JP2003187640A - 金属コロイド液及び導電性被膜 - Google Patents
金属コロイド液及び導電性被膜Info
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- JP2003187640A JP2003187640A JP2001385056A JP2001385056A JP2003187640A JP 2003187640 A JP2003187640 A JP 2003187640A JP 2001385056 A JP2001385056 A JP 2001385056A JP 2001385056 A JP2001385056 A JP 2001385056A JP 2003187640 A JP2003187640 A JP 2003187640A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で加熱して高導電性被膜を得ることがで
きる金属コロイド液及びそれを用いてなる導電性被膜を
提供する。 【解決手段】 ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以
上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数はＯＨ基の数以上である
ヒドロキシ酸又はその塩を分散剤として用い、化学還元
法によって製造される金属コロイド液であって、金属の
１次粒子径が２０ｎｍ以下である金属コロイド液。
きる金属コロイド液及びそれを用いてなる導電性被膜を
提供する。 【解決手段】 ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以
上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数はＯＨ基の数以上である
ヒドロキシ酸又はその塩を分散剤として用い、化学還元
法によって製造される金属コロイド液であって、金属の
１次粒子径が２０ｎｍ以下である金属コロイド液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温で加熱して高
導電性被膜を得ることができる金属コロイド液及びそれ
を用いてなる導電性被膜に関する。
導電性被膜を得ることができる金属コロイド液及びそれ
を用いてなる導電性被膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電性被膜は、ブラウン管の電磁波遮
蔽、建材又は自動車の赤外線遮蔽、電子機器や携帯電話
の静電気帯電防止剤、曇りガラスの熱線、回線基板やＩ
Ｃカードの配線、樹脂に導電性を付与するためのコーテ
ィング、スルーホール、回路自体等の広い範囲に用途を
有する。
蔽、建材又は自動車の赤外線遮蔽、電子機器や携帯電話
の静電気帯電防止剤、曇りガラスの熱線、回線基板やＩ
Ｃカードの配線、樹脂に導電性を付与するためのコーテ
ィング、スルーホール、回路自体等の広い範囲に用途を
有する。
【０００３】導電性被膜の製造方法としては従来から、
例えば、金属の真空蒸着、化学蒸着、イオンスパッタリ
ング等が行われていた。しかしながら、これらの方法は
真空系又は密閉系での作業を必要とするため、操作が煩
雑な上、高価で量産性に乏しいという問題があった。
例えば、金属の真空蒸着、化学蒸着、イオンスパッタリ
ング等が行われていた。しかしながら、これらの方法は
真空系又は密閉系での作業を必要とするため、操作が煩
雑な上、高価で量産性に乏しいという問題があった。
【０００４】これに対して、金属粒子を分散媒に分散さ
せた金属コロイド液を塗布し、加熱焼成することにより
導電性被膜を得る方法が提案されている。この方法によ
れば、真空系又は密閉系での作業を必要とせず、簡便な
操作で、安価に導電性被膜を得ることができる。しかし
ながら、実用上充分な導電性を有する被膜を得るために
は２００℃程度以上の高い温度で加熱する必要があり、
耐熱性に乏しい基材の上に導電性被膜を形成することが
できないという問題があった。
せた金属コロイド液を塗布し、加熱焼成することにより
導電性被膜を得る方法が提案されている。この方法によ
れば、真空系又は密閉系での作業を必要とせず、簡便な
操作で、安価に導電性被膜を得ることができる。しかし
ながら、実用上充分な導電性を有する被膜を得るために
