JP2001168017A5 - 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記基準ドーズデータは、露光するべき前記パターンに依存して決定されるビットマップデータ、または、前記ビットマップデータと照射時間の割合を定義するデータとを含むことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
複数の荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記複数の荷電粒子線の照射位置に応じて近接効果補正を施すためのデータを記憶手段と、
前記複数の荷電粒子線の通過方向に垂直な平面上に配列された複数の開口と、その開口を挟むように設けられた複数対の電極と、を有するブランカアレイと、を備え、
前記複数対の電極は、前記記憶手段により記憶されたデータに基づいて、開口を通過する荷電粒子線を個別に偏向し、前記複数の荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
露光された前記被露光体を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記基準ドーズデータは、露光するべき前記パターンに依存して決定されるビットマップデータ、または、前記ビットマップデータと照射時間の割合を定義するデータとを含むことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
複数の荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記複数の荷電粒子線の照射位置に応じて近接効果補正を施すためのデータを記憶手段と、
前記複数の荷電粒子線の通過方向に垂直な平面上に配列された複数の開口と、その開口を挟むように設けられた複数対の電極と、を有するブランカアレイと、を備え、
前記複数対の電極は、前記記憶手段により記憶されたデータに基づいて、開口を通過する荷電粒子線を個別に偏向し、前記複数の荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
露光された前記被露光体を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
本発明の第２の側面に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35348399A JP2001168017A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
| US09/733,980 US6903352B2 (en) | 1999-12-13 | 2000-12-12 | Charged-particle beam exposure apparatus, charged-particle beam exposure method, control data determination method, and device manufacturing method using this method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35348399A JP2001168017A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168017A JP2001168017A (ja) | 2001-06-22 |
| JP2001168017A5 true JP2001168017A5 (ja) | 2006-06-08 |
Family
ID=18431157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35348399A Pending JP2001168017A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6903352B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001168017A (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4585661B2 (ja) | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2001284230A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP2003203836A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法 |
| JP3940310B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2007-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法 |
| KR101060557B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2011-08-31 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그라피 시스템 |
| US7131100B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-10-31 | Synopsys Inc. | Identifying phantom images generated by side-lobes |
| JP4298399B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 電子線装置及び該電子線装置を用いた電子線描画装置 |
| JP2005032837A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Canon Inc | 荷電粒子描画方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| US7005659B2 (en) * | 2003-07-08 | 2006-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method, and device manufacturing method using the same apparatus |
| JP2010067399A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Canon Inc | 導電性部材の製造方法、及びこれを用いた電子源の製造方法 |
| JP2012216260A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
| JP5859778B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6128744B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2017-05-17 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 |
| JP2014116518A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
| JP6110685B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2017-04-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 |
| JP2015035563A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | キヤノン株式会社 | 描画データの生成方法、処理装置、プログラム、描画装置、および物品の製造方法 |
| JP6966342B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2021-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| US11145485B2 (en) * | 2018-12-26 | 2021-10-12 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beams irradiation apparatus |
| JP7465246B2 (ja) | 2021-09-08 | 2024-04-10 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置及び画像生成方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| JP3469422B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
| EP1369897A3 (en) | 1996-03-04 | 2005-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US5847959A (en) * | 1997-01-28 | 1998-12-08 | Etec Systems, Inc. | Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation |
| JP4018197B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| JP3827422B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| US6610989B1 (en) * | 1999-05-31 | 2003-08-26 | Fujitsu Limited | Proximity effect correction method for charged particle beam exposure |
| JP2001126980A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-11 | Nikon Corp | 蓄積エネルギー計算方法、プログラム記憶媒体、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4295262B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2009-07-15 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
-
1999
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-
2000
- 2000-12-12 US US09/733,980 patent/US6903352B2/en not_active Expired - Fee Related
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