JP2001160722A - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JP2001160722A JP34394799A JP34394799A JP2001160722A JP 2001160722 A JP2001160722 A JP 2001160722A JP 34394799 A JP34394799 A JP 34394799A JP 34394799 A JP34394799 A JP 34394799A JP 2001160722 A JP2001160722 A JP 2001160722A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造バラツキや電源変動等があっても、出力
回路の動作点が安定であると共に、無信号時のバイアス
電流が最大出力電流と比較して極端に少なくて済む差動
増幅回路を提供する。 【解決手段】 本発明の差動増幅回路は、+側入力信号
と−側入力信号の差電圧信号を生成する入力回路10
と、入力回路10から供給される差電圧信号を入力し
て、該差電圧信号に相当するバイアス電圧を供給すると
共に、出力電流を帰還して該バイアス電圧をフィードバ
ック制御するフィードバック・バイアス回路20と、該
バイアス電圧に応じた出力電流を負荷側に供給する出力
回路30と、出力電流を検出してフィードバック・バイ
アス回路20に供給する電流検出回路40とを具備す
る。差動増幅回路は、バイアス電圧の電流値を差電圧信
号が無信号のときはゼロに近い値としてAB級増幅を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CMOSトランジ
スタを備え、且つAB級で動作するプッシュプル出力増
幅回路に関する。本発明の装置は、例えば携帯電話機の
ように電池寿命を確保する必要のある省電力型機器に用
いて好適な差動増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、CMOSトランジスタを備え
るプッシュプル出力増幅回路は広く用いられている。図
4は従来装置の回路図である。図において、入力回路1
は、カレントミラー回路を構成するトランジスタT2、
T5と、+側入力信号INがゲート端子に入力されるト
ランジスタT6と、−側入力信号INがゲート端子に入
力されるトランジスタT3を有している。カレントミラ
ー回路は正電圧電源VDDと接続されている。バイアス回
路2は、動作バイアス点の設定用抵抗R1と、バイアス
電圧発生トランジスタT1を備えるもので、正電圧電源
DDと基準電圧V ssとの間に挿入されている。トランジ
スタT4は、入力回路1にバイアス電流を供給する素子
である。レベルシフト回路3は、トランジスタT9、T
10を備えている。出力回路4は、出力トランジスタT
7、T8を備えると共に、出力端子outを有している。
【0003】このように構成された装置においては、バ
イアス回路2で正電圧電源VDDと基準電圧Vssとの差電
圧からトランジスタT1での電圧降下を差し引いた電圧
が抵抗R1に加わり、NB節点で抵抗R1とトランジス
タT1が接続された直流回路に電流が流れる。この電流
の大きさは、バイアス電圧の形でNB節点を通して各素
子に供給され、各素子の動作点を決める。入力回路1で
は、トランジスタT3とT6、並びにトランジスタT2
とT5とは特性が相等しいものが用いられている。N3
節点は、トランジスタT5とトランジスタT6の共通接
続点で、N3節点電圧VN3は+側入力信号電圧V+IN
−側入力信号電圧V-INとの差電圧(V+I N−V-IN)の
変化に応じて大きく変動する。即ち、トランジスタT
5、T6のドレイン電流IDとドレイン・ソース間電圧V
DSに起因する負荷抵抗を用いて、アクティブロードによ
り電圧利得を高めている。
【0004】出力回路4は、出力トランジスタT8が出
力トランジスタT7の負荷として動作するアクティブロ
ードとなっていると共に、出力トランジスタT8にはト
ランジスタT9を通して信号が加えられて動作する。出
力トランジスタT7はN3節点電圧VN3に応じて出力ト
