JP2001177000A - バンプ付き多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】バンプ付き多層基板を高い設計の自由度で及び
低いコストで製造することを可能とするバンプ付き多層
基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明のバンプ付き多層基板１の製造方法
は、第１の絶縁層７ａと第１の接続用導体１０ａと第１
の導体パターン或いは導体層８ａとを備えた上部構造２
を形成する工程、第２の絶縁層７ｃと第２の接続用導体
１０ｃと第２の導体パターン８ｃとを備えた下部構造４
を形成する工程、及び上部構造２と下部構造４とを、上
部構造２の第１の導体パターン或いは導体層８ａが形成
された面の裏面が下部構造３の第２の導体パターン８ｃ
が形成された面の裏面と対向するように、及び第１の接
続用導体１０ａと第２の導体パターン８ｃとが接続され
るように貼り合せる工程を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付き多層基
板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、軽量化、高速化、高
機能化等の要求に応えるため、半導体パッケージには、
種々の形態のものが開発されている。このような半導体
パッケージ技術としては、特に、半導体チップの高集積
化による多ピン化の要請と装置の小型化とを両立させる
ため、絶縁層上に形成した金属パターンに半田バンプを
介して半導体チップを接合する、いわゆるフリップチッ
プ方式によるパッケージ技術が知られている。

【０００３】かかる技術においては、上述した絶縁層と
金属パターンとを有するパッケージ用基板として、複数
の金属パターンを絶縁層を介して積層した多層基板が広
く用いられている。しかしながら、このような多層基板
を高い設計の自由度で及び低いコストで製造することは
困難である。

【０００４】例えば、パッケージ用多層基板としては、
ビルドアップタイプの多層基板や、ビア内に導電ペース
トを充填することにより層間接続を行うタイプの多層基
板が使用されているが、前者の製造プロセスによると、
ビアの真上に他のビアを形成することが難しいため配線
の設計が制限されてしまう。一方、後者の製造プロセス
においては、絶縁フィルムの両面に金属パターンを有す
る両面基板の形成、この両面基板の一方の主面への接着
剤層及びビアの形成、並びにビアを形成した面への他の
両面基板の貼り合せが繰り返されるため、非常に多くの
工程が必要である。すなわち、従来の方法では、多層基
板を高い設計の自由度で及び低いコストで製造すること
が困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情を
考慮してなされたものであり、バンプ付き多層基板を高
い設計の自由度で及び低いコストで製造することを可能
とするバンプ付き多層基板の製造方法を提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、積層構造を形成し且つそれぞれが貫通孔
を有する複数の絶縁層と、これら複数の絶縁層の隣り合
うもの同士の間及び最上層の絶縁層の上面にそれぞれ配
置された複数の導体パターンと、これら複数の導体パタ
ーンの最上層の導体パターン上に形成された金属バンプ
と、上記複数の絶縁層の貫通孔内にそれぞれ形成され上
記複数の導体パターンの隣り合うもの同士を接続する複
数の接続用導体とを備えた、半導体チップを回路基板に
搭載するためのバンプ付き多層基板の製造方法であっ
て、第１の貫通孔が設けられた第１の絶縁層と、第１の
貫通孔内に形成された第１の接続用導体と、第１の絶縁
層の一方の主面に形成され第１の接続用導体と接続され
た第１の導体パターン或いは導体層とを備えた上部構造
を形成する工程、第２の貫通孔が設けられた第２の絶縁
層と、第２の貫通孔内に形成された第２の接続用導体
と、第２の絶縁層の一方の主面に形成され第２の接続用
導体に接続された第２の導体パターンとを備えた下部構
造を形成する工程、及び上部構造と下部構造とを、上部
構造の第１の導体パターン或いは導体層が形成された面
の裏面が下部構造の第２の導体パターンが形成された面
の裏面と対向するように、及び第１の接続用導体と第２
の導体パターンとが接続されるように貼り合せる工程を
具備することを特徴とするバンプ付き多層基板の製造方
法を提供する。

