４０】なお、本実施形態においても、インナー接
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣチップ１００を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣチップ１００を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
【００４１】続いて、図５を用いて本発明の第５実施形
態の製造方法を説明する。図５は、本発明の第５実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、チップサイズパッケージの多
数個取り製法への適用例である。
態の製造方法を説明する。図５は、本発明の第５実施形
態に係る半導体実装製品の製造方法を示すプロセスフロ
ーであり、本実施形態は、チップサイズパッケージの多
数個取り製法への適用例である。
【００４２】本実施形態の各工程は、図３に示したチッ
プスケールパッケージの製造方法と基本的には類似して
いるが、個別のＩＣチップ１００を搭載接続する代り
に、ＩＣウエハ００１を用いる点が異なる。
プスケールパッケージの製造方法と基本的には類似して
いるが、個別のＩＣチップ１００を搭載接続する代り
に、ＩＣウエハ００１を用いる点が異なる。
【００４３】図５の（ａ）に示す工程では、Ａｌ／Ｎｉ
またはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが積層
された金属箔を、基材２１０上に接着してなるシート基
板２００を用意し、基材２１０上の金属箔を公知の手法
によりパターニングして積層金属箔配線（配線パター
ン）２４０を形成するとともに、シート基板２００の裏
面からレーザを用いて、ＩＣチップ１００との接続位置
にインナー接続孔２５１およびパッケージ外部との接続
位置にアウター接続孔２５２を、それぞれ穿設する。
またはＡｌ／Ｃｒ／ＣｕまたはＡｌ／Ｎｉ／Ｃｕが積層
された金属箔を、基材２１０上に接着してなるシート基
板２００を用意し、基材２１０上の金属箔を公知の手法
によりパターニングして積層金属箔配線（配線パター
ン）２４０を形成するとともに、シート基板２００の裏
面からレーザを用いて、ＩＣチップ１００との接続位置
にインナー接続孔２５１およびパッケージ外部との接続
位置にアウター接続孔２５２を、それぞれ穿設する。
【００４４】図５の（ｂ）工程では、シート基板２００
上のＩＣウエハ搭載予定領域の全面に接着材３００を塗
布した後、ＩＣウエハ００１を搭載して、位置決め・固
定する。つまり、接着材３００に熱可塑性樹脂を用いる
場合、位置合せ搭載時に接着材３００を加熱することに
より流動性を向上させ、また、接着材３００に熱硬化性
樹脂を用いる場合は、位置合せ搭載時に接着材３００を
流動かつ半硬化させる、ないしは、搭載後に接着材３０
０を半硬化させることによって、ＩＣウエハ００１の固
定とＩＣウエハ００１のＡｌパッド部位の封止とを行
う。この後、インナー接続孔２５１を通して、超音波ヘ
ッド７００によって、積層金属箔配線２４０とＩＣウエ
ハ００１のＡｌパッドとの間の基材２１０を排除しつ
つ、積層金属箔配線２４０をＩＣウエハ００１のＡｌパ
ッドに超音波接続する。そしてこの後、接着材３００が
半硬化である場合には、これを完全硬化させる。
上のＩＣウエハ搭載予定領域の全面に接着材３００を塗
布した後、ＩＣウエハ００１を搭載して、位置決め・固
定する。つまり、接着材３００に熱可塑性樹脂を用いる
場合、位置合せ搭載時に接着材３００を加熱することに
より流動性を向上させ、また、接着材３００に熱硬化性
樹脂を用いる場合は、位置合せ搭載時に接着材３００を
流動かつ半硬化させる、ないしは、搭載後に接着材３０
０を半硬化させることによって、ＩＣウエハ００１の固
定とＩＣウエハ００１のＡｌパッド部位の封止とを行
う。この後、インナー接続孔２５１を通して、超音波ヘ
ッド７００によって、積層金属箔配線２４０とＩＣウエ
ハ００１のＡｌパッドとの間の基材２１０を排除しつ
つ、積層金属箔配線２４０をＩＣウエハ００１のＡｌパ
ッドに超音波接続する。そしてこの後、接着材３００が
半硬化である場合には、これを完全硬化させる。
【００４５】図５の（ｃ）に示した工程では、アウター
接続孔２５２にハンダペーストあるいはフラックス付き
ハンダボールを供給かつリフローし、供給したハンダを
積層金属箔配線２４０の裏面と接続して、外部接続用の
ハンダバンプ５００を形成する。
接続孔２５２にハンダペーストあるいはフラックス付き
ハンダボールを供給かつリフローし、供給したハンダを
積層金属箔配線２４０の裏面と接続して、外部接続用の
ハンダバンプ５００を形成する。
【００４６】最後に、図５の（ｄ）に示す工程におい
て、分離部６００をダイサーによってダイシングし、チ
ップサイズパッケージ１０２０を得る。
て、分離部６００をダイサーによってダイシングし、チ
ップサイズパッケージ１０２０を得る。
【００４７】なお、本実施形態においても、インナー接
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣウエハ００１を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
続孔２５１およびアウター接続孔２５２の形成工程は、
ＩＣウエハ００１を接着材３００上に載置固定した後、
超音波接続の前に行うようにしてもよい。
【００４８】続いて、本発明の製造方法を非接触式情報
キャリアの作製に適用した実施形態について述べる。図
６は、本発明の製造方法を適用して作製された非接触式
情報キャリアを示す図である。