ランジスタT7の電流が変化する。コンデンサCcは高
周波において利得を低下させて、発振を防止する。この
電流の変化はアクティブロードにより大振幅の信号に変
換されて出力端子outから出力される。レベルシフト回
路3は、入力回路1から供給される差電圧(V+IN−V
-IN)の電圧レベルを変換して、出力回路4に供給して
いる。
【0005】そして、信号増幅をリニアに行うA級動作
をさせる場合には、入力信号の有無に拘わらず、常時バ
イアス電流を流す。他方、大電力増幅回路の場合にはB
級動作をさせるため、バイアス電圧をゼロ電圧として無
信号時にバイアス電流が流れるのを防止する。しかし、
B級動作ではゼロ電流付近における特性の非直線性に起
因するクロスオーバ歪が発生する。そこで、クロスオー
バ歪を防止する為、バイアス電流を僅かに流すAB級動
作が用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術で
は、製造バラツキや電源変動などにより出力回路の動作
点が変動し、特性の変化を招きやすいという課題があっ
た。そこで、マージンを確保する為無信号時のバイアス
電流を僅かに流しているが、他方携帯電話では待受け時
間を一電池当りで100時間以上確保することが肝要にな
っていため、無信号時のバイアス電流を極力小さくする
必要がある。本発明は上述する課題を解決するもので、
製造バラツキや電源変動等があっても、出力回路の動作
点が安定であると共に、無信号時のバイアス電流が最大
出力電流と比較して極端に少なくて済む差動増幅回路を
提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の差動増幅回路は、図1に示すように、+側入力信号
と−側入力信号の差電圧信号を生成する入力回路10
と、入力回路10から供給される差電圧信号を入力し
て、該差電圧信号に相当するバイアス電圧を供給すると
共に、出力電流を帰還して該バイアス電圧をフィードバ
ック制御するフィードバック・バイアス回路20と、該
バイアス電圧に応じた出力電流を負荷側に供給する出力
回路30と、出力電流を検出してフィードバック・バイ
アス回路20に供給する電流検出回路40とを具備し、
バイアス電圧の電流値を差電圧信号が無信号のときはゼ
ロに近い値としてAB級増幅を行うものである。
【0008】このように構成された装置において、フィ
ードバック・バイアス回路20は入力回路10に印加さ
れる信号が無信号であるときは最大出力電流と比較して
僅かな消費電力のバイアス電圧を出力回路に供給して、
AB級増幅を行う。電流検出回路40が出力電流を検出
してフィードバック・バイアス回路20に帰還し、フィ
ードバック・バイアス回路20が出力電流を帰還してバ
イアス電圧を制御するフィードバック制御を行うので、
製造バラツキや電源変動等があっても、出力回路の動作
点が安定な差動増幅回路が得られる。
【0009】好ましくは、請求項2に記載のように、入
力回路10は、+側入力信号がゲート端子に入力される
第1のトランジスタMP2と、−側入力信号がゲート端
子に入力される第2のトランジスタMP1とを有し、該
第1及び第2のトランジスタのソース端子は定電流源ト
ランジスタMP3を介して正電圧源VDDと接続され、ド
レイン端子が前記フィードバック・バイアス回路と接続
される構成とすると、第1及び第2のトランジスタの特
性を相等しくすることで、正確な差電圧信号が生成でき
る。
【0010】好ましくは、請求項3に記載のように、出
力回路30は、正電圧源VDDと基準電圧GND、VSS
の間に接続された第1の出力トランジスタMP17と第
2の出力トランジスタMN11とを有し、該第1及び第
2の出力トランジスタのソース端子に対してフィードバ
ック・バイアス回路20から供給されるバイアス電圧が
印加されると共に、該第1及び第2の出力トランジスタ
の共通に接続された端子を出力端子とする構成とする
と、第1及び第2の出力トランジスタのアクティブロー
ド作用により、バイアス電圧の僅かな変動が大振幅の信
号に変換されて出力端子から出力される。
【0011】好ましくは、請求項4に記載のように、電
