JP2001177768A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長時間露光時のような暗出力レベルの大きな
画素が大量発生する場合にも画質劣化を最小にとどめた
高画質な画像を得ると共に、システムの破綻を生じない
ようにする。 【解決手段】 ＣＣＤ撮像素子１０５を用いて被写体像
を撮像する撮像装置において、システムコントローラ１
１２に制御の下に、撮像素子１０５の撮像動作状況にお
ける暗出力レベルを検出し、検出した暗出力レベルの値
が大きいものから一定数以下の画素を欠陥画素として検
出し、撮像素子１０５による本撮像時において各画素に
関してその出力画素信号から暗出力レベルの値を減算
し、撮像素子１０５による本撮像時において検出した欠
陥画素に関してはその近傍の画素情報によって補償す
る。つまり、撮像素子１０５の画素毎の欠陥レベルを判
定し、高レベルのものから補償対象として所定数以上の
ものは減算補正の対象とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルカメラ等
の撮像装置に係わり、特に画素欠陥を補うための処理機
能を有した撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオカメラなどの撮像装置は、従来よ
り広く利用されている。近年、主として静止画を撮像記
録する電子スチルカメラも特にデジタルカメラとして普
及するに至り、主として動画記録用であったビデオムー
ビーにおいても静止画撮影記録機能を有するようになっ
てきた。そして、静止画撮影に際して使用される長時間
露光は、撮像素子における電荷蓄積時間を長くすること
によって露光時間を長くし、これによって低照度下でも
ストロボなどの補助照明を使用することなく撮影できる
ようにする技術として知られている。

【０００３】一方、ＣＣＤ等の固体撮像素子において
は、いわゆる暗電流の存在などによる暗出力が存在し、
これが画像信号に重畳されるために画質劣化を来す。こ
の暗出力レベルが大きい画素が存在する場合は画素欠陥
と称され、その画素の出力情報は用いず、近隣の画素の
出力情報を用いて情報を補完することが広く実用されて
いる。

【０００４】本明細書においてはこのような補完処理を
画素欠陥の補償と称する。例えば、使用フレームレート
における動画駆動を前提に決められる所定の（ＮＴＳＣ
では１／６０秒の、或いはこれに基づいて所定のマージ
ンを見た、例えば４倍マージンだと１／１５秒の）標準
露光時間で暗出力を評価し、そのレベルが大きい画素に
ついては欠陥画素と見做して上記画素欠陥補償を適用す
る。

【０００５】そしてさらに、画素欠陥は温度依存や経時
変化を伴うから欠陥画素の評価を工場出荷前に行うだけ
では不十分であるという点について改善をはかった技術
も、特開平６−３８１１３号公報（第１の従来技術）に
開示されている。この公開公報には、電源オン直後にア
イリスを閉じることで受光面を遮光し、カメラの使用に
先立ってＣＣＤ暗出力を評価することで欠陥画素を検出
して、欠陥補償を行う技術が記載されている。

【０００６】一方、暗出力による画質劣化を補う上記と
は異なる方法として、その画素の出力情報を用いて暗出
力レベル分を当該画素信号出力レベルから差し引いて信
号成分だけを取り出すことは、特開昭６０−５３３８３
号公報（第２の従来技術）にも記載されている。本明細
書においてはこのような劣化画素の信号出力から暗出力
分を除去する処理を単に（欠陥或いは劣化等の）補正と
称する。この画素劣化の補正は、劣化画素の暗出力レベ
ルが小さい場合に特に有効で、解像度劣化等を生じず本
来の画素情報が得られる点で優れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、第１の従来
技術のように（工場出荷後の完成品としての）カメラ装
置において欠陥画素を検出して欠陥補償を行うと、記録
画像に画質破綻を来たす虞れがある。何故なら、温度依
存や経時変化によって生じる暗電流増加によって新たに
欠陥画素が検出された場合、この欠陥画素の発生の状況
は一般には予測困難である。これは、特に上記従来技術
をさらに発展応用させて、長時間露光にも適用をはかっ
た場合には深刻な問題となる。