キャリアの作製に適用した実施形態について述べる。図
６は、本発明の製造方法を適用して作製された非接触式
情報キャリアを示す図である。
【００４９】非接触式情報キャリアは、信号の送受およ
び電力供給を電磁波で行うため、アンテナコイルが必要
であるが、それ自身電気的には非接触であるため、アウ
ター接続端子は不要である。
び電力供給を電磁波で行うため、アンテナコイルが必要
であるが、それ自身電気的には非接触であるため、アウ
ター接続端子は不要である。
【００５０】図６の（ａ）は、ＰＥＴ（ポリエチレンテ
レフタレート）基材２１１上に形成されたＡｌコイル配
線２３１に、前述した製造方法の実施形態の手法によ
り、ＩＣチップ１００を搭載接続してなる、非接触式情
報キャリア１０３０の主要部分を、ホットメルト９１０
付きＰＥＴカバーシート９００でラミネートするプロセ
スを示す図である。
レフタレート）基材２１１上に形成されたＡｌコイル配
線２３１に、前述した製造方法の実施形態の手法によ
り、ＩＣチップ１００を搭載接続してなる、非接触式情
報キャリア１０３０の主要部分を、ホットメルト９１０
付きＰＥＴカバーシート９００でラミネートするプロセ
スを示す図である。
【００５１】図６の（ｂ）は、ラミネート後の非接触式
情報キャリア１０３０の断面図および破断斜視図であ
る。前述したように、非接触式情報キャリア１０３０は
アウター接続端子が不要なため外部との接続用ハンダバ
ンプは要らない。したがって、配線材料はハンダ接続を
考慮した積層配線は必要でなくＡｌ単体でよい。よっ
て、本発明の製造方法を適用することにより、非常に簡
単な構成で非接触式情報キャリア１０３０を作製するこ
とが可能となる。
情報キャリア１０３０の断面図および破断斜視図であ
る。前述したように、非接触式情報キャリア１０３０は
アウター接続端子が不要なため外部との接続用ハンダバ
ンプは要らない。したがって、配線材料はハンダ接続を
考慮した積層配線は必要でなくＡｌ単体でよい。よっ
て、本発明の製造方法を適用することにより、非常に簡
単な構成で非接触式情報キャリア１０３０を作製するこ
とが可能となる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、従来のフリップチ
ップ実装では接続信頼性を確保するためＩＣチップのＡ
ｌパッドにバンプ形成する必要があり、その分実装コス
トがかかっていたが、本発明によれば、バンプ形成なし
で接続信頼性が確保できるため、低コストなフリップチ
ップ実装が可能となる。さらに、本発明による製造方法
および半導体実装製品は、接着材がＩＣチップの封止機
能も兼備するため、フリップチップ接続後の樹脂封止工
程が省略でき、さらなる低コスト化が期待できる。総じ
て、本発明によれば、特に、チップスケールパッケー
ジ、チップサイズパッケージ、マルチチップモジュー
ル、非接触式情報キャリアなどの半導体実装製品の低コ
スト化に寄与でき、その産業的価値は多大である。
ップ実装では接続信頼性を確保するためＩＣチップのＡ
ｌパッドにバンプ形成する必要があり、その分実装コス
トがかかっていたが、本発明によれば、バンプ形成なし
で接続信頼性が確保できるため、低コストなフリップチ
ップ実装が可能となる。さらに、本発明による製造方法
および半導体実装製品は、接着材がＩＣチップの封止機
能も兼備するため、フリップチップ接続後の樹脂封止工
程が省略でき、さらなる低コスト化が期待できる。総じ
て、本発明によれば、特に、チップスケールパッケー
ジ、チップサイズパッケージ、マルチチップモジュー
ル、非接触式情報キャリアなどの半導体実装製品の低コ
スト化に寄与でき、その産業的価値は多大である。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体実装製品の
製造方法を示すプロセスフロー図である。
製造方法を示すプロセスフロー図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体実装製品の
製造方法を示すプロセスフロー図である。
製造方法を示すプロセスフロー図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体実装製品の
製造方法を示すプロセスフロー図である。
製造方法を示すプロセスフロー図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る半導体実装製品の
製造方法を示すプロセスフロー図である。
製造方法を示すプロセスフロー図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る半導体実装製品の
製造方法を示すプロセスフロー図である。
製造方法を示すプロセスフロー図である。
【図６】本発明の製造方法を適用して作製された非接触
式情報キャリアの実施形態を示す説明図である。
式情報キャリアの実施形態を示す説明図である。
【図７】従来のＩＣチップ電極と配線基板の配線パター
ンとの接続例、およびＩＣチップへのバンプ形成手法例
を示す説明図である。
ンとの接続例、およびＩＣチップへのバンプ形成手法例
を示す説明図である。
