JP2001308691A - 負荷駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 互いに近接した複数のスイッチング素子を高
温による破壊から保護するために異常温度を検出して通
電を停止させるにあたり、正常動作しているスイッチン
グ素子の通電を停止することのない負荷駆動回路を提供
する。 【解決手段】 本負荷駆動回路１では、互いに近接して
いる第１トランジスタ１１および第２トランジスタ２１
の一方が異常状態であるために、２つのトランジスタが
同時に異常温度となった場合、まず温度比較回路６１に
て高温側のトランジスタを判定し、保護回路７１がその
トランジスタに対応するゲート駆動回路による駆動指令
信号の出力を停止させる。これにより、異常状態のトラ
ンジスタによる温度上昇を抑制でき、トランジスタを高
温による破壊から保護できる。また、低温側の正常なト
ランジスタの通電は停止されないため、正常なトランジ
スタによる負荷の駆動制御が継続でき、負荷駆動回路の
制御性能が低下しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の負荷にそれ
ぞれ独立して電流を供給することで負荷を駆動する負荷
駆動回路であり、スイッチング素子の温度検出機能を備
えた負荷駆動回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、高精度の電流制御や電流検出
を行い、負荷に電力供給することで負荷を駆動する負荷
駆動回路があり、例えばバイポーラトランジスタやＭＯ
ＳＦＥＴ等の半導体素子からなるスイッチング素子を用
いたものが知られている。また、負荷駆動回路には、複
数のスイッチング素子を備えて、複数の負荷をそれぞれ
独立して駆動制御する多チャンネル負荷駆動回路があ
る。

【０００３】そして、負荷駆動回路において、例えば、
グランドショート（接地短絡）等の異常が発生した場
合、スイッチング素子に規格値以上の過電流が流れるこ
とになり、スイッチング素子の温度が過度に上昇して素
子の破壊に至ることがある。こうした問題に対して、電
流検出手段を設けてスイッチング素子に流れる電流を検
出し、過電流が流れた時に通電を停止する保護手段を備
えて、スイッチング素子の破壊を防ぐよう構成された負
荷駆動回路がある。

【０００４】また、スイッチング素子は、過電流よりも
小さい通常電流が流れる場合にも発熱するが、ヒートシ
ンク等を設けて放熱することで、スイッチング素子の温
度が過度に上昇することを防いでいる。しかし、スイッ
チング素子の発熱量は、電流値が大きくなるほど増大す
るため、規格値に近い比較的大きな電流が長時間流れる
場合には、放熱が不十分となり、時間経過に伴いスイッ
チング素子の温度が上昇して、スイッチング素子が正常
動作できない状態に陥ることがある。つまり、半導体素
子はある一定温度以上（例えば１５０℃以上）となると
半導体としての性質が失われてしまうため、半導体とし
ての性質を維持できる最高温度（所定温度）よりも高い
異常温度となったスイッチング素子は、正常な動作が不
可能になるのである。さらに温度が上昇すると、スイッ
チング素子が破壊されることになる。

【０００５】このような問題を解決するために、スイッ
チング素子の温度を検出する温度検出手段を備えると共
に、スイッチング素子が異常温度となるとスイッチング
素子の通電を停止させる保護手段を備えた負荷駆動回路
がある。この負荷駆動回路によれば、保護手段がスイッ
チング素子の通電を停止することで、スイッチング素子
の過度な温度上昇を防ぎ、負荷駆動回路を正常に動作さ
せることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の複数のスイッチング素子を備えた負荷駆動回路で
は、スイッチング素子が互いに近接して備えられている
場合、１つのスイッチング素子が異常状態となり温度が
上昇して異常温度となる場合に、その熱が伝導して他の
スイッチング素子においても異常温度を検出することが
ある。つまり、発熱しているスイッチング素子のみなら
ず、発熱していないスイッチング素子まで通電を停止す
ることになる。