は２００℃程度以上の高い温度で加熱する必要があり、
耐熱性に乏しい基材の上に導電性被膜を形成することが
できないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、低温で加熱して高導電性被膜を得ることができる
金属コロイド液及びそれを用いてなる導電性被膜を提供
することを目的とするものである。
鑑み、低温で加熱して高導電性被膜を得ることができる
金属コロイド液及びそれを用いてなる導電性被膜を提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＯＯＨ基と
ＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の
数はＯＨ基の数以上であるヒドロキシ酸又はその塩を分
散剤として用い、化学還元法によって製造される金属コ
ロイド液であって、金属の１次粒子径が２０ｎｍ以下で
ある金属コロイド液である。
ＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の
数はＯＨ基の数以上であるヒドロキシ酸又はその塩を分
散剤として用い、化学還元法によって製造される金属コ
ロイド液であって、金属の１次粒子径が２０ｎｍ以下で
ある金属コロイド液である。
【０００７】本発明者らは、このような金属コロイド液
を用いれば、１００℃程度の低温で加熱しても実用上充
分な導電性被膜が得られることを見出し、本発明を完成
するに至った。以下に本発明を詳述する。
を用いれば、１００℃程度の低温で加熱しても実用上充
分な導電性被膜が得られることを見出し、本発明を完成
するに至った。以下に本発明を詳述する。
【０００８】本発明の金属コロイド液は、金属粒子、そ
れに吸着する分散剤、及び、分散媒からなる。上記金属
粒子としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白
金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、
オスミウム等からなるものを挙げることができる。なか
でも、金、銀、白金又はパラジウムが好ましく、より好
ましくは金又は銀である。これらの金属は単独で用いら
れてもよく、２種以上が併用されてもよい。特に銀を用
いる場合には、銀とその他の金属とを併用することが好
ましい。銀を用いると、その金属コロイド液を用いて形
成される導電性被膜の導電率が良好となるが、マイグレ
ーションの問題を考慮する必要がある。銀とその他の金
属とを併用することにより、上記マイグレーションが起
こりにくくなる。上記その他の金属としては、金、銅、
白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、オスミウム等を挙げることができる。なかでも、
金、銅、白金又はパラジウムが好適である。
れに吸着する分散剤、及び、分散媒からなる。上記金属
粒子としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白
金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、
オスミウム等からなるものを挙げることができる。なか
でも、金、銀、白金又はパラジウムが好ましく、より好
ましくは金又は銀である。これらの金属は単独で用いら
れてもよく、２種以上が併用されてもよい。特に銀を用
いる場合には、銀とその他の金属とを併用することが好
ましい。銀を用いると、その金属コロイド液を用いて形
成される導電性被膜の導電率が良好となるが、マイグレ
ーションの問題を考慮する必要がある。銀とその他の金
属とを併用することにより、上記マイグレーションが起
こりにくくなる。上記その他の金属としては、金、銅、
白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、オスミウム等を挙げることができる。なかでも、
金、銅、白金又はパラジウムが好適である。
【０００９】上記のように銀とその他の金属とを併用す
る場合、銀の比率としては、金属全体に対して３０〜９
９重量％であることが好ましい。３０重量％未満である
と、その金属コロイド液を用いて形成される被膜の導電
性が低下することがあり、９９重量％を超えると、マイ
グレーション性を解決することが困難となる。より好ま
しくは、４０〜９５重量％であり、更に好ましくは６０