００１ ＩＣウエハ １００ ＩＣチップ １１０ Ａｌパッド ２００ シート基板 ２１０ 基材 ２１１ ＰＥＴ基材 ２２０ 金属箔 ２３０ 配線パターン ２３１ Ａｌコイル配線 ２４０ 積層金属箔配線 ２５０ 接続孔 ２５１ インナー接続孔 ２５２ アウター接続孔 ３００ 接着材 ４００ 超音波接続部 ５００ ハンダバンプ ６００ 分離部 ７００ 超音波ヘッド ８００ ワーク支持台 ９００ ＰＥＴカバーシート ９１０ ホットメルト １０００ チップスケールパッケージ １０１０ マルチチップモジュール １０２０ チップサイズパッケージ １０３０ 非接触式情報キャリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 勇 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 大関 良雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AC01 BB04 BB13 CC45 CC46 5F044 KK11 KK13 LL00 LL11
Claims (20)
- 【請求項１】 配線パターン付きシート基板の配線パタ
ーン側に接着材を塗布する工程と、 前記接着材上にＩＣチップの電極パッド側が接するよう
にＩＣチップを載置する工程と、 前記シート基板における前記ＩＣチップの載置面と反対
側の面より超音波を印加して、前記ＩＣチップの電極パ
ッドと前記シート基板の配線パターンとの間に介在する
前記接着材を排除しながら、前記配線パターンを凸状に
変化させ前記電極パッドと前記配線パターンとを超音波
接続する工程とを、有することを特徴とする半導体実装
製品の製造方法。 - 【請求項２】 配線パターン付きシート基板の配線パタ
ーン側に、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂または光・
熱硬化性樹脂を塗布する工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂上に、ＩＣチップの電極パッド側が接す
るようにＩＣチップを載置すると共に、完全硬化より少
ない熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加すること
により、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂また
は前記光・熱硬化性樹脂を半硬化状態にする工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂が半硬化状態において、前記シート基板
における前記ＩＣチップの載置面と反対側の面より超音
波を印加して、前記ＩＣチップの電極パッドと前記シー
ト基板の配線パターンとの間に介在する前記熱硬化性樹
脂または前記光硬化性樹脂または前記光・熱硬化性樹脂
を排除しながら、前記配線パターンを凸状に変化させ前
記電極パッドと前記配線パターンとを超音波接続する工
程と、 十分な熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加するこ
とにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂あ
るいは前記光・熱硬化性樹脂を完全硬化させる工程と
を、有することを特徴とする半導体実装製品の製造方
法。 - 【請求項３】 配線パターン付きシート基板の配線パタ
ーン側に、熱可塑性樹脂を塗布する工程と、 前記熱可塑性樹脂上に、ＩＣチップの電極パッド側が接
するようにＩＣチップを載置すると共に、熱エネルギー
を印加することにより、前記熱可塑性樹脂を流動化させ
た後、前記熱可塑性樹脂を固化させる工程と、 前記シート基板における前記ＩＣチップの載置面と反対
側の面より超音波を印加して、前記ＩＣチップの電極パ
ッドと前記シート基板の配線パターンとの間に介在する
前記熱可塑性樹脂を排除しながら、前記配線パターンを
凸状に変化させ前記電極パッドと前記配線パターンとを
超音波接続する工程とを、有することを特徴とする半導
体実装製品の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れか１つに記載の半
導体実装製品の製造方法において、 前記電極パッドとの接続部位となる位置に、前記シート
基板の基材を除去することによって予め形成した接続孔
を持つ、前記シート基板を用いることを特徴とする半導
体実装製品の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３の何れか１つに記載の半
導体実装製品の製造方法において、 前記した超音波の印加工程の前に、前記シート基板にお
ける前記電極パッドとの接続部位にレーザ加工を行っ
て、前記シート基板の基材を除去して接続孔を穿設する
ことを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至３の何れか１つに記載の半
導体実装製品の製造方法において、 前記した超音波の印加工程時に、前記電極パッドとの接
続部位となる位置の前記シート基板の基材を除去するこ
とを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項７】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまたは
Ａｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／
Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
し、シート基板におけるＩＣチップへの接続部位および
外部回路への接続部位となる位置には、前記シート基板
の基材を除去することによって予め形成したインナー接
続孔およびアウター接続孔をそれぞれ設けた、配線パタ
ーン付きの前記シート基板の配線パターン側に、熱硬化
性樹脂または光硬化性樹脂または光・熱硬化性樹脂を塗
