JP2001167647A - 銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法 - Google Patents
銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2001167647A JP2001167647A JP34729399A JP34729399A JP2001167647A JP 2001167647 A JP2001167647 A JP 2001167647A JP 34729399 A JP34729399 A JP 34729399A JP 34729399 A JP34729399 A JP 34729399A JP 2001167647 A JP2001167647 A JP 2001167647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- aqueous solution
- aqueous
- solution
- silver colloid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Colloid Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
より導電性被膜を形成した際に導電性に優れる銀コロイ
ド水溶液を提供する。 【解決手段】 銀粒子を含む固形分の濃度が1〜20w
t%の銀コロイド水溶液であって、上記固形分の熱重量
分析による500℃までの加熱減量が1〜25wt%で
あることを特徴とする銀コロイド水溶液。
Description
度で分散性が良いため取扱いが容易であり、溶媒に水の
みを使用するため環境に優しく、塗布、乾燥後は優れた
導電性を有する被膜が得られるため、ブラウン管の電磁
波遮蔽用、建材又は自動車の赤外線遮蔽用、電子機器の
静電気帯電防止剤用、曇ガラスの熱線用、ICカード用
コイル、回路基板に形成する電極、スルーホール又は回
路自体等に好適に用いられる銀コロイド水溶液、該銀コ
ロイド水溶液の製造方法、該銀コロイド水溶液を用いて
形成した導電性被膜及び導電性被膜の形成方法等に関す
る。
膜を用いる場合には、他の用途に比べて優れた導電性が
要求され、この分野では、従来より、銀や他の貴金属粒
子を樹脂成分や有機溶媒で練り込んだ銀ペースト等が広
く用いられている。しかし、上記銀ペースト等は、高粘
度で取扱いにくく、また、塗りにくいために精細な用途
に向かず、乾燥時又は焼成時の溶剤臭が強いという問題
がある。さらに、それらが大気中に揮発しやすいため環
境に悪影響を及ぼす可能性が強く、また、多くの樹脂分
を含有するため導電性が損なわれやすいという問題があ
る。
て製造した銀コロイドを使用する例があるが、従来の化
学還元法によって製造した銀コロイドは、加熱焼成後の
体積抵抗率が10-2〜102 Ωcm程度であって、回路
基板用としては使用しづらい。これは、回路基板用の導
電膜は、少なくとも10-4〜10-5Ω・cm程度の体積
抵抗率が必要であるからである。導電性を上げるために
は、銀以外の含有物をできるだけ少なくする必要があ
る。
ないが、低粘度のインクにおいては分散安定性の問題が
必ず生じる。従来の化学還元法で製造した銀コロイドで
は、銀含量を上げると沈殿が生じてしまい、常に攪拌す
る必要があるので工業的には不利である。一方、銀含量
を下げすぎると、必要な厚みを出すために何度も重ね塗
る必要が生じるので、これも不利である。従って、銀含
量を上げても分散安定性の良い銀コロイドを製造する必
要がある。
イドの分散剤は、大まかに低分子系分散剤と高分子系分
散剤とに分類することができる。上記低分子系分散剤
は、銀コロイドの表面に作用し、分散性を大きく支配す
るが、分散剤の量が多いと成膜後の導電性を悪化させる
こととなりるため、少量で分散性を良好にすることがで
きる低分子系分散剤が求められている。
チン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、各種蛋白
質のような高分子がよく添加されるが、このような非導
電性物質の添加は確実に体積抵抗率を大きくする。ただ
し、塗布時の成膜性の面では有利に働くので、少量の添
加で分散性と成膜性に大きく寄与する高分子分散剤が必
要となる。
平10−66861号公報では、硝酸銀と分散剤である
クエン酸ナトリウムと還元剤である硫酸第一鉄をモル比
で1:3.69:3.36の割合で添加しており、ま
た、特開平9−53030号公報では、上記と同じ物質
を1:3.24:1.84の割合で添加しているが、ど
ちらも発明の詳細な説明では、これらの物質について、
その使用範囲が規定されていないため、好適に使用し得
る範囲を把握することができない。
に関して有効に働かないまま残存し、過剰の電解質とな
って銀コロイドの凝析を促進させるため、除去工程が煩
雑になり、また、非導電性不純物となって成膜後の導電
性を悪化させる。また、分散剤が少なければ沈殿が生じ
やすくなり、使用前の再攪拌工程が必要になってくる。
さらに、銀粒子に吸着した分散剤は有機不純物となって
成膜後の導電性を悪化させる。
み、銀含有量を上げても分散安定性が良い銀コロイド水
溶液、該銀コロイド水溶液の製造方法、導電性に優れる
導電性被膜、及び、作業性、接着性に優れる導電性被膜
の形成方法等を提供することを目的とするものである。
液は、銀粒子を含む固形分の濃度が1〜20重量%の銀
コロイド水溶液であって、上記固形分の熱重量分析によ
る500℃までの加熱減量が1〜25重量%であること
を特徴とする。
法は、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水溶
液を滴下して銀コロイド水溶液を製造する方法であっ
て、上記分散剤として、COO基とOH基とを合わせて
3個以上有し、かつ、COO基の数がOH基と同じか、
それよりも多いヒドロキシ酸塩を用いたことを特徴とす
る。
イド水溶液を基材上に塗布することにより形成される導
電性被膜で、その体積抵抗率が1×10-3Ω・cm以下
であることを特徴とする。
は、上記導電性被膜を形成する方法であって、基材表面
に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着層を
設けた後、上記接着層上に上記銀コロイド水溶液を塗布
し、加熱することを特徴とする。以下に本発明を詳述す
る。
法について説明する。本発明の銀コロイド水溶液の製造
方法は、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水
溶液を滴下する方法であって、上記分散剤として、CO
O基とOH基とを合わせて3個以上有し、かつ、COO
基の数がOH基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸
塩を用いることを特徴とする。
は、まず初めに、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液を
調製する。
せて3個以上有し、かつ、COO基の数がOH基と同じ
か、それよりも多いヒドロキシ酸塩である。これらの分
散剤は、製造した銀粒子表面に吸着し、分散剤中に存在
するCOO- 基の電気的反発力により、銀粒子を水溶液
中に均一に分散させて銀コロイド水溶液を安定化する働
きを有する。
個未満であったり、COO基の数がOH基の数よりも少
ないと、銀コロイドの分散性が低下してしまう。
ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウ
ム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウム等
を挙げることができる。
ある硝酸銀のような銀塩中の銀と分散剤とのモル比が
1:1〜1:100程度となるように配合することが好
ましい。銀塩に対する分散剤のモル比が大きくなると、
粒径が小さくなって成膜後の粒子同士の接触点が増える
ため、体積抵抗値の低い被膜を得ることができる。
(Ag+ NO3 - )のような銀塩中のAg+ イオンを還
元して銀粒子を生成するという働きを有する。
例えば、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン等のアミン系;水酸化
ホウ素ナトリウム、水素ガス、ヨウ化水素等の水素化合
物系;一酸化炭素、亜硫酸等の酸化物系;Fe(II)化
合物、Sn(II)化合物等の低原子価金属塩系;D−グ
ルコースのような糖類、ホルムアルデヒド等の有機化合
物系等が挙げられる。これらの化合物を使用する際に
は、光や熱を加えて還元反応を促進させてもよい。
質である銀塩を完全に還元できる量が必要であるが、過
剰な還元剤は不純物として銀コロイド水溶液中に残存し
てしまい、成膜後の導電性を悪化させる等の原因となる
ため、必要最小限の量が好ましい。具体的な配合量とし
ては、上記銀塩と還元剤とのモル比が1:1〜1:3程
度である。
水溶液を調製した後、この水溶液のpHを6〜10に調
整することが好ましい。
ば、分散剤であるクエン酸三ナトリウムと還元剤である
硫酸第一鉄とを混合した場合、全体の濃度にもよるがp
Hは大体4〜5程度と、上記したpH6を下回る。この
とき存在する水素イオンは、下記反応式(1);
COOHの量が多くなる。従って、その後銀塩溶液を滴
下して得られる銀粒子表面の電気的反発力が減少し、銀
粒子の分散性が低下してしまうことになるからである。
液を調製した後、この水溶液にアルカリ性の化合物を添
加し、水素イオン濃度を低下させる。
ないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化リチウム、アンモニア水等を挙げることができ
る。これらの中では、少量で容易にpHを調整できる水
酸化ナトリウムが好ましい。
ぎて、pHが10を超えると、鉄イオンのような残存し
ている還元剤のイオンの水酸化物の沈殿が起こりやすく
なるため好ましくない。
法では、調製した上記分散剤と還元剤とが溶解した水溶
液に銀塩を含む水溶液を滴下する。
えば、酢酸銀、炭酸銀、酸化銀、硫酸銀、亜硝酸銀、塩
素酸銀、硫化銀、クロム酸銀、硝酸銀、二クロム酸銀等
を挙げることができる。これらの中では、水への溶解度
が大きい硝酸銀が好ましい。
含有量、及び、還元剤により還元される割合を考慮して
定められるが、例えば、硝酸銀の場合、水溶液100重
量部に対して15〜70重量部程度である。
すことにより調製し、調製した銀塩の水溶液を徐々に上
記分散剤と還元剤とが溶解した水溶液中に滴下する。
元され、さらに、該銀粒子の表面に分散剤が吸着し、こ
のような分散剤の吸着した銀粒子が水溶液中にコロイド
状に分散した水溶液が得られる。
に、還元剤の残留物や分散剤が存在しており、液全体の
イオン濃度が高くなっている。このような状態の液は、
凝析が起こり、沈殿しやすい。そこで、このような水溶
液中の余分なイオンを取り除い、イオン濃度を低下させ
るために洗浄を行う。
コロイドを含む水溶液を一定期間静置し、生じた上澄み
液を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、さらに
一定期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度
が繰り返す方法、上記静置の代わりに遠心分離を行う方
法、限外濾過等でイオンを取り除く方法等を挙げること
ができる。
は、上記工程の後、必要により銀コロイド水溶液に水酸
化アルカリ金属水溶液を添加し、最終的なpHを6〜1
1に調整することが好ましい。
質イオンであるナトリウム濃度が減少している場合があ
り、このような状態の水溶液では、下記反応式(2);
このままでは、銀コロイドの電気的反発力が減少して銀
粒子の分散性が低下するため、適当量の水酸化アルカリ
を添加することにより、反応式(2)の平衡を左辺に移
動させ、銀コロイドを安定化させるのである。
属としては、例えば、最初にpHを調整する際に用いた
化合物と同様の化合物を挙げることができる。
右辺に移動するため、銀コロイドが不安定化し、一方、
pHが11を超えると、鉄イオンのような残存している
イオンの水酸化塩の沈殿が起こりやすくなるため好まし
くない。ただし、予め鉄イオン等を取り除いておけば、
pHが11を超えても大きな問題はない。
酸化物の形で加えるのが好ましい。これは、水の自己プ
ロトリシスを利用できるため最も効果的にナトリウムイ
オン等の陽イオンを水溶液中に加えることができるから
である
コロイド水溶液を製造することができる。得られた上記
銀コロイド水溶液には、さらに、銀コロイド水溶液の固
形分100重量部に対して0.1〜5重量部以下の割合
で非イオン性高分子をしてもよい。
も呼ばれており、上記非イオン性高分子を添加すること
により、銀粒子の間に高分子鎖が存在することとなり、
そのため、銀粒子同士の接近と凝集とを抑制することが
でき、より高濃度の銀粒子を安定分散させることができ
る。
水溶液は、適当な粘度を有するため、成膜性にも優れ
る。
を選択したのは、ゼラチンやポリアクリル酸塩のような
イオン性のものはイオン基濃度が高い場合にはかえって
銀コロイドを凝析させるためである。
量部未満であると、高分子による成膜性向上の効果が充
分に得られず、一方、5重量部を超えると成膜性は非常
に優れるが、形成された導電性被膜の導電性が悪化す
る。
れないが、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリ
ルアミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミ
ン、ポリアミン類、セルロース類等を挙げることができ
る。
記した銀コロイド水溶液に添加する方法のほかに、銀塩
水溶液と分散剤等を含む水溶液との二液のいずれかに、
または、両方に添加する方法があるが、このような方法
は、銀濃度がかなり低い場合には有効に作用するが、銀
濃度が高い場合は有効に作用せず、粒径の大きい銀粒子
が生成して全く分散しなかったりするため好ましくな
い。
ロイド製造後ならいつでもよい。例えば、還元反応後の
洗浄工程において、添加する純水の代わりに所定濃度に
調整した非イオン性高分子を含む水溶液を用いてもよ
い。また数回の洗浄を行う場合に、最初だけ非イオン性
高分子を含む水溶液を用い、後は純水で洗浄すれば銀粒
子に吸着した以外の過剰の高分子が取り除かれるため一
層効果的である。
説明する。本発明の銀コロイド水溶液は、銀粒子を含む
固形分(以下、単に固形分ともいう)の濃度が1〜20
重量%であって、上記固形分の熱重量分析による500
℃までの加熱減量が1〜25重量%である。
した方法により製造され、分散剤が表面に吸着した銀粒
子が水溶液中に安定的に分散した状態にあるものをい
い、この銀コロイド水溶液において、銀粒子を含む固形
分の濃度は、1〜20重量%である。この銀コロイド水
溶液は、上述したように、非イオン性高分子を含んでい
てもよい。
イド水溶液から大部分の水をシリカゲル等により取り除
いた後、70℃以下の温度で乾燥させたときに残存する
固形分をいい、通常、この固形分は、銀粒子、分散剤及
び残留還元剤等からなる。
と、銀の含有量が少なすぎるため、導電性被膜を形成し
た際、必要な厚みを出すために何度も重ね塗る必要が生
じ工業的に不利である。一方、上記固形分の濃度が20
重量%を超えると、銀の含有量が多くなりすぎるために
沈殿が生じやすくなり、これを防ぐためには常に攪拌し
ている必要が生じ、これも工業的に不利である。上記固
形分の濃度は、1〜20重量%が好ましい。
での加熱減量は、1〜25重量%である。上記固形分を
500℃まで加熱すると、分散剤、残留還元剤、非イオ
ン性高分子等が酸化分解され、大部分のものはガス化さ
れて消失する。残留還元剤の量は、僅かであると考えら
れるので、500℃までの加熱による減量は、非イオン
性高分子が添加されていない場合は、ほぼ固形分中の分
散剤の量に相当し、非イオン性高分子が添加されている
場合には、ほぼ固形分中の分散剤と非イオン性高分子の
量に相当すると考えてよい。
あると、銀粒子に対する分散剤や非イオン性高分子の量
が少ないため銀粒子の充分な分散性が得られず、25重
量%を超えると、銀粒子に対する分散剤や非イオン性高
分子の量が多すぎるために、導電性被膜の導電性がかな
り悪化する。分散剤や非イオン性高分子の量が多い場
合、成膜後に加熱焼成して有機分を分解消失させること
で導電性はある程度改善することができるが、導電性被
膜にひび割れ等が起こり易くなるため好ましくない。よ
り好ましくは、1〜20重量%である。
での加熱減量が、1〜25重量%である銀コロイド水溶
液は、分散安定性に優れており、また、分散剤等の量も
適切であるため、この銀コロイド水溶液を用いると、導
電性に優れた導電性被膜を形成することができる。銀塩
と分散剤とのモル比が1:1〜1:100程度となるよ
うに配合された銀コロイド水溶液は、分散安定性に優れ
ており、銀粒子の粒径が小さい。従って、この銀コロイ
ド水溶液を用いて形成した導電性被膜は、銀粒子同士の
接触点が増え、体積抵抗率が小さくなる。
る。本発明の導電性被膜は、銀コロイド水溶液を基材上
に塗布した後、加熱することにより形成される導電性被
膜であって、上記導電性被膜の体積抵抗率が1×10 -3
Ω・cm以下であることを特徴とする。
溶液を基材上に塗布した後、加熱することにより形成さ
れる。上記基材としては特に限定されないが、例えば、
アルミナ焼結体、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹
脂、ガラス等からなる基板;ガラス、樹脂、セラミック
等からなる建材;樹脂やセラミック等で表面が形成され