〜９０重量％である。
る場合、銀の比率としては、金属全体に対して３０〜９
９重量％であることが好ましい。３０重量％未満である
と、その金属コロイド液を用いて形成される被膜の導電
性が低下することがあり、９９重量％を超えると、マイ
グレーション性を解決することが困難となる。より好ま
しくは、４０〜９５重量％であり、更に好ましくは６０
〜９０重量％である。
【００１０】本発明の金属コロイド液中の金属の含有量
としては、１〜５００ｇ／Ｌであることが好ましい。１
ｇ／Ｌ未満であると、薄すぎて所望の膜厚を得るために
塗り重ねる回数が増え、５００ｇ／Ｌを超えると、粘度
が上がりすぎて取り扱いにくくなる。
としては、１〜５００ｇ／Ｌであることが好ましい。１
ｇ／Ｌ未満であると、薄すぎて所望の膜厚を得るために
塗り重ねる回数が増え、５００ｇ／Ｌを超えると、粘度
が上がりすぎて取り扱いにくくなる。
【００１１】本発明の金属コロイド液において、金属粒
子の１次粒子径は２０ｎｍ以下である。２０ｎｍを超え
ると、低温で加熱した場合、高導電性な被膜を得にく
い。好ましくは、１０ｎｍ以下である。
子の１次粒子径は２０ｎｍ以下である。２０ｎｍを超え
ると、低温で加熱した場合、高導電性な被膜を得にく
い。好ましくは、１０ｎｍ以下である。
【００１２】本発明の金属コロイド液を製造する際に
は、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、か
つ、ＣＯＯＨ基の数はＯＨ基の数以上であるヒドロキシ
酸又はその塩を分散剤として用いる。このような分散剤
としては、例えば、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三
カリウム、クエン酸三リチウム、リンゴ酸二ナトリウ
ム、酒石酸二ナトリウム、グリコール酸ナトリウム、ク
エン酸、クエン酸一カリウム、クエン酸水素二ナトリウ
ム、クエン酸二水素カリウム、リンゴ酸、リンゴ酸一ナ
トリウム、酒石酸、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナ
トリウム、酒石酸水素カリウム、酒石酸水素ナトリウ
ム、グリコール酸等を挙げることができる。これらの分
散剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されて
もよい。
は、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、か
つ、ＣＯＯＨ基の数はＯＨ基の数以上であるヒドロキシ
酸又はその塩を分散剤として用いる。このような分散剤
としては、例えば、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三
カリウム、クエン酸三リチウム、リンゴ酸二ナトリウ
ム、酒石酸二ナトリウム、グリコール酸ナトリウム、ク
エン酸、クエン酸一カリウム、クエン酸水素二ナトリウ
ム、クエン酸二水素カリウム、リンゴ酸、リンゴ酸一ナ
トリウム、酒石酸、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナ
トリウム、酒石酸水素カリウム、酒石酸水素ナトリウ
ム、グリコール酸等を挙げることができる。これらの分
散剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されて
もよい。
【００１３】上記分散媒としては、水及び／又は水溶性
溶剤が好ましい。分散媒として水及び／又は水溶性溶剤
を用いることにより、金属コロイド液を加熱焼成して導
電性被膜を製造する際、溶剤臭が強くならず、環境にも
悪影響が少ない。より好ましくは水である。
溶剤が好ましい。分散媒として水及び／又は水溶性溶剤
を用いることにより、金属コロイド液を加熱焼成して導
電性被膜を製造する際、溶剤臭が強くならず、環境にも
悪影響が少ない。より好ましくは水である。
【００１４】本発明の金属コロイド液を製造する方法と
しては特に限定されず、例えば、まず金属粒子を含む溶
液を作製し、次いで、その溶液の洗浄を行う方法等を挙
げることができる。上記金属粒子を含む溶液を作製する
方法としては化学還元法による方法であれば特に限定さ
れず、例えば、分散剤と分散媒と金属塩又は金属イオン
の混合物を、何らかの方法により還元させればよい。
しては特に限定されず、例えば、まず金属粒子を含む溶
液を作製し、次いで、その溶液の洗浄を行う方法等を挙