布する工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂上に、前記ＩＣチップの電極パッド側が
接するように前記ＩＣチップを載置すると共に、完全硬
化より少ない熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加
することにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性
樹脂または前記光・熱硬化性樹脂を半硬化状態にする工
程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂が半硬化状態において、前記シート基板
における前記ＩＣチップの載置面と反対側の面より前記
インナー接続孔を通して超音波を印加して、前記ＩＣチ
ップの電極パッドと前記シート基板の配線パターンとの
間に介在する前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂
または前記光・熱硬化性樹脂を排除しながら、前記配線
パターンを凸状に変化させ前記電極パッドと前記配線パ
ターンとを超音波接続する工程と、 十分な熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加するこ
とにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂あ
るいは前記光・熱硬化性樹脂を完全硬化させる工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程とを、有することを特
徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項８】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまたは
Ａｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ／
Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
し、シート基板におけるＩＣチップへの接続部位および
外部回路への接続部位となる位置には、前記シート基板
の基材を除去することによって予め形成したインナー接
続孔およびアウター接続孔をそれぞれ設けた、配線パタ
ーン付きの前記シート基板の配線パターン側に、熱可塑
性樹脂を塗布する工程と、 前記熱可塑性樹脂上に、前記ＩＣチップの電極パッド側
が接するように前記ＩＣチップを載置すると共に、熱エ
ネルギーを印加することにより、前記熱可塑性樹脂を流
動化させた後、前記熱可塑性樹脂を固化させる工程と、 前記シート基板における前記ＩＣチップの載置面と反対
側の面より前記インナー接続孔を通して超音波を印加し
て、前記ＩＣチップの電極パッドと前記シート基板の配
線パターンとの間に介在する前記熱可塑性樹脂を排除し
ながら、前記配線パターンを凸状に変化させ前記電極パ
ッドと前記配線パターンとを超音波接続する工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程とを、有することを特
徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の半導体実装製
品の製造方法において、 前記シート基板には複数の前記ＩＣチップが搭載され、
前記したハンダバンプの形成工程の後に、１個の前記Ｉ
Ｃチップ単位で前記シート基板が切断されることを特徴
とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７または８に記載の半導体実装
製品の製造方法において、 前記シート基板には複数の前記ＩＣチップが搭載され、
前記したハンダバンプの形成工程の後に、２以上の所定
個数のＩＣチップ単位で前記シート基板が切断されるこ
とを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１１】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまた
はＡｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ
／Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
し、シート基板におけるＩＣウエハへの接続部位および
外部回路への接続部位となる位置には、前記シート基板
の基材を除去することによって予め形成したインナー接
続孔およびアウター接続孔をそれぞれ設けた、配線パタ
ーン付きの前記シート基板の配線パターン側に、熱硬化
性樹脂または光硬化性樹脂または光・熱硬化性樹脂を塗
布する工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂上に、前記ＩＣウエハの電極パッド側が
接するように前記ＩＣウエハを載置すると共に、完全硬
化より少ない熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加
することにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性
樹脂または前記光・熱硬化性樹脂を半硬化状態にする工
程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂が半硬化状態において、前記シート基板
における前記ＩＣウエハの載置面と反対側の面より前記
インナー接続孔を通して超音波を印加して、前記ＩＣウ
エハの電極パッドと前記シート基板の配線パターンとの