流検出回路40は、第1の出力トランジスタMP17に
供給されるバイアス電圧がゲート端子に印加され、正電
圧源VDDの電圧がソース端子に印加される第1の電流検
出用トランジスタMP16と、第2の出力トランジスタ
MN11に供給されるバイアス電圧がゲート端子に印加
され、基準電圧GND、VSSの電圧がソース端子に印加
される第2の電流検出用トランジスタMN10とを有す
る構成とすると、出力回路30の出力電流をフィードバ
ック・バイアス回路20に帰還するのに適したものとな
る。また請求項5に記載のように、電流検出回路40
は、第1の出力トランジスタMP17に供給されるバイ
アス電圧がゲート端子に印加され、正電圧源VDDの電圧
がソース端子に印加される電流制御トランジスタMP1
2と、第2の出力トランジスタMN11に供給されるバ
イアス電圧がゲート端子に印加され、基準電圧GND、
SSの電圧がソース端子に印加される第3の電流検出用
トランジスタMN23とを有する構成とすると、回路構
成が請求項4に記載の構成に比較して簡単になる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図1は、本発明の一実施の形態を説
明する構成ブロック図である。図において、入力回路1
0は、−側入力信号INがゲート端子に入力されるPチ
ャンネルトランジスタMP1と、+側入力信号INがゲ
ート端子に入力されるPチャンネルトランジスタMP2
とを有している。トランジスタMP1、2はソース端子
が定電流源を介して正電圧電源VDDと接続され、ドレイ
ン端子がフィードバック・バイアス回路20と接続され
ている。
【0013】フィードバック・バイアス回路20は、入
力回路10に入力される+側入力信号INと−側入力信
号INとの差動電圧に応じた制御信号を出力回路30に
供給すると共に、電流検出回路40から帰還される電流
検出信号を用いてフィードバック制御をしている。電流
検出回路40は、電流検出用Pチャンネルトランジスタ
MP16と電流検出用NチャンネルトランジスタMN1
0を有している。電流検出用Pチャンネルトランジスタ
MP16は、ゲート端子がフィードバック・バイアス回
路20のPチャンネル出力トランジスタMP17に供給
する制御出力電圧端と接続され、ソース端子が正電圧電
源VDDと接続され、ドレイン端子がフィードバック・バ
イアス回路20の帰還端子と接続される。電流検出用N
チャンネルトランジスタMN10は、ゲート端子がフィ
ードバック・バイアス回路20のNチャンネル出力トラ
ンジスタMN11に供給する制御出力電圧端と接続さ
れ、ソース端子がフィードバック・バイアス回路20と
接続され、ドレイン端子が接地されている。
【0014】出力回路30は、Pチャンネル出力トラン
ジスタMP17とNチャンネル出力トランジスタMN1
1を有している。Pチャンネル出力トランジスタMP1
7は、ゲート端子がフィードバック・バイアス回路20
の制御出力電圧端と接続され、ソース端子が正電圧電源
DDと接続され、ドレイン端子が負荷出力端子outと接
続されている。Nチャンネル出力トランジスタMN11
は、ゲート端子がフィードバック・バイアス回路20の
制御出力電圧端と接続され、ソース端子が負荷出力端子
outと接続され、ドレイン端子が接地されている。
【0015】このように構成された装置の動作を次に説
明する。入力回路10からの差動入力がない場合、フィ
ードバック・バイアス回路20の出力電流(電流検出回
路40の検出電流)はiとなり、出力回路30には電流
Iが流れる。この出力回路30の電流Iはいくらでも良
いのであるが、出力電流Ioutがない状態では無駄な電
流である為小さな電流としたい。
【0016】そこで、電流検出回路40でカレントミラ
ーによる電流検出をして、その検出電流が一定値となる
ように、フィードバック・バイアス回路20にて制御す
る。入力回路10からの差動入力電流が+側又は−側か
に応じて、フィードバック・バイアス回路20の制御出
力電圧、即ち出力トランジスタのゲート電圧は、差動入
力電流と同じ符号の電圧出力に変換され、出力回路30
に接続される負荷を駆動する。
【0017】出力回路30が負荷に電流を流し込んでい
るとき、Pチャンネル出力トランジスタMP17には電
流I+Ioutが流れ、電流検出用Pチャンネルトランジ
スタMP16も大きな電流を検出する。このとき、Nチ
ャンネル出力トランジスタMN11には電流Iが流れて
おり、電流検出用NチャンネルトランジスタMN10も
この電流Iに対応する電流を検出する。フィードバック
・バイアス回路20は、電流検出用Pチャンネルトラン
ジスタMP16と電流検出用Nチャンネルトランジスタ
MN10の検出電流の小さい方を出力して、それを制御
するように動作し、出力電流Ioutを下げるようなこと
はない。
【0018】続いて、本発明を実施する具体的な回路に
ついて説明する。図2は本発明の第1の実施の形態を説
明する回路図である。入力回路10は、−側入力信号I
Nがゲート端子に入力されるPチャンネルトランジスタ
MP1と、+側入力信号IPがゲート端子に入力される
PチャンネルトランジスタMP2とを有している。トラ
ンジスタMP1、2はソース端子がトランジスタMP3
を介して正電圧電源V DDと接続されている。トランジス
タMP3は、パワー断信号PDNに応じてオンオフする
トランジスタMP20によりオンオフされて、差動増幅
回路のオンオフをパワー断信号PDと連動させている。
なお、パワー断信号PDは差動増幅回路の装着される電
源スイッチ等から供給されるもので、トランジスタの極
性に応じて正相のPDPと逆相のPDNが生成されてい
る。
【0019】フィードバック・バイアス回路20は、ト
ランジスタMP3と連動してオンオフするトランジスタ
MP8、9、10、11、18を有している。また、パ
ワー断信号PDNはトランジスタMP21のゲート端子
にも入力されており、トランジスタMP4、5、6、7
がトランジスタMP21と連動してオンオフする。パワ
ー断信号PDPはトランジスタMN15のゲート端子に
入力されており、トランジスタMN12、13、14が
トランジスタMN15と連動してオンオフする。パワー
断信号PDPはトランジスタMN19のゲート端子にも
入力されており、電流基準信号IrefをトランジスタM
N12のゲート端子に印加するかのオンオフをしてい
る。なお、トランジスタMN13、14、15はカレン
トミラー回路を構成している。
【0020】トランジスタMP5とMP8、トランジス
タMP6とMP9、並びにトランジスタMP7とMP1
0はカスケードを構成しており、低電圧で動作する。ト
ランジスタMP6、7は折返しカスケード回路の出力イ
ンピーダンスを大きくする。トランジスタMP11のド
レイン端子は、トランジスタMN3、MN4、MN6の
ゲート端子と接続されている。トランジスタMP11に
は基準電流iが流れるので、トランジスタMN6により
電流/電圧変換して、トランジスタMN3とMN4をバ
イアスし、トランジスタMN1とMN2と折返しカスケ
ード回路を構成して、出力インピーダンスを大きくしゲ
インを高める。
【0021】トランジスタMN1は、ドレイン端子がP
チャンネルトランジスタMP1のドレイン端子とトラン
ジスタMN3のソース端子と接続され、ソース端子が接
地されている。トランジスタMN2は、ドレイン端子が
PチャンネルトランジスタMP2のドレイン端子とトラ
ンジスタMN4、MN5のソース端子と接続され、ソー
ス端子が接地されている。トランジスタMN1、MN2
のゲート端子は、トランジスタMN3のドレイン端子と
トランジスタMP5のドレイン端子の共通接続点と接続
されている。トランジスタMN4のドレイン端子は、ト
ランジスタMP6のドレイン端子と接続されると共に、
Pチャンネル出力トランジスタMP17のゲート端子と
接続されている。トランジスタMN5のドレイン端子
は、トランジスタMP7のドレイン端子と接続されると
共に、Nチャンネル出力トランジスタMN11のゲート
端子と接続されている。
【0022】出力回路30には、Pチャンネル出力トラ
ンジスタMP17のドレイン−ゲート間に、位相補償用
の抵抗R2とコンデンサC2のCR回路が設けられてい
る。また、Nチャンネル出力トランジスタMN11のド
レイン−ゲート間に、位相補償用の抵抗R3とコンデン