げることができる。上記金属粒子を含む溶液を作製する
方法としては化学還元法による方法であれば特に限定さ
れず、例えば、分散剤と分散媒と金属塩又は金属イオン
の混合物を、何らかの方法により還元させればよい。
【００１５】上記金属塩としては、例えば、硝酸銀、硫
酸銀、塩化銀、酸化銀、酢酸銀、亜硝酸銀、塩素酸銀、
硫化銀等の銀塩；塩化金酸、塩化金カリウム、塩化金ナ
トリウム等の金塩；塩化白金酸、塩化白金、酸化白金、
塩化白金酸カリウム等の白金塩；硝酸パラジウム、酢酸
パラジウム、塩化パラジウム、酸化パラジウム、硫酸パ
ラジウム等のパラジウム塩等を挙げることができる。こ
れらの金属塩は単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。
酸銀、塩化銀、酸化銀、酢酸銀、亜硝酸銀、塩素酸銀、
硫化銀等の銀塩；塩化金酸、塩化金カリウム、塩化金ナ
トリウム等の金塩；塩化白金酸、塩化白金、酸化白金、
塩化白金酸カリウム等の白金塩；硝酸パラジウム、酢酸
パラジウム、塩化パラジウム、酸化パラジウム、硫酸パ
ラジウム等のパラジウム塩等を挙げることができる。こ
れらの金属塩は単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。
【００１６】上記金属塩を還元させる方法としては特に
限定されず、還元剤を用いて還元させてもよく、紫外線
等の光、電子線、熱エネルギー等を用いて還元させても
よい。上記還元剤としては分散媒に溶解し、上記金属塩
を還元させることができるものであれば特に限定され
ず、例えば、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、フェニドン、ヒ
ドラジン等のアミン化合物；水酸化ホウ素ナトリウム、
ヨウ化水素、水素ガス等の水素化合物；一酸化炭素、亜
硫酸等の酸化物；硫酸第一鉄、酸化鉄、フマル酸鉄、乳
酸鉄、シュウ酸鉄、硫化鉄、酢酸錫、塩化錫、二リン酸
錫、シュウ酸錫、酸化錫、硫酸錫等の低原子価金属塩；
ホルムアルデヒド、ハイドロキノン、ピロガロール、タ
ンニン、タンニン酸、サリチル酸、Ｄ−グルコース等の
糖等の有機化合物等を挙げることができる。上記の各種
還元剤を使用する際には、更に、光や熱を加えて還元反
応を促進させてもよい。
限定されず、還元剤を用いて還元させてもよく、紫外線
等の光、電子線、熱エネルギー等を用いて還元させても
よい。上記還元剤としては分散媒に溶解し、上記金属塩
を還元させることができるものであれば特に限定され
ず、例えば、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、フェニドン、ヒ
ドラジン等のアミン化合物；水酸化ホウ素ナトリウム、
ヨウ化水素、水素ガス等の水素化合物；一酸化炭素、亜
硫酸等の酸化物；硫酸第一鉄、酸化鉄、フマル酸鉄、乳
酸鉄、シュウ酸鉄、硫化鉄、酢酸錫、塩化錫、二リン酸
錫、シュウ酸錫、酸化錫、硫酸錫等の低原子価金属塩；
ホルムアルデヒド、ハイドロキノン、ピロガロール、タ
ンニン、タンニン酸、サリチル酸、Ｄ−グルコース等の
糖等の有機化合物等を挙げることができる。上記の各種
還元剤を使用する際には、更に、光や熱を加えて還元反
応を促進させてもよい。
【００１７】上記金属塩、分散剤及び還元剤を用いて金
属粒子を含む溶液を製造する方法としては、例えば、上
記金属塩を純水等に溶かして金属塩溶液を調製し、その
金属塩溶液を徐々に分散剤と還元剤とが溶解した水溶液
中に滴下する方法等を挙げることができる。
属粒子を含む溶液を製造する方法としては、例えば、上
記金属塩を純水等に溶かして金属塩溶液を調製し、その
金属塩溶液を徐々に分散剤と還元剤とが溶解した水溶液
中に滴下する方法等を挙げることができる。
【００１８】このようにして得られた金属粒子を含む溶
液中には、金属粒子及びその金属粒子に吸着した分散剤
の他に、還元剤の残留物や金属粒子に吸着していない分
散剤が存在しており、液全体の電解質濃度が高くなって
いる。このような状態の液は、金属粒子の凝析が起こ
り、沈殿しやすい。上記金属粒子を含む溶液を洗浄して
余分な電解質を取り除くことで沈殿を抑制することがで
きる。
液中には、金属粒子及びその金属粒子に吸着した分散剤
の他に、還元剤の残留物や金属粒子に吸着していない分
散剤が存在しており、液全体の電解質濃度が高くなって
いる。このような状態の液は、金属粒子の凝析が起こ