間に介在する前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂
または前記光・熱硬化性樹脂を排除しながら、前記配線
パターンを凸状に変化させ前記電極パッドと前記配線パ
ターンとを超音波接続する工程と、 十分な熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加するこ
とにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂あ
るいは前記光・熱硬化性樹脂を完全硬化させる工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程と、 前記シート基板と前記ＩＣウエハとが一体化されたもの
から、個別ＩＣパッケージに分離する工程とを、有する
ことを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１２】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまた
はＡｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ
／Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
し、シート基板におけるＩＣウエハへの接続部位および
外部回路への接続部位となる位置には、前記シート基板
の基材を除去することによって予め形成したインナー接
続孔およびアウター接続孔をそれぞれ設けた、配線パタ
ーン付きの前記シート基板の配線パターン側に、熱可塑
性樹脂を塗布する工程と、 前記熱可塑性樹脂上に、前記ＩＣウエハの電極パッド側
が接するように前記ＩＣウエハを載置すると共に、熱エ
ネルギーを印加することにより、前記熱可塑性を流動化
させた後、前記熱可塑性樹脂を固化させる工程と、 前記シート基板における前記ＩＣウエハの載置面と反対
側の面より前記インナー接続孔を通して超音波を印加し
て、前記ＩＣウエハの電極パッドと前記シート基板の配
線パターンとの間に介在する前記熱可塑性樹脂を排除し
ながら、前記配線パターンを凸状に変化させ前記電極パ
ッドと前記配線パターンとを超音波接続する工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程と、 前記シート基板と前記ＩＣウエハとが一体化されたもの
から、個別ＩＣパッケージに分離する工程とを、有する
ことを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１３】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまた
はＡｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ
／Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
した配線パターン付きのシート基板の配線パターン側
に、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂または光・熱硬化
性樹脂を塗布する工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂上に、ＩＣウエハの電極パッド側が接す
るようにＩＣウエハを載置すると共に、完全硬化より少
ない熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加すること
により、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂また
は前記光・熱硬化性樹脂を半硬化状態にする工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂が半硬化状態において、前記シート基板
における前記ＩＣウエハへの接続部位および外部回路へ
の接続部位となる位置に、レーザ加工によって前記シー
ト基板の基材を除去することでインナー接続孔およびア
ウター接続孔を形成する工程と、 前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂または前記光
・熱硬化性樹脂が半硬化状態において、前記シート基板
における前記ＩＣウエハの載置面と反対側の面より前記
インナー接続孔を通して超音波を印加して、前記ＩＣウ
エハの電極パッドと前記シート基板の配線パターンとの
間に介在する前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂
または前記光・熱硬化性樹脂を排除しながら、前記配線
パターンを凸状に変化させ前記電極パッドと前記配線パ
ターンとを超音波接続する工程と、 十分な熱エネルギーあるいは光エネルギーを印加するこ
とにより、前記熱硬化性樹脂または前記光硬化性樹脂あ
るいは前記光・熱硬化性樹脂を完全硬化させる工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程と、 前記シート基板と前記ＩＣウエハとが一体化されたもの
から、個別ＩＣパッケージに分離する工程とを、有する
ことを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１４】 表面がＡｌになるようＡｌ／Ｃｕまた
はＡｌ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｌ／ＮｉまたはＡｌ／Ｃｒ
／Ｃｕから構成された積層金属箔を配線パターン導体と
