JP4106853B2

JP4106853B2 - 負荷駆動回路

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Publication number: JP4106853B2
Application number: JP2000115605A
Authority: JP
Inventors: 展正植田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2000-04-17
Filing date: 2000-04-17
Publication date: 2008-06-25
Anticipated expiration: 2020-04-17
Also published as: JP2001308691A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の負荷にそれぞれ独立して電流を供給することで負荷を駆動する負荷駆動回路であり、スイッチング素子の温度検出機能を備えた負荷駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、高精度の電流制御や電流検出を行い、負荷に電力供給することで負荷を駆動する負荷駆動回路があり、例えばバイポーラトランジスタやＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子からなるスイッチング素子を用いたものが知られている。また、負荷駆動回路には、複数のスイッチング素子を備えて、複数の負荷をそれぞれ独立して駆動制御する多チャンネル負荷駆動回路がある。
【０００３】
そして、負荷駆動回路において、例えば、グランドショート（接地短絡）等の異常が発生した場合、スイッチング素子に規格値以上の過電流が流れることになり、スイッチング素子の温度が過度に上昇して素子の破壊に至ることがある。こうした問題に対して、電流検出手段を設けてスイッチング素子に流れる電流を検出し、過電流が流れた時に通電を停止する保護手段を備えて、スイッチング素子の破壊を防ぐよう構成された負荷駆動回路がある。
【０００４】
また、スイッチング素子は、過電流よりも小さい通常電流が流れる場合にも発熱するが、ヒートシンク等を設けて放熱することで、スイッチング素子の温度が過度に上昇することを防いでいる。
しかし、スイッチング素子の発熱量は、電流値が大きくなるほど増大するため、規格値に近い比較的大きな電流が長時間流れる場合には、放熱が不十分となり、時間経過に伴いスイッチング素子の温度が上昇して、スイッチング素子が正常動作できない状態に陥ることがある。つまり、半導体素子はある一定温度以上（例えば１５０℃以上）となると半導体としての性質が失われてしまうため、半導体としての性質を維持できる最高温度（所定温度）よりも高い異常温度となったスイッチング素子は、正常な動作が不可能になるのである。さらに温度が上昇すると、スイッチング素子が破壊されることになる。
【０００５】
このような問題を解決するために、スイッチング素子の温度を検出する温度検出手段を備えると共に、スイッチング素子が異常温度となるとスイッチング素子の通電を停止させる保護手段を備えた負荷駆動回路がある。この負荷駆動回路によれば、保護手段がスイッチング素子の通電を停止することで、スイッチング素子の過度な温度上昇を防ぎ、負荷駆動回路を正常に動作させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の複数のスイッチング素子を備えた負荷駆動回路では、スイッチング素子が互いに近接して備えられている場合、１つのスイッチング素子が異常状態となり温度が上昇して異常温度となる場合に、その熱が伝導して他のスイッチング素子においても異常温度を検出することがある。つまり、発熱しているスイッチング素子のみならず、発熱していないスイッチング素子まで通電を停止することになる。
【０００７】
これは、正常に動作しているスイッチング素子を、停止させる必要が無いにも拘わらず強制的に停止させることになり、負荷の駆動制御ができない状態となるため、負荷駆動回路の制御性能を低下させることになる。