【０００７】これは、正常に動作しているスイッチング
素子を、停止させる必要が無いにも拘わらず強制的に停
止させることになり、負荷の駆動制御ができない状態と
なるため、負荷駆動回路の制御性能を低下させることに
なる。また、近年、より多くの負荷を制御するために、
１つの負荷駆動回路（ＩＣパッケージ）に内蔵されるス
イッチング素子の個数を増加させる要求や、また、省ス
ペース化のために負荷駆動回路を小型化する要求が大き
くなっている。このため、スイッチング素子間の距離は
小さくなりつつあり、上述のように近接する他のスイッ
チング素子の発熱により異常温度を検出して、正常動作
しているスイッチング素子まで通電を停止してしまう可
能性がさらに高くなる。

【０００８】本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
のであり、互いに近接した複数のスイッチング素子を備
えた負荷駆動回路において、スイッチング素子の異常温
度を検出して通電を停止させるにあたり、正常動作して
いるスイッチング素子の通電を停止することのない負荷
駆動回路を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明（請求項１）の負荷駆動回路によれば、発熱
しているスイッチング素子を判定して通電を停止させる
ことで、さらに温度上昇する事が無くなり、スイッチン
グ素子を高温による破壊から保護することができる。ま
た、他からの熱伝導によって異常温度となるスイッチン
グ素子は、通電が強制的に停止されないため、負荷の駆
動制御を継続することができ、スイッチング素子におけ
る必要のない通電停止を行うことが無くなるため、負荷
駆動回路の制御性能を低下させることがない。

【００１０】ここで、例えば、近接する２つのスイッチ
ング素子の両方が同時に異常状態（例えば、接地短絡な
ど）となった場合、両者とも発熱することになるが、保
護手段を、単に、最も高温となっている１つのスイッチ
ング素子の通電停止しか行わないように構成すると、他
方のスイッチング素子を高温による破壊から保護するこ
とができなくなる。

【００１１】そこで、保護手段としては、請求項２に記
載のように構成すると良い。このような本発明（請求項
２）の負荷駆動回路によれば、複数のスイッチング素子
が同時に異常状態となり温度が上昇した場合であって
も、異常温度となった全てのスイッチング素子の通電を
停止させることができ、高温による破壊からスイッチン
グ素子を保護することができる。また、正常に動作して
いるスイッチング素子における必要のない通電停止を行
わないため、負荷駆動回路の制御性能を低下させること
がない。

【００１２】なお、異常温度になった後、温度比較手段
の比較結果に拘わらず駆動手段による駆動指令信号の出
力を停止させるまでの一定時間については、スイッチン
グ素子が破壊されない時間、すなわち、スイッチング素
子が異常温度に達した後破壊されるまでの時間よりも短
い時間を設定すると良い。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面と
共に説明する。図１は、第１負荷ＬＬ１および第２負荷
ＬＬ２の駆動制御を行うための負荷駆動回路の概略構成
図であり、本負荷駆動回路は、温度検出機能を備えてい
る。

【００１４】図１に示すように、本実施例の負荷駆動回
路は、図示しない直流電源からの出力（例えば、電源電
圧１２［ｖ］）Ｖｃが供給された電源ラインＬＶからの
電流を第１負荷ＬＬ１に供給するための第１通電経路を
通電・遮断するｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからな
る第１トランジスタ１１と、第１トランジスタ１１を駆
動するための第１駆動指令信号Ｓ１を出力する第１ゲー
ト駆動回路１５と、を備える。

【００１５】そして、第１ゲート駆動回路１５は、図示
しない制御ロジックからの指令信号に基づき、第１トラ
ンジスタ１１を駆動可能な第１駆動指令信号Ｓ１を出力
する。なお、制御ロジックは、例えばマイコンで構成さ
れており、第１負荷ＬＬ１を制御するための処理を実行
して、第１ゲート駆動回路１５に対して指令信号を出力
している。