【０００８】即ち、新規な技術提案として「標準露光時
間を超える長時間露光の場合には暗電流の蓄積効果によ
って画素の暗出力レベルがさらに大きくなることを考慮
し、長時間露光の場合にこれに対応した欠陥画素検出を
行い欠陥補償を行う技術」を考案し得るが、このような
場合に生じる劣化は暗電流の蓄積効果によって概略露光
時間に比例して増大することから、最悪の場合は欠陥と
判定される画素が大量発生することもあるわけである。

【０００９】そして、欠陥画素の数が余りに多いと、ど
のように上記画素欠陥補償を適用したとしても、もはや
近隣には補完に用いるべき画像情報を有した画素が存在
しない場合も生じるから、このような場合には鑑賞に耐
える画質の画像を得ることはできないという問題があっ
た。

【００１０】一方、上記したような高温や長時間露光の
場合には暗電流の蓄積によって画素の暗出力レベルが大
きくなることによる問題は、第２の従来技術のような劣
化の補正技術においてもまた問題となるものであった。
何故なら、当該画素の最大出力レベル（飽和レベル）は
暗出力の有無によっても変わることはあり得ないから、
信号補正後の当該画素の最大出力レベルは減算される暗
出力レベルの分だけ小さくなってしまうことになる。従
って、暗出力レベルが小さい時は実質的に無視できると
しても暗出力レベルが大きくなった画素に対して減算に
よる補正を単純に適用すると、その画素の信号は必ず小
さな値にとどまることになってしまう。極端な例とし
て、暗出力レベルがほぼ最大出力レベルに達するような
画素に着目すれば、これは「単に白欠陥を黒欠陥に変換
するだけ」の効果しか持ち得ないことになってしまうも
のであった。

【００１１】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、長時間露光時のような
暗出力レベルの大きな画素が大量発生する場合にも画質
劣化を最小にとどめた高画質な画像を得ると共に、シス
テムの破綻を生じない高性能な撮像装置を提供すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。

【００１３】即ち本発明は、ＣＣＤ等の撮像素子を用い
て被写体像を撮像する撮像装置において、前記撮像素子
の所定の撮像動作状況における暗出力レベルを検出する
暗出力レベル検出手段と、この暗出力レベル検出手段が
検出した暗出力レベルの値が大きいものから所定数以下
の画素を欠陥画素として検出する欠陥画素検出手段と、
前記撮像素子による本撮像時において各画素に関してそ
の出力画素信号から前記暗出力レベルの値を減算する暗
出力補正手段と、前記撮像素子による本撮像時において
前記欠陥画素検出手段が検出した欠陥画素の情報に関し
ては当該画素近傍の画素情報によってこれを補償する画
素欠陥補償手段と、を備えたことを特徴とする。

【００１４】ここで、前記撮像素子に対する露光を遮断
した状態で該撮像素子における電荷蓄積及び読み出し動
作を実行するテスト撮像手段を有し、前記暗出力レベル
検出手段は、前記テスト撮像手段によるテスト撮像によ
って得られた撮像素子出力レベルと、当該本撮像におい
て使用された露出制御における電荷蓄積時間と、に基づ
いて本撮像時の暗出力レベルを算出するものであること
が望ましい。

【００１５】また、前記欠陥画素検出手段は、前記暗出
力レベル検出手段によって得られた前記暗出力レベルの
値を所定の画素欠陥判定レベルと比較することにより欠
陥画素を判定するものであり、一旦判定された欠陥画素
の数が前記所定数を超える場合には、前記画素欠陥判定
レベルを変更した後に再度欠陥画素の判定を行わせるも
のであることが望ましい。

【００１６】さらに、前記画素欠陥判定レベルの初期設
定値は、前記撮像装置における画像取扱いレベルの最大
値の５〜２０％であることが望ましい。

【００１７】（作用）本発明によれば、暗出力レベルの
値が大きいものから所定数以下の画素を欠陥画素として
検出する欠陥画素検出手段と、出力画素信号から暗出力
レベルの値を減算する暗出力補正手段と、欠陥画素の情
報に関しては当該画素近傍の画素情報によってこれを補
償する画素欠陥補償手段とを有しているから、画素欠陥
検出を行うに際して検出する欠陥画素の数を制限しつつ
暗出力レベルの大きい画素に対して優先的に欠陥補償を
適用し、暗出力レベルの小さい画素については暗出力補
正を適用することができる。これにより、画質劣化を最
小にとどめた高画質な画像が得られると共に、システム
の破綻を未然に回避することが可能となる。