また、近年、より多くの負荷を制御するために、１つの負荷駆動回路（ＩＣパッケージ）に内蔵されるスイッチング素子の個数を増加させる要求や、また、省スペース化のために負荷駆動回路を小型化する要求が大きくなっている。このため、スイッチング素子間の距離は小さくなりつつあり、上述のように近接する他のスイッチング素子の発熱により異常温度を検出して、正常動作しているスイッチング素子まで通電を停止してしまう可能性がさらに高くなる。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、互いに近接した複数のスイッチング素子を備えた負荷駆動回路において、スイッチング素子の異常温度を検出して通電を停止させるにあたり、正常動作しているスイッチング素子の通電を停止することのない負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明（請求項１）の負荷駆動回路によれば、発熱しているスイッチング素子を判定して通電を停止させることで、さらに温度上昇する事が無くなり、スイッチング素子を高温による破壊から保護することができる。また、他からの熱伝導によって異常温度となるスイッチング素子は、通電が強制的に停止されないため、負荷の駆動制御を継続することができ、スイッチング素子における必要のない通電停止を行うことが無くなるため、負荷駆動回路の制御性能を低下させることがない。
【００１０】
ここで、例えば、近接する２つのスイッチング素子の両方が同時に異常状態（例えば、接地短絡など）となった場合、両者とも発熱することになるが、保護手段を、単に、最も高温となっている１つのスイッチング素子の通電停止しか行わないように構成すると、他方のスイッチング素子を高温による破壊から保護することができなくなる。
【００１１】
そこで、保護手段としては、請求項２に記載のように構成すると良い。
このような本発明（請求項２）の負荷駆動回路によれば、複数のスイッチング素子が同時に異常状態となり温度が上昇した場合であっても、異常温度となった全てのスイッチング素子の通電を停止させることができ、高温による破壊からスイッチング素子を保護することができる。また、正常に動作しているスイッチング素子における必要のない通電停止を行わないため、負荷駆動回路の制御性能を低下させることがない。
【００１２】
なお、異常温度になった後、温度比較手段の比較結果に拘わらず駆動手段による駆動指令信号の出力を停止させるまでの一定時間については、スイッチング素子が破壊されない時間、すなわち、スイッチング素子が異常温度に達した後破壊されるまでの時間よりも短い時間を設定すると良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面と共に説明する。
図１は、第１負荷ＬＬ１および第２負荷ＬＬ２の駆動制御を行うための負荷駆動回路の概略構成図であり、本負荷駆動回路は、温度検出機能を備えている。
【００１４】
図１に示すように、本実施例の負荷駆動回路は、図示しない直流電源からの出力（例えば、電源電圧１２［ｖ］）Ｖｃが供給された電源ラインＬＶからの電流を第１負荷ＬＬ１に供給するための第１通電経路を通電・遮断するｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからなる第１トランジスタ１１と、第１トランジスタ１１を駆動するための第１駆動指令信号Ｓ１を出力する第１ゲート駆動回路１５と、を備える。
【００１５】
そして、第１ゲート駆動回路１５は、図示しない制御ロジックからの指令信号に基づき、第１トランジスタ１１を駆動可能な第１駆動指令信号Ｓ１を出力する。なお、制御ロジックは、例えばマイコンで構成されており、第１負荷ＬＬ１を制御するための処理を実行して、第１ゲート駆動回路１５に対して指令信号を出力している。
【００１６】
また、第１トランジスタ１１は、ゲートが第１ゲート駆動回路１５における第１駆動指令信号Ｓ１の出力端子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接続され、ソースが第１負荷ＬＬ１に接続されている。そして、第１駆動指令信号Ｓ１がハイレベルとなると、第１トランジスタ１１はオン状態となり第１通電経路に電流が流れて、電源ラインＬＶから第１負荷ＬＬ１へ電流が供給される。
【００１７】
さらに、本負荷駆動回路は、第１負荷ＬＬ１とは異なる第２負荷ＬＬ２に電源ラインＬＶからの電流を供給するための第２通電経路を通電・遮断するｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからなる第２トランジスタ２１と、第２トランジスタ２１を駆動するための第２駆動指令信号Ｓ２を出力する第２ゲート駆動回路２５と、を備える。
【００１８】
なお、第２トランジスタ２１は、第１トランジスタ１１と同様のｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴで構成されており、また、第１トランジスタ１１と第２トランジスタ２１は互いに近接した位置に備えられている。