サC3のCR回路が設けられている。電流検出回路40
は、カレントミラー回路を構成するトランジスタMP1
3、MP14、MP15を有している。電流検出用Pチ
ャンネルトランジスタMP16は、ゲート端子がPチャ
ンネル出力トランジスタMP17のゲート端子と接続さ
れ、ソース端子がトランジスタMP15のドレイン端子
と接続され、ドレイン端子がトランジスタMN9を介し
て接地されている。電流検出用Nチャンネルトランジス
タMN10は、ゲート端子がNチャンネル出力トランジ
スタMN11のゲート端子と接続され、ソース端子がト
ランジスタMN8のドレイン端子と接続され、ドレイン
端子がトランジスタMP14を介して正電圧電源VDD
接続されている。トランジスタMN7は、カレントミラ
ー回路を流れる電流をトランジスタMP13を用いて検
知し、さらにトランジスタMP12によりPチャンネル
出力トランジスタMP17のゲート端子電圧を反映させ
て、電流/電圧変換してトランジスタMN5のゲート端
子に帰還するものである。
【0023】このように構成された装置においては、ト
ランジスタMN6とMN7の電流は、そのサイズ比にな
る様に制御され、出力回路の電流Iを小さくすることで
消費電流を少なくすることができる。この出力回路の電
流Iを最大出力電流の数百分の1とすることで、無信号
時の消費電流は少なくて済む。
【0024】図3は本発明の第2の実施の形態を説明す
る回路図である。第2の実施の形態は、第1の実施の形
態と比較すると、電流検出回路40が簡素化されてい
る。電流検出回路40は、カレントミラー回路を構成す
るトランジスタMP13、MP14と、電流制限用の抵
抗R4、トランジスタMP12、並びにトランジスタM
N7、MN23を有している。電流制御トランジスタM
P12は、出力トランジスタMP17に供給されるバイ
アス電圧がゲート端子に印加され、正電圧源VDDの電圧
がトランジスタMP13を介してソース端子に印加され
る。電流検出用トランジスタMN23は、ゲート端子に
出力トランジスタMN11に供給されるバイアス電圧が
印加され、ソース端子が接地され、ドレイン端子は抵抗
R4とトランジスタMP14を介して正電圧源VDDと接
続されている。トランジスタMN7は、第1の実施の形
態と同様である。
【0025】このように回路構成しても、無信号時のバ
イアス電流が極端に少なく、且つ大信号時には大電流が
得られる差動増幅回路が提供できる。尚、上記実施例に
おいてはフィードバック・バイアス回路と電流検出回路
としてCMOSトランジスタを用いる場合を示したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、要するに省電
力動作が可能で増幅率の高い素子である他の形式の増幅
素子を用いてもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の差動増幅
回路によれば、フィードバック・バイアス回路は入力回
路に印加される信号が無信号であるときは、最大出力電
流と比較して僅かな消費電流のバイアス電圧を出力回路
に供給してAB級増幅を行うため、無信号時の消費電流
が最大出力電流と比較して極端に少なくて済むから電池
寿命が長く確保でき、特に携帯電話機や携帯用ゲーム機
器に用いて好適である。また、電流検出回路が出力電流
を検出してフィードバック・バイアス回路に帰還し、フ
ィードバック・バイアス回路が出力電流を帰還してバイ
アス電圧を制御するフィードバック制御を行う構成とし
たので、製造バラツキや電源変動等があっても、出力回
路の動作点が安定な差動増幅回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態を説明する構成ブロッ
ク図である。
【図2】 本発明の第1の実施の形態を説明する回路図
である。
【図3】 本発明の第2の実施の形態を説明する回路図
である。
【図4】 従来装置の回路図である。
【符号の説明】