した配線パターン付きのシート基板の配線パターン側
に、熱可塑性樹脂を塗布する工程と、 前記熱可塑性樹脂上に、ＩＣウエハの電極パッド側が接
するようにＩＣウエハを載置すると共に、熱エネルギー
を印加することにより、前記熱硬化性樹脂を流動化させ
た後、前記光可塑性樹脂を固化させる工程と、 前記シート基板における前記ＩＣウエハへの接続部位お
よび外部回路への接続部位となる位置に、レーザ加工に
よって前記シート基板の基材を除去することでインナー
接続孔およびアウター接続孔を形成する工程と、 前記シート基板における前記ＩＣウエハの載置面と反対
側の面より前記インナー接続孔を通して超音波を印加し
て、前記ＩＣウエハの電極パッドと前記シート基板の配
線パターンとの間に介在する前記熱可塑性樹脂を排除し
ながら、前記配線パターンを凸状に変化させ前記電極パ
ッドと前記配線パターンとを超音波接続する工程と、 前記積層金属箔の裏面のＮｉあるいはＣｕと接続するよ
うに、前記アウター接続孔にハンダを充填することによ
り、ハンダバンプを形成する工程と、 前記シート基板と前記ＩＣウエハとが一体化されたもの
から、個別ＩＣパッケージに分離する工程とを、有する
ことを特徴とする半導体実装製品の製造方法。 - 【請求項１５】 配線パターン付きシート基板上にＩＣ
チップを搭載してなる半導体実装製品において、 前記シート基板の配線パターン側に被着された接着材を
介して前記シート基板に固定されたＩＣチップにおける
電極パッドと、前記シート基板の配線パターンとを、前
記接着材を除去することにより形成された孔を通して、
前記配線パターンを前記電極パッド側に凸状に変形・接
触させることによって、接続させたことを特徴とする半
導体実装製品。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の半導体実装製品に
おいて、 前記配線パターンと前記電極パッドとの接続は、超音波
を印加することによって同種金属同士を接続したもので
あることを特徴とする半導体実装製品。 - 【請求項１７】 請求項１５に記載の半導体実装製品に
おいて、 前記シート基板における前記電極パッドとの接続部位で
は、前記シート基板の基材が除去されていることを特徴
とする半導体実装製品。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の半導体実装製品に
おいて、 前記シート基板の基材の除去は、レーザ加工によってな
されたものであることを特徴とする半導体実装製品。 - 【請求項１９】 請求項１５に記載の半導体実装製品に
おいて、 前記シート基板における外部回路との接続部位では、前
記シート基板の基材が除去されて孔が形成されており、
この孔に充填されたハンダが前記シート基板の配線パタ
ーンと接続されて、前記ハンダによって外部接続用のハ
ンダバンプが形成されていることを特徴とする半導体実
装製品。 - 【請求項２０】 請求項１５乃至１９の何れか１つに記
載の半導体実装製品において、 非接触式情報キャリアに用いるために、前記シート基板
には外部と通信をするためのアンテナが形成されている
ことを特徴とする半導体実装製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36818399A JP2001185583A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体実装製品の製造方法および半導体実装製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36818399A JP2001185583A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体実装製品の製造方法および半導体実装製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185583A true JP2001185583A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18491167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36818399A Pending JP2001185583A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体実装製品の製造方法および半導体実装製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043086A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃタグ、ｉｃタグの製造方法、およびｉｃタグの製造装置、並びに、インターポーザ、インターポーザの製造方法、およびインターポーザの製造装置 |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36818399A patent/JP2001185583A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043086A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃタグ、ｉｃタグの製造方法、およびｉｃタグの製造装置、並びに、インターポーザ、インターポーザの製造方法、およびインターポーザの製造装置 |
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