【００１６】また、第１トランジスタ１１は、ゲートが
第１ゲート駆動回路１５における第１駆動指令信号Ｓ１
の出力端子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接
続され、ソースが第１負荷ＬＬ１に接続されている。そ
して、第１駆動指令信号Ｓ１がハイレベルとなると、第
１トランジスタ１１はオン状態となり第１通電経路に電
流が流れて、電源ラインＬＶから第１負荷ＬＬ１へ電流
が供給される。

【００１７】さらに、本負荷駆動回路は、第１負荷ＬＬ
１とは異なる第２負荷ＬＬ２に電源ラインＬＶからの電
流を供給するための第２通電経路を通電・遮断するｎチ
ャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからなる第２トランジスタ
２１と、第２トランジスタ２１を駆動するための第２駆
動指令信号Ｓ２を出力する第２ゲート駆動回路２５と、
を備える。

【００１８】なお、第２トランジスタ２１は、第１トラ
ンジスタ１１と同様のｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ
で構成されており、また、第１トランジスタ１１と第２
トランジスタ２１は互いに近接した位置に備えられてい
る。そして、第２ゲート駆動回路２５は、図示しない制
御ロジックからの指令信号に基づき、第２トランジスタ
２１を駆動可能な第２駆動指令信号Ｓ２を出力する。な
お、制御ロジックは、前述の第１負荷ＬＬ１を制御する
ための処理に加えて、第２負荷ＬＬ２を制御するための
処理を実行して、第２ゲート駆動回路２５に対して指令
信号を出力している。

【００１９】また、第２トランジスタ２１は、ゲートが
第２ゲート駆動回路２５における第２駆動指令信号Ｓ２
の出力端子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接
続され、ソースが第２負荷ＬＬ２に接続されている。そ
して、第２駆動指令信号Ｓ２がハイレベルとなると、第
２トランジスタ２１はオン状態となり第２通電経路に電
流が流れて、電源ラインＬＶから第２負荷ＬＬ２へ電流
が供給される。

【００２０】よって、本負荷駆動回路１では、図示しな
い制御ロジックからの指令信号に基づいて第１ゲート駆
動回路１５および第２ゲート駆動回路２５が、それぞれ
第１駆動指令信号Ｓ１および第２駆動指令信号Ｓ２をハ
イレベルとすると、第１トランジスタ１１および第２ト
ランジスタ２１がオン状態となり、電源ラインＬＶから
第１負荷ＬＬ１および第２負荷ＬＬ２への電力供給が行
われる。

【００２１】さらに、本負荷駆動回路１は、第１トラン
ジスタ１１の近傍に備えられた４個のダイオード素子か
らなる第１ダイオード３１と、第２トランジスタ２１の
近傍に備えられた４個のダイオード素子からなる第２ダ
イオード４１と、電源ラインＬＶと第１ダイオード３１
との間に設けられて第１ダイオード３１に定電流を供給
する定電流源Ｔ１と、電源ラインＬＶと第２ダイオード
４１との間に設けられて第２ダイオード４１に定電流を
供給する定電流源Ｔ２と、を備えている。そして、第１
ダイオード３１は、アノードが定電流源Ｔ１に接続さ
れ、カソードが接地されており、第２ダイオード４１
は、アノードが定電流源Ｔ２に接続され、カソードが接
地されている。

【００２２】ここで、ダイオード素子の順方向電圧には
温度特性（１素子あたり：−２［ｍＶ／℃］）があるこ
とから、第１ダイオード３１および第２ダイオード４１
の順方向電圧には、−８［ｍＶ/℃］の温度特性があ
る。このため、第１ダイオード３１の両端には第１トラ
ンジスタ１１の温度に応じた順方向電圧が発生し、第２
ダイオード４１の両端には第２トランジスタ２１の温度
に応じた順方向電圧が発生する。つまり、第１トランジ
スタ１１の温度が上昇すると、その温度上昇に応じて第
１ダイオード３１のアノードの電位Ｖ１が低下し、ま
た、第２トランジスタ２１の温度が上昇すると、その温
度上昇に応じて第２ダイオード４１のアノードの電位Ｖ
２が低下する。そして、第１トランジスタ１１と第２ト
ランジスタ２１とに温度差がある場合には、電位Ｖ１と
電位Ｖ２との間に電位差が生じることになる。

