JP2001168286A - 過熱保護機能付き半導体装置の制御回路 - Google Patents
過熱保護機能付き半導体装置の制御回路Info
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Abstract
過熱保護機能付き半導体装置の制御回路を提供するこ
と。 【解決手段】 過熱保護機能付き半導体装置の制御回路
は、ワンチップ上に半導体素子33と過熱保護手段34
〜37とを搭載した加熱保護機能付き半導体装置3を制
御するために、制御手段1と出力状態検出手段5とを備
えている。制御手段1は、半導体素子33にPWM制御
信号を供給する。出力状態検出手段5は、加熱保護手段
34〜37の過熱保護動作時に加熱保護機能付き半導体
装置3の出力異常状態を検出する。制御手段1は、出力
状態検出手段5からの検出出力を所定の監視タイミング
で監視し、検出出力が所定回数または所定時間の間継続
して発生した場合は、半導体素子33への上記PWM制
御信号の供給を停止するように制御する。
Description
半導体装置の制御回路に関する。
装置の制御回路の一例を示す回路図である。制御回路
は、マイクロコンピュータ1と、増幅回路2と、過熱保
護機能付き半導体装置3と、負荷4とから構成される。
付き半導体装置3の制御を行うための制御信号、たとえ
ばPWM(Pulse Width Modulation)制御信号を内部生
成して(または、図示しない外部信号源から取り込ん
で)、出力ポートP1から出力する。
23,24と抵抗25,26,27,28,29,3
0,31,32からなるプッシュプル型増幅回路であ
る。
施の形態では過熱保護機能付きMOSFETであり、ワ
ンチップ上に搭載された、MOSFET33と、MOS
FET33のゲートとゲート端子G間に接続されたゲー
ト抵抗34と、ソース端子SとMOSFET33のソー
ス間に接続された温度検出回路35と、温度検出回路3
5の温度検出出力をラッチするラッチ回路36と、MO
SFET33のゲートとソース間に接続されラッチ回路
36の出力で制御されるゲート遮断回路37とから構成
されている。MOSFET33のドレインは、+B電源
に接続されたドレイン端子Dに接続され、ソースはソー
ス端子Sに接続されている。
抗34と、温度検出回路35と、ラッチ回路36と、ゲ
ート遮断回路37との協動により行われる。
シグナルを示すウインカ(フラッシャ)に利用されるラ
ンプである。
タ1の出力ポートP1からPWM制御信号が出力され、
増幅回路2で増幅され、抵抗32を介して過熱保護機能
付き半導体装置3のゲート端子Gに供給される。
れたPWM信号により、MOSFET33がオン/オフ
動作して、そのソースに増幅されたPWM制御信号が生
じ、ソース端子Sを介して負荷4に供給される。負荷4
は、供給されたPWM制御信号により点滅点灯するよう
に駆動される。
生すると、その発生後に最初に到来するPWM制御信号
により、MOSFET33のドレイン、ソース間に大電
流が流れ、それによりチップの温度が上昇する。このチ
ップの温度上昇は、温度検出回路35で検出され、検出
出力がラッチ回路36に供給される。次いで、ラッチ回
路36の出力はゲート遮断回路37に供給される。ゲー
ト遮断回路37は、ラッチ回路36の出力で制御され、
MOSFET33のゲート入力を遮断するように保護動
作する。したがって、MOSFET33に大電流が流れ
なくなり、チップの温度が下降する。
御信号の立ち上がり電圧で、ラッチ回路36及びゲート
遮断回路37は解除される。そのため、再びMOSFE
T33のドレインとソース間に大電流が流れ、チップの
温度が再度上昇する。このチップの温度上昇は、温度検
出回路35で検出され、その検出出力によりラッチ回路
36及びゲート遮断回路37が再び保護動作する。以下
同様に、PWM制御信号が立ち上がる毎に保護動作が行
われる。
ンピュータ1から増幅回路2を介して供給されるPWM
制御信号によるMOSFET33のゲート電圧の立ち上
がり時間をtG(ON) とし、ゲート電圧が立ち下がる時間
をtG(OFF)とすると、正常動作時は、ソース電圧波形
は、ゲート電圧波形と同じになる。
ート時には、ソース電圧波形は、保護動作のたびに立ち
上がり時間tG(ON) から次第に短くなるタイミングで立
ち下がる波形となる。
上、保護動作回数に限界があるため、PWM制御信号が
印加された状態で負荷4のショートが起こった場合、数
十秒から数分でMOSFETが破壊されてしまうことが
あった。
導体装置が破壊される可能性を軽減できる過熱保護機能
付き半導体装置の制御回路を提供することを目的とす
る。
て、請求項1記載の発明の過熱保護機能付き半導体装置
の制御回路は、ワンチップ上に半導体素子33と過熱保
護手段34〜37とを搭載した加熱保護機能付き半導体
装置3の制御回路であって、上記半導体素子33にPW
M制御信号を供給する制御手段1と、上記加熱保護手段
34〜37の過熱保護動作時に上記加熱保護機能付き半
導体装置3の出力異常状態を検出する出力状態検出手段
5とを備え、上記制御手段1は、上記出力状態検出手段
5からの検出出力を所定の監視タイミングで監視し、上
記検出出力が所定回数または所定時間の間継続して発生
した場合は、上記半導体素子33への上記PWM制御信
号の供給を停止するように制御することを特徴とする。
能付き半導体装置の制御回路は、ワンチップ上に半導体
素子33と過熱保護手段34〜37とを搭載した加熱保
護機能付き半導体装置3を制御するために、制御手段1
と出力状態検出手段5とを備えている。制御手段1は、
半導体素子33にPWM制御信号を供給する。出力状態
検出手段5は、加熱保護手段34〜37の過熱保護動作
時に加熱保護機能付き半導体装置3の出力異常状態を検
出する。制御手段1は、出力状態検出手段5からの検出
出力を所定の監視タイミングで監視し、検出出力が所定
回数または所定時間の間継続して発生した場合は、半導
体素子33への上記PWM制御信号の供給を停止するよ
うに制御する。
載の過熱保護機能付き半導体装置の制御回路において、
前記半導体素子33はMOSFETであり、前記過熱保
護手段は、温度検出回路35、ラッチ回路36及びゲー
ト手段回路37を含むことを特徴とする
33はMOSFETであり、過熱保護手段は、温度検出
回路35、ラッチ回路36及びゲート手段回路37を含
む。
たは2記載の過熱保護機能付き半導体装置の制御回路に
おいて、前記制御手段1は、前記PWM制御信号の立ち
上がり時間tG(ON) プラス所定の時間ts(ただし、t
s<tG(OFF)(前記PWM制御信号の立ち下がり時間)
−tG(ON) )ごとの前記監視タイミングで、定期的に前
記出力状態検出手段5からの検出出力を監視することを
特徴とする。
は、PWM制御信号の立ち上がり時間tG(ON)プラ
ス所定の時間ts(ただし、ts<tG(OFF)(前記PW
M制御信号の立ち下がり時間)−tG(ON) )ごとに、定
期的に出力状態検出手段5からの検出出力を監視する。
て図面を参照して説明する。
導体装置の制御回路の実施の形態を示す回路図である。
示す従来の制御回路と同一構成に加えて、出力状態検出
手段としての出力状態検出部5を備え、その検出出力を
制御手段としてのマイクロコンピュータ1の入力ポート
P2に供給する構成を有することを特徴とする。出力状
態検出部5は、過熱保護機能付き半導体装置3のソース
端子と、マイクロコンピュータ1の入力ポートP2の間
に接続された抵抗51と、過熱保護機能付き半導体装置
3のソース端子と接地の間に接続された抵抗52とから
なる。
の監視タイミング、すなわち、MOSFET33のゲー
ト電圧のtG(ON) プラス所定時間ts(ただし、ts<
tG( OFF)−tG(ON) )ごとに、MOSFET33の出力
電圧、すなわちソース電圧を出力状態検出部5で検出
し、その出力状態がハイレベル(HI)にあるかまたは
ローレベル(LO)にあるかに基づいて加熱保護機能が
動作しているか否かを、マイクロコンピュータ1で検出
することが特徴である。所定時間tsは、好適には、t
G(OFF)−tG(ON) にできるだけ近い時間に設定される。
イクロコンピュータ1の出力ポートP1から出力された
PWM制御信号が、増幅回路2で増幅され、MOSFE
T33のゲートに供給されて、PWM制御が行われてい
る時、マイクロコンピュータ1は、連続するPWM制御
信号の立ち上がりと立ち下がりに対して、立ち上がり時
間tG(ON) +所定時間ts(ただし、ts<tG(OFF)−
tG(ON) )ごとに監視タイミングで、MOSFET33
の出力電圧、すなわちソース電圧を出力状態検出部5で
検出する。
の状態が正常であれば、PWM制御信号によるMOSF
ET33のゲート電圧の各々の立ち上がり時間tG(ON)
で立ち上がり、各々の立ち下がり時間tG(OFF)で立ち下
がり、ゲート電圧と同一の波形となる。したがって、マ
イクロコンピュータ1により、各立ち上がりからtG(
ON) +tsの監視タイミングで、出力状態検出部5から
の検出出力に基づいてソース出力状態を検出すると、H
I(すなわち、論理1)になる。
生じ、MOSFET33が過熱保護手段としての温度検
出回路35、ラッチ回路36及びゲート遮断回路37の
協動により加熱遮断されると、MOSFET33のソー
ス電圧は、図2に示すように、保護動作のたびにゲート
電圧の立ち上がり時間tG(ON) から次第に短くなるタイ
ミングで立ち下がる波形となる。したがって、マイクロ
コンピュータ1により、各立ち上がりからtG(ON) +t
sの監視タイミングで、出力状態検出部5からの検出出
力に基づいてソース出力状態を検出すると、LO(すな
わち、論理0)になる。
視タイミングにおいて、連続してm回またはn秒間の間
ソース出力状態がLO(すなわち、論理0)であること
を検出すると、出力ポートP1にPWM制御信号を送ら
ず、MOSFET33のPWM制御を停止する。上述の
m回またはn秒は、MOSFET33の破壊を十分に回
避できる回数または時間に設定される。
ソース間に電流が流れなくなり、温度上昇によるMOS
FET33の破壊が防止される。
ように、定期的にソース出力状態を監視しておけば、P
WM制御信号のHI,LO(論理1,0)とソース出力
状態のHI,LO(論理1,0)とを比較することによ
り、過熱保護機能付き半導体装置の動作状態を検出する
ことができる。
出力状態が0であるか、またはPWM制御信号が1かつ
ソース出力状態が1であれば、マイクロコンピュータ1
は、正常動作状態と判定する。また、PWM制御信号が
0かつソース出力状態が1であれば、マイクロコンピュ
ータ1は、MOSFET33が破壊状態にあると判定す
る。さらに、PWM制御信号が1かつソース出力状態が
0であれば、マイクロコンピュータ1は、過熱保護機能
の作動状態にあると判定する。
付き半導体装置3の動作状態を検出することにより、M
OSFET33が破壊される可能性が大幅に軽減され
る。したがって、過熱保護機能付き半導体装置3が車両
のランプ駆動のために利用された場合は、本発明は、車
両火災の防止にも寄与する。
説明したが、本発明はこれに限らず、種々の変形、応用
が可能である。
WM制御信号以外の制御信号による制御時でも、定期的
にソース出力状態を監視しておけば、MOSFET33
の状態(破壊または過熱保護作動)を検出することがで
きる。
機能付き半導体装置が破壊される可能性が大幅に軽減さ
れる。また、車両のために利用された場合は、車両火災
の防止にも寄与する。
SFETが破壊される可能性が大幅に軽減される。
タイミングを適切に設定できる。
御回路の実施の形態を示す回路図である。
ングチャートを示す。
の実施の形態を示す回路図である。
ングチャートを示す。
Claims (3)
- 【請求項1】 ワンチップ上に半導体素子と過熱保護手
段とを搭載した加熱保護機能付き半導体装置の制御回路
であって、 上記半導体素子にPWM制御信号を供給する制御手段
と、 上記加熱保護手段の過熱保護動作時に上記加熱保護機能
付き半導体装置の出力異常状態を検出する出力状態検出
手段とを備え、 上記制御手段は、上記出力状態検出手段からの検出出力
を所定の監視タイミングで監視し、上記検出出力が所定
回数または所定時間の間継続して発生した場合は、上記
半導体素子への上記PWM制御信号の供給を停止するよ
うに制御することを特徴とする過熱保護機能付き半導体
装置の制御回路。 - 【請求項2】 前記半導体素子はMOSFETであり、 前記過熱保護手段は、温度検出回路、ラッチ回路及びゲ
ート遮断回路を含むことを特徴とする請求項1記載の過
熱保護機能付き半導体装置の制御回路。 - 【請求項3】 前記制御手段は、前記PWM制御信号の
立ち上がり時間tG( ON) プラス所定の時間ts(ただ
し、ts<tG(OFF)(前記PWM制御信号の立ち下がり
時間)−tG(ON) )ごとの前記監視タイミングで、定期
的に前記出力状態検出手段からの検出出力を監視するこ
とを特徴とする請求項1または2記載の過熱保護機能付
き半導体装置の制御回路。
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