【０００７】このバンプ付き多層基板の製造方法は、通
常、第３の貫通孔が設けられた第３の絶縁層と、第３の
貫通孔内に形成された第３の接続用導体と、第３の絶縁
層の前記上部構造と対向する面に形成され第３の接続用
導体に接続された第３の導体パターンとを備えた少なく
とも１つの中間構造を形成する工程をさらに具備し、上
記貼り合せる工程は、上部構造と下部構造との間に上記
少なくとも１つの中間構造を第３の導体パターンが上部
構造と対向するように挟み込み、それらを第１の接続用
導体と第２の導体パターンとが第３の接続用導体及び第
３の導体パターンを介して接続されるように貼り合せる
ことを含む。すなわち、本発明の方法において、バンプ
付き多層基板は上部構造及び下部構造のみを積層した構
造であってもよいが、通常は、少なくとも１つの中間構
造をさらに有している。

【０００８】本発明のバンプ付き多層基板の製造方法に
よると、多層基板は、上述のように、上部構造、下部構
造、及び中間構造をそれぞれ形成した後、これらを一括
して貼り合せることにより得られる。すなわち、本発明
の方法によると、積層接着工程は１回のみであり、した
がって従来に比べて大幅に工程数が削減される。

【０００９】また、本発明のバンプ付き多層基板の製造
方法において、上部構造、下部構造、及び中間構造は、
それぞれ、絶縁層に形成された貫通孔内に接続用導体が
埋め込まれ、絶縁層の一方の主面にのみ導体パターン或
いは導体層が形成された構造を有するように形成され
る。そのため、両面基板を組み合せて多層基板を形成す
る場合等とは異なり、一方の主面に予め導体層が形成さ
れた絶縁層を用いて上部構造、下部構造、及び中間構造
を形成すれば、別途、導体層の成膜を行うことなくバン
プ付き多層基板を製造することができる。

【００１０】しかも、これら上部構造、下部構造、及び
中間構造は、上部構造の導体パターン上に金属バンプが
形成されることを除けば、ほぼ同様の構造を有してい
る。したがって、本発明によると、ほぼ同様のプロセス
で上部構造、下部構造、及び中間構造をそれぞれ作製す
ることができる。すなわち、本発明によると、上部構
造、下部構造、及び中間構造の作製に設備を共用するこ
とが可能である。

【００１１】また、本発明のバンプ付き多層基板の製造
方法によると、上部構造、中間構造、及び下部構造の形
成を並行して行うことができる。したがって、本発明に
よると、製造に要する時間を短縮することが可能とな
る。

【００１２】さらに、本発明のバンプ付き多層基板の製
造方法によると、上部構造、中間構造、及び下部構造の
良否の判断を行った後にこれらを貼り合せることができ
る。本発明の方法では、上部構造、中間構造、及び下部
構造はいずれも極めて簡略化された構造を有しているた
め、最終的なバンプ付き多層基板に比べれば遥かに安価
である。したがって、上部構造、中間構造、及び下部構
造を貼り合せる前にそれらの良否の判断を行って良品が
不良品と貼り合わされるのを防止すれば、低コスト化を
実現することができる。

【００１３】また、本発明のバンプ付き多層基板の製造
方法によると、隣り合う絶縁層間での導体パターンの接
続は、例えば上部構造と中間構造とを重ね合せて、一方
の絶縁層に埋め込まれた接続用導体と他方の絶縁層上に
形成された導体パターンと接触させることにより行われ
る。そのため、本発明の方法によると、ある接続用導体
の真上に他の接続用導体を位置させることも容易であ
り、配線の設計に関して極めて高い自由度を実現するこ
とができる。

【００１４】本発明の方法において、上部構造を形成す
る工程は、導体層上に金属バンプを形成すること及び導
体層をパターニングして第１の導体パターンを形成する
ことを含むことが好ましい。金属バンプの形成や導体層
のパターニングは、上部構造、中間構造、及び下部構造
を貼り合せた後に行うことも可能であるが、上部構造を
形成する工程において行った場合、第１の接続用導体と
金属バンプとを電気メッキにより同時に形成することが
できる。また、この場合、金属バンプ及び第１の導体パ
ターンの形成に伴って生じた不良を、バンプ付き多層基
板を完成する前に検出することができる。

【００１５】上部構造を形成する工程で金属バンプと第
１の導体パターンとを形成する場合、導体層のパターニ
ングは金属バンプの形成後に行うことが好ましい。導体
層をパターニングする前であれば、電気メッキによる金
属バンプの形成を容易に行うことができる。