た電子機器等を挙げることができる。また、その形状と
しては、板状、フィルム状等を挙げることができる。
する方法としては特に限定されないが、例えば、バーコ
ート法、スピンコート法、刷毛による方法等を挙げるこ
とができる。
×10-3Ω・cm以下であることが好ましい。このとき
の体積抵抗率は、120℃で加熱、乾燥した際の体積抵
抗率をいう。上記体積抵抗率が1×10-3Ω・cmを超
えると、導電性が要求される用途、すなわち回路基板上
に形成する電極等に用いることが困難となる。
た後の体積抵抗率は、1×10-4Ω・cm以下と、より
低抵抗であることが好ましい。200℃で加熱を行った
場合には、水分や若干の有機分が消失し、銀粒子の焼結
も起こるため、被膜の導電性が向上するからである。
は、1×10-5Ω・cm以下と、更に低抵抗であること
が好ましい。900℃で加熱を行った場合には、殆どの
有機分が分解、消失し、銀粒子の焼結が一層進行するた
め、被膜の導電性が大きく向上するからである。
った後の体積抵抗率は、7×10-5Ω・cm以下である
ことが好ましい。加熱工程と加圧工程とにより、銀粒子
同士の密着性が向上し、接触面積が増加するため、相乗
的に導電性が向上するからである。
いて説明する。本発明の導電性被膜の形成方法は、基材
表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着
層を設けた後、上記接着層上に銀コロイド水溶液を塗布
し、加熱することを特徴とする。
布する場合、通常は、基材上に直接銀コロイド水溶液を
塗布し、加熱することにより導電性被膜を形成する。し
かし、基材として、上記の通り様々な基材を用いるた
め、基材の種類によっては表面張力が高くてうまく濡れ
ない場合がある。このような場合には界面活性剤の添加
が極めて一般的だが、非導電性有機物の添加は導電性を
低下させる。
に、基材と導電性被膜との両方に親和性を有する水溶性
高分子からなる接着層を設け、この接着層上に上記銀コ
ロイド水溶液を塗布して、導電性被膜を形成する。これ
により、結果的に基材との密着性に優れた導電性被膜を
形成することができる。
ず、基材表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥さ
せて接着層を設ける。
説明において対象とした基材と同様のものを挙げること
ができ、その形状も同様のものを挙げることができる。
性高分子と同様のものを挙げることができる。なお、上
記水溶性高分子は、ラインの一元化や設備の共通化に都
合がよいことから導電インクに近い特性を持つ低粘度の
ものがより好ましい。
方法としては、本発明の導電性被膜の説明において銀コ
ロイド水溶液を塗布する際に用いた方法と同様の方法を
用いることができる。
は、上記接着層上に本発明の銀コロイド水溶液を塗布
し、加熱する。
した本発明の導電性被膜の説明において用いた方法と同
様の方法を用いることができる。
導電性被膜の体積抵抗率は、上述した導電性被膜の場合
と同程度であることが好ましい。
ロイド水溶液の製造方法を用いることにより、銀コロイ
ドの凝析を抑制して分散性を向上させることができ、銀
コロイド水溶液の貯蔵安定性を損なうことなく銀含有量
を上げることができる。また、少量の非イオン性高分子
の添加で、銀コロイド水溶液中の銀粒子の分散性がさら
に向上し、また、銀コロイド水溶液の粘性の増加により
成膜性も大きく向上する。
成分やガラスフリットが含まれているため、乾燥温度や
焼成温度はかなり高温が必要である。しかし、本発明の
銀コロイド水溶液は、銀粒子中に含まれる非導電性の共
存物が少なく、また、形成した導電性被膜は、比較的低
い温度で共存有機物の揮発が進行し、銀粒子の接触点が
増加するため、高導電性の導電性被膜となる。さらに、
高温で処理した場合には、ガラスフリットのような無機
成分を含む銀ペーストよりも高い導電性を示す。
より形成し導電性被膜は、上述したように非イオン性高
分子膜からなる接着剤層の上に形成されており、基材と
の接着性に優れる。また、非イオン性高分子膜は、濡れ
性に優れるため、塗布時に効率良く作業を行うことがで
きる。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
薬特級)3.41gと硫酸第一鉄七水和物(和光純薬工
業社製 試薬特級)3.23gとを溶解させた水溶液約
20mlを室温下にマグネティックスターラーで攪拌し
ながら0.657g/mlの硝酸銀(和光純薬工業社製
試薬特級)水溶液1.5mlを滴下させて銀コロイド水
溶液を製造した。このときの硝酸銀とクエン酸ナトリウ
ムのモル比は1:2である。さらに上記銀コロイド水溶
液に純水を加えて最終的に25mlの銀コロイド水溶液
とした。
み液約19mlをスポイトアウトした後、約7mlのイ
オン交換水を加えて超音波洗浄機に15分間かけた。さ
らに、一晩静置して生じた上澄み液約7mlをスポイト
アウトした後、約7mlのイオン交換水を加えて超音波
洗浄機に15分間かけて銀コロイド水溶液を得た。
刷毛で塗布して導電性被膜を形成した。導電性被膜の厚
みは、塗布、乾燥前後のアルミナ焼結板の重量差から塗
布重量を求めた後、銀の固有密度(10.5g/cm
3 )で除すことによりその体積を求め、さらに塗布面積
で除すことにより計算した。乾燥は、120℃で10分
間加熱することにより行った。その後場合によっては、
200℃又は900℃で5分以上加熱を行い、その後に
体積抵抗率を測定した。表1には、各実施例及び比較例
で使用した還元剤、硝酸銀と分散剤のモル比、還元剤添
加後及び洗浄後のpH、2回目洗浄時の純水量及び洗浄
時の高分子溶液の有無とその濃度について示した。
加熱減量、インクの塗布性、基板との密着性及び体積抵
抗率を下記方法を用いて求めた。結果を表2に示した。
過して、およその水分を除去した後、70℃で乾燥させ
た時の重量変化から計算した。
物について、セイコー電子工業社製のTG/DTA30
