FI118363B - Tehopuolijohdekomponenttien suojaus - Google Patents

Tehopuolijohdekomponenttien suojaus Download PDF

Info

Publication number
FI118363B
FI118363B FI20040462A FI20040462A FI118363B FI 118363 B FI118363 B FI 118363B FI 20040462 A FI20040462 A FI 20040462A FI 20040462 A FI20040462 A FI 20040462A FI 118363 B FI118363 B FI 118363B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
temperature
semiconductors
power
interface
heating
Prior art date
Application number
FI20040462A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20040462A0 (fi
FI20040462A (fi
Inventor
Risto Komulainen
Juha Norrena
Original Assignee
Vacon Oyj
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vacon Oyj filed Critical Vacon Oyj
Priority to FI20040462A priority Critical patent/FI118363B/fi
Publication of FI20040462A0 publication Critical patent/FI20040462A0/fi
Priority to EP05075651.9A priority patent/EP1583197B1/en
Priority to DK05075651.9T priority patent/DK1583197T3/en
Priority to US11/090,066 priority patent/US7176804B2/en
Publication of FI20040462A publication Critical patent/FI20040462A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI118363B publication Critical patent/FI118363B/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H6/00Emergency protective circuit arrangements responsive to undesired changes from normal non-electric working conditions using simulators of the apparatus being protected, e.g. using thermal images
    • H02H6/005Emergency protective circuit arrangements responsive to undesired changes from normal non-electric working conditions using simulators of the apparatus being protected, e.g. using thermal images using digital thermal images
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/1216Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for AC-AC converters

