JPH06112273A - 電子部品の実装方法 - Google Patents

電子部品の実装方法

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JPH06112273A
JPH06112273A JP28076292A JP28076292A JPH06112273A JP H06112273 A JPH06112273 A JP H06112273A JP 28076292 A JP28076292 A JP 28076292A JP 28076292 A JP28076292 A JP 28076292A JP H06112273 A JPH06112273 A JP H06112273A
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JP
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chip
bumps
wiring board
mounting
electronic component
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JP28076292A
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English (en)
Inventor
Takashi Sotodani
高志 外谷
Shuichi Sugimoto
周一 杉元
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Publication of JPH06112273A publication Critical patent/JPH06112273A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装プロセスが簡略で、多品種少量生産にも
適し、実装時に電子部品にダメージを与えない電子部品
の実装方法を提供する。 【構成】 ノズル２３から熱硬化性導電性液体２５を吐
出してＩＣチップ１の電極２上に未硬化のバンプ４を形
成する。未硬化のバンプ４を配線基板７のランド８に位
置決めしてＩＣチップ１を配線基板７上に載置する。配
線基板７を加熱してバンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１
の電極２と配線基板７のランド８を接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の実装方法に
関する。具体的にいうと、本発明は、ＩＣチップのよう
な電子部品を基板に直接実装する電子部品の実装方法に
関する。
【０００２】
【背景技術】従来より、ＩＣチップを基板に直接実装す
るフリップチップ実装法が知られている。この実装方法
にあっては、ＩＣチップが多数形成されたウェハーの状
態でＩＣチップの電極上にハンダのバンプを形成する。
この後、ウェハーからＩＣチップを切り出し、ＩＣチッ
プのバンプを基板の上面に設けられた配線パターンのラ
ンドの上に載せ、接着剤等によって基板にＩＣチップを
仮固定する。この状態で、リフロー炉内においてバンプ
を溶融させることにより、ＩＣチップの電極をランドに
接合させる。
【０００３】しかしながら、このような実装方法にあっ
ては、上述のごとく実装プロセスが複雑で、ＩＣチップ
の実装に時間がかかり、コスト高になるという問題があ
った。
【０００４】また、実際上ＩＣチップ単体ではバンプを
形成することができないので、ウェハーの状態でＩＣチ
ップを入手できないユーザーは後からバンプを形成する
ことができなかった。
【０００５】そこで、基板のランドに銅ペーストをスク
リーン印刷した後、銅ペーストを硬化させてランド上に
銅のバンプを形成し、このバンプ上にＩＣチップの電極
を置き、ＩＣチップを基板に接着剤で接着することによ
ってＩＣチップの電極を基板のランドに接合する実装方
法が提案された。
【０００６】しかしながら、この実装方法にあっては、
基板にバンプを印刷するための専用の原版が基板の種類
ごとに必要であり、他の実装方法であるワイヤーボンデ
ィング法に比べてフレキシビィリティーに欠け、多品種
少量生産に不適当であるという問題があった。
【０００７】また、ＩＣチップを基板に接着する際に、
硬質のバンプを介して基板上にＩＣチップを置くため、
ＩＣチップに衝撃を与え、ダメージを与える恐れがあっ
た。
【０００８】本発明は、叙上の従来例の欠点に鑑みてな
さたものであり、その目的とするところは、実装プロセ
スが簡略で、多品種少量生産にも適し、実装時に電子部
品にダメージを与えない電子部品の実装方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品の実装
方法は、電子部品及び基板のうち少なくとも一方の電極
上に吐出機から導電性液体を吐出することによって未硬
化のバンプを形成し、前記電子部品及び基板の電極同士
を前記導電性液体で形成された未硬化のバンプを介して
接触させた後、当該バンプを硬化させて当該電極同士を
接合することを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の電子部品の実装方法にあっては、電子
部品や基板の電極上に導電性液体を吐出して未硬化のバ
ンプを形成し、電子部品及び基板の電極同士を未硬化の
バンプを介して接触させた後、バンプを硬化させて接合
する。したがって、バンプは電子部品もしくは基板の上
に形成された後、養生硬化することなく直ちに接合さ
れ、従来の実装方法に比べ、実装プロセスを大幅に簡略
化することができ、実装スピードの高速化及び実装コス
トの低減を図ることができる。
【００１１】また、電子部品や基板の電極の数や配置が
変わってもそれに応じて吐出機による導電性液体の吐出
位置を変更させれば良く、従来例のようにマスクや原版
を新たに作製する必要がないので、フレキシビリティー
に富んだバンプ形成が可能であり、多品種少量生産にも
適している。また、ＩＣチップのような電子部品をウェ
ハーの状態で入手できないユーザーでもバンプ形成が可
能である。
【００１２】さらに、電子部品及び基板の電極同士を未
硬化の液状バンプを介して接触させるので、接触時の衝
撃を小さくすることができ、電子部品が受けるダメージ
を小さくすることができる。また、電子部品及び基板の
電極がバンプを介して接触しさえすればバンプを形成す
る導電性液体が電子部品及び基板の電極になじむので、
電子部品の高さ方向の位置決め精度やバンプの高さの精
度が多少悪くても、電極同士を容易且つ確実に接合させ
ることができる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の一実施例による電子部品の
実装方法を説明する。図２に示すものは、この実装方法
において使用する液体吐出装置２１の断面図である。こ
の液体吐出装置２１は空気圧送式であって、シリンジ２
２の下部に設けられたノズル２３を電磁バルブ２４によ
って開閉するようにしてあり、シリンジ２２の中に熱硬
化性導電性液体２５（エポキシ樹脂のような熱硬化性樹
脂に銅等の金属微粒子を分散させた導電性のペースト）
を入れておき、シリンジ２２内に圧縮空気２６を圧送し
て熱硬化性導電性液体２５に一定の圧力を加えている。
【００１４】電磁バルブ２４は、バルブロッド２７の先
端でノズル２３を開閉するようにし、バネ２８によって
バルブロッド２７をノズル閉成方向に付勢し、電磁ソレ
ノイド２９によってバルブロッド２７を後退させるよう
にしており、電磁ソレノイド２９をオンにしてバネ２８
の弾性力に抗してバルブロッド２７を引き上げるとノズ
ル２３が開かれ、空気圧によって熱硬化性導電性液体２
５がノズル２３から吐出される。吐出を終える時には、
電磁ソレノイド２９をオフにすると、バネ２８によって
バルブロッド２７が突出し、ノズル２３が閉栓される。
【００１５】しかして、このような液体吐出装置２１は
例えばＸＹステージに設置されて２次元平面内で移動さ
せられるようになっており、初めに、図１（ａ）に示す
ように、ノズル２３の先端をＩＣチップ１のＡｌ電極等
の電極２の１つに位置決めする。電極２はＩＣチップ１
の片面に複数個設けられており、各電極２の中央部がパ
ッシベーション膜３の開口部から露出している。ノズル
１から熱硬化性導電性液体２５を吐出すると、熱硬化性
導電性液体２５は電極２の上に落ちて中央部に盛り上が
り、電極２上に未硬化のバンプ４が形成される。ＩＣチ
ップ１の他の電極２にも同様にして順次バンプ４を形成
する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、未硬化の
バンプ４を形成したＩＣチップ１をバンプ４を下にして
チップ搬送用ツール５でチャッキングし、ステージ６上
に載置された配線基板７の上方に搬送し、配線基板７の
ランド８の上方にＩＣチップ１に設けたバンプ４を位置
決めする。なお、ＩＣチップ１と配線基板７の位置決め
は、ＩＣチップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキン
グする前に行なってもよいし、チャッキング後ＩＣチッ
プ１を配線基板７のランド８の上へ搬送する前におこな
ってもよい。
【００１７】次いで、チップ搬送用ツール５を下方に移
動させて、図１（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１を静
かに配線基板７上に載置する。このとき、配線基板７は
ステージ６内に設けられたヒータから加熱されており、
バンプ４を形成する熱硬化性導電性液体２５はランド８
に接触すると同時に硬化し始める。バンプ４を十分に硬
化させて（硬化したバンプ４は図において斜線を施して
区別する。以下同様）ＩＣチップ１の電極２と配線基板
７のランド８を接合し、ＩＣチップ１の実装を終了する
〔図１（ｄ）〕。
【００１８】本実施例においては、液体吐出装置２１の
ノズル２３から移動させてＩＣチップ１の各電極２に熱
硬化性導電性液体２５を吐出してバンプ４を形成するの
で、電極２の数や位置の異なる別なＩＣチップ１にバン
プ４を形成する場合でも、ノズル２３の移動方向や導電
性液体２５の吐出位置を制御するプログラムを変更した
り、ティーチィングし直したりするだけで対応すること
ができる。したがって、フレキシビリティーに富んだバ
ンプ形成が可能であり、多品種少量生産にも適してい
る。
【００１９】また、ＩＣチップ１の電極２と配線基板７
のランド８を未硬化のバンプ４を介して接触させるの
で、従来例のように接触時の衝撃によってＩＣチップ１
にダメージを与えることがない。また、バンプの高さの
精度が多少悪くても、あるいはチップ搬送用ツール５の
高さ方向の位置精度が多少悪くても電極２とバンプ４を
容易且つ確実に接触させることができる。
【００２０】なお、液体吐出装置２１は図２のような空
気圧送式に限らず、どのような方式のものでも良く、例
えばギヤポンプ式、バルブ式、スクリュウポンプ式、チ
ューブ式、ピストン式、バブルジェット式等でも良い。
【００２１】また、配線基板７は一定加熱しても良い
し、パルス的に加熱（パルスヒート）しても良い。ある
いは、プロセスに合わせて加熱しても良い。例えば、Ｉ
Ｃチップ１を配線基板７に載置する際は加熱せず、ＩＣ
チップ１を配線基板７に載置した後に加熱するようにし
ても良い。さらに、加熱方法としては、ステージ６側か
ら加熱するのに限らず、搬送用ツール５側から加熱して
も良いし、両側から同時に加熱しても良い。
【００２２】図３（ａ）ないし（ｄ）に本発明の別な実
施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の実装
方法にあっては、図３（ａ）に示すように、ノズル２３
から配線基板７のランド８上に熱硬化性導電性液体２５
を吐出して未硬化のバンプ４を形成する。
【００２３】次いで、図３（ｂ）に示すように、ＩＣチ
ップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配線
基板７の上方に搬送し、ランド８に形成した未硬化のバ
ンプ４の上方にＩＣチップ１の電極２を位置決めする。
このとき、ＩＣチップ１はチップ搬送用ツール５内のヒ
ータにより加熱されている。
【００２４】次に、図３（ｃ）に示すように、チップ搬
送用ツール５を下方に移動させてＩＣチップ１の電極２
をランド８に設けた未硬化のバンプ４に静かに接触させ
る。バンプ４を形成する熱硬化性導電性液体２５はチッ
プ搬送用ツール５から加熱されたＩＣチップ１の電極２
に接触すると同時に硬化し始める。バンプ４を十分に硬
化させてＩＣチップ１の電極２と配線基板７のランド８
を接合させ、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する
〔図３（ｄ）〕。
【００２５】この結果、本実施例においても、図１
（ａ）〜（ｄ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００２６】図４（ａ）ないし（ｅ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、ノズル２３から熱硬化性導電性液
体２５を吐出することによって、ＩＣチップ１の電極２
と配線基板７のランド８の両方に未硬化のバンプ４を形
成する〔図４（ａ）（ｂ）〕。
【００２７】次いで、図４（ｃ）に示すように、ＩＣチ
ップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配線
基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１に形成した未硬化
のバンプ４を配線基板７に形成した未硬化のバンプ４の
上方に位置決めする。
【００２８】次に、図４（ｄ）に示すように、チップ搬
送用ツール５を下方に移動させて、ＩＣチップ１及び配
線基板７のバンプ４同士を静かに接触させる。この後、
チップ搬送用ツール５及びステージ６内のヒータを加熱
してバンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１の電極２と配線
基板７のランド８を接合させる。次いで、チップ搬送用
ツール５を外し、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了
する〔図４（ｅ）〕。
【００２９】本実施例においては、バンプ４を形成する
熱硬化性導電性液体２５をＩＣチップ１の電極２と配線
基板７のランド８の両方に確実になじませることがで
き、確実に接合させることができる。
【００３０】図５（ａ）ないし（ｅ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、ＩＣチップ１の電極２と配線基板
７のランド８の両方に未硬化のバンプ４を形成した後
〔図５（ａ）（ｂ）〕、図５（ｃ）に示すように、ＩＣ
チップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配
線基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１のバンプ４を配
線基板７のバンプ４の上方に位置決めすると共に、配線
基板７を載置されているステージ６を加熱して配線基板
７のバンプ４を先に硬化させる。なお、配線基板７のバ
ンプ４はバンプ形成時に直ちに硬化させておいても良
い。
【００３１】次に、図５（ｄ）に示すように、チップ搬
送用ツール５を下方に移動させて、ＩＣチップ１の未硬
化のバンプ４を配線基板７の硬化したバンプ４に接触さ
せ、さらにＩＣチップ１の電極２を配線基板７の硬化し
たバンプ４に接触させる。この後、チップ搬送用ツール
５を加熱してＩＣチップ１のバンプ４を硬化させ、ＩＣ
チップ１の電極２と配線基板７のランド８を接合させ
る。次いで、チップ搬送用ツール５を外し、冷却させて
ＩＣチップ１の実装を終了する〔図５（ｅ）〕。
【００３２】本実施例においては、ＩＣチップ１を配線
基板７上に載置する際、配線基板７の硬化したバンプ４
がＩＣチップ１の電極２に当たりストッパの役目を果た
すので、チップ搬送用ツール５の高さ方向の位置決め精
度がそれ程高くなくても良く、制御が容易になるという
利点がある。
【００３３】なお、図５（ｄ）の工程においては、チッ
プ搬送用ツール５とステージ６の両方を加熱することに
よってバンプ４を硬化させても差し支えない。
【００３４】図６（ａ）ないし（ｅ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、ＩＣチップ１の電極２と配線基板
７のランド８の両方に未硬化のバンプ４を形成した後
〔図６（ａ）（ｂ）〕、図６（ｃ）に示すように、ＩＣ
チップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配
線基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１のバンプ４を配
線基板７のバンプ４の上方に位置決めすると共に、チッ
プ搬送用ツール５を加熱することによってＩＣチップ１
のバンプ４を硬化させる。
【００３５】次に、図６（ｄ）に示すように、チップ搬
送用ツール５を下方に移動させて、ＩＣチップ１の硬化
したバンプ４を配線基板７の未硬化のバンプ４に接触さ
せ、さらにランド８に接触させる。この後、ステージ６
を加熱して配線基板７のバンプ４を硬化させ、ＩＣチッ
プ１の電極２と配線基板７のランド８を接合させる。次
いで、チップ搬送用ツール５を外して冷却させ、ＩＣチ
ップ１の実装を終了する〔図６（ｅ）〕。
【００３６】この結果、本実施例においても、図５
（ａ）〜（ｅ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００３７】図７（ａ）ないし（ｄ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、既に金属バンプ等のバンプ９が設
けられたＩＣチップ１を使用する。まず、図７（ａ）に
示すように、ノズル２３から熱硬化性導電性液体２５を
吐出することによって、配線基板７のランド８に未硬化
のバンプ４を形成する。
【００３８】次いで、図７（ｂ）に示すように、バンプ
９を有するＩＣチップ１をチップ搬送用ツール５でチャ
ッキングして配線基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１
のバンプ９を配線基板７に形成した未硬化のバンプ４の
上方に位置決めする。
【００３９】次に、図７（ｃ）に示すように、チップ搬
送用ツール５を下方に移動させて、ＩＣチップ１のバン
プ９を配線基板７の未硬化のバンプ４に接触させ、さら
にランド８に接触させる。この後、チップ搬送用ツール
５及びステージ６内の各ヒータを加熱して配線基板７の
バンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１の電極２と配線基板
７のランド８を接合させる。次いで、チップ搬送用ツー
ル５を外し、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する
〔図７（ｄ）〕。
【００４０】本実施例においては、ＩＣチップ１を配線
基板７上に載置する際、ＩＣチップ１の有するバンプ９
がランド８に当たりストッパの役目を果たすので、チッ
プ搬送用ツール５の高さ方向の制御が容易になる。しか
も、このＩＣチップ１が金属バンプ等のバンプ９を有し
ているにも拘らず、導電性液体２５を介してバンプ９と
ランド８を接合させているので、バンプ９を溶融させて
ランド８に直接に接合させる場合に比べて低温で接合で
き、ＩＣチップ１に与える熱的なダメージを小さくする
ことができる。また、例えば４個以上のバンプ９をラン
ド８に接合させる場合、不揃いによりランド８から浮く
ようなバンプ９があっても、バンプ４を介してバンプ９
とランド８を確実に接合させることができる。
【００４１】図８（ａ）ないし（ｄ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、既に金属バンプ等のバンプ９が設
けられた配線基板７を使用する。まず、図８（ａ）に示
すように、ノズル２３から熱硬化性導電性液体２５を吐
出することによって、ＩＣチップ１の電極２に未硬化の
バンプ４を形成する。
【００４２】次いで、図８（ｂ）に示すように、未硬化
のバンプ４を形成したＩＣチップ１をチップ搬送用ツー
ル５でチャッキングして配線基板７の上方に搬送し、Ｉ
Ｃチップ１のバンプ４を配線基板７のバンプ９の上方に
位置決めする。
【００４３】次に、チップ搬送用ツール５を下方に移動
させて、図８（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１を配線
基板７上に静かに載置する。この後、ステージ６を加熱
してＩＣチップ１のバンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１
の電極２と配線基板７のランド８を接合させる。次い
で、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する〔図８
（ｄ）〕。
【００４４】この結果、本実施例においても、図７
（ａ）〜（ｄ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００４５】図９（ａ）ないし（ｄ）に本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例の
実装方法にあっては、既に金属バンプ等のバンプ９が設
けられたＩＣチップ１を使用する。まず、図９（ａ）に
示すように、ノズル２３から熱硬化性導電性液体２５を
吐出することによって、ＩＣチップ１のバンプ９上に未
硬化のバンプ４を形成する。
【００４６】次いで、図９（ｂ）に示すように、ＩＣチ
ップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配線
基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１のバンプ９上に形
成した未硬化のバンプ４を配線基板７のランド８の上方
に位置決めする。
【００４７】次に、チップ搬送用ツール５を下方に移動
させて、図９（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１を配線
基板７上に静かに載置する。この後、ステージ６を加熱
してＩＣチップ１のバンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１
の電極２と配線基板７のランド８を接合させる。次い
で、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する〔図９
（ｄ）〕。
【００４８】この結果、本実施例においても、図７
（ａ）〜（ｄ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００４９】図１０（ａ）ないし（ｄ）に本発明のまた
別な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例
の実装方法にあっては、既に金属バンプ等のバンプ９が
設けられた配線基板７を使用する。まず、図１０（ａ）
に示すように、ノズル２３から熱硬化性導電性液体２５
を吐出することによって、配線基板７のバンプ９上に未
硬化のバンプ４を形成する。
【００５０】次いで、図１０（ｂ）に示すように、ＩＣ
チップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配
線基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１の電極２を配線
基板７のバンプ９上に形成した未硬化のバンプ４の上方
に位置決めする。
【００５１】次に、チップ搬送用ツール５を下方に移動
させて、図１０（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１を配
線基板７上に静かに載置する。この後、ステージ６を加
熱して配線基板７のバンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１
の電極２と配線基板７のランド８を接合させる。次い
で、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する〔図１０
（ｄ）〕。
【００５２】この結果、本実施例においても、図７
（ａ）〜（ｄ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００５３】図１１（ａ）ないし（ｄ）に本発明のまた
別な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例
の実装方法にあっては、上述の実施例における熱硬化性
導電性液体２５の代わりに熱可塑性導電性液体３０（熱
可塑性樹脂に銅等の金属微粒子を分散させた導電性のペ
ースト）を使用する。まず、図１１（ａ）に示すよう
に、ノズル２３から熱可塑性導電性液体３０を吐出する
ことによって、ＩＣチップ１の電極２に溶融ないし軟化
状態のバンプ１０を形成する。
【００５４】次いで、図１１（ｂ）に示すように、バン
プ１０が硬化しない温度に加熱したチップ搬送用ツール
５でＩＣチップ１をチャッキングし、配線基板７の上方
に搬送してＩＣチップ１のバンプ１０を配線基板７のラ
ンド８の上方に位置決めする。
【００５５】次に、チップ搬送用ツール５を下方に移動
させて、図１１（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１を配
線基板７上に静かに載置する。この後、ステージ６を冷
却してＩＣチップ１のバンプ１０を構成する熱可塑性導
電性液体３０を硬化させ、ＩＣチップ１の電極２と配線
基板７のランド８を接合させてＩＣチップ１の実装を終
了する〔図１１（ｄ）〕。
【００５６】なお、上記実施例においては、ＩＣチップ
１を温度ｔ1（バンプ４の融点によって決まる。）に加
熱し、配線基板７を次式で決まる温度ｔ2 ｔ2＝ｔ0＋（ｔ1−ｔ0）・（α1／α2） 但し、ｔ0：室温 α1：ＩＣチップ１の熱膨張係数 α2：配線基板の熱膨張係数 に加熱した状態で互いにバンプ１０とランド８を重ね合
わせて接合させれば、冷却後室温に戻った状態では、Ｉ
Ｃチップ１に熱応力が残留しなくなる。
【００５７】したがって、実装後にＩＣチップ１に作用
する熱応力を室温で最小にすることができ、熱応力によ
るＩＣチップ１の損傷を防止することができる。
【００５８】図１２（ａ）ないし（ｅ）に本発明のまた
別な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例
の実装方法にあっては、図１２（ａ）に示すように、ノ
ズル２３から熱硬化性導電性液体２５を吐出することに
よって、ＩＣチップ１の電極２に未硬化のバンプ４を形
成する。また、図１２（ｂ）に示すように、配線基板８
を載置したステージ６内のヒータを加熱しながら、ノズ
ル２３から配線基板７のランド８に熱硬化性導電性液体
２５を繰り返し吐出する。このとき、吐出された熱硬化
性導電性液体２５はランド８上で逐次硬化するので、吐
出量を調節することによって任意の高さのバンプ１１を
形成することができる。
【００５９】次いで、図１２（ｃ）に示すように、ＩＣ
チップ１をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配
線基板７の上方に搬送し、ＩＣチップ１の未硬化のバン
プ４を配線基板７の硬化したバンプ１１の上方に位置決
めする。
【００６０】次に、図１２（ｄ）に示すように、チップ
搬送用ツール５を下方に移動させることによって、ＩＣ
チップ１の未硬化のバンプ４を配線基板７の硬化したバ
ンプ１１に接触させ、さらにＩＣチップ１の電極２を配
線基板７の硬化したバンプ１１に接触させる。この後、
チップ搬送用ツール５及びステージ６を加熱してバンプ
４を硬化させ、ＩＣチップ１の電極２と配線基板７のラ
ンド８を接合させる。次いで、チップ搬送用ツール５を
外し、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する〔図１
２（ｅ）〕。
【００６１】本実施例においては、バンプ１１の高さを
通常よりも高くできるので、ＩＣチップ１と配線基板８
の熱膨張率差によって生じる熱応力をバンプ１１に吸収
させることができる。したがって、耐熱性に優れた実装
構造を提供することができる。
【００６２】また、ＩＣチップ１を配線基板７上に載置
する際、配線基板７の硬化したバンプ８がＩＣチップ１
の電極２に当たりストッパの役目を果たすので、チップ
搬送用ツール５の高さ方向の制御が容易になる。また、
配線基板８上におけるＩＣチップ１の位置決め高さを調
整することができる。
【００６３】図１３（ａ）ないし（ｅ）に本発明のまた
別な実施例による電子部品の実装方法を示す。本実施例
の実装方法にあっては、図１３（ａ）に示すように、Ｉ
Ｃチップ１を載置されたステージ１２を加熱しながら、
ノズル２３からＩＣチップ１の電極２に熱硬化性導電性
液体２５を繰り返し吐出する。このとき、吐出された熱
硬化性導電性液体２５は電極２上で逐次硬化するので、
吐出量を調節することによって任意の高さのバンプ１１
を形成することができる。
【００６４】また、図１３（ｂ）に示すように、ノズル
２３から熱硬化性導電性液体２５を吐出することによっ
て、配線基板７のランド８に未硬化のバンプ４を形成す
る。次いで、図１３（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１
をチップ搬送用ツール５でチャッキングして配線基板７
の上方に搬送し、ＩＣチップ１の硬化したバンプ１１を
配線基板７の未硬化のバンプ４の上方に位置決めする。
【００６５】次に、図１３（ｄ）に示すように、チップ
搬送用ツール５を下方に移動させることによって、ＩＣ
チップ１の硬化したバンプ１１を配線基板７の未硬化の
バンプ４に接触させ、さらにランド８に接触させる。こ
の後、チップ搬送用ツール５及びステージ６を加熱して
バンプ４を硬化させ、ＩＣチップ１の電極２と配線基板
７のランド８を接合させる。次いで、チップ搬送用ツー
ル５を外し、冷却させてＩＣチップ１の実装を終了する
〔図１３（ｅ）〕。
【００６６】従って、本実施例においても、図１２
（ａ）〜（ｅ）の実施例と同様の効果が得られる。
【００６７】なお、上述の実施例においては、熱硬化性
又は熱可塑性の導電性液体２５，３０を使用したが、こ
れに限るものではなく、硬化させることが可能な導電性
液体であればどのようなものでも良い。例えば、紫外線
照射によって硬化する樹脂（紫外線硬化型樹脂）に銅等
の金属微粒子を分散させたものでも良い。
【００６８】
【発明の効果】本発明の電子部品の実装方法によれば、
電子部品の基板への実装プロセスを大幅に簡略化するこ
とができ、実装スピードの高速化及び実装コストの低減
を図ることができる。
【００６９】また、電子部品や基板の電極の数や位置が
変わってもそれに応じて吐出機による導電性液体の吐出
位置を変更させるだけで対応できる。したがって、フレ
キシビリティーに富んだバンプ形成が可能であり、多品
種少量生産にも適している。また、ＩＣチップをウェハ
ーの状態で入手できないユーザーでもバンプ形成が可能
である。
【００７０】さらに、電子部品及び基板の電極同士を未
硬化の液状バンプを介して接触させるので、接触させる
時に電子部品に与える衝撃を小さくすることができ、電
子部品のダメージを小さくすることができる。また、電
子部品及び基板の電極がバンプを介して接触しさえすれ
ばバンプを形成する導電性液体が電子部品及び基板の電
極になじむので、電子部品の高さ方向の位置決め精度や
バンプの高さの精度が多少悪くても、電極同士を容易且
つ確実に接合させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明の一実施例
による電子部品の実装方法を示す一部破断した断面図で
ある。
【図２】同上で使用する液体吐出装置を示す断面図であ
る。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明の別な実施
例による電子部品の実装方法を示す一部破断した断面図
である。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明のま
た別な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断
した断面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明のま
た別な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断
した断面図である。
【図６】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明のま
た別な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断
した断面図である。
【図７】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明のまた別な
実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断した断
面図である。
【図８】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明のまた別な
実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断した断
面図である。
【図９】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明のまた別な
実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断した断
面図である。
【図１０】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断した
断面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明のまた別
な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破断した
断面図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明の
また別な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破
断した断面図である。
【図１３】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は本発明の
また別な実施例による電子部品の実装方法を示す一部破
断した断面図である。
【符号の説明】
１ ＩＣチップ ２ 電極 ４，９，１０，１１ バンプ ７ 配線基板 ８ ランド ２１ 液体吐出装置 ２３ ノズル ２５ 熱硬化性導電性液体 ３０ 熱可塑性導電性液体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品及び基板のうち少なくとも一方
    の電極上に吐出機から導電性液体を吐出することによっ
    て未硬化のバンプを形成し、 前記電子部品及び基板の電極同士を前記導電性液体で形
    成された未硬化のバンプを介して接触させた後、当該バ
    ンプを硬化させて当該電極同士を接合することを特徴と
    する電子部品の実装方法。
JP28076292A 1992-09-25 1992-09-25 電子部品の実装方法 Pending JPH06112273A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1998048455A1 (fr) * 1997-04-21 1998-10-29 Seiko Epson Corporation Structure et procede de connexion entre electrodes, dispositif a semi-conducteur, procede de montage de semi-conducteur, dispositif a cristaux liquides et materiel electronique
KR100522318B1 (ko) * 1997-04-21 2006-01-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전극간접속구조,전극간접속방법,반도체장치,반도체실장방법,액정장치,및전자기기

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