【００２３】また、本負荷駆動回路１には、第１ダイオ
ード３１の順方向電圧に基づき第１トランジスタ１１の
異常温度を検出する第１コンパレータ３３と、第２ダイ
オード４１の順方向電圧に基づき第２トランジスタ２１
の異常温度を検出する第２コンパレータ４３と、異常温
度を検出するための基準電位Ｖｔｈを出力する定電圧源
５１と、が備えられている。

【００２４】そして、第１コンパレータ３３は、反転入
力端子（−）が第１ダイオード３１のアノードに接続さ
れ、非反転入力端子（＋）が基準電位Ｖｔｈである定電
圧源５１の正極に接続されており、第２コンパレータ４
３は、反転入力端子（−）が第２ダイオード４１のアノ
ードに接続され、非反転入力端子（＋）が基準電位Ｖｔ
ｈである定電圧源５１の正極に接続されている。また、
定電圧源５１は、第１トランジスタ１１および第２トラ
ンジスタ２１が正常動作可能な温度の最高温度（所定温
度）となるときに、第１ダイオード３１および第２ダイ
オード４１の両端に発生する順方向電圧と等しい電圧を
基準電位Ｖｔｈとして出力するように構成されている。

【００２５】よって、第１トランジスタ１１が所定温度
よりも高温になると、第１ダイオード３１の順方向電圧
が定電圧源５１の出力電圧よりも低下することになり、
第１コンパレータ３３の出力端子から出力される第１温
度異常信号Ｓ３がハイレベルとなる。また、同様に、第
２トランジスタ２１が所定温度よりも高温になると、第
２ダイオード４１の順方向電圧が定電圧源５１の出力電
圧よりも低下することになり、第２コンパレータ４３の
出力端子から出力される第２温度異常信号Ｓ４がハイレ
ベルとなる。

【００２６】さらに、本負荷駆動回路１には、第１トラ
ンジスタ１１と第２トランジスタ２１との温度を比較す
る温度比較回路６１と、第１コンパレータ３３，第２コ
ンパレータ４３および温度比較回路６１からのそれぞれ
の出力信号に基づき、第１ゲート駆動回路１５および第
２ゲート駆動回路２５による駆動指令信号の出力を停止
させる保護回路７１と、が備えられている。

【００２７】そして、温度比較回路６１には、反転入力
端子（−）が第１ダイオード３１のアノードに接続さ
れ、非反転入力端子（＋）が第２ダイオード４１のアノ
ードに接続された第３比較器（以下、第３コンパレータ
という）６３と、第３コンパレータ６３の出力端子に入
力端子が接続された反転回路６５と、が備えられ、第３
コンパレータ６３と反転回路６５の出力端子がそれぞれ
保護回路７１に接続されている。

【００２８】よって、第１ダイオード３１が第２ダイオ
ード４１よりも順方向電圧が低い場合、つまり、第１ト
ランジスタ１１が第２トランジスタ２１よりも高温とな
る場合には、第３コンパレータ６３の出力端子から出力
される第１比較信号Ｓ５がハイレベルとなる。また、第
２ダイオード４１が第１ダイオード３１よりも順方向電
圧が低い場合、つまり、第２トランジスタ２１が第１ト
ランジスタ１１よりも高温となる場合には、反転回路６
５の出力端子から出力される第２比較信号Ｓ６がハイレ
ベルとなる。

【００２９】また、保護回路７１は、第１温度異常信号
Ｓ３と第１遅延回路Ｄ１による第１温度異常信号Ｓ３の
遅延信号とが入力される第１論理積（ＡＮＤ）回路Ａ１
と、第１温度異常信号Ｓ３と第１比較信号Ｓ５とが入力
される第２論理積回路Ａ２と、第２温度異常信号Ｓ４と
第２比較信号Ｓ６とが入力される第３論理積回路Ａ３
と、第２温度異常信号Ｓ４と第２遅延回路Ｄ２による第
２温度異常信号Ｓ４の遅延信号とが入力される第４論理
積回路Ａ４と、を備えている。