Description

118363
TEHOPUOLIJOHDEKOMPONENTTIEN SUOJAUS
Keksinnön kohteena on tehoelektroniikkalaitteiden, erityisesti taajuusmuuttajien, tehoasteissa käytettävien tehopuolijohdekomponenttien, kuten 5 IGBT, suojausmenetelmä ja - järjestelmä.
Tehoelektroniikkalaitteen, kuten taajuusmuuttajan, suorituskyvyn mittana käytetään yleensä siitä saatavaa maksimilähtövirtaa. Maksimivirta määräytyy normaalisti tehopuolijohteiden rajapintalämpötilan Tj mukaan. Ääriolo-suhteissa materiaaliteknologian mukaista ja valmistajan ilmoittamaa puolijohde-10 rajapinnan maksimilämpötilaa ei saa ylittää vaarantamatta tehokomponentin ja koko laitteen luotettavaa toimintaa.
Tehokomponentit vanhenevat periaatteessa vain mekaanisista syistä. Komponenttien koteloinnissa käytetään yleisesti moduulitekniikkaa, jossa tehopuolijohdechipit kiinnitetään eristeen päällä sijaitsevan kupari-kerroksen 15 pinnalle juottamalla ja yhdistetään kuparijohteisiin ns. bondilangoilla. Tässä ratkaisussa rajapintalämpötilan suuret vaihtelut aiheuttavat mekaanista elämistä käytettyjen materiaalien erisuuruisten lämpölaajenemiskerrointen vuoksi, mikä vanhentaa juotos- ja lankaliitoksia. Valmistajat yleensä ilmoitta-vatkin moduulien eliniän käyrästöinä joista ilmenee moduulien kestämien lämpösyklien luku-20 määrä lämpötilan vaihtelualueen funktiona.
Tehokomponentin lämpenemä mitattavissa olevan ulkopinnan ja si-säisen puolijohderajapinnan välillä aiheutuu siinä syntyvästä häviötehosta.
: :*· Merkittävimmät häviötehoon vaikuttavat tekijät ovat kuormitusvirta ja kytkentä-
• M
taajuus. Esimerkiksi taajuusmuuttajissa yleisesti käytetyille IGBT-kytkimille "··. 25 valmistajat ilmoittavat datalehdissä käyrästöt, joista häviöt voi laskea näiden • » "j. tekijöiden funktiona (päästöjännite virran funktiona sekä sytytys- ja sammutus- häviöt virran, jännitteen ja ohjaustavan funktiona).
*···’ Rajapinnan lämpötilaa ei voi mitata suoraan mm. kotelointiteknisis- tä syistä. Turvallisen toimintalämpötilan varmistamiseksi on siksi perinteisesti 30 turvauduttu epäsuoriin menetelmiin useimmiten jäähdyttimen lämpötilan mit- • · · taamisen kautta. Tässä menetelmässä selvitetään tyyppitestien ja simulointi-laskelmien avulla teoreettinen rajapinnan lämpötila mitatun jäähdyttimen lämpö-,···. tilan ja laitteen kuormituksen funktiona yhdessä kuormituspisteessä kerrallaan.
Ohjausjärjestelmään voidaan sitten asettaa esim. ohjelmallinen lähtövirran *·* ] 35 maksimirajakäyrä mitatun jäähdyttimen lämpötilan ja asetetun kytkentätaajuu- \*·: den funktiona.
2 118363
Perinteisten suojausmenetelmien ongelma on se, että arvaus todellisesta rajapinnan lämpötilasta on varsin karkea. Tämän vuoksi mitoitus on herkästi joko ylivarovainen tai liian kriittinen. Esimerkiksi äkillisissä kuormitus-iskuissa tai hyvin pienillä moottorin syöttötaajuuksilla mekaniikasta aiheutuvat 5 lämpökapasitanssit aiheuttavat sen, ettei mitatusta jäähdyttimen lämpötilasta pysty lainkaan tekemään johtopäätöksiä todellisesta puolijohderajapinnan lämpötilan käyttäytymisestä.
Perinteiset suojausmenetelmät eivät myöskään tarkastele tietyn yksittäisen tehopuolijohteen lämpötilaa, vaan niillä mallinnetaan tyypillisesti kes-10 kimääräisen komponentin lämpenemää kaikkien vaiheiden virrasta muodostetun maksimivirtamallin pohjalta ja pyritään siten vain teoreettisen maksimilämpötilan indikoimiseen. Näinollen esimerkiksi pienillä taajuuksilla (alle 1 Hz), jossa yksittäisen tehopuolijohteen rajapintalämpötila voi vaihdella rajustikin yhden jakson aikana, ei nähdä tätä vaihtelua, vaan periaatteessa ainoastaan kaikista 15 laitteen tehopuolijohteiden rajapintalämpötiloista valittu maksimiarvo.
Tunnetuin menetelmin tehopuolijohteen lämpösuojauksessa on pyritty siis vain varmistamaan, ettei speksattua rajapinnan maksimilämpötilaa ylitetä. Lämpötilan dynaamisen käyttäytymisen vaikutus elinikään on otettu huomioon vain manuaalisin laskelmin.
20 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnetun tekniikan epä kohdat ja saada aikaan aivan uudenlainen tehopuolijohdekomponenttien suo-jausmenetelmä. Keksinnön mukaisessa menetelmässä hyödynnetään nykytek- · : nologian mukaisten tehoelektroniikkalaitteiden, esimerkiksi taajuus-muuttajien, ohjauspiirien älyä ja laskentakykyä tehopuolijohteiden rajapinta-lämpötilojen "··. 25 laskemiseksi reaaliaikaisesti. Reaaliaikaisuus tarkoittaa sitä, että lämpötilaa • · lasketaan vähintään komponentin lämpöverkkomallin lyhimmän aikavakion mit-taisin aikavälein.
• i *···* Reaaliaikainen rajapintalämpötilan tunteminen tuo mm. seuraavia etuja: .«:* 30 · Kun rajapintalämpötila tiedetään tarkasti, voidaan laitteen täysi suori-
• M
tuskyky hyödyntää turvallisesti kaikissa tilanteissa esimerkiksi lähtövir-ran maksimiarvon dynaamisen asettelun kautta.
!··. · Laitteen luotettavuus paranee kun ylilämpösuojaus kohdistuu suoraan • · siihen kriittiseen tehoelektroniikkalaitteen kohteeseen jota pitääkin v : 35 suojata. Esimerkiksi pienillä taajuuksilla, jossa lämpötilan vaihtelu voi • ♦ olla huomattavaa yhden lähtöjännitteen jakson aikanakin, tästä on erityisen suuri hyöty.
3 118363 • Sovelluksissa, joissa kuormitus on hyvin syklistä (esim. hissit) ja siten rasittavaa tehomoduulin liitosten kannalta, laite voi varoittaa huolto-tarpeesta elinkaarensa lopun lähestyessä tehomoduulille ilmoitetun turvallisen lämpösyklimäärän tullessa täyteen.
5 Yksityiskohtaisesti keksinnön mukaiselle suojausmenetelmälle ja suojausjärjestelmälle tunnusomaiset piirteet on esitetty oheisissa patenttivaatimuksissa.
Seuraavassa keksintöä selostetaan yksityiskohtaisemmin esimerkin avulla viittaamalla oheisiin piirustuksiin, joissa 10 kuvio 1 esittää jänniteohjattua PWM-taajuusmuuttajaa, kuvio 2 kuvaa tehopuolijohdemoduulin lämpöverkkomallia, kuviot 3.1 - 3.3 esittävät yhtä häviötehopulssia ja sen aiheuttaman lämpenemän laskentamenetelmää, kuviot 4.1 - 4.2 esittävät kahta häviötehopulssia ja niiden aiheut-15 tämän lämpenemän laskentamenetelmää,, kuviot 5.1 - 5.2 esittävät taajuusmuuttajan lähtövirran aiheuttamaa yhden IGBT-kytkimen lämpenemää yhden puolijakson ja usean jakson aikana kuviot 6.1 - 6.3 esittävät taajuusmuuttajan yhden IGBT-kytkimen virtapulssia ja sen aiheuttamien häviöenergiakomponenttien muodostumista 20 sekä summaenergian jakamista tasaisesti koko johtamisjakson ajalle.
Kuvio 1 esittää kolmivaiheista jänniteohjattua PWM-taajuus-muuttajaa, jossa on verkkosilta 10 syöttöverkon kolmivaiheisen vaihtojännitteen, • · . .·. jossa on vaihejännitteet Ur, Us, Ut, tasasuuntaamiseksi tasajännitevälipiirin *!:, tasajännitteeksi UDc sekä kuormasilta (invertteri) 11 tasajännitevälipiirin tasa- "II, 25 jännitteen vaihtosuuntaamiseksi taajuudeltaan vaihtelevaksi kolmivaiheiseksi "f vaihtojännitteeksi, jonka vaihejännitteet ovat UUt Uv, Uw. Kuormasilta 11 on ko- • · · ·;;; koaaltosilta, jossa ohjausyksikkö 13 ohjaa pulssileveysmodulaatiolla kunkin • * ’**·* vaiheen tehopuolijohdekytkimiä V11 - V16, joiden rinnalla on vastarinnan- kytketyt nolladiodit D11 - D16. Verkkosilta 10 on ohjaamaton kokoaaltosilta, m 30 joka koostuu diodeista D1-D6. Taajuusmuuttajaa ohjataan ohjausyksiköllä CU, \,*ϊ johon on myös järjestetty välipiirijännitteen mittausyksikkö Udc ja lähtövaihe- :v, virtojen lu, lv. Iw mittausyksikkö lm, jolla samalla mitataan tehopuoli- • · ,*··’. johdekomponenttien läpi kulkevaa virtaa.
*** Tämän keksinnön mukaisesti tehoelektroniikkalaitteen, erityisesti »·· v 5 35 taajuusmuuttajan ohjausjärjestelmässä käytetään reaaliaikaista yksittäisen te- ·*.*·! hopuolijohteen rajapintalämpötilan lämpenemää mallintavaa laskentaa seuraa vassa kuvatulla tunnetun teorian mukaisella menetelmällä tai jollakin siitä johde- 4 118363 tulla yksinkertaistetulla menetelmällä. Lopullinen rajapintalämpötila on mitatun jäähdyttimen lämpötilan ja lasketun lämpenemän summa, ja laitteen yliläm-pösuojaus perustuu näin mallinnettuun rajapintalämpötilaan.
Laskennassa ohjausjärjestelmä voi hyödyntää suoraan valmistajan 5 ilmoittamia tehopuolijohteen päästöjännite- ja kytkentäenergiakäyriä, jotka on esimerkiksi taulukoitu ohjausjärjestelmän muistiin.
Tehopuolijohdemoduulin lämpömalli koostuu useista erikokoisista lämpövastuksista ja lämpöaikavakioista. Lämpömalliin voi kuulua esimerkiksi 10 kuvion 2 mukainen lämpöverkko johon kuuluu kolme lämpövastuksista Rthi -Rth3 ja -kapasitansseista Cthi - Cth3 koostuvaa aikavakiota. Aikavakioiden koot riippuvat komponentin rakenteesta, suuruusluokan vaihdellessa tyypillisesti välillä 1 ms - 1 sek.
15 Suorakaiteen muotoisen yksittäisen tehopulssin aiheuttama läm- penemä ja jäähtyminen lasketaan tunnetusti seuraavalla tavalla (kts. kuviot 3.1 - 3.3): 1) Häviötehopulssi P1 (kuvio 3.1), jonka kesto on t1, korvataan kahden 20 jatkuvan tehopulssin summalla (kuvio 3.2), joista P1 alkaa hetkellä 0 ja -P1 hetkellä t1.
• · ♦ * ♦ • ·· • · : 2) Jatkuvan tehopulssin P aiheuttama lämpenemä AT ajan funktiona *·· noudattaa tunnetusti kaavaa ··«· 25 ··· * ^ *···: jossa termit Ri ja τί ovat valmistajan ilmoittamia lämpövastuksia ja lämpöaika vakioita.
··· m • · · · '['. J 30 3) Esimerkin mukaisen tehopulssin aiheuttama maksimilämpenemä het- :v. kellä t1 saadaan sijoittamalla kaavaan (1) P = P1 ja t = t1. Läm- penemä myöhemmin hetkellä t2 saadaan lasketuksi samalla kaavalla *" positiivisen ja negatiivisen tehopulssin aiheuttamien lämpenemien • ·« v 5 summana seuraavasti (kuvio 3.3): V-i 35 AT(tl) = Plx fAr(t2)-PU fja-n) (2) 5 118363 4) Laitteen toimiessa erikokoiset häviötehopulssit seuraavat toisiaan jatkuvana jonona. Niiden aiheuttama kokonaislämpenemä lasketaan yllä olevan esimerkin mukaisesti laskemalla yhteen jokaisen pulssin aihe-5 uttamat lämpenemät. Periaatetta selventää kuvioiden 4.1 - 4.2 esi merkki, joka esittää kahden erikokoisen häviötehopulssin P1 ja P2 aiheuttamia lämpenemäkäyriä ΔΤρι, ΔΤ.ρι, ΔΤρ2, ja ΔΤ.ρ2, sekä niiden summana saatua kokonaislämpenemäkäyrää ΔΤ.
10 Kuviossa 5.1 on yksinkertaistettu esimerkki kuvion 1 mukaisen taa juusmuuttajan yhden tehopuolijohteen, V11, lämpenemän luonteenomaisesta käyttäytymisestä kytkentätaajuutta vastaavan jakson ts ja vaihevirran positiivisen puolijakson aikana. Kuvion mukaisesti vaihevirran nousevat osuudet (esimerkiksi kuvioon merkitty poikkiviivoitettu virtapaikka) kulkevat IGBT.n V11 kaut-15 ta ja vaihevirran laskevat osuudet vastaavasti vastakkaisen nolladiodin D14 kautta. Näinollen IGBT:n lämpenemä ATvn kasvaa silloin kun virta kulkee sen kautta ja laskee silloin kun se on virraton. Kuten kuvioista 1 ja 5.1 voi päätellä, lähtövirran lu negatiivisen puolijakson aikana sekä V11 että D14 ovat koko ajan virrattomia, joten silloin niiden lämpenemä laskee.
20 Kuviossa 5.2 on vastaava luonteenomainen esimerkki IGBT:n V11 lämpenemän käyttäytymisestä pitemmällä ajanjaksolla. Esimerkissä on oletettu että alkutilanteessa laite on jäähtynyt ja hetkellä t1 lähtövirta alkaa kulkea vakio- · . taajuudella ja -amplitudilla. Kuvion 5.1 esimerkin mukaisesti IGBT:n läm- penemä kasvaa lähtövirran positiivisten puolijaksojen aikana (esim. aikaväli t1 - !’·*··. 25 t2) ja laskee negatiivisten puolijaksojen aikana (esim. aikaväli t2 -13). Läm- • · penemän keskiarvo ATave kasvaa useiden jaksojen aikana eksponentiaalisesti ·"* kohti lähtövirtaa vastaavaa loppulämpenemää ATend tehopuolijohteen lämpöai- • · *·*·* kavakioiden mukaisesti. Käyrä ΔΤΓβ3ι esittää IGBT:n lämpenemän todellista re aaliaikaista käyttäytymistä, jonka mallintaminen on tämän keksinnön tarkoitta-30 man suojausmenetelmän ja -järjestelmän kohteena. Tunnetun tekniikan mukai- *·* Y.·' nen lämpenemän mallinnus vastaa lähinnä joko loppulämpenemän laskentaa tai parhaimmillaankin vain lämpenemän keskiarvon laskentaa.
» · f <1 • · • · Y Täydellinen teorian mukainen lämpenemän laskenta erikokoisten Y : 35 häviötehopulssien seuratessa toisiaan jatkuvana jonona on suhteellisen työlästä • * Y·: ja vaatii paljon laskentatehoa. Käytännössä laskentaa voidaan yksinkertaistaa 6 118363 tarkkuuden silti kärsimättä liikaa esimerkiksi seuraavien taajuusmuuttajalle soveltuvien periaatteiden mukaisesti: 1) Kaikki tehopuolijohteen yhden johtamisjakson aikana kertyneet häviö-5 energiakomponentit (sytytysenergia, johtotilan häviöenergia ja sam- mutusenergia) summataan ja oletetaan kyseisen summaenergian syntyneen tasaisesta koko laskentajakson ajalle levittäytyneestä häviöte-hosta. Periaatetta selventää kuvioiden 6.1 - 6.3 esimerkki, jossa on esitetty yksi tehopuolijohteen V11 johtamisjakso te kuvion 1 mukaises-10 sa taajuusmuuttajassa. Pact esittää todellista johtamis-jakson aikana syntyvää häviötehokäyrää ja Pest tasaista koko kytkentäjakson ts ajalle levitettyä häviötehoa, jonka aikaintegraali on sama kuin Pact^ ai-kaintegraali. Näin voidaan ilman suurta virhettä menetellä koska läm-penemä on luonteeltaan kertymäfunktio joten laskennassa käytetty 15 kokonaisenergia on ratkaiseva.
Tämä oletus helpottaa laskentaa merkittävästi, koska kytkentätaajuus on yleensä vakio jolloin kytkentäjakson pituuskin on vakio. Tällöin kaavan (1) mukainen eksponenttitermi voidaan laskea etukäteen kytkentäjakson mittaiselle ajanjaksolle, jolloin lämpenemä voidaan laskea 20 kertolaskuna.
•V·! ΔΤ-ΜΡκτ (3) m • · · • · · ·· ··. Kertolaskun suorittaminen vie paljon vähemmän laskentakapasiteettia ···· .***. 25 kuin eksponenttitermien laskenta.
Huomattakoon että laskentajaksona voi käyttää pitempääkin aikaväliä kuin yhtä kytkentäjaksoa, koska yleensä kytkentäjakson pituus on pal-*“* jon lyhempi kuin komponentin lämpöverkkomallin lyhin aikavakio, min- . kä vuoksi lämpenemämuutoskin sen aikana on vähäinen. Oleellista on ·*··’ 30 ottaa kaikki laskentajakson aikana esiintyneet virtapulssit häviölaskel- missä huomioon. On myös mahdollista että johtamisjakso on pidempi kuin laskentajakso esimerkiksi silloin, kun taajuus-muuttajan lähtöjän-nite on suurin mahdollinen (6-step toiminta).
··· • · * "f | 35 2) Yhden kytkentäjakson (ts) aikana syntyneen häviötehon laskemiseksi '· *: moottorivirran voi olettaa pysyvän vakiona koko johtamisjakson (te) ajan (keskiarvo iave = (io + ii)/2), kts. kuvio 6.2). Mitä korkeampaa kyt- 7 118363 kentätaajuutta käytetään, sitä paremmin tämä oletus pitää paikkansa. Kun ohjausjärjestelmälle on mallinnettu esimerkiksi parametreillä te-hopuolijohteen päästöjännitekäyrä (kynnysjännite VCeo ja päästöresis-tanssi γ0ε) ja kytkentäenergiakäyrät (Eon ja Eoff), saadaan yhden kyt-5 kentäjakson aikana syntynyt keskimääräinen häviöteho Pest lasketuk si seuraavasti:
Eon = f(iave, UdC) (datalehden sytytysenergiakäyrästä)
Eoff = f(iave, Udc) (datalehden sammutusenergiakäyrästä) 10 Uon = Vceo + Tce * iave (Vceo ja rCE saadaan datalehdestä) (4)
Econd s Uon * iave * te Gohtoaika te saadaan ohjauspiireiltä) (5)
Pest - (Eon + Eoff + Econd) / ts (6) 3) Tehopulssin jälkeisellä jäähtymiskäyrällä voidaan eksponenttilaskut 15 korvata kertolaskuilla käyttämällä laskentajakson monikerroille määri tettyjä etukäteen laskettuja kertoimia. Esimerkiksi laskenta-jakson ts mittaisen tehopulssin P1 aiheuttama lämpenemä viiden laskentajakson kuluttua tehopulssin alkamisesta voidaan laskea määrittämällä kaavan (2) perusteella kerroin k5 (negatiivinen luku), joka kuvaa sitä 20 kuinka paljon lämpenemä pienenee tehopulssin loppumista seuraavan 4. laskentajakson aikana, kertomalla tehopulssin suuruus tällä kertoi- : mella ja lisäämällä tulos edelliseen lämpenemätulokseen seuraavasti: • ! • · · **;V ΔΤ(5 X ts) = k5 x P1 + ΔΤ(4 X ts) (7) ·♦♦* ΛΓ ... 25 • · *···* Kun tarkka rajapintalämpötilan käyttäytyminen on tiedossa, taajuus- ···: muuttajan ohjausjärjestelmä voi pitää kirjaa lämpötilan vaihteluista (lämpösyk- leistä), verrata niiden lukumäärää ohjausjäijestelmään syötettyihin valmistajan ilmoittamiin syklien maksimimääriin ja antaa varoituksen, kun niiden lukumäärä 30 (= tehopuolijohteen ennakoitu elinikä) tulee täyteen.
Rajapinnan lämpötila voidaan myös näyttää suoraan asteina esimerkiksi taajuusmuuttajan ohjauspaneelilla.
Alan ammattimiehelle on selvää, että keksinnön eri sovellutusmuodot eivät • » '·;·* rajoitu yksinomaan edellä esitettyyn esimerkkiin, vaan ne voivat vaihdella jäl- :Τί 35 jempänä esitettävien patenttivaatimusten puitteissa. Siten samaa menetelmää voi soveltaa esimerkiksi taajuusmuuttajien verkkosilloissa, diodien lämpenemän • · laskennassa jne.

Claims (7)

8 118363
1. Taajuusmuuttajien tehoasteissa käytettävien tehopuolijohdekompo-nenttien suojausmenetelmä, 5 jossa käytetään tehokomponenttien (V11-V16) puolijohderajapinnan läm-penemää mallintavaa laskentaa, missä tehokomponenttien lämpenemä mitattavissa olevan ulkopinnan tai jäähdyttimen ja sisäisen puolijohderajapinnan välillä määritetään komponentin häviötehon ja lämpöverkkomallin perusteella, jossa mitataan tehokomponentin ulkopinnan tai jäähdyttimen lämpötilaa, 10 jossa mallinnettu puolijohderajapinnan lämpötila on mitatun ulkopinnan tai jäähdyttimen lämpötilan ja lasketun lämpenemän summa, ja jossa mallinnetun rajapintalämpötilan perusteella annetaan hälytys tai suoritetaan jokin muu suojaustoimenpide, tunnettu siitä, että menetelmässä: 15 lasketaan puolijohderajapinnan lämpötilaa reaaliaikaisesti, vähintään läm pöverkkomallin lyhimmän aikavakion mittaisin aikavälein, jokaisen virran johta-misjakson (te) aikana syntyvän häviötehopulssin aiheuttaman lämpenemän perusteella, ja lämpenemän laskenta suoritetaan vakiolaskentavälein (ts), joiden pituus 20 on vähintään lämpöverkkomallin lyhimmän aikavakion mittainen.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, .. tunnettu siitä, että menetelmässä • · · *· / seurataan puolijohderajapinnan lämpötilan vaihteluita (lämpösyklejä), ver- rataan niiden lukumäärää ohjausjärjestelmään syötettyihin valmistajan ilmoitta-25 miin syklien maksimimääriin ja tehdään hälytys tai muu suojaus-toimenpide, kun syklien lukumäärä tulee täyteen.
·:· 3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, ·«·· ’ tunnettu siitä, että menetelmässä: · · laskentavälin (t$) aikana oletetaan tehopuolijohteen häviötehon pysyvän : 30 vakiona (Pest). missä kyseisen vakiotehon aiheuttama häviöenergia (Pest * ts ) .”··*. on sama kuin tehokomponentin ominaiskäyrien perusteella laskettu todellinen • · häviöenergia (Eon + E0ff + Econd) saman laskentavälin aikana.
4. Patenttivaatimusten 1 ja 3 mukainen menetelmä, *""· tunnettu siitä, että menetelmässä: 35 lämpenemän muutosten laskenta perustuu etukäteen laskettuihin ja ohja- .···. usjärjestelmään taulukoitujen kertoimien (ki, k5) käyttämiseen, jotka kertoimet • * · β 118363 on laskettu tehopuolijohdekohtaisten lämpöaikavakioiden ja vakiolaskentavälin perusteella.
5. Taajuusmuuttajien tehoasteissa käytettävien tehopuolijohdekompo-nenttien suojausjärjestelmä (CU), 5 jossa käytetään tehokomponenttien (V11-V16) puolijohderajapinnan läm- penemää mallintavaa laskentaa, jossa tehokomponenttien lämpenemä mitattavissa olevan ulkopinnan tai jäähdyttimen ja sisäisen puolijohderajapinnan välillä määritetään komponentin häviötehon ja lämpöverkkomallin perusteella jossa mitataan tehokomponentin ulkopinnan tai jäähdyttimen lämpötilaa, 10 jossa mallinnettu puolijohderajapinnan lämpötila on mitatun ulkopinnan tai jäähdyttimen lämpötilan ja lasketun lämpenemän summa, ja jossa mallinnetun rajapintalämpötilan perusteella annetaan hälytys tai suoritetaan jokin muu suojaustoimenpide, tunnettu siitä, että se 15 laskee puolijohderajapinnan lämpötilaa reaaliaikaisesti, vähintään lämpö verkkomallin lyhimmän aikavakion mittaisin aikavälein, jokaisen virran johtamis-jakson (te) aikana syntyvän häviötehopulssin aiheuttaman lämpenemän perusteella, ja se suorittaa lämpenemän laskentaa vakiolaskentavälein (ts), joiden pituus 20 on vähintään lämpöverkkomallin lyhimmän aikavakion mittainen.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen suojausjärjestelmä, tunnettu siitä, että se • · · *· " seuraa liitoslämpötilan vaihteluita (lämpösyklejä), vertaa niiden lukumää- *·:·* rää ohjausjärjestelmään syötettyihin valmistajan ilmoittamiin syklien maksimi- 25 määriin ja tekee hälytyksen tai muun suojaustoimenpiteen, kun syklien luku- • · * määrä tulee täyteen. "‘m\m
7. Patenttivaatimuksen 5 mukainen suojausjärjestelmä, tunnettu siitä, että taajuusmuuttajassa tai vastaavassa on näyttö, jolle näytölle on saatavissa suoraan asteina yksittäisen tehokomponentin puoli-: 30 johderajapinnan lämpötila. φ · · · • · · • · • · * * * « • · * • · * • · • · « • « • · • · · 10 1 1 8363
FI20040462A 2004-03-29 2004-03-29 Tehopuolijohdekomponenttien suojaus FI118363B (fi)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20040462A FI118363B (fi) 2004-03-29 2004-03-29 Tehopuolijohdekomponenttien suojaus
EP05075651.9A EP1583197B1 (en) 2004-03-29 2005-03-18 Protection of power semiconductor components
DK05075651.9T DK1583197T3 (en) 2004-03-29 2005-03-18 Protection of power semiconductor components
US11/090,066 US7176804B2 (en) 2004-03-29 2005-03-28 Protection of power semiconductor components

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20040462 2004-03-29
FI20040462A FI118363B (fi) 2004-03-29 2004-03-29 Tehopuolijohdekomponenttien suojaus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20040462A0 FI20040462A0 (fi) 2004-03-29
FI20040462A FI20040462A (fi) 2005-09-30
FI118363B true FI118363B (fi) 2007-10-15

Family

ID=32039480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20040462A FI118363B (fi) 2004-03-29 2004-03-29 Tehopuolijohdekomponenttien suojaus

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7176804B2 (fi)
EP (1) EP1583197B1 (fi)
DK (1) DK1583197T3 (fi)
FI (1) FI118363B (fi)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3963175B2 (ja) * 2004-03-19 2007-08-22 日産自動車株式会社 温度検出装置および温度検出用プログラム
FI121803B (fi) * 2005-05-03 2011-04-15 Vacon Oyj Taajuusmuuttajan valvontajärjestely
JP5016967B2 (ja) * 2007-04-20 2012-09-05 株式会社日立産機システム 電力変換装置及びパワーサイクル寿命予測方法
WO2008150907A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-11 Acciona Windpower, S.A. Systems and methods for synchronous speed avoidance in doubly-fed induction generators
US20090012739A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Continental Automotive Systems Us, Inc. Method for determining power semiconductor temperature
US7988354B2 (en) * 2007-12-26 2011-08-02 Infineon Technologies Ag Temperature detection for a semiconductor component
US8380451B2 (en) * 2009-07-14 2013-02-19 Ford Global Technologies, Llc System and method for monitoring the state of health of a power electronic system
WO2012000545A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Abb Technology Ag An hvdc transmission system, an hvdc station and a method of operating an hvdc station
CN101997302B (zh) * 2010-08-13 2014-03-19 乌云翔 大功率变流器的电力电子器件温度过高的保护方法
TWI417795B (zh) * 2010-08-25 2013-12-01 Macronix Int Co Ltd 積體電路及其操作方法
DE102011006696A1 (de) * 2011-04-04 2012-10-04 Zf Friedrichshafen Ag Leistungselektronikbaugruppe
EP2551982B1 (de) * 2011-07-27 2013-09-25 Siemens Aktiengesellschaft Thermische Überwachung eines Umrichters
US20140079092A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-20 Abb Oy Method and apparatus for pre-emptive power semiconductor module fault indication
CN102930093B (zh) * 2012-10-24 2015-07-08 南车株洲电力机车研究所有限公司 一种两电平变流器的建模方法
FI125501B (fi) * 2013-02-14 2015-10-30 Abb Technology Oy Ohjausjärjestelmä puolijohdekytkimiä varten
CN104155587B (zh) * 2014-07-18 2017-05-10 浙江大学 一种igbt模块工作结温的在线检测系统及检测方法
CN105572558A (zh) * 2015-12-09 2016-05-11 浙江大学 一种功率二极管模块工作结温的在线检测系统及其检测方法
CN105718694B (zh) * 2016-01-28 2019-02-19 重庆大学 基于igbt结温信息的热网络参数辨识方法
CN107238761A (zh) 2016-03-28 2017-10-10 通用电气公司 开关放大器、梯度放大器及估算开关放大器剩余寿命的方法
CN109669112B (zh) * 2017-10-16 2021-01-22 北京金风科创风电设备有限公司 风机的变流器、igbt模块的结温监测方法和装置
CN111293671B (zh) * 2020-02-07 2021-01-08 山东大学 基于结温预测的功率器件热保护与预警方法及系统
CN112134261A (zh) * 2020-08-27 2020-12-25 上海沪工焊接集团股份有限公司 一种连续过载保护和功率器件降温控制方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4669025A (en) * 1986-04-21 1987-05-26 Digital Equipment Corporation Semiconductor junction temperature emulator
DE4322650A1 (de) * 1993-07-07 1995-01-12 Siemens Ag Temperatursensor mit einem p-n-Übergang
JPH07135731A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子の過熱保護装置
US5600575A (en) * 1994-10-05 1997-02-04 Anticole; Robert B. Drive protection monitor for motor and amplifier
US5737169A (en) * 1996-02-28 1998-04-07 Eni, A Division Of Astec America, Inc. Intrinsic element sensing integrated SOA protection for power MOSFET switches
GB9614590D0 (en) 1996-07-11 1996-09-04 Smiths Industries Plc Electrical apparatus
GB2337121B (en) * 1998-05-09 2002-07-31 Motorola Ltd Temperature estimation arrangement and method
JP3585105B2 (ja) * 1999-12-08 2004-11-04 矢崎総業株式会社 過熱保護機能付き半導体装置の制御回路
DE10203577A1 (de) * 2002-01-30 2003-08-21 Siemens Ag Verfahren zum Prognostizieren der Lebensdauer von leistungselektronischen Bauelementen
US6888469B2 (en) * 2003-01-02 2005-05-03 Copley Controls Corporation Method and apparatus for estimating semiconductor junction temperature

Also Published As

Publication number Publication date
DK1583197T3 (en) 2015-06-29
FI20040462A0 (fi) 2004-03-29
EP1583197A3 (en) 2011-09-21
EP1583197B1 (en) 2015-03-18
FI20040462A (fi) 2005-09-30
US7176804B2 (en) 2007-02-13
EP1583197A2 (en) 2005-10-05
US20050212679A1 (en) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI118363B (fi) Tehopuolijohdekomponenttien suojaus
Choi et al. Advanced accelerated power cycling test for reliability investigation of power device modules
TW200903208A (en) Temperature monitoring of power switches
KR101899618B1 (ko) 배터리 충전기와 여자기를 포함하는 전자 디바이스의 전력 핸들링을 개선시키기 위한 시스템 및 방법
JPH07135731A (ja) 半導体素子の過熱保護装置
US20190289680A1 (en) Power conversion apparatus and power conversion method
Künzi Thermal design of power electronic circuits
Ghimire et al. An online V ce measurement and temperature estimation method for high power IGBT module in normal PWM operation
CN101997302A (zh) 大功率变流器的电力电子器件温度过高的保护方法
Chen et al. Electrothermal-based junction temperature estimation model for converter of switched reluctance motor drive system
Ma et al. Method of junction temperature estimation and over temperature protection used for electric vehicle's IGBT power modules
Du et al. A measurement method to extract the transient junction temperature profile of power semiconductors at surge conditions
Sathik et al. Online junction temperature estimation of IGBT modules for Space Vector Modulation based inverter system
Xu et al. Full-time junction temperature extraction of IGCT based on electrothermal model and TSEP method for high-power applications
Karami et al. Thermal characterization of SiC modules for variable frequency drives
Choi et al. Advanced power cycling test for power module with on-line on-state V CE measurement
US11736000B2 (en) Power converter with thermal resistance monitoring
CN108647436A (zh) 功率器件损耗测算方法及结温测算方法
JP2014239576A (ja) 電力変換装置
Nejadpak et al. Effects of different switching algorithms on the thermal behavior of IGBT modules under pulse-load conditions
Musallam et al. Estimation and control of power electronic device temperature during operation with variable conducting current
Yu et al. Comparative Analysis of Power Semiconductor Thermal Stress in DC and AC Power Cycling
CN112765786B (zh) 功率器件的结温估算方法、功率器件、电机控制器及计算机可读存储介质
Pan et al. Junction temperature analysis of IGBT devices
Pan et al. Construction and application of electro-thermal co-simulation platform

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 118363

Country of ref document: FI

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: VACON OY

MM Patent lapsed