そして、第２ゲート駆動回路２５は、図示しない制御ロジックからの指令信号に基づき、第２トランジスタ２１を駆動可能な第２駆動指令信号Ｓ２を出力する。なお、制御ロジックは、前述の第１負荷ＬＬ１を制御するための処理に加えて、第２負荷ＬＬ２を制御するための処理を実行して、第２ゲート駆動回路２５に対して指令信号を出力している。
【００１９】
また、第２トランジスタ２１は、ゲートが第２ゲート駆動回路２５における第２駆動指令信号Ｓ２の出力端子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接続され、ソースが第２負荷ＬＬ２に接続されている。そして、第２駆動指令信号Ｓ２がハイレベルとなると、第２トランジスタ２１はオン状態となり第２通電経路に電流が流れて、電源ラインＬＶから第２負荷ＬＬ２へ電流が供給される。
【００２０】
よって、本負荷駆動回路１では、図示しない制御ロジックからの指令信号に基づいて第１ゲート駆動回路１５および第２ゲート駆動回路２５が、それぞれ第１駆動指令信号Ｓ１および第２駆動指令信号Ｓ２をハイレベルとすると、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１がオン状態となり、電源ラインＬＶから第１負荷ＬＬ１および第２負荷ＬＬ２への電力供給が行われる。
【００２１】
さらに、本負荷駆動回路１は、第１トランジスタ１１の近傍に備えられた４個のダイオード素子からなる第１ダイオード３１と、第２トランジスタ２１の近傍に備えられた４個のダイオード素子からなる第２ダイオード４１と、電源ラインＬＶと第１ダイオード３１との間に設けられて第１ダイオード３１に定電流を供給する定電流源Ｔ１と、電源ラインＬＶと第２ダイオード４１との間に設けられて第２ダイオード４１に定電流を供給する定電流源Ｔ２と、を備えている。そして、第１ダイオード３１は、アノードが定電流源Ｔ１に接続され、カソードが接地されており、第２ダイオード４１は、アノードが定電流源Ｔ２に接続され、カソードが接地されている。
【００２２】
ここで、ダイオード素子の順方向電圧には温度特性（１素子あたり：−２［ｍＶ／℃］）があることから、第１ダイオード３１および第２ダイオード４１の順方向電圧には、−８［ｍＶ/℃］の温度特性がある。このため、第１ダイオード３１の両端には第１トランジスタ１１の温度に応じた順方向電圧が発生し、第２ダイオード４１の両端には第２トランジスタ２１の温度に応じた順方向電圧が発生する。つまり、第１トランジスタ１１の温度が上昇すると、その温度上昇に応じて第１ダイオード３１のアノードの電位Ｖ１が低下し、また、第２トランジスタ２１の温度が上昇すると、その温度上昇に応じて第２ダイオード４１のアノードの電位Ｖ２が低下する。そして、第１トランジスタ１１と第２トランジスタ２１とに温度差がある場合には、電位Ｖ１と電位Ｖ２との間に電位差が生じることになる。
【００２３】
また、本負荷駆動回路１には、第１ダイオード３１の順方向電圧に基づき第１トランジスタ１１の異常温度を検出する第１コンパレータ３３と、第２ダイオード４１の順方向電圧に基づき第２トランジスタ２１の異常温度を検出する第２コンパレータ４３と、異常温度を検出するための基準電位Ｖｔｈを出力する定電圧源５１と、が備えられている。
【００２４】
そして、第１コンパレータ３３は、反転入力端子（−）が第１ダイオード３１のアノードに接続され、非反転入力端子（＋）が基準電位Ｖｔｈである定電圧源５１の正極に接続されており、第２コンパレータ４３は、反転入力端子（−）が第２ダイオード４１のアノードに接続され、非反転入力端子（＋）が基準電位Ｖｔｈである定電圧源５１の正極に接続されている。また、定電圧源５１は、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１が正常動作可能な温度の最高温度（所定温度）となるときに、第１ダイオード３１および第２ダイオード４１の両端に発生する順方向電圧と等しい電圧を基準電位Ｖｔｈとして出力するように構成されている。
【００２５】
よって、第１トランジスタ１１が所定温度よりも高温になると、第１ダイオード３１の順方向電圧が定電圧源５１の出力電圧よりも低下することになり、第１コンパレータ３３の出力端子から出力される第１温度異常信号Ｓ３がハイレベルとなる。また、同様に、第２トランジスタ２１が所定温度よりも高温になると、第２ダイオード４１の順方向電圧が定電圧源５１の出力電圧よりも低下することになり、第２コンパレータ４３の出力端子から出力される第２温度異常信号Ｓ４がハイレベルとなる。
【００２６】
さらに、本負荷駆動回路１には、第１トランジスタ１１と第２トランジスタ２１との温度を比較する温度比較回路６１と、第１コンパレータ３３，第２コンパレータ４３および温度比較回路６１からのそれぞれの出力信号に基づき、第１ゲート駆動回路１５および第２ゲート駆動回路２５による駆動指令信号の出力を停止させる保護回路７１と、が備えられている。
【００２７】
そして、温度比較回路６１には、反転入力端子（−）が第１ダイオード３１のアノードに接続され、非反転入力端子（＋）が第２ダイオード４１のアノードに接続された第３比較器（以下、第３コンパレータという）６３と、第３コンパレータ６３の出力端子に入力端子が接続された反転回路６５と、が備えられ、第３コンパレータ６３と反転回路６５の出力端子がそれぞれ保護回路７１に接続されている。
【００２８】
よって、第１ダイオード３１が第２ダイオード４１よりも順方向電圧が低い場合、つまり、第１トランジスタ１１が第２トランジスタ２１よりも高温となる場合には、第３コンパレータ６３の出力端子から出力される第１比較信号Ｓ５がハイレベルとなる。また、第２ダイオード４１が第１ダイオード３１よりも順方向電圧が低い場合、つまり、第２トランジスタ２１が第１トランジスタ１１よりも高温となる場合には、反転回路６５の出力端子から出力される第２比較信号Ｓ６がハイレベルとなる。
【００２９】
また、保護回路７１は、第１温度異常信号Ｓ３と第１遅延回路Ｄ１による第１温度異常信号Ｓ３の遅延信号とが入力される第１論理積（ＡＮＤ）回路Ａ１と、第１温度異常信号Ｓ３と第１比較信号Ｓ５とが入力される第２論理積回路Ａ２と、第２温度異常信号Ｓ４と第２比較信号Ｓ６とが入力される第３論理積回路Ａ３と、第２温度異常信号Ｓ４と第２遅延回路Ｄ２による第２温度異常信号Ｓ４の遅延信号とが入力される第４論理積回路Ａ４と、を備えている。
【００３０】
なお、第１遅延回路Ｄ１および第２遅延回路Ｄ２による遅延時間は、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１を構成するＭＯＳＦＥＴが、異常温度に達した後破壊されるまでの時間よりも短い時間、すなわち、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１が高温により破壊されない時間が設定されている。
【００３１】
さらに、保護回路７１は、第１論理積回路Ａ１と第２論理積回路Ａ２のそれぞれの出力信号が入力され、第１ゲート駆動回路１５に出力信号を出力する第１論理和（ＯＲ）回路Ｏ１と、第３論理積回路Ａ３と第４論理積回路Ａ４のそれぞれの出力信号が入力され、第２ゲート駆動回路２５に出力信号を出力する第２論理和回路Ｏ２と、を備えている。
【００３２】
そして、２つのトランジスタがともに異常温度となり、かつ、第１トランジスタ１１が第２トランジスタ２１よりも高温である状態となった直後には、第１温度異常信号Ｓ３，第２温度異常信号Ｓ４および第１比較信号Ｓ５がハイレベルとなることから、第２論理積回路Ａ２の出力信号がハイレベルとなり、第１論理和回路Ｏ１の出力信号がハイレベルとなる。つまり、保護回路７１は、第１ゲート駆動回路１５に対する出力信号をハイレベルとして、第１トランジスタ１１への第１駆動指令信号Ｓ１の出力を停止させるのである。
【００３３】
このように、２つのトランジスタがともに異常温度となり、かつ、第１トランジスタ１１が第２トランジスタ２１よりも高温である状態となるのは、第１トランジスタ１１が異常状態となり発熱していることが原因と考えられるため、保護回路７１が第１トランジスタ１１への通電を停止させて発熱を停止させることで、温度上昇を防ぐことができる。
【００３４】
また、このとき、第１トランジスタ１１だけでなく、第２トランジスタ２１も異常状態であると、第２トランジスタ２１の温度は低下せず、異常温度の状態が継続することになる。そして、第２遅延回路Ｄ２による遅延時間が経過した後も、第２温度異常信号Ｓ４がハイレベルである時には、第２遅延回路Ｄ２の出力信号がハイレベルとなる。これに伴い、第４論理積回路Ａ４の出力信号がハイレベルとなり、さらに、第２論理和回路Ｏ２の出力信号がハイレベルとなる。
【００３５】
つまり、保護回路７１は、第２ゲート駆動回路２５に対する出力信号をハイレベルとして、第２トランジスタ２１への第２駆動指令信号Ｓ２の出力を停止させるのである。この結果、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１の両方が通電停止されるため、発熱を抑えることができ、各トランジスタの温度上昇を防ぐことができる。
【００３６】
一方、２つのトランジスタがともに異常温度となり、かつ、第２トランジスタ２１が第１トランジスタ１１よりも高温である状態となった直後には、第１温度異常信号Ｓ３，第２温度異常信号Ｓ４および第２比較信号Ｓ６がハイレベルとなることから、第３論理積回路Ａ３の出力信号がハイレベルとなり、第２論理和回路Ｏ２の出力信号がハイレベルとなる。つまり、保護回路７１は、第２ゲート駆動回路２５に対する出力信号をハイレベルとして、第２トランジスタ２１への第２駆動指令信号Ｓ２の出力を停止させるのである。これにより、第２トランジスタ２１への通電が停止されて発熱が抑えられるため、第２トランジスタ２１の温度上昇を防ぐことができる。
【００３７】
また、このとき、第２トランジスタ２１だけでなく、第１トランジスタ１１も異常状態であると、第１遅延回路Ｄ１による遅延時間が経過した後も、第１温度異常信号Ｓ３がハイレベルとなる。これにより、第１遅延回路Ｄ１の出力信号がハイレベルとなるため、第１論理積回路Ａ１の出力信号がハイレベルとなり、さらに、第１論理和回路Ｏ１の出力信号がハイレベルとなる。つまり、保護回路７１は、第１ゲート駆動回路１５に対する出力信号をハイレベルとして、第１トランジスタ１１への第１駆動指令信号Ｓ１の出力を停止させるのである。この結果、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１の両方が通電停止されるため、発熱を抑えることができ、各トランジスタの温度上昇を防ぐことができる。
【００３８】
よって、保護回路７１は、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１が同時に異常状態となった場合には、まず高温であるトランジスタへの通電を停止し、そのあと、遅延回路による遅延時間が経過すると、低温側のトランジスタも通電を停止して、２つのトランジスタを高温による破壊から保護するのである。そのあと時間経過により、ダイオードによる検出温度が異常温度よりも低下すると、そのトランジスタに対応するゲート駆動回路への保護回路７１からの信号出力が停止するため、そのトランジスタは、制御ロジックからの指令信号に基づいて制御される。
【００３９】
また、１つのトランジスタのみが異常状態となったときには、高温側のトランジスタの通電を停止することで温度上昇が停止し、時間経過とともに温度が低下することから、低温側の正常なトランジスタの通電が停止されることはないため、正常なトランジスタによる負荷の駆動制御は継続することができる。
【００４０】
以上、説明したように、本実施例の負荷駆動回路は、互いに近接した位置に備えられた第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１を用いて、第１負荷ＬＬ１および第２負荷ＬＬ２を駆動制御すると共に、温度上昇によるトランジスタの破壊を防ぐために、異常温度であるトランジスタの通電を停止させている。
【００４１】
そして、１つのトランジスタが異常状態となり、２つのトランジスタが同時に異常温度となった場合、その直後は、温度比較回路６１にてそれぞれの検出温度を比較して発熱源である高温側のトランジスタを判定し、そのトランジスタに対応するゲート駆動回路による駆動指令信号の出力を停止させて、そのトランジスタへの通電を停止させる。また、異常温度となった直後は、低温側のトランジスタについては、対応する駆動手段による駆動指令信号の出力を停止させない。
【００４２】
これにより、発熱しているトランジスタは、通電が停止されて発熱が抑えられるため、さらに温度上昇することは無く、トランジスタを高温による破壊から保護できる。また、熱伝導によって異常温度となったもう１つのトランジスタは、通電が強制的に停止されないため、負荷の駆動制御を継続することができる。
【００４３】
したがって、本実施例の負荷駆動回路によれば、発熱しているトランジスタを判定して通電を停止させることで、トランジスタを高温による破壊から保護することができる。また、一方のトランジスタからの熱伝導により異常温度となったトランジスタの通電を強制的に停止させることがないことから、トランジスタにおける必要のない通電停止を行うことが無くなるため、負荷駆動回路の制御性能を低下させることがない。
【００４４】
また、２つのトランジスタが同時に異常状態となり、２つのトランジスタが同時に異常温度となった場合には、まず高温であるトランジスタへの通電を停止し、そのあと、もう一方のトランジスタが異常温度となった後一定時間が経過すると、低温側のトランジスタについても通電を停止して、２つのトランジスタの通電が停止される。よって、本実施例の負荷駆動回路によれば、２つのトランジスタが同時に異常状態となり温度が上昇した場合であっても、２つのトランジスタの通電を停止させることができ、高温による破壊からトランジスタを保護することができる。
【００４５】
なお、本負荷駆動回路１においては、第１ゲート駆動回路１５および第２ゲート駆動回路２５が特許請求の範囲における駆動手段に相当し、電源ラインＬＶが直流電源に相当し、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１がスイッチング素子に相当し、温度比較回路６１が温度比較手段に相当し、保護回路７１が保護手段に相当する。また、第１ダイオード３１と第１コンパレータ３３、および第２ダイオード４１と第２コンパレータ４３が、特許請求の範囲における異常温度判定手段に相当する。
【００４６】
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。
例えば、制御対象となる負荷は２個に限ることはなく、さらに多数の負荷の駆動制御を行う負荷駆動回路の場合には、トランジスタ、ゲート駆動回路、温度検出用のダイオード、コンパレータなどは、負荷の個数に応じて備え、また、温度比較回路、保護回路については、負荷の個数に応じた構成のものを使用すればよい。
【００４７】
また、第１ダイオード３１および第２ダイオード４１を構成するダイオード素子は４個に限ることはなく、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１の温度変化に対する順方向電圧の変化量が、コンパレータが検出可能な変化量となるように個数を設定すると良い。
【００４８】
さらに、上記実施例では、第１トランジスタおよび第２トランジスタとしてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いた負荷駆動回路について説明したが、これらのトランジスタは、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成しても良く、また、バイポーラトランジスタを用いても良い。さらに、上記実施例では、第１トランジスタおよび第２トランジスタが、通電経路において負荷よりも高電位側に設けられたハイサイドスイッチとして備えられているが、これらトランジスタがローサイドスイッチとして備えられた負荷駆動回路に本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の負荷駆動回路の概略構成図である。
【符号の説明】
１…負荷駆動回路、１１…第１トランジスタ、１５…第１ゲート駆動回路、２１…第２トランジスタ、２５…第２ゲート駆動回路、３１…第１ダイオード、３３…第１コンパレータ、４１…第２ダイオード、４３…第２コンパレータ、５１…定電圧電源、６１…温度比較回路、７１…保護回路、ＬＬ１…第１負荷、ＬＬ２…第２負荷、ＬＶ…電源ライン。

Claims

直流電源から複数の負荷への各通電経路に設けられ、制御端子に入力される駆動指令信号に基づき前記各通電経路を通電・遮断する複数のスイッチング素子と、
該スイッチング素子に対応して備えられ、前記負荷を駆動制御するために、前記スイッチング素子に対して駆動指令信号を出力する複数の駆動手段と、
前記スイッチング素子に対応して備えられ、前記スイッチング素子の温度を検出し、該検出温度が前記スイッチング素子が正常動作可能な所定温度より高い異常温度であることを判定する複数の異常温度判定手段と、
を備えて、複数の負荷をそれぞれ独立して駆動するとともに前記各スイッチング素子の温度検出を行う負荷駆動回路であって、
複数の前記スイッチング素子の各温度を比較する温度比較手段と、
前記異常温度判定手段にて異常温度と判定され、かつ、前記温度比較手段にて最も高温と判定された前記スイッチング素子について、対応する前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力を停止させることで、該スイッチング素子を保護する保護手段と、
を備えたことを特徴とする負荷駆動回路。
前記保護手段は、前記検出温度が異常温度となった後一定時間を経過した前記スイッチング素子について、前記温度比較手段による比較結果に拘わらず、当該スイッチング素子に対応する前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力を停止させること、を特徴とする請求項１に記載の負荷駆動回路。