JP7465246B2 - 荷電粒子線装置及び画像生成方法 - Google Patents
荷電粒子線装置及び画像生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7465246B2 JP7465246B2 JP2021146210A JP2021146210A JP7465246B2 JP 7465246 B2 JP7465246 B2 JP 7465246B2 JP 2021146210 A JP2021146210 A JP 2021146210A JP 2021146210 A JP2021146210 A JP 2021146210A JP 7465246 B2 JP7465246 B2 JP 7465246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- images
- image
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 42
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
毎に制御してもよい。
図1は、本実施形態に係る荷電粒子線装置(電子顕微鏡)の構成の一例を示す図である。ここでは、荷電粒子線装置が、走査透過電子顕微鏡(STEM)の構成を有する場合について説明するが、本発明に係る荷電粒子線装置は、走査電子顕微鏡(SEM)の構成を有していてもよいし、集束イオンビーム装置(FIB)の構成を有していてもよい。また、ここでは、電子顕微鏡が分析装置としてエネルギー分散型X線分析装置(EDS、EDX)を備える場合について説明するが、分析装置として電子エネルギー損失分光分析装置(EELS)を備えていてもよいし、分析装置を備えていなくてもよい。なお本実施形態
の電子顕微鏡は図1の構成要素(各部)の一部を省略した構成としてもよい。
次に本実施形態の手法について図面を用いて説明する。
第1の実施形態では、画像取得部102は、試料S上の照射領域に対応する画像上の領域と試料S上の非照射領域に対応する画像上の領域とが、横方向(主走査方向)に交互に並び、縦方向(副走査方向)のストライプを形成する画像を取得する。図2に、第1の実施形態で取得される画像(不完全な電子顕微鏡画像及び元素マッピング画像)の例を示す。図2に示す各画像において、非照射領域に対応する領域(画素群)は、縦方向に延びる輝度が0(黒色)の矩形領域である。
本実施形態の手法では、電子線EBのドーズ量を従来の手法の約1.9倍とした。図4に、比較結果を示す。図中左側のグラフは、本実施形態の手法でのフレーム毎のX線カウント数であり、右側のグラフは、従来の手法でのフレーム毎のX線カウント数である。左側のグラフでは、フレーム数を重ねてもX線カウントはほぼ変わっていないため、試料Sへのダメージは入っていないと考えられる。一方、右側のグラフでは、フレーム数を重ねるごとにX線カウント数が減少しており、試料Sへのダメージが入っていると考えられる。このように、本実施形態の手法では、従来手法と同様のスループットを得るためにドーズ量を大きくしても、試料Sへのダメージを低減できることが確認された。
第2の実施形態では、画像取得部102は、照射領域に対応する画素と非照射領域に対応する画素がランダム(疑似的なランダム)に並ぶ画像を複数取得する。具体的には、電子線EBの走査中にブランキングのオン/オフを画素毎にランダムに制御する(走査領域内の複数の画素に対して照射領域と非照射領域をランダムに設定する)。そして、取得した複数の画像を積算して積算画像を生成する。図5に示す例では、走査中にブランキングを画素毎にランダムに制御して取得した3枚の画像A、B、Cを積算して積算画像を生成している。図5に示す画像A、B、Cにおいて、グレーで塗り潰された矩形領域が非照射領域に対応する画素を示し、その他の矩形領域が照射領域に対応する画素を示している。図5の例では、3画素に1画素の割合でランダムに照射するように且つ画像間で照射領域に対応する画素が互いに重複しないようにブランキングを画素毎に制御して3枚の画像を取得しているが、画像間での照射領域に対応する画素の重複を許容しつつブランキングを画素毎にランダムに制御してもよい。また、照射する割合は、1/n(nは2以上の整数)であってもよいし、その他の割合であってもよい。また、画像上において照射領域に対応する画素が隣接(連続)しないようにブランキングを制御してもよい。
次に、処理部100の処理の一例について図6のフローチャートを用いて説明する。まず、画像取得部102は、変数mに1をセットし(ステップS10)、電子線EBの走査中にブランカー12によるブランキングを画素毎に制御して、照射領域に対応する画素と非照射領域に対応する画素とからなるm番目の画像を取得する(ステップS11)。ここで、第1の実施形態の手法では、1水平走査線内において例えば1又は複数の画素毎にブランキングのオン/オフを切り替える設定で走査を行ってm番目の画像を取得する。このとき、1~m-1番目の画像における照射領域に対応する領域とm番目の画像における照射領域に対応する領域が重複しないようにする。また、第2の実施形態の手法では、走査領域内においてブランキングのオン/オフを画素毎にランダムに制御して走査を行ってm番目の画像を取得する。次に、画像取得部102は、変数mがM(Mは取得する画像の総数、例えば、n画素に1画素の割合で照射する場合、M=n)に達したか否かを判断し(ステップS12)、変数mがMに達していない場合(ステップS12のN)には、変数mに1を加算して(ステップS13)、ステップS11に移行する。変数mがMに達した場
合(ステップS12のY)には、積算画像生成部104は、取得されたM個の画像を積算して積算画像を生成する(ステップS14)。
Claims (6)
- 試料上で荷電粒子線を走査し、荷電粒子線の走査に基づき試料から生じる信号を検出する検出器からの検出信号に基づいて画像を生成する荷電粒子線装置であって、
荷電粒子線のブランキングを行うブランカーと、
荷電粒子線の走査中に前記ブランキングを制御して、荷電粒子線を照射する領域に対応する画素と荷電粒子線を照射しない領域に対応する画素とから構成される画像を複数取得する画像取得部と、
取得された複数の画像を積算して積算画像を生成する積算画像生成部とを含み、
前記画像取得部は、
前記画像を取得する際の荷電粒子線のドーズ量を、取得する前記画像の数に比例して大きくする、荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記画像取得部は、
前記ブランキングを画素毎に制御する、荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記画像取得部は、
前記ブランキングを画素毎にランダムに制御する、荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記画像取得部は、
荷電粒子線を照射する領域に対応する画像上の領域が互いに異なり、且つ荷電粒子線を照射しない領域に対応する画像上の領域が互いに異なる複数の画像を取得する、荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記ブランカーは、静電シャッターである、荷電粒子線装置。 - 試料上で荷電粒子線を走査し、荷電粒子線の走査に基づき試料から生じる信号を検出する検出器からの検出信号に基づいて画像を生成する画像生成方法であって、
荷電粒子線の走査中にブランカーによる荷電粒子線のブランキングを制御して、荷電粒子線を照射する領域に対応する画素と荷電粒子線を照射しない領域に対応する画素とから構成される画像を複数取得する画像取得工程と、
取得された複数の画像を積算して積算画像を生成する積算画像生成工程とを含み、
前記画像取得工程では、
前記画像を取得する際の荷電粒子線のドーズ量を、取得する前記画像の数に比例して大きくする、画像生成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021146210A JP7465246B2 (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 荷電粒子線装置及び画像生成方法 |
EP22193635.4A EP4148766A1 (en) | 2021-09-08 | 2022-09-02 | Charged particle beam device and image generation method |
US17/939,309 US20230072991A1 (en) | 2021-09-08 | 2022-09-07 | Charged Particle Beam Device and Image Generation Method |
CN202211091091.5A CN115775713A (zh) | 2021-09-08 | 2022-09-07 | 带电粒子束装置和图像生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021146210A JP7465246B2 (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 荷電粒子線装置及び画像生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023039177A JP2023039177A (ja) | 2023-03-20 |
