JP2001015421A5 - 荷電粒子ビーム露光方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項４】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項６】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し登録する手段と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項７】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項８】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項９】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１０】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１１】 前記セルパターンはビットマップデータで構成されていることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１２】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１３】 前記セルパターンのサイズは、前記基本描画領域のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１４】 前記配列データは、切出し開始位置および切出しサイズを含むこと特徴とする請求項１２または１３に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１５】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える荷電粒子ビーム描画装置。

【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えた構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する手段を有する構成とした。
また、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える構成とした。