【００１６】本発明の方法において、絶縁層を構成する
材料としては、例えば、ポリイミド層とＢステージ状態
のエポキシ層との積層体のような接着剤層を有する高分
子フィルムやガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて
これをＢステージ状態とした、所謂プリプレグのような
複合材料、或いはヒートシール性を有する材料などを用
いることができる。なお、本発明の方法において、上部
構造、中間構造、及び下部構造に用いられる全ての絶縁
層が接着性を有している必要はない。例えば、上部構造
及び中間構造で接着性の絶縁層を用い、下部構造で非接
着性の絶縁層を用いることもできる。

【００１７】導体パターン或いは導体層を構成する材料
としては、Ｃｕのような金属材料等を用いることができ
る。

【００１８】接続用導体を構成する材料としては、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）等を用いることがで
きる。

【００１９】また、金属バンプを構成する材料として
は、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）等が挙げられるが、特に半
田が好ましい。

【００２０】金属バンプ及び接続用導体は、いずれも多
層構造を有するものとすることができる。この場合、こ
れらは、半田からなる最上層と、半田よりも高い融点を
有する金属、例えばＣｕ、Ｎｉからなる下層とを含むも
のとすることができる。

【００２１】本発明の方法において、絶縁層への貫通孔
の形成は、炭酸ガスレーザのようなレーザ等を用いて行
うことができる。炭酸ガスレーザによる孔あけのエネル
ギー密度は、絶縁層の材質、厚み、孔のサイズによって
異なることから、適宜設定することができる。

【００２２】上部構造及び中間構造を構成する絶縁層に
形成される貫通孔は、金属バンプ側とは反対側に向かっ
て好ましくは１５°以上、より好ましくは３０°以上の
角度で広がるようにテーパした内壁を有することが望ま
しい。この場合、メッキにより接続用導体を形成する際
に接続用導体と絶縁層との間に気泡が残留するのを防止
することができるのとともに、隣り合う絶縁層の一方の
接続用導体と他方の導体パターンとの接続をより確実な
ものとすることができる。

【００２３】また、下部構造を構成する絶縁層に形成さ
れる孔は、上部構造とは反対側に向かって広がるよう
に、１５°以上、好ましくは４５°以上のテーパ角の内
壁を有することが望ましい。このようなテーパ角の内壁
を有する孔は、絶縁フィルムに小エネルギーの炭酸ガス
レーザを、多いパルス数で照射することにより、または
絶縁フィルムに、炭酸ガスレーザをディフォーカスして
照射することにより、形成することが可能である。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しながらより詳細に説明する。

【００２５】図１は、本発明の一実施形態に係る金属バ
ンプ付き多層基板を概略的に示す断面図である。図１に
示す金属バンプ付き多層基板１は、上部構造２と中間構
造３と下部構造４とが積層された三層構造を有してい
る。この金属バンプ付き多層基板１は、上部構造２側に
半導体チップを搭載し、下部構造４側で回路基板との接
続を行うものである。

【００２６】上部構造２は、高分子フィルム５ａと接着
剤層６ａとの積層構造からなる絶縁層７ａを有してい
る。絶縁層７ａの高分子フィルム５ａ上には、第１の導
体パターンとして銅パターン８ａが形成されており、こ
の銅パターン８ａ上に半田等からなる金属バンプ９が形
成されている。また、絶縁フィルム７ａには、底面が銅
パターン８ａで構成された貫通孔であるビアホールが形
成されており、このビアホール内に埋め込まれた半田等
の金属材料が接続用導体１０ａを形成している。

【００２７】中間構造３は、高分子フィルム５ｂと接着
剤層６ｂとの積層構造からなる絶縁層７ｂを有してい
る。中間構造３は高分子フィルム５ｂが上部構造２の接
着剤層６ａと接するように配置されている。絶縁層７ｂ
の高分子フィルム５ｂ上には、第２の導体パターンとし
て銅パターン８ｂが形成されており、この銅パターン８
ｂは上部構造２の接続用導体１０ａと接続されている。
また、絶縁フィルム７ｂには、底面が銅パターン８ｂで
構成された貫通孔であるビアホールが形成されており、
このビアホール内に埋め込まれた半田等の金属材料が接
続用導体１０ｂを形成している。

