JP2001148475A - 二次元画像検出器の製造方法および二次元画像検出器 - Google Patents
二次元画像検出器の製造方法および二次元画像検出器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 二次元画像検出器の製造工程において、アク
ティブ素子アレイや半導体層の性能が劣化することを避
ける。 【解決手段】 ガラス基板上にＴＦＴアレイを形成する
（工程Ｐ１）。ＴＦＴアレイを形成した領域を覆う表面
保護層をガラス基板に形成する（工程Ｐ２）。表面保護
層を形成した状態でガラス基板を分断してアクティブマ
トリクス基板を形成する（工程Ｐ３）。分断したアクテ
ィブマトリクス基板のエッジの面取りを行う（工程Ｐ
４）。アクティブマトリクス基板から表面保護層を除去
する（工程Ｐ５）。表面保護層を除去した領域における
ＴＦＴアレイ上にＸ線導電層を形成する（工程Ｐ６）。
以上の工程により、ガラス基板の分断や面取りの際に生
じる汚染物が、ＴＦＴアレイやＸ線導電層を汚染するこ
とを防止する。
ティブ素子アレイや半導体層の性能が劣化することを避
ける。 【解決手段】 ガラス基板上にＴＦＴアレイを形成する
（工程Ｐ１）。ＴＦＴアレイを形成した領域を覆う表面
保護層をガラス基板に形成する（工程Ｐ２）。表面保護
層を形成した状態でガラス基板を分断してアクティブマ
トリクス基板を形成する（工程Ｐ３）。分断したアクテ
ィブマトリクス基板のエッジの面取りを行う（工程Ｐ
４）。アクティブマトリクス基板から表面保護層を除去
する（工程Ｐ５）。表面保護層を除去した領域における
ＴＦＴアレイ上にＸ線導電層を形成する（工程Ｐ６）。
以上の工程により、ガラス基板の分断や面取りの際に生
じる汚染物が、ＴＦＴアレイやＸ線導電層を汚染するこ
とを防止する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
可視光線、赤外線などを受けて画像を検出する二次元画
像検出器の製造方法およびその二次元画像検出器に関す
るものである。
可視光線、赤外線などを受けて画像を検出する二次元画
像検出器の製造方法およびその二次元画像検出器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、放射線二次元画像検出器（以下、
単に二次元画像検出器と称す）として、Ｘ線などの放射
線（以下、単に放射線と称す）を感知して電荷（電子−
正孔）を発生する半導体センサを二次元行列状に配置
し、これらにそれぞれスイッチング素子を設けたものが
知られている。この二次元画像検出器では、一行のスイ
ッチング素子を全てオンにして、各列ごとに半導体セン
サの電荷を読み出す動作を、各行に対して行うことによ
り二次元画像を検出することができる。
単に二次元画像検出器と称す）として、Ｘ線などの放射
線（以下、単に放射線と称す）を感知して電荷（電子−
正孔）を発生する半導体センサを二次元行列状に配置
し、これらにそれぞれスイッチング素子を設けたものが
知られている。この二次元画像検出器では、一行のスイ
ッチング素子を全てオンにして、各列ごとに半導体セン
サの電荷を読み出す動作を、各行に対して行うことによ
り二次元画像を検出することができる。
【０００３】上記の二次元画像検出器に関しては、例え
ば、L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active
-Matrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID
97 DIGEST,pp.91-94,1997、特開平６−３４２０９８な
どに具体的な構造や原理が開示されている。
ば、L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active
-Matrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID
97 DIGEST,pp.91-94,1997、特開平６−３４２０９８な
どに具体的な構造や原理が開示されている。
【０００４】以下では、上記従来の二次元画像検出器の
構造と原理について図１３および図１４を用いて説明す
る。図１３は、二次元画像検出器の構造を模式的に示し
た斜視図である。また、図１４は、図１３の１画素当た
りの構造を示す断面図である。
構造と原理について図１３および図１４を用いて説明す
る。図１３は、二次元画像検出器の構造を模式的に示し
た斜視図である。また、図１４は、図１３の１画素当た
りの構造を示す断面図である。
【０００５】上記二次元画像検出器は、アクティブマト
リクス基板１００、光導電膜１１２、誘電体層１１４、
上部電極１１６、高圧電源１１８およびアンプ１２０を
有している。
リクス基板１００、光導電膜１１２、誘電体層１１４、
上部電極１１６、高圧電源１１８およびアンプ１２０を
有している。
【０００６】アクティブマトリクス基板１００は、ガラ
ス基板１０２、ガラス基板１０２上にＸＹマトリクス状
（二次元行列状）に配置された電極配線（ゲート電極線
１０４ａおよびデータ電極線１０４ｂ）１０４、電極配
線１０４に接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
と称す）１０６、およびＴＦＴ１０６に接続された電荷
蓄積容量１０８などから構成されている。
ス基板１０２、ガラス基板１０２上にＸＹマトリクス状
（二次元行列状）に配置された電極配線（ゲート電極線
１０４ａおよびデータ電極線１０４ｂ）１０４、電極配
線１０４に接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
と称す）１０６、およびＴＦＴ１０６に接続された電荷
蓄積容量１０８などから構成されている。
【０００７】このアクティブマトリクス基板１００は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるものを流用す
ることが可能である。アクティブマトリクス型液晶表示
装置（ＡＭＬＣＤ）に用いられるアクティブマトリクス
基板１００は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成されたＴ
ＦＴ１０６や、電極配線１０４、電荷蓄積容量１０８な
どを備えた構造になっているため、若干の設計変更を行
うことにより上記二次元画像検出器として用いることが
できる。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるものを流用す
ることが可能である。アクティブマトリクス型液晶表示
装置（ＡＭＬＣＤ）に用いられるアクティブマトリクス
基板１００は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成されたＴ
ＦＴ１０６や、電極配線１０４、電荷蓄積容量１０８な
どを備えた構造になっているため、若干の設計変更を行
うことにより上記二次元画像検出器として用いることが
できる。
【０００８】そして、このアクティブマトリクス基板１
００のほぼ全面を覆うように、光導電膜１１２、誘電体
層１１４および上部電極１１６が形成されている。
００のほぼ全面を覆うように、光導電膜１１２、誘電体
層１１４および上部電極１１６が形成されている。
【０００９】この光導電膜１１２には、放射線が照射さ
れることで電荷（電子−正孔）を発生する半導体材料が
用いられている。上記各文献では、暗抵抗が高く、放射
線（Ｘ線）照射に対して良好な光電特性を示し、蒸着に
より大面積成膜が容易であることから、光導電膜１１２
として非晶質（アモルファス）セレニウム（以下、ａ−
Ｓｅと称す）が用いられている。そして、このａ−Ｓｅ
を真空蒸着法によって３００μｍから６００μｍの間の
厚みとなるように成膜することにより、光導電膜１１２
が形成されている。
れることで電荷（電子−正孔）を発生する半導体材料が
用いられている。上記各文献では、暗抵抗が高く、放射
線（Ｘ線）照射に対して良好な光電特性を示し、蒸着に
より大面積成膜が容易であることから、光導電膜１１２
として非晶質（アモルファス）セレニウム（以下、ａ−
Ｓｅと称す）が用いられている。そして、このａ−Ｓｅ
を真空蒸着法によって３００μｍから６００μｍの間の
厚みとなるように成膜することにより、光導電膜１１２
が形成されている。
【００１０】次に、上記二次元画像検出器の動作原理に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】ａ−Ｓｅ膜などにより形成された光導電膜
１１２に放射線が入射すると、光導電膜１１２内に電荷
（電子−正孔）が発生する。図１３および図１４に示す
ように、上部電極１１６と電荷蓄積容量１０８のＣｓ電
極１０８ａとは、電気的に直列に接続された構造になっ
ている。これにより、上部電極１１６とＣｓ電極１０８
ａとの間に電圧を印加することで、光導電膜１１２に発
生した電子および正孔が、それぞれ＋電極側および−電
極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量１０８に電荷が
蓄積されることになる。
１１２に放射線が入射すると、光導電膜１１２内に電荷
（電子−正孔）が発生する。図１３および図１４に示す
ように、上部電極１１６と電荷蓄積容量１０８のＣｓ電
極１０８ａとは、電気的に直列に接続された構造になっ
ている。これにより、上部電極１１６とＣｓ電極１０８
ａとの間に電圧を印加することで、光導電膜１１２に発
生した電子および正孔が、それぞれ＋電極側および−電
極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量１０８に電荷が
蓄積されることになる。
【００１２】上記のようにして電荷蓄積容量１０８に蓄
積された電荷は、ゲート電極線１０４ａの入力信号によ
ってＴＦＴ１０６をオン状態にすることで、データ電極
線１０４ｂを通じてアンプ１２０に取り出される。ここ
で、電極配線１０４（ゲート電極線１０４ａおよびデー
タ電極線１０４ｂ）、ＴＦＴ１０６、電荷蓄積容量１０
８は、上記のようにＸＹマトリクス状に配置されている
ため、各ゲート電極線１０４ａに入力する入力信号を順
次走査することで、放射線による二次元的な画像情報を
得ることが可能になる。
積された電荷は、ゲート電極線１０４ａの入力信号によ
ってＴＦＴ１０６をオン状態にすることで、データ電極
線１０４ｂを通じてアンプ１２０に取り出される。ここ
で、電極配線１０４（ゲート電極線１０４ａおよびデー
タ電極線１０４ｂ）、ＴＦＴ１０６、電荷蓄積容量１０
８は、上記のようにＸＹマトリクス状に配置されている
ため、各ゲート電極線１０４ａに入力する入力信号を順
次走査することで、放射線による二次元的な画像情報を
得ることが可能になる。
【００１３】なお、この二次元画像検出器は、光導電膜
１１２が放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や
赤外光に対しても光導電性を有する場合は、可視光や赤
外光に対する二次元画像検出器としても用いることがで
きる。例えば、上記のａ−Ｓｅ膜は、可視光に対して良
好な光導電性を有しており、高電界印加時のアバランシ
ェ効果を利用した高感度イメージセンサ（二次元画像検
出器）の開発なども進められている。
１１２が放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や
赤外光に対しても光導電性を有する場合は、可視光や赤
外光に対する二次元画像検出器としても用いることがで
きる。例えば、上記のａ−Ｓｅ膜は、可視光に対して良
好な光導電性を有しており、高電界印加時のアバランシ
ェ効果を利用した高感度イメージセンサ（二次元画像検
出器）の開発なども進められている。
【００１４】上記のような二次元画像検出器の製造工程
においては、アクティブマトリクス素子（ＴＦＴ１０６
や電荷蓄積容量１０８など）を形成した後に続く工程と
して、次のＡからＣの３つの工程が必ず必要となる。 Ａ．ａ−Ｓｅ成膜工程 この工程は、アクティブマトリクス基板１００上の、少
なくともアクティブマトリクス素子が形成されている領
域に、真空蒸着法によってａ−Ｓｅ膜を成膜する工程で
ある。 Ｂ．ガラス分断工程 この工程は、スクライブ法やダイシング法により、マザ
ーガラスからアクティブマトリクス基板１００を切り出
す工程である。
においては、アクティブマトリクス素子（ＴＦＴ１０６
や電荷蓄積容量１０８など）を形成した後に続く工程と
して、次のＡからＣの３つの工程が必ず必要となる。 Ａ．ａ−Ｓｅ成膜工程 この工程は、アクティブマトリクス基板１００上の、少
なくともアクティブマトリクス素子が形成されている領
域に、真空蒸着法によってａ−Ｓｅ膜を成膜する工程で
ある。 Ｂ．ガラス分断工程 この工程は、スクライブ法やダイシング法により、マザ
ーガラスからアクティブマトリクス基板１００を切り出
す工程である。
【００１５】ここで、マザーガラスとは、アクティブマ
トリクス素子が形成されているガラスの母材であり、こ
のマザーガラスを所定のサイズに分断することによりア
クティブマトリクス基板１００が形成される。
トリクス素子が形成されているガラスの母材であり、こ
のマザーガラスを所定のサイズに分断することによりア
クティブマトリクス基板１００が形成される。
【００１６】また、この工程では、アクティブマトリク
ス基板１００を切り出した後、必要に応じてアクティブ
マトリクス基板１００の分断部におけるエッジの面取り
処理を行う。
ス基板１００を切り出した後、必要に応じてアクティブ
マトリクス基板１００の分断部におけるエッジの面取り
処理を行う。
【００１７】なお、アクティブマトリクス素子形成後に
ガラス分断工程を行うのは次の理由による。第１の理由
は、アクティブマトリクス基板１００の製造ラインが、
特定の基板サイズを対象とした専用装置からなっている
ことにある。したがって、マザーガラスとして、それら
の専用装置に適したサイズのものを用い、アクティブマ
トリクス素子形成後に、二次元画像検出器として必要な
サイズに分断する必要がある。
ガラス分断工程を行うのは次の理由による。第１の理由
は、アクティブマトリクス基板１００の製造ラインが、
特定の基板サイズを対象とした専用装置からなっている
ことにある。したがって、マザーガラスとして、それら
の専用装置に適したサイズのものを用い、アクティブマ
トリクス素子形成後に、二次元画像検出器として必要な
サイズに分断する必要がある。
【００１８】第２の理由は、アクティブマトリクス素子
形成工程においてガラス基板の周辺部では、正常なアク
ティブマトリクス素子の形成が困難となることにある。
これは、アクティブマトリクス素子を形成するための適
切な条件をガラス基板の周辺部で得ることが困難である
こと、ガラス基板の周辺部にはハンドリング部品が触れ
ることなどによる。したがって、マザーガラスとして
は、二次元画像検出器として実際に必要なサイズとこれ
らの周辺部とを考慮したサイズのものを用いる必要があ
るため、アクティブマトリクス素子形成後に、不要であ
る周辺部を切り落とす必要がある。Ｃ．実装工程この工
程は、アクティブマトリクス基板１００から電荷などの
情報を取り出すために必要な部品、回路などをアクティ
ブマトリクス基板１００に実装する工程である。
形成工程においてガラス基板の周辺部では、正常なアク
ティブマトリクス素子の形成が困難となることにある。
これは、アクティブマトリクス素子を形成するための適
切な条件をガラス基板の周辺部で得ることが困難である
こと、ガラス基板の周辺部にはハンドリング部品が触れ
ることなどによる。したがって、マザーガラスとして
は、二次元画像検出器として実際に必要なサイズとこれ
らの周辺部とを考慮したサイズのものを用いる必要があ
るため、アクティブマトリクス素子形成後に、不要であ
る周辺部を切り落とす必要がある。Ｃ．実装工程この工
程は、アクティブマトリクス基板１００から電荷などの
情報を取り出すために必要な部品、回路などをアクティ
ブマトリクス基板１００に実装する工程である。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、アクティブ
マトリクス基板１００のほぼ全域にａ−Ｓｅ膜が成膜さ
れてなる構成の二次元画像検出器では、その製造工程に
おいて以下の問題が発生する。
マトリクス基板１００のほぼ全域にａ−Ｓｅ膜が成膜さ
れてなる構成の二次元画像検出器では、その製造工程に
おいて以下の問題が発生する。
【００２０】一般にａ−Ｓｅ膜は、その成膜後に、水分
や空気中の汚染物、ゴミなどが付着すると、それらが付
着した部分からａ−Ｓｅ膜が結晶化するなどの特性変化
が発生しやすいことが知られている。
や空気中の汚染物、ゴミなどが付着すると、それらが付
着した部分からａ−Ｓｅ膜が結晶化するなどの特性変化
が発生しやすいことが知られている。
【００２１】したがって、Ａ．ａ−Ｓｅ成膜工程を行っ
た後、Ｂ．ガラス分断工程やＣ．実装工程を行うと、ガ
ラス基板を分断する際に発生するガラス粉や、ダイシン
グ処理および面取り処理の際に使用する処理水、実装工
程におけるダストなどがａ−Ｓｅ膜に触れることにな
り、ａ−Ｓｅ膜の劣化を招来するという問題がある。
た後、Ｂ．ガラス分断工程やＣ．実装工程を行うと、ガ
ラス基板を分断する際に発生するガラス粉や、ダイシン
グ処理および面取り処理の際に使用する処理水、実装工
程におけるダストなどがａ−Ｓｅ膜に触れることにな
り、ａ−Ｓｅ膜の劣化を招来するという問題がある。
【００２２】一方、Ｂ．ガラス分断工程やＣ．実装工程
を行った後、Ａ．ａ−Ｓｅ成膜工程を行うと、上記のガ
ラス粉や処理水、ダストなどの影響によりアクティブマ
トリクス基板１００の表面が汚染されることになる。
を行った後、Ａ．ａ−Ｓｅ成膜工程を行うと、上記のガ
ラス粉や処理水、ダストなどの影響によりアクティブマ
トリクス基板１００の表面が汚染されることになる。
【００２３】ここで、特にガラス粉は、アクティブマト
リクス素子を傷付けるおそれがある。特に、小さなガラ
ス粉の場合は、一旦アクティブマトリクス基板１００の
表面に付着すると超音波洗浄などでは除去することが困
難である。また、アクティブマトリクス素子として形成
されるＴＦＴ１０６は、汚染に対して非常に敏感であ
る。さらに、汚染されたアクティブマトリクス素子上に
ａ−Ｓｅ膜を形成すると、ａ−Ｓｅ膜も汚染されること
になる。したがって、この場合は、ａ−Ｓｅ膜およびア
クティブマトリクス素子の劣化を招来するという問題が
生じる。
リクス素子を傷付けるおそれがある。特に、小さなガラ
ス粉の場合は、一旦アクティブマトリクス基板１００の
表面に付着すると超音波洗浄などでは除去することが困
難である。また、アクティブマトリクス素子として形成
されるＴＦＴ１０６は、汚染に対して非常に敏感であ
る。さらに、汚染されたアクティブマトリクス素子上に
ａ−Ｓｅ膜を形成すると、ａ−Ｓｅ膜も汚染されること
になる。したがって、この場合は、ａ−Ｓｅ膜およびア
クティブマトリクス素子の劣化を招来するという問題が
生じる。
【００２４】さらに、二次元画像検出器の完成後におい
ても、その使用環境によっては、二次元画像検出器の内
部で結露などが起こることがあり、この水分によってａ
−Ｓｅ膜の特性劣化を招来するという問題もある。
ても、その使用環境によっては、二次元画像検出器の内
部で結露などが起こることがあり、この水分によってａ
−Ｓｅ膜の特性劣化を招来するという問題もある。
【００２５】また、上述の二次元画像検出器では、電荷
の収集効率を向上させるために光導電膜１１２に１０Ｖ
／μｍ程度の高い電界を印加する必要があり、上部電極
１１６には数千ボルトから１万ボルト程度の高圧が印加
される。このため、上部電極１１６の周辺で放電が発生
しやすく、この放電に伴う素子の破壊や性能劣化が生じ
やすかった。
の収集効率を向上させるために光導電膜１１２に１０Ｖ
／μｍ程度の高い電界を印加する必要があり、上部電極
１１６には数千ボルトから１万ボルト程度の高圧が印加
される。このため、上部電極１１６の周辺で放電が発生
しやすく、この放電に伴う素子の破壊や性能劣化が生じ
やすかった。
【００２６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、ａ−Ｓｅ膜およびアクテ
ィブマトリクス基板１００の性能劣化を防止することに
ある。そのために、製造工程においてａ−Ｓｅ膜および
アクティブマトリクス基板１００を汚染することがない
二次元画像検出器の製造方法を提供する。また、二次元
画像検出器における結露や放電などに代表される使用環
境上の問題を解決し、対環境性の良好な二次元画像検出
器の構成を提供する。
れたものであり、その目的は、ａ−Ｓｅ膜およびアクテ
ィブマトリクス基板１００の性能劣化を防止することに
ある。そのために、製造工程においてａ−Ｓｅ膜および
アクティブマトリクス基板１００を汚染することがない
二次元画像検出器の製造方法を提供する。また、二次元
画像検出器における結露や放電などに代表される使用環
境上の問題を解決し、対環境性の良好な二次元画像検出
器の構成を提供する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の二次元画像検出
器の製造方法は、上記の課題を解決するために、入射す
る電磁波に応じて電荷を生じる半導体層と、該半導体層
の電荷を読み出すためのアクティブ素子アレイを有する
基板とを備える二次元画像検出器の製造方法において、
前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程
と、前記アクティブ素子アレイを形成した領域を覆う保
護部材を前記基板に形成する工程と、前記保護部材を形
成した状態で前記基板を分断する工程と、分断した前記
基板から前記保護部材を除去する工程と、前記保護部材
を除去した領域における前記アクティブ素子アレイ上に
前記半導体層を形成する工程とを含むことを特徴として
いる。
器の製造方法は、上記の課題を解決するために、入射す
る電磁波に応じて電荷を生じる半導体層と、該半導体層
の電荷を読み出すためのアクティブ素子アレイを有する
基板とを備える二次元画像検出器の製造方法において、
前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程
と、前記アクティブ素子アレイを形成した領域を覆う保
護部材を前記基板に形成する工程と、前記保護部材を形
成した状態で前記基板を分断する工程と、分断した前記
基板から前記保護部材を除去する工程と、前記保護部材
を除去した領域における前記アクティブ素子アレイ上に
前記半導体層を形成する工程とを含むことを特徴として
いる。
【００２８】上記の方法によれば、基板上にアクティブ
素子アレイを形成し、その上に保護部材を形成して基板
を分断する。そして、保護部材を除去した後、保護部材
により保護されていたアクティブ素子アレイの表面上に
半導体層を形成する。
素子アレイを形成し、その上に保護部材を形成して基板
を分断する。そして、保護部材を除去した後、保護部材
により保護されていたアクティブ素子アレイの表面上に
半導体層を形成する。
【００２９】上記したように、アクティブ素子アレイを
有する基板（アクティブマトリクス基板）の製造ライン
上の都合によって、基板上にアクティブ素子アレイを形
成した後、基板を分断して所望のサイズのアクティブマ
トリクス基板を形成する必要が生じる場合がある。ま
た、基板を分断する際には、例えばガラス粉や処理水な
ど、アクティブ素子アレイを傷つける、または汚染する
物質（以下、両者を含めて汚染物と称す）が基板に触れ
ることになる。なお、基板の分断後に分断部の面取りな
どを行う場合も同様である。
有する基板（アクティブマトリクス基板）の製造ライン
上の都合によって、基板上にアクティブ素子アレイを形
成した後、基板を分断して所望のサイズのアクティブマ
トリクス基板を形成する必要が生じる場合がある。ま
た、基板を分断する際には、例えばガラス粉や処理水な
ど、アクティブ素子アレイを傷つける、または汚染する
物質（以下、両者を含めて汚染物と称す）が基板に触れ
ることになる。なお、基板の分断後に分断部の面取りな
どを行う場合も同様である。
【００３０】これに対して、上記の方法では、基板の分
断時にアクティブ素子アレイを保護部材により覆うこと
になる。これにより、基板の分断時に発生する汚染物
が、アクティブ素子アレイに直接触れることを防止する
ことができる。
断時にアクティブ素子アレイを保護部材により覆うこと
になる。これにより、基板の分断時に発生する汚染物
が、アクティブ素子アレイに直接触れることを防止する
ことができる。
【００３１】したがって、アクティブ素子アレイが無傷
で清浄な状態に保たれることになり、アクティブ素子ア
レイ自身の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で信頼性が高いアクティブマトリクス基板を得ること
が可能になる。また、アクティブマトリクス基板の製造
歩留りを向上させることもできる。
で清浄な状態に保たれることになり、アクティブ素子ア
レイ自身の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で信頼性が高いアクティブマトリクス基板を得ること
が可能になる。また、アクティブマトリクス基板の製造
歩留りを向上させることもできる。
【００３２】また、電磁波情報を電荷情報に変換する半
導体層を、基板の分断後に、保護部材を除去することに
より露出する清浄なアクティブ素子アレイの表面上に形
成することができる。そのため、半導体層は、基板の分
断時に生じる汚染物に触れることを防止することが可能
となる。したがって、上記の方法では、半導体層として
例えばａ−Ｓｅ膜などのように汚染物に対して非常に敏
感なものを形成する場合であっても、その性能の劣化を
防止し信頼性を向上させることができる。
導体層を、基板の分断後に、保護部材を除去することに
より露出する清浄なアクティブ素子アレイの表面上に形
成することができる。そのため、半導体層は、基板の分
断時に生じる汚染物に触れることを防止することが可能
となる。したがって、上記の方法では、半導体層として
例えばａ−Ｓｅ膜などのように汚染物に対して非常に敏
感なものを形成する場合であっても、その性能の劣化を
防止し信頼性を向上させることができる。
【００３３】その結果、アクティブ素子アレイおよび半
導体層の性能が良好で、信頼性の高い二次元画像検出器
を製造することが可能となる。
導体層の性能が良好で、信頼性の高い二次元画像検出器
を製造することが可能となる。
【００３４】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の二次元画像検出器の製造方法において、さらに、
前記基板を分断した後、かつ、前記保護部材を除去する
前に、前記アクティブ素子アレイに接続される回路部品
を前記基板に実装する工程を含むことが好ましい。
上記の二次元画像検出器の製造方法において、さらに、
前記基板を分断した後、かつ、前記保護部材を除去する
前に、前記アクティブ素子アレイに接続される回路部品
を前記基板に実装する工程を含むことが好ましい。
【００３５】上記の方法によれば、基板上にアクティブ
素子アレイを形成し、その上に保護部材を形成して基板
を分断する。さらに、保護部材が形成されている状態
で、アクティブ素子アレイに接続する回路部品を基板に
実装する。そして、保護部材を除去した後、保護部材に
より保護されていたアクティブ素子アレイの表面上に半
導体層を形成する。
素子アレイを形成し、その上に保護部材を形成して基板
を分断する。さらに、保護部材が形成されている状態
で、アクティブ素子アレイに接続する回路部品を基板に
実装する。そして、保護部材を除去した後、保護部材に
より保護されていたアクティブ素子アレイの表面上に半
導体層を形成する。
【００３６】回路部品を基板に実装する際には、アクテ
ィブ素子アレイや半導体層に対する汚染物となるガスや