り、沈殿しやすい。上記金属粒子を含む溶液を洗浄して
余分な電解質を取り除くことで沈殿を抑制することがで
きる。
【００１９】上記洗浄の方法としては、例えば、得られ
た金属粒子を含む液を一定期間静置し、生じた上澄み液
を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、更に一定
期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度か繰
り返す方法、上記の静置の代わりに遠心分離を行う方
法、限外濾過装置やイオン交換装置等により脱塩する方
法等を挙げることができる。なかでも、脱塩する方法が
好ましい。また、脱塩等した液は、適宜濃縮してもよ
い。
た金属粒子を含む液を一定期間静置し、生じた上澄み液
を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、更に一定
期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度か繰
り返す方法、上記の静置の代わりに遠心分離を行う方
法、限外濾過装置やイオン交換装置等により脱塩する方
法等を挙げることができる。なかでも、脱塩する方法が
好ましい。また、脱塩等した液は、適宜濃縮してもよ
い。
【００２０】複数の金属からなる混合金属コロイド液を
作製する方法としては特に限定されず、例えば、銀とそ
の他の金属とからなる混合金属コロイド液を作製する場
合には、上記の方法にて、銀コロイド液とその他の金属
の金属コロイド液とを別々に作製し、その後混合して混
合金属コロイド液としてもよく、銀イオン溶液とその他
の金属イオン溶液とを混合し、その後に還元してもよ
い。
作製する方法としては特に限定されず、例えば、銀とそ
の他の金属とからなる混合金属コロイド液を作製する場
合には、上記の方法にて、銀コロイド液とその他の金属
の金属コロイド液とを別々に作製し、その後混合して混
合金属コロイド液としてもよく、銀イオン溶液とその他
の金属イオン溶液とを混合し、その後に還元してもよ
い。
【００２１】本発明の金属コロイド液を適当な基材上に
塗布し、乾燥させ、加熱することにより導電性被膜を製
造することができる。本発明の金属コロイド液を加熱焼
成することにより、得られる導電性被膜の導電性は一層
高まる。上記加熱方法としては特に限定されず、例え
ば、オーブン中で加熱する方法の他、誘電加熱法、高周
波加熱法等を挙げることができる。
塗布し、乾燥させ、加熱することにより導電性被膜を製
造することができる。本発明の金属コロイド液を加熱焼
成することにより、得られる導電性被膜の導電性は一層
高まる。上記加熱方法としては特に限定されず、例え
ば、オーブン中で加熱する方法の他、誘電加熱法、高周
波加熱法等を挙げることができる。
【００２２】本発明の金属コロイド液を塗布し、１００
℃程度の低温で加熱して得た導電性被膜は、従来の金属
コロイド液を１００℃程度で加熱して得た導電性被膜に
比べて導電性が高く、ブラウン管の電磁波遮蔽、建材又
は自動車の赤外線遮蔽、電子機器や携帯電話の静電気帯
電防止剤、曇りガラスの熱線、回線基板やＩＣカードの
配線、樹脂に導電性を付与するためのコーティング、ス
ルーホール、回路自体等に用いることができる。本発明
の金属コロイド液からなる導電性被膜もまた、本発明の
１つである。
℃程度の低温で加熱して得た導電性被膜は、従来の金属
コロイド液を１００℃程度で加熱して得た導電性被膜に
比べて導電性が高く、ブラウン管の電磁波遮蔽、建材又
は自動車の赤外線遮蔽、電子機器や携帯電話の静電気帯
電防止剤、曇りガラスの熱線、回線基板やＩＣカードの
配線、樹脂に導電性を付与するためのコーティング、ス
ルーホール、回路自体等に用いることができる。本発明
の金属コロイド液からなる導電性被膜もまた、本発明の
１つである。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
【００２４】（実施例１）
＜銀コロイド水溶液の作製＞分散剤としてクエン酸三ナ
トリウム二水和物（和光純薬工業社製）１７．１ｇと、
還元剤としてタンニン酸（和光純薬工業社製）０．７０
ｇとを水２８０ｇに溶解させた水溶液に、１０Ｎの水酸
化ナトリウム水溶液３ｍＬを加え、次いで室温雰囲気中
でマグネティックスターラーにより攪拌しながら硝酸銀
（和光純薬工業社製）１．９７ｇを含む水溶液３ｍＬを
滴下して銀粒子を含む水溶液を得た。得られた銀粒子を
含む水溶液を限外濾過器（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、ＵＨ
Ｐ−６２Ｋ）とフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、ウ
ルトラフィルターＱ０５００）とを用いて脱塩した。Ｃ
Ｍ−２０Ｓ（東亜電波工業社製）で測定した濾液の電気
導度が１００μＳ／ｃｍ以下になるまで脱塩を繰り返し
た後２０ｍＬまで濃縮し、この濃縮液を３０００ｒｐｍ
で１０分間遠心分離した。このとき、下層の沈殿と上層
の分散液に分離するが、この上層の分散液を銀コロイド
水溶液として採取した。
トリウム二水和物（和光純薬工業社製）１７．１ｇと、
還元剤としてタンニン酸（和光純薬工業社製）０．７０
ｇとを水２８０ｇに溶解させた水溶液に、１０Ｎの水酸
化ナトリウム水溶液３ｍＬを加え、次いで室温雰囲気中
でマグネティックスターラーにより攪拌しながら硝酸銀
（和光純薬工業社製）１．９７ｇを含む水溶液３ｍＬを
滴下して銀粒子を含む水溶液を得た。得られた銀粒子を
含む水溶液を限外濾過器（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、ＵＨ
Ｐ−６２Ｋ）とフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、ウ
ルトラフィルターＱ０５００）とを用いて脱塩した。Ｃ
Ｍ−２０Ｓ（東亜電波工業社製）で測定した濾液の電気
導度が１００μＳ／ｃｍ以下になるまで脱塩を繰り返し
た後２０ｍＬまで濃縮し、この濃縮液を３０００ｒｐｍ
で１０分間遠心分離した。このとき、下層の沈殿と上層
の分散液に分離するが、この上層の分散液を銀コロイド
水溶液として採取した。
【００２５】＜導電性被膜の作製＞コロナ処理を行った
ポリイミドフィルム表面に得られた銀コロイド水溶液を
刷毛で塗布し、乾燥した。所望の厚さの導電性被膜を得
るために、塗布と乾燥とを繰り返し行った。その後、２
００℃で２０分間又は１００℃で２０分間の加熱焼成を
行い、導電性被膜を形成した。得られた導電性被膜の厚
さは、導電性被膜の重量を金属の比重で除し、更に導電
性被膜の幅及び長さで除して求めた。
ポリイミドフィルム表面に得られた銀コロイド水溶液を
刷毛で塗布し、乾燥した。所望の厚さの導電性被膜を得
るために、塗布と乾燥とを繰り返し行った。その後、２
００℃で２０分間又は１００℃で２０分間の加熱焼成を
行い、導電性被膜を形成した。得られた導電性被膜の厚
さは、導電性被膜の重量を金属の比重で除し、更に導電
性被膜の幅及び長さで除して求めた。
【００２６】（比較例１）タンニン酸０．７０ｇの代り
に硫酸第一鉄七水和物（和光純薬工業社製）６．４６ｇ
を用い、水酸化ナトリウム水溶液を加えなかったこと以
外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液、導電性被膜を
得た。
に硫酸第一鉄七水和物（和光純薬工業社製）６．４６ｇ
を用い、水酸化ナトリウム水溶液を加えなかったこと以
外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液、導電性被膜を
得た。
【００２７】（比較例２）クエン酸三ナトリウム二水和
物１７．１ｇの代りにグリシン（和光純薬工業社製）
１．７５ｇを用い、タンニン酸（和光純薬工業社製）の
使用量を１．１２ｇとしたこと以外は実施例１と同様に
銀コロイド水溶液、導電性被膜及び固形分を得た。
物１７．１ｇの代りにグリシン（和光純薬工業社製）
１．７５ｇを用い、タンニン酸（和光純薬工業社製）の
使用量を１．１２ｇとしたこと以外は実施例１と同様に
銀コロイド水溶液、導電性被膜及び固形分を得た。
【００２８】＜評価＞実施例１及び比較例１、２で得た
導電性被膜及び固形分を用いて以下の評価を行った。結
果を表１及び表２に示した。
導電性被膜及び固形分を用いて以下の評価を行った。結
果を表１及び表２に示した。
【００２９】（１）金属コロイド液の１次粒子径測定
ＤＬＳ−７０００（大塚電子社製）を用いて金属コロイ
ド液の金属の粒子径を測定し、ヒストグラム法により解
析した。このとき双峰性、三峰性を示すが、最も小さい
側にあるピークの平均値を１次粒子径とした。
ド液の金属の粒子径を測定し、ヒストグラム法により解
析した。このとき双峰性、三峰性を示すが、最も小さい
側にあるピークの平均値を１次粒子径とした。
【００３０】（２）被膜の導電性
導電性被膜の電気抵抗をダブルブリッジ２７６９（横河
Ｍ＆Ｃ社製）により測定し、体積抵抗率を下記式を用い
て算出した。
Ｍ＆Ｃ社製）により測定し、体積抵抗率を下記式を用い
て算出した。
【００３１】ρｖ＝Ｒｗｔ／ｌ
ρｖ：体積抵抗率（Ω・ｃｍ）
Ｒ：測定端子間の被膜の電気抵抗（Ω）
ｗ：測定端子間の被膜の幅（ｃｍ）
ｔ：測定端子間の被膜の厚さ（ｃｍ）
ｌ：測定端子間の被膜の長さ（ｃｍ）
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表１、表２より、実施例１及び比較例１、
２で作製した銀コロイド水溶液を２００℃で加熱焼成し
て得た被膜は高い導電性を示した。しかし、焼成温度を
１００℃にすると、実施例１で作製した銀コロイド水溶
液から得た被膜は高い導電性を示したのに対して、比較
例１、２で作製した銀コロイド水溶液から得た被膜の導
電性は低いものであった。
２で作製した銀コロイド水溶液を２００℃で加熱焼成し
て得た被膜は高い導電性を示した。しかし、焼成温度を
１００℃にすると、実施例１で作製した銀コロイド水溶
液から得た被膜は高い導電性を示したのに対して、比較
例１、２で作製した銀コロイド水溶液から得た被膜の導
電性は低いものであった。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、低温で加熱して高導電
性被膜を得ることができる金属コロイド液及びそれを用
いてなる導電性被膜を提供することができる。
性被膜を得ることができる金属コロイド液及びそれを用
いてなる導電性被膜を提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以
上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数はＯＨ基の数以上である
ヒドロキシ酸又はその塩を分散剤として用い、化学還元
法によって製造される金属コロイド液であって、金属の
１次粒子径が２０ｎｍ以下であることを特徴とする金属
コロイド液。 - 【請求項２】 分散媒が水であることを特徴とする請求
項１記載の金属コロイド液。 - 【請求項３】 金属は金又は銀であることを特徴とする
請求項１又は２記載の金属コロイド液。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の金属コロイド
液からなることを特徴とする導電性被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385056A JP2003187640A (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 金属コロイド液及び導電性被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385056A JP2003187640A (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 金属コロイド液及び導電性被膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187640A true JP2003187640A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27594622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001385056A Pending JP2003187640A (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 金属コロイド液及び導電性被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003187640A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-12-18 JP JP2001385056A patent/JP2003187640A/ja active Pending
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