JP2001085303A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. パターン密度の異なる複数のパターンを有するマスクと、
   前記パターンを転写すべき基板が載置されたステージと、
   パターン密度をパラメータとして荷電ビームの最適なビーム調整パラメータを記憶する描画パラメータテーブルを有し、該描画パラメータテーブルに基づいて前記基板に照射される荷電ビームを制御する制御部とを具備してなり、
   前記パターン密度に応じた最適なビーム調整パラメータを前記描画パラメータテーブルから前記パターン毎に選択してパターン転写を行うことを特徴とする荷電ビーム露光装置。
2. 前記描画パラメータテーブルは、ビーム調整パラメータを変化させつつ前記パターンを通過させた荷電ビームで、ステージ又は前記基板上に前記パターンに対応する形状をもって形成されたビーム調整用マークを走査して得られる反射電子信号を前記パターンの少なくとも２つについて求めた結果に基づいて作成することを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム露光装置。
3. 前記ビーム調整用マークは、予め前記基板又は前記ステージ上に形成され、対応する前記パターンと相似した形状を有することを特徴とする請求項２に記載の荷電ビーム露光装置。
4. 前記ビーム調整用マークは、前記パターンの転写により形成されてなり、該パターンと相似した形状を有することを特徴とする請求項２に記載の荷電ビーム露光装置。
5. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム露光装置。
6. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
   前記複数のビーム調整用開口部の少なくとも１つは、前記複数のパターン露光用開口部の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム露光装置。
7. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
   少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも２つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
   少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム露光装置。
8. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
   少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも二つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
   少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群から離れた前記マスクの中央近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム露光装置。
9. 少なくとも２つのパターン密度を有する複数のパターンが設けられたマスクに該パターン毎にビーム調整を行い荷電ビームを照射して試料表面上にパターン転写する荷電ビーム露光方法であって、
   複数の異なるパターン密度を有し、前記パターンを前記試料面上に転写して形成され、あるいは予め該試料面上に該パターンを転写した形状とほぼ同一の形状をもって形成された複数のビーム調整用マークに荷電ビームを照射し、該ビーム調整用マークに対応する前記パターン毎にビーム調整するパラメータを種々変更して前記試料面からの反射電子を検出し、最適ビーム調整パラメータを求める第１の工程と、
   パターン密度をパラメータとした前記荷電ビーム調整パラメータが記憶された描画パラメータテーブルを作成する第２の工程と、
   前記描画パラメータテーブルに基づいて前記最適ビーム調整パラメータを選択して前記パターンを前記試料面上に転写する第３の工程と
   を有することを特徴とする荷電ビーム露光方法。
10. 前記マスクには、複数のパターン密度を有する複数のビーム調整用開口部が設けられてなり、該ビーム調整用開口部により前記ビーム調整用マークを形成することを特徴とする請求項９に記載の荷電ビーム露光方法。
11. 前記試料面からの反射電子信号が最大となる前記荷電ビームた調整パラメータを最適なビーム調整パラメータとすることを特徴とする請求項９に記載の荷電ビーム露光方法。
12. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
    前記複数のビーム調整用マークの少なくとも１つは、前記複数のパターン露光用開口部の間に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の荷電ビーム露光方法。
13. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
    少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも２つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
    少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群の間に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の荷電ビーム露光装置。
14. 前記複数のビーム調整用開口部の少なくとも１つは、前記複数のパターン露光用開口部の間に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の荷電ビーム露光方法。
15. 少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも二つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
    少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群から離れた前記マスクの中央近傍に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の荷電ビーム露光方法。
16. 少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも二つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
    少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群から離れた前記マスクの中央近傍に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の荷電ビーム露光方法。
17. 前記マスクは、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部を有し、
    少なくとも２つのパターン露光開口部群の各々は、少なくとも二つの複数の前記ビーム調整用開口部により構成され、
    少なくとも１つの前記ビーム調整用開口部は、前記複数のパターン露光用開口部群から離れた前記マスクの中央近傍に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の荷電ビーム露光方法。
18. 露光に用いられる荷電ビームの照射条件を調整するために設けられ、パターン密度の異なる複数のビーム調整用開口部と、
    パターン露光に用いられる複数のパターン露光用開口部と
    を具備してなることを特徴とする荷電ビーム露光マスク。