JP7465246B2 true JP7465246B2 (ja) | 2024-04-10 |
Family
ID=83191924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021146210A Active JP7465246B2 (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 荷電粒子線装置及び画像生成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230072991A1 (ja) |
EP (1) | EP4148766A1 (ja) |
JP (1) | JP7465246B2 (ja) |
CN (1) | CN115775713A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168017A (ja) | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
JP2007059370A (ja) | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像形成方法、及び荷電粒子線装置 |
JP2010272398A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
WO2017187548A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2019102603A1 (ja) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置およびそれを用いた試料観察方法 |
US20200211820A1 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Method for scanning a sample by a charged particle beam system |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5817360B2 (ja) | 2011-09-07 | 2015-11-18 | 富士通株式会社 | 走査透過型電子顕微鏡の観察方法及び走査透過型電子顕微鏡 |
-
2021
- 2021-09-08 JP JP2021146210A patent/JP7465246B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-02 EP EP22193635.4A patent/EP4148766A1/en active Pending
- 2022-09-07 CN CN202211091091.5A patent/CN115775713A/zh active Pending
- 2022-09-07 US US17/939,309 patent/US20230072991A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168017A (ja) | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
JP2007059370A (ja) | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像形成方法、及び荷電粒子線装置 |
JP2010272398A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
WO2017187548A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2019102603A1 (ja) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置およびそれを用いた試料観察方法 |
US20200211820A1 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Method for scanning a sample by a charged particle beam system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4148766A1 (en) | 2023-03-15 |
US20230072991A1 (en) | 2023-03-09 |
CN115775713A (zh) | 2023-03-10 |
JP2023039177A (ja) | 2023-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2011016208A1 (ja) | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 | |
US10546715B2 (en) | Charged particle beam device | |
US10971347B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
WO1999009582A1 (fr) | Dispositif et procede servant a observer un objet | |
US9762863B2 (en) | Method of sampling a sample and displaying obtained information | |
WO2016092642A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US10832901B2 (en) | EELS detection technique in an electron microscope | |
US8086022B2 (en) | Electron beam inspection system and an image generation method for an electron beam inspection system | |
CN112179928A (zh) | 用于获取电子反向散射衍射图样的方法和系统 | |
US6717145B1 (en) | Mapping electron microscopes exhibiting improved imaging of specimen having chargeable bodies | |
JP7465246B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び画像生成方法 | |
US11676796B2 (en) | Charged particle beam device | |
JP2726587B2 (ja) | 電子ビーム照射装置および電気信号検出装置 | |
US8153967B2 (en) | Method of generating particle beam images using a particle beam apparatus | |
JP7396954B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
EP3091505B1 (en) | Image processor, electron microscope, and image processing method | |
JP7490832B2 (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置の制御方法 | |
US20230343550A1 (en) | Charged Particle Beam System and Control Method Therefor | |
US20220084785A1 (en) | Charged particle beam apparatus and control method thereof | |
WO2020136710A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JPH05275046A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JPS61126752A (ja) | 走査形電子顕微鏡の偏向電源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231110 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240215 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7465246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |