JP2007294989A - 半導体装置のアンダーフィル方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】できる限り正確にアンダーフィル材の供給量を制御することができる半導体装置のアンダーフィル方法を提供する。
【解決手段】プリント配線基板11に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズル21からプリント配線基板11の表面に向けて紫外線硬化樹脂の流動体35を供給する。所定量の流動体35が噴き出た時点で、ノズル21に形成された透過窓26から流動体に紫外線を照射する。紫外線に曝された流動体では固化反応が引き起こされる。この固化反応によって流動体の粘度は高められる。部分的な粘度の高まりによってノズル21内の流動体に仕切りが形成される。ノズル21の先端から噴き出た流動体35と仕切りとの間で流動体は比較的に簡単に途切れることができる。このように流動体の途切れを調整することができれば、ノズルから噴き出る流動体の供給量は高い精度で制御されることが可能となる。
【選択図】図5
【解決手段】プリント配線基板11に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズル21からプリント配線基板11の表面に向けて紫外線硬化樹脂の流動体35を供給する。所定量の流動体35が噴き出た時点で、ノズル21に形成された透過窓26から流動体に紫外線を照射する。紫外線に曝された流動体では固化反応が引き起こされる。この固化反応によって流動体の粘度は高められる。部分的な粘度の高まりによってノズル21内の流動体に仕切りが形成される。ノズル21の先端から噴き出た流動体35と仕切りとの間で流動体は比較的に簡単に途切れることができる。このように流動体の途切れを調整することができれば、ノズルから噴き出る流動体の供給量は高い精度で制御されることが可能となる。
【選択図】図5
Description
本発明は、プリント配線基板に実装されるフリップチップといった半導体装置とプリント配線基板の表面との間に区画される空間にアンダーフィル材を充填するアンダーフィル方法に関する。
プリント配線基板の表面に対する半導体装置の搭載に先立ってプリント配線基板の表面にアンダーフィル材(例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂)の流動体を塗布するアンダーフィル方法は従来から知られる。半導体装置は、プリント配線基板の表面に盛られたアンダーフィル材上に搭載される。プリント配線基板の表面に半導体装置が押し付けられた状態でアンダーフィル材が硬化すると、半導体装置はプリント配線基板の表面に固定されることができる。このアンダーフィル方法によれば、半導体装置とプリント配線基板の表面との間隔が狭められても、半導体装置とプリント配線基板の表面との間に区画される空間の隅々にまでアンダーフィル材の流動体は行き渡ることができる。そういった空間はアンダーフィル材で確実に満たされる。
こうしたアンダーフィル方法では、個々の半導体装置ごとに流動体の塗布量すなわち供給量が正確に制御される必要がある。流動体の供給量が多すぎれば、半導体装置の周囲からアンダーフィル材の流動体が溢れ出てしまう。プリント配線基板に対する後処理に支障を来す。反対に、流動体の供給量が少なすぎると、半導体装置とプリント配線基板との間で電気的接続を確立する金属製の接続バンプが完全に包み込まれなかったり、プリント配線基板の表面で露出する金属製の配線パターンが完全に覆われなかったりしてしまう。こういった接続バンプや配線パターンの露出が放置されると、接続バンプや配線パターンの腐食が進行することが懸念される。
その一方で、前述のアンダーフィル方法では、個々の半導体装置ごとに順番にアンダーフィル材の硬化が実施されなければならない。したがって、半導体装置の実装に多大な時間が費やされてしまう。しかも、アンダーフィル材の硬化にあたって半導体装置はプリント配線基板の表面に押し付けられなければならない。半導体装置に対する押し付け力が保持されたままアンダーフィル材の硬化が達成されることから、こういったアンダーフィル方法を実現するアンダーフィル装置の構造は複雑化しやすい。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、できる限り正確にアンダーフィル材の供給量を制御することができる半導体装置のアンダーフィル方法を提供することを目的とする。また、本発明は、そういったアンダーフィル方法を実現することができる半導体装置用アンダーフィル装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、正確にアンダーフィル材の供給量を制御するにあたって大いに役立つアンダーフィル材充填シリンジやプリント配線基板、アンダーフィル向け前処理方法を提供することを目的とする。さらにまた、本発明は、プリント配線基板に対する半導体装置の搭載に先立ってプリント配線基板の表面にアンダーフィル材を供給する場合でも、比較的に簡単な構造のアンダーフィル装置を利用することができるアンダーフィル方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1発明によれば、プリント配線基板の表面に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の表面に向けて反応性硬化樹脂の流動体を供給する工程と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズル内で流動体の粘度を高める工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法が提供される。
かかるアンダーフィル方法では、ノズル内で流動体の粘度が高められると、こうした部分的な粘度の高まりによってノズル内の流動体に仕切りが形成される。ノズルの先端から噴き出た流動体と仕切りとの間で流動体は比較的に簡単に途切れることができる。このように流動体の途切れを調整することができれば、ノズルから噴き出る流動体の供給量は比較的に高い精度で制御されることが可能となる。ここで、反応性硬化樹脂には、光線に曝されると硬化する光硬化樹脂や、熱に曝されると硬化する熱硬化樹脂、その他の反応に基づき硬化する樹脂が含まれることができる。
また、第2発明によれば、プリント配線基板の表面に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の表面に向けて光硬化樹脂の流動体を供給する工程と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズルに形成された透過窓から流動体に光線を照射する工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法が提供される。
かかるアンダーフィル方法では、透過窓から流動体に光線が照射されると、光線に曝される流動体では固化反応が引き起こされる。この固化反応によって流動体の粘度は高められる。こうしてノズル内で流動体の粘度が高められると、第1発明と同様に、部分的な粘度の高まりによってノズル内の流動体に仕切りが形成される。ノズルの先端から噴き出た流動体と仕切りとの間で流動体は比較的に簡単に途切れることができる。このように流動体の途切れを調整することができれば、ノズルから噴き出る流動体の供給量は高い精度で制御されることが可能となる。ここで、光硬化樹脂には、例えば紫外線に曝されると硬化する紫外線硬化樹脂や、紫外線のみならず熱に曝されると硬化する紫外線硬化樹脂が用いられることができる。
こうしたアンダーフィル方法を実現するにあたっては、例えば、光不透過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体と、ノズルに形成される透過窓とを備えるアンダーフィル材充填シリンジが用いられればよい。こうしたアンダーフィル材充填シリンジでは、例えば収容体に加えられる圧力に応じてノズルから光硬化樹脂の流動体は噴き出ることができる。透過窓に向けて光線が照射されると、前述のように光硬化樹脂の粘度は高められることができる。
また、こうしたアンダーフィル材充填シリンジに代えて、一般のアンダーフィル材充填シリンジが用いられてもよい。このアンダーフィル材充填シリンジは、周知の通り、光不透過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体とを備える。ただし、ノズルの先端には筒型のアタッチメントが接続される。このアタッチメントには前述のように透過窓が形成される。ノズルから噴き出る光硬化樹脂の流動体はアタッチメント内を通過してアタッチメントの先端から噴き出る。アタッチメントに形成された透過窓に光線が照射されると、アタッチメント内では前述のように光硬化樹脂の粘度は高められることができる。こうしたアタッチメントによれば、アンダーフィル材充填シリンジの構造の変更を伴わずに所望通りに流動体の粘度は高められることが可能となる。
こういったアンダーフィル材充填シリンジを使用するにあたって、例えば半導体装置用アンダーフィル装置は、加工テーブルと、加工テーブルに向き合う支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、噴き出し位置に向かう支持ヘッドの移動を引き起こす位置決め機構と、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力を供給するディスペンサと、噴き出し位置の支持ヘッドおよび加工テーブルの間に規定される照射域に向かって光線を照射する光源とを備えればよい。前述のアンダーフィル材充填シリンジは支持ヘッドに装着される。光硬化樹脂の流動体は、ディスペンサから支持ヘッドに供給される圧力の働きを借りてノズルから噴き出ることができる。ノズル内で流動体の粘度を高めるにあたっては、照射域に透過窓が位置決めされればよい。こういった位置決めには位置決め機構の働きが利用されればよい。
こういった半導体装置用アンダーフィル装置は、さらに、前記加工テーブルに向かう前記光線を遮るマスク部材を備えることが望ましい。こうして光線が遮られれば、ノズルの先端から噴き出た光硬化樹脂が即座に固まってしまうことは確実に回避されることができる。
さらに、第3発明によれば、プリント配線基板に形成されたアンダーフィル材投入孔を覆う半導体装置をプリント配線基板の下向き面に保持しつつ、プリント配線基板の下向き面に光線を照射する工程と、光線の照射中に、プリント配線基板の上向き面側からアンダーフィル材投入孔に光硬化樹脂の流動体を供給する工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法が提供される。
かかるアンダーフィル方法によれば、アンダーフィル材投入孔に供給された光硬化樹脂の流動体は半導体装置に受け止められる。流動体は、半導体装置とプリント配線基板の下向き面との間で広がっていく。このとき、半導体装置の周囲では、溢れ出た光硬化樹脂の流動体は硬化する。流動体の流れは、硬化した光硬化樹脂によって堰き止められる。流動体の広がりは制限される。光硬化樹脂の流動体が必要以上に広がることは回避されることができる。
こうしたアンダーフィル方法を実現するにあたって、半導体装置用アンダーフィル装置は、例えば、噴き出し位置に位置決めされる支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力を供給するディスペンサと、噴き出し位置に位置決めされた支持ヘッドの下方に配置されて、上方に向かって光線を照射する光源とを備えればよい。支持ヘッドには前述のアンダーフィル材充填シリンジが装着されればよい。このアンダーフィル材充填シリンジは、従来と同様に、光不透過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体とを備えればよい。
さらにまた、第4発明によれば、基板本体の表面でアンダーフィル材の塗布予定域に配置される導電性入出力パッドと、アンダーフィル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッドの過密域で基板本体に穿たれる過密側アンダーフィル材投入孔と、アンダーフィル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッドの過疎域で基板本体に穿たれ、過密側アンダーフィル材投入孔に比べて大きく形成される過疎側アンダーフィル材投入孔とを備えることを特徴とするプリント配線基板が提供される。
一般に、プリント配線基板に半導体装置が実装される場面では、半導体装置の導電性の接続バンプはプリント配線基板上の入出力パッドに受け止められる。言い換えれば、入出力パッドの密集度に応じて接続バンプの密集度は必然的に決定されることができる。過密域のように、入出力パッドすなわち接続バンプが密集して配置されると、たとえプリント配線基板の表面と半導体装置との間隔が狭くても、接続バンプを伝ってアンダーフィル材の流動体は広がりやすい。その一方で、過疎域のように、接続バンプが疎らに配置されても、接続バンプの配置に応じて拡大された過疎側アンダーフィル材投入孔が形成されれば、接続バンプの助けを借りずともアンダーフィル材の流動体は容易に半導体装置とプリント配線基板の表面との間で広がっていくことができる。こういった過密側アンダーフィル材投入孔および過疎側アンダーフィル材投入孔は一体に形成されてもよい。
さらにまた、第5発明によれば、プリント配線基板の表面に規定されるアンダーフィル材の塗布予定域にプラズマ照射を施すことを特徴とするアンダーフィル向け前処理方法が提供される。
プラズマ照射によれば、プリント配線基板の表面に付着した汚れが払い除けられ、プリント配線基板の濡れ性は高められることができる。このように濡れ性が高められれば、アンダーフィル材の流動体は容易にプリント配線基板の表面に沿って広がっていくことが可能となる。しかも、塗布予定域の周囲で、流動体の表面張力に比較して大きな表面力が確保されれば、流動体が塗布予定域を超えて広がることは確実に回避されることが可能となる。
さらにまた、第6発明によれば、プリント配線基板の表面に反応性硬化樹脂の流動体を供給する工程と、反応性硬化樹脂の流動体が供給されたプリント配線基板の表面に半導体装置を搭載する工程と、搭載された半導体装置に超音波ヘッドを接触させる工程と、反応性硬化樹脂の流動体を硬化させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の実装方法が提供される。
かかる実装方法によれば、プリント配線基板上に設置された半導体装置には超音波ヘッドから超音波振動が伝達される。その結果、半導体装置は、微細な振幅で高速にプリント配線基板の表面に沿って横揺れする。こうした半導体装置の横揺れは、プリント配線基板上の入出力パッドと半導体装置側の導電性バンプとの間に摩擦を引き起こす。摩擦熱の働きで導電性バンプと入出力パッドとの間には接合が確立される。こうしてプリント配線基板上に半導体装置は固定されることができる。こうしてプリント配線基板上に全ての半導体装置が固定された後に一括で反応性硬化樹脂を硬化させることができれば、半導体装置の実装に費やされる処理時間は短縮化されることができる。しかも、こうした実装方法によれば、反応性硬化樹脂を硬化させるにあたって半導体装置に押し付け力を加え続ける必要はなく、比較的に簡単な構造で半導体装置向け実装装置は構成されることが可能となる。ここで、反応性硬化樹脂には、光線に曝されると硬化する光硬化樹脂や、熱に曝されると硬化する熱硬化樹脂、その他の反応に基づき硬化する樹脂が含まれることができる。
こうした半導体装置の実装方法では、前記超音波ヘッドを接触させるにあたって、前記半導体装置と超音波ヘッドとの間に薄膜フィルムが配置されることが望ましい。前述のように半導体装置に対して超音波ヘッドが接触すると、薄膜フィルムは半導体装置と超音波ヘッドとの間に挟み込まれる。したがって、半導体装置の周囲から溢れ出る反応性硬化樹脂の流動体は薄膜フィルムに付着する。超音波ヘッドに対する反応性硬化樹脂の付着は確実に阻止されることができる。その結果、半導体装置に対して超音波ヘッドは確実に大きな接触面積で接触することができる。半導体装置に対する超音波振動の伝達は確実に確立され続けることができる。
こうした薄膜フィルムを用いることに代えて、半導体装置の外周にフランジが形成されてもよい。こういったフランジはプリント配線基板の表面に段差面を向き合わせる。こうした半導体装置によれば、溢れ出た反応性硬化樹脂の流動体はフランジの段差面に受け止められる。流動体がフランジを回り込んで超音波ヘッドに到達することは極力回避されることができる。その結果、前述と同様に、超音波ヘッドに対する反応性硬化樹脂の付着は確実に阻止されることができる。
こうした半導体装置を形成するにあたって、半導体装置の切り分け方法は、ウェハーから半導体装置を切り出すにあたって、ウェハーに第1溝幅の刻み目を入れる工程と、第1溝幅よりも小さい第2溝幅の切り込みで刻み目に沿って半導体装置を切り離す工程を備えればよい。こうした切り分け方法によれば、比較的に簡単に半導体装置の外周にフランジを形成することができる。
以上のように本発明によれば、プリント配線基板上にアンダーフィル材の流動体を供給するに当たって、できる限り正確にアンダーフィル材の供給量を制御することが可能となる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置用アンダーフィル装置の全体構成を概略的に示す。このアンダーフィル装置10は、例えば水平面でプリント配線基板11を受け止める加工テーブル12と、この加工テーブル12に向き合い、加工テーブル12に設定される三次元座標系上で移動する支持ヘッド13とを備える。三次元座標系は、例えば加工テーブル12の水平面に沿って規定されるx座標軸およびy座標軸と、加工テーブル12の水平面に直交するz座標軸とによって規定されればよい。こうした三次元座標系に基づく支持ヘッド13の動きは例えば位置決め機構14の働きを借りて達成される。位置決め機構14は、例えばx座標軸、y座標軸およびz座標軸に沿って支持ヘッド13を案内する案内機構の組み合わせによって実現されることができる。
支持ヘッド13には、例えば紫外線硬化樹脂といったアンダーフィル材の流動体が充填されたアンダーフィル材充填シリンジ15が着脱自在に装着される。このアンダーフィル材充填シリンジ15には、例えば支持ヘッド13に連結されるディスペンサ16から圧力すなわち空気圧が供給される。アンダーフィル材充填シリンジ15に空気圧が供給されると、後述されるように、シリンジ15に充填された紫外線硬化樹脂の流動体はシリンジ15から加工テーブル12に向かって吐き出される。紫外線硬化樹脂には、紫外線の働きで固化反応が引き起こされるものや、紫外線だけでなく熱の働きで固化反応が引き起こされるものが含まれてもよい。
図1に示されるように、アンダーフィル材充填シリンジ15には紫外線照射装置17が接続される。この紫外線照射装置17はアンダーフィル材充填シリンジ15に向けて光源18から紫外線を照射する。光源18は、図1から明らかなように、マスク部材19によってアンダーフィル材充填シリンジ15に固定されてもよい。こうしたマスク部材19は、光源18から加工テーブル12に向かって照射される紫外線を遮る。したがって、マスク部材19によれば、光源18から照射される紫外線が加工テーブル12上のプリント配線基板11に行き着くことはない。しかも、こうして光源18がアンダーフィル材充填シリンジ15に一体化されれば、アンダーフィル材充填シリンジ15に追随する光源18の移動を実現するにあたって光源18に固有の位置決め機構を設ける必要はない。ただし、光源18はアンダーフィル材充填シリンジ15に一体化される必要は必ずしもなく、アンダーフィル材充填シリンジ15と光源18とに個別に位置決め機構が設けられてもよい。位置決め機構14やディスペンサ16、紫外線照射装置17の働きは例えばコントローラ21によって制御される。
アンダーフィル材充填シリンジ15は、例えば図2に示されるように、光不透過性のノズル21と、このノズル21の基端に一体に形成されて、紫外線硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体22とを備える。収容体22にはピストン23が配置される。ピストン23によれば、収容体22の内部空間は、ディスペンサ16に通じる圧力室24と、ノズル21に通じる樹脂室25とに区分けされる。樹脂室25には紫外線硬化樹脂の流動体が蓄えられる。ディスペンサ16から気圧室24に空気圧が導入されると、ピストン23はノズル21に向かって前進する。その結果、樹脂室25に蓄えられた紫外線硬化樹脂の流動体はノズル21の先端から加工テーブル12に向かって押し出される。
ノズル21には透過窓26が形成される。この透過窓26には例えば透明なガラスや合成樹脂板がはめ込まれる。こうした透過窓26によれば、ノズル21を通過する紫外線硬化樹脂の流動体は、紫外線照射装置17の光源18から照射される紫外線に曝されることができる。ただし、例えば図3に示されるように、透過窓26は、ノズル21に形成される必要は必ずしもなく、ノズル21の先端に接続される筒型のアタッチメント27に形成されてもよい。
ここで、以上のような半導体装置用アンダーフィル装置10によって実現されるアンダーフィル方法を詳述する。いま、例えば図4に示されるように、輪郭(周辺)に沿って球状の金バンプ31が配置される半導体装置(例えばフリップチップ)32がプリント配線基板11上に実装される場面を想定する。プリント配線基板11には、金バンプ31の配置に対応して導電性の入出力パッド33が形成される。こうした入出力パッド33の配置によれば、プリント配線基板11の表面では、入出力パッド33に囲まれた無パッド領域34が区画されることができる。
加工テーブル12にプリント配線基板11が設置されると、支持ヘッド13すなわちアンダーフィル材充填シリンジ15は、例えば図5(a)に示されるように、プリント配線基板11に対して位置決めされる。この位置決めにあたってコントローラ20は位置決め機構14に向けて駆動指令を供給する。駆動指令には、例えば加工テーブル12に設定される三次元座標系に従って指定されるx座標値やy座標値が含まれればよい。こうしてx座標値およびy座標値で特定される待機位置にアンダーフィル材充填シリンジ15が位置決めされると、ノズル21の先端は無パッド領域34の中央に向き合わせられる。ノズル21は、プリント配線基板11の表面に直交する姿勢に維持される。
続いてアンダーフィル材充填シリンジ15は、図5(b)に示されるように、噴き出し位置まで下降する。この下降にあたってコントローラ20は位置決め機構14に向けて駆動指令を供給する。この駆動指令では、前述の三次元座標系に従ってz座標値が指定されればよい。ノズル21は、プリント配線基板11の表面に直交する姿勢に維持され続ける。
アンダーフィル材充填シリンジ15が噴き出し位置に到達した時点で、コントローラ20はディスペンサ16に空気圧の供給を指示する。ディスペンサ16は、予め決められた圧力値の空気圧をアンダーフィル材充填シリンジ15に向けて送り出す。アンダーフィル材充填シリンジ15では、気圧室24に導入される空気圧に応じてピストン23が前進する(例えば図2参照)。その結果、ノズル21の先端から紫外線硬化樹脂の流動体35は噴き出る。
ノズル21から噴き出た紫外線硬化樹脂の流動体35はプリント配線基板11の無パッド領域34に受け止められる。このとき、流動体35の供給量は無パッド領域34の広さに応じて予め決定される。すなわち、流動体35の広がりは、入出力パッド33に囲まれる無パッド領域34内に止められる。その結果、紫外線硬化樹脂の流動体35が入出力パッド33に覆い被さることは阻止される。流動体35の供給量は例えば圧力値の大きさと空気圧の供給時間とによって調整されればよい。
空気圧の供給が終了すると、コントローラ20は紫外線照射装置17に紫外線の照射を指示する。紫外線照射装置17は、図5(c)に示されるように、光源18からアンダーフィル材充填シリンジ15に向けて紫外線を照射する。アンダーフィル材充填シリンジ15では、透過窓26からノズル21の内部に紫外線が射し込む。
紫外線の照射が終了すると、アンダーフィル材充填シリンジ15は、図5(d)に示されるように、再び待機位置まで上昇する。この上昇にあたってコントローラ20は位置決め機構14に向けて駆動指令を供給する。この駆動指令では、前述と同様に、三次元座標系に従ってz座標値が指定されればよい。アンダーフィル材充填シリンジ15が上昇すると、ノズル21の先端は、噴き出た紫外線硬化樹脂の流動体35から引き離される。こうして半導体装置32の搭載に先立って、ノズル21からプリント配線基板11の表面に向けて流動体35の供給は実現される。
流動体35の供給が完了すると、図6(a)に示されるように、プリント配線基板11の表面には半導体装置32が搭載される。半導体装置32の金バンプ31は真っ先にプリント配線基板11上の入出力パッド33に受け止められる。続いて半導体装置32には、プリント配線基板11の表面に直交する方向に押し付け力が加えられる。半導体装置32はプリント配線基板11の表面に対して押し付けられる。金バンプ31は押し潰される。金バンプ31が押し潰されるにつれて、半導体装置32とプリント配線基板11との間隔は狭められる。こうして間隔が狭められると、半導体装置32とプリント配線基板11の表面との間では、挟み込まれた紫外線硬化樹脂の流動体36は半導体装置32の外周に向かって押し出される。その結果、図6(b)に示されるように、入出力パッド33に受け止められた金バンプ31の周囲に紫外線硬化樹脂の流動体36は行き渡る。入出力パッド33上では金バンプ31は紫外線硬化樹脂の流動体36に完全に埋もれる。
その後、押し付け力の解放に先立って、プリント配線基板11上の紫外線硬化樹脂に向けて紫外線が照射される。紫外線硬化樹脂が完全に硬化すると、半導体装置32はプリント配線基板11の表面に強固に固定される。半導体装置32とプリント配線基板11との間には金バンプ31および入出力パッド33の働きによって確実に電気的接続は確立される。こうして半導体装置32の実装は完了する。
前述のように紫外線が照射されると、ノズル21では、例えば図7(a)に示されるように、紫外線の照射域37で流動体の固化反応が引き起こされる。この固化反応によって照射域37では流動体の粘度は高められる。こうした部分的な粘度の高まりによって、ノズル21内の流動体には仕切り域38が形成される。この仕切り域38によれば、ノズル21内の流動体は、プリント配線基板11の表面に向かって噴き出た流動体35に連なる先端流動域39と、収容体25に蓄えられた流動体に連なる残留流動域40とに分断される。
その後、アンダーフィル材充填シリンジ15が上昇すると、図7(b)に示されるように、流動体の先端流動域39は、噴き出た流動体36との連続性を維持する。したがって、先端流動域39はノズル21から引っ張り出される。その一方で、仕切り域38は確実にノズル21内に残留する。その結果、ノズル21内の流動体は先端流動域39と仕切り域38との境界で確実に途切れる。こうして流動体が常に同一の位置で途切れれば、正確な供給量で流動体はノズル21から噴き出ることが可能となる。その一方で、粘度の高まりに応じて仕切り域38が形成されない場合には、流動体の供給量に微妙なばらつきが生じることが確認された。こうしたばらつきによれば、流動体の供給量が多すぎて半導体装置32の周囲から過度にアンダーフィル材の流動体が溢れ出たり、流動体の供給量が少なすぎて金バンプ31や配線パターンが完全に覆われなかったりしてしまう。
仕切り域38に対する先端流動域39の確実な途切れを実現するには、仕切り域38の粘度は先端流動域39の粘度すなわち紫外線の照射以前の粘度(=3000cps〜6000cps程度)の1.5倍程度以上に設定されればよい。ただし、粘度が高すぎると、流動体の流動性が完全に失われてしまい、その後の流動体の供給に支障を来してしまう。したがって、粘度の設定にあたっては、こういった流動性が考慮されなければならない。仕切り域38の粘度は紫外線の照射時間に基づき制御されればよい。
なお、以上のようなアンダーフィル方法では、光源18の点滅によって紫外線の照射量が決定されてもよく、例えば透過窓26を開閉するシャッタ(図示せず)を用いて紫外線の照射量が決定されてもよい。
図8は、紫外線硬化樹脂の流動体35が盛られたプリント配線基板11に半導体装置32を固定する実装装置42を概略的に示す。この実装装置42は、例えば水平面でプリント配線基板11を受け止める加工テーブル43と、この加工テーブル43に向き合う超音波ヘッド44とを備える。超音波ヘッド44は、前述と同様に位置決め機構45の働きを借りて加工テーブル43に対して位置決めされることができる。
超音波ヘッド44には超音波振動装置46と減圧装置47とが接続される。超音波振動装置46で生成される超音波振動は振動子48から超音波ヘッド44に伝達される。その結果、超音波ヘッド44は、例えば2μmといった微細な振幅で水平方向に高速に横揺れすることができる。減圧装置46は、超音波ヘッド44に形成される減圧路49から例えば空気を吸引する。
超音波ヘッド44と加工テーブル43との間にはフィルム供給装置51が配置される。このフィルム供給装置51は、従ロール52に巻き付けられた薄膜フィルムテープ53を巻き上げる駆動ロール54を備える。駆動ロール54が回転すると、薄膜フィルムテープ53は、超音波ヘッド44と加工テーブル43との間に形成される空間を横切ることができる。薄膜フィルムテープ53は例えばテフロン樹脂やポリイミド樹脂から形成されればよい。位置決め機構45や超音波振動装置46、減圧装置47、フィルム供給装置51の働きは例えばコントローラ55によって制御される。
ここで、以上のような実装装置42によって実現される半導体装置の実装方法を詳述する。いま、例えば図8に示されるように、紫外線硬化樹脂の流動体35が盛られたプリント配線基板11に半導体装置32が搭載された場面を想定する。まず、超音波ヘッド44は半導体装置32に対して位置決めされる。その後、例えば図9に示されるように、超音波ヘッド44は下降する。超音波ヘッド44の先端は半導体装置32に接触する。こうした超音波ヘッド44の位置決めや下降にあたってコントローラ55は位置決め機構45に向けて駆動指令を供給する。
続いてコントローラ55は減圧装置47に空気の吸引を指示する。減圧路49から空気が吸引されると、減圧路49の圧力は減少する。その結果、半導体装置32は超音波ヘッド44の先端に吸着される。こういった吸着を確立するにあたって、薄膜フィルムテープ53には、半導体装置32と減圧路49の先端とを接触させる貫通孔(図示せず)が予め形成される。
こうして超音波ヘッド44に半導体装置32が固定されると、コントローラ55は超音波振動装置46に超音波振動の生成を指示する。生成された超音波振動は振動子48から超音波ヘッド44に伝達される。超音波ヘッド44は微細な振幅で高速に横揺れする。超音波ヘッド44の横揺れは確実に半導体装置32に伝達される。こうした半導体装置32の横揺れは、プリント配線基板11上の入出力パッド33と半導体装置32側の金バンプ31との間に摩擦を引き起こす。摩擦熱の働きで金バンプ31と入出力パッド33との間には接合が確立される。プリント配線基板11上に半導体装置32は固定される。
接合が確立されると、超音波振動装置46の動作は停止する。続いて減圧装置47の作動が停止すると、減圧路49の圧力は上昇する。超音波ヘッド44に対する半導体装置32の吸着は解除される。位置決め機構45の働きを借りて超音波ヘッド44は再び上昇する。こうした超音波振動装置46、減圧装置47および位置決め機構45の動作は、コントローラ55から出力される指令に基づき実施される。
その後、紫外線硬化樹脂の流動体35には紫外線が照射される。紫外線硬化樹脂が完全に硬化すると、半導体装置32の実装は完了する。紫外線硬化樹脂の硬化は、プリント配線基板11の表面に個々の半導体装置32が搭載されるたびに実施されてもよく、プリント配線基板11の表面に複数個の半導体装置32が搭載された後に実施されてもよい。ただし、全ての半導体装置32が搭載された後に紫外線硬化樹脂の硬化が実施されれば、作業工程の短縮化や簡略化に大いに役立つことができる。
以上のような実装方法では、半導体装置32に対する超音波ヘッド44の接触時に半導体装置32と超音波ヘッド44との間に薄膜フィルムテープ53が挟み込まれる。したがって、例えば図9から明らかなように、半導体装置32の周囲から溢れ出た紫外線硬化樹脂の流動体35は薄膜フィルムテープ53に付着する。超音波ヘッド44に対する紫外線硬化樹脂の付着は確実に阻止されることができる。超音波ヘッド44は、常に、大きな接触面積で半導体装置32に接触し続けることができる。したがって、半導体装置32に対する超音波振動の伝達や吸着は確実に維持され続けることができる。超音波ヘッド44の先端に紫外線硬化樹脂の流動体が付着してしまうと、超音波ヘッド44に対して半導体装置32が吸着されなかったり、超音波ヘッド44の振動が半導体装置32に伝達されなかったりすることがある。
紫外線硬化樹脂の流動体が付着した薄膜フィルムテープ53は駆動ロール54によって巻き取られる。半導体装置32に超音波ヘッド44が接触するたびに駆動ロール54の巻き上げが実施されれば、半導体装置32と超音波ヘッド44との間には、従ロール52から巻き解かれた新しい薄膜フィルムテープ53が常に配置されることができる。薄膜フィルムテープ53に付着した紫外線硬化樹脂は駆動ロール54に確実に回収されることができる。
超音波ヘッド44に対する紫外線硬化樹脂の付着を防止するにあたっては、例えば図10に示されるように、半導体装置57の外周にフランジ58が形成されてもよい。こうしたフランジ58によって規定される段差面59はプリント配線基板11の表面に向き合わせられる。こうした半導体装置57によれば、図10から明らかなように、溢れ出た紫外線硬化樹脂の流動体35はフランジ58の段差面59に受け止められる。流動体35がフランジ58を回り込んで超音波ヘッド44に到達することは極力回避されることができる。その結果、前述と同様に、超音波ヘッド44に対する紫外線硬化樹脂の付着は確実に阻止されることができる。
ここで、以上のような半導体装置57の形成方法を簡単に説明する。まず、図11(a)に示されるように、ウェハー61から個々の半導体装置57を切り出すにあたって、ウェハー61の表面に第1溝幅W1の刻み目62を入れる。こうした刻み目62の形成には、例えば第1溝幅W1に対応する第1厚みのカットソー63が用いられればよい。続いて、図11(b)に示されるように、形成された刻み目62に沿って個々の半導体装置57を切り離す。この切り離しにあたって、刻み目62には、第1溝幅W1よりも小さい第2溝幅W2の切り込み64が入れられる。こうした切り込み64には、例えば第2溝幅W2に対応する第2厚みのカットソー65が用いられればよい。刻み目62の中心線に沿って切り込み64が入れられれば、刻み目62を挟んで配列される1対の半導体装置57に各々段差面59が形成されることができる。
なお、このように超音波ヘッド44を用いた半導体装置32、57の実装方法では、前述のような紫外線硬化樹脂がアンダーフィル材に用いられることができるだけでなく、熱硬化樹脂やその他の反応性硬化樹脂がアンダーフィル材に用いられてもよい。
図12は本発明の第2実施形態に係る半導体装置用アンダーフィル装置の全体構成を概略的に示す。このアンダーフィル装置71は、例えば水平面でプリント配線基板72を受け止める加工テーブル73と、この加工テーブル73に向き合い、加工テーブル73に設定される三次元座標系上で移動する支持ヘッド74とを備える。加工テーブル73には紫外線照射装置75の光源76が埋め込まれる。この紫外線照射装置75の光源76は上方に向かって紫外線を照射する。
三次元座標系は、例えば加工テーブル73の水平面に沿って規定されるx座標軸およびy座標軸と、加工テーブル73の水平面に直交するz座標軸とによって規定されればよい。こうした三次元座標系に基づく支持ヘッド74の動きは例えば位置決め機構77の働きを借りて達成される。位置決め機構77は、例えばx座標軸、y座標軸およびz座標軸に沿って支持ヘッド74を案内する案内機構の組み合わせによって実現されることができる。
支持ヘッド74には、例えば紫外線硬化樹脂といったアンダーフィル材の流動体が充填されたアンダーフィル材充填シリンジ78が着脱自在に装着される。このアンダーフィル材充填シリンジ78には、例えば支持ヘッド74に連結されるディスペンサ79から圧力すなわち空気圧が供給される。アンダーフィル材充填シリンジ78に空気圧が供給されると、前述と同様に、シリンジ78に充填された紫外線硬化樹脂の流動体はシリンジ78から加工テーブル73に向かって吐き出される。紫外線硬化樹脂には、紫外線の働きで固化反応が引き起こされるものや、紫外線だけでなく熱の働きで固化反応が引き起こされるものが含まれてもよい。位置決め機構77やディスペンサ79、紫外線照射装置75の働きは例えばコントローラ80によって制御される。
ここで、以上のような半導体装置用アンダーフィル装置71で実現されるアンダーフィル方法を詳述する。このアンダーフィル方法を実施するにあたって、プリント配線基板72には予め半導体装置82が固着される。こうした半導体装置82の固着には、例えば図13に示されるように、プリント配線基板72上の入出力パッド83に半田付けされる半田バンプや、前述のように入出力パッド83に超音波振動で接合される金バンプといった導電性の接続バンプ84が用いられれればよい。こういった接続バンプ84は、前述と同様に、例えば半導体装置82の輪郭(周辺)に沿って配置されればよい。
接続バンプ84に囲まれつつ半導体装置82とプリント配線基板72との間に区画される空間には、プリント配線基板72に形成されたアンダーフィル材投入孔85が接続される。加工テーブル73にプリント配線基板72が設置されると、図13から明らかなように、半導体装置82は、アンダーフィル材投入孔85と紫外線照射装置75の光源76との間に配置される。すなわち、半導体装置82は、プリント配線基板72の下向き面でアンダーフィル材投入孔85を覆う。
続いて支持ヘッド74すなわちアンダーフィル材充填シリンジ78は、プリント配線基板72に対して位置決めされつつ下降する。前述と同様に、位置決めや下降にあたってコントローラ80は位置決め機構77に駆動指令を供給する。こうしてアンダーフィル材充填シリンジ78が噴き出し位置に到達すると、アンダーフィル材充填シリンジ78の先端すなわちノズル86はアンダーフィル材投入孔85に進入する。
アンダーフィル材充填シリンジ78が噴き出し位置に到達した時点で、コントローラ80はディスペンサ79に空気圧の供給を指示する。ディスペンサ79は、予め決められた圧力値の空気圧をアンダーフィル材充填シリンジ78に向けて送り出す。その結果、前述と同様に、ノズル86の先端から紫外線硬化樹脂の流動体88は噴き出る。紫外線硬化樹脂の流動体88は、プリント配線基板72の上向き面側からアンダーフィル材投入孔85に供給される。供給された紫外線硬化樹脂の流動体88は半導体装置82に受け止められる。半導体装置82とプリント配線基板72の表面との間に区画される空間は紫外線硬化樹脂の流動体88で満たされていく。
ノズル86から紫外線硬化樹脂の流動体88が注ぎ込まれる間、コントローラ80は紫外線照射装置75に紫外線の照射を指示する。プリント配線基板72の下向き面には光源76から紫外線が照射される。その結果、半導体装置82の周囲では、溢れ出た紫外線硬化樹脂の流動体は硬化する。流動体88の流れは硬化した紫外線硬化樹脂によって堰き止められる。したがって、流動体の広がりは制限される。紫外線硬化樹脂の流動体が必要以上に広がることは回避されることができる。
空気圧の供給が終了すると、アンダーフィル材充填シリンジ78は再び上昇する。前述と同様に、この上昇にあたってコントローラ80は位置決め機構77に向けて駆動指令を供給する。その後、紫外線の照射が継続されると、紫外線硬化樹脂の流動体88は完全に硬化する。半導体装置82の実装は完了する。
以上のようなアンダーフィル方法を実施するにあたって、プリント配線基板72に形成されるアンダーフィル材投入孔85は、例えば図14に示されるように、過密側アンダーフィル材投入孔91と過疎側アンダーフィル材投入孔92とで構成されてもよい。すなわち、このプリント配線基板72では、基板本体93の表面でアンダーフィル材の塗布予定域94に複数個の入出力パッド95は配置される。この塗布予定域94内では、任意の基準に基づき入出力パッド95の過密域96と過疎域97とが区画されることができる。過密側アンダーフィル材投入孔91は過密域96に配置される一方で、過疎側アンダーフィル材投入孔92は過疎域97に配置される。過疎側アンダーフィル材投入孔92は、図14から明らかなように、過密側アンダーフィル材投入孔91に比べて大きく形成される。しかも、過疎側アンダーフィル材投入孔92は過密側アンダーフィル材投入孔91に一体に形成される。塗布予定域94は、プリント配線基板72に実装される半導体装置の輪郭形状の基づき規定されればよい。
こうしたプリント配線基板72に半導体装置が実装される場面では、半導体装置の導電性の接続バンプはプリント配線基板72上の入出力パッド95に受け止められる。言い換えれば、入出力パッド95の密集度に応じて接続バンプの密集度は必然的に決定されることができる。過密域96のように、入出力パッド95すなわち接続バンプが密集して配置されると、たとえプリント配線基板72の表面と半導体装置との間隔が狭くても、接続バンプを伝ってアンダーフィル材の流動体は広がりやすい。その一方で、過疎域97のように、接続バンプが疎らに配置されても、接続バンプの配置に応じて拡大された過疎側アンダーフィル材投入孔92が形成されれば、接続バンプの助けを借りずともアンダーフィル材の流動体は容易に半導体装置とプリント配線基板72の表面との間で広がっていくことができる。このようなアンダーフィル材投入孔85が用いられなければ、半導体装置とプリント配線基板72の表面との間隔が狭められるにつれて流動体の広がりは著しく阻害されてしまう。
いずれのアンダーフィル方法を採用する場合でも、例えば図15に示されるように、プリント配線基板101の表面に規定されるアンダーフィル材の塗布予定域102にプラズマ照射が施されることが望ましい。こうしたプラズマ照射によれば、プリント配線基板101の表面に付着した汚れが払い除けられ、プリント配線基板101表面の濡れ性は高められることができる。このように濡れ性が高められれば、アンダーフィル材の流動体103は容易にプリント配線基板101の表面に沿って広がっていくことが可能となる。塗布予定域102の周囲で、流動体103の表面張力に比較して大きな表面力が確保されれば、流動体103が塗布予定域102を超えて広がることは確実に回避されることが可能となる。塗布予定域102は、プリント配線基板101に実装される半導体装置104の輪郭形状の基づき規定されればよい。
1 半導体装置用アンダーフィル装置、11 プリント配線基板、12 加工テーブル、13 支持ヘッド、14 位置決め機構、15 アンダーフィル材充填シリンジ、16 ディスペンサ、18 光源、19 マスク部材、21 ノズル、22 収容体、26 透過窓、27 アタッチメント、32 半導体装置、35 紫外線硬化樹脂(反応性硬化樹脂)の流動体、44 超音波ヘッド、53 薄膜フィルムテープ、57 半導体装置、58 フランジ、59 段差面、61 ウェハー、62 刻み目、64 切り込み、71 半導体装置用アンダーフィル装置、72 プリント配線基板、74 支持ヘッド、76 光源、79 ディスペンサ、82 半導体装置、85 アンダーフィル材投入孔、88 紫外線硬化樹脂(光硬化樹脂)の流動体、91 過密側アンダーフィル材投入孔、92 過疎側アンダーフィル材投入孔、93 基板本体、94 塗布予定域、95 導電性入出力パッド、96 過密域、97 過疎域、101 プリント配線基板、102 塗布予定域、W1 第1溝幅、W2 第2溝幅。
Claims (14)
- プリント配線基板の表面に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の表面に向けて反応性硬化樹脂の流動体を供給する工程と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズル内で流動体の粘度を高める工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法。
- プリント配線基板の表面に対する半導体装置の搭載に先立って、ノズルからプリント配線基板の表面に向けて光硬化樹脂の流動体を供給する工程と、所定量の流動体が噴き出た時点で、ノズルに形成された透過窓から流動体に光線を照射する工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法。
- 光不透過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体と、ノズルに形成される透過窓とを備えることを特徴とするアンダーフィル材充填シリンジ。
- 光不透過性のノズルと、ノズルの基端に接続されて、光硬化樹脂の流動体で満たされる光不透過性の収容体と、ノズルの先端に接続される筒型のアタッチメントと、アタッチメントに形成される透過窓とを備えることを特徴とするアンダーフィル材充填シリンジ。
- 加工テーブルと、加工テーブルに向き合う支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、噴き出し位置に向かう支持ヘッドの移動を引き起こす位置決め機構と、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力を供給するディスペンサと、噴き出し位置の支持ヘッドおよび加工テーブルの間に規定される照射域に向かって光線を照射する光源とを備えることを特徴とする半導体装置用アンダーフィル装置。
- 請求項5に記載の半導体装置用アンダーフィル装置において、前記加工テーブルに向かう前記光線を遮るマスク部材をさらに備えることを特徴とする半導体装置用アンダーフィル装置。
- プリント配線基板に形成されたアンダーフィル材投入孔を覆う半導体装置をプリント配線基板の下向き面に保持しつつ、プリント配線基板の下向き面に光線を照射する工程と、光線の照射中に、プリント配線基板の上向き面側からアンダーフィル材投入孔に光硬化樹脂の流動体を供給する工程とを備えることを特徴とする半導体装置のアンダーフィル方法。
- 噴き出し位置に位置決めされる支持ヘッドと、支持ヘッドに連結されて、支持ヘッドに向けて圧力を供給するディスペンサと、噴き出し位置に位置決めされた支持ヘッドの下方に配置されて、上方に向かって光線を照射する光源とを備えることを特徴とする半導体装置用アンダーフィル装置。
- 基板本体の表面でアンダーフィル材の塗布予定域に配置される導電性入出力パッドと、アンダーフィル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッドの過密域で基板本体に穿たれる過密側アンダーフィル材投入孔と、アンダーフィル材の塗布予定域に規定される導電性入出力パッドの過疎域で基板本体に穿たれ、過密側アンダーフィル材投入孔に比べて大きく形成される過疎側アンダーフィル材投入孔とを備えることを特徴とするプリント配線基板。
- プリント配線基板の表面に規定されるアンダーフィル材の塗布予定域にプラズマ照射を施すことを特徴とするアンダーフィル向け前処理方法。
- プリント配線基板の表面に反応性硬化樹脂の流動体を供給する工程と、反応性硬化樹脂の流動体が供給されたプリント配線基板の表面に半導体装置を搭載する工程と、搭載された半導体装置に超音波ヘッドを接触させる工程と、反応性硬化樹脂の流動体を硬化させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。
- 請求項11に記載の半導体装置の実装方法において、前記超音波ヘッドを接触させるにあたって、前記半導体装置と超音波ヘッドとの間には薄膜フィルムが配置されることを特徴とする半導体装置の実装方法。
- 請求項11に記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置の外周には、前記プリント配線基板の表面に段差面を向き合わせるフランジが形成されることを特徴とする半導体装置の実装方法。
- ウェハーから半導体装置を切り出すにあたって、ウェハーに第1溝幅の刻み目を入れる工程と、第1溝幅よりも小さい第2溝幅の切り込みで刻み目に沿って半導体装置を切り離す工程を備えることを特徴とする半導体装置の切り分け方法。
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