ダストが発生することがある。これらの汚染物が、アク
ティブ素子アレイや半導体層に触れると、アクティブ素
子アレイや半導体層の性能劣化を招来する。
ィブ素子アレイや半導体層に対する汚染物となるガスや
ダストが発生することがある。これらの汚染物が、アク
ティブ素子アレイや半導体層に触れると、アクティブ素
子アレイや半導体層の性能劣化を招来する。
【００３７】ところが、上記の方法では、基板分断時に
加えて回路部品の実装時においても、アクティブ素子ア
レイを保護部材により保護する。また、回路部品の実装
後に半導体層を形成する。そのため、アクティブ素子ア
レイおよび半導体層が実装時の汚染物に触れることを防
止することができる。したがって、アクティブ素子アレ
イおよび半導体層の性能劣化に対する防止効果、および
信頼性をさらに向上させることが可能となる。
加えて回路部品の実装時においても、アクティブ素子ア
レイを保護部材により保護する。また、回路部品の実装
後に半導体層を形成する。そのため、アクティブ素子ア
レイおよび半導体層が実装時の汚染物に触れることを防
止することができる。したがって、アクティブ素子アレ
イおよび半導体層の性能劣化に対する防止効果、および
信頼性をさらに向上させることが可能となる。
【００３８】その結果、アクティブ素子アレイおよび半
導体層の性能がさらに良好で、信頼性がさらに高い二次
元画像検出器を製造することが可能となる。
導体層の性能がさらに良好で、信頼性がさらに高い二次
元画像検出器を製造することが可能となる。
【００３９】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の二次元画像検出器の製造方法において、前記保護
部材が感光性樹脂からなることが好ましい。
上記の二次元画像検出器の製造方法において、前記保護
部材が感光性樹脂からなることが好ましい。
【００４０】基板を分断する方法としては、用いる装置
が簡易であること、処理能力が優れていることなどの理
由から、スクライブ法を用いることが好ましい。ここ
で、保護部材などにより基板の分断部分が覆われている
とスクライブ線を形成することが困難であるため、スク
ライブ法を用いる場合は分断部分において基板を露出さ
せておく必要がある。
が簡易であること、処理能力が優れていることなどの理
由から、スクライブ法を用いることが好ましい。ここ
で、保護部材などにより基板の分断部分が覆われている
とスクライブ線を形成することが困難であるため、スク
ライブ法を用いる場合は分断部分において基板を露出さ
せておく必要がある。
【００４１】上記の方法では、保護部材として感光性樹
脂を用いるため、例えばフォトリソグラフィのように塗
布・露光・現像などを行うことによって保護部材を容易
にパターニングすることができる。したがって、基板上
において、アクティブ素子アレイを形成した領域に保護
部材が存在し、後に分断する部分に保護部材が存在しな
いようにすることができる。これにより、上記スクライ
ブ法を用いることが可能になる。
脂を用いるため、例えばフォトリソグラフィのように塗
布・露光・現像などを行うことによって保護部材を容易
にパターニングすることができる。したがって、基板上
において、アクティブ素子アレイを形成した領域に保護
部材が存在し、後に分断する部分に保護部材が存在しな
いようにすることができる。これにより、上記スクライ
ブ法を用いることが可能になる。
【００４２】その結果、より簡易な工程によって信頼性
の高い二次元画像検出器を製造することが可能になる。
の高い二次元画像検出器を製造することが可能になる。
【００４３】または、本発明の二次元画像検出器の製造
方法は、上記の二次元画像検出器の製造方法において、
前記保護部材が水溶性樹脂からなることが好ましい。
方法は、上記の二次元画像検出器の製造方法において、
前記保護部材が水溶性樹脂からなることが好ましい。
【００４４】上記の方法では、保護部材として水溶性樹
脂を用いるため、後の工程で保護部材を除去する際に、
水や温水によって除去することができる。したがって、
保護部材を除去する工程に特別な装置を導入する必要性
を回避することができ、製造ラインを簡素化することが
可能になる。また、特別な溶剤を用いることなく保護部
材を除去することができるので、溶剤を用いることによ
って生じる、アクティブ素子アレイや基板に設置されて
いる部品への悪影響、および二次元画像検出器の製造に
おける環境への悪影響を軽減することが可能になる。
脂を用いるため、後の工程で保護部材を除去する際に、
水や温水によって除去することができる。したがって、
保護部材を除去する工程に特別な装置を導入する必要性
を回避することができ、製造ラインを簡素化することが
可能になる。また、特別な溶剤を用いることなく保護部
材を除去することができるので、溶剤を用いることによ
って生じる、アクティブ素子アレイや基板に設置されて
いる部品への悪影響、および二次元画像検出器の製造に
おける環境への悪影響を軽減することが可能になる。
【００４５】その結果、簡素で、かつ環境への影響を配
慮した工程により、信頼性の高い二次元画像検出器を製
造することが可能になる。
慮した工程により、信頼性の高い二次元画像検出器を製
造することが可能になる。
【００４６】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の課題を解決するために、入射する電磁波に応じて
電荷を生じる半導体層と、該半導体層の電荷を読み出す
ためのアクティブ素子アレイを有する基板とを備える二
次元画像検出器の製造方法において、前記基板上に前記
アクティブ素子アレイを形成する工程と、前記アクティ
ブ素子アレイ上に前記半導体層を形成する工程と、前記
半導体層を形成した領域を覆う保護部材を前記基板に形
成する工程と、前記保護部材を形成した状態で前記基板
を分断する工程とを含むことを特徴としている。
上記の課題を解決するために、入射する電磁波に応じて
電荷を生じる半導体層と、該半導体層の電荷を読み出す
ためのアクティブ素子アレイを有する基板とを備える二
次元画像検出器の製造方法において、前記基板上に前記
アクティブ素子アレイを形成する工程と、前記アクティ
ブ素子アレイ上に前記半導体層を形成する工程と、前記
半導体層を形成した領域を覆う保護部材を前記基板に形
成する工程と、前記保護部材を形成した状態で前記基板
を分断する工程とを含むことを特徴としている。
【００４７】上記の方法によれば、基板上にアクティブ
素子アレイを形成し、その上に半導体層を形成する。そ
して、半導体層を形成した領域を覆う保護部材を形成
し、基板を分断する。
素子アレイを形成し、その上に半導体層を形成する。そ
して、半導体層を形成した領域を覆う保護部材を形成
し、基板を分断する。
【００４８】上記の方法では、アクティブ素子アレイを
形成した後、汚染物が発生する工程を介することなくア
クティブ素子アレイ上に半導体層を形成することができ
る。
形成した後、汚染物が発生する工程を介することなくア
クティブ素子アレイ上に半導体層を形成することができ
る。
【００４９】したがって、アクティブ素子アレイが汚染
されることを避け、かつ、半導体層を清浄な面上に形成
することができる。
されることを避け、かつ、半導体層を清浄な面上に形成
することができる。
【００５０】また、上記の方法では、半導体層を形成し
た領域を保護部材で覆って基板を分断するので、基板の
分断時に半導体層が上記の汚染物により汚染されること
を回避することができる。
た領域を保護部材で覆って基板を分断するので、基板の
分断時に半導体層が上記の汚染物により汚染されること
を回避することができる。
【００５１】さらに、上記の方法では、保護部材を除去
する工程を省くことも可能である。したがって、工程が
簡略化されるとともに、後に回路部品などの実装工程を
行う場合や、二次元画像検出器の完成後においても保護
部材が半導体層を保護した状態を維持することができ
る。そのため、半導体層を二次元画像検出器の最終形態
まで半永久的に保護することが可能になる。
する工程を省くことも可能である。したがって、工程が
簡略化されるとともに、後に回路部品などの実装工程を
行う場合や、二次元画像検出器の完成後においても保護
部材が半導体層を保護した状態を維持することができ
る。そのため、半導体層を二次元画像検出器の最終形態
まで半永久的に保護することが可能になる。
【００５２】その結果、アクティブ素子アレイおよび半
導体層の性能が良好で、信頼性が高い状態を長期間持続
する二次元画像検出器を製造することが可能となる。
導体層の性能が良好で、信頼性が高い状態を長期間持続
する二次元画像検出器を製造することが可能となる。
【００５３】本発明の二次元画像検出器は、上記の課題
を解決するために、基板と、該基板上に設けられたアク
ティブ素子アレイと、入射する電磁波に応じて電荷を生
じ、該電荷が前記アクティブ素子アレイによって読み出
されるように前記アクティブ素子アレイ上に設けられた
半導体層と、前記基板上に設けられ、前記半導体層を覆
う保護部材とを備えていることを特徴としている。
を解決するために、基板と、該基板上に設けられたアク
ティブ素子アレイと、入射する電磁波に応じて電荷を生
じ、該電荷が前記アクティブ素子アレイによって読み出
されるように前記アクティブ素子アレイ上に設けられた
半導体層と、前記基板上に設けられ、前記半導体層を覆
う保護部材とを備えていることを特徴としている。
【００５４】上記の構成では、アクティブ素子アレイ上
の半導体層を覆う保護部材が設けられている。したがっ
て、二次元画像検出器の使用環境において生じる汚染物
が、アクティブ素子アレイや半導体層に直接触れること
を防止することができる。ここで、保護部材は、基板上
に設けられているため、アクティブ素子アレイや半導体
層を含む最小領域を保護することができる。したがっ
て、例えばメンテナンスなどにおいて二次元画像検出器
を部品単位で細かく分解する場合などにおいても、アク
ティブ素子アレイや半導体層が汚染物から保護されてい
る状態を維持することができる。
の半導体層を覆う保護部材が設けられている。したがっ
て、二次元画像検出器の使用環境において生じる汚染物
が、アクティブ素子アレイや半導体層に直接触れること
を防止することができる。ここで、保護部材は、基板上
に設けられているため、アクティブ素子アレイや半導体
層を含む最小領域を保護することができる。したがっ
て、例えばメンテナンスなどにおいて二次元画像検出器
を部品単位で細かく分解する場合などにおいても、アク
ティブ素子アレイや半導体層が汚染物から保護されてい
る状態を維持することができる。
【００５５】その結果、製造後においても、アクティブ
素子アレイや半導体層の性能劣化を防止し、信頼性の高
い二次元画像検出器を提供することができる。
素子アレイや半導体層の性能劣化を防止し、信頼性の高
い二次元画像検出器を提供することができる。
【００５６】また、半導体層を覆うように保護部材を設
けることにより、半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、上記したアクティブマ
トリクス素子や半導体層の汚染防止や性能劣化の防止に
加えて、放電による素子破壊をも防止することができ
る。さらに、保護部材によって、半導体層が外気と接触
することがなくなり、結露によって半導体層の特性が劣
化するのを防止することができる。
けることにより、半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、上記したアクティブマ
トリクス素子や半導体層の汚染防止や性能劣化の防止に
加えて、放電による素子破壊をも防止することができ
る。さらに、保護部材によって、半導体層が外気と接触
することがなくなり、結露によって半導体層の特性が劣
化するのを防止することができる。
【００５７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が気密性
を有していることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が気密性
を有していることが好ましい。
【００５８】上記の構成では、保護部材により半導体層
が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができる。その結
果、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさら
に効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができる。その結
果、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさら
に効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
【００５９】または、本発明の二次元画像検出器は、上
記の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
記の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
【００６０】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間を、電気絶縁性を有する物質により充填された状態に
することにより、二次元画像検出器を使用する際に半導
体層に高電圧を印加するような場合であっても、半導体
層周辺で放電が起こることを回避することができる。し
たがって、上記したアクティブマトリクス素子や半導体
層の汚染防止に加えて、放電による半導体層の性能劣化
を防止することができる。したがって、さらに信頼性の
高い二次元画像検出器を提供することができる。
間を、電気絶縁性を有する物質により充填された状態に
することにより、二次元画像検出器を使用する際に半導
体層に高電圧を印加するような場合であっても、半導体
層周辺で放電が起こることを回避することができる。し
たがって、上記したアクティブマトリクス素子や半導体
層の汚染防止に加えて、放電による半導体層の性能劣化
を防止することができる。したがって、さらに信頼性の
高い二次元画像検出器を提供することができる。
【００６１】あるいは、本発明の二次元画像検出器は、
上記の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記
保護部材との間が、導電性部材により充填された状態で
あることが好ましい。
上記の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記
保護部材との間が、導電性部材により充填された状態で
あることが好ましい。
【００６２】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、この場
合も半導体層周辺で放電が起こることを回避することが
できる。
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、この場
合も半導体層周辺で放電が起こることを回避することが
できる。
【００６３】さらに、上記の構成では、半導体層に電界
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
【００６４】その結果、信頼性が高く、かつ、画質が良
好な二次元画像検出器を提供することが可能になる。
好な二次元画像検出器を提供することが可能になる。
【００６５】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材の前記半
導体層と対向する部分が固体基板からなることが好まし
い。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材の前記半
導体層と対向する部分が固体基板からなることが好まし
い。
【００６６】上記の構成では、固体基板として、例えば
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
【００６７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が、樹脂
からなる表面保護膜と、該表面保護膜を覆う固体基板
と、該固体基板を前記基板に固定する接合材とからなる
ことが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が、樹脂
からなる表面保護膜と、該表面保護膜を覆う固体基板
と、該固体基板を前記基板に固定する接合材とからなる
ことが好ましい。
【００６８】上記の構成では、半導体層を二重に保護す
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
【００６９】本発明の二次元画像検出器は、上記の課題
を解決するために、基板と、該基板上に設けられたアク
ティブ素子アレイと、入射する電磁波に応じて電荷を生
じ、該電荷が前記アクティブ素子アレイによって読み出
されるように前記アクティブ素子アレイ上に設けられた
半導体層と、前記半導体層にバイアス電圧を印加できる
ように前記半導体層上に設けられた表面電極層と、前記
基板上に設けられ、前記半導体層および前記表面電極層
を覆う保護部材とを備えていることを特徴としている。
を解決するために、基板と、該基板上に設けられたアク
ティブ素子アレイと、入射する電磁波に応じて電荷を生
じ、該電荷が前記アクティブ素子アレイによって読み出
されるように前記アクティブ素子アレイ上に設けられた
半導体層と、前記半導体層にバイアス電圧を印加できる
ように前記半導体層上に設けられた表面電極層と、前記
基板上に設けられ、前記半導体層および前記表面電極層
を覆う保護部材とを備えていることを特徴としている。
【００７０】上記の構成では、アクティブ素子アレイ上
の半導体層および表面電極層を覆う保護部材が設けられ
ている。したがって、二次元画像検出器の使用環境にお
いて生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや半導体層
あるいは表面電極層に直接触れることを防止することが
できる。
の半導体層および表面電極層を覆う保護部材が設けられ
ている。したがって、二次元画像検出器の使用環境にお
いて生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや半導体層
あるいは表面電極層に直接触れることを防止することが
できる。
【００７１】ここで、保護部材は、基板上に設けられて
いるため、アクティブ素子アレイや半導体層、表面電極
層を含む最小領域を保護することができる。したがっ
て、例えばメンテナンスなどにおいて二次元画像検出器
を部品単位で細かく分解する場合などにおいても、アク
ティブ素子アレイや半導体層、表面電極層が汚染物から
保護されている状態を維持することができる。
いるため、アクティブ素子アレイや半導体層、表面電極
層を含む最小領域を保護することができる。したがっ
て、例えばメンテナンスなどにおいて二次元画像検出器
を部品単位で細かく分解する場合などにおいても、アク
ティブ素子アレイや半導体層、表面電極層が汚染物から
保護されている状態を維持することができる。
【００７２】その結果、製造後においても、アクティブ
素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化を防止
し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供することがで
きる。
素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化を防止
し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供することがで
きる。
【００７３】また、半導体層および表面電極層を覆うよ
うに保護部材を設けることにより、表面電極層を介して
半導体層に高電圧を印加するような場合であっても、半
導体層および表面電極層の周辺で放電が起こることを回
避することができる。したがって、上記したアクティブ
マトリクス素子や半導体層および表面電極層の汚染防止
や性能劣化の防止に加えて、放電による素子破壊をも防
止することができる。さらに、保護部材によって、半導
体層および表面電極層が外気と接触することがなくなる
ので、結露によって半導体層および表面電極層の特性が
劣化するのを防止することもできる。
うに保護部材を設けることにより、表面電極層を介して
半導体層に高電圧を印加するような場合であっても、半
導体層および表面電極層の周辺で放電が起こることを回
避することができる。したがって、上記したアクティブ
マトリクス素子や半導体層および表面電極層の汚染防止
や性能劣化の防止に加えて、放電による素子破壊をも防
止することができる。さらに、保護部材によって、半導
体層および表面電極層が外気と接触することがなくなる
ので、結露によって半導体層および表面電極層の特性が
劣化するのを防止することもできる。
【００７４】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が塗布ま
たは転写によって形成される樹脂材料からなることが好
ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が塗布ま
たは転写によって形成される樹脂材料からなることが好
ましい。
【００７５】上記の構成では、保護部材として、例えば
スプレー法や印刷法などの塗布、粘着剤を用いた転写に
より簡便に形成が可能な塗布型の樹脂材料を用いるの
で、保護部材を簡便に形成することができる。
スプレー法や印刷法などの塗布、粘着剤を用いた転写に
より簡便に形成が可能な塗布型の樹脂材料を用いるの
で、保護部材を簡便に形成することができる。
【００７６】また、上記樹脂材料として、例えば低温で
成膜できる材料を用いれば、二次元画像検出器の半導体
層として耐熱温度の低いａ−Ｓｅを用いた場合でも、ａ
−Ｓｅの光電変換特性を劣化させることなく保護部材を
形成することができる。
成膜できる材料を用いれば、二次元画像検出器の半導体
層として耐熱温度の低いａ−Ｓｅを用いた場合でも、ａ
−Ｓｅの光電変換特性を劣化させることなく保護部材を
形成することができる。
【００７７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板からなるこ
とが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板からなるこ
とが好ましい。
【００７８】上記の構成では、基板への設置時に既に固
体状態である固体基板は、半導体層に対する汚染物（例
えば溶剤、イオンなど）を含まない。したがって、保護
部材の基板への設置時に、保護部材が半導体層や表面電
極層に接触することがあっても、半導体層や表面電極層
の汚染を確実に回避することができる。
体状態である固体基板は、半導体層に対する汚染物（例
えば溶剤、イオンなど）を含まない。したがって、保護
部材の基板への設置時に、保護部材が半導体層や表面電
極層に接触することがあっても、半導体層や表面電極層
の汚染を確実に回避することができる。
【００７９】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板と、前記固
体基板を前記基板に固定する接合材とからなっているこ
とが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板と、前記固
体基板を前記基板に固定する接合材とからなっているこ
とが好ましい。
【００８０】上記の構成では、保護部材が基板への設置
時に既に固体状態である固体基板と、固体基板を基板に
固定する接合材とからなっている。このとき、接合材
を、例えば固体基板の周辺部に枠状に配置すれば、接合
材と固体基板とによって、半導体層や表面電極層が外部
に対して気密された状態を維持することができる。した
がって、二次元画像検出器の使用環境によって生じる汚
染、結露などの発生を防止することができ、アクティブ
素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化を効果的
に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供
することができる。
時に既に固体状態である固体基板と、固体基板を基板に
固定する接合材とからなっている。このとき、接合材
を、例えば固体基板の周辺部に枠状に配置すれば、接合
材と固体基板とによって、半導体層や表面電極層が外部
に対して気密された状態を維持することができる。した
がって、二次元画像検出器の使用環境によって生じる汚
染、結露などの発生を防止することができ、アクティブ
素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化を効果的
に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供
することができる。
【００８１】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記固体基板がセラミ
ック基板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記固体基板がセラミ
ック基板であることが好ましい。
【００８２】上記の構成では、セラミック基板からなる
固体基板を、アクティブ素子アレイが形成されている基
板に設置したときに、当該基板を補強することができ
る。
固体基板を、アクティブ素子アレイが形成されている基
板に設置したときに、当該基板を補強することができ
る。
【００８３】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
ガラス基板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
ガラス基板であることが好ましい。
【００８４】セラミック基板（固体基板）をガラス基板
で構成すれば、アクティブ素子アレイが形成されている
基板をガラス基板で構成したときに、上記両基板の熱膨
張係数が同じになる。これにより、アクティブ素子アレ
イが形成されている基板と固体基板（保護部材）とが固
定された状態でも、熱膨張係数の差に起因する基板の反
りの発生を回避することができる。
で構成すれば、アクティブ素子アレイが形成されている
基板をガラス基板で構成したときに、上記両基板の熱膨
張係数が同じになる。これにより、アクティブ素子アレ
イが形成されている基板と固体基板（保護部材）とが固
定された状態でも、熱膨張係数の差に起因する基板の反
りの発生を回避することができる。
【００８５】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち何れか１つで形成され
ていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち何れか１つで形成され
ていることが好ましい。
【００８６】上記構成のように、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、炭化シリ
コンのうち何れか１つでセラミック基板（固体基板）を
構成すれば、セラミック基板をガラスで構成した場合に
比べて、固体基板でのＸ線吸収量が減るため、固体基板
の設置による二次元画像検出器の感度低下を回避するこ
とが可能になる。
化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、炭化シリ
コンのうち何れか１つでセラミック基板（固体基板）を
構成すれば、セラミック基板をガラスで構成した場合に
比べて、固体基板でのＸ線吸収量が減るため、固体基板
の設置による二次元画像検出器の感度低下を回避するこ
とが可能になる。
【００８７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち、複数の材料を任意の
割合で混合して形成されていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち、複数の材料を任意の
割合で混合して形成されていることが好ましい。
【００８８】上記の各セラミック材料を任意の割合で混
合して固体基板を構成する場合は、その混合割合に応じ
て熱膨張係数を任意に設定することができる。これによ
り、アクティブ素子アレイが形成されている基板と略等
しい熱膨張係数のセラミック基板を作成して、熱膨張係
数の差に起因する基板の反りの発生を確実に回避するこ
とができる。
合して固体基板を構成する場合は、その混合割合に応じ
て熱膨張係数を任意に設定することができる。これによ
り、アクティブ素子アレイが形成されている基板と略等
しい熱膨張係数のセラミック基板を作成して、熱膨張係
数の差に起因する基板の反りの発生を確実に回避するこ
とができる。
【００８９】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記固体基板が樹脂基
板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記固体基板が樹脂基
板であることが好ましい。
【００９０】上記の構成では、樹脂基板からなる固体基
板を、アクティブ素子アレイが形成されている基板に設
置したときに、当該基板を補強することができる。ま
た、樹脂基板は加工性に優れており、例えば、貫通孔や
切り欠きを簡便に形成することができる。これにより、
上記貫通孔や切り欠きを介して表面電極層にバイアス電
圧を確実に印加することができる。また、樹脂基板はガ
ラス等のセラミック基板に比べて軽量であるため、二次
元画像検出器の軽量化に寄与できる。
板を、アクティブ素子アレイが形成されている基板に設
置したときに、当該基板を補強することができる。ま
た、樹脂基板は加工性に優れており、例えば、貫通孔や
切り欠きを簡便に形成することができる。これにより、
上記貫通孔や切り欠きを介して表面電極層にバイアス電
圧を確実に印加することができる。また、樹脂基板はガ
ラス等のセラミック基板に比べて軽量であるため、二次
元画像検出器の軽量化に寄与できる。
【００９１】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記樹脂基板がＳｉ元
素を含有しない樹脂から形成されていることが好まし
い。
元画像検出器において、さらに、前記樹脂基板がＳｉ元
素を含有しない樹脂から形成されていることが好まし
い。
【００９２】上記の構成では、Ｓｉ元素を含有しない樹
脂基板を用いることで、Ｓｉを含有するガラス基板やセ
ラミック基板に比べて、固体基板でのＸ線吸収量が減
る。これにより固体基板の設置による二次元画像検出器
の感度低下を確実に回避することが可能になる。
脂基板を用いることで、Ｓｉを含有するガラス基板やセ
ラミック基板に比べて、固体基板でのＸ線吸収量が減
る。これにより固体基板の設置による二次元画像検出器
の感度低下を確実に回避することが可能になる。
【００９３】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
【００９４】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間を、電気絶縁性を有する物質により充填された状態に
することにより、二次元画像検出器を使用する際に表面
電極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合
であっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が
起こることを回避することができる。したがって、上記
したアクティブマトリクス素子や半導体層および表面電
極層の汚染防止、結露防止に加えて、放電による素子破
壊や半導体層および表面電極層の性能劣化を確実に防止
することができる。
間を、電気絶縁性を有する物質により充填された状態に
することにより、二次元画像検出器を使用する際に表面
電極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合
であっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が
起こることを回避することができる。したがって、上記
したアクティブマトリクス素子や半導体層および表面電
極層の汚染防止、結露防止に加えて、放電による素子破
壊や半導体層および表面電極層の性能劣化を確実に防止
することができる。
【００９５】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、導電性部材により充填された状態であ
ることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、導電性部材により充填された状態であ
ることが好ましい。
【００９６】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、表面電
極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合で
あっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が起
こることを回避することができる。したがって、上記し
たアクティブマトリクス素子や半導体層および表面電極
層の汚染防止、結露防止に加えて、放電による素子破壊
や半導体層および表面電極層の性能劣化を確実に防止す
ることができる。
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、表面電
極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合で
あっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が起
こることを回避することができる。したがって、上記し
たアクティブマトリクス素子や半導体層および表面電極
層の汚染防止、結露防止に加えて、放電による素子破壊
や半導体層および表面電極層の性能劣化を確実に防止す
ることができる。
【００９７】さらに、上記の構成では、半導体層に電界
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
【００９８】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材における
前記半導体層との対向面とは反対側の面に金属膜が形成
されていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材における
前記半導体層との対向面とは反対側の面に金属膜が形成
されていることが好ましい。
【００９９】上記の構成では、保護部材における半導体
層との対向面とは反対側の面に金属膜を形成することに
より、二次元画像検出器の電気的シールドや遮光を強化
することができ、さらには静電気の蓄積を防止すること
ができる。
層との対向面とは反対側の面に金属膜を形成することに
より、二次元画像検出器の電気的シールドや遮光を強化
することができ、さらには静電気の蓄積を防止すること
ができる。
【０１００】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材には、前
記表面電極層にバイアス電圧を印加するための貫通孔ま
たは切り欠きが設けられていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材には、前
記表面電極層にバイアス電圧を印加するための貫通孔ま
たは切り欠きが設けられていることが好ましい。
【０１０１】上記の構成では、保護部材に貫通孔または
切り欠きが設けられているので、保護部材を基板に設置
した状態でも、上記の貫通孔または切り欠きを介して表
面電極層に簡便にバイアス電圧を印加することができ
る。なお、上記の貫通孔や切り欠きは、保護部材の例え
ば周縁部分に形成される場合を想定することができる。
切り欠きが設けられているので、保護部材を基板に設置
した状態でも、上記の貫通孔または切り欠きを介して表
面電極層に簡便にバイアス電圧を印加することができ
る。なお、上記の貫通孔や切り欠きは、保護部材の例え
ば周縁部分に形成される場合を想定することができる。
【０１０２】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記表面電極層には、
前記表面電極層にバイアス電圧を印加するための表面電
極引き出し部が、前記保護部材から一部露出するように
設けられていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記表面電極層には、
前記表面電極層にバイアス電圧を印加するための表面電
極引き出し部が、前記保護部材から一部露出するように
設けられていることが好ましい。
【０１０３】上記の構成では、表面電極層に、保護部材
から一部露出するように表面電極引き出し部が設けられ
ているので、保護部材を基板に設置した状態でも、この
表面電極引き出し部を介して表面電極層に簡便にバイア
ス電圧を印加することができる。
から一部露出するように表面電極引き出し部が設けられ
ているので、保護部材を基板に設置した状態でも、この
表面電極引き出し部を介して表面電極層に簡便にバイア
ス電圧を印加することができる。
【０１０４】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の課題を解決するために、入射する電磁波に応じて
電荷を生じる半導体層と、該半導体層の電荷を読み出す
ためのアクティブ素子アレイを有する基板とを備える二
次元画像検出器の製造方法において、前記基板上に前記
アクティブ素子アレイを形成する工程と、前記アクティ
ブ素子アレイを覆うように前記半導体層を形成する工程
と、前記半導体層上に、当該半導体層にバイアス電圧を
印加するための表面電極層を形成する工程と、前記半導
体層および前記表面電極層を覆うように保護部材を前記
基板上に形成する工程と、前記保護部材を形成した状態
で前記基板を分断する工程とを含むことを特徴としてい
る。
上記の課題を解決するために、入射する電磁波に応じて
電荷を生じる半導体層と、該半導体層の電荷を読み出す
ためのアクティブ素子アレイを有する基板とを備える二
次元画像検出器の製造方法において、前記基板上に前記
アクティブ素子アレイを形成する工程と、前記アクティ
ブ素子アレイを覆うように前記半導体層を形成する工程
と、前記半導体層上に、当該半導体層にバイアス電圧を
印加するための表面電極層を形成する工程と、前記半導
体層および前記表面電極層を覆うように保護部材を前記
基板上に形成する工程と、前記保護部材を形成した状態
で前記基板を分断する工程とを含むことを特徴としてい
る。
【０１０５】上記の方法によれば、基板上にアクティブ
素子アレイを形成し、その上に半導体層および表面電極
層を順次積層し、半導体層および表面電極層を覆うよう
に保護部材を前記基板上に形成する。その後、保護部材
を形成した状態で前記基板を分断する。
素子アレイを形成し、その上に半導体層および表面電極
層を順次積層し、半導体層および表面電極層を覆うよう
に保護部材を前記基板上に形成する。その後、保護部材
を形成した状態で前記基板を分断する。
【０１０６】このように、基板の分断前に、半導体層お
よび表面電極層を覆う保護部材を基板上に形成し、その
後に基板を分断するので、分断時におけるガラス粉や処
理水が半導体層および表面電極層を直接汚染することが
ない。つまり、半導体層および表面電極層は、保護部材
によってガラス粉や処理水による汚染から確実に保護さ
れることになる。また、アクティブ素子アレイは、保護
部材によって保護される半導体層で覆われているため、
アクティブ素子アレイ自身がガラス粉や処理水によって
汚染されることもない。
よび表面電極層を覆う保護部材を基板上に形成し、その
後に基板を分断するので、分断時におけるガラス粉や処
理水が半導体層および表面電極層を直接汚染することが
ない。つまり、半導体層および表面電極層は、保護部材
によってガラス粉や処理水による汚染から確実に保護さ
れることになる。また、アクティブ素子アレイは、保護
部材によって保護される半導体層で覆われているため、
アクティブ素子アレイ自身がガラス粉や処理水によって
汚染されることもない。
【０１０７】したがって、アクティブ素子アレイ、半導
体層および表面電極層が無傷で清浄な状態に保たれるこ
とになり、アクティブ素子アレイ、半導体層および表面
電極層の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で、半導体層および表面電極層の性能も良好に維持さ
れることになり、信頼性が高いアクティブマトリクス基
板、ひいては二次元画像検出器を得ることが可能にな
る。また、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向
上させることもできる。
体層および表面電極層が無傷で清浄な状態に保たれるこ
とになり、アクティブ素子アレイ、半導体層および表面
電極層の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で、半導体層および表面電極層の性能も良好に維持さ
れることになり、信頼性が高いアクティブマトリクス基
板、ひいては二次元画像検出器を得ることが可能にな
る。また、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向
上させることもできる。
【０１０８】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図１から図７に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
一形態について図１から図７に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
【０１０９】まず、本実施の形態に係る製造工程により
形成される二次元画像検出器について、図３から図５を
用いて説明する。
形成される二次元画像検出器について、図３から図５を
用いて説明する。
【０１１０】図３は、本実施の形態に係る製造工程によ
り形成される二次元画像検出器の基本構造を模式的に示
す斜視図である。本二次元画像検出器は、アクティブマ
トリクス基板１、Ｘ線導電層（半導体層、光導電膜）１
２、および表面電極層（表面電極、上部電極、電極）１
６によって構成されている。
り形成される二次元画像検出器の基本構造を模式的に示
す斜視図である。本二次元画像検出器は、アクティブマ
トリクス基板１、Ｘ線導電層（半導体層、光導電膜）１
２、および表面電極層（表面電極、上部電極、電極）１
６によって構成されている。
【０１１１】まず、アクティブマトリクス基板１の構造
について説明する。アクティブマトリクス基板１は、ガ
ラス基板（基板）２と、その上に形成された電極配線
（ゲート電極線４ａおよびデータ電極線４ｂ）４、スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
称す）（アクティブ素子）６、電荷蓄積容量８、画素電
極１０などを有している。
について説明する。アクティブマトリクス基板１は、ガ
ラス基板（基板）２と、その上に形成された電極配線
（ゲート電極線４ａおよびデータ電極線４ｂ）４、スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと
称す）（アクティブ素子）６、電荷蓄積容量８、画素電
極１０などを有している。
【０１１２】ここで、ＴＦＴ６、電荷蓄積容量８、画素
電極１０などから画素１１が構成されており、この画素
１１がＸＹマトリクス状（二次元行列状）に配置されて
いる。そして、ＴＦＴ６のゲート電極６ａおよびデータ
電極６ｂ（後述する図４参照）が、それぞれゲート電極
線４ａおよびデータ電極線４ｂに接続されている。な
お、画素１１が、例えばＸＹマトリクス状のように規則
的に集合配置されたものをＴＦＴアレイ（アクティブ素
子アレイ）３２と称する。また、このＴＦＴアレイ３２
が形成されている領域を、アクティブ素子形成エリアと
称することもある。
電極１０などから画素１１が構成されており、この画素
１１がＸＹマトリクス状（二次元行列状）に配置されて
いる。そして、ＴＦＴ６のゲート電極６ａおよびデータ
電極６ｂ（後述する図４参照）が、それぞれゲート電極
線４ａおよびデータ電極線４ｂに接続されている。な
お、画素１１が、例えばＸＹマトリクス状のように規則
的に集合配置されたものをＴＦＴアレイ（アクティブ素
子アレイ）３２と称する。また、このＴＦＴアレイ３２
が形成されている領域を、アクティブ素子形成エリアと
称することもある。
【０１１３】ゲート電極線４ａおよびデータ電極線４ｂ
は、それぞれアクティブマトリクス基板１の行方向およ
び列方向に延びており、その端部でドライバＬＳＩ（回
路部品）２２およびアンプＬＳＩ（回路部品）２０に接
続されている。
は、それぞれアクティブマトリクス基板１の行方向およ
び列方向に延びており、その端部でドライバＬＳＩ（回
路部品）２２およびアンプＬＳＩ（回路部品）２０に接
続されている。
【０１１４】また、表面電極層１６は、高圧電源１８と
接続されており、後述するＣｓ電極９に対して電圧を印
加できるようになっている。
接続されており、後述するＣｓ電極９に対して電圧を印
加できるようになっている。
【０１１５】次に図４に基づいて、１つの画素１１の構
造を詳細に説明する。図４は、上記二次元画像検出器に
おける１つの画素１１の断面図である。上記画素電極１
０は、ＴＦＴ６のドレイン電極６ｃを拡張して形成され
ているものである。そして、画素電極１０は、ゲート電
極線４ａ（図３参照）によりＴＦＴ６のゲート電極６ａ
へ信号が印加されることにより、ＴＦＴ６のデータ電極
６ｂに対してスイッチング可能なように、すなわちデー
タ電極線４ｂ（図３参照）と、画素電極１０（図３参
照）との間の電気的接続状態に対してスイッチング可能
なように形成されている。
造を詳細に説明する。図４は、上記二次元画像検出器に
おける１つの画素１１の断面図である。上記画素電極１
０は、ＴＦＴ６のドレイン電極６ｃを拡張して形成され
ているものである。そして、画素電極１０は、ゲート電
極線４ａ（図３参照）によりＴＦＴ６のゲート電極６ａ
へ信号が印加されることにより、ＴＦＴ６のデータ電極
６ｂに対してスイッチング可能なように、すなわちデー
タ電極線４ｂ（図３参照）と、画素電極１０（図３参
照）との間の電気的接続状態に対してスイッチング可能
なように形成されている。
【０１１６】また、画素電極１０は、ゲート絶縁膜２４
を介して対向するＣｓ電極９との間で電荷蓄積容量８を
形成している。そして、この電荷蓄積容量８は、Ｃｓ電
極９と表面電極層１６との間に高圧電源１８により電圧
が印加されることにより、Ｘ線導電層１２からの画像情
報としての電荷を受けて保持するものである。
を介して対向するＣｓ電極９との間で電荷蓄積容量８を
形成している。そして、この電荷蓄積容量８は、Ｃｓ電
極９と表面電極層１６との間に高圧電源１８により電圧
が印加されることにより、Ｘ線導電層１２からの画像情
報としての電荷を受けて保持するものである。
【０１１７】上記ＴＦＴ６は、薄膜を順次積層すること
により形成されており、ゲート電極６ａ、ゲート絶縁膜
２４、アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層、チャネル
層）２６を有している。また、ＴＦＴ６は、それぞれ別
々のコンタクト層（ａ−Ｓｉ（ｎ+ 型）層）２８を介し
てアモルファスシリコン層２６上に積層されているデー
タ電極６ｂおよびドレイン電極６ｃを有している。
により形成されており、ゲート電極６ａ、ゲート絶縁膜
２４、アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層、チャネル
層）２６を有している。また、ＴＦＴ６は、それぞれ別
々のコンタクト層（ａ−Ｓｉ（ｎ+ 型）層）２８を介し
てアモルファスシリコン層２６上に積層されているデー
タ電極６ｂおよびドレイン電極６ｃを有している。
【０１１８】そして、画素１１の画素電極１０上を除く
部分に絶縁保護膜３０が形成されており、これによりＴ
ＦＴ６などが保護されている。
部分に絶縁保護膜３０が形成されており、これによりＴ
ＦＴ６などが保護されている。
【０１１９】上記のような構成であるアクティブマトリ
クス基板１上には、その周辺部を除くほぼ全面に、例え
ば非晶質（アモルファス）セレニウム（以下、ａ−Ｓｅ
と称す）からなるＸ線導電層１２が形成されており、さ
らにその上に表面電極層１６が形成されている。
クス基板１上には、その周辺部を除くほぼ全面に、例え
ば非晶質（アモルファス）セレニウム（以下、ａ−Ｓｅ
と称す）からなるＸ線導電層１２が形成されており、さ
らにその上に表面電極層１６が形成されている。
【０１２０】なお、上記は、二次元画像検出器の基本構
造について説明しているため、実際には上記以外の構成
要素を含む場合もある。例えば、画素電極１０や表面電
極層１６からの漏れ電流を防止するために、各電極とＸ
線導電層１２との間に電荷阻止層や誘電層（図示せず）
などを設ける場合もある。
造について説明しているため、実際には上記以外の構成
要素を含む場合もある。例えば、画素電極１０や表面電
極層１６からの漏れ電流を防止するために、各電極とＸ
線導電層１２との間に電荷阻止層や誘電層（図示せず）
などを設ける場合もある。
【０１２１】次に、上記二次元画像検出器の動作原理に
ついて図３および図４に基づいて説明する。
ついて図３および図４に基づいて説明する。
【０１２２】Ｘ線導電層１２にＸ線が入射すると、Ｘ線
導電層１２内に電荷（電子−正孔）が発生する。つま
り、Ｘ線導電層１２は、電磁波情報を電荷情報に変換す
る作用を有している。発生した電子および正孔は、高圧
電源１８により表面電極層１６とＣｓ電極９との間に印
加された電圧の作用で、それぞれ＋電極側（図では表面
電極層１６側）および−電極側（図ではＣｓ電極９側）
に移動し、その結果、電荷蓄積容量８に電荷が蓄積され
ることになる。
導電層１２内に電荷（電子−正孔）が発生する。つま
り、Ｘ線導電層１２は、電磁波情報を電荷情報に変換す
る作用を有している。発生した電子および正孔は、高圧
電源１８により表面電極層１６とＣｓ電極９との間に印
加された電圧の作用で、それぞれ＋電極側（図では表面
電極層１６側）および−電極側（図ではＣｓ電極９側）
に移動し、その結果、電荷蓄積容量８に電荷が蓄積され
ることになる。
【０１２３】上記のようにして電荷蓄積容量８に蓄積さ
れた電荷は、ドライバＬＳＩ２２からゲート電極線４ａ
に入力される信号によってＴＦＴ６をオン状態にするこ
とで、データ電極線４ｂを通じてアンプＬＳＩ２０に取
り出される。ここで、電極配線４（ゲート電極線４ａお
よびデータ電極線４ｂ）、ＴＦＴ６、電荷蓄積容量８
は、上記のようにＸＹマトリクス状に配置されているた
め、各ゲート電極線４ａに入力する入力信号を順次走査
することで、放射線による二次元的な画像情報を得るこ
とが可能になる。
れた電荷は、ドライバＬＳＩ２２からゲート電極線４ａ
に入力される信号によってＴＦＴ６をオン状態にするこ
とで、データ電極線４ｂを通じてアンプＬＳＩ２０に取
り出される。ここで、電極配線４（ゲート電極線４ａお
よびデータ電極線４ｂ）、ＴＦＴ６、電荷蓄積容量８
は、上記のようにＸＹマトリクス状に配置されているた
め、各ゲート電極線４ａに入力する入力信号を順次走査
することで、放射線による二次元的な画像情報を得るこ
とが可能になる。
【０１２４】以上のような基本構造を有する二次元画像
検出器の全体的な構成について図５を用いて説明する。
図５は、本実施の形態に係る製造工程により形成される
二次元画像検出器の全体的な構成を示す平面図である。
検出器の全体的な構成について図５を用いて説明する。
図５は、本実施の形態に係る製造工程により形成される
二次元画像検出器の全体的な構成を示す平面図である。
【０１２５】図５に示すように、アクティブマトリクス
基板１には、その周辺部を除いてＸＹマトリクス状に画
素１１が配置されており、その画素１１上をＸ線導電層
１２および表面電極層１６が覆っている。なお、同図で
は、破線で囲んだ最小の領域が画素１１を表しており、
画素１１の集合がＴＦＴアレイ３２である。また、Ｘ線
導電層１２が形成されている領域を太い実線で囲んだ領
域で表している。
基板１には、その周辺部を除いてＸＹマトリクス状に画
素１１が配置されており、その画素１１上をＸ線導電層
１２および表面電極層１６が覆っている。なお、同図で
は、破線で囲んだ最小の領域が画素１１を表しており、
画素１１の集合がＴＦＴアレイ３２である。また、Ｘ線
導電層１２が形成されている領域を太い実線で囲んだ領
域で表している。
【０１２６】また、アクティブマトリクス基板１の周辺
部には、アンプＬＳＩ２０およびドライバＬＳＩ２２が
配置されている。そして、アンプＬＳＩ２０およびドラ
イバＬＳＩ２２と、データ電極線４ｂおよびゲート電極
線４ａ（図３参照）とは、例えばＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）形態やＣＯＧ（Chip on Glass ）形態で接
続されている。なお、図５では、その接続部分を省略し
ている。また、同図では、ドライバＬＳＩ２２およびア
ンプＬＳＩ２０を一部省略し、実際に設置されるドライ
バＬＳＩ２２およびアンプＬＳＩ２０の数より少なく表
している。
部には、アンプＬＳＩ２０およびドライバＬＳＩ２２が
配置されている。そして、アンプＬＳＩ２０およびドラ
イバＬＳＩ２２と、データ電極線４ｂおよびゲート電極
線４ａ（図３参照）とは、例えばＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）形態やＣＯＧ（Chip on Glass ）形態で接
続されている。なお、図５では、その接続部分を省略し
ている。また、同図では、ドライバＬＳＩ２２およびア
ンプＬＳＩ２０を一部省略し、実際に設置されるドライ
バＬＳＩ２２およびアンプＬＳＩ２０の数より少なく表
している。
【０１２７】次に、上記二次元画像検出器の製造方法に
ついて図１および図２を用いて説明する。図１は、本実
施の形態に係る二次元画像検出器の製造工程を順に示し
た工程図であり、図２（ａ）から図２（ｈ）は、図１の
各工程における二次元画像検出器の状態を示す断面図で
ある。
ついて図１および図２を用いて説明する。図１は、本実
施の形態に係る二次元画像検出器の製造工程を順に示し
た工程図であり、図２（ａ）から図２（ｈ）は、図１の
各工程における二次元画像検出器の状態を示す断面図で
ある。
【０１２８】図１に示すように、本実施の形態に係る二
次元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程
（工程Ｐ１）、表面保護層形成工程（工程Ｐ２）、ＴＦ
Ｔアレイ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工
程Ｐ４）、表面保護層除去工程（工程Ｐ５）、Ｘ線導電
層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ
７）、実装工程（工程Ｐ８）を含んでいる。これらの各
工程における二次元画像検出器の断面を、それぞれ図２
（ａ）から図２（ｈ）に表している。以下において、各
工程について対応する図２（ａ）から図２（ｈ）に基づ
いて説明する。
次元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程
（工程Ｐ１）、表面保護層形成工程（工程Ｐ２）、ＴＦ
Ｔアレイ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工
程Ｐ４）、表面保護層除去工程（工程Ｐ５）、Ｘ線導電
層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ
７）、実装工程（工程Ｐ８）を含んでいる。これらの各
工程における二次元画像検出器の断面を、それぞれ図２
（ａ）から図２（ｈ）に表している。以下において、各
工程について対応する図２（ａ）から図２（ｈ）に基づ
いて説明する。
【０１２９】ＴＦＴアレイ作製工程（工程Ｐ１）では、
アクティブマトリクス型液晶表示装置と同様の製造工程
により、マザーガラス基板（基板）１ａ上にＴＦＴアレ
イ３２を作製する。具体的には、マザーガラス基板１ａ
上に上記電極配線（ゲート電極線４ａおよびデータ電極
線４ｂ）４や、各画素１１に設けられたＴＦＴ６、電荷
蓄積容量８、画素電極１０など（図３または図４参照）
を形成する。なお、図２（ａ）では、図を簡略化してマ
ザーガラス基板１ａおよび画素電極１０のみを表してい
る（以下においても同様に表す）。
アクティブマトリクス型液晶表示装置と同様の製造工程
により、マザーガラス基板（基板）１ａ上にＴＦＴアレ
イ３２を作製する。具体的には、マザーガラス基板１ａ
上に上記電極配線（ゲート電極線４ａおよびデータ電極
線４ｂ）４や、各画素１１に設けられたＴＦＴ６、電荷
蓄積容量８、画素電極１０など（図３または図４参照）
を形成する。なお、図２（ａ）では、図を簡略化してマ
ザーガラス基板１ａおよび画素電極１０のみを表してい
る（以下においても同様に表す）。
【０１３０】ここで、マザーガラス基板１ａとしては、
５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×厚み１．１ｍｍのものを用い
た。これは、ＴＦＴアレイ３２を作製する製造装置が、
一般に特定のサイズの基板にのみ対応するものであり、
上記マザーガラス基板１ａとしては、そのサイズに適合
するものを使用する必要があるためである。また、ＴＦ
Ｔアレイ３２を形成する有効領域は、４３０ｍｍ×４３
０ｍｍとなるようにした。これは、作製する二次元画像
検出器に必要な画像取込み領域から決定される。
５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×厚み１．１ｍｍのものを用い
た。これは、ＴＦＴアレイ３２を作製する製造装置が、
一般に特定のサイズの基板にのみ対応するものであり、
上記マザーガラス基板１ａとしては、そのサイズに適合
するものを使用する必要があるためである。また、ＴＦ
Ｔアレイ３２を形成する有効領域は、４３０ｍｍ×４３
０ｍｍとなるようにした。これは、作製する二次元画像
検出器に必要な画像取込み領域から決定される。
【０１３１】なお、ＴＦＴアレイ３２の具体的な製造方
法としては、アクティブマトリクス型液晶表示装置の分
野で周知のため、詳細の説明は省略する。
法としては、アクティブマトリクス型液晶表示装置の分
野で周知のため、詳細の説明は省略する。
【０１３２】次に、表面保護層形成工程（工程Ｐ２）で
は、マザーガラス基板１ａ上のＴＦＴアレイ３２を形成
した領域を覆うようにして表面保護層（保護部材）３４
を形成する。ここでは、表面保護層３４として感光性樹
脂を用いる。具体的には、液晶や半導体などの製造工程
におけるフォトリソグラフィ工程で用いるフォトレジス
トを用いることができる。
は、マザーガラス基板１ａ上のＴＦＴアレイ３２を形成
した領域を覆うようにして表面保護層（保護部材）３４
を形成する。ここでは、表面保護層３４として感光性樹
脂を用いる。具体的には、液晶や半導体などの製造工程
におけるフォトリソグラフィ工程で用いるフォトレジス
トを用いることができる。
【０１３３】このフォトレジストを用いた表面保護層３
４の形成は、次のようにして行う。まず、フォトレジス
トをスピン塗布することにより、マザーガラス基板１ａ
の表面に約２μｍの厚みのフォトレジストを付与する。
次に、通常のフォトリソグラフィ工程と同様に、露光・
現像を行うことにより、フォトレジストをパターニング
する。
４の形成は、次のようにして行う。まず、フォトレジス
トをスピン塗布することにより、マザーガラス基板１ａ
の表面に約２μｍの厚みのフォトレジストを付与する。
次に、通常のフォトリソグラフィ工程と同様に、露光・
現像を行うことにより、フォトレジストをパターニング
する。
【０１３４】ここで、フォトレジストのパターンは、Ｔ
ＦＴアレイ３２が形成されている領域にフォトレジスト
が存在し、かつ、次の工程（工程Ｐ３）においてマザー
ガラス基板１ａからアクティブマトリクス基板１を所定
のサイズに切り出す際の分断ライン１ｂ近傍にはフォト
レジストが存在しないようにする。このようにしてマザ
ーガラス基板１ａ上に形成したフォトレジストを表面保
護層３４とする。
ＦＴアレイ３２が形成されている領域にフォトレジスト
が存在し、かつ、次の工程（工程Ｐ３）においてマザー
ガラス基板１ａからアクティブマトリクス基板１を所定
のサイズに切り出す際の分断ライン１ｂ近傍にはフォト
レジストが存在しないようにする。このようにしてマザ
ーガラス基板１ａ上に形成したフォトレジストを表面保
護層３４とする。
【０１３５】なお、感光性樹脂としては、上記のフォト
レジスト以外にも、感光性アクリル樹脂など、ネガ型／
ポジ型を問わず用いることが可能である。具体的には、
東京応化工業株式会社製のフォトレジストＯＦＰＲ（登
録商標）シリ−ズや、帝人株式会社製のＴＦＲ（登録商
標）シリ−ズなどを用いることができる。
レジスト以外にも、感光性アクリル樹脂など、ネガ型／
ポジ型を問わず用いることが可能である。具体的には、
東京応化工業株式会社製のフォトレジストＯＦＰＲ（登
録商標）シリ−ズや、帝人株式会社製のＴＦＲ（登録商
標）シリ−ズなどを用いることができる。
【０１３６】上記では、感光性樹脂を用いて表面保護層
３４を形成する方法について説明したが、その他にも次
の各方法により表面保護層３４を形成することができ
る。
３４を形成する方法について説明したが、その他にも次
の各方法により表面保護層３４を形成することができ
る。
【０１３７】まず、印刷法による表面保護層３４の形成
が可能である。印刷法としては、スクリーン印刷、凹版
印刷、凸版印刷など周知の印刷法を利用することができ
る。これらの印刷法では、感光性を有しない各種の材料
であっても、その材料の塗布およびパターニングを同時
に行うことができる。
が可能である。印刷法としては、スクリーン印刷、凹版
印刷、凸版印刷など周知の印刷法を利用することができ
る。これらの印刷法では、感光性を有しない各種の材料
であっても、その材料の塗布およびパターニングを同時
に行うことができる。
【０１３８】また、水溶性樹脂（例えば、水溶性ワック
スなど）を用いて表面保護層３４を形成することも可能
である。表面保護層３４を水溶性樹脂で形成すると、後
の表面保護層除去工程（工程Ｐ５）において表面保護層
３４を除去する際に、特殊な溶剤を用いることなく水や
温水を用いることができる。したがって、溶剤によるＸ
線導電層１２の汚染や、環境汚染などの問題を軽減する
ことができる。
スなど）を用いて表面保護層３４を形成することも可能
である。表面保護層３４を水溶性樹脂で形成すると、後
の表面保護層除去工程（工程Ｐ５）において表面保護層
３４を除去する際に、特殊な溶剤を用いることなく水や
温水を用いることができる。したがって、溶剤によるＸ
線導電層１２の汚染や、環境汚染などの問題を軽減する
ことができる。
【０１３９】この場合、水溶性樹脂の塗布方法として
は、上記と同様にスピン塗布により塗布することができ
る。また、水溶性樹脂が熱可塑性のものである場合は、
一般的に知られている加熱しながら塗っていく方法を用
いることもできる。いずれの場合も、この水溶性樹脂が
感光性でないときは、上記分断ライン１ｂの近傍を予め
治具などにより保護しておいて塗布を行うか、またはマ
ザーガラス基板１ａ全面に塗布した後で分断ライン１ｂ
近傍の水溶性樹脂を除去するようにする。
は、上記と同様にスピン塗布により塗布することができ
る。また、水溶性樹脂が熱可塑性のものである場合は、
一般的に知られている加熱しながら塗っていく方法を用
いることもできる。いずれの場合も、この水溶性樹脂が
感光性でないときは、上記分断ライン１ｂの近傍を予め
治具などにより保護しておいて塗布を行うか、またはマ
ザーガラス基板１ａ全面に塗布した後で分断ライン１ｂ
近傍の水溶性樹脂を除去するようにする。
【０１４０】次に、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）
では、マザーガラス基板１ａからアクティブマトリクス
基板１を所定のサイズに切り出す。アクティブマトリク
ス基板１として必要なサイズは、ＴＦＴアレイ３２が形
成されている有効領域（ここでは、４３０ｍｍ×４３０
ｍｍ）と、その周辺に駆動回路（アンプＬＳＩ２０、ド
ライバＬＳＩ２２（図５参照））を実装するための領域
とを含むサイズである。ここでは、アクティブマトリク
ス基板１のサイズを、４８０ｍｍ×４８０ｍｍとする。
では、マザーガラス基板１ａからアクティブマトリクス
基板１を所定のサイズに切り出す。アクティブマトリク
ス基板１として必要なサイズは、ＴＦＴアレイ３２が形
成されている有効領域（ここでは、４３０ｍｍ×４３０
ｍｍ）と、その周辺に駆動回路（アンプＬＳＩ２０、ド
ライバＬＳＩ２２（図５参照））を実装するための領域
とを含むサイズである。ここでは、アクティブマトリク
ス基板１のサイズを、４８０ｍｍ×４８０ｍｍとする。
【０１４１】マザーガラス基板１ａを切断する手段とし
ては、ダイヤモンドスクライブ法を用いる。ダイヤモン
ドスクライブ法とは、ダイヤモンド刃を用いてガラスな
どの表面にスクライブ線（罫書き線）を引くことにより
マイクロクラックを形成し、その部分に力を加えてガラ
スなどを分断する方法である。このダイヤモンドスクラ
イブ法は、用いる装置が安価であり、スループット（処
理能力）が優れているという利点を有する一方、スクラ
イブ線を形成する際にガラスの破片（カレット）が飛散
しやすいという問題点も併せて有している。
ては、ダイヤモンドスクライブ法を用いる。ダイヤモン
ドスクライブ法とは、ダイヤモンド刃を用いてガラスな
どの表面にスクライブ線（罫書き線）を引くことにより
マイクロクラックを形成し、その部分に力を加えてガラ
スなどを分断する方法である。このダイヤモンドスクラ
イブ法は、用いる装置が安価であり、スループット（処
理能力）が優れているという利点を有する一方、スクラ
イブ線を形成する際にガラスの破片（カレット）が飛散
しやすいという問題点も併せて有している。
【０１４２】しかし、本実施の形態では、上記の表面保
護層形成工程（工程Ｐ２）において、ＴＦＴアレイ３２
を形成した領域を覆うようにして表面保護層３４を形成
しているため、ガラスの破片が直接ＴＦＴアレイ３２の
表面に付着することを防止することができる。そのた
め、ＴＦＴアレイ３２が汚染されたり、ＴＦＴアレイ３
２に傷が付くことを防ぐことができる。
護層形成工程（工程Ｐ２）において、ＴＦＴアレイ３２
を形成した領域を覆うようにして表面保護層３４を形成
しているため、ガラスの破片が直接ＴＦＴアレイ３２の
表面に付着することを防止することができる。そのた
め、ＴＦＴアレイ３２が汚染されたり、ＴＦＴアレイ３
２に傷が付くことを防ぐことができる。
【０１４３】また、本実施の形態では、上記の表面保護
層形成工程（工程Ｐ２）において、表面保護層３４をパ
ターニングして形成しており、分断ライン１ｂ近傍には
表面保護層３４が存在しないため、スクライブ線の形成
が容易である。
層形成工程（工程Ｐ２）において、表面保護層３４をパ
ターニングして形成しており、分断ライン１ｂ近傍には
表面保護層３４が存在しないため、スクライブ線の形成
が容易である。
【０１４４】なお、マザーガラス基板１ａを切断する手
段としては、上記のダイヤモンドスクライブ法以外に、
ダイヤモンドブレードなどを用いたダイシング法を用い
ることもできる。この方法は、切断部に処理水をかけな
がら切断処理を行うものであり、その際に、処理水、ガ
ラスの研削粉、ブレードの摩耗粉などの汚染物が発生す
る。この方法を用いた場合であっても、上記と同様、表
面保護層３４によりこれらの汚染物からＴＦＴアレイ３
２を保護することができる。
段としては、上記のダイヤモンドスクライブ法以外に、
ダイヤモンドブレードなどを用いたダイシング法を用い
ることもできる。この方法は、切断部に処理水をかけな
がら切断処理を行うものであり、その際に、処理水、ガ
ラスの研削粉、ブレードの摩耗粉などの汚染物が発生す
る。この方法を用いた場合であっても、上記と同様、表
面保護層３４によりこれらの汚染物からＴＦＴアレイ３
２を保護することができる。
【０１４５】上記ダイヤモンドスクライブ法やダイシン
グ法により切断したアクティブマトリクス基板１の切断
辺は、エッジが脆く欠けやすい状態にある。したがっ
て、次のエッジ面取り工程（工程Ｐ４）により面取り処
理を行うことが望ましい。
グ法により切断したアクティブマトリクス基板１の切断
辺は、エッジが脆く欠けやすい状態にある。したがっ
て、次のエッジ面取り工程（工程Ｐ４）により面取り処
理を行うことが望ましい。
【０１４６】エッジ面取り工程（工程Ｐ４）では、上記
エッジの面取りを行う。面取り処理は、通常、面取り部
分（エッジ部分）に処理水をかけながら砥石を用いて研
磨する方法が一般的であり、本実施の形態でもこの方法
を用いる。この場合も、処理水、ガラスの研磨粉、砥石
の摩耗粉などの汚染物が発生する。しかし、上記のＴＦ
Ｔアレイ分断工程（工程Ｐ３）と同様、表面保護層３４
によりこれらの汚染物からＴＦＴアレイ３２を保護する
ことができる。
エッジの面取りを行う。面取り処理は、通常、面取り部
分（エッジ部分）に処理水をかけながら砥石を用いて研
磨する方法が一般的であり、本実施の形態でもこの方法
を用いる。この場合も、処理水、ガラスの研磨粉、砥石
の摩耗粉などの汚染物が発生する。しかし、上記のＴＦ
Ｔアレイ分断工程（工程Ｐ３）と同様、表面保護層３４
によりこれらの汚染物からＴＦＴアレイ３２を保護する
ことができる。
【０１４７】次に、表面保護層除去工程（工程Ｐ５）に
おいて、アクティブマトリクス基板１から表面保護層３
４を除去する。表面保護層３４としてフォトレジストを
用いた場合では、表面保護層３４を除去するために専用
のレジスト剥離液を用いることが好ましく、その他にも
各種有機溶剤を用いることができる。また、表面保護層
３４として水溶性樹脂を用いた場合では、水または温水
を用いることができ、超音波洗浄やジャグジーなどを使
用するとさらに効果的である。
おいて、アクティブマトリクス基板１から表面保護層３
４を除去する。表面保護層３４としてフォトレジストを
用いた場合では、表面保護層３４を除去するために専用
のレジスト剥離液を用いることが好ましく、その他にも
各種有機溶剤を用いることができる。また、表面保護層
３４として水溶性樹脂を用いた場合では、水または温水
を用いることができ、超音波洗浄やジャグジーなどを使
用するとさらに効果的である。
【０１４８】次に、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）に
おいて、アクティブマトリクス基板１上にＸ線導電層１
２を形成する。ここでは、真空蒸着法によりａ−Ｓｅ膜
を成膜することにより、Ｘ線導電層１２を形成する。そ
して、ＴＦＴアレイ３２が形成された領域のほぼ全面を
ａ−Ｓｅ膜が覆い、かつ、ａ−Ｓｅ膜の膜厚が約５００
〜１５００μｍとなるように成膜する。
おいて、アクティブマトリクス基板１上にＸ線導電層１
２を形成する。ここでは、真空蒸着法によりａ−Ｓｅ膜
を成膜することにより、Ｘ線導電層１２を形成する。そ
して、ＴＦＴアレイ３２が形成された領域のほぼ全面を
ａ−Ｓｅ膜が覆い、かつ、ａ−Ｓｅ膜の膜厚が約５００
〜１５００μｍとなるように成膜する。
【０１４９】このとき、Ｘ線導電層１２を形成する下地
となるアクティブマトリクス基板１の表面は、上記の表
面保護層３４の作用により、汚染されずにクリーンな状
態が保たれている。したがって、この上に成膜するａ−
Ｓｅ膜は、膜質が非常に安定したものとなる。
となるアクティブマトリクス基板１の表面は、上記の表
面保護層３４の作用により、汚染されずにクリーンな状
態が保たれている。したがって、この上に成膜するａ−
Ｓｅ膜は、膜質が非常に安定したものとなる。
【０１５０】次に、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）に
おいて、Ｘ線導電層１２上に表面電極層１６を形成す
る。ここでは、表面電極層１６として、Ａｕ（金）を真
空蒸着法により約０．５μｍの膜厚となるように成膜す
る。
おいて、Ｘ線導電層１２上に表面電極層１６を形成す
る。ここでは、表面電極層１６として、Ａｕ（金）を真
空蒸着法により約０．５μｍの膜厚となるように成膜す
る。
【０１５１】次に、実装工程（工程Ｐ８）において、ア
クティブマトリクス基板１の周辺部にドライバＬＳＩ２
２やアンプＬＳＩ２０を実装する。これらの実装形態と
しては、前述したＴＡＢ形態やＣＯＧ形態などの形態を
とることができる。ただし、これらの実装時に発生する
熱によりＸ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜が結晶化し
ないように、アクティブマトリクス基板１の温度をコン
トロールし、温度上昇を抑制しながら実装を行う。ここ
では、ＴＡＢ形態をとるものとする。
クティブマトリクス基板１の周辺部にドライバＬＳＩ２
２やアンプＬＳＩ２０を実装する。これらの実装形態と
しては、前述したＴＡＢ形態やＣＯＧ形態などの形態を
とることができる。ただし、これらの実装時に発生する
熱によりＸ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜が結晶化し
ないように、アクティブマトリクス基板１の温度をコン
トロールし、温度上昇を抑制しながら実装を行う。ここ
では、ＴＡＢ形態をとるものとする。
【０１５２】また、表面電極層１６と高圧電源１８（図
３参照）を接続するためのセンサバイアスリード線１６
ａを表面電極層１６に接続する。
３参照）を接続するためのセンサバイアスリード線１６
ａを表面電極層１６に接続する。
【０１５３】そして、上記のようにして形成した二次元
画像検出器を、これ以降の組み立て工程へと送り、高圧
電源１８（図３参照）などの他の部品と組み立てること
により装置が完成する。これ以降の工程については説明
を省略する。
画像検出器を、これ以降の組み立て工程へと送り、高圧
電源１８（図３参照）などの他の部品と組み立てること
により装置が完成する。これ以降の工程については説明
を省略する。
【０１５４】なお、上記の工程（図１参照）において、
工程Ｐ６から工程Ｐ８の順序を入れ替え、実装工程（工
程Ｐ８）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極
層形成工程（工程Ｐ７）の順に行ってもよい。
工程Ｐ６から工程Ｐ８の順序を入れ替え、実装工程（工
程Ｐ８）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極
層形成工程（工程Ｐ７）の順に行ってもよい。
【０１５５】以上の工程では、ＴＦＴアレイ分断工程
（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ４）の際
に、ＴＦＴアレイ３２が表面保護層３４によって保護さ
れている。したがって、これらの工程により発生する汚
染物が、ＴＦＴアレイ３２に直接触れることを回避する
ことができる。そのため、ＴＦＴアレイ３２の性能を良
好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質を向上させるこ
とができる。その結果、本実施の形態に係る製造工程で
は、二次元画像検出器の製造歩留り、および二次元画像
検出器の信頼性を向上させることができる。
（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ４）の際
に、ＴＦＴアレイ３２が表面保護層３４によって保護さ
れている。したがって、これらの工程により発生する汚
染物が、ＴＦＴアレイ３２に直接触れることを回避する
ことができる。そのため、ＴＦＴアレイ３２の性能を良
好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質を向上させるこ
とができる。その結果、本実施の形態に係る製造工程で
は、二次元画像検出器の製造歩留り、および二次元画像
検出器の信頼性を向上させることができる。
【０１５６】なお、本実施の形態では、Ｘ線による画像
を検出するための二次元画像検出器について説明してお
り、光導電膜としてはＸ線導電層１２について説明し
た。しかし、本発明は、これに限られるものではなく、
Ｘ線の他にも可視光線、赤外線、紫外線など、様々な波
長域の電磁波を対象とすることができる。Ｘ線以外の電
磁波を対象とする場合には、対象とする電磁波に合わせ
て上記Ｘ線導電層１２を適宜変更すればよい。
を検出するための二次元画像検出器について説明してお
り、光導電膜としてはＸ線導電層１２について説明し
た。しかし、本発明は、これに限られるものではなく、
Ｘ線の他にも可視光線、赤外線、紫外線など、様々な波
長域の電磁波を対象とすることができる。Ｘ線以外の電
磁波を対象とする場合には、対象とする電磁波に合わせ
て上記Ｘ線導電層１２を適宜変更すればよい。
【０１５７】また、上記のＸ線導電層１２としてのａ−
Ｓｅ膜は、可視光線に対しても良好な光導電性を有して
いる。そこで、これを用いて高電界印加時のアバランシ
ェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発も進めら
れている。この高感度イメージセンサの製造工程におい
ても、本発明は有効である。
Ｓｅ膜は、可視光線に対しても良好な光導電性を有して
いる。そこで、これを用いて高電界印加時のアバランシ
ェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発も進めら
れている。この高感度イメージセンサの製造工程におい
ても、本発明は有効である。
【０１５８】上記したａ−Ｓｅ膜が、汚染や加熱により
結晶化（特性劣化）する現象は、結晶化温度の高低差は
あるものの、非晶質材料全般に共通の現象である。した
がって、例えば、アモルファスＳｉ、アモルファスＳｉ
Ｃ、アモルファスＳｉＧｅなどを光導電膜とした場合で
あっても本発明は有効である。
結晶化（特性劣化）する現象は、結晶化温度の高低差は
あるものの、非晶質材料全般に共通の現象である。した
がって、例えば、アモルファスＳｉ、アモルファスＳｉ
Ｃ、アモルファスＳｉＧｅなどを光導電膜とした場合で
あっても本発明は有効である。
【０１５９】さらに、上記では、Ｘ線導電層１２を形成
することにより二次元画像検出器を製造する場合につい
て説明したが、Ｘ線導電層１２を形成する前の段階まで
の工程は、アクティブマトリクス基板１の製造工程であ
る。したがって、二次元画像検出器以外であっても、例
えば液晶表示装置などのようにアクティブマトリクス基
板１を用いる装置の製造工程に応用することができる。
することにより二次元画像検出器を製造する場合につい
て説明したが、Ｘ線導電層１２を形成する前の段階まで
の工程は、アクティブマトリクス基板１の製造工程であ
る。したがって、二次元画像検出器以外であっても、例
えば液晶表示装置などのようにアクティブマトリクス基
板１を用いる装置の製造工程に応用することができる。
【０１６０】（変形例）次に、本実施の形態における一
変形例について図６および図７に基づいて説明すれば、
以下の通りである。図６は、本変形例に係る二次元画像
検出器の製造工程を順に示した工程図であり、図７
（ａ）から図７（ｉ）は、図６の各工程における二次元
画像検出器の状態を示す断面図である。
変形例について図６および図７に基づいて説明すれば、
以下の通りである。図６は、本変形例に係る二次元画像
検出器の製造工程を順に示した工程図であり、図７
（ａ）から図７（ｉ）は、図６の各工程における二次元
画像検出器の状態を示す断面図である。
【０１６１】図６に示すように、本変形例に係る二次元
画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程（工程
Ｐ１）、表面保護層形成工程（工程Ｐ２）、ＴＦＴアレ
イ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工程Ｐ
４）、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）、表面
保護層除去工程（工程Ｐ５）、Ｘ線導電層形成工程（工
程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）、バイアス
リード線実装工程（工程Ｐ８ｂ）を含んでいる。
画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程（工程
Ｐ１）、表面保護層形成工程（工程Ｐ２）、ＴＦＴアレ
イ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工程Ｐ
４）、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）、表面
保護層除去工程（工程Ｐ５）、Ｘ線導電層形成工程（工
程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）、バイアス
リード線実装工程（工程Ｐ８ｂ）を含んでいる。
【０１６２】また、これらの各工程における二次元画像
検出器の断面を、それぞれ図７（ａ）から図７（ｉ）に
表している。以下において、各工程について対応する図
７（ａ）から図７（ｉ）に基づいて説明する。なお、上
記の工程と同等の処理を行う工程については、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
検出器の断面を、それぞれ図７（ａ）から図７（ｉ）に
表している。以下において、各工程について対応する図
７（ａ）から図７（ｉ）に基づいて説明する。なお、上
記の工程と同等の処理を行う工程については、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
【０１６３】本変形例においては、上記の実装工程（工
程Ｐ８）を、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）
およびバイアスリード線実装工程（工程Ｐ８ｂ）に分割
して行う。そして、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ
８ａ）を、エッジ面取り工程（工程Ｐ４）と表面保護層
除去工程（工程Ｐ５）との間で行う。
程Ｐ８）を、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）
およびバイアスリード線実装工程（工程Ｐ８ｂ）に分割
して行う。そして、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ
８ａ）を、エッジ面取り工程（工程Ｐ４）と表面保護層
除去工程（工程Ｐ５）との間で行う。
【０１６４】つまり、エッジ面取り工程（工程Ｐ４）を
行った後、表面保護層３４がＴＦＴアレイ３２を覆って
いる状態でドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０を実
装する（ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ））。
これらの実装に関しては上記と同様にして行う。
行った後、表面保護層３４がＴＦＴアレイ３２を覆って
いる状態でドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０を実
装する（ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ））。
これらの実装に関しては上記と同様にして行う。
【０１６５】ここで、ドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳ
Ｉ２０を実装する際には、例えばＡＣＦ（anisotropic
conductive film ）を用いた異方導電接続や、半田を用
いたワイヤーボンディング接続などのように、熱を加え
ることにより接着する処理が含まれる。このような処理
においては、汚染物となり得るガスやダストが発生し、
ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２が汚染される可能性
がある。しかし、本変形例においては、ドライバＬＳＩ
２２やアンプＬＳＩ２０を実装する際に、ＴＦＴアレイ
３２は表面保護層３４により保護されており、またＸ線
導電層１２は未形成であるため、これらが汚染されるこ
とを回避することができる。
Ｉ２０を実装する際には、例えばＡＣＦ（anisotropic
conductive film ）を用いた異方導電接続や、半田を用
いたワイヤーボンディング接続などのように、熱を加え
ることにより接着する処理が含まれる。このような処理
においては、汚染物となり得るガスやダストが発生し、
ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２が汚染される可能性
がある。しかし、本変形例においては、ドライバＬＳＩ
２２やアンプＬＳＩ２０を実装する際に、ＴＦＴアレイ
３２は表面保護層３４により保護されており、またＸ線
導電層１２は未形成であるため、これらが汚染されるこ
とを回避することができる。
【０１６６】そして、ドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳ
Ｉ２０を実装した後、表面保護層除去工程（工程Ｐ５）
において表面保護層３４を除去し、Ｘ線導電層形成工程
（工程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）を行
う。
Ｉ２０を実装した後、表面保護層除去工程（工程Ｐ５）
において表面保護層３４を除去し、Ｘ線導電層形成工程
（工程Ｐ６）、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）を行
う。
【０１６７】さらに、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）
により表面電極層１６を形成した後、表面電極層１６に
センサバイアスリード線１６ａを接続するバイアスリー
ド線実装工程（工程Ｐ８ｂ）を行う。
により表面電極層１６を形成した後、表面電極層１６に
センサバイアスリード線１６ａを接続するバイアスリー
ド線実装工程（工程Ｐ８ｂ）を行う。
【０１６８】以上の工程では、ＴＦＴアレイ分断工程
（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ４）に加
えて、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）におい
てもＴＦＴアレイ３２が表面保護層３４によって保護さ
れている。また、Ｘ線導電層１２は、これらの工程終了
後に形成される。したがって、これらの工程により発生
する汚染物が、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直
接触れることを回避することができる。
（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ４）に加
えて、ドライバ・アンプ実装工程（工程Ｐ８ａ）におい
てもＴＦＴアレイ３２が表面保護層３４によって保護さ
れている。また、Ｘ線導電層１２は、これらの工程終了
後に形成される。したがって、これらの工程により発生
する汚染物が、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直
接触れることを回避することができる。
【０１６９】そのため、ＴＦＴアレイ３２の性能をさら
に良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質をさらに向
上させることができる。その結果、本変形例に係る製造
工程では、二次元画像検出器の製造歩留りおよび信頼性
をさらに向上させることができる。
に良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質をさらに向
上させることができる。その結果、本変形例に係る製造
工程では、二次元画像検出器の製造歩留りおよび信頼性
をさらに向上させることができる。
【０１７０】また、上記の工程では、Ｘ線導電層形成工
程（工程Ｐ６）より前の段階でドライバ・アンプ実装工
程（工程Ｐ８ａ）を行うので、ドライバ・アンプ実装時
に熱処理を行ったとしても、その熱でＸ線導電層１２に
悪影響を与えることはない。
程（工程Ｐ６）より前の段階でドライバ・アンプ実装工
程（工程Ｐ８ａ）を行うので、ドライバ・アンプ実装時
に熱処理を行ったとしても、その熱でＸ線導電層１２に
悪影響を与えることはない。
【０１７１】〔実施の形態２〕本発明の別の実施の形態
について図８から図９に基づいて説明すれば、以下の通
りである。なお、実施の形態１において説明した構成要
素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符
号を付記しその説明を省略する。
について図８から図９に基づいて説明すれば、以下の通
りである。なお、実施の形態１において説明した構成要
素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符
号を付記しその説明を省略する。
【０１７２】図８は、本実施の形態に係る二次元画像検
出器の製造工程を順に示した工程図であり、図９（ａ）
から図９（ｇ）は、図８の各工程における二次元画像検
出器の状態を示す断面図である。
出器の製造工程を順に示した工程図であり、図９（ａ）
から図９（ｇ）は、図８の各工程における二次元画像検
出器の状態を示す断面図である。
【０１７３】図８に示すように、本実施の形態に係る二
次元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程
（工程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面
電極層形成工程（工程Ｐ７）、表面保護部材形成工程
（工程Ｐ２ａ）、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）、
エッジ面取り工程（工程Ｐ４）、実装工程（工程Ｐ８
ｃ）を含んでいる。
次元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程
（工程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面
電極層形成工程（工程Ｐ７）、表面保護部材形成工程
（工程Ｐ２ａ）、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）、
エッジ面取り工程（工程Ｐ４）、実装工程（工程Ｐ８
ｃ）を含んでいる。
【０１７４】また、これらの各工程における二次元画像
検出器の断面を、それぞれ図９（ａ）から図９（ｇ）に
表している。以下において、各工程について対応する図
９（ａ）から図９（ｇ）に基づいて説明する。なお、実
施の形態１において説明した工程と同等の処理を行う工
程については、同一の符号を付記し、その説明を一部省
略する。
検出器の断面を、それぞれ図９（ａ）から図９（ｇ）に
表している。以下において、各工程について対応する図
９（ａ）から図９（ｇ）に基づいて説明する。なお、実
施の形態１において説明した工程と同等の処理を行う工
程については、同一の符号を付記し、その説明を一部省
略する。
【０１７５】まず、ＴＦＴアレイ作製工程（工程Ｐ１）
によってマザーガラス基板１ａ上にＴＦＴアレイ３２を
形成する。
によってマザーガラス基板１ａ上にＴＦＴアレイ３２を
形成する。
【０１７６】次に、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）に
よってＸ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜を形成する。
ここで、マザーガラス基板１ａにＴＦＴアレイ３２を形
成した直後にＸ線導電層１２を形成するので、Ｘ線導電
層１２を形成する下地となるＴＦＴアレイ３２の表面が
汚染される可能性は極めて小さい。したがって、ＴＦＴ
アレイ３２が汚染されることなく、Ｘ線導電層１２の膜
質を良好に形成することができるので、非常に安定した
ＴＦＴアレイ３２およびＸ線導電層１２を形成すること
ができる。
よってＸ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜を形成する。
ここで、マザーガラス基板１ａにＴＦＴアレイ３２を形
成した直後にＸ線導電層１２を形成するので、Ｘ線導電
層１２を形成する下地となるＴＦＴアレイ３２の表面が
汚染される可能性は極めて小さい。したがって、ＴＦＴ
アレイ３２が汚染されることなく、Ｘ線導電層１２の膜
質を良好に形成することができるので、非常に安定した
ＴＦＴアレイ３２およびＸ線導電層１２を形成すること
ができる。
【０１７７】次に、表面電極層形成工程（工程Ｐ７）に
より、Ｘ線導電層１２上に表面電極層１６を形成する。
より、Ｘ線導電層１２上に表面電極層１６を形成する。
【０１７８】次に、表面保護部材形成工程（工程Ｐ２
ａ）により、実施の形態１における表面保護層３４（図
２（ｂ）から図２（ｄ）参照）の代わりに表面保護部材
（保護部材）３５を設置する。この表面保護部材３５
は、保護ガラス板３５ａ、シール材（接合材）３５ｂお
よびシールテープ３５ｃから構成されている。
ａ）により、実施の形態１における表面保護層３４（図
２（ｂ）から図２（ｄ）参照）の代わりに表面保護部材
（保護部材）３５を設置する。この表面保護部材３５
は、保護ガラス板３５ａ、シール材（接合材）３５ｂお
よびシールテープ３５ｃから構成されている。
【０１７９】この表面保護部材３５を次のようにして設
置することにより、Ｘ線導電層１２および表面電極層１
６を保護する。
置することにより、Ｘ線導電層１２および表面電極層１
６を保護する。
【０１８０】まず、マザーガラス基板１ａにおけるＸ線
導電層１２が形成されている領域の外周に、Ｘ線導電層
１２を取り囲んでシール材３５ｂを形成する。シール材
３５ｂとしては、マザーガラス基板１ａおよび保護ガラ
ス板３５ａとの密着性が良好であり、ａ−Ｓｅ膜に熱の
影響を与えることなく硬化することが可能なものが適し
ている。このようなシール材３５ｂとして、例えば光硬
化性接着剤やシリコーンシール材などが好ましい。
導電層１２が形成されている領域の外周に、Ｘ線導電層
１２を取り囲んでシール材３５ｂを形成する。シール材
３５ｂとしては、マザーガラス基板１ａおよび保護ガラ
ス板３５ａとの密着性が良好であり、ａ−Ｓｅ膜に熱の
影響を与えることなく硬化することが可能なものが適し
ている。このようなシール材３５ｂとして、例えば光硬
化性接着剤やシリコーンシール材などが好ましい。
【０１８１】そして、このシール材３５ｂを介してマザ
ーガラス基板１ａに対向するように、つまり、Ｘ線導電
層１２および表面電極層１６を覆うようにして洗浄済み
の保護ガラス板３５ａを設置する。ここでは、板厚０．
７ｍｍのものを用いた。
ーガラス基板１ａに対向するように、つまり、Ｘ線導電
層１２および表面電極層１６を覆うようにして洗浄済み
の保護ガラス板３５ａを設置する。ここでは、板厚０．
７ｍｍのものを用いた。
【０１８２】上記のように、保護ガラス板３５とマザー
ガラス基板１ａとの材質が同じであると、両者が固定さ
れた状態になっても、両者の熱膨張係数が等しいために
熱膨張差に起因する基板の反りの発生を回避することが
できる。なお、保護ガラス板３５ａの代わりに、ＰＥＴ
（polyethylene terephthalate）などの樹脂シートを用
いることも可能である。
ガラス基板１ａとの材質が同じであると、両者が固定さ
れた状態になっても、両者の熱膨張係数が等しいために
熱膨張差に起因する基板の反りの発生を回避することが
できる。なお、保護ガラス板３５ａの代わりに、ＰＥＴ
（polyethylene terephthalate）などの樹脂シートを用
いることも可能である。
【０１８３】保護ガラス板３５ａには、後にセンサバイ
アスリード線１６ａを実装するための貫通孔３５ｄを形
成し、その貫通孔３５ｄを予めシールテープ３５ｃによ
り封止しておく。なお、シール材３５ｂを保護ガラス板
３５ａに形成した後、マザーガラス基板１ａに設置する
ようにしてもよい。
アスリード線１６ａを実装するための貫通孔３５ｄを形
成し、その貫通孔３５ｄを予めシールテープ３５ｃによ
り封止しておく。なお、シール材３５ｂを保護ガラス板
３５ａに形成した後、マザーガラス基板１ａに設置する
ようにしてもよい。
【０１８４】ここで、シール材３５ｂとマザーガラス基
板１ａとの間、シール材３５ｂと保護ガラス板３５ａと
の間、およびシールテープ３５ｃと保護ガラス板３５ａ
との間が、それぞれ密封される（気密性を有する）よう
にする。そうすることにより、後の工程で用いる処理水
や、発生するガラス粉などが表面保護部材３５の内部に
進入することを防ぐことができ、Ｘ線導電層１２および
表面電極層１６を汚染物から保護することができる。
板１ａとの間、シール材３５ｂと保護ガラス板３５ａと
の間、およびシールテープ３５ｃと保護ガラス板３５ａ
との間が、それぞれ密封される（気密性を有する）よう
にする。そうすることにより、後の工程で用いる処理水
や、発生するガラス粉などが表面保護部材３５の内部に
進入することを防ぐことができ、Ｘ線導電層１２および
表面電極層１６を汚染物から保護することができる。
【０１８５】次に、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）
により、マザーガラス基板１ａからアクティブマトリク
ス基板１を所定のサイズに切り出す。そして、エッジ面
取り工程（工程Ｐ４）により、アクティブマトリクス基
板１の切断辺の面取りを行う。
により、マザーガラス基板１ａからアクティブマトリク
ス基板１を所定のサイズに切り出す。そして、エッジ面
取り工程（工程Ｐ４）により、アクティブマトリクス基
板１の切断辺の面取りを行う。
【０１８６】ここで、実施の形態１において説明した、
ダイヤモンドスクライブ法またはダイヤモンドブレード
を用いたダイシング法、および砥石による研磨を行う。
この際に、上記したようにガラスの破片などの発生や、
処理水の使用などにより、汚染物がアクティブマトリク
ス基板１に接することになる。しかし、本実施の形態で
は、表面保護部材３５の作用により、実施の形態１と同
様に、Ｘ線導電層１２および表面電極層１６が汚染され
ることや損傷を受けることを防止することができる。
ダイヤモンドスクライブ法またはダイヤモンドブレード
を用いたダイシング法、および砥石による研磨を行う。
この際に、上記したようにガラスの破片などの発生や、
処理水の使用などにより、汚染物がアクティブマトリク
ス基板１に接することになる。しかし、本実施の形態で
は、表面保護部材３５の作用により、実施の形態１と同
様に、Ｘ線導電層１２および表面電極層１６が汚染され
ることや損傷を受けることを防止することができる。
【０１８７】次に、実装工程（工程Ｐ８ｃ）により、ド
ライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０、およびセンサバ
イアスリード線１６ａを実装する。ここで、ドライバＬ
ＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の実装は、実施の形態１に
おける実装工程（工程Ｐ８）と同様にして行う。また、
センサバイアスリード線１６ａの実装は、保護ガラス板
３５ａからシールテープ３５ｃを剥がすことにより、貫
通孔３５ｄを介して行う。そして、貫通孔３５ｄからセ
ンサバイアスリード線１６ａを引き出す。
ライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０、およびセンサバ
イアスリード線１６ａを実装する。ここで、ドライバＬ
ＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の実装は、実施の形態１に
おける実装工程（工程Ｐ８）と同様にして行う。また、
センサバイアスリード線１６ａの実装は、保護ガラス板
３５ａからシールテープ３５ｃを剥がすことにより、貫
通孔３５ｄを介して行う。そして、貫通孔３５ｄからセ
ンサバイアスリード線１６ａを引き出す。
【０１８８】ドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の
実装は、貫通孔３５ｄがシールテープ３５ｃにより封止
されている状態で行うことが好ましい。これにより、実
施の形態１における変形例と同様に、ドライバＬＳＩ２
２やアンプＬＳＩ２０の実装時におけるＸ線導電層１２
および表面電極層１６の汚染を防ぐことができる。
実装は、貫通孔３５ｄがシールテープ３５ｃにより封止
されている状態で行うことが好ましい。これにより、実
施の形態１における変形例と同様に、ドライバＬＳＩ２
２やアンプＬＳＩ２０の実装時におけるＸ線導電層１２
および表面電極層１６の汚染を防ぐことができる。
【０１８９】なお、図１５（ａ）は、保護ガラス板３５
ａにセンサバイアスリード線１６ａを引き出す貫通孔３
５ｄを設けた図９（ｄ）の状態を上方から見たとき（保
護ガラス板３５ａに対してマザーガラス基板１ａとは反
対側から見たとき）の平面図を示している。例えば、図
１５（ｂ）の平面図で示すように、予め保護ガラス板３
５ａのコーナー部分や周縁部分に切り欠き３５ｅを設け
て表面電極層１６の一部を露出させ、この露出した部分
においてセンサバイアスリード線１６ａを実装するよう
にしてもよい。
ａにセンサバイアスリード線１６ａを引き出す貫通孔３
５ｄを設けた図９（ｄ）の状態を上方から見たとき（保
護ガラス板３５ａに対してマザーガラス基板１ａとは反
対側から見たとき）の平面図を示している。例えば、図
１５（ｂ）の平面図で示すように、予め保護ガラス板３
５ａのコーナー部分や周縁部分に切り欠き３５ｅを設け
て表面電極層１６の一部を露出させ、この露出した部分
においてセンサバイアスリード線１６ａを実装するよう
にしてもよい。
【０１９０】また、保護ガラス板３５ａに上記の貫通孔
３５ｄや切り欠き３５ｅを設けずに、図１６に示すよう
に、保護ガラス板３５ａの外部で露出されるように、表
面電極層１６の一部を外部に引き出した表面電極引き出
し部１６ｂを表面電極層１６に形成するようにしてもよ
い。
３５ｄや切り欠き３５ｅを設けずに、図１６に示すよう
に、保護ガラス板３５ａの外部で露出されるように、表
面電極層１６の一部を外部に引き出した表面電極引き出
し部１６ｂを表面電極層１６に形成するようにしてもよ
い。
【０１９１】このような貫通孔３５ｄ、切り欠き３５
ｅ、表面電極引き出し部１６ｂは、アクティブマトリク
ス基板１へのドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の
実装領域を避けて設置する必要があるため、保護ガラス
板３５ａのコーナー部分、もしくはその部分と表面電極
層１６で対応する部分に形成することが好ましい。ま
た、貫通孔３５ｄ、切り欠き３５ｅは、保護ガラス板３
５ａの対角コーナーの２か所、あるいは全コーナーの４
か所など、必要に応じて複数箇所に設けてもよく、表面
電極引き出し部１６ｂについても同様に、表面電極層１
６の複数箇所に設けても構わない。
ｅ、表面電極引き出し部１６ｂは、アクティブマトリク
ス基板１へのドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の
実装領域を避けて設置する必要があるため、保護ガラス
板３５ａのコーナー部分、もしくはその部分と表面電極
層１６で対応する部分に形成することが好ましい。ま
た、貫通孔３５ｄ、切り欠き３５ｅは、保護ガラス板３
５ａの対角コーナーの２か所、あるいは全コーナーの４
か所など、必要に応じて複数箇所に設けてもよく、表面
電極引き出し部１６ｂについても同様に、表面電極層１
６の複数箇所に設けても構わない。
【０１９２】このように、保護ガラス板３５ａに貫通孔
３５ｄや切り欠き３５ｅを設けたり、表面電極層１６に
表面電極引き出し部１６ｂを設けることで、センサバイ
アスリード線１６ａを簡便に実装することが可能とな
る。そして、保護ガラス板３５ａをマザーガラス基板１
ａに設置した状態でも、上記の貫通孔３５ｄや切り欠き
３５ｅまたは表面電極引き出し部１６ｂを介して表面電
極層１６に簡便にバイアス電圧を印加することが可能と
なる。
３５ｄや切り欠き３５ｅを設けたり、表面電極層１６に
表面電極引き出し部１６ｂを設けることで、センサバイ
アスリード線１６ａを簡便に実装することが可能とな
る。そして、保護ガラス板３５ａをマザーガラス基板１
ａに設置した状態でも、上記の貫通孔３５ｄや切り欠き
３５ｅまたは表面電極引き出し部１６ｂを介して表面電
極層１６に簡便にバイアス電圧を印加することが可能と
なる。
【０１９３】なお、実装工程（工程Ｐ８ｃ）後において
再度シール材３５ｂを用いることにより、表面保護部材
３５の内部（表面保護部材３５とアクティブマトリクス
基板１とで囲まれた空間）を、電気絶縁性を有する物質
により充填された状態に保つことが好ましい。
再度シール材３５ｂを用いることにより、表面保護部材
３５の内部（表面保護部材３５とアクティブマトリクス
基板１とで囲まれた空間）を、電気絶縁性を有する物質
により充填された状態に保つことが好ましい。
【０１９４】ここで、電気絶縁性を有する物質として
は、絶縁性ガス（例えば、Ｎ2 など）や、電気絶縁材
（例えば、信越化学工業製のシリコーンオイルＫＦ９６
や、住友スリーエム製の不活性液体フロリナートＦＣ−
４０など）などが適している。
は、絶縁性ガス（例えば、Ｎ2 など）や、電気絶縁材
（例えば、信越化学工業製のシリコーンオイルＫＦ９６
や、住友スリーエム製の不活性液体フロリナートＦＣ−
４０など）などが適している。
【０１９５】これにより、表面電極層１６とＣｓ電極９
（図４参照）との間に印加する電圧が大きくなった際
に、放電が起こることを抑制することができる。また、
さらに、大気中の水分が結露することによりＸ線導電層
１２やＴＦＴアレイ３２が汚染されることを防ぐことが
でき、二次元画像検出器の対環境性を向上させることが
できる。
（図４参照）との間に印加する電圧が大きくなった際
に、放電が起こることを抑制することができる。また、
さらに、大気中の水分が結露することによりＸ線導電層
１２やＴＦＴアレイ３２が汚染されることを防ぐことが
でき、二次元画像検出器の対環境性を向上させることが
できる。
【０１９６】なお、図１７に示すように、保護ガラス板
３５ａの外側表面（保護ガラス板３５ａにおけるＸ線導
電層１２との対向面とは反対側の面）の略全面にＡｌ、
Ｎｉなどの金属膜４５を設けるようにしてもよい。この
金属膜４５を設けることにより、二次元画像検出器の電
気的シールドや遮光を強化することが可能となり、さら
には静電気の蓄積を防止することができる。
３５ａの外側表面（保護ガラス板３５ａにおけるＸ線導
電層１２との対向面とは反対側の面）の略全面にＡｌ、
Ｎｉなどの金属膜４５を設けるようにしてもよい。この
金属膜４５を設けることにより、二次元画像検出器の電
気的シールドや遮光を強化することが可能となり、さら
には静電気の蓄積を防止することができる。
【０１９７】以上の工程では、ＴＦＴアレイ分断工程
（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工程Ｐ４）、および
実装工程（工程Ｐ８ｃ）において、ＴＦＴアレイ３２お
よびＸ線導電層１２が表面保護部材３５によって保護さ
れている。したがって、これらの工程により発生する汚
染物が、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直接触れ
ることを回避することができる。そのため、ＴＦＴアレ
イ３２の性能を良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜
質を向上させることができる。その結果、二次元画像検
出器の製造歩留りおよび信頼性を向上させることができ
る。
（工程Ｐ３）、エッジ面取り工程（工程Ｐ４）、および
実装工程（工程Ｐ８ｃ）において、ＴＦＴアレイ３２お
よびＸ線導電層１２が表面保護部材３５によって保護さ
れている。したがって、これらの工程により発生する汚
染物が、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直接触れ
ることを回避することができる。そのため、ＴＦＴアレ
イ３２の性能を良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜
質を向上させることができる。その結果、二次元画像検
出器の製造歩留りおよび信頼性を向上させることができ
る。
【０１９８】また、表面保護部材３５は、二次元画像検
出器の完成後においても設置しておくことができ、半永
久的にＸ線導電層１２が形成された領域を保護すること
ができる。そして、表面保護部材３５の内部を、放電や
結露が生じにくい状態に保つことが可能になる。これに
より、さらに、二次元画像検出器の信頼性および対環境
性を向上させることができる。
出器の完成後においても設置しておくことができ、半永
久的にＸ線導電層１２が形成された領域を保護すること
ができる。そして、表面保護部材３５の内部を、放電や
結露が生じにくい状態に保つことが可能になる。これに
より、さらに、二次元画像検出器の信頼性および対環境
性を向上させることができる。
【０１９９】また、表面保護部材３５は、アクティブマ
トリックス基板１上に設けられているため、ＴＦＴアレ
イ３２やＸ線導電層１２を含む最小領域を保護すること
ができる。したがって、例えばメンテナンスなどにおい
て二次元画像検出器を部品単位で細かく分解する場合な
どにおいても、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２が汚
染物から保護されている状態を維持することができる。
トリックス基板１上に設けられているため、ＴＦＴアレ
イ３２やＸ線導電層１２を含む最小領域を保護すること
ができる。したがって、例えばメンテナンスなどにおい
て二次元画像検出器を部品単位で細かく分解する場合な
どにおいても、ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２が汚
染物から保護されている状態を維持することができる。
【０２００】上述してきた例においては、表面保護部材
３５を構成する部材として、保護ガラス板３５ａを用い
た例を示したが、保護ガラス板３５ａの代替品として、
各種セラミック基板や樹脂シート（板）を使用すること
も可能である。セラミック基板（ガラス基板を含む）か
らなる固体基板を用いれば、アクティブ素子アレイが形
成されている基板を補強することができるというメリッ
トがある。一方、樹脂シート（板）からなる固体基板を
用いれば、加工性が良いため前述した貫通孔や切り欠き
を簡便に形成することができるというメリットと、セラ
ミック基板に比べて軽量であるために、二次元画像検出
器の軽量化が可能であるというメリットとがある。
３５を構成する部材として、保護ガラス板３５ａを用い
た例を示したが、保護ガラス板３５ａの代替品として、
各種セラミック基板や樹脂シート（板）を使用すること
も可能である。セラミック基板（ガラス基板を含む）か
らなる固体基板を用いれば、アクティブ素子アレイが形
成されている基板を補強することができるというメリッ
トがある。一方、樹脂シート（板）からなる固体基板を
用いれば、加工性が良いため前述した貫通孔や切り欠き
を簡便に形成することができるというメリットと、セラ
ミック基板に比べて軽量であるために、二次元画像検出
器の軽量化が可能であるというメリットとがある。
【０２０１】ところで、保護ガラス板３５ａの代替品と
しては、Ｘ線導電層１２へのＸ線の入射をできるだけ妨
げない材質から構成することが望ましい。たとえば、セ
ラミック基板の場合、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化
シリコンの何れか１つのセラミック材料を用いることが
好ましい。なぜなら、Ｂａ、Ｐｂ、Ｓｎなどの原子番号
が大きく原子を多く含有するセラミック基板は、それ自
身でＸ線を多く吸収してしまうため、二次元画像検出器
の感度低下を招く可能性が高くなるためである。したが
って、上記のような材料からなるセラミック基板を用い
れば、セラミック基板自身でのＸ線の吸収量が減り、セ
ラミック基板を設置することによる二次元画像検出器の
感度低下を回避することが可能となる。
しては、Ｘ線導電層１２へのＸ線の入射をできるだけ妨
げない材質から構成することが望ましい。たとえば、セ
ラミック基板の場合、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化
シリコンの何れか１つのセラミック材料を用いることが
好ましい。なぜなら、Ｂａ、Ｐｂ、Ｓｎなどの原子番号
が大きく原子を多く含有するセラミック基板は、それ自
身でＸ線を多く吸収してしまうため、二次元画像検出器
の感度低下を招く可能性が高くなるためである。したが
って、上記のような材料からなるセラミック基板を用い
れば、セラミック基板自身でのＸ線の吸収量が減り、セ
ラミック基板を設置することによる二次元画像検出器の
感度低下を回避することが可能となる。
【０２０２】また、上記の各セラミック材料を任意の割
合で混合するようにすれば、その混合割合に応じて熱膨
張係数を任意に設定することができ、アクティブ素子ア
レイが形成されている基板に略等しい熱膨張係数のセラ
ミック基板を作成することが可能になる。したがって、
両基板（セラミック基板とアクティブ素子アレイが形成
されている基板）を固着した場合に、熱膨張係数差に起
因する基板の反りの発生を抑制することができる。
合で混合するようにすれば、その混合割合に応じて熱膨
張係数を任意に設定することができ、アクティブ素子ア
レイが形成されている基板に略等しい熱膨張係数のセラ
ミック基板を作成することが可能になる。したがって、
両基板（セラミック基板とアクティブ素子アレイが形成
されている基板）を固着した場合に、熱膨張係数差に起
因する基板の反りの発生を抑制することができる。
【０２０３】一方、樹脂シート（板）の場合、特にＳｉ
元素を含有しない樹脂材料（例えばアクリル樹脂、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリスチレン、ポリイミド、塩化ビニル樹
脂、ナイロン、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン）を選択して使用すれば、樹脂シート自身ではＸ線
をほとんど吸収せず、二次元画像検出器の感度低下をさ
らに回避することが可能になる。例えば、上述のセラミ
ック基板と樹脂シートとでＸ線の吸収量を比較すると、
同じ１ｍｍ厚の基板を想定した場合、セラミック基板で
は平均１０％程度のＸ線が吸収されるが、樹脂シート
（板）の場合は平均３％程度しか吸収されない。さらに
樹脂シートの場合は、薄いフレキシブルなシート形態で
使用することも可能であり、その場合、さらにＸ線の吸
収量を減らすことが可能であるため有用である。
元素を含有しない樹脂材料（例えばアクリル樹脂、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリスチレン、ポリイミド、塩化ビニル樹
脂、ナイロン、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン）を選択して使用すれば、樹脂シート自身ではＸ線
をほとんど吸収せず、二次元画像検出器の感度低下をさ
らに回避することが可能になる。例えば、上述のセラミ
ック基板と樹脂シートとでＸ線の吸収量を比較すると、
同じ１ｍｍ厚の基板を想定した場合、セラミック基板で
は平均１０％程度のＸ線が吸収されるが、樹脂シート
（板）の場合は平均３％程度しか吸収されない。さらに
樹脂シートの場合は、薄いフレキシブルなシート形態で
使用することも可能であり、その場合、さらにＸ線の吸
収量を減らすことが可能であるため有用である。
【０２０４】以上のことから、表面保護部材３５は、Ｘ
線導電層１２へのＸ線の入射を妨げない材質から構成す
るものとする。以下においても、二次元画像検出器の完
成後においてＸ線導電層１２上に存在する部材は、上記
と同様とする。
線導電層１２へのＸ線の入射を妨げない材質から構成す
るものとする。以下においても、二次元画像検出器の完
成後においてＸ線導電層１２上に存在する部材は、上記
と同様とする。
【０２０５】なお、上記のように表面保護部材３５を設
置する二次元画像検出器では、表面電極層１６への給電
方法を図１０に示すように変更することができる。図１
０は、本実施の形態に係る二次元画像検出器の製造工程
を応用して形成される二次元画像検出器の断面図であ
る。
置する二次元画像検出器では、表面電極層１６への給電
方法を図１０に示すように変更することができる。図１
０は、本実施の形態に係る二次元画像検出器の製造工程
を応用して形成される二次元画像検出器の断面図であ
る。
【０２０６】この二次元画像検出器では、保護ガラス板
３５ａの表面電極層１６に対応する面に導電層４０を有
しており、保護ガラス板３５ａと表面電極層１６との間
に導電材（導電性部材）４２が充填されている。そし
て、センサバイアスリード線１６ａが、Ｘ線導電層１２
にＸ線が入射する領域以外の部分（例えば、図１０に示
すように、Ｘ線導電層１２と対向していない保護ガラス
板３５ａの部分）における導電層４０に接続されてい
る。
３５ａの表面電極層１６に対応する面に導電層４０を有
しており、保護ガラス板３５ａと表面電極層１６との間
に導電材（導電性部材）４２が充填されている。そし
て、センサバイアスリード線１６ａが、Ｘ線導電層１２
にＸ線が入射する領域以外の部分（例えば、図１０に示
すように、Ｘ線導電層１２と対向していない保護ガラス
板３５ａの部分）における導電層４０に接続されてい
る。
【０２０７】このような構成とすることで、Ｘ線導電層
１２に電界を印加するための表面電極層１６への給電部
分、つまりセンサバイアスリード線１６ａをより柔軟に
設置することが可能になる。したがって、Ｘ線画像を取
り込む領域にセンサバイアスリード線１６ａがかぶさる
ことを回避でき、画像を検出する際に影などが生じるこ
とによる画質低下を回避できる。
１２に電界を印加するための表面電極層１６への給電部
分、つまりセンサバイアスリード線１６ａをより柔軟に
設置することが可能になる。したがって、Ｘ線画像を取
り込む領域にセンサバイアスリード線１６ａがかぶさる
ことを回避でき、画像を検出する際に影などが生じるこ
とによる画質低下を回避できる。
【０２０８】また、導電材４２が存在することによりＸ
線導電層１２周辺が同電位となるため、上記した電気絶
縁材により保護ガラス板３５ａと表面電極層１６との間
を充填する場合と同様に、この場合もＸ線導電層１２周
辺での放電を防止することが可能になる。
線導電層１２周辺が同電位となるため、上記した電気絶
縁材により保護ガラス板３５ａと表面電極層１６との間
を充填する場合と同様に、この場合もＸ線導電層１２周
辺での放電を防止することが可能になる。
【０２０９】この二次元画像検出器を形成するために
は、上記工程において、予め一方の面に導電層４０を形
成した保護ガラス板３５ａを用い、上記表面保護部材形
成工程（工程Ｐ２ａ）を行う際に、表面電極層１６と導
電層４０との隙間に導電材４２を挟み込むとよい。そし
て、実装工程（工程Ｐ８ｃ）において、上記位置にセン
サバイアスリード線１６ａを接続すればよい。導電材４
２としては、例えば導電性ゴムシートや導電性粘着シー
ト、導電性ペースト、導電性接着剤などを用いることが
好ましい。さらにこれらの中でも、Ｘ線の吸収量が比較
的少ないカーボンを導電性顔料として用いた材料が特に
好ましい。なお、この場合、貫通孔３５ｄは不要であ
る。
は、上記工程において、予め一方の面に導電層４０を形
成した保護ガラス板３５ａを用い、上記表面保護部材形
成工程（工程Ｐ２ａ）を行う際に、表面電極層１６と導
電層４０との隙間に導電材４２を挟み込むとよい。そし
て、実装工程（工程Ｐ８ｃ）において、上記位置にセン
サバイアスリード線１６ａを接続すればよい。導電材４
２としては、例えば導電性ゴムシートや導電性粘着シー
ト、導電性ペースト、導電性接着剤などを用いることが
好ましい。さらにこれらの中でも、Ｘ線の吸収量が比較
的少ないカーボンを導電性顔料として用いた材料が特に
好ましい。なお、この場合、貫通孔３５ｄは不要であ
る。
【０２１０】また、他の形成方法としては、上記工程に
おいて、予め一方の面に導電層４０を形成した保護ガラ
ス板３５ａを用いることにより、上記表面保護部材形成
工程（工程Ｐ２ａ）を行い、また実装工程（工程Ｐ８
ｃ）において、上記位置にセンサバイアスリード線１６
ａを接続するとともに、貫通孔３５ｄから導電材４２を
注入する方法も可能である。この導電材４２としては、
例えば導電性液晶や導電性樹脂、液体金属などを用いる
ことが好ましい。
おいて、予め一方の面に導電層４０を形成した保護ガラ
ス板３５ａを用いることにより、上記表面保護部材形成
工程（工程Ｐ２ａ）を行い、また実装工程（工程Ｐ８
ｃ）において、上記位置にセンサバイアスリード線１６
ａを接続するとともに、貫通孔３５ｄから導電材４２を
注入する方法も可能である。この導電材４２としては、
例えば導電性液晶や導電性樹脂、液体金属などを用いる
ことが好ましい。
【０２１１】ここで、以上の工程により形成される二次
元画像検出器の特徴点およびその作用・効果をまとめる
と、次のようになる。
元画像検出器の特徴点およびその作用・効果をまとめる
と、次のようになる。
【０２１２】本実施の形態により形成される二次元画像
検出器は、基板（ガラス基板２）と、該基板上に設けら
れたアクティブ素子アレイ（ＴＦＴアレイ３２）と、入
射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アクテ
ィブ素子アレイによって読み出されるように前記アクテ
ィブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前記基板上
に設けられ、前記半導体層（Ｘ線導電層１２）を覆う保
護部材（表面保護部材３５）とを備えていることを特徴
としている。
検出器は、基板（ガラス基板２）と、該基板上に設けら
れたアクティブ素子アレイ（ＴＦＴアレイ３２）と、入
射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アクテ
ィブ素子アレイによって読み出されるように前記アクテ
ィブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前記基板上
に設けられ、前記半導体層（Ｘ線導電層１２）を覆う保
護部材（表面保護部材３５）とを備えていることを特徴
としている。
【０２１３】上記の構成では、二次元画像検出器の使用
環境において生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや
半導体層に直接触れることを防止することができ、アク
ティブ素子アレイや半導体層の性能劣化を防止し、信頼
性の高い二次元画像検出器を提供することができる。
環境において生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや
半導体層に直接触れることを防止することができ、アク
ティブ素子アレイや半導体層の性能劣化を防止し、信頼
性の高い二次元画像検出器を提供することができる。
【０２１４】ここで、前記保護部材の前記半導体層と対
向する部分が固体基板（保護ガラス板３５ａ）からなる
ことが好ましい。
向する部分が固体基板（保護ガラス板３５ａ）からなる
ことが好ましい。
【０２１５】上記の構成では、固体基板として、例えば
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
【０２１６】さらに、上記二次元画像検出器は、前記保
護部材が気密性を有していることが好ましい。
護部材が気密性を有していることが好ましい。
【０２１７】上記の構成では、保護部材により半導体層
が外部に対して気密された状態を維持させることができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができ、アクティ
ブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさらに効果的に防
止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供する
ことができる。
が外部に対して気密された状態を維持させることができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができ、アクティ
ブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさらに効果的に防
止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供する
ことができる。
【０２１８】また、上記二次元画像検出器は、前記半導
体層と前記保護部材との間が絶縁性部材により充填され
ていてもよい。
体層と前記保護部材との間が絶縁性部材により充填され
ていてもよい。
【０２１９】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間を絶縁性部材で充填することにより、二次元画像検出
器を使用する際に半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、上記したアクティブマ
トリクス素子や半導体層の汚染防止に加えて、放電によ
る半導体層の性能劣化を防止することができる。したが
って、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供する
ことができる。
間を絶縁性部材で充填することにより、二次元画像検出
器を使用する際に半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、上記したアクティブマ
トリクス素子や半導体層の汚染防止に加えて、放電によ
る半導体層の性能劣化を防止することができる。したが
って、さらに信頼性の高い二次元画像検出器を提供する
ことができる。
【０２２０】さらに、上記二次元画像検出器は、前記絶
縁性部材が絶縁性ガスであることが好ましい。
縁性部材が絶縁性ガスであることが好ましい。
【０２２１】絶縁性部材がガスであることによって、半
導体層と保護部材との間をより確実に絶縁性ガスで充填
することができる。
導体層と保護部材との間をより確実に絶縁性ガスで充填
することができる。
【０２２２】さらに、上記二次元画像検出器は、前記半
導体層上に形成された電極（表面電極層１６）と、前記
保護部材の前記電極に対向する面に形成された導電層４
０と、前記電極と前記導電層との間に充填された導電材
４２とを備えていることが好ましい。
導体層上に形成された電極（表面電極層１６）と、前記
保護部材の前記電極に対向する面に形成された導電層４
０と、前記電極と前記導電層との間に充填された導電材
４２とを備えていることが好ましい。
【０２２３】上記の構成では、Ｘ線画像を取り込む領域
にセンサバイアスリード線１６ａがかぶさることを回避
でき、画像を検出する際に影などが生じることによる画
質低下を回避できる。
にセンサバイアスリード線１６ａがかぶさることを回避
でき、画像を検出する際に影などが生じることによる画
質低下を回避できる。
【０２２４】（変形例）次に、本実施の形態における一
変形例について図１１および図１２に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。図１１は、本変形例に係る二次
元画像検出器の製造工程を順に示した工程図であり、図
１２（ａ）から図１２（ｇ）は、図１１の各工程におけ
る二次元画像検出器の状態を示す断面図である。
変形例について図１１および図１２に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。図１１は、本変形例に係る二次
元画像検出器の製造工程を順に示した工程図であり、図
１２（ａ）から図１２（ｇ）は、図１１の各工程におけ
る二次元画像検出器の状態を示す断面図である。
【０２２５】図１１に示すように、本変形例に係る二次
元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程（工
程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極
層形成工程（工程Ｐ７）、表面保護膜形成工程（工程Ｐ
２ｂ）、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面
取り工程（工程Ｐ４）、実装工程（工程Ｐ８ｄ）を含ん
でいる。
元画像検出器の製造工程は、ＴＦＴアレイ作製工程（工
程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ６）、表面電極
層形成工程（工程Ｐ７）、表面保護膜形成工程（工程Ｐ
２ｂ）、ＴＦＴアレイ分断工程（工程Ｐ３）、エッジ面
取り工程（工程Ｐ４）、実装工程（工程Ｐ８ｄ）を含ん
でいる。
【０２２６】また、これらの各工程における二次元画像
検出器の断面を、それぞれ図１２（ａ）から図１２
（ｇ）に表している。以下において、各工程について対
応する図１２（ａ）から図１２（ｇ）に基づいて説明す
る。なお、上記において説明した工程と同等の処理を行
う工程については、同一の符号を付記し、その説明を一
部省略する。
検出器の断面を、それぞれ図１２（ａ）から図１２
（ｇ）に表している。以下において、各工程について対
応する図１２（ａ）から図１２（ｇ）に基づいて説明す
る。なお、上記において説明した工程と同等の処理を行
う工程については、同一の符号を付記し、その説明を一
部省略する。
【０２２７】上記では、保護ガラス板３５ａや樹脂シー
トを用いて構成される表面保護部材３５を設置する場合
について説明したが、本変形例においては、常温で成形
可能な樹脂を用いることにより表面保護部材３５に代わ
る表面保護膜（保護部材）３６を形成する場合について
説明する。
トを用いて構成される表面保護部材３５を設置する場合
について説明したが、本変形例においては、常温で成形
可能な樹脂を用いることにより表面保護部材３５に代わ
る表面保護膜（保護部材）３６を形成する場合について
説明する。
【０２２８】まず、上記と同様にして、ＴＦＴアレイ作
製工程（工程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ
６）、および表面電極層形成工程（工程Ｐ７）を行う。
製工程（工程Ｐ１）、Ｘ線導電層形成工程（工程Ｐ
６）、および表面電極層形成工程（工程Ｐ７）を行う。
【０２２９】次に、表面保護膜形成工程（工程Ｐ２ｂ）
により、上記における表面保護部材３５（図９（ｄ）か
ら図９（ｇ）参照）の代わりに表面保護膜３６を形成す
る。
により、上記における表面保護部材３５（図９（ｄ）か
ら図９（ｇ）参照）の代わりに表面保護膜３６を形成す
る。
【０２３０】ここで、表面保護膜３６形成時に加熱が必
要な場合は、Ｘ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜が結晶
化するおそれがある。このａ−Ｓｅ膜は、結晶化が促進
される温度（耐熱温度）が６０〜８０℃と比較的低温で
あり、耐熱温度以上に熱すると光電変換の特性が劣化す
ることになる。
要な場合は、Ｘ線導電層１２としてのａ−Ｓｅ膜が結晶
化するおそれがある。このａ−Ｓｅ膜は、結晶化が促進
される温度（耐熱温度）が６０〜８０℃と比較的低温で
あり、耐熱温度以上に熱すると光電変換の特性が劣化す
ることになる。
【０２３１】したがって、表面保護膜３６としては、Ｘ
線導電層１２の耐熱温度未満の温度で成形可能な材料、
例えば、光硬化性材料や室温硬化性樹脂などが適してい
る。具体的には、光硬化性アクリル樹脂、２液硬化性エ
ポキシ樹脂、１液硬化性および２液硬化性シリコーン樹
脂、２液硬化性ポリウレタン樹脂、２液硬化性ポリエス
テル樹脂などの幅広い材料を、表面保護膜３６として用
いることができる。また、常温で硬化が可能な光硬化性
樹脂やシリコーンシール材を表面保護膜３６として用い
ることができるとも言える。
線導電層１２の耐熱温度未満の温度で成形可能な材料、
例えば、光硬化性材料や室温硬化性樹脂などが適してい
る。具体的には、光硬化性アクリル樹脂、２液硬化性エ
ポキシ樹脂、１液硬化性および２液硬化性シリコーン樹
脂、２液硬化性ポリウレタン樹脂、２液硬化性ポリエス
テル樹脂などの幅広い材料を、表面保護膜３６として用
いることができる。また、常温で硬化が可能な光硬化性
樹脂やシリコーンシール材を表面保護膜３６として用い
ることができるとも言える。
【０２３２】これらを用いて、Ｘ線導電層１２を覆うよ
うにして表面保護膜３６としての樹脂層を形成する。形
成方法としては、Ｘ線導電層１２が形成されている領域
およびその周辺領域にのみ樹脂を塗布できるように、印
刷法やマスクを利用したスプレー塗布法などを用いるこ
とができる。ここで、印刷法としては、スクリーン印
刷、凹版印刷、凸版印刷など周知の印刷法を利用するこ
とができる。また、スプレー塗布法では、表面保護膜３
６を形成する領域以外の部分をマスクしたマザーガラス
基板１ａに、表面保護膜３６を形成する樹脂を霧状にし
て吹き付けることにより塗布を行う。
うにして表面保護膜３６としての樹脂層を形成する。形
成方法としては、Ｘ線導電層１２が形成されている領域
およびその周辺領域にのみ樹脂を塗布できるように、印
刷法やマスクを利用したスプレー塗布法などを用いるこ
とができる。ここで、印刷法としては、スクリーン印
刷、凹版印刷、凸版印刷など周知の印刷法を利用するこ
とができる。また、スプレー塗布法では、表面保護膜３
６を形成する領域以外の部分をマスクしたマザーガラス
基板１ａに、表面保護膜３６を形成する樹脂を霧状にし
て吹き付けることにより塗布を行う。
【０２３３】また、上記以外にも、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド
樹脂などのフレキシブルシートを、粘着剤（または接着
剤）を用いて、Ｘ線導電層１２や表面電極層１６が形成
されている領域に貼り付ける（または、転写する）こと
により表面保護膜３６として用いてもよい。この場合、
マザーガラス基板１ａへの設置時点では既に固体状態に
ある樹脂材料を固体基板として使用することになるの
で、表面保護膜３６として常温硬化が可能な樹脂（例え
ばポリイミド樹脂など）を使用することができる。
キシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド
樹脂などのフレキシブルシートを、粘着剤（または接着
剤）を用いて、Ｘ線導電層１２や表面電極層１６が形成
されている領域に貼り付ける（または、転写する）こと
により表面保護膜３６として用いてもよい。この場合、
マザーガラス基板１ａへの設置時点では既に固体状態に
ある樹脂材料を固体基板として使用することになるの
で、表面保護膜３６として常温硬化が可能な樹脂（例え
ばポリイミド樹脂など）を使用することができる。
【０２３４】つまり、ポリイミドなどの絶縁性フレキシ
ブルシートからなる粘着シート（粘着テープ）を、マザ
ーガラス基板１ａ上のＸ線導電層１２が形成されている
領域に貼り付けることにより表面保護膜３６としてもよ
いということである。この方法は、工程を簡素化できる
簡便な方法であり、それゆえ、表面保護膜３６の形成を
容易に行うことができる。
ブルシートからなる粘着シート（粘着テープ）を、マザ
ーガラス基板１ａ上のＸ線導電層１２が形成されている
領域に貼り付けることにより表面保護膜３６としてもよ
いということである。この方法は、工程を簡素化できる
簡便な方法であり、それゆえ、表面保護膜３６の形成を
容易に行うことができる。
【０２３５】このようにして形成した表面保護膜３６
は、上記と同様に、Ｘ線導電層１２における放電や結露
を防止することができる。
は、上記と同様に、Ｘ線導電層１２における放電や結露
を防止することができる。
【０２３６】次に、上記と同様にして、ＴＦＴアレイ分
断工程（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ
４）を順次行う。
断工程（工程Ｐ３）およびエッジ面取り工程（工程Ｐ
４）を順次行う。
【０２３７】そして、実装工程（工程Ｐ８ｄ）を行う。
ここで、ドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の実装
は、上記実装工程（工程Ｐ８ｃ）と同様にして行う。ま
た、センサバイアスリード線１６ａの実装は、表面保護
膜３６の一部に孔をあけて表面電極層１６を露出させ、
表面電極層１６の露出した部分にセンサバイアスリード
線１６ａを接続することにより行う。
ここで、ドライバＬＳＩ２２やアンプＬＳＩ２０の実装
は、上記実装工程（工程Ｐ８ｃ）と同様にして行う。ま
た、センサバイアスリード線１６ａの実装は、表面保護
膜３６の一部に孔をあけて表面電極層１６を露出させ、
表面電極層１６の露出した部分にセンサバイアスリード
線１６ａを接続することにより行う。
【０２３８】以上の工程では、上記と同様に、汚染物が
ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直接触れることを
回避することができる。そのため、ＴＦＴアレイ３２の
性能を良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質を向上
させることができる。その結果、二次元画像検出器の製
造歩留りおよび信頼性を向上させることができる。
ＴＦＴアレイ３２やＸ線導電層１２に直接触れることを
回避することができる。そのため、ＴＦＴアレイ３２の
性能を良好に保ち、かつ、Ｘ線導電層１２の膜質を向上
させることができる。その結果、二次元画像検出器の製
造歩留りおよび信頼性を向上させることができる。
【０２３９】また、表面保護膜３６は、二次元画像検出
器の完成後においても設置しておくことができ、半永久
的にＸ線導電層１２が形成された領域を保護することが
できる。そして、表面保護膜３６により、Ｘ線導電層１
２に放電や結露が生じにくい状態に保つことが可能にな
る。これにより、さらに、二次元画像検出器の信頼性お
よび対環境性を向上させることができる。
器の完成後においても設置しておくことができ、半永久
的にＸ線導電層１２が形成された領域を保護することが
できる。そして、表面保護膜３６により、Ｘ線導電層１
２に放電や結露が生じにくい状態に保つことが可能にな
る。これにより、さらに、二次元画像検出器の信頼性お
よび対環境性を向上させることができる。
【０２４０】なお、本変形例における表面保護膜３６を
形成後、さらに、上記の表面保護部材３５（図９（ｄ）
参照）を設置するようにしてもよい。これにより、Ｘ線
導電層１２をより確実に保護することができる。
形成後、さらに、上記の表面保護部材３５（図９（ｄ）
参照）を設置するようにしてもよい。これにより、Ｘ線
導電層１２をより確実に保護することができる。
【０２４１】ここで、以上の工程により形成される二次
元画像検出器の特徴点およびその作用・効果をまとめる
と、次のようになる。
元画像検出器の特徴点およびその作用・効果をまとめる
と、次のようになる。
【０２４２】本実施の形態により形成される二次元画像
検出器は、基板（ガラス基板２）と、該基板上に設けら
れたアクティブ素子アレイ（ＴＦＴアレイ３２）と、入
射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アクテ
ィブ素子アレイによって読み出されるように前記アクテ
ィブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前記基板上
に設けられ、前記半導体層（Ｘ線導電層１２）を覆う保
護部材（表面保護膜３６）とを備えており、前記保護部
材が、前記半導体層の耐熱温度未満の温度で形成可能な
材料からなることが好ましい。
検出器は、基板（ガラス基板２）と、該基板上に設けら
れたアクティブ素子アレイ（ＴＦＴアレイ３２）と、入
射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アクテ
ィブ素子アレイによって読み出されるように前記アクテ
ィブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前記基板上
に設けられ、前記半導体層（Ｘ線導電層１２）を覆う保
護部材（表面保護膜３６）とを備えており、前記保護部
材が、前記半導体層の耐熱温度未満の温度で形成可能な
材料からなることが好ましい。
【０２４３】上記の半導体層は、例えばａ−Ｓｅ膜のよ
うに結晶化が促進される温度（耐熱温度）が６０〜８０
℃と比較的低温のものがある。この半導体層を耐熱温度
以上にすると、光電変換の特性が劣化することになる。
上記の構成では、保護部材を、半導体層の耐熱温度未満
の温度で形成可能な材料（例えば、シリコーン樹脂な
ど）で形成するため、上記のように半導体層の特性を劣
化させることを回避することができる。
うに結晶化が促進される温度（耐熱温度）が６０〜８０
℃と比較的低温のものがある。この半導体層を耐熱温度
以上にすると、光電変換の特性が劣化することになる。
上記の構成では、保護部材を、半導体層の耐熱温度未満
の温度で形成可能な材料（例えば、シリコーン樹脂な
ど）で形成するため、上記のように半導体層の特性を劣
化させることを回避することができる。
【０２４４】さらに、上記二次元画像検出器は、前記保
護部材が、樹脂からなる表面保護膜３６と、該表面保護
膜３６を覆う固体基板（保護ガラス板３５ａ）と、該固
体基板を前記基板に固定する接合材（シール材３５ｂ）
とからなることが好ましい。
護部材が、樹脂からなる表面保護膜３６と、該表面保護
膜３６を覆う固体基板（保護ガラス板３５ａ）と、該固
体基板を前記基板に固定する接合材（シール材３５ｂ）
とからなることが好ましい。
【０２４５】上記の構成では、半導体層を二重に保護す
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
【０２４６】なお、本発明において、表面保護部材３
５、表面保護膜３６は、二次元画像検出器の製造過程に
おける課題と、二次元画像検出器の完成後の課題との２
つの課題を両方とも解決する目的で導入した。このと
き、上記後者の課題を解決することだけに着目した場合
は、二次元画像検出器の製法は上述してきた製法に限定
される必要はない。たとえ、本発明とは異なる製法で製
造された二次元画像検出器であっても、完成品としての
構造が本発明と同じものであれば、その完成品において
本発明の二次元画像検出器と同様の効果を得ることがで
きる。
５、表面保護膜３６は、二次元画像検出器の製造過程に
おける課題と、二次元画像検出器の完成後の課題との２
つの課題を両方とも解決する目的で導入した。このと
き、上記後者の課題を解決することだけに着目した場合
は、二次元画像検出器の製法は上述してきた製法に限定
される必要はない。たとえ、本発明とは異なる製法で製
造された二次元画像検出器であっても、完成品としての
構造が本発明と同じものであれば、その完成品において
本発明の二次元画像検出器と同様の効果を得ることがで
きる。
【０２４７】
【発明の効果】本発明の二次元画像検出器の製造方法
は、以上のように、基板上にアクティブ素子アレイを形
成する工程と、アクティブ素子アレイを形成した領域を
覆う保護部材を形成する工程と、基板を分断する工程
と、保護部材を除去する工程と、アクティブ素子アレイ
上に半導体層を形成する工程とを含む方法である。
は、以上のように、基板上にアクティブ素子アレイを形
成する工程と、アクティブ素子アレイを形成した領域を
覆う保護部材を形成する工程と、基板を分断する工程
と、保護部材を除去する工程と、アクティブ素子アレイ
上に半導体層を形成する工程とを含む方法である。
【０２４８】上記の方法では、基板の分断時に発生する
汚染物が、アクティブ素子アレイに直接触れることを防
止することができ、清浄で、かつ、信頼性の高いアクテ
ィブ素子アレイを備えた基板を製造することができる。
さらに、アクティブ素子アレイの表面上に形成する半導
体層の汚染も防止することができる。したがって、半導
体層の劣化を防止し信頼性を向上させることができる。
その結果、アクティブ素子アレイおよび半導体層の性能
が良好で、信頼性の高い二次元画像検出器を製造するこ
とが可能となる。
汚染物が、アクティブ素子アレイに直接触れることを防
止することができ、清浄で、かつ、信頼性の高いアクテ
ィブ素子アレイを備えた基板を製造することができる。
さらに、アクティブ素子アレイの表面上に形成する半導
体層の汚染も防止することができる。したがって、半導
体層の劣化を防止し信頼性を向上させることができる。
その結果、アクティブ素子アレイおよび半導体層の性能
が良好で、信頼性の高い二次元画像検出器を製造するこ
とが可能となる。
【０２４９】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の二次元画像検出器の製造方法において、さらに、
基板を分断した後であり、保護部材を除去する前に、ア
クティブ素子アレイに接続される回路部品を基板に実装
する工程を含むことが好ましい。
上記の二次元画像検出器の製造方法において、さらに、
基板を分断した後であり、保護部材を除去する前に、ア
クティブ素子アレイに接続される回路部品を基板に実装
する工程を含むことが好ましい。
【０２５０】上記の方法によれば、基板分断時に加えて
回路部品の実装時においても、アクティブ素子アレイを
保護部材により保護する。また、回路部品の実装後に半
導体層を形成する。そのため、アクティブ素子アレイお
よび半導体層が実装時の汚染物に触れることを防止する
ことができる。その結果、アクティブ素子アレイおよび
半導体層の性能がさらに良好で、信頼性がさらに高い二
次元画像検出器を製造することが可能となる。
回路部品の実装時においても、アクティブ素子アレイを
保護部材により保護する。また、回路部品の実装後に半
導体層を形成する。そのため、アクティブ素子アレイお
よび半導体層が実装時の汚染物に触れることを防止する
ことができる。その結果、アクティブ素子アレイおよび
半導体層の性能がさらに良好で、信頼性がさらに高い二
次元画像検出器を製造することが可能となる。
【０２５１】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
上記の二次元画像検出器の製造方法において、保護部材
が感光性樹脂からなることが好ましい。
上記の二次元画像検出器の製造方法において、保護部材
が感光性樹脂からなることが好ましい。
【０２５２】上記の方法では、保護部材として感光性樹
脂を用いるため、保護部材を容易にパターニングするこ
とができる。これにより、基板上において、後に分断す
る部分に保護部材が存在しないようにすることができ、
基板の分断をスクライブ法により行うことができるよう
になる。その結果、より簡易な工程によって信頼性の高
い二次元画像検出器を製造することが可能になる。
脂を用いるため、保護部材を容易にパターニングするこ
とができる。これにより、基板上において、後に分断す
る部分に保護部材が存在しないようにすることができ、
基板の分断をスクライブ法により行うことができるよう
になる。その結果、より簡易な工程によって信頼性の高
い二次元画像検出器を製造することが可能になる。
【０２５３】または、本発明の二次元画像検出器の製造
方法は、上記の二次元画像検出器の製造方法において、
保護部材が水溶性樹脂からなることが好ましい。
方法は、上記の二次元画像検出器の製造方法において、
保護部材が水溶性樹脂からなることが好ましい。
【０２５４】上記の方法では、後の工程で保護部材を除
去する際に、特別な溶剤を用いることなく水や温水によ
って除去することができる。したがって、保護部材を除
去する工程に特別な装置を導入する必要性を回避するこ
とができ、また、基板上の素子や環境への悪影響を軽減
することが可能になる。その結果、簡素で、かつ環境へ
の影響を配慮した工程により、信頼性の高い二次元画像
検出器を製造することが可能になる。
去する際に、特別な溶剤を用いることなく水や温水によ
って除去することができる。したがって、保護部材を除
去する工程に特別な装置を導入する必要性を回避するこ
とができ、また、基板上の素子や環境への悪影響を軽減
することが可能になる。その結果、簡素で、かつ環境へ
の影響を配慮した工程により、信頼性の高い二次元画像
検出器を製造することが可能になる。
【０２５５】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
以上のように、基板上にアクティブ素子アレイを形成す
る工程と、アクティブ素子アレイ上に半導体層を形成す
る工程と、半導体層を形成した領域を覆う保護部材を形
成する工程と、基板を分断する工程とを含む方法であ
る。
以上のように、基板上にアクティブ素子アレイを形成す
る工程と、アクティブ素子アレイ上に半導体層を形成す
る工程と、半導体層を形成した領域を覆う保護部材を形
成する工程と、基板を分断する工程とを含む方法であ
る。
【０２５６】上記の方法では、アクティブ素子アレイが
汚染されることを避け、かつ、半導体層を清浄な面上に
形成することができる。また、基板の分断時に半導体層
が汚染物により汚染されることを回避することができ
る。さらに、半導体層を二次元画像検出器の最終形態ま
で半永久的に保護することが可能になる。その結果、ア
クティブ素子アレイおよび半導体層の性能が良好で、信
頼性が高い状態を長期間持続する二次元画像検出器を製
造することが可能となる。
汚染されることを避け、かつ、半導体層を清浄な面上に
形成することができる。また、基板の分断時に半導体層
が汚染物により汚染されることを回避することができ
る。さらに、半導体層を二次元画像検出器の最終形態ま
で半永久的に保護することが可能になる。その結果、ア
クティブ素子アレイおよび半導体層の性能が良好で、信
頼性が高い状態を長期間持続する二次元画像検出器を製
造することが可能となる。
【０２５７】本発明の二次元画像検出器は、以上のよう
に、基板と、基板上に設けられたアクティブ素子アレイ
と、アクティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、
基板上に設けられ、半導体層を覆う保護部材とを備える
構成である。
に、基板と、基板上に設けられたアクティブ素子アレイ
と、アクティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、
基板上に設けられ、半導体層を覆う保護部材とを備える
構成である。
【０２５８】上記の構成では、二次元画像検出器を使用
する際や、メンテナンスのために分解する場合において
生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや半導体層に直
接触れることを防止することができる。その結果、製造
後においても、アクティブ素子アレイや半導体層の性能
劣化を防止し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供す
ることができる。
する際や、メンテナンスのために分解する場合において
生じる汚染物が、アクティブ素子アレイや半導体層に直
接触れることを防止することができる。その結果、製造
後においても、アクティブ素子アレイや半導体層の性能
劣化を防止し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供す
ることができる。
【０２５９】また、半導体層を覆うように保護部材を設
けることにより、半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、放電による素子破壊を
も防止することができる。さらに、保護部材によって、
半導体層が外気と接触することがなくなり、結露によっ
て半導体層の特性が劣化するのを防止することができ
る。
けることにより、半導体層に高電圧を印加するような場
合であっても、半導体層周辺で放電が起こることを回避
することができる。したがって、放電による素子破壊を
も防止することができる。さらに、保護部材によって、
半導体層が外気と接触することがなくなり、結露によっ
て半導体層の特性が劣化するのを防止することができ
る。
【０２６０】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、保護部材が気密性を有
していることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、保護部材が気密性を有
していることが好ましい。
【０２６１】上記の構成では、保護部材により半導体層
が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができる。その結
果、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさら
に効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる結露などの現象を防止することができる。その結
果、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化をさら
に効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
【０２６２】または、本発明の二次元画像検出器は、上
記の二次元画像検出器において、半導体層と保護部材と
の間が、電気絶縁性を有する物質により充填された状態
であることが好ましい。
記の二次元画像検出器において、半導体層と保護部材と
の間が、電気絶縁性を有する物質により充填された状態
であることが好ましい。
【０２６３】上記の構成では、半導体層周辺で放電が起
こることを回避することができる。したがって、上記し
たアクティブマトリクス素子や半導体層の汚染防止に加
えて、放電による半導体層の性能劣化を防止することが
できる。その結果、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
こることを回避することができる。したがって、上記し
たアクティブマトリクス素子や半導体層の汚染防止に加
えて、放電による半導体層の性能劣化を防止することが
できる。その結果、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
【０２６４】あるいは、本発明の二次元画像検出器は、
上記の二次元画像検出器において、半導体層と保護部材
との間が、導電性部材により充填された状態であること
が好ましい。
上記の二次元画像検出器において、半導体層と保護部材
との間が、導電性部材により充填された状態であること
が好ましい。
【０２６５】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間を同電位に保つことができる。したがって、この場合
も半導体層周辺で放電が起こることを回避することがで
きる。さらに、上記の構成では、半導体層に電界を印加
する給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画質低下を防止できる。その結
果、信頼性が高く、かつ、画質が良好な二次元画像検出
器を提供することが可能になる。
間を同電位に保つことができる。したがって、この場合
も半導体層周辺で放電が起こることを回避することがで
きる。さらに、上記の構成では、半導体層に電界を印加
する給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画質低下を防止できる。その結
果、信頼性が高く、かつ、画質が良好な二次元画像検出
器を提供することが可能になる。
【０２６６】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、保護部材の半導体層と
対向する部分が固体基板からなることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、保護部材の半導体層と
対向する部分が固体基板からなることが好ましい。
【０２６７】上記の構成では、固体基板として、例えば
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
ガラス基板や樹脂シートのように最初から固体材料であ
り、溶剤などの半導体層に対する汚染物を含まないもの
を用いることができる。したがって、保護部材が半導体
層に接触することがあっても、半導体層を汚染すること
を回避することができる。
【０２６８】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、保護部材が、樹脂から
なる表面保護膜と、表面保護膜を覆う固体基板と、固体
基板を基板に固定する接合材とからなることが好まし
い。
元画像検出器において、さらに、保護部材が、樹脂から
なる表面保護膜と、表面保護膜を覆う固体基板と、固体
基板を基板に固定する接合材とからなることが好まし
い。
【０２６９】上記の構成では、半導体層を二重に保護す
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
ることになり、より一層半導体層の保護効果を向上させ
ることができる。
【０２７０】本発明の二次元画像検出器は、以上のよう
に、基板と、該基板上に設けられたアクティブ素子アレ
イと、入射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前
記アクティブ素子アレイによって読み出されるように前
記アクティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前
記半導体層にバイアス電圧を印加できるように前記半導
体層上に設けられた表面電極層と、前記基板上に設けら
れ、前記半導体層および前記表面電極層を覆う保護部材
とを備えている構成である。
に、基板と、該基板上に設けられたアクティブ素子アレ
イと、入射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前
記アクティブ素子アレイによって読み出されるように前
記アクティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、前
記半導体層にバイアス電圧を印加できるように前記半導
体層上に設けられた表面電極層と、前記基板上に設けら
れ、前記半導体層および前記表面電極層を覆う保護部材
とを備えている構成である。
【０２７１】上記の構成では、保護部材を設けることに
より、二次元画像検出器を使用する際や、メンテナンス
のために分解する場合において生じる汚染物が、アクテ
ィブ素子アレイや半導体層あるいは表面電極層に直接触
れることを防止することができる。その結果、製造後に
おいても、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化
を防止し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供するこ
とができる。
より、二次元画像検出器を使用する際や、メンテナンス
のために分解する場合において生じる汚染物が、アクテ
ィブ素子アレイや半導体層あるいは表面電極層に直接触
れることを防止することができる。その結果、製造後に
おいても、アクティブ素子アレイや半導体層の性能劣化
を防止し、信頼性の高い二次元画像検出器を提供するこ
とができる。
【０２７２】また、半導体層および表面電極層を覆うよ
うに保護部材を設けることにより、表面電極層を介して
半導体層に高電圧を印加するような場合であっても、半
導体層および表面電極層の周辺で放電が起こることを回
避することができる。したがって、放電による素子破壊
をも防止することができる。さらに、保護部材によっ
て、半導体層および表面電極層が外気と接触することが
なくなるので、結露によって半導体層および表面電極層
の特性が劣化するのを防止することもできる。
うに保護部材を設けることにより、表面電極層を介して
半導体層に高電圧を印加するような場合であっても、半
導体層および表面電極層の周辺で放電が起こることを回
避することができる。したがって、放電による素子破壊
をも防止することができる。さらに、保護部材によっ
て、半導体層および表面電極層が外気と接触することが
なくなるので、結露によって半導体層および表面電極層
の特性が劣化するのを防止することもできる。
【０２７３】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が塗布ま
たは転写によって形成される樹脂材料からなることが好
ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が塗布ま
たは転写によって形成される樹脂材料からなることが好
ましい。
【０２７４】上記の構成では、塗布または転写によって
形成される樹脂材料を用いて保護部材を簡便に形成する
ことができる。また、上記樹脂材料として、例えば低温
で成膜できる材料を用いれば、二次元画像検出器の半導
体層として耐熱温度の低いａ−Ｓｅを用いた場合でも、
ａ−Ｓｅの光電変換特性を劣化させることなく保護部材
を形成することができる。
形成される樹脂材料を用いて保護部材を簡便に形成する
ことができる。また、上記樹脂材料として、例えば低温
で成膜できる材料を用いれば、二次元画像検出器の半導
体層として耐熱温度の低いａ−Ｓｅを用いた場合でも、
ａ−Ｓｅの光電変換特性を劣化させることなく保護部材
を形成することができる。
【０２７５】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板からなるこ
とが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板からなるこ
とが好ましい。
【０２７６】上記の構成では、保護部材が汚染物を含ま
ない固体基板からなっていることにより、保護部材の基
板への設置時に、保護部材が半導体層や表面電極層に接
触することがあっても、半導体層や表面電極層の汚染を
確実に回避することができる。
ない固体基板からなっていることにより、保護部材の基
板への設置時に、保護部材が半導体層や表面電極層に接
触することがあっても、半導体層や表面電極層の汚染を
確実に回避することができる。
【０２７７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板と、前記固
体基板を前記基板に固定する接合材とからなっているこ
とが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材が前記基
板への設置時に既に固体状態である固体基板と、前記固
体基板を前記基板に固定する接合材とからなっているこ
とが好ましい。
【０２７８】上記の構成では、接合材を介して固体基板
を前記基板に固定することにより、半導体層や表面電極
層が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる汚染、結露などの発生を防止することができ、ア
クティブ素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化
を効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
を前記基板に固定することにより、半導体層や表面電極
層が外部に対して気密された状態を維持することができ
る。したがって、二次元画像検出器の使用環境によって
生じる汚染、結露などの発生を防止することができ、ア
クティブ素子アレイや半導体層、表面電極層の性能劣化
を効果的に防止し、さらに信頼性の高い二次元画像検出
器を提供することができる。
【０２７９】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記固体基板がセラミ
ック基板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記固体基板がセラミ
ック基板であることが好ましい。
【０２８０】上記の構成では、セラミック基板からなる
固体基板を、アクティブ素子アレイが形成されている基
板に設置したときに、当該基板を補強することができ
る。
固体基板を、アクティブ素子アレイが形成されている基
板に設置したときに、当該基板を補強することができ
る。
【０２８１】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
ガラス基板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
ガラス基板であることが好ましい。
【０２８２】セラミック基板（固体基板）をガラス基板
で構成すれば、アクティブ素子アレイが形成されている
基板をガラス基板で構成したときに、上記両基板の熱膨
張係数が同じになる。これにより、アクティブ素子アレ
イが形成されている基板と固体基板（保護部材）とが固
定された状態でも、熱膨張係数の差に起因する基板の反
りの発生を回避することができる。
で構成すれば、アクティブ素子アレイが形成されている
基板をガラス基板で構成したときに、上記両基板の熱膨
張係数が同じになる。これにより、アクティブ素子アレ
イが形成されている基板と固体基板（保護部材）とが固
定された状態でも、熱膨張係数の差に起因する基板の反
りの発生を回避することができる。
【０２８３】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち何れか１つで形成され
ていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち何れか１つで形成され
ていることが好ましい。
【０２８４】上記したセラミック材料の何れか１つでセ
ラミック基板（固体基板）を構成すれば、セラミック基
板をガラスで構成した場合に比べて、固体基板でのＸ線
吸収量が減るため、固体基板の設置による二次元画像検
出器の感度低下を回避することが可能になる。
ラミック基板（固体基板）を構成すれば、セラミック基
板をガラスで構成した場合に比べて、固体基板でのＸ線
吸収量が減るため、固体基板の設置による二次元画像検
出器の感度低下を回避することが可能になる。
【０２８５】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち、複数の材料を任意の
割合で混合して形成されていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記セラミック基板が
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸
化シリコン、炭化シリコンのうち、複数の材料を任意の
割合で混合して形成されていることが好ましい。
【０２８６】上記の各セラミック材料を任意の割合で混
合して固体基板を構成する場合は、その混合割合に応じ
て熱膨張係数を任意に設定することができる。これによ
り、アクティブ素子アレイが形成されている基板と略等
しい熱膨張係数のセラミック基板を作成して、熱膨張係
数の差に起因する基板の反りの発生を確実に回避するこ
とができる。
合して固体基板を構成する場合は、その混合割合に応じ
て熱膨張係数を任意に設定することができる。これによ
り、アクティブ素子アレイが形成されている基板と略等
しい熱膨張係数のセラミック基板を作成して、熱膨張係
数の差に起因する基板の反りの発生を確実に回避するこ
とができる。
【０２８７】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記固体基板が樹脂基
板であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記固体基板が樹脂基
板であることが好ましい。
【０２８８】上記の構成では、樹脂基板からなる固体基
板を、アクティブ素子アレイが形成されている基板に設
置したときに、当該基板を補強することができる。ま
た、樹脂基板は加工性に優れており、例えば、貫通孔や
切り欠きを簡便に形成することができる。これにより、
上記貫通孔や切り欠きを介して表面電極層にバイアス電
圧を確実に印加することができる。また、樹脂基板はガ
ラス等のセラミック基板に比べて軽量であるため、二次
元画像検出器の軽量化に寄与できる。
板を、アクティブ素子アレイが形成されている基板に設
置したときに、当該基板を補強することができる。ま
た、樹脂基板は加工性に優れており、例えば、貫通孔や
切り欠きを簡便に形成することができる。これにより、
上記貫通孔や切り欠きを介して表面電極層にバイアス電
圧を確実に印加することができる。また、樹脂基板はガ
ラス等のセラミック基板に比べて軽量であるため、二次
元画像検出器の軽量化に寄与できる。
【０２８９】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記樹脂基板がＳｉ元
素を含有しない樹脂から形成されていることが好まし
い。
元画像検出器において、さらに、前記樹脂基板がＳｉ元
素を含有しない樹脂から形成されていることが好まし
い。
【０２９０】上記の構成では、Ｓｉを含有するガラス基
板やセラミック基板に比べて、固体基板でのＸ線吸収量
が減るため、固体基板の設置による二次元画像検出器の
感度低下を確実に回避することが可能になる。
板やセラミック基板に比べて、固体基板でのＸ線吸収量
が減るため、固体基板の設置による二次元画像検出器の
感度低下を確実に回避することが可能になる。
【０２９１】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填さ
れた状態であることが好ましい。
【０２９２】上記の構成では、二次元画像検出器を使用
する際に表面電極層を介して半導体層に高電圧を印加す
るような場合であっても、半導体層または表面電極層の
周辺で放電が起こることを回避することができる。した
がって、放電による素子破壊や半導体層および表面電極
層の性能劣化を確実に防止することができる。
する際に表面電極層を介して半導体層に高電圧を印加す
るような場合であっても、半導体層または表面電極層の
周辺で放電が起こることを回避することができる。した
がって、放電による素子破壊や半導体層および表面電極
層の性能劣化を確実に防止することができる。
【０２９３】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、導電性部材により充填された状態であ
ることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記半導体層と前記保
護部材との間が、導電性部材により充填された状態であ
ることが好ましい。
【０２９４】上記の構成では、半導体層と保護部材との
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、表面電
極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合で
あっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が起
こることを回避することができる。したがって、放電に
よる素子破壊や半導体層および表面電極層の性能劣化を
確実に防止することができる。
間が導電性部材により充填されていることにより、この
領域を同電位に保つことができる。したがって、表面電
極層を介して半導体層に高電圧を印加するような場合で
あっても、半導体層または表面電極層の周辺で放電が起
こることを回避することができる。したがって、放電に
よる素子破壊や半導体層および表面電極層の性能劣化を
確実に防止することができる。
【０２９５】さらに、上記の構成では、半導体層に電界
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
を印加する場合には、導電性部材に給電すればよいた
め、給電部分をより柔軟に設置することが可能になる。
したがって、画像を取り込む領域にリード線などがかぶ
さることを回避でき、画像を検出する際に影などが生じ
ることによる画質低下を防止できる。
【０２９６】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材における
前記半導体層との対向面とは反対側の面に金属膜が形成
されていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材における
前記半導体層との対向面とは反対側の面に金属膜が形成
されていることが好ましい。
【０２９７】上記の構成では、保護部材に形成された金
属膜によって、二次元画像検出器電気的シールドや遮光
を強化することができる。また、高電圧を印加した場合
に発生する静電気等の蓄積を防止することができる。
属膜によって、二次元画像検出器電気的シールドや遮光
を強化することができる。また、高電圧を印加した場合
に発生する静電気等の蓄積を防止することができる。
【０２９８】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記保護部材には、前
記表面電極層にバイアス電圧を印加するための貫通孔ま
たは切り欠きが設けられていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記保護部材には、前
記表面電極層にバイアス電圧を印加するための貫通孔ま
たは切り欠きが設けられていることが好ましい。
【０２９９】上記の構成では、保護部材を基板に設置し
た状態でも、保護部材に設けられた貫通孔または切り欠
きを介して表面電極層に簡便にバイアス電圧を印加する
ことができる。
た状態でも、保護部材に設けられた貫通孔または切り欠
きを介して表面電極層に簡便にバイアス電圧を印加する
ことができる。
【０３００】本発明の二次元画像検出器は、上記の二次
元画像検出器において、さらに、前記表面電極層には、
前記表面電極層にバイアス電圧を印加するための表面電
極引き出し部が、前記保護部材から一部露出するように
設けられていることが好ましい。
元画像検出器において、さらに、前記表面電極層には、
前記表面電極層にバイアス電圧を印加するための表面電
極引き出し部が、前記保護部材から一部露出するように
設けられていることが好ましい。
【０３０１】上記の構成では、保護部材を基板に設置し
た状態でも、表面電極層に設けられた表面電極引き出し
部を介して、表面電極層に簡便にバイアス電圧を印加す
ることができる。
た状態でも、表面電極層に設けられた表面電極引き出し
部を介して、表面電極層に簡便にバイアス電圧を印加す
ることができる。
【０３０２】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
以上のように、前記基板上に前記アクティブ素子アレイ
を形成する工程と、前記アクティブ素子アレイを覆うよ
うに前記半導体層を形成する工程と、前記半導体層上
に、当該半導体層にバイアス電圧を印加するための表面
電極層を形成する工程と、前記半導体層および前記表面
電極層を覆うように保護部材を前記基板上に形成する工
程と、前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断す
る工程とを含む構成である。
以上のように、前記基板上に前記アクティブ素子アレイ
を形成する工程と、前記アクティブ素子アレイを覆うよ
うに前記半導体層を形成する工程と、前記半導体層上
に、当該半導体層にバイアス電圧を印加するための表面
電極層を形成する工程と、前記半導体層および前記表面
電極層を覆うように保護部材を前記基板上に形成する工
程と、前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断す
る工程とを含む構成である。
【０３０３】上記の方法によれば、基板の分断前に、半
導体層および表面電極層を覆う保護部材を基板上に形成
し、その後に基板を分断するので、分断時におけるガラ
ス粉や処理水が半導体層および表面電極層を直接汚染す
ることがない。また、アクティブ素子アレイは、保護部
材によって保護される半導体層で覆われているため、ア
クティブ素子アレイ自身がガラス粉や処理水によって汚
染されることもない。
導体層および表面電極層を覆う保護部材を基板上に形成
し、その後に基板を分断するので、分断時におけるガラ
ス粉や処理水が半導体層および表面電極層を直接汚染す
ることがない。また、アクティブ素子アレイは、保護部
材によって保護される半導体層で覆われているため、ア
クティブ素子アレイ自身がガラス粉や処理水によって汚
染されることもない。
【０３０４】したがって、アクティブ素子アレイ、半導
体層および表面電極層が無傷で清浄な状態に保たれるこ
とになり、アクティブ素子アレイ、半導体層および表面
電極層の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で、半導体層および表面電極層の性能も良好に維持さ
れることになり、信頼性が高いアクティブマトリクス基
板、ひいては二次元画像検出器を得ることが可能にな
る。また、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向
上させることもできる。
体層および表面電極層が無傷で清浄な状態に保たれるこ
とになり、アクティブ素子アレイ、半導体層および表面
電極層の性能の劣化を防止することができる。その結
果、上記の方法では、アクティブ素子アレイの動作が確
実で、半導体層および表面電極層の性能も良好に維持さ
れることになり、信頼性が高いアクティブマトリクス基
板、ひいては二次元画像検出器を得ることが可能にな
る。また、アクティブマトリクス基板の製造歩留りを向
上させることもできる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る二次元画像検
出器の製造工程を示した工程図である。
出器の製造工程を示した工程図である。
【図２】（ａ）から（ｈ）は、図１の各工程における二
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る製造工程によ
り形成される二次元画像検出器の基本構造を模式的に示
す斜視図である。
り形成される二次元画像検出器の基本構造を模式的に示
す斜視図である。
【図４】図３の二次元画像検出器における１つの画素の
断面図である。
断面図である。
【図５】図３の二次元画像検出器の全体的な構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における一変形例に
係る二次元画像検出器の製造工程を示した工程図であ
る。
係る二次元画像検出器の製造工程を示した工程図であ
る。
【図７】（ａ）から（ｉ）は、図６の各工程における二
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る二次元画像検
出器の製造工程を順に示した工程図である。
出器の製造工程を順に示した工程図である。
【図９】（ａ）から（ｇ）は、図８の各工程における二
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
次元画像検出器の状態を示す断面図である。
【図１０】図８の製造工程を応用して形成される二次元
画像検出器の断面図である。
画像検出器の断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態における一変形例
に係る二次元画像検出器の製造工程を順に示した工程図
である。
に係る二次元画像検出器の製造工程を順に示した工程図
である。
【図１２】（ａ）から（ｇ）は、図１１の各工程におけ
る二次元画像検出器の状態を示す断面図である。
る二次元画像検出器の状態を示す断面図である。
【図１３】従来の二次元画像検出器の構造を模式的に示
した斜視図である。
した斜視図である。
【図１４】図１３の１画素当たりの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図１５】（ａ）は、保護ガラス板に貫通孔を設けた状
態を示す平面図である。（ｂ）は、保護ガラス板に切り
欠きを設けた状態を示す平面図である。
態を示す平面図である。（ｂ）は、保護ガラス板に切り
欠きを設けた状態を示す平面図である。
【図１６】表面電極層に表面電極引き出し部を設けた状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図１７】保護ガラス板に金属膜を設けたアクティブマ
トリクス基板の概略の構成を示す断面図である。
トリクス基板の概略の構成を示す断面図である。
１ アクティブマトリクス基板 １ａ マザーガラス基板（基板） １ｂ 分断ライン ２ ガラス基板（基板） ６ 薄膜トランジスタ（アクティブ素子） １２ Ｘ線導電層（半導体層） １６ 表面電極層（電極） ２０ アンプＬＳＩ（回路部品） ２２ ドライバＬＳＩ（回路部品） ３２ ＴＦＴアレイ（アクティブ素子アレイ） ３４ 表面保護層（保護部材） ３５ 表面保護部材（保護部材） ３５ａ 保護ガラス板（固体基板） ３５ｂ シール材（接合材） ３６ 表面保護膜（保護部材） ４０ 導電層 ４２ 導電材（導電性部材） ４５ 金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺沼 修 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 吉牟田 利典 京都府相楽郡精華町光台３−９ 株式会社 島津製作所内 (72)発明者 平澤 伸也 京都府相楽郡精華町光台３−９ 株式会社 島津製作所内 Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 BA05 CA14 CA32 CB05 CB06 EA01 FB09 FB13 FB16 GA10 HA20 HA22 HA24 HA26 HA29 5C024 AX01 AX06 AX11 CY47 CY48 HX01 5F088 AA11 AB01 AB05 BA18 BB03 CA05 CB17 HA11 LA01 LA03 LA08
Claims (27)
- 【請求項１】入射する電磁波に応じて電荷を生じる半導
体層と、該半導体層の電荷を読み出すためのアクティブ
素子アレイを有する基板とを備える二次元画像検出器の
製造方法において、 前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程
と、 前記アクティブ素子アレイを形成した領域を覆う保護部
材を前記基板に形成する工程と、 前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断する工程
と、 分断した前記基板から前記保護部材を除去する工程と、 前記保護部材を除去した領域における前記アクティブ素
子アレイ上に前記半導体層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の二次元画像検出器の製造
方法において、 前記基板を分断した後、かつ、前記保護部材を除去する
前に、前記アクティブ素子アレイに接続される回路部品
を前記基板に実装する工程を含むことを特徴とする二次
元画像検出器の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の二次元画像検出
器の製造方法において、前記保護部材が感光性樹脂から
なることを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項４】請求項１または２に記載の二次元画像検出
器の製造方法において、前記保護部材が水溶性樹脂から
なることを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項５】入射する電磁波に応じて電荷を生じる半導
体層と、該半導体層の電荷を読み出すためのアクティブ
素子アレイを有する基板とを備える二次元画像検出器の
製造方法において、 前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程
と、 前記アクティブ素子アレイ上に前記半導体層を形成する
工程と、 前記半導体層を形成した領域を覆う保護部材を前記基板
に形成する工程と、 前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断する工程
とを含むことを特徴とする二次元画像検出器の製造方
法。 - 【請求項６】基板と、 該基板上に設けられたアクティブ素子アレイと、 入射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アク
ティブ素子アレイによって読み出されるように前記アク
ティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、 前記基板上に設けられ、前記半導体層を覆う保護部材と
を備えていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項７】請求項６に記載の二次元画像検出器におい
て、前記保護部材が気密性を有していることを特徴とす
る二次元画像検出器。 - 【請求項８】請求項６に記載の二次元画像検出器におい
て、前記半導体層と前記保護部材との間が、電気絶縁性
を有する物質により充填された状態であることを特徴と
する二次元画像検出器。 - 【請求項９】請求項６に記載の二次元画像検出器におい
て、前記半導体層と前記保護部材との間が、導電性部材
により充填された状態であることを特徴とする二次元画
像検出器。 - 【請求項１０】請求項６から９の何れか１項に記載の二
次元画像検出器において、前記保護部材の前記半導体層
と対向する部分が固体基板からなることを特徴とする二
次元画像検出器。 - 【請求項１１】請求項６から９の何れか１項に記載の二
次元画像検出器において、前記保護部材が、樹脂からな
る表面保護膜と、該表面保護膜を覆う固体基板と、該固
体基板を前記基板に固定する接合材とからなることを特
徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項１２】基板と、 該基板上に設けられたアクティブ素子アレイと、 入射する電磁波に応じて電荷を生じ、該電荷が前記アク
ティブ素子アレイによって読み出されるように前記アク
ティブ素子アレイ上に設けられた半導体層と、 前記半導体層にバイアス電圧を印加できるように前記半
導体層上に設けられた表面電極層と、 前記基板上に設けられ、前記半導体層および前記表面電
極層を覆う保護部材とを備えていることを特徴とする二
次元画像検出器。 - 【請求項１３】請求項１２に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記保護部材が塗布または転写によって形成さ
れる樹脂材料からなることを特徴とする二次元画像検出
器。 - 【請求項１４】請求項１２に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記保護部材が前記基板への設置時に既に固体
状態である固体基板からなることを特徴とする二次元画
像検出器。 - 【請求項１５】請求項１２に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記保護部材が前記基板への設置時に既に固体
状態である固体基板と、前記固体基板を前記基板に固定
する接合材とからなっていることを特徴とする二次元画
像検出器。 - 【請求項１６】請求項１４または１５に記載の二次元画
像検出器において、前記固体基板がセラミック基板であ
ることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項１７】請求項１６に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記セラミック基板がガラス基板であることを
特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項１８】請求項１６に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記セラミック基板が酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、炭化シリコ
ンのうち何れか１つで形成されていることを特徴とする
二次元画像検出器。 - 【請求項１９】請求項１６に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記セラミック基板が酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、炭化シリコ
ンのうち、複数の材料を任意の割合で混合して形成され
ていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２０】請求項１４または１５に記載の二次元画
像検出器において、前記固体基板が樹脂基板であること
を特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２１】請求項２０に記載の二次元画像検出器に
おいて、前記樹脂基板がＳｉ元素を含有しない樹脂から
形成されていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２２】請求項１４から２１の何れか１項に記載
の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記保護
部材との間が、電気絶縁性を有する物質により充填され
た状態であることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２３】請求項１４から２１の何れか１項に記載
の二次元画像検出器において、前記半導体層と前記保護
部材との間が、導電性部材により充填された状態である
ことを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２４】請求項１４から２３の何れか１項に記載
の二次元画像検出器において、前記保護部材における前
記半導体層との対向面とは反対側の面に金属膜が形成さ
れていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２５】請求項１２から２４の何れか１項に記載
の二次元画像検出器において、前記保護部材には、前記
表面電極層にバイアス電圧を印加するための貫通孔また
は切り欠きが設けられていることを特徴とする二次元画
像検出器。 - 【請求項２６】請求項１２から２４の何れか１項に記載
の二次元画像検出器において、前記表面電極層には、前
記表面電極層にバイアス電圧を印加するための表面電極
引き出し部が、前記保護部材から一部露出するように設
けられていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２７】入射する電磁波に応じて電荷を生じる半
導体層と、該半導体層の電荷を読み出すためのアクティ
ブ素子アレイを有する基板とを備える二次元画像検出器
の製造方法において、 前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程
と、 前記アクティブ素子アレイを覆うように前記半導体層を
形成する工程と、 前記半導体層上に、当該半導体層にバイアス電圧を印加
するための表面電極層を形成する工程と、 前記半導体層および前記表面電極層を覆うように保護部
材を前記基板上に形成する工程と、 前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断する工程
とを含むことを特徴とする二次元画像検出器の製造方
法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2000207383A JP3737343B2 (ja) | 1999-09-08 | 2000-07-07 | 二次元画像検出器 |
| US09/657,528 US6559451B1 (en) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | Manufacturing method for two-dimensional image detectors and two-dimensional image detectors |
| US10/329,491 US6649438B2 (en) | 1999-09-08 | 2002-12-27 | Manufacturing method for two-dimensional image detectors and two-dimensional image detectors |
| US10/329,502 US6638782B2 (en) | 1999-09-08 | 2002-12-27 | Manufacturing method for two-dimensional image detectors and two-dimensional image detectors |
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|---|---|---|---|
| JP25468899 | 1999-09-08 | ||
| JP11-254688 | 1999-09-08 | ||
| JP2000207383A JP3737343B2 (ja) | 1999-09-08 | 2000-07-07 | 二次元画像検出器 |
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|---|---|---|---|
| JP2005285494A Division JP4410181B2 (ja) | 1999-09-08 | 2005-09-29 | 二次元画像検出器の製造方法 |
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|---|---|
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