【００１８】また、テスト撮像によって得られた撮像素
子出力レベルと本撮像において使用された露出制御にお
ける電荷蓄積時間とに基づいて本撮像時の暗出力レベル
を算出することにより、任意のテスト撮像の露出時間に
関して制約が少なく、例えばレリーズタイムラグを小さ
くできるなど使い勝手の向上をはかることが可能とな
る。

【００１９】また、一旦行った欠陥判定による検出数が
所定値を超える場合には判定レベルを変更して再度欠陥
判定を繰り返すことにより、極めて簡単な処理により求
め得るほぼ最良の画質を得ることができる。さらに、初
期判定レベルを画像取扱いレベルの最大値の５〜２０％
に設定することにより、暗電流が充分低いレベルの画素
を欠陥画素と判定してしまうことや、暗電流が大きい画
素を初期判定から検出しないといった問題を回避するこ
とが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００２１】図１は、本発明の一実施形態に係わるデジ
タルカメラの回路構成を示すブロック図である。

【００２２】図中１０１は各種レンズからなるレンズ
系、１０２はレンズ系１０１を駆動するためのレンズ駆
動機構、１０３はレンズ系１０１の絞りを制御するため
の露出制御機構、１０４はＬＰＦ等のフィルタ系、１０
５は色フィルタを内蔵したＣＣＤカラー撮像素子、１０
６は撮像素子１０５を駆動するためのＣＣＤドライバ、
１０７はＡ／Ｄ変換器等を含むプリプロセス回路、１０
８は色信号生成処理，マトリックス変換処理，その他各
種のデジタル処理を行うためのデジタルプロセス回路、
１０９はカードインターフェース、１１０はＣＦ等のメ
モリカード、１１１はＬＣＤ画像表示系を示している。

【００２３】また、図中の１１２は各部を統括的に制御
するためのシステムコントローラ（ＣＰＵ）、１１３は
各種ＳＷからなる操作スイッチ系、１１４は操作状態及
びモード状態等を表示するための操作表示系、１１５は
レンズ駆動機構１０２を制御するためのレンズドライ
バ、１１６は発光手段としてのストロボ、１１７はスト
ロボ１１６を制御するための露出制御ドライバ、１１８
は各種設定情報等を記憶するための不揮発性メモリ（Ｅ
ＥＰＲＯＭ）を示している。

【００２４】本実施形態のデジタルカメラにおいては、
システムコントローラ１１２が全ての制御を統括的に行
っており、特に露出制御機構１０３に含まれるシャッタ
装置と、ＣＣＤドライバ１０６によるＣＣＤ撮像素子１
０５の駆動を制御して露光（電荷蓄積）及び信号の読み
出しを行い、それをプリプロセス回路１０７を介してデ
ジタルプロセス回路１０８に格納した出力レベル情報を
用いて、以下で説明する暗出力レベルの検出、画素欠陥
の検出等を行うものである。

【００２５】そして、本撮影に際してはデジタルプロセ
ス１０８において、（ａ）予めＥＥＰＲＯＭ１１８に格
納された通常時の欠陥（以下常欠陥と称する：常欠陥画
素数≪２５５とする）に関する欠陥画素のアドレスデー
タ、（ｂ）長時間露光時には、更に撮影に先立って上記
画素欠陥の検出を行った結果の欠陥（以下、検出欠陥と
称す）に関する欠陥画素の画素アドレスデータ、に基づ
いて画素欠陥補償処理を施す。また、これに先立って各
画素信号に関する暗出力補正補正を行う。次に、本実施
形態における暗出力レベルの検出、画素欠陥の検出と補
償及び欠陥画素数制限、暗電流補正に関わる処理を、図
２のフローチャートを参照して説明する。但し、本カメ
ラにおいて信号レベルのデジタル処理は８ビット（０〜
２５５）で行われるものとする。また、後に特記する部
分を除いては常温を仮定して説明する。