10 入力回路 20 フィードバック・バイアス回路 30 出力回路 40 電流検出回路 MN10 電流検出用Nチャンネルトランジスタ MN11 Nチャンネル出力トランジスタ MP1 +側入力信号用トランジスタ MP2 −側入力信号用トランジスタ MP16 電流検出用Pチャンネルトランジスタ MP17 Pチャンネル出力トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J066 AA01 AA12 AA18 AA63 CA04 CA14 CA36 CA81 FA10 FA17 HA10 HA17 HA25 HA29 KA04 KA05 KA06 KA09 KA12 KA18 KA27 KA28 MA08 MA11 MA21 ND01 ND14 ND22 ND23 SA13 5J091 AA01 AA12 AA18 AA63 CA04 CA14 CA36 CA81 FA10 FA17 HA10 HA17 HA25 HA29 KA04 KA05 KA06 KA09 KA12 KA18 KA27 KA28 MA08 MA11 MA21 SA13 UW09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 +側入力信号と−側入力信号の差電圧信
    号を生成する入力回路と、 該入力回路から供給される差電圧信号を入力して、該差
    電圧信号に相当するバイアス電圧を供給すると共に、出
    力電流を帰還して該バイアス電圧をフィードバック制御
    するフィードバック・バイアス回路と、 該バイアス電圧に応じた出力電流を負荷側に供給する出
    力回路と、 該出力電流を検出して該フィードバック・バイアス回路
    に供給する電流検出回路と、 を備え、前記バイアス電圧の電流値を前記差電圧信号が
    無信号のときはゼロに近い値としてAB級増幅を行うこ
    とを特徴とする差動増幅回路。
  2. 【請求項2】 前記入力回路は、+側入力信号がゲート
    端子に入力される第1のトランジスタ(MP2)と、−
    側入力信号がゲート端子に入力される第2のトランジス
    タ(MP1)とを有し、該第1及び第2のトランジスタ
    のソース端子は定電流源トランジスタ(MP3)を介し
    て正電圧源(VDD)と接続され、ドレイン端子が前記フ
    ィードバック・バイアス回路と接続されることを特徴と
    する請求項1に記載の差動増幅回路。
  3. 【請求項3】 前記出力回路は、正電圧源(VDD)と基
    準電圧(GND、VS S)との間に接続された第1の出力ト
    ランジスタ(MP17)と第2の出力トランジスタ(M
    N11)とを有し、該第1及び第2の出力トランジスタ
    のソース端子に対して前記フィードバック・バイアス回
    路から供給されるバイアス電圧が印加されると共に、該
    第1及び第2の出力トランジスタの共通に接続された端
    子を出力端子とすることを特徴とする請求項1又は請求
    項2に記載の差動増幅回路。
  4. 【請求項4】 前記電流検出回路は、前記第1の出力ト
    ランジスタに供給されるバイアス電圧がゲート端子に印
    加され、前記正電圧源の電圧がソース端子に印加される
    第1の電流検出用トランジスタ(MP16)と、前記第
    2の出力トランジスタに供給されるバイアス電圧がゲー
    ト端子に印加され、前記基準電圧の電圧がソース端子に
    印加される第2の電流検出用トランジスタ(MN10)
    とを有することを特徴とする請求項3に記載の差動増幅
    回路。
  5. 【請求項5】 前記電流検出回路は、前記第1の出力ト
    ランジスタに供給されるバイアス電圧がゲート端子に印
    加され、前記正電圧源の電圧がソース端子に印加される
    電流制御トランジスタ(MP12)と、前記第2の出力
    トランジスタに供給されるバイアス電圧がゲート端子に
    印加され、前記基準電圧の電圧がソース端子に印加され
    る第3の電流検出用トランジスタ(MN23)とを有す
    ることを特徴とする請求項3に記載の差動増幅回路。
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