【００３０】なお、第１遅延回路Ｄ１および第２遅延回
路Ｄ２による遅延時間は、第１トランジスタ１１および
第２トランジスタ２１を構成するＭＯＳＦＥＴが、異常
温度に達した後破壊されるまでの時間よりも短い時間、
すなわち、第１トランジスタ１１および第２トランジス
タ２１が高温により破壊されない時間が設定されてい
る。

【００３１】さらに、保護回路７１は、第１論理積回路
Ａ１と第２論理積回路Ａ２のそれぞれの出力信号が入力
され、第１ゲート駆動回路１５に出力信号を出力する第
１論理和（ＯＲ）回路Ｏ１と、第３論理積回路Ａ３と第
４論理積回路Ａ４のそれぞれの出力信号が入力され、第
２ゲート駆動回路２５に出力信号を出力する第２論理和
回路Ｏ２と、を備えている。

【００３２】そして、２つのトランジスタがともに異常
温度となり、かつ、第１トランジスタ１１が第２トラン
ジスタ２１よりも高温である状態となった直後には、第
１温度異常信号Ｓ３，第２温度異常信号Ｓ４および第１
比較信号Ｓ５がハイレベルとなることから、第２論理積
回路Ａ２の出力信号がハイレベルとなり、第１論理和回
路Ｏ１の出力信号がハイレベルとなる。つまり、保護回
路７１は、第１ゲート駆動回路１５に対する出力信号を
ハイレベルとして、第１トランジスタ１１への第１駆動
指令信号Ｓ１の出力を停止させるのである。

【００３３】このように、２つのトランジスタがともに
異常温度となり、かつ、第１トランジスタ１１が第２ト
ランジスタ２１よりも高温である状態となるのは、第１
トランジスタ１１が異常状態となり発熱していることが
原因と考えられるため、保護回路７１が第１トランジス
タ１１への通電を停止させて発熱を停止させることで、
温度上昇を防ぐことができる。

【００３４】また、このとき、第１トランジスタ１１だ
けでなく、第２トランジスタ２１も異常状態であると、
第２トランジスタ２１の温度は低下せず、異常温度の状
態が継続することになる。そして、第２遅延回路Ｄ２に
よる遅延時間が経過した後も、第２温度異常信号Ｓ４が
ハイレベルである時には、第２遅延回路Ｄ２の出力信号
がハイレベルとなる。これに伴い、第４論理積回路Ａ４
の出力信号がハイレベルとなり、さらに、第２論理和回
路Ｏ２の出力信号がハイレベルとなる。

【００３５】つまり、保護回路７１は、第２ゲート駆動
回路２５に対する出力信号をハイレベルとして、第２ト
ランジスタ２１への第２駆動指令信号Ｓ２の出力を停止
させるのである。この結果、第１トランジスタ１１およ
び第２トランジスタ２１の両方が通電停止されるため、
発熱を抑えることができ、各トランジスタの温度上昇を
防ぐことができる。

【００３６】一方、２つのトランジスタがともに異常温
度となり、かつ、第２トランジスタ２１が第１トランジ
スタ１１よりも高温である状態となった直後には、第１
温度異常信号Ｓ３，第２温度異常信号Ｓ４および第２比
較信号Ｓ６がハイレベルとなることから、第３論理積回
路Ａ３の出力信号がハイレベルとなり、第２論理和回路
Ｏ２の出力信号がハイレベルとなる。つまり、保護回路
７１は、第２ゲート駆動回路２５に対する出力信号をハ
イレベルとして、第２トランジスタ２１への第２駆動指
令信号Ｓ２の出力を停止させるのである。これにより、
第２トランジスタ２１への通電が停止されて発熱が抑え
られるため、第２トランジスタ２１の温度上昇を防ぐこ
とができる。

【００３７】また、このとき、第２トランジスタ２１だ
けでなく、第１トランジスタ１１も異常状態であると、
第１遅延回路Ｄ１による遅延時間が経過した後も、第１
温度異常信号Ｓ３がハイレベルとなる。これにより、第
１遅延回路Ｄ１の出力信号がハイレベルとなるため、第
１論理積回路Ａ１の出力信号がハイレベルとなり、さら
に、第１論理和回路Ｏ１の出力信号がハイレベルとな
る。つまり、保護回路７１は、第１ゲート駆動回路１５
に対する出力信号をハイレベルとして、第１トランジス
タ１１への第１駆動指令信号Ｓ１の出力を停止させるの
である。この結果、第１トランジスタ１１および第２ト
ランジスタ２１の両方が通電停止されるため、発熱を抑
えることができ、各トランジスタの温度上昇を防ぐこと
ができる。

【００３８】よって、保護回路７１は、第１トランジス
タ１１および第２トランジスタ２１が同時に異常状態と
なった場合には、まず高温であるトランジスタへの通電
を停止し、そのあと、遅延回路による遅延時間が経過す
ると、低温側のトランジスタも通電を停止して、２つの
トランジスタを高温による破壊から保護するのである。
そのあと時間経過により、ダイオードによる検出温度が
異常温度よりも低下すると、そのトランジスタに対応す
るゲート駆動回路への保護回路７１からの信号出力が停
止するため、そのトランジスタは、制御ロジックからの
指令信号に基づいて制御される。

【００３９】また、１つのトランジスタのみが異常状態
となったときには、高温側のトランジスタの通電を停止
することで温度上昇が停止し、時間経過とともに温度が
低下することから、低温側の正常なトランジスタの通電
が停止されることはないため、正常なトランジスタによ
る負荷の駆動制御は継続することができる。

【００４０】以上、説明したように、本実施例の負荷駆
動回路は、互いに近接した位置に備えられた第１トラン
ジスタ１１および第２トランジスタ２１を用いて、第１
負荷ＬＬ１および第２負荷ＬＬ２を駆動制御すると共
に、温度上昇によるトランジスタの破壊を防ぐために、
異常温度であるトランジスタの通電を停止させている。

【００４１】そして、１つのトランジスタが異常状態と
なり、２つのトランジスタが同時に異常温度となった場
合、その直後は、温度比較回路６１にてそれぞれの検出
温度を比較して発熱源である高温側のトランジスタを判
定し、そのトランジスタに対応するゲート駆動回路によ
る駆動指令信号の出力を停止させて、そのトランジスタ
への通電を停止させる。また、異常温度となった直後
は、低温側のトランジスタについては、対応する駆動手
段による駆動指令信号の出力を停止させない。

【００４２】これにより、発熱しているトランジスタ
は、通電が停止されて発熱が抑えられるため、さらに温
度上昇することは無く、トランジスタを高温による破壊
から保護できる。また、熱伝導によって異常温度となっ
たもう１つのトランジスタは、通電が強制的に停止され
ないため、負荷の駆動制御を継続することができる。

【００４３】したがって、本実施例の負荷駆動回路によ
れば、発熱しているトランジスタを判定して通電を停止
させることで、トランジスタを高温による破壊から保護
することができる。また、一方のトランジスタからの熱
伝導により異常温度となったトランジスタの通電を強制
的に停止させることがないことから、トランジスタにお
ける必要のない通電停止を行うことが無くなるため、負
荷駆動回路の制御性能を低下させることがない。

【００４４】また、２つのトランジスタが同時に異常状
態となり、２つのトランジスタが同時に異常温度となっ
た場合には、まず高温であるトランジスタへの通電を停
止し、そのあと、もう一方のトランジスタが異常温度と
なった後一定時間が経過すると、低温側のトランジスタ
についても通電を停止して、２つのトランジスタの通電
が停止される。よって、本実施例の負荷駆動回路によれ
ば、２つのトランジスタが同時に異常状態となり温度が
上昇した場合であっても、２つのトランジスタの通電を
停止させることができ、高温による破壊からトランジス
タを保護することができる。

【００４５】なお、本負荷駆動回路１においては、第１
ゲート駆動回路１５および第２ゲート駆動回路２５が特
許請求の範囲における駆動手段に相当し、電源ラインＬ
Ｖが直流電源に相当し、第１トランジスタ１１および第
２トランジスタ２１がスイッチング素子に相当し、温度
比較回路６１が温度比較手段に相当し、保護回路７１が
保護手段に相当する。また、第１ダイオード３１と第１
コンパレータ３３、および第２ダイオード４１と第２コ
ンパレータ４３が、特許請求の範囲における異常温度判
定手段に相当する。

【００４６】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種
々の態様を採ることができる。例えば、制御対象となる
負荷は２個に限ることはなく、さらに多数の負荷の駆動
制御を行う負荷駆動回路の場合には、トランジスタ、ゲ
ート駆動回路、温度検出用のダイオード、コンパレータ
などは、負荷の個数に応じて備え、また、温度比較回
路、保護回路については、負荷の個数に応じた構成のも
のを使用すればよい。

【００４７】また、第１ダイオード３１および第２ダイ
オード４１を構成するダイオード素子は４個に限ること
はなく、第１トランジスタ１１および第２トランジスタ
２１の温度変化に対する順方向電圧の変化量が、コンパ
レータが検出可能な変化量となるように個数を設定する
と良い。

【００４８】さらに、上記実施例では、第１トランジス
タおよび第２トランジスタとしてｎチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴを用いた負荷駆動回路について説明したが、これら
のトランジスタは、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いて
構成しても良く、また、バイポーラトランジスタを用い
ても良い。さらに、上記実施例では、第１トランジスタ
および第２トランジスタが、通電経路において負荷より
も高電位側に設けられたハイサイドスイッチとして備え
られているが、これらトランジスタがローサイドスイッ
チとして備えられた負荷駆動回路に本発明を適用するこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例の負荷駆動回路の概略構成図である。

【符号の説明】

１…負荷駆動回路、１１…第１トランジスタ、１５…第
１ゲート駆動回路、２１…第２トランジスタ、２５…第
２ゲート駆動回路、３１…第１ダイオード、３３…第１
コンパレータ、４１…第２ダイオード、４３…第２コン
パレータ、５１…定電圧電源、６１…温度比較回路、７
１…保護回路、ＬＬ１…第１負荷、ＬＬ２…第２負荷、
ＬＶ…電源ライン。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直流電源から複数の負荷への各通電経路
   に設けられ、制御端子に入力される駆動指令信号に基づ
   き前記各通電経路を通電・遮断する複数のスイッチング
   素子と、 該スイッチング素子に対応して備えられ、前記負荷を駆
   動制御するために、前記スイッチング素子に対して駆動
   指令信号を出力する複数の駆動手段と、 前記スイッチング素子に対応して備えられ、前記スイッ
   チング素子の温度を検出し、該検出温度が前記スイッチ
   ング素子が正常動作可能な所定温度より高い異常温度で
   あることを判定する複数の異常温度判定手段と、 を備えて、複数の負荷をそれぞれ独立して駆動するとと
   もに前記各スイッチング素子の温度検出を行う負荷駆動
   回路であって、 複数の前記スイッチング素子の各温度を比較する温度比
   較手段と、 前記異常温度判定手段にて異常温度と判定され、かつ、
   前記温度比較手段にて最も高温と判定された前記スイッ
   チング素子について、対応する前記駆動手段による前記
   駆動指令信号の出力を停止させることで、該スイッチン
   グ素子を保護する保護手段と、 を備えたことを特徴とする負荷駆動回路。
2. 【請求項２】 前記保護手段は、前記検出温度が異常温
   度となった後一定時間を経過した前記スイッチング素子
   について、前記温度比較手段による比較結果に拘わら
   ず、当該スイッチング素子に対応する前記駆動手段によ
   る前記駆動指令信号の出力を停止させること、を特徴と
   する請求項１に記載の負荷駆動回路。