JP2001015421A5 - 荷電粒子ビーム露光方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項2】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項3】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項4】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項5】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの2倍以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項6】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し登録する手段と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項7】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項6に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項8】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項9】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項10】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの2倍以上であることを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項11】 前記セルパターンはビットマップデータで構成されていることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項12】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項13】 前記セルパターンのサイズは、前記基本描画領域のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項12に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項14】 前記配列データは、切出し開始位置および切出しサイズを含むこと特徴とする請求項12または13に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項15】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項1】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項2】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項3】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項4】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項5】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの2倍以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項6】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し登録する手段と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項7】 前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項6に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項8】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項9】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項10】 前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの2倍以上であることを特徴とする請求項6または7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項11】 前記セルパターンはビットマップデータで構成されていることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項12】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項13】 前記セルパターンのサイズは、前記基本描画領域のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項12に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項14】 前記配列データは、切出し開始位置および切出しサイズを含むこと特徴とする請求項12または13に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項15】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えた構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する手段を有する構成とした。
また、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える構成とした。
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えた構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する手段を有する構成とした。
また、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の1単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える構成とした。
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JP2001015421A5 true JP2001015421A5 (ja) | 2006-08-10 |
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Family Applications (1)
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JP11187692A Pending JP2001015421A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
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1999
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