【００２８】下部構造４は、中間構造３の接着剤層６ｂ
と接して配置された高分子フィルムからなる絶縁層７ｃ
を有している。絶縁層７ｃの接着剤層６ｂ側の面には、
第３の導体パターンとして銅パターン８ｃが形成されて
おり、この銅パターン８ｃは中間構造３の接続用導体１
０ｂと接続されている。また、絶縁フィルム７ｃには、
底面が銅パターン８ｃで構成された貫通孔が形成されて
おり、この貫通孔内に埋め込まれたＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、
半田等の金属材料が接続用導体１０ｃを形成している。

【００２９】この接続用導体１０ｃは、多層基板１を回
路基板上に実装するための接合部として用いられる。す
なわち、接続用導体１０ｃ上に半田ボールやクリーム半
田が供給され、これらを介して回路基板の導体との接続
が行われる。

【００３０】なお、一般に、導体パターンの厚さは１０
〜１８μｍ程度と薄いため、このような導体パターンと
回路基板とを半田を介して接合する構造では、導体パタ
ーンに応力が加わり、導体パターンが破断することがあ
る。しかしながら、図１に示すように、絶縁フィルム７
ｃに形成した接続用導体１０ｃと回路基板とを半田を介
して接合する構造を採用した場合、そのような破断を生
ずることはない。

【００３１】以上説明した図１に示すバンプ付き多層基
板１の製造方法について、図２〜図８を参照しながら説
明する。最初に、上部構造２の形成方法について、図２
〜図４を参照して工程順に説明する。

【００３２】上部構造２を形成するに当り、まず、図２
（ａ）に示すように、例えば、厚さ１２μｍの銅箔８ａ
の一方の主面に厚さ２５μｍのポリイミド層５ａと厚さ
３０μｍのＢステージ状態のエポキシ層６ａとからなる
絶縁層７ａを有する材料を用意する。次いで、図２
（ｂ）に示すように、ポリイミド層５ａ及びエポキシ層
６ａの所定の位置に、ビアホールとして銅箔８ａに達す
る１００μｍ径の孔を炭酸ガスレーザを用いて形成し
た。炭酸ガスレーザによる穴あけ時に孔及びその周辺に
付着したカーボンは、ブラスト処理によって機械的に除
去した。

【００３３】次に、図２（ｃ）に示すように、銅箔８ａ
上に厚さ２５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム１
５をラミネートした後、図２（ｄ）に示すように、半田
バンプ部がポジパターンとなるフォトマスク１６を介し
て感光性ドライフィルム１５を露光した。露光光源とし
ては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１６０ｍＪ／
ｃｍ²とした。

【００３４】次に、図３（ｅ）に示すように、感光性ド
ライフィルム１５を液温３０℃の１ｗｔ％Ｎａ₂ＣＯ₃水
溶液を用いて現像し、レジストパターン１７を形成し
た。

【００３５】そして、図３（ｆ）に示すように、錫９
６．５銀３．５組成の半田を電気メッキすることによ
り、高さ１０μｍのバンプ８と厚さ４０μｍの接続用電
極１０ａとを同時に形成した。メッキ浴としては、ＡＳ
５１３系浴（商品名：石原薬品社製）を用いた。

【００３６】そして、図３（ｇ）に示すように、レジス
トパターン１７を剥離した。剥離液としては、液温４５
℃の３％ＮａＯＨ水溶液を用いた。その後、図３（ｈ）
に示すように、銅箔８ａから回路パターンを形成するた
めに、電着フォトレジスト（プライムコートＡＮ−３０
０：関西ペイント社製）を電着塗工して電着フォトレジ
スト膜１９を形成し、これを８０℃で１０分間乾燥し
た。

【００３７】その後、図４（ｉ）に示すように、導体回
路がネガパターンとなるフォトマスク２０ａを介して電
着フォトレジスト層１９を露光した。露光光源として
は、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１００ｍＪ／ｃ
ｍ²とした。

【００３８】そして、電着フォトレジスト層１９を現像
し、図４（ｊ）に示すように、電着フォトレジストパタ
ーン２１を形成した。現像液としては、液温３０℃の１
ｗｔ％Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液を用いた。次いで、図４（ｋ）
に示すように、電着フォトレジストパターン２１をマス
クとして用いて、銅箔８ａの露出した部分をアルカリエ
ッチング溶液によりエッチングし、回路パターンである
銅箔パターン８ａを形成した。

【００３９】その後、電着フォトレジストパターン２１
を液温４５℃の３％ＮａＯＨ水溶液剥離液により剥離し
て、図４（ｌ）に示すように、金属バンプ９を有しビア
が半田からなる接合用導体１０ａで埋め込まれた上部構
造２を得た。

【００４０】次に、中間構造３の形成方法について、図
５及び図６を参照して工程順に説明する。中間構造を形
成するに当り、まず、図５（ａ）に示すように、厚さ１
２μｍの銅箔８ｂの片面に、厚さ２５μｍのポリイミド
層５ｂと厚さ３０μｍのＢステージ状態のエポキシ層６
ｂとからなる絶縁層７ｂを有する材料を用意する。次い
で、図５（ｂ）に示すように、ポリイミド層５ｂ及びエ
ポシキ層６ｂの所定の位置に、ビアホールとして銅箔８
ｂに達する１００μｍ径の孔を炭酸ガスレーザを用いて
形成した。炭酸ガスレーザによる穴あけ時に孔及びその
周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理によって機械
的に除去した。

【００４１】次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔８ｂ
上に厚さ２５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム２
５をラミネートした。その後、銅箔８ｂを電極として錫
９６．５銀３．５組成の半田を電気メッキし、孔内に半
田からなる接続用導体１０ｂを形成した。メッキ浴とし
ては、ＡＳ５１３系浴（商品名：石原薬品社製）を用い
た。

【００４２】次に、図５（ｄ）に示すように、回路パタ
ーンがネガパターンとなるフォトマスク２０ｂを介して
感光性ドライフィルム２５を露光した。露光光源として
は、超高圧水銀ランプを用い、照射量は１００ｍＪ／ｃ
ｍ²とした。

【００４３】次に、図６（ｅ）に示すように、感光性ド
ライフィルム２５を液温３０℃の１ｗｔ％Ｎａ₂ＣＯ₃水
溶液を用いて現像してレジストパターン２６を形成し
た。

【００４４】次いで、図６（ｆ）に示すように、銅箔８
ｂの露出した部分をアルカリエッチング溶液によりエッ
チングして、回路パターンである銅箔パターン８ｂを形
成した。

【００４５】その後、レジストパターン２６を液温４５
℃の３％ＮａＯＨ水溶液剥離液により剥離することによ
り、図６（ｇ）に示すように、ビアが半田からなる接合
用導体１０ｂで埋め込まれた中間構造３を得た。

【００４６】次に、Ｂステージ状態のエポキシ層６ｂを
有していない材料を用いたこと以外は中間構造３に関し
て説明したのとほぼ同様の方法により下部構造４を形成
した。なお、下部構造４の接続用導体１０ｃを形成する
ための電気メッキは２回に分けて行ってもよい。例え
ば、図７に示すように、最初にＣｕメッキを行った後に
半田メッキを行うことにより、銅箔パターン８ｃ側から
Ｃｕ層２７及び半田層（例えば、錫９６．５銀３．５組
成の半田からなる）２８が順次積層された構造の接続用
導体１０ｃを得ることができる。

【００４７】次に、上述した方法により得られた上部構
造２、中間構造３、及び下部構造４を図８（ａ）に示す
ように位置合わせした。その後、これらを重ね合せて、
真空プレス機を用いて１０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力を２０分
間印加し、さらに、温度１７０℃・真空度５０ｔｏｒｒ
以下の条件下で３０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力を６０分間印加
することにより、図８（ｂ）に示すように上部構造２、
中間構造３、及び下部構造４を相互に接着した。以上の
ようにして、図１に示すバンプ付き多層基板１を得た。

【００４８】上述した実施形態によると、バンプ８は、
上部構造２、中間構造３、及び下部構造４を貼り合せる
前にフォトリソグラフィー技術と電気メッキ技術を用い
て形成される。そのため、バンプ８同士の距離を狭める
こと、すなわちファインピッチバンプの形成を容易に行
うことができる。

【００４９】また、上記方法によると、従来の方法のよ
うにバンプの周囲にソルダーレジスト層を形成しないた
め、金属バンプを高く形成する必要がない。したがっ
て、金属バンプ９の形成が容易であり、且つ短時間で金
属バンプ９を形成することができる。また、ソルダーレ
ジスト層を形成するための工程や、これを実施すること
に伴う歩留まり低下を生じないことから、製造コストを
低減することが可能である。

【００５０】本実施形態に係る方法によると、多層基板
１における各導体パターン８ａ〜８ｃの接続は、絶縁層
７ａ，７ｂに埋め込まれた接続用導体１０ａ，１０ｂを
介して行われる。そのため、本方法によると、ビアの直
上にビアを配置できる等、配置に関する自由度が高く、
これにともない導体パターン８ａ〜８ｃの設計の自由度
が大きくなり、多層基板１の小型化や積層数の低減が可
能である。

【００５１】また、本実施形態に係る方法によると、途
中工程において導体パターン８ａ〜８ｃに不良がないこ
とが確認された上部構造２、中間構造３、及び下部構造
４を一括積層することができるため、製造歩留まりを向
上させることができるのとともに、従来工法に比べプレ
ス積層工程に要する工数が少なくなり、製造コストを低
減することができる。

【００５２】また、上述した実施形態では、導体パター
ン８ａをエッチングにより形成する前に金属バンプ９を
形成したが、既に導体パターンが形成された基板に金属
バンプを形成すること、例えば、電気メッキ用給電パタ
ーンを形成しておき、バンプを電気メッキ法で形成した
後に、給電パターンを切断することも可能である。しか
しながら、この方法では、導体パターンの形状によって
は給電パターンを形成することが困難な場合がある。ま
た、後に給電パターンを切断するための工程が必要とな
る。また、他の方法としては、クリーム半田や半田ボー
ルを導体パターンのバンプ形成位置に載置し、これをロ
ウ付けする方法もある。しかしながら、この方法では、
導体パターン上に半田が濡れ広がってしまうことを防止
するため、ソルダーレジスト層を形成しなければならな
い。さらに、この方法で形成された半田バンプは球状を
なすため、金属バンプ同士を狭い間隔で形成することが
困難となる。

【００５３】これに対し、本実施形態に係る金属バンプ
付き多層基板１の製造方法では、エッチングにより導体
パターン８ａを形成する前に金属バンプ９を形成するの
で、電気メッキ用給電パターンを設ける必要がない。ま
た、ロウ付け等によらず、電気メッキ法により金属バン
プ９を形成することから、導体パターン８ａ上への半田
バンプの濡れ広がりを防止するためのソルダーレジスト
層を形成する必要がなく、製造工程を簡略化できるとと
もに、柱状体の金属バンプ９を容易に形成することがで
きる。したがって、上述した実施形態のように、導体パ
ターン８ａを形成する前に金属バンプ９を形成すること
が好ましい。

【００５４】なお、上述した実施形態において、絶縁層
７ａ及び７ｂは、ポリイミド層とＢステージ状態のエポ
キシ層とで構成されているが、別の材料として、ガラス
クロスにエポキシ樹脂を含浸させこれをＢステージ状態
とした、いわゆるプリプレグを用いることもできる。ま
た、上述した実施形態では三層構造のバンプ付き多層基
板１を製造することについて説明したが、積層数の異な
るバンプ付き多層基板についても同様の方法で製造する
ことができる。例えば、二層構造のバンプ付き多層基板
を製造する場合は、上部構造２と下部構造３とを貼り合
せればよい。また、積層数を４層以上とする場合は、中
間構造３を複数形成し、これら中間構造が上部構造２と
下部構造３との間に位置するように貼り合せればよい。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のバンプ付
き多層基板の製造方法によると、多層基板は、上部構
造、下部構造、及び中間構造をそれぞれ形成した後、こ
れらを一括して貼り合せることにより得られる。また、
本発明のバンプ付き多層基板の製造方法によると、隣り
合う絶縁層間での導体パターンの接続は、例えば上部構
造と中間構造とを重ね合せて、一方の絶縁層に埋め込ま
れた接続用導体と他方の絶縁層の導体パターンと接触さ
せることにより行われるため、ある接続用導体の真上に
他の接続用導体を位置させることも容易であり、配線の
設計に関して極めて高い自由度を実現することができ
る。

【００５６】すなわち、本発明によると、バンプ付き多
層基板を高い設計の自由度で及び低いコストで製造する
ことを可能とするバンプ付き多層基板の製造方法が提供
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る金属バンプ付き多層
基板を概略的に示す断面図。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、図１に示す金属
バンプ付き多層基板の上部構造の形成工程を概略的に示
す断面図。

【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、図１に示す金属
バンプ付き多層基板の上部構造の形成工程を概略的に示
す断面図。

【図４】（ｉ）〜（ｌ）は、それぞれ、図１に示す金属
バンプ付き多層基板の上部構造の形成工程を概略的に示
す断面図。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、図１に示す金属
バンプ付き多層基板の中間構造の形成工程を概略的に示
す断面図。

【図６】（ｅ）〜（ｇ）は、それぞれ、図１に示す金属
バンプ付き多層基板の中間構造の形成工程を概略的に示
す断面図。

【図７】図１に示す金属バンプ付き多層基板の下部構造
の他の例を概略的に示す断面図。

【図８】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１に示す金
属バンプ付き多層基板の上部構造、中間構造、及び下部
構造の貼り合せ工程を概略的に示す断面図。

【符号の説明】 １…金属バンプ付き多層基板 ２…上部構造 ３…中間構造 ４…下部構造 ５ａ〜５ｃ…高分子フィルム ６ａ，６ｂ…接着剤層 ７ａ〜７ｃ…絶縁層 ８ａ〜８ｃ…導体パターン ９…金属バンプ １０ａ〜１０ｃ…接続用導体 １５，２５…ネガタイプ感光性ドライフィルム １６，２０ａ，２０ｂ…フォトマスク １７，２６…レジストパターン １９…電着フォトレジスト膜 ２１…電着フォトレジストパターン ２７…Ｃｕ層 ２８…半田層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】積層構造を形成し且つそれぞれが貫通孔を
   有する複数の絶縁層と、該複数の絶縁層の隣り合うもの
   同士の間及び最上層の絶縁層の上面にそれぞれ配置され
   た複数の導体パターンと、該複数の導体パターンの最上
   層の導体パターン上に形成された金属バンプと、前記複
   数の絶縁層の貫通孔内にそれぞれ形成され前記複数の導
   体パターンの隣り合うもの同士を接続する複数の接続用
   導体とを備えた、半導体チップを回路基板に搭載するた
   めのバンプ付き多層基板の製造方法であって、 第１の貫通孔が設けられた第１の絶縁層と、前記第１の
   貫通孔内に形成された第１の接続用導体と、前記第１の
   絶縁層の一方の主面に形成され前記第１の接続用導体と
   接続された第１の導体パターン或いは導体層とを備えた
   上部構造を形成する工程、 第２の貫通孔が設けられた第２の絶縁層と、前記第２の
   貫通孔内に形成された第２の接続用導体と、前記第２の
   絶縁層の一方の主面に形成され前記第２の接続用導体に
   接続された第２の導体パターンとを備えた下部構造を形
   成する工程、及び前記上部構造と前記下部構造とを、前
   記上部構造の前記第１の導体パターン或いは導体層が形
   成された面の裏面が前記下部構造の前記第２の導体パタ
   ーンが形成された面の裏面と対向するように、及び前記
   第１の接続用導体と前記第２の導体パターンとが接続さ
   れるように貼り合せる工程を具備することを特徴とする
   バンプ付き多層基板の製造方法。
2. 【請求項２】第３の貫通孔が設けられた第３の絶縁層
   と、前記第３の貫通孔内に形成された第３の接続用導体
   と、前記第３の絶縁層の前記上部構造と対向する面に形
   成され前記第３の接続用導体に接続された第３の導体パ
   ターンとを備えた少なくとも１つの中間構造を形成する
   工程をさらに具備し、 前記貼り合せる工程は、前記上部構造と前記下部構造と
   の間に前記少なくとも１つの中間構造を前記第３の導体
   パターンが前記上部構造と対向するように挟み込み、そ
   れらを前記第１の接続用導体と前記第２の導体パターン
   とが前記第３の接続用導体及び前記第３の導体パターン
   を介して接続されるように貼り合せることを含む請求項
   １に記載のバンプ付き多層基板の製造方法。
3. 【請求項３】前記上部構造を形成する工程は、前記導体
   層上に金属バンプを形成すること及び前記導体層をパタ
   ーニングして前記第１の導体パターンを形成することを
   含む請求項１または２に記載のバンプ付き多層基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】前記導体層のパターニングを前記金属バン
   プの形成後に行うことを特徴とする請求項３に記載のバ
   ンプ付き多層基板の製造方法。
5. 【請求項５】前記第１の接続用導体と前記金属バンプと
   を電気メッキにより同時に形成することを特徴とする請
   求項３または４に記載のバンプ付き多層基板の製造方
   法。