【００２６】撮影に先立って、マニュアル設定又は測光
結果に基づいて撮影に必要な露光時間Ｔtotal が設定さ
れる（但し、このカメラのスペックとして最長露光時間
は１０秒とする）。これが本カメラにおける標準露光時
間Ｔstd（任意に設定可能であるがこの例では１／１５
秒とする）よりも短いかどうか、即ちＴtotal≦Ｔstdで
あるか否かを判断する（Ｓ１）。そして、（１）Ｔtota
l ≦ Ｔstd の場合は、特に従来技術と変わりなく本撮
像の撮影トリガー指令を待機し、指令を受けて所定の露
出制御値に基づいた露光を行い（Ｓ２）、撮像信号を読
み出して所定の信号処理を施した後にメモリカード１１
０に記録する（Ｓ４）。その際、上記（ａ）に対応す
る、即ち常欠陥画素についてのみ画素欠陥補償を伴う
（Ｓ３）。また、この場合は暗電流補正は行わない。

【００２７】（２）Ｔtotal ＞ Ｔstd の場合は、まず
実際の撮影に先立って、暗電流レベルの検出とこれを用
いた画素欠陥検出を行う。

【００２８】具体的には、撮影トリガー指令を受けた時
点で、まず露出制御機構１０３に含まれるシャッタ装置
で撮像素子１０３の受光面を遮光した状態でテスト撮像
を行う。即ち、暗黒下でＣＣＤドライバ１０６により露
出時間Ｔtotal の電荷蓄積動作を行ってテスト撮像信号
（暗出力信号）を読み出し、デジタルプロセス１０８に
格納する（Ｓ５）。

【００２９】本実施形態の場合は、テスト撮像時の露出
時間と本撮像時のそれとが同じになるようにしているか
ら、この時得られたテスト撮像信号から本撮像時の暗出
力レベルを算出する際の係数（乗数）は１である。即
ち、テスト撮像信号レベルをそのまま暗出力レベルとし
て用いることができる。

【００３０】次に、格納された全データのうち少なくと
も常欠陥画素を除いた有効出力画素に関して各出力レベ
ルを調べて所定の画素欠陥判定レベルとデジタル比較を
行うことで欠陥判定を行う。初期判定基準は以下のよう
なものである。即ち、着目画素の暗出力レベルがＳであ
ったとして Ｓ＞ＴＨ の場合に欠陥、それ以外（Ｓ≦ＴＨ）の時には非欠陥と
するものである。本カメラではＴＨの初期値として２５
を採用している。

【００３１】この意味は、初期判定に際しては、本撮像
時の暗出力レベルを２５以下（フルレンジ２５５の約１
０％）までは許容するとしたものである（Ｓ６）。ここ
で、出力レベル２５（約１０％）という判定レベルはも
とより唯一絶対的なものではなく、設計時に事情に合わ
せて任意に設定し得るものではあるが、上記程度以下の
適当な値（他に例えば約５％、２０％なども有効）を選
んでおけば、画像に重畳される暗出力が充分小さいか
ら、後記する暗電流補正によってほぼ問題の無い補正が
可能となり、総合的に充分高画質を得ることができる。

【００３２】また、これを０％に選べば暗電流補正が不
要となり、この点ではこれも一つの好適実施形態として
挙げ得るが、ほんの僅かな暗電流の存在のために欠陥画
素と見做され、補完を受ける（即ち、画像情報を全く無
効とされる）画素の数が多くなるため、かえって画質劣
化を招き易い。むしろ比較的低レベルの暗出力に対して
は暗出力補正を積極的に使用することで解像度低下を極
力生じないようにするという点が、本実施形態の特徴の
一つでもある。現実にはこれらのトレードオフ要素を勘
案して初期基準レベルを設定する。そして、このトレー
ドオフの効果が通常十分に発揮される値として、特に５
〜２０％という数値領域が極めて有効である。