0を用いて500℃までの減量を求めた。
基準 ◎:極めて均一な膜厚が得られる ○:均一な膜厚が得られる
たときに被膜が剥がれるかどうかを見た。評価基準 ◎:強固に密着していて全く剥がれない ○:極微量剥がれた部分が存在する
て測定した。(4)pHの測定 堀場製作所製のF−12を用いて測定した。
二水和物と硫酸第一鉄七水和物を溶解した水溶液に、1
4重量%に調整した水酸化ナトリウム(和光純薬工業社
製 試薬特級)水溶液を少量滴下してpHを6に調整し
た以外は実施例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、
実施例1と同様の評価を行った。配合を表1に示し、結
果を表2に示した。
イド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価を行った。
配合を表1に示し、結果を表2に示した。
ド水溶液に、14重量%の水酸化ナトリウム水溶液を少
量滴下してpHを8に調整した以外は実施例1と同様に
して銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価
を行った。配合を表1に示し、結果を表2に示した。
液に、14重量%の水酸化ナトリウム水溶液を少量滴下
してpHを8に調整した以外は実施例3と同様に銀コロ
イド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価を行った。
配合を表1に示し、結果を表2に示した。
ド水溶液を製造した。配合を表1に示し、実施例1と同
様の評価を行った結果を表2に示した。
は実施例6と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例
1と同様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表
2に示した。
1回目の洗浄に0.013重量%に調整したポリビニル
ピロリドン(ナカライテスク社製 ポリビニルピロリド
ンK−30)水溶液を用いた以外は実施例1と同様にし
て銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価を
行った。配合を表1に示し、結果を表2に示した。
調整したポリビニルピロリドン水溶液を用いた以外は実
施例3と同様にして銀コロイド水溶液を製造し、実施例
1と同様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表
2に示した。
量%に調整したポリビニルアルコール(クラレ社製 ク
ラレポバールPVA−117)水溶液を用いた以外は実
施例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と
同様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表2に
示した。
た高分子水溶液(旭電化工業社製 アデカレジンEM−
0436)を塗布して120℃で30分加熱させて硬化
させておく。そこに実施例1と同様の条件で製造、洗浄
した銀コロイド水溶液を塗布し、導電性被膜を形成し、
実施例1と同様に評価を行った。配合を表1に示し、結
果を表2に示した。
酸三ナトリウムのモル比は1:5)とした以外は実施例
1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と同様
の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表2に示し
た。
酸三ナトリウムのモル比は1:20)とした以外は実施
例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と同
様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表2に示
した。
ン酸三ナトリウムのモル比は1:100)とした以外は
実施例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1
と同様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表2
に示した。
ン酸三ナトリウムのモル比は1:0.5)とした以外は
実施例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1
と同様の評価を行った。なお、以下の比較例において
と、銀粒子が均一分散していないものは、基材への塗布
を行っていない。配合を表1に示し、結果を表2に示し
た。
ド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価を行った。配
合を表1に示し、結果を表2に示した。
ド水溶液を製造し、実施例1と同様の評価を行った。配
合を表1に示し、結果を表2に示した。
用いた以外は実施例8と同様に銀コロイド水溶液を製造
し、実施例1と同様の評価を行った。配合を表1に示
し、結果を表2に示した。
ム(ナカライテスク社製)1.14g(硝酸銀とグリコ
ール酸ナトリウムのモル比は1:2)を用いた以外は実
施例1と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例1と
同様の評価を行った。配合を表1に示し、結果を表2に
示した。
施例1〜14で得られた銀コロイド水溶液は、固形分濃
度が1〜20重量%の範囲内にあり、加熱減量が1〜2
5重量%の範囲内にあり、アルミナ焼結板上に被膜を形
成する際に塗布性が良好であった。また、形成された導
電性被膜は、充分に体積抵抗率の低いものであった。
液は、加熱減量が0.8重量%と小さく、分散剤の量が
少ないため、銀粒子が水溶液中で均一に分散しておら
ず、基板への塗布が不可能であった。比較例2で得られ
た銀コロイド水溶液は、還元剤添加後のpHを高くしす
ぎたため、該銀コロイド水溶液中に水酸化鉄の沈殿が生
成した。
液は、最終的なpHを高くしすぎたため、比較例5で得
られた銀コロイド水溶液は、グリコール酸を使用してい
るため、該銀コロイド水溶液中で均一に分散していなか
った。さらに、比較例4で得られた銀コロイド水溶液
は、非イオン性高分子の量が多すぎるため、加熱減量が
28重量%と大きく、体積抵抗率が大きくなってしまっ
た。
溶液を基材に塗布して導電性被膜を形成した後、200
℃で5分間焼成し、さらに、鉄製ローラーを用いて5k
gf/cm2 の力で加圧処理した後の体積抵抗率を測定
結果については、実施例1の場合には、1×10-5Ω・
cm、実施例3の場合には、8×10-6Ω・cm、実施
例9の場合には、9×10-6Ω・cmと、いずれの場合
も、加圧処理する前よりも体積抵抗率が低下した。
成からなるので、銀含有量を上げても分散安定性に優
れ、この銀コロイド水溶液を用いて形成した導電性被膜
は、導電性に優れる。
法は、上述の構成からなるので、銀コロイド水溶液の貯
蔵安定性を損なうことなく銀含有量を上げることがで
き、分散安定性に優れる本発明の銀コロイド水溶液を製
造することができる。
からなるので、高い導電性が要求される用途、例えば、
回路基板上に形成する電極等に好適に用いる事ができ
る。また、本発明の導電性被膜の形成方法は、上述の構
成からなるので、効率良く塗布を行うことができ、形成
された導電性被膜は、基材との密着性に優れる。
Claims (9)
- 【請求項1】 銀粒子を含む固形分の濃度が1〜20重
量%の銀コロイド水溶液であって、前記固形分の熱重量
分析による500℃までの加熱減量が1〜25重量%で
あることを特徴とする銀コロイド水溶液。 - 【請求項2】 分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に
銀塩水溶液を滴下して銀コロイド水溶液を製造する方法
であって、前記分散剤として、COO基とOH基とを合
わせて3個以上有し、かつ、COO基の数がOH基と同
じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩を用いたことを特
徴とする銀コロイド水溶液の製造方法。 - 【請求項3】 分散剤と還元剤とを溶解した水溶液のp
Hを6〜10に調整した後、銀塩水溶液を滴下する請求
項2記載の銀コロイド水溶液の製造方法。 - 【請求項4】 銀コロイド水溶液に水酸化アルカリ金属
水溶液を添加して最終的なpHを6〜11に調整する請
求項2又は3記載の銀コロイド水溶液の製造方法。 - 【請求項5】 請求項2、3又は4記載の製造方法によ
り製造されてなることを特徴とする銀コロイド水溶液。 - 【請求項6】 銀コロイド水溶液の固形分100重量部
に対して0.1〜5重量部以下の割合で非イオン性高分
子を添加してなる請求項1又は5記載の銀コロイド水溶
液。 - 【請求項7】 請求項1、5又は6記載の銀コロイド水
溶液を基材上に塗布することにより形成される、その体
積抵抗率が1×10-3Ω・cm以下であることを特徴と
する導電性被膜。 - 【請求項8】 請求項1、5又は6記載の銀コロイド水
溶液を基材上に塗布して成膜し、加熱処理することによ
り形成される、その体積抵抗率が1×10-4Ω・cm以
下であることを特徴とする導電性被膜。 - 【請求項9】 請求項7又は8記載の導電性被膜を形成
する方法であって、基材表面に予め水溶性高分子溶液を
塗布し、乾燥させて接着層を設けた後、前記接着層上に
銀コロイド水溶液を塗布し、加熱することを特徴とする
導電性被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34729399A JP4497491B2 (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34729399A JP4497491B2 (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001167647A true JP2001167647A (ja) | 2001-06-22 |
JP4497491B2 JP4497491B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=18389239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34729399A Expired - Fee Related JP4497491B2 (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4497491B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003103158A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | Nippon Paint Co Ltd | 高濃度金属コロイド粒子溶液、その製造方法及び金属性被膜の形成方法 |
WO2003083172A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Element conducteur et procede de production associe |
JP2004006290A (ja) * | 2002-04-01 | 2004-01-08 | Canon Inc | 導電性部材の製造方法 |
JP2004075703A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Nippon Paint Co Ltd | 金属コロイド溶液の製造方法及び金属コロイド溶液 |
JP2004190042A (ja) * | 2002-03-05 | 2004-07-08 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | 無電解めっきの触媒付与のための前処理液、該液を使用する前処理方法、該方法を使用して製造した無電解めっき皮膜及び(又は)めっき被覆体 |
JP2006196278A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Bando Chem Ind Ltd | 複合粒子分散体および複合粒子分散体の製造方法 |
US7166152B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-01-23 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Pretreatment solution for providing catalyst for electroless plating, pretreatment method using the solution, and electroless plated film and/or plated object produced by use of the method |
JP2007019055A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Dowa Holdings Co Ltd | 銀粒子分散液 |
JP2008004375A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性発現方法および導電性部材 |
JP2009033113A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 電磁波遮蔽用組成物及び該組成物を用いた電磁波遮蔽物の形成方法 |
JP2010037263A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 入浴剤 |
JP2010037265A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 懸濁性入浴剤 |
JP2010037264A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 発泡性入浴剤 |
JP2013151739A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-08-08 | Dow Global Technologies Llc | 安定化された銀触媒および方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1036975A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Asahi Glass Co Ltd | 低抵抗膜又は低屈折率膜形成用塗布液、及び、低抵抗膜又は低反射低屈折率膜の製造方法 |
JPH1066861A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀コロイド液、その製造方法、透明導電膜用コーティング材及び透明導電膜 |
-
1999
- 1999-12-07 JP JP34729399A patent/JP4497491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1036975A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Asahi Glass Co Ltd | 低抵抗膜又は低屈折率膜形成用塗布液、及び、低抵抗膜又は低反射低屈折率膜の製造方法 |
JPH1066861A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀コロイド液、その製造方法、透明導電膜用コーティング材及び透明導電膜 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003103158A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | Nippon Paint Co Ltd | 高濃度金属コロイド粒子溶液、その製造方法及び金属性被膜の形成方法 |
JP2004190042A (ja) * | 2002-03-05 | 2004-07-08 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | 無電解めっきの触媒付与のための前処理液、該液を使用する前処理方法、該方法を使用して製造した無電解めっき皮膜及び(又は)めっき被覆体 |
WO2003083172A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Element conducteur et procede de production associe |
JP2004006290A (ja) * | 2002-04-01 | 2004-01-08 | Canon Inc | 導電性部材の製造方法 |
US7622375B2 (en) | 2002-04-01 | 2009-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductive member and process of producing the same |
JP2004075703A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Nippon Paint Co Ltd | 金属コロイド溶液の製造方法及び金属コロイド溶液 |
US7166152B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-01-23 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Pretreatment solution for providing catalyst for electroless plating, pretreatment method using the solution, and electroless plated film and/or plated object produced by use of the method |
JP2006196278A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Bando Chem Ind Ltd | 複合粒子分散体および複合粒子分散体の製造方法 |
JP2007019055A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Dowa Holdings Co Ltd | 銀粒子分散液 |
JP2008004375A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性発現方法および導電性部材 |
JP2009033113A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 電磁波遮蔽用組成物及び該組成物を用いた電磁波遮蔽物の形成方法 |
JP2010037263A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 入浴剤 |
JP2010037265A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 懸濁性入浴剤 |
JP2010037264A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Tanpei Seiyaku Kk | 発泡性入浴剤 |
JP2013151739A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-08-08 | Dow Global Technologies Llc | 安定化された銀触媒および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4497491B2 (ja) | 2010-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001167647A (ja) | 銀コロイド水溶液、銀コロイド水溶液の製造方法、導電性被膜及び導電性被膜の形成方法 | |
JP3796476B2 (ja) | 導電性インク | |
JP2001325831A (ja) | 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜 | |
JP4627376B2 (ja) | 金属コロイド液及びその製造方法 | |
EP2610023A1 (en) | Low-temperature sinterable silver nanoparticle composition and electronic component formed using that composition | |
JP2016186130A (ja) | 銀粉の製造方法 | |
CN103992688B (zh) | 聚酰亚胺树脂表面改性剂及聚酰亚胺树脂表面改性方法 | |
WO2016152017A1 (ja) | 導電性被膜複合体及びその製造方法 | |
JP2013115004A (ja) | 水系銅ペースト材料及び導電層の形成方法 | |
JP2010505230A (ja) | 導電膜形成のための金属ペースト | |
JPS62225573A (ja) | 導電性ペ−スト用銅粉 | |
WO2018056052A1 (ja) | 導電性被膜複合体及びその製造方法 | |
JP6718687B2 (ja) | 強磁性金属ナノワイヤー | |
CN110167994B (zh) | 银包覆硅橡胶颗粒及含有该颗粒的导电性糊剂以及使用该导电性糊剂的导电膜的制造方法 | |
JP2011082025A (ja) | 導電性ペースト | |
JP2004217952A (ja) | 表面処理銅粉並びにその表面処理銅粉の製造方法及びその表面処理銅粉を用いた導電性ペースト | |
JP2007016301A (ja) | 金属コロイド溶液およびその利用 | |
JP2003342621A (ja) | 銅粉の製造方法及びその方法で得られた銅粉 | |
JP6102697B2 (ja) | 水性銀コロイド液及びその製造方法、並びに水性銀コロイド液を用いたインク | |
KR20200062181A (ko) | 은 미립자 분산액 | |
JP2003331648A (ja) | 導電ペースト及び電気回路の製造方法 | |
JP4197250B2 (ja) | 金属コロイド液、その製造方法及びその利用 | |
JP3457879B2 (ja) | 白金ペーストに用いる球形状白金粉末の製造方法 | |
JPH09171714A (ja) | 導電性粉体 | |
JP2008208285A (ja) | 導電インク組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040323 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100412 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4497491 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |