JP2001160563A - 半導体装置のアンダーフィル方法 - Google Patents

半導体装置のアンダーフィル方法

Info

Publication number
JP2001160563A
JP2001160563A JP34287999A JP34287999A JP2001160563A JP 2001160563 A JP2001160563 A JP 2001160563A JP 34287999 A JP34287999 A JP 34287999A JP 34287999 A JP34287999 A JP 34287999A JP 2001160563 A JP2001160563 A JP 2001160563A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
fluid
wiring board
printed wiring
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34287999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3992893B2 (ja
Inventor
Shunji Baba
俊二 馬場
Kenji Koyae
健二 小八重
Hidehiko Kira
秀彦 吉良
Norio Kainuma
則夫 海沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP34287999A priority Critical patent/JP3992893B2/ja
Priority to US09/658,996 priority patent/US6582993B1/en
Publication of JP2001160563A publication Critical patent/JP2001160563A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3992893B2 publication Critical patent/JP3992893B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 できる限り正確にアンダーフィル材の供給量
を制御することができる半導体装置のアンダーフィル方
法を提供する。 【解決手段】 プリント配線基板１１に対する半導体装
置の搭載に先立って、ノズル２１からプリント配線基板
１１の表面に向けて紫外線硬化樹脂の流動体３５を供給
する。所定量の流動体３５が噴き出た時点で、ノズル２
１に形成された透過窓２６から流動体に紫外線を照射す
る。紫外線に曝された流動体では固化反応が引き起こさ
れる。この固化反応によって流動体の粘度は高められ
る。部分的な粘度の高まりによってノズル２１内の流動
体に仕切りが形成される。ノズル２１の先端から噴き出
た流動体３５と仕切りとの間で流動体は比較的に簡単に
途切れることができる。このように流動体の途切れを調
整することができれば、ノズルから噴き出る流動体の供
給量は高い精度で制御されることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
に実装されるフリップチップといった半導体装置とプリ
ント配線基板の表面との間に区画される空間にアンダー
フィル材を充填するアンダーフィル方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板の表面に対する半導体
装置の搭載に先立ってプリント配線基板の表面にアンダ
ーフィル材（例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂）の流
動体を塗布するアンダーフィル方法は従来から知られ
る。半導体装置は、プリント配線基板の表面に盛られた
アンダーフィル材上に搭載される。プリント配線基板の
表面に半導体装置が押し付けられた状態でアンダーフィ
ル材が硬化すると、半導体装置はプリント配線基板の表
面に固定されることができる。このアンダーフィル方法
によれば、半導体装置とプリント配線基板の表面との間
隔が狭められても、半導体装置とプリント配線基板の表
面との間に区画される空間の隅々にまでアンダーフィル
材の流動体は行き渡ることができる。そういった空間は
アンダーフィル材で確実に満たされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうしたアンダーフィ
ル方法では、個々の半導体装置ごとに流動体の塗布量す
なわち供給量が正確に制御される必要がある。流動体の
供給量が多すぎれば、半導体装置の周囲からアンダーフ
ィル材の流動体が溢れ出てしまう。プリント配線基板に
対する後処理に支障を来す。反対に、流動体の供給量が
少なすぎると、半導体装置とプリント配線基板との間で
電気的接続を確立する金属製の接続バンプが完全に包み
込まれなかったり、プリント配線基板の表面で露出する
金属製の配線パターンが完全に覆われなかったりしてし
まう。こういった接続バンプや配線パターンの露出が放
置されると、接続バンプや配線パターンの腐食が進行す
ることが懸念される。
【０００４】その一方で、前述のアンダーフィル方法で
は、個々の半導体装置ごとに順番にアンダーフィル材の
硬化が実施されなければならない。したがって、半導体
装置の実装に多大な時間が費やされてしまう。しかも、
アンダーフィル材の硬化にあたって半導体装置はプリン
ト配線基板の表面に押し付けられなければならない。半
導体装置に対する押し付け力が保持されたままアンダー
フィル材の硬化が達成されることから、こういったアン
ダーフィル方法を実現するアンダーフィル装置の構造は
複雑化しやすい。
【０００５】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、できる限り正確にアンダーフィル材の供給量を制御
することができる半導体装置のアンダーフィル方法を提
供することを目的とする。また、本発明は、そういった
アンダーフィル方法を実現することができる半導体装置
用アンダーフィル装置を提供することを目的とする。さ
らに、本発明は、正確にアンダーフィル材の供給量を制
御するにあたって大いに役立つアンダーフィル材充填シ
リンジやプリント配線基板、アンダーフィル向け前処理
方法を提供することを目的とする。さらにまた、本発明
は、プリント配線基板に対する半導体装置の搭載に先立
ってプリント配線基板の表面にアンダーフィル材を供給
する場合でも、比較的に簡単な構造のアンダーフィル装
置を利用することができるアンダーフィル方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１発明によれば、プリント配線基板の表面に対す
る半導体装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配
線基板の表面に向けて反応性硬化樹脂の流動体を供給す
る工程と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズル内
で流動体の粘度を高める工程とを備えることを特徴とす
る半導体装置のアンダーフィル方法が提供される。
【０００７】かかるアンダーフィル方法では、ノズル内
で流動体の粘度が高められると、こうした部分的な粘度
の高まりによってノズル内の流動体に仕切りが形成され
る。ノズルの先端から噴き出た流動体と仕切りとの間で
流動体は比較的に簡単に途切れることができる。このよ
うに流動体の途切れを調整することができれば、ノズル
から噴き出る流動体の供給量は比較的に高い精度で制御
されることが可能となる。ここで、反応性硬化樹脂に
は、光線に曝されると硬化する光硬化樹脂や、熱に曝さ
れると硬化する熱硬化樹脂、その他の反応に基づき硬化
する樹脂が含まれることができる。
【０００８】また、第２発明によれば、プリント配線基
板の表面に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズル
からプリント配線基板の表面に向けて光硬化樹脂の流動
体を供給する工程と、所定量の流動体が噴き出た時点
で、ノズルに形成された透過窓から流動体に光線を照射
する工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアン
ダーフィル方法が提供される。
【０００９】かかるアンダーフィル方法では、透過窓か
ら流動体に光線が照射されると、光線に曝される流動体
では固化反応が引き起こされる。この固化反応によって
流動体の粘度は高められる。こうしてノズル内で流動体
の粘度が高められると、第１発明と同様に、部分的な粘
度の高まりによってノズル内の流動体に仕切りが形成さ
れる。ノズルの先端から噴き出た流動体と仕切りとの間
で流動体は比較的に簡単に途切れることができる。この
ように流動体の途切れを調整することができれば、ノズ
ルから噴き出る流動体の供給量は高い精度で制御される
ことが可能となる。ここで、光硬化樹脂には、例えば紫
外線に曝されると硬化する紫外線硬化樹脂や、紫外線の
みならず熱に曝されると硬化する紫外線硬化樹脂が用い
られることができる。
【００１０】こうしたアンダーフィル方法を実現するに
あたっては、例えば、光不透過性のノズルと、ノズルの
基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光
不透過性の収容体と、ノズルに形成される透過窓とを備
えるアンダーフィル材充填シリンジが用いられればよ
い。こうしたアンダーフィル材充填シリンジでは、例え
ば収容体に加えられる圧力に応じてノズルから光硬化樹
脂の流動体は噴き出ることができる。透過窓に向けて光
線が照射されると、前述のように光硬化樹脂の粘度は高
められることができる。
【００１１】また、こうしたアンダーフィル材充填シリ
ンジに代えて、一般のアンダーフィル材充填シリンジが
用いられてもよい。このアンダーフィル材充填シリンジ
は、周知の通り、光不透過性のノズルと、ノズルの基端
に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透
過性の収容体とを備える。ただし、ノズルの先端には筒
型のアタッチメントが接続される。このアタッチメント
には前述のように透過窓が形成される。ノズルから噴き
出る光硬化樹脂の流動体はアタッチメント内を通過して
アタッチメントの先端から噴き出る。アタッチメントに
形成された透過窓に光線が照射されると、アタッチメン
ト内では前述のように光硬化樹脂の粘度は高められるこ
とができる。こうしたアタッチメントによれば、アンダ
ーフィル材充填シリンジの構造の変更を伴わずに所望通
りに流動体の粘度は高められることが可能となる。
【００１２】こういったアンダーフィル材充填シリンジ
を使用するにあたって、例えば半導体装置用アンダーフ
ィル装置は、加工テーブルと、加工テーブルに向き合う
支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、噴き出し位置
に向かう支持ヘッドの移動を引き起こす位置決め機構
と、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力
を供給するディスペンサと、噴き出し位置の支持ヘッド
および加工テーブルの間に規定される照射域に向かって
光線を照射する光源とを備えればよい。前述のアンダー
フィル材充填シリンジは支持ヘッドに装着される。光硬
化樹脂の流動体は、ディスペンサから支持ヘッドに供給
される圧力の働きを借りてノズルから噴き出ることがで
きる。ノズル内で流動体の粘度を高めるにあたっては、
照射域に透過窓が位置決めされればよい。こういった位
置決めには位置決め機構の働きが利用されればよい。
【００１３】こういった半導体装置用アンダーフィル装
置は、さらに、前記加工テーブルに向かう前記光線を遮
るマスク部材を備えることが望ましい。こうして光線が
遮られれば、ノズルの先端から噴き出た光硬化樹脂が即
座に固まってしまうことは確実に回避されることができ
る。
【００１４】さらに、第３発明によれば、プリント配線
基板に形成されたアンダーフィル材投入孔を覆う半導体
装置をプリント配線基板の下向き面に保持しつつ、プリ
ント配線基板の下向き面に光線を照射する工程と、光線
の照射中に、プリント配線基板の上向き面側からアンダ
ーフィル材投入孔に光硬化樹脂の流動体を供給する工程
とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィ
ル方法が提供される。
【００１５】かかるアンダーフィル方法によれば、アン
ダーフィル材投入孔に供給された光硬化樹脂の流動体は
半導体装置に受け止められる。流動体は、半導体装置と
プリント配線基板の下向き面との間で広がっていく。こ
のとき、半導体装置の周囲では、溢れ出た光硬化樹脂の
流動体は硬化する。流動体の流れは、硬化した光硬化樹
脂によって堰き止められる。流動体の広がりは制限され
る。光硬化樹脂の流動体が必要以上に広がることは回避
されることができる。
【００１６】こうしたアンダーフィル方法を実現するに
あたって、半導体装置用アンダーフィル装置は、例え
ば、噴き出し位置に位置決めされる支持ヘッドと、支持
ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力を供給す
るディスペンサと、噴き出し位置に位置決めされた支持
ヘッドの下方に配置されて、上方に向かって光線を照射
する光源とを備えればよい。支持ヘッドには前述のアン
ダーフィル材充填シリンジが装着されればよい。このア
ンダーフィル材充填シリンジは、従来と同様に、光不透
過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹
脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体とを備えれ
ばよい。
【００１７】さらにまた、第４発明によれば、基板本体
の表面でアンダーフィル材の塗布予定域に配置される導
電性入出力パッドと、アンダーフィル材の塗布予定域に
規定される導電性入出力パッドの過密域で基板本体に穿
たれる過密側アンダーフィル材投入孔と、アンダーフィ
ル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッドの過
疎域で基板本体に穿たれ、過密側アンダーフィル材投入
孔に比べて大きく形成される過疎側アンダーフィル材投
入孔とを備えることを特徴とするプリント配線基板が提
供される。
【００１８】一般に、プリント配線基板に半導体装置が
実装される場面では、半導体装置の導電性の接続バンプ
はプリント配線基板上の入出力パッドに受け止められ
る。言い換えれば、入出力パッドの密集度に応じて接続
バンプの密集度は必然的に決定されることができる。過
密域のように、入出力パッドすなわち接続バンプが密集
して配置されると、たとえプリント配線基板の表面と半
導体装置との間隔が狭くても、接続バンプを伝ってアン
ダーフィル材の流動体は広がりやすい。その一方で、過
疎域のように、接続バンプが疎らに配置されても、接続
バンプの配置に応じて拡大された過疎側アンダーフィル
材投入孔が形成されれば、接続バンプの助けを借りずと
もアンダーフィル材の流動体は容易に半導体装置とプリ
ント配線基板の表面との間で広がっていくことができ
る。こういった過密側アンダーフィル材投入孔および過
疎側アンダーフィル材投入孔は一体に形成されてもよ
い。
【００１９】さらにまた、第５発明によれば、プリント
配線基板の表面に規定されるアンダーフィル材の塗布予
定域にプラズマ照射を施すことを特徴とするアンダーフ
ィル向け前処理方法が提供される。
【００２０】プラズマ照射によれば、プリント配線基板
の表面に付着した汚れが払い除けられ、プリント配線基
板の濡れ性は高められることができる。このように濡れ
性が高められれば、アンダーフィル材の流動体は容易に
プリント配線基板の表面に沿って広がっていくことが可
能となる。しかも、塗布予定域の周囲で、流動体の表面
張力に比較して大きな表面力が確保されれば、流動体が
塗布予定域を超えて広がることは確実に回避されること
が可能となる。
【００２１】さらにまた、第６発明によれば、プリント
配線基板の表面に反応性硬化樹脂の流動体を供給する工
程と、反応性硬化樹脂の流動体が供給されたプリント配
線基板の表面に半導体装置を搭載する工程と、搭載され
た半導体装置に超音波ヘッドを接触させる工程と、反応
性硬化樹脂の流動体を硬化させる工程とを備えることを
特徴とする半導体装置の実装方法が提供される。
【００２２】かかる実装方法によれば、プリント配線基
板上に設置された半導体装置には超音波ヘッドから超音
波振動が伝達される。その結果、半導体装置は、微細な
振幅で高速にプリント配線基板の表面に沿って横揺れす
る。こうした半導体装置の横揺れは、プリント配線基板
上の入出力パッドと半導体装置側の導電性バンプとの間
に摩擦を引き起こす。摩擦熱の働きで導電性バンプと入
出力パッドとの間には接合が確立される。こうしてプリ
ント配線基板上に半導体装置は固定されることができ
る。こうしてプリント配線基板上に全ての半導体装置が
固定された後に一括で反応性硬化樹脂を硬化させること
ができれば、半導体装置の実装に費やされる処理時間は
短縮化されることができる。しかも、こうした実装方法
によれば、反応性硬化樹脂を硬化させるにあたって半導
体装置に押し付け力を加え続ける必要はなく、比較的に
簡単な構造で半導体装置向け実装装置は構成されること
が可能となる。ここで、反応性硬化樹脂には、光線に曝
されると硬化する光硬化樹脂や、熱に曝されると硬化す
る熱硬化樹脂、その他の反応に基づき硬化する樹脂が含
まれることができる。
【００２３】こうした半導体装置の実装方法では、前記
超音波ヘッドを接触させるにあたって、前記半導体装置
と超音波ヘッドとの間に薄膜フィルムが配置されること
が望ましい。前述のように半導体装置に対して超音波ヘ
ッドが接触すると、薄膜フィルムは半導体装置と超音波
ヘッドとの間に挟み込まれる。したがって、半導体装置
の周囲から溢れ出る反応性硬化樹脂の流動体は薄膜フィ
ルムに付着する。超音波ヘッドに対する反応性硬化樹脂
の付着は確実に阻止されることができる。その結果、半
導体装置に対して超音波ヘッドは確実に大きな接触面積
で接触することができる。半導体装置に対する超音波振
動の伝達は確実に確立され続けることができる。
【００２４】こうした薄膜フィルムを用いることに代え
て、半導体装置の外周にフランジが形成されてもよい。
こういったフランジはプリント配線基板の表面に段差面
を向き合わせる。こうした半導体装置によれば、溢れ出
た反応性硬化樹脂の流動体はフランジの段差面に受け止
められる。流動体がフランジを回り込んで超音波ヘッド
に到達することは極力回避されることができる。その結
果、前述と同様に、超音波ヘッドに対する反応性硬化樹
脂の付着は確実に阻止されることができる。
【００２５】こうした半導体装置を形成するにあたっ
て、半導体装置の切り分け方法は、ウェハーから半導体
装置を切り出すにあたって、ウェハーに第１溝幅の刻み
目を入れる工程と、第１溝幅よりも小さい第２溝幅の切
り込みで刻み目に沿って半導体装置を切り離す工程を備
えればよい。こうした切り分け方法によれば、比較的に
簡単に半導体装置の外周にフランジを形成することがで
きる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ本発
明の一実施形態を説明する。
【００２７】図１は本発明の第１実施形態に係る半導体
装置用アンダーフィル装置の全体構成を概略的に示す。
このアンダーフィル装置１０は、例えば水平面でプリン
ト配線基板１１を受け止める加工テーブル１２と、この
加工テーブル１２に向き合い、加工テーブル１２に設定
される三次元座標系上で移動する支持ヘッド１３とを備
える。三次元座標系は、例えば加工テーブル１２の水平
面に沿って規定されるｘ座標軸およびｙ座標軸と、加工
テーブル１２の水平面に直交するｚ座標軸とによって規
定されればよい。こうした三次元座標系に基づく支持ヘ
ッド１３の動きは例えば位置決め機構１４の働きを借り
て達成される。位置決め機構１４は、例えばｘ座標軸、
ｙ座標軸およびｚ座標軸に沿って支持ヘッド１３を案内
する案内機構の組み合わせによって実現されることがで
きる。
【００２８】支持ヘッド１３には、例えば紫外線硬化樹
脂といったアンダーフィル材の流動体が充填されたアン
ダーフィル材充填シリンジ１５が着脱自在に装着され
る。このアンダーフィル材充填シリンジ１５には、例え
ば支持ヘッド１３に連結されるディスペンサ１６から圧
力すなわち空気圧が供給される。アンダーフィル材充填
シリンジ１５に空気圧が供給されると、後述されるよう
に、シリンジ１５に充填された紫外線硬化樹脂の流動体
はシリンジ１５から加工テーブル１２に向かって吐き出
される。紫外線硬化樹脂には、紫外線の働きで固化反応
が引き起こされるものや、紫外線だけでなく熱の働きで
固化反応が引き起こされるものが含まれてもよい。
【００２９】図１に示されるように、アンダーフィル材
充填シリンジ１５には紫外線照射装置１７が接続され
る。この紫外線照射装置１７はアンダーフィル材充填シ
リンジ１５に向けて光源１８から紫外線を照射する。光
源１８は、図１から明らかなように、マスク部材１９に
よってアンダーフィル材充填シリンジ１５に固定されて
もよい。こうしたマスク部材１９は、光源１８から加工
テーブル１２に向かって照射される紫外線を遮る。した
がって、マスク部材１９によれば、光源１８から照射さ
れる紫外線が加工テーブル１２上のプリント配線基板１
１に行き着くことはない。しかも、こうして光源１８が
アンダーフィル材充填シリンジ１５に一体化されれば、
アンダーフィル材充填シリンジ１５に追随する光源１８
の移動を実現するにあたって光源１８に固有の位置決め
機構を設ける必要はない。ただし、光源１８はアンダー
フィル材充填シリンジ１５に一体化される必要は必ずし
もなく、アンダーフィル材充填シリンジ１５と光源１８
とに個別に位置決め機構が設けられてもよい。位置決め
機構１４やディスペンサ１６、紫外線照射装置１７の働
きは例えばコントローラ２１によって制御される。
【００３０】アンダーフィル材充填シリンジ１５は、例
えば図２に示されるように、光不透過性のノズル２１
と、このノズル２１の基端に一体に形成されて、紫外線
硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体２２
とを備える。収容体２２にはピストン２３が配置され
る。ピストン２３によれば、収容体２２の内部空間は、
ディスペンサ１６に通じる圧力室２４と、ノズル２１に
通じる樹脂室２５とに区分けされる。樹脂室２５には紫
外線硬化樹脂の流動体が蓄えられる。ディスペンサ１６
から気圧室２４に空気圧が導入されると、ピストン２３
はノズル２１に向かって前進する。その結果、樹脂室２
５に蓄えられた紫外線硬化樹脂の流動体はノズル２１の
先端から加工テーブル１２に向かって押し出される。
【００３１】ノズル２１には透過窓２６が形成される。
この透過窓２６には例えば透明なガラスや合成樹脂板が
はめ込まれる。こうした透過窓２６によれば、ノズル２
１を通過する紫外線硬化樹脂の流動体は、紫外線照射装
置１７の光源１８から照射される紫外線に曝されること
ができる。ただし、例えば図３に示されるように、透過
窓２６は、ノズル２１に形成される必要は必ずしもな
く、ノズル２１の先端に接続される筒型のアタッチメン
ト２７に形成されてもよい。
【００３２】ここで、以上のような半導体装置用アンダ
ーフィル装置１０によって実現されるアンダーフィル方
法を詳述する。いま、例えば図４に示されるように、輪
郭（周辺）に沿って球状の金バンプ３１が配置される半
導体装置（例えばフリップチップ）３２がプリント配線
基板１１上に実装される場面を想定する。プリント配線
基板１１には、金バンプ３１の配置に対応して導電性の
入出力パッド３３が形成される。こうした入出力パッド
３３の配置によれば、プリント配線基板１１の表面で
は、入出力パッド３３に囲まれた無パッド領域３４が区
画されることができる。
【００３３】加工テーブル１２にプリント配線基板１１
が設置されると、支持ヘッド１３すなわちアンダーフィ
ル材充填シリンジ１５は、例えば図５（ａ）に示される
ように、プリント配線基板１１に対して位置決めされ
る。この位置決めにあたってコントローラ２０は位置決
め機構１４に向けて駆動指令を供給する。駆動指令に
は、例えば加工テーブル１２に設定される三次元座標系
に従って指定されるｘ座標値やｙ座標値が含まれればよ
い。こうしてｘ座標値およびｙ座標値で特定される待機
位置にアンダーフィル材充填シリンジ１５が位置決めさ
れると、ノズル２１の先端は無パッド領域３４の中央に
向き合わせられる。ノズル２１は、プリント配線基板１
１の表面に直交する姿勢に維持される。
【００３４】続いてアンダーフィル材充填シリンジ１５
は、図５（ｂ）に示されるように、噴き出し位置まで下
降する。この下降にあたってコントローラ２０は位置決
め機構１４に向けて駆動指令を供給する。この駆動指令
では、前述の三次元座標系に従ってｚ座標値が指定され
ればよい。ノズル２１は、プリント配線基板１１の表面
に直交する姿勢に維持され続ける。
【００３５】アンダーフィル材充填シリンジ１５が噴き
出し位置に到達した時点で、コントローラ２０はディス
ペンサ１６に空気圧の供給を指示する。ディスペンサ１
６は、予め決められた圧力値の空気圧をアンダーフィル
材充填シリンジ１５に向けて送り出す。アンダーフィル
材充填シリンジ１５では、気圧室２４に導入される空気
圧に応じてピストン２３が前進する（例えば図２参
照）。その結果、ノズル２１の先端から紫外線硬化樹脂
の流動体３５は噴き出る。
【００３６】ノズル２１から噴き出た紫外線硬化樹脂の
流動体３５はプリント配線基板１１の無パッド領域３４
に受け止められる。このとき、流動体３５の供給量は無
パッド領域３４の広さに応じて予め決定される。すなわ
ち、流動体３５の広がりは、入出力パッド３３に囲まれ
る無パッド領域３４内に止められる。その結果、紫外線
硬化樹脂の流動体３５が入出力パッド３３に覆い被さる
ことは阻止される。流動体３５の供給量は例えば圧力値
の大きさと空気圧の供給時間とによって調整されればよ
い。
【００３７】空気圧の供給が終了すると、コントローラ
２０は紫外線照射装置１７に紫外線の照射を指示する。
紫外線照射装置１７は、図５（ｃ）に示されるように、
光源１８からアンダーフィル材充填シリンジ１５に向け
て紫外線を照射する。アンダーフィル材充填シリンジ１
５では、透過窓２６からノズル２１の内部に紫外線が射
し込む。
【００３８】紫外線の照射が終了すると、アンダーフィ
ル材充填シリンジ１５は、図５（ｄ）に示されるよう
に、再び待機位置まで上昇する。この上昇にあたってコ
ントローラ２０は位置決め機構１４に向けて駆動指令を
供給する。この駆動指令では、前述と同様に、三次元座
標系に従ってｚ座標値が指定されればよい。アンダーフ
ィル材充填シリンジ１５が上昇すると、ノズル２１の先
端は、噴き出た紫外線硬化樹脂の流動体３５から引き離
される。こうして半導体装置３２の搭載に先立って、ノ
ズル２１からプリント配線基板１１の表面に向けて流動
体３５の供給は実現される。
【００３９】流動体３５の供給が完了すると、図６
（ａ）に示されるように、プリント配線基板１１の表面
には半導体装置３２が搭載される。半導体装置３２の金
バンプ３１は真っ先にプリント配線基板１１上の入出力
パッド３３に受け止められる。続いて半導体装置３２に
は、プリント配線基板１１の表面に直交する方向に押し
付け力が加えられる。半導体装置３２はプリント配線基
板１１の表面に対して押し付けられる。金バンプ３１は
押し潰される。金バンプ３１が押し潰されるにつれて、
半導体装置３２とプリント配線基板１１との間隔は狭め
られる。こうして間隔が狭められると、半導体装置３２
とプリント配線基板１１の表面との間では、挟み込まれ
た紫外線硬化樹脂の流動体３６は半導体装置３２の外周
に向かって押し出される。その結果、図６（ｂ）に示さ
れるように、入出力パッド３３に受け止められた金バン
プ３１の周囲に紫外線硬化樹脂の流動体３６は行き渡
る。入出力パッド３３上では金バンプ３１は紫外線硬化
樹脂の流動体３６に完全に埋もれる。
【００４０】その後、押し付け力の解放に先立って、プ
リント配線基板１１上の紫外線硬化樹脂に向けて紫外線
が照射される。紫外線硬化樹脂が完全に硬化すると、半
導体装置３２はプリント配線基板１１の表面に強固に固
定される。半導体装置３２とプリント配線基板１１との
間には金バンプ３１および入出力パッド３３の働きによ
って確実に電気的接続は確立される。こうして半導体装
置３２の実装は完了する。
【００４１】前述のように紫外線が照射されると、ノズ
ル２１では、例えば図７（ａ）に示されるように、紫外
線の照射域３７で流動体の固化反応が引き起こされる。
この固化反応によって照射域３７では流動体の粘度は高
められる。こうした部分的な粘度の高まりによって、ノ
ズル２１内の流動体には仕切り域３８が形成される。こ
の仕切り域３８によれば、ノズル２１内の流動体は、プ
リント配線基板１１の表面に向かって噴き出た流動体３
５に連なる先端流動域３９と、収容体２５に蓄えられた
流動体に連なる残留流動域４０とに分断される。
【００４２】その後、アンダーフィル材充填シリンジ１
５が上昇すると、図７（ｂ）に示されるように、流動体
の先端流動域３９は、噴き出た流動体３６との連続性を
維持する。したがって、先端流動域３９はノズル２１か
ら引っ張り出される。その一方で、仕切り域３８は確実
にノズル２１内に残留する。その結果、ノズル２１内の
流動体は先端流動域３９と仕切り域３８との境界で確実
に途切れる。こうして流動体が常に同一の位置で途切れ
れば、正確な供給量で流動体はノズル２１から噴き出る
ことが可能となる。その一方で、粘度の高まりに応じて
仕切り域３８が形成されない場合には、流動体の供給量
に微妙なばらつきが生じることが確認された。こうした
ばらつきによれば、流動体の供給量が多すぎて半導体装
置３２の周囲から過度にアンダーフィル材の流動体が溢
れ出たり、流動体の供給量が少なすぎて金バンプ３１や
配線パターンが完全に覆われなかったりしてしまう。
【００４３】仕切り域３８に対する先端流動域３９の確
実な途切れを実現するには、仕切り域３８の粘度は先端
流動域３９の粘度すなわち紫外線の照射以前の粘度（＝
３０００ｃｐｓ〜６０００ｃｐｓ程度）の１．５倍程度
以上に設定されればよい。ただし、粘度が高すぎると、
流動体の流動性が完全に失われてしまい、その後の流動
体の供給に支障を来してしまう。したがって、粘度の設
定にあたっては、こういった流動性が考慮されなければ
ならない。仕切り域３８の粘度は紫外線の照射時間に基
づき制御されればよい。
【００４４】なお、以上のようなアンダーフィル方法で
は、光源１８の点滅によって紫外線の照射量が決定され
てもよく、例えば透過窓２６を開閉するシャッタ（図示
せず）を用いて紫外線の照射量が決定されてもよい。
【００４５】図８は、紫外線硬化樹脂の流動体３５が盛
られたプリント配線基板１１に半導体装置３２を固定す
る実装装置４２を概略的に示す。この実装装置４２は、
例えば水平面でプリント配線基板１１を受け止める加工
テーブル４３と、この加工テーブル４３に向き合う超音
波ヘッド４４とを備える。超音波ヘッド４４は、前述と
同様に位置決め機構４５の働きを借りて加工テーブル４
３に対して位置決めされることができる。
【００４６】超音波ヘッド４４には超音波振動装置４６
と減圧装置４７とが接続される。超音波振動装置４６で
生成される超音波振動は振動子４８から超音波ヘッド４
４に伝達される。その結果、超音波ヘッド４４は、例え
ば２μｍといった微細な振幅で水平方向に高速に横揺れ
することができる。減圧装置４６は、超音波ヘッド４４
に形成される減圧路４９から例えば空気を吸引する。
【００４７】超音波ヘッド４４と加工テーブル４３との
間にはフィルム供給装置５１が配置される。このフィル
ム供給装置５１は、従ロール５２に巻き付けられた薄膜
フィルムテープ５３を巻き上げる駆動ロール５４を備え
る。駆動ロール５４が回転すると、薄膜フィルムテープ
５３は、超音波ヘッド４４と加工テーブル４３との間に
形成される空間を横切ることができる。薄膜フィルムテ
ープ５３は例えばテフロン樹脂やポリイミド樹脂から形
成されればよい。位置決め機構４５や超音波振動装置４
６、減圧装置４７、フィルム供給装置５１の働きは例え
ばコントローラ５５によって制御される。
【００４８】ここで、以上のような実装装置４２によっ
て実現される半導体装置の実装方法を詳述する。いま、
例えば図８に示されるように、紫外線硬化樹脂の流動体
３５が盛られたプリント配線基板１１に半導体装置３２
が搭載された場面を想定する。まず、超音波ヘッド４４
は半導体装置３２に対して位置決めされる。その後、例
えば図９に示されるように、超音波ヘッド４４は下降す
る。超音波ヘッド４４の先端は半導体装置３２に接触す
る。こうした超音波ヘッド４４の位置決めや下降にあた
ってコントローラ５５は位置決め機構４５に向けて駆動
指令を供給する。
【００４９】続いてコントローラ５５は減圧装置４７に
空気の吸引を指示する。減圧路４９から空気が吸引され
ると、減圧路４９の圧力は減少する。その結果、半導体
装置３２は超音波ヘッド４４の先端に吸着される。こう
いった吸着を確立するにあたって、薄膜フィルムテープ
５３には、半導体装置３２と減圧路４９の先端とを接触
させる貫通孔（図示せず）が予め形成される。
【００５０】こうして超音波ヘッド４４に半導体装置３
２が固定されると、コントローラ５５は超音波振動装置
４６に超音波振動の生成を指示する。生成された超音波
振動は振動子４８から超音波ヘッド４４に伝達される。
超音波ヘッド４４は微細な振幅で高速に横揺れする。超
音波ヘッド４４の横揺れは確実に半導体装置３２に伝達
される。こうした半導体装置３２の横揺れは、プリント
配線基板１１上の入出力パッド３３と半導体装置３２側
の金バンプ３１との間に摩擦を引き起こす。摩擦熱の働
きで金バンプ３１と入出力パッド３３との間には接合が
確立される。プリント配線基板１１上に半導体装置３２
は固定される。
【００５１】接合が確立されると、超音波振動装置４６
の動作は停止する。続いて減圧装置４７の作動が停止す
ると、減圧路４９の圧力は上昇する。超音波ヘッド４４
に対する半導体装置３２の吸着は解除される。位置決め
機構４５の働きを借りて超音波ヘッド４４は再び上昇す
る。こうした超音波振動装置４６、減圧装置４７および
位置決め機構４５の動作は、コントローラ５５から出力
される指令に基づき実施される。
【００５２】その後、紫外線硬化樹脂の流動体３５には
紫外線が照射される。紫外線硬化樹脂が完全に硬化する
と、半導体装置３２の実装は完了する。紫外線硬化樹脂
の硬化は、プリント配線基板１１の表面に個々の半導体
装置３２が搭載されるたびに実施されてもよく、プリン
ト配線基板１１の表面に複数個の半導体装置３２が搭載
された後に実施されてもよい。ただし、全ての半導体装
置３２が搭載された後に紫外線硬化樹脂の硬化が実施さ
れれば、作業工程の短縮化や簡略化に大いに役立つこと
ができる。
【００５３】以上のような実装方法では、半導体装置３
２に対する超音波ヘッド４４の接触時に半導体装置３２
と超音波ヘッド４４との間に薄膜フィルムテープ５３が
挟み込まれる。したがって、例えば図９から明らかなよ
うに、半導体装置３２の周囲から溢れ出た紫外線硬化樹
脂の流動体３５は薄膜フィルムテープ５３に付着する。
超音波ヘッド４４に対する紫外線硬化樹脂の付着は確実
に阻止されることができる。超音波ヘッド４４は、常
に、大きな接触面積で半導体装置３２に接触し続けるこ
とができる。したがって、半導体装置３２に対する超音
波振動の伝達や吸着は確実に維持され続けることができ
る。超音波ヘッド４４の先端に紫外線硬化樹脂の流動体
が付着してしまうと、超音波ヘッド４４に対して半導体
装置３２が吸着されなかったり、超音波ヘッド４４の振
動が半導体装置３２に伝達されなかったりすることがあ
る。
【００５４】紫外線硬化樹脂の流動体が付着した薄膜フ
ィルムテープ５３は駆動ロール５４によって巻き取られ
る。半導体装置３２に超音波ヘッド４４が接触するたび
に駆動ロール５４の巻き上げが実施されれば、半導体装
置３２と超音波ヘッド４４との間には、従ロール５２か
ら巻き解かれた新しい薄膜フィルムテープ５３が常に配
置されることができる。薄膜フィルムテープ５３に付着
した紫外線硬化樹脂は駆動ロール５４に確実に回収され
ることができる。
【００５５】超音波ヘッド４４に対する紫外線硬化樹脂
の付着を防止するにあたっては、例えば図１０に示され
るように、半導体装置５７の外周にフランジ５８が形成
されてもよい。こうしたフランジ５８によって規定され
る段差面５９はプリント配線基板１１の表面に向き合わ
せられる。こうした半導体装置５７によれば、図１０か
ら明らかなように、溢れ出た紫外線硬化樹脂の流動体３
５はフランジ５８の段差面５９に受け止められる。流動
体３５がフランジ５８を回り込んで超音波ヘッド４４に
到達することは極力回避されることができる。その結
果、前述と同様に、超音波ヘッド４４に対する紫外線硬
化樹脂の付着は確実に阻止されることができる。
【００５６】ここで、以上のような半導体装置５７の形
成方法を簡単に説明する。まず、図１１（ａ）に示され
るように、ウェハー６１から個々の半導体装置５７を切
り出すにあたって、ウェハー６１の表面に第１溝幅Ｗ１
の刻み目６２を入れる。こうした刻み目６２の形成に
は、例えば第１溝幅Ｗ１に対応する第１厚みのカットソ
ー６３が用いられればよい。続いて、図１１（ｂ）に示
されるように、形成された刻み目６２に沿って個々の半
導体装置５７を切り離す。この切り離しにあたって、刻
み目６２には、第１溝幅Ｗ１よりも小さい第２溝幅Ｗ２
の切り込み６４が入れられる。こうした切り込み６４に
は、例えば第２溝幅Ｗ２に対応する第２厚みのカットソ
ー６５が用いられればよい。刻み目６２の中心線に沿っ
て切り込み６４が入れられれば、刻み目６２を挟んで配
列される１対の半導体装置５７に各々段差面５９が形成
されることができる。
【００５７】なお、このように超音波ヘッド４４を用い
た半導体装置３２、５７の実装方法では、前述のような
紫外線硬化樹脂がアンダーフィル材に用いられることが
できるだけでなく、熱硬化樹脂やその他の反応性硬化樹
脂がアンダーフィル材に用いられてもよい。
【００５８】図１２は本発明の第２実施形態に係る半導
体装置用アンダーフィル装置の全体構成を概略的に示
す。このアンダーフィル装置７１は、例えば水平面でプ
リント配線基板７２を受け止める加工テーブル７３と、
この加工テーブル７３に向き合い、加工テーブル７３に
設定される三次元座標系上で移動する支持ヘッド７４と
を備える。加工テーブル７３には紫外線照射装置７５の
光源７６が埋め込まれる。この紫外線照射装置７５の光
源７６は上方に向かって紫外線を照射する。
【００５９】三次元座標系は、例えば加工テーブル７３
の水平面に沿って規定されるｘ座標軸およびｙ座標軸
と、加工テーブル７３の水平面に直交するｚ座標軸とに
よって規定されればよい。こうした三次元座標系に基づ
く支持ヘッド７４の動きは例えば位置決め機構７７の働
きを借りて達成される。位置決め機構７７は、例えばｘ
座標軸、ｙ座標軸およびｚ座標軸に沿って支持ヘッド７
４を案内する案内機構の組み合わせによって実現される
ことができる。
【００６０】支持ヘッド７４には、例えば紫外線硬化樹
脂といったアンダーフィル材の流動体が充填されたアン
ダーフィル材充填シリンジ７８が着脱自在に装着され
る。このアンダーフィル材充填シリンジ７８には、例え
ば支持ヘッド７４に連結されるディスペンサ７９から圧
力すなわち空気圧が供給される。アンダーフィル材充填
シリンジ７８に空気圧が供給されると、前述と同様に、
シリンジ７８に充填された紫外線硬化樹脂の流動体はシ
リンジ７８から加工テーブル７３に向かって吐き出され
る。紫外線硬化樹脂には、紫外線の働きで固化反応が引
き起こされるものや、紫外線だけでなく熱の働きで固化
反応が引き起こされるものが含まれてもよい。位置決め
機構７７やディスペンサ７９、紫外線照射装置７５の働
きは例えばコントローラ８０によって制御される。
【００６１】ここで、以上のような半導体装置用アンダ
ーフィル装置７１で実現されるアンダーフィル方法を詳
述する。このアンダーフィル方法を実施するにあたっ
て、プリント配線基板７２には予め半導体装置８２が固
着される。こうした半導体装置８２の固着には、例えば
図１３に示されるように、プリント配線基板７２上の入
出力パッド８３に半田付けされる半田バンプや、前述の
ように入出力パッド８３に超音波振動で接合される金バ
ンプといった導電性の接続バンプ８４が用いられれれば
よい。こういった接続バンプ８４は、前述と同様に、例
えば半導体装置８２の輪郭（周辺）に沿って配置されれ
ばよい。
【００６２】接続バンプ８４に囲まれつつ半導体装置８
２とプリント配線基板７２との間に区画される空間に
は、プリント配線基板７２に形成されたアンダーフィル
材投入孔８５が接続される。加工テーブル７３にプリン
ト配線基板７２が設置されると、図１３から明らかなよ
うに、半導体装置８２は、アンダーフィル材投入孔８５
と紫外線照射装置７５の光源７６との間に配置される。
すなわち、半導体装置８２は、プリント配線基板７２の
下向き面でアンダーフィル材投入孔８５を覆う。
【００６３】続いて支持ヘッド７４すなわちアンダーフ
ィル材充填シリンジ７８は、プリント配線基板７２に対
して位置決めされつつ下降する。前述と同様に、位置決
めや下降にあたってコントローラ８０は位置決め機構７
７に駆動指令を供給する。こうしてアンダーフィル材充
填シリンジ７８が噴き出し位置に到達すると、アンダー
フィル材充填シリンジ７８の先端すなわちノズル８６は
アンダーフィル材投入孔８５に進入する。
【００６４】アンダーフィル材充填シリンジ７８が噴き
出し位置に到達した時点で、コントローラ８０はディス
ペンサ７９に空気圧の供給を指示する。ディスペンサ７
９は、予め決められた圧力値の空気圧をアンダーフィル
材充填シリンジ７８に向けて送り出す。その結果、前述
と同様に、ノズル８６の先端から紫外線硬化樹脂の流動
体８８は噴き出る。紫外線硬化樹脂の流動体８８は、プ
リント配線基板７２の上向き面側からアンダーフィル材
投入孔８５に供給される。供給された紫外線硬化樹脂の
流動体８８は半導体装置８２に受け止められる。半導体
装置８２とプリント配線基板７２の表面との間に区画さ
れる空間は紫外線硬化樹脂の流動体８８で満たされてい
く。
【００６５】ノズル８６から紫外線硬化樹脂の流動体８
８が注ぎ込まれる間、コントローラ８０は紫外線照射装
置７５に紫外線の照射を指示する。プリント配線基板７
２の下向き面には光源７６から紫外線が照射される。そ
の結果、半導体装置８２の周囲では、溢れ出た紫外線硬
化樹脂の流動体は硬化する。流動体８８の流れは硬化し
た紫外線硬化樹脂によって堰き止められる。したがっ
て、流動体の広がりは制限される。紫外線硬化樹脂の流
動体が必要以上に広がることは回避されることができ
る。
【００６６】空気圧の供給が終了すると、アンダーフィ
ル材充填シリンジ７８は再び上昇する。前述と同様に、
この上昇にあたってコントローラ８０は位置決め機構７
７に向けて駆動指令を供給する。その後、紫外線の照射
が継続されると、紫外線硬化樹脂の流動体８８は完全に
硬化する。半導体装置８２の実装は完了する。
【００６７】以上のようなアンダーフィル方法を実施す
るにあたって、プリント配線基板７２に形成されるアン
ダーフィル材投入孔８５は、例えば図１４に示されるよ
うに、過密側アンダーフィル材投入孔９１と過疎側アン
ダーフィル材投入孔９２とで構成されてもよい。すなわ
ち、このプリント配線基板７２では、基板本体９３の表
面でアンダーフィル材の塗布予定域９４に複数個の入出
力パッド９５は配置される。この塗布予定域９４内で
は、任意の基準に基づき入出力パッド９５の過密域９６
と過疎域９７とが区画されることができる。過密側アン
ダーフィル材投入孔９１は過密域９６に配置される一方
で、過疎側アンダーフィル材投入孔９２は過疎域９７に
配置される。過疎側アンダーフィル材投入孔９２は、図
１４から明らかなように、過密側アンダーフィル材投入
孔９１に比べて大きく形成される。しかも、過疎側アン
ダーフィル材投入孔９２は過密側アンダーフィル材投入
孔９１に一体に形成される。塗布予定域９４は、プリン
ト配線基板７２に実装される半導体装置の輪郭形状の基
づき規定されればよい。
【００６８】こうしたプリント配線基板７２に半導体装
置が実装される場面では、半導体装置の導電性の接続バ
ンプはプリント配線基板７２上の入出力パッド９５に受
け止められる。言い換えれば、入出力パッド９５の密集
度に応じて接続バンプの密集度は必然的に決定されるこ
とができる。過密域９６のように、入出力パッド９５す
なわち接続バンプが密集して配置されると、たとえプリ
ント配線基板７２の表面と半導体装置との間隔が狭くて
も、接続バンプを伝ってアンダーフィル材の流動体は広
がりやすい。その一方で、過疎域９７のように、接続バ
ンプが疎らに配置されても、接続バンプの配置に応じて
拡大された過疎側アンダーフィル材投入孔９２が形成さ
れれば、接続バンプの助けを借りずともアンダーフィル
材の流動体は容易に半導体装置とプリント配線基板７２
の表面との間で広がっていくことができる。このような
アンダーフィル材投入孔８５が用いられなければ、半導
体装置とプリント配線基板７２の表面との間隔が狭めら
れるにつれて流動体の広がりは著しく阻害されてしま
う。
【００６９】いずれのアンダーフィル方法を採用する場
合でも、例えば図１５に示されるように、プリント配線
基板１０１の表面に規定されるアンダーフィル材の塗布
予定域１０２にプラズマ照射が施されることが望まし
い。こうしたプラズマ照射によれば、プリント配線基板
１０１の表面に付着した汚れが払い除けられ、プリント
配線基板１０１表面の濡れ性は高められることができ
る。このように濡れ性が高められれば、アンダーフィル
材の流動体１０３は容易にプリント配線基板１０１の表
面に沿って広がっていくことが可能となる。塗布予定域
１０２の周囲で、流動体１０３の表面張力に比較して大
きな表面力が確保されれば、流動体１０３が塗布予定域
１０２を超えて広がることは確実に回避されることが可
能となる。塗布予定域１０２は、プリント配線基板１０
１に実装される半導体装置１０４の輪郭形状の基づき規
定されればよい。
【００７０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プリント
配線基板上にアンダーフィル材の流動体を供給するに当
たって、できる限り正確にアンダーフィル材の供給量を
制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態に係る半導体装置用ア
ンダーフィル装置の全体構成を概略的に示す図である。
【図２】 アンダーフィル材充填シリンジの拡大断面図
である。
【図３】 アンダーフィル材充填シリンジの先端に装着
されるアタッチメントを概略的に示す一部拡大断面図で
ある。
【図４】 プリント配線基板および半導体装置の構造を
概略的に示す図である。
【図５】 第１実施形態に係る半導体装置用アンダーフ
ィル装置で実現されるアンダーフィル方法を概略的に示
す工程図である。
【図６】 プリント配線基板に対する半導体装置の実装
方法を概略的に示す工程図である。
【図７】 照射窓の働きを概略的に示す概念図である。
【図８】 本発明の一実施形態に係る実装装置の全体構
成を概略的に示す図である。
【図９】 実装装置で実現される半導体装置の実装方法
を概略的に示す工程図である。
【図１０】 他の実施形態に係る半導体装置の構造を概
略的に示す図である。
【図１１】 本発明の一実施形態に係る半導体装置の切
り分け方法を概略的に示す工程図である。
【図１２】 本発明の第２実施形態に係る半導体装置用
アンダーフィル装置の全体構成を概略的に示す図であ
る。
【図１３】 第２実施形態に係る半導体装置用アンダー
フィル装置で実現されるアンダーフィル方法を概略的に
示す工程図である。
【図１４】 第２実施形態に係る半導体装置用アンダー
フィル装置で実現されるアンダーフィル方法に適用され
るプリント配線基板の構造を概略的に示す平面図であ
る。
【図１５】 プラズマ照射が施されたプリント配線基板
の概念を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置用アンダーフィル装置、１１ プリント
配線基板、１２ 加工テーブル、１３ 支持ヘッド、１
４ 位置決め機構、１５ アンダーフィル材充填シリン
ジ、１６ ディスペンサ、１８ 光源、１９ マスク部
材、２１ ノズル、２２ 収容体、２６ 透過窓、２７
アタッチメント、３２ 半導体装置、３５ 紫外線硬
化樹脂（反応性硬化樹脂）の流動体、４４ 超音波ヘッ
ド、５３薄膜フィルムテープ、５７ 半導体装置、５８
フランジ、５９ 段差面、６１ ウェハー、６２ 刻
み目、６４ 切り込み、７１ 半導体装置用アンダーフ
ィル装置、７２ プリント配線基板、７４ 支持ヘッ
ド、７６ 光源、７９ ディスペンサ、８２ 半導体装
置、８５ アンダーフィル材投入孔、８８ 紫外線硬化
樹脂（光硬化樹脂）の流動体、９１ 過密側アンダーフ
ィル材投入孔、９２過疎側アンダーフィル材投入孔、９
３ 基板本体、９４ 塗布予定域、９５導電性入出力パ
ッド、９６ 過密域、９７ 過疎域、１０１ プリント
配線基板、１０２ 塗布予定域、Ｗ１ 第１溝幅、Ｗ２
第２溝幅。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｃ ５Ｆ０６１ 23/31 (72)発明者 吉良 秀彦 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 海沼 則夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4D075 AC04 AC94 AC96 DC21 4F041 AA06 BA04 BA12 BA34 BA53 4F042 AA07 DC00 4J011 AA01 AB07 AC04 BB01 BB05 DB22 DB27 UA01 VA01 WA01 4M109 AA01 BA03 CA05 EA15 5F061 AA01 BA03 CA05 DE06

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プリント配線基板の表面に対する半導体
    装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の
    表面に向けて反応性硬化樹脂の流動体を供給する工程
    と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズル内で流動
    体の粘度を高める工程とを備えることを特徴とする半導
    体装置のアンダーフィル方法。
  2. 【請求項２】 プリント配線基板の表面に対する半導体
    装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の
    表面に向けて光硬化樹脂の流動体を供給する工程と、所
    定量の流動体が噴き出た時点で、ノズルに形成された透
    過窓から流動体に光線を照射する工程とを備えることを
    特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法。
  3. 【請求項３】 光不透過性のノズルと、ノズルの基端に
    接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過
    性の収容体と、ノズルに形成される透過窓とを備えるこ
    とを特徴とするアンダーフィル材充填シリンジ。
  4. 【請求項４】 光不透過性のノズルと、ノズルの基端に
    接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過
    性の収容体と、ノズルの先端に接続される筒型のアタッ
    チメントと、アタッチメントに形成される透過窓とを備
    えることを特徴とするアンダーフィル材充填シリンジ。
  5. 【請求項５】 加工テーブルと、加工テーブルに向き合
    う支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、噴き出し位
    置に向かう支持ヘッドの移動を引き起こす位置決め機構
    と、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力
    を供給するディスペンサと、噴き出し位置の支持ヘッド
    および加工テーブルの間に規定される照射域に向かって
    光線を照射する光源とを備えることを特徴とする半導体
    装置用アンダーフィル装置。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置用アンダー
    フィル装置において、前記加工テーブルに向かう前記光
    線を遮るマスク部材をさらに備えることを特徴とする半
    導体装置用アンダーフィル装置。