【００３３】次に、検出された欠陥に関して、先に説明
したようにＳ＞ＴＨを判定して欠陥画素数を算出する
（Ｓ７）。欠陥の補償は常欠陥も検出欠陥も同様に行わ
れるから、この判定に際してはこれらの欠陥アドレスは
全て同じ欠陥アドレスとして統合された形で処理され
る。そして、この欠陥画素が所定数以下かどうかが判定
される（Ｓ８）。本実施形態のカメラにおいては、欠陥
アドレスの格納は最大２５５個まで可能なようにデジタ
ルプロセス回路１０８内のメモリ領域が確保されてい
る。従って、検出された欠陥画素数が２５５以下の場合
は、その欠陥画素アドレスを欠陥アドレス格納領域に格
納して画素欠陥検出を終了する（Ｓ１０）。

【００３４】検出された欠陥画素数が２５６以上であっ
た場合は、ＴＨ＝ＴＨ＋１０、即ちＴＨ＝３５として
（Ｓ９）、２回目の欠陥判定を行う。即ち、初期判定の
場合は上記のように許容する暗出力レベルを２５とした
が、これでは欠陥画素数が所定値に収まらなかったので
止むを得ず許容暗出力レベルを引き上げた後に欠陥画素
判定を改めて行うものである。そして、検出された欠陥
画素数が２５５以下の場合は、その時点での欠陥画素ア
ドレスを欠陥アドレス格納領域に格納して画素欠陥検出
を終了する。

【００３５】以下同様に、毎回の判定において検出され
た欠陥画素数が２５６以上であった場合はＴＨを１０ず
つ増やして次回の欠陥判定を行い、欠陥画素数が２５５
以下の場合はその時点での欠陥画素アドレスを欠陥アド
レス格納領域に格納して画素欠陥検出を終了する。

【００３６】上記処理に際して、最終的に欠陥画素とし
て検出された画素について考えると、その時のＴＨ以上
の暗出力レベルの画素は全て含まれている。言い換えれ
ば、補償対象外として残されたいずれの画素の暗出力レ
ベルも、補償対象たる欠陥画素の暗出力レベルよりは小
さいことになる。ここで、本実施形態のカメラで併用さ
れている暗出力補正は、適用される画素の暗出力が小さ
ければ小さいほど効果が高い（弊害が少ない）ことを考
慮すれば、上記のような比較的単純な処理によって、少
なくともシステムとして求め得るほぼ最良の画質を確保
していることになる。

【００３７】これとは別にまた、仮想的に極端に性能の
悪い撮像素子を極端な高温下で極端な長時間露光したよ
うな場合を考えると、ＴＨを増やしていっても欠陥画素
数がなかなか２５５以下に収まらない場合が考えられる
が、最後にＴＨ＝２５５になれば必ず欠陥画素は常欠陥
のみ（＜２５５）になる。無論このような場合に実用的
な画質が得られるかどうかは論外ではあるものの、たと
えこのような場合にも少なくともシステム破綻は来さな
いということは現実の撮像装置において極めて有意なこ
とである。

【００３８】さて上記のように画素欠陥検出を終了した
後には、（１）の撮影トリガー指令後と同様に所定の露
出制御値に基づいた、即ち露出時間Ｔtotal の本露光を
行い撮像信号を読み出すが、（２）のケースではさらに
以下のような暗出力補正を施した後に、画素欠陥補償を
行い、その後は（１）と同様に所定の信号処理を施した
後にメモリカード１１０に記録する。

【００３９】ここで、暗出力補正について説明すると、
各画素毎に出力信号から上記暗出力レベルＳを減じる処
理である。この際、欠陥画素についてはいずれにせよそ
の画素情報を用いることはないから、この補正処理を行
っても行わなくてもよいことは勿論である。

【００４０】この時、暗出力補正を先に行ってからその
後に欠陥補償を施すという順序は極めて重要な意味を持
っている。即ち、もしも欠陥補償を先に暗出力補正を後
に行うように構成した場合は、欠陥補償の際に欠陥画素
の情報はその近隣の画素情報で補完されるから、欠陥画
素の暗出力補正に際しては減じるための暗出力レベルＳ
の方もこれに対応した補完データを求めておき、これを
適用する必要が生じる。本実施形態は上記した通りの順
序で処理を行うことによって、このような煩雑な処理を
伴うことなく最適な信号を得ることができるという特徴
的な効果を有している。

【００４１】なお、欠陥補償後において記録に至るまで
の後段の回路における映像信号処理は、（１）（２）共
に共通であるが、その必要に応じて適宜使用されるそれ
自体は公知の、例えば色バランス処理、マトリクス演算
による輝度−色差信号への変換或いはその逆変換処理、
帯域制限等による偽色除去或いは低減処理、γ変換に代
表される各種非線型処理、各種情報圧縮処理、等々であ
る。

【００４２】このように本実施形態によれば、画素欠陥
検出を行うに際し検出する欠陥画素の数を制限しつつ、
暗出力レベルの大きい画素に対して優先的に欠陥補償を
適用し、暗出力レベルの小さい画素については暗出力補
正を適用するから、画質劣化を最小にとどめた高画質な
画像を得ると共に、システムの破綻を生じないようにし
た撮像装置が得られる。

【００４３】なお、上記においては説明を明瞭にするた
めに電荷蓄積時間と露光時間とを同一視しているが、厳
密にはメカニカルシャッタを用いて露光開始前から電荷
蓄積を開始する場合や、或いは露光完了してから所定時
間後に電荷を転送路に移送したり蓄積電荷を転送路に移
送した後所定時間後に転送開始する、いわゆる遅延読み
出しの手法を用いる場合など、この両者は必ずしも一致
しないことがある。しかし、この両者の差はいずれもシ
ステムコントローラ１１２が管理認識しているものであ
るから、必要に応じてこの差を具体的に考慮して上記実
施形態を適用すればよいものである。

【００４４】また、上記以外にも様々な実施形態が考え
られる。まず、テスト撮像時の露光時間設定については
上記実施形態では本露光の露出時間Ｔtotal をそのまま
用いたが、例えばＴtotal／２とか、Ｔtotal／１０に設
定してテスト露光時間を短縮することもできる。この場
合、暗電荷は蓄積時間にほぼ比例することを利用して暗
出力レベルを算出することになる。即ち、テスト撮像時
の露光時間をＴtotal／Ｎに設定した場合は、得られた
テスト撮像信号から本撮像時の暗出力レベルを算出する
際の係数（乗数）はＮとなり、Ｓ＝［テスト撮像信号レ
ベル］×Ｎとして求めた暗出力レベルを用いて以後の欠
陥検出や暗電流補正を行う。無論同様の演算を行うこと
で、少なくともＴtotal が一定値以下の範囲まではテス
ト撮像露光時間に固定値を採用することも可能である。

【００４５】また、ダイレクト測光（実露光時の露光量
の積分値で露光終了を自動制御するもの）の場合には、
予定（予測）している露出時間をテスト撮像露光時間に
採用することも好適である。

【００４６】また、テスト撮像のタイミングについては
本撮影直前が好適ではあるが、これに限定されるもので
はない。例えば、電源投入時、再生モードと切替え可能
なカメラにおける撮影モードへの切替え時、２段レリー
ズスイッチカメラ（２段目が撮影トリガー）における１
段目操作時、別途設けたテスト撮像スイッチの操作時な
ど、目的に応じて任意の時点で行うように構成し得る。
さらに、これを特に本撮像の露光実行後に行うようにし
てもよい。即ち、撮像信号はデジタルプロセス１０８に
デジタル的に記憶されているから、記録のための信号処
理を実行するのを一旦止めておけば、露光後にテスト撮
像を行うことが可能である。

【００４７】このようにした場合、テスト撮像によるレ
リーズラグの増加がない、予め露光時間を決めておく必
要が全くないから、いわゆるバルブシャッタ撮影やタイ
ムシャッタ撮影（いずれも撮影者が任意の時刻に露光終
了を手動制御するもの）、或いはダイレクト測光などの
任意の露光制御にもより簡単に適用可能であるという大
きな特徴的な効果が得られる。

【００４８】なお、上記実施形態で用いているＡ／Ｄ変
換器の量子化レベルに関して補足すれば、現実には、Ａ
／Ｄ変換器のハードウェアの有する誤差特性の存在や、
仮にそれが無いとしても原理的に最小量子化レベル付近
においては量子化誤差は相対的には１００％にも相当す
ることを考慮すれば、上記実施形態に関して実際の量子
化に用いるＡ／Ｄ変換器は、事情が許す場合には画像処
理系の量子化ビット数（実施形態では８ビット）よりも
多い、例えば１０ビット或いは１２ビット程度（それ以
上でもよい）のものを使用することがより好適である。

【００４９】以上本発明のいくつかの実施形態を具体的
に挙げたが、本発明はこれらに限られることなく、特許
請求の範囲に記載の限りにおいて如何なる態様をも取り
得るものであることは言うまでもない。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、暗
出力レベルの値が大きいものから所定数以下の画素を欠
陥画素として検出する欠陥画素検出手段と、出力画素信
号から暗出力レベルの値を減算する暗出力補正手段と、
欠陥画素をその近傍の画素情報によって補償する画素欠
陥補償手段とを設け、画素欠陥検出を行うに際して検出
する欠陥画素の数を制限しつつ暗出力レベルの大きい画
素に対して優先的に欠陥補償を適用し、暗出力レベルの
小さい画素については暗出力補正を適用することによ
り、画質劣化を最小にとどめた高画質な画像が得られる
と共に、システムの破綻を未然に回避することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係わるデジタルカメラの
基本構成を示すブロック図。

【図２】同実施形態における画素欠陥の検出と補償及び
欠陥画素数制限に直接関わる処理を説明するためのフロ
ーチャート。

【符号の説明】

１０１…レンズ系 １０２…レンズ駆動機構 １０３…露出制御機構 １０４…フィルタ系 １０５…ＣＣＤカラー撮像素子 １０６…ＣＣＤドライバ １０７…プリプロセス部 １０８…デジタルプロセス部 １０９…カードインターフェース １１０…メモリカード １１１…ＬＣＤ画像表示系 １１２…システムコントローラ（ＣＰＵ） １１３…操作スイッチ系 １１４…操作表示系 １１５…レンズドライバ １１６…ストロボ １１７…露出制御ドライバ １１８…不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被写体像を撮像するための撮像素子と、 この撮像素子の所定の撮像動作状況における暗出力レベ
   ルを検出する暗出力レベル検出手段と、 この暗出力レベル検出手段が検出した暗出力レベルの値
   が大きいものから所定数以下の画素を欠陥画素として検
   出する欠陥画素検出手段と、 前記撮像素子による本撮像時において各画素に関してそ
   の出力画素信号から前記暗出力レベルの値を減算する暗
   出力補正手段と、 前記撮像素子による本撮像時において前記欠陥画素検出
   手段が検出した欠陥画素の情報に関しては当該画素近傍
   の画素情報によってこれを補償する画素欠陥補償手段
   と、 を備えたことを特徴とする撮像装置。
2. 【請求項２】前記撮像素子に対する露光を遮断した状態
   で該撮像素子における電荷蓄積及び読み出し動作を実行
   するテスト撮像手段を有し、前記暗出力レベル検出手段
   は、前記テスト撮像手段によるテスト撮像によって得ら
   れた撮像素子出力レベルと、当該本撮像において使用さ
   れた露出制御における電荷蓄積時間と、に基づいて本撮
   像時の暗出力レベルを算出するものであることを特徴と
   する請求項１記載の撮像装置。
3. 【請求項３】前記欠陥画素検出手段は、前記暗出力レベ
   ル検出手段によって得られた前記暗出力レベルの値を所
   定の画素欠陥判定レベルと比較することにより欠陥画素
   を判定するものであり、一旦判定された欠陥画素の数が
   前記所定数を超える場合には、前記画素欠陥判定レベル
   を変更した後に再度欠陥画素の判定を行わせるものであ
   ることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
4. 【請求項４】前記画素欠陥判定レベルの初期設定値は、
   前記撮像装置における画像取扱いレベルの最大値の５〜
   ２０％であることを特徴とする請求項３記載の撮像装
   置。