  7. 【請求項７】 プリント配線基板に形成されたアンダー
    フィル材投入孔を覆う半導体装置をプリント配線基板の
    下向き面に保持しつつ、プリント配線基板の下向き面に
    光線を照射する工程と、光線の照射中に、プリント配線
    基板の上向き面側からアンダーフィル材投入孔に光硬化
    樹脂の流動体を供給する工程とを備えることを特徴とす
    る半導体装置のアンダーフィル方法。
  8. 【請求項８】 噴き出し位置に位置決めされる支持ヘッ
    ドと、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧
    力を供給するディスペンサと、噴き出し位置に位置決め
    された支持ヘッドの下方に配置されて、上方に向かって
    光線を照射する光源とを備えることを特徴とする半導体
    装置用アンダーフィル装置。
  9. 【請求項９】 基板本体の表面でアンダーフィル材の塗
    布予定域に配置される導電性入出力パッドと、アンダー
    フィル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッド
    の過密域で基板本体に穿たれる過密側アンダーフィル材
    投入孔と、アンダーフィル材の塗布予定域に規定される
    導電性入出力パッドの過疎域で基板本体に穿たれ、過密
    側アンダーフィル材投入孔に比べて大きく形成される過
    疎側アンダーフィル材投入孔とを備えることを特徴とす
    るプリント配線基板。
  10. 【請求項１０】 プリント配線基板の表面に規定される
    アンダーフィル材の塗布予定域にプラズマ照射を施すこ
    とを特徴とするアンダーフィル向け前処理方法。
  11. 【請求項１１】 プリント配線基板の表面に反応性硬化
    樹脂の流動体を供給する工程と、反応性硬化樹脂の流動
    体が供給されたプリント配線基板の表面に半導体装置を
    搭載する工程と、搭載された半導体装置に超音波ヘッド
    を接触させる工程と、反応性硬化樹脂の流動体を硬化さ
    せる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の実装
    方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の半導体装置の実装
    方法において、前記超音波ヘッドを接触させるにあたっ
    て、前記半導体装置と超音波ヘッドとの間には薄膜フィ
    ルムが配置されることを特徴とする半導体装置の実装方
    法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の半導体装置の実装
    方法において、前記半導体装置の外周には、前記プリン
    ト配線基板の表面に段差面を向き合わせるフランジが形
    成されることを特徴とする半導体装置の実装方法。
  14. 【請求項１４】 ウェハーから半導体装置を切り出すに
    あたって、ウェハーに第１溝幅の刻み目を入れる工程
    と、第１溝幅よりも小さい第２溝幅の切り込みで刻み目
    に沿って半導体装置を切り離す工程を備えることを特徴
    とする半導体装置の切り分け方法。
JP34287999A 1999-12-02 1999-12-02 半導体装置のアンダーフィル方法 Expired - Fee Related JP3992893B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34287999A JP3992893B2 (ja) 1999-12-02 1999-12-02 半導体装置のアンダーフィル方法
US09/658,996 US6582993B1 (en) 1999-12-02 2000-09-11 Method of underfilling semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34287999A JP3992893B2 (ja) 1999-12-02 1999-12-02 半導体装置のアンダーフィル方法

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007160769A Division JP2007266628A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 半導体装置のアンダーフィル方法
JP2007160768A Division JP2007266627A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 半導体装置のアンダーフィル方法
JP2007160767A Division JP2007294989A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 半導体装置のアンダーフィル方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001160563A true JP2001160563A (ja) 2001-06-12
JP3992893B2 JP3992893B2 (ja) 2007-10-17

Family

ID=18357220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34287999A Expired - Fee Related JP3992893B2 (ja) 1999-12-02 1999-12-02 半導体装置のアンダーフィル方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6582993B1 (ja)
JP (1) JP3992893B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006520679A (ja) * 2003-02-06 2006-09-14 アクゾ ノーベル コーティングス インターナショナル ビー ヴィ 化学照射線硬化性コーティングを施与するためのスプレーガン及び方法
JP2007533132A (ja) * 2004-04-08 2007-11-15 フィーコ ビー．ブイ． 型空洞へ封入材料を供給するための方法およびデバイス
JP2009049164A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009259977A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Yaskawa Electric Corp アンダーフィル装置およびそれを用いたアンダーフィル方法
JP2015231044A (ja) * 2014-06-09 2015-12-21 富士通周辺機株式会社 アンダーフィル材の塗布装置
KR101853636B1 (ko) * 2011-05-11 2018-05-03 주식회사 탑 엔지니어링 수지도포장치
JP2021040000A (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 リンテック株式会社 アンダーフィル剤塗布装置およびアンダーフィル剤塗布方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4023093B2 (ja) * 2001-01-18 2007-12-19 松下電器産業株式会社 電子部品の固定方法
US6951778B2 (en) * 2002-10-31 2005-10-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Edge-sealed substrates and methods for effecting the same
JP4200758B2 (ja) * 2002-12-26 2008-12-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ パネルの樹脂塗布方法、ディスプレイ用パネルの製造方法及び樹脂塗布装置
US7141452B2 (en) * 2003-12-01 2006-11-28 Intel Corporation Methods of reducing bleed-out of underfill and adhesive materials
US7367961B2 (en) * 2004-09-10 2008-05-06 Depuy Spine, Inc. Intradiscal injection of autologous interferon
US7445141B2 (en) * 2004-09-22 2008-11-04 International Business Machines Corporation Solder interconnection array with optimal mechanical integrity
CN101099960B (zh) * 2006-07-07 2011-06-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 点胶治具
KR100939408B1 (ko) * 2008-01-16 2010-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 언더필 분사용 노즐
US9728425B1 (en) * 2016-04-02 2017-08-08 Intel Corporation Space-efficient underfilling techniques for electronic assemblies

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2572289B2 (ja) * 1990-04-12 1997-01-16 セイコー電子工業株式会社 高粘度液体定量吐出装置
EP1256387B1 (en) * 1995-10-13 2009-02-18 Nordson Corporation Flip chip underfill system and method
KR0152557B1 (ko) * 1995-10-17 1998-10-01 김광호 다이 어태치 공정에서 에폭시 테일의 발생을 억제하는 방법
US6066509A (en) * 1998-03-12 2000-05-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for underfill of bumped or raised die
CN1097849C (zh) * 1996-06-07 2003-01-01 罗姆股份有限公司 半导体芯片及半导体芯片的制造方法
JPH1050761A (ja) 1996-08-05 1998-02-20 Seiko Epson Corp テープキャリアパッケージおよびその製造方法
SG71734A1 (en) * 1997-11-21 2000-04-18 Inst Materials Research & Eng Area array stud bump flip chip and assembly process
US6224711B1 (en) * 1998-08-25 2001-05-01 International Business Machines Corporation Assembly process for flip chip package having a low stress chip and resulting structure
JP4338834B2 (ja) * 1999-08-06 2009-10-07 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 超音波振動を用いた半導体チップの実装方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006520679A (ja) * 2003-02-06 2006-09-14 アクゾ ノーベル コーティングス インターナショナル ビー ヴィ 化学照射線硬化性コーティングを施与するためのスプレーガン及び方法
JP2007533132A (ja) * 2004-04-08 2007-11-15 フィーコ ビー．ブイ． 型空洞へ封入材料を供給するための方法およびデバイス
JP4819796B2 (ja) * 2004-04-08 2011-11-24 フィーコ ビー．ブイ． 型空洞へ封入材料を供給するための方法およびデバイス
JP2009049164A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009259977A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Yaskawa Electric Corp アンダーフィル装置およびそれを用いたアンダーフィル方法
KR101853636B1 (ko) * 2011-05-11 2018-05-03 주식회사 탑 엔지니어링 수지도포장치
JP2015231044A (ja) * 2014-06-09 2015-12-21 富士通周辺機株式会社 アンダーフィル材の塗布装置
JP2021040000A (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 リンテック株式会社 アンダーフィル剤塗布装置およびアンダーフィル剤塗布方法
JP7360850B2 (ja) 2019-09-02 2023-10-13 リンテック株式会社 アンダーフィル剤塗布装置およびアンダーフィル剤塗布方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6582993B1 (en) 2003-06-24
JP3992893B2 (ja) 2007-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001160563A (ja) 半導体装置のアンダーフィル方法
KR102160321B1 (ko) 베어 칩 다이 본딩 방법
US7589010B2 (en) Semiconductor devices with permanent polymer stencil and method for manufacturing the same
US7043830B2 (en) Method of forming conductive bumps
TWI510315B (zh) 於基板上形成焊料結構之裝置與射出模鑄焊接方法
KR100683443B1 (ko) 재료 액적 분배 방법
US6427898B2 (en) Solder bump forming method and apparatus
JP2012511814A (ja) 電子アセンブリ製造の方法および装置ならびにその電子アセンブリ
TWI283557B (en) Method of manufacturing circuit device, method of manufacturing electronic device, and circuit board, electronic apparatus, and photoelectric device
US10302863B2 (en) Methods of attaching surfaces together by adhesives, and devices including surfaces attached together by adhesives
JP2002026048A (ja) 積層回路モジュールの製造方法
US9426899B2 (en) Electronic component assembly
JP2015026655A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2007294989A (ja) 半導体装置のアンダーフィル方法
TW201519718A (zh) 焊膏印刷裝置及焊膏印刷方法
JP6937466B2 (ja) 塗布方法と塗布装置と部品の製造方法
JP2007266628A (ja) 半導体装置のアンダーフィル方法
JP2007266627A (ja) 半導体装置のアンダーフィル方法
JPH10291293A (ja) 凹版印刷方法及び装置、バンプまたは配線パターンの形成方法及び装置、バンプ電極、プリント配線基板、バンプ形成方法、並びに、成形転写方法
JP4312914B2 (ja) 樹脂組成物の塗布方法および塗布装置
JP2012120961A (ja) 構造体の製造方法
KR100370849B1 (ko) 반도체패키지용 다이 어태치 장비의 에폭시 디스펜싱 툴
JPH06112273A (ja) 電子部品の実装方法
JP2014229784A (ja) 電子部品実装方法
JPH02122859A (ja) コーティング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050606

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070406

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070417

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070724

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees