JP2001147651A - 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 - Google Patents
電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置Info
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- JP2001147651A JP2001147651A JP2000274114A JP2000274114A JP2001147651A JP 2001147651 A JP2001147651 A JP 2001147651A JP 2000274114 A JP2000274114 A JP 2000274114A JP 2000274114 A JP2000274114 A JP 2000274114A JP 2001147651 A JP2001147651 A JP 2001147651A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】液晶表示パネルにおいて使用されるＴＦＴアレ
イ基板の製造において、マスク枚数を低減し、すなわち
製造工程を簡略化し製造コストを低減したＴＦＴアレイ
基板を提供する。 【解決手段】 基板１０１表面に、ゲート配線金属膜と
ゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜１０６
を形成し、フォトリソ法でコンタクト電極金属膜と半導
体膜とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパタ
ーンで順次エッチングし、ゲート配線及びゲート電極と
なる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化し、
透明導電性膜を形成し、フォトリソ法で透明導電性膜と
コンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２のパター
ンで順次エッチングする。
イ基板の製造において、マスク枚数を低減し、すなわち
製造工程を簡略化し製造コストを低減したＴＦＴアレイ
基板を提供する。 【解決手段】 基板１０１表面に、ゲート配線金属膜と
ゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜１０６
を形成し、フォトリソ法でコンタクト電極金属膜と半導
体膜とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパタ
ーンで順次エッチングし、ゲート配線及びゲート電極と
なる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化し、
透明導電性膜を形成し、フォトリソ法で透明導電性膜と
コンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２のパター
ンで順次エッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、他用途に適用可能
な電気回路基板の新規な構造、及びこれを応用したＴＦ
Ｔアレイ基板並びにこのＴＦＴアレイ基板を用いた液晶
表示装置とそれらの製造方法に関する。
な電気回路基板の新規な構造、及びこれを応用したＴＦ
Ｔアレイ基板並びにこのＴＦＴアレイ基板を用いた液晶
表示装置とそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、カラー液晶表示装置用のＴＦＴ
（Thin Film Transistor）アレイ基板の製造には、５〜
９枚のホトマスクが使用されているが、ホトマスクの使
用枚数が多いとそれだけ製造工程数が多くなり、製造が
煩雑になるので、製造コストの低減を図り難い。
（Thin Film Transistor）アレイ基板の製造には、５〜
９枚のホトマスクが使用されているが、ホトマスクの使
用枚数が多いとそれだけ製造工程数が多くなり、製造が
煩雑になるので、製造コストの低減を図り難い。
【０００３】他方、ダイオードアレイ基板の製造プロセ
スにおいては、ホトマスクの使用枚数を２枚にまで減ら
すことのできる技術が提案されている（特表昭６２−５
０２３６１号公報）。しかし、ダイオードアレイ基板は
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板に比較し性
能が劣るため、カラーテレビジョン用には適さない。
スにおいては、ホトマスクの使用枚数を２枚にまで減ら
すことのできる技術が提案されている（特表昭６２−５
０２３６１号公報）。しかし、ダイオードアレイ基板は
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板に比較し性
能が劣るため、カラーテレビジョン用には適さない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記に鑑みな
されたものであり、本発明はＴＦＴアレイ基板の製造方
法において、ホトマスクの使用枚数を減らすことのでき
る新規な構造を提供することを主な目的とする。
されたものであり、本発明はＴＦＴアレイ基板の製造方
法において、ホトマスクの使用枚数を減らすことのでき
る新規な構造を提供することを主な目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）この目的を達成す
るための第一の本発明群は、半導体集積回路等に利用す
ることのできる電気回路基板構造に関する。第１の本発
明群は次のように構成されている。
るための第一の本発明群は、半導体集積回路等に利用す
ることのできる電気回路基板構造に関する。第１の本発
明群は次のように構成されている。
【０００６】絶縁性基板上の同一平面内に同一の導電性
金属膜よりそれぞれ形成された、Ｘ配線と、前記Ｘ配線
と交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配線と
離隔されたＹ断続配線と、を有し、前記Ｘ配線の側面お
よび上面が、絶縁性膜で覆われ、前記絶縁性膜で覆われ
たＸ配線により切断され離隔されたＹ断続配線同士が、
前記絶縁性膜上に形成されたY断続配線接続電極により
電気的に接続された電気回路基板。
金属膜よりそれぞれ形成された、Ｘ配線と、前記Ｘ配線
と交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配線と
離隔されたＹ断続配線と、を有し、前記Ｘ配線の側面お
よび上面が、絶縁性膜で覆われ、前記絶縁性膜で覆われ
たＸ配線により切断され離隔されたＹ断続配線同士が、
前記絶縁性膜上に形成されたY断続配線接続電極により
電気的に接続された電気回路基板。
【０００７】この構成であると、独立的に通電できるＸ
線・Ｙ線交差型の電気回路を極めて薄い平面内に組み込
むことができ、またそれゆえにこの電気回路を多層に集
積することもできる。したがって、この構成は半導体デ
バイスとの相性が極めて良く、この構成を採用すること
により、半導体回路等の集積度を顕著に高めることがで
きる。
線・Ｙ線交差型の電気回路を極めて薄い平面内に組み込
むことができ、またそれゆえにこの電気回路を多層に集
積することもできる。したがって、この構成は半導体デ
バイスとの相性が極めて良く、この構成を採用すること
により、半導体回路等の集積度を顕著に高めることがで
きる。
【０００８】この構成においては、少なくとも前記Ｘ配
線の側面の絶縁性膜を、前記導電性金属膜が酸化されて
なる金属酸化膜とすることができ、さらに前記金属酸化
膜を、陽極酸化法で形成された陽極酸化膜とすることが
できる。陽極酸化膜であると、薄い皮膜でもって良好な
絶縁性が得られるので、好ましい。
線の側面の絶縁性膜を、前記導電性金属膜が酸化されて
なる金属酸化膜とすることができ、さらに前記金属酸化
膜を、陽極酸化法で形成された陽極酸化膜とすることが
できる。陽極酸化膜であると、薄い皮膜でもって良好な
絶縁性が得られるので、好ましい。
【０００９】上記構成の電気回路基板は、次の製造方法
により生産性よく製造することができる。すなわち、絶
縁性基板上に導電性金属膜層を堆積する第一の工程と、
前記導電性金属膜層をエッチングし、Ｘ配線と、前記Ｘ
配線に交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配
線と離隔されたＹ断続配線とを同一平面内に同時に形成
する第二の工程と、前記第二の工程の後、前記Ｘ配線の
側面と上面を酸化し、当該側面と上面を絶縁性の金属酸
化膜で被覆する第三の工程と、前記第三の工程の後、少
なくとも前記交差部分を覆うように導電性膜層を堆積
し、前記Ｘ配線により切断され離隔されたＹ断続配線同
士を電気接続する第四の工程と、を備えた電気回路基板
の製造方法により製造することができる。
により生産性よく製造することができる。すなわち、絶
縁性基板上に導電性金属膜層を堆積する第一の工程と、
前記導電性金属膜層をエッチングし、Ｘ配線と、前記Ｘ
配線に交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配
線と離隔されたＹ断続配線とを同一平面内に同時に形成
する第二の工程と、前記第二の工程の後、前記Ｘ配線の
側面と上面を酸化し、当該側面と上面を絶縁性の金属酸
化膜で被覆する第三の工程と、前記第三の工程の後、少
なくとも前記交差部分を覆うように導電性膜層を堆積
し、前記Ｘ配線により切断され離隔されたＹ断続配線同
士を電気接続する第四の工程と、を備えた電気回路基板
の製造方法により製造することができる。
【００１０】この製造方法において、前記第二の工程に
おけるＸ配線の酸化を陽極酸化法で行うことができる。
陽極酸化法であると、Ｘ配線のみを選択的にかつ効率よ
く酸化することができる。
おけるＸ配線の酸化を陽極酸化法で行うことができる。
陽極酸化法であると、Ｘ配線のみを選択的にかつ効率よ
く酸化することができる。
【００１１】上記構成の電気回路基板は、次の製造方法
によっても生産性よく製造することができる。すなわ
ち、絶縁性基板上に少なくとも導電性金属膜層と絶縁性
膜層を順次堆積する第一の工程と、前記絶縁性膜層と前
記導電性金属膜層とを含む層をエッチングし、同一平面
内に、Ｘ配線と、前記Ｘ配線に交差し交差部分において
前記Ｘ配線により切断されＸ配線と離隔されたＹ断続配
線と、を同一平面内に同時に形成する第二の工程と、前
記第二の工程の後、前記Ｘ配線の側面を酸化し、当該側
面を絶縁性の金属酸化膜で被覆する第三の工程と、前記
第三の工程の後、少なくとも前記交差部分を覆うように
導電性膜層を堆積し、前記Ｘ配線により切断され離隔さ
れたＹ断続配線同士を電気接続する第四の工程と、を備
えた電気回路基板の製造方法により製造することができ
る。
によっても生産性よく製造することができる。すなわ
ち、絶縁性基板上に少なくとも導電性金属膜層と絶縁性
膜層を順次堆積する第一の工程と、前記絶縁性膜層と前
記導電性金属膜層とを含む層をエッチングし、同一平面
内に、Ｘ配線と、前記Ｘ配線に交差し交差部分において
前記Ｘ配線により切断されＸ配線と離隔されたＹ断続配
線と、を同一平面内に同時に形成する第二の工程と、前
記第二の工程の後、前記Ｘ配線の側面を酸化し、当該側
面を絶縁性の金属酸化膜で被覆する第三の工程と、前記
第三の工程の後、少なくとも前記交差部分を覆うように
導電性膜層を堆積し、前記Ｘ配線により切断され離隔さ
れたＹ断続配線同士を電気接続する第四の工程と、を備
えた電気回路基板の製造方法により製造することができ
る。
【００１２】この製造方法においても、前記第二の工程
におけるＸ配線の側面の酸化を陽極酸化法で行うことが
できる。 （２）第二の発明は、上記電気回路を応用したボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板に関し、下記のように構成され
ている。
におけるＸ配線の側面の酸化を陽極酸化法で行うことが
できる。 （２）第二の発明は、上記電気回路を応用したボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板に関し、下記のように構成され
ている。
【００１３】基板上に直接またはアンダーコート膜層を
介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲート
電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜
と、前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とド
レイン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する
半導体膜と、前記半導体膜のソース領域上に積層された
ソースコンタクト電極と、前記半導体膜のドレイン領域
上に積層されたドレインコンタクト電極と、前記ドレイ
ンコンタクト電極を介して前記半導体膜のドレイン領域
に接続された画素電極と、前記ゲート電極に接続され、
側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線と、前記ゲ
ート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で前記ゲ
ート配線と交差し、当該交差部において前記ゲート配線
で切断され離隔された形状のソース断続配線と、ゲート
配線で切断され離隔されたソース断続配線同士を、ゲー
ト配線の上方を経由して電気接続するソース線接続電極
と、を有するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。
介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲート
電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜
と、前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とド
レイン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する
半導体膜と、前記半導体膜のソース領域上に積層された
ソースコンタクト電極と、前記半導体膜のドレイン領域
上に積層されたドレインコンタクト電極と、前記ドレイ
ンコンタクト電極を介して前記半導体膜のドレイン領域
に接続された画素電極と、前記ゲート電極に接続され、
側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線と、前記ゲ
ート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で前記ゲ
ート配線と交差し、当該交差部において前記ゲート配線
で切断され離隔された形状のソース断続配線と、ゲート
配線で切断され離隔されたソース断続配線同士を、ゲー
ト配線の上方を経由して電気接続するソース線接続電極
と、を有するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。
【００１４】この構成であると、信頼性に優れたボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板を生産性よく提供できる。
ゲート型ＴＦＴアレイ基板を生産性よく提供できる。
【００１５】この構成においては、前記画素電極と前記
ソース線接続電極とを、同質の透明導電膜材料で構成す
ることができる。
ソース線接続電極とを、同質の透明導電膜材料で構成す
ることができる。
【００１６】また、前記ソース断続配線が、ソース断続
配線、ゲート絶縁膜、半導体膜、コンタクト金属膜、透
明導電膜の各膜からなる５層構造のソース断続配線区画
パターンの最下層に位置し、前記ゲート配線が、ゲート
配線、ゲート絶縁膜、半導体膜、コンタクト金属膜、透
明導電膜からなる５層構造のゲート配線区画パターンの
最下層に位置し、かつ前記ソース断続配線と前記ゲート
配線とが、前記基板上の同一平面内に存在している構成
とすることができる。
配線、ゲート絶縁膜、半導体膜、コンタクト金属膜、透
明導電膜の各膜からなる５層構造のソース断続配線区画
パターンの最下層に位置し、前記ゲート配線が、ゲート
配線、ゲート絶縁膜、半導体膜、コンタクト金属膜、透
明導電膜からなる５層構造のゲート配線区画パターンの
最下層に位置し、かつ前記ソース断続配線と前記ゲート
配線とが、前記基板上の同一平面内に存在している構成
とすることができる。
【００１７】また、少なくとも前記ゲート配線の側面の
絶縁性膜が、前記導電性金属膜の酸化膜からなるものと
することができる。
絶縁性膜が、前記導電性金属膜の酸化膜からなるものと
することができる。
【００１８】また、前記酸化膜が、陽極酸化法で形成さ
れた陽極酸化膜である、とすることができる。
れた陽極酸化膜である、とすることができる。
【００１９】また、前記半導体膜が、i型アモルファス
シリコン層とｎ型モルファスシリコン層の２層構造であ
る、構成とすることができる。
シリコン層とｎ型モルファスシリコン層の２層構造であ
る、構成とすることができる。
【００２０】また、前記透明導電膜材料に代えて、光反
射性の導電膜材料を用いることもでき、これにより反射
型のボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を構成することが
できる。
射性の導電膜材料を用いることもでき、これにより反射
型のボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を構成することが
できる。
【００２１】以上のボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板は
下記構成の製造方法により生産性よく製造することがで
きる。すなわち、少なくとも絶縁性基板表面に、ゲート
電極とゲート配線とソース断続配線とを形成するための
G-S金属膜層と、ゲート絶縁膜層と、半導体膜層と、コ
ンタクト金属膜層とを順次堆積する（A）工程と、前記
(A)工程の後、第１のレジストパターンを用いたフォト
リソグラフィ法で、前記各層を前記絶縁性基板表面に達
するまでエッチングし、ゲート電極とこの上に順次積層
されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタ
クト金属膜を含むゲート電極区画パターンと、前記ゲー
ト電極に接続されたゲート配線とこの上に順次積層され
たゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト
金属膜を含むゲート配線区画パターンと、前記ゲート配
線との交差部で切断され離隔されたソース断続線とこの
上に順次積層されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導
体膜とコンタクト金属膜を含むソース断続線区画パター
ンと、を形成する（Ｂ）工程と、前記（Ｂ）工程の後ゲ
ート電極区画パターン上のコンタクト金属膜部分を前記
半導体膜面に到達するまでエッチングして前記半導体膜
上にチ、前記ゲート電極およびゲート配線の側面を酸化
して電気絶縁性の金属酸化膜を生成させる（Ｃ）工程
と、前記（Ｃ）工程の後、前記コンタクト金属膜の上か
ら基板全面に透明導電膜層を堆積し、少なくとも前記ソ
ース断続配線相互が導電膜を介して電気的に接続される
ようにする（Ｅ）工程と、前記（Ｅ）工程の後、第２の
レジストパターンを用いたフォトリソグラフィ法で、前
記透明導電膜層を所定のパターンにエッチングし画素電
極を形成するとともに、更にこのエッチングにより露出
させたャネル領域を形成する（Ｆ）工程と、を備えたボ
トムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法により製造す
ることができる。
下記構成の製造方法により生産性よく製造することがで
きる。すなわち、少なくとも絶縁性基板表面に、ゲート
電極とゲート配線とソース断続配線とを形成するための
G-S金属膜層と、ゲート絶縁膜層と、半導体膜層と、コ
ンタクト金属膜層とを順次堆積する（A）工程と、前記
(A)工程の後、第１のレジストパターンを用いたフォト
リソグラフィ法で、前記各層を前記絶縁性基板表面に達
するまでエッチングし、ゲート電極とこの上に順次積層
されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタ
クト金属膜を含むゲート電極区画パターンと、前記ゲー
ト電極に接続されたゲート配線とこの上に順次積層され
たゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト
金属膜を含むゲート配線区画パターンと、前記ゲート配
線との交差部で切断され離隔されたソース断続線とこの
上に順次積層されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導
体膜とコンタクト金属膜を含むソース断続線区画パター
ンと、を形成する（Ｂ）工程と、前記（Ｂ）工程の後ゲ
ート電極区画パターン上のコンタクト金属膜部分を前記
半導体膜面に到達するまでエッチングして前記半導体膜
上にチ、前記ゲート電極およびゲート配線の側面を酸化
して電気絶縁性の金属酸化膜を生成させる（Ｃ）工程
と、前記（Ｃ）工程の後、前記コンタクト金属膜の上か
ら基板全面に透明導電膜層を堆積し、少なくとも前記ソ
ース断続配線相互が導電膜を介して電気的に接続される
ようにする（Ｅ）工程と、前記（Ｅ）工程の後、第２の
レジストパターンを用いたフォトリソグラフィ法で、前
記透明導電膜層を所定のパターンにエッチングし画素電
極を形成するとともに、更にこのエッチングにより露出
させたャネル領域を形成する（Ｆ）工程と、を備えたボ
トムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法により製造す
ることができる。
【００２２】この製造方法において、前記ゲート配線の
側面の酸化を陽極酸化法で行うことができる。
側面の酸化を陽極酸化法で行うことができる。
【００２３】また、前記半導体膜層が、ｎ型モルファス
シリコン層とi型アモルファスシリコン層との２層構造
であり、前記（Ｆ）工程におけるゲート電極区画パター
ン上のコンタクト金属膜部分のエッチングが、コンタク
ト金属膜の一部とこれに続くｎ型モルファスシリコン層
の一部分をi型アモルファスシリコン層に到達するまで
行うエッチングである、とすることができる。また、前
記（Ｅ）工程における前記透明透明導電膜層に代えて、
光反射性の導電膜層を積層することができる。 （３）第三の発明は、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
を用いた液晶表示装置に関する発明であり、下記のよう
に構成されている。
シリコン層とi型アモルファスシリコン層との２層構造
であり、前記（Ｆ）工程におけるゲート電極区画パター
ン上のコンタクト金属膜部分のエッチングが、コンタク
ト金属膜の一部とこれに続くｎ型モルファスシリコン層
の一部分をi型アモルファスシリコン層に到達するまで
行うエッチングである、とすることができる。また、前
記（Ｅ）工程における前記透明透明導電膜層に代えて、
光反射性の導電膜層を積層することができる。 （３）第三の発明は、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
を用いた液晶表示装置に関する発明であり、下記のよう
に構成されている。
【００２４】基板上に直接またはアンダーコート膜層を
介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲート
電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜
と、前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とド
レイン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する
半導体膜と、前記半導体膜のソース領域上に積層された
ソースコンタクト電極と、前記半導体膜のドレイン領域
上に積層されたドレインコンタクト電極と、前記ドレイ
ンコンタクト電極を介して前記半導体膜のドレイン領域
に接続された画素電極と、前記ゲート電極に接続され、
側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線と、前記ゲ
ート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で前記ゲ
ート配線と交差し、当該交差部において前記ゲート配線
で切断され離隔された形状のソース断続配線と、ゲート
配線で切断されたソース断続配線同士を、ゲート配線の
上方を経由して電気接続するソース線接続電極と、を有
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板と、対向基板と、
をＴＦＴの形成された面を内側にして所定のギャップで
対向させ、当該ギャップの間に液晶を保持させた液晶表
示装置。
介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲート
電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜
と、前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とド
レイン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する
半導体膜と、前記半導体膜のソース領域上に積層された
ソースコンタクト電極と、前記半導体膜のドレイン領域
上に積層されたドレインコンタクト電極と、前記ドレイ
ンコンタクト電極を介して前記半導体膜のドレイン領域
に接続された画素電極と、前記ゲート電極に接続され、
側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線と、前記ゲ
ート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で前記ゲ
ート配線と交差し、当該交差部において前記ゲート配線
で切断され離隔された形状のソース断続配線と、ゲート
配線で切断されたソース断続配線同士を、ゲート配線の
上方を経由して電気接続するソース線接続電極と、を有
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板と、対向基板と、
をＴＦＴの形成された面を内側にして所定のギャップで
対向させ、当該ギャップの間に液晶を保持させた液晶表
示装置。
【００２５】この構成に更に下記を付加することができ
る。すなわち、前記ＦＴアレイ基板の表面が保護膜で保
護されている、構成とすることができ、さらに前記保護
膜が、シリカ膜または窒化珪素膜である、とすることが
できる。
る。すなわち、前記ＦＴアレイ基板の表面が保護膜で保
護されている、構成とすることができ、さらに前記保護
膜が、シリカ膜または窒化珪素膜である、とすることが
できる。
【００２６】また、前記画素電極が、透明金属膜で構成
されている、とすることができる。また、前記画素電極
が、光反射性金属膜で構成されている、とすることがで
きる。 （４）第四の発明（請求項２４−３０）は、ボトム型Ｔ
ＦＴアレイ基板に関し、次のように構成されている。 ＜請求項２４＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と反射画素金属電極群を備えたボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板であって、少なくともゲート電
極およびゲート配線の側面が酸化されており、反射画素
金属電極がコンタクト金属電極と他の金属電極膜との２
層構造でありコンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレ
ーン領域に接続されており、ソース断続配線がコンタク
ト金属電極および金属電極の２層を介してＴＦＴのソー
ス領域に接続されていることを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。
されている、とすることができる。また、前記画素電極
が、光反射性金属膜で構成されている、とすることがで
きる。 （４）第四の発明（請求項２４−３０）は、ボトム型Ｔ
ＦＴアレイ基板に関し、次のように構成されている。 ＜請求項２４＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と反射画素金属電極群を備えたボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板であって、少なくともゲート電
極およびゲート配線の側面が酸化されており、反射画素
金属電極がコンタクト金属電極と他の金属電極膜との２
層構造でありコンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレ
ーン領域に接続されており、ソース断続配線がコンタク
ト金属電極および金属電極の２層を介してＴＦＴのソー
ス領域に接続されていることを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。
【００２７】＜請求項２５＞請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、反射画素金属電極群がア
ルミニウムまたはアルミニウム系の合金である、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。
型ＴＦＴアレイ基板において、反射画素金属電極群がア
ルミニウムまたはアルミニウム系の合金である、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。
【００２８】（請求項２６）請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、ソース断続配線の一部が
コンタクト電極金属膜とアルミニウム系の金属電極膜の
２層構造となっている、ことを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。
型ＴＦＴアレイ基板において、ソース断続配線の一部が
コンタクト電極金属膜とアルミニウム系の金属電極膜の
２層構造となっている、ことを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。
【００２９】＜請求項２７＞請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、ゲート電極金属とコンタ
クト金属電極との間にゲート絶縁膜と半導体膜が形成さ
れている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板。
型ＴＦＴアレイ基板において、ゲート電極金属とコンタ
クト金属電極との間にゲート絶縁膜と半導体膜が形成さ
れている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板。
【００３０】＜請求項２８＞請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、ソース断続配線がゲート
配線により切断されておりゲート配線上でコンタクト金
属電極および金属電極の２層を介して交差接続されてい
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。
型ＴＦＴアレイ基板において、ソース断続配線がゲート
配線により切断されておりゲート配線上でコンタクト金
属電極および金属電極の２層を介して交差接続されてい
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。
【００３１】＜請求項２９＞請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、半導体膜の一部がｉ型層
とｎ+型層の２層構造である、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板。
型ＴＦＴアレイ基板において、半導体膜の一部がｉ型層
とｎ+型層の２層構造である、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板。
【００３２】＜請求項３０＞請求項２４のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板において、絶縁性基板表面とゲート
配線金属膜の間にアンダーコート膜が形成されている、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （５）第五の発明（請求項３１−３５）は、次のように
構成されている。
型ＴＦＴアレイ基板において、絶縁性基板表面とゲート
配線金属膜の間にアンダーコート膜が形成されている、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （５）第五の発明（請求項３１−３５）は、次のように
構成されている。
【００３３】＜請求項３１＞少なくとも絶縁性基板表面
にゲート配線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成す
る工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜
とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターン
で順次エッチングする工程と、ゲート配線及びゲート電
極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化
する工程と、コンタクト電極金属膜および金属電極膜と
を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を
第２のパターンでエッチングする工程と、を含むことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。
にゲート配線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成す
る工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜
とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターン
で順次エッチングする工程と、ゲート配線及びゲート電
極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化
する工程と、コンタクト電極金属膜および金属電極膜と
を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を
第２のパターンでエッチングする工程と、を含むことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。
【００３４】＜請求項３２＞請求項３１のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、金属電極膜と
してアルミニウムまたはアルミニウム系の合金膜を形成
する、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板の製造方法。
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、金属電極膜と
してアルミニウムまたはアルミニウム系の合金膜を形成
する、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板の製造方法。
【００３５】＜請求項３３＞請求項３１のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、絶縁性基板表
面とゲート配線金属膜の間にシリカ系のアンダーコート
膜を形成する工程を含む、ことを特徴とするボトムゲー
ト型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、絶縁性基板表
面とゲート配線金属膜の間にシリカ系のアンダーコート
膜を形成する工程を含む、ことを特徴とするボトムゲー
ト型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【００３６】＜請求項３４＞請求項３１のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、少なくともゲ
ート配線金属膜としてアルミニウム系の合金膜を形成す
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
の製造方法。
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、少なくともゲ
ート配線金属膜としてアルミニウム系の合金膜を形成す
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
の製造方法。
【００３７】＜請求項３５＞請求項３１のボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、酸化する工程
に中性溶液中で陽極酸化法を用いる、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （５）第五の発明（請求項３６−３８）は、次のように
構成されている。
型ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、酸化する工程
に中性溶液中で陽極酸化法を用いる、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （５）第五の発明（請求項３６−３８）は、次のように
構成されている。
【００３８】＜請求項３６＞少なくともゲート電極およ
びゲート配線側面が酸化されており、反射画素金属電極
がコンタクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造で
ありコンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域
に接続されており、ソース断続配線がコンタクト金属電
極および金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に
接続されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレ
イ側と対向透明電極が形成されたカラーフィルター基板
のカラーフィルター側が対向するように所定の間隙を保
ちつつ張り合わされており、前記間隙に配向膜を介して
液晶が挟まれている、ことを特徴とする液晶表示装置。
びゲート配線側面が酸化されており、反射画素金属電極
がコンタクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造で
ありコンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域
に接続されており、ソース断続配線がコンタクト金属電
極および金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に
接続されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレ
イ側と対向透明電極が形成されたカラーフィルター基板
のカラーフィルター側が対向するように所定の間隙を保
ちつつ張り合わされており、前記間隙に配向膜を介して
液晶が挟まれている、ことを特徴とする液晶表示装置。
【００３９】＜請求項３７＞請求項３６の液晶表示装置
において、少なくともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被
われている、ことを特徴とする液晶表示装置。
において、少なくともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被
われている、ことを特徴とする液晶表示装置。
【００４０】＜請求項３８＞請求項３７の液晶表示装置
において、保護膜が無機物である、ことを特徴とする液
晶表示装置。 （５）第六の発明（請求項３９−４０）は、次のように
構成されている。
において、保護膜が無機物である、ことを特徴とする液
晶表示装置。 （５）第六の発明（請求項３９−４０）は、次のように
構成されている。
【００４１】＜請求項３９＞少なくとも絶縁性基板表面
にゲート配線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成す
る工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜
とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターン
で順次エッチングする工程と、ゲート配線及びゲート電
極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化
する工程と、コンタクト電極金属膜および金属電極膜と
を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を
第２のパターンでエッチングする工程とによりボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さらにその
上に配向膜を形成する工程と、対向透明電極が形成され
カラーフィルター基板の対向電極側表面に配向膜を形成
する工程と前記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定
の間隙を保ちつつ位置合わせして周辺を接着固定する工
程と、前記第１と第２の基板の間に所定の液晶を注入す
る工程と、を含むことを特徴とした液晶表示装置の製造
方法。 ＜請求項４０＞請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 ＜請求項４１＞請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質
で一層で形成されている、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 （７）第五の発明（請求項４２−４７）は、次のように
構成されている。
にゲート配線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成す
る工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜
とゲート絶縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターン
で順次エッチングする工程と、ゲート配線及びゲート電
極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化
する工程と、コンタクト電極金属膜および金属電極膜と
を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を
第２のパターンでエッチングする工程とによりボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さらにその
上に配向膜を形成する工程と、対向透明電極が形成され
カラーフィルター基板の対向電極側表面に配向膜を形成
する工程と前記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定
の間隙を保ちつつ位置合わせして周辺を接着固定する工
程と、前記第１と第２の基板の間に所定の液晶を注入す
る工程と、を含むことを特徴とした液晶表示装置の製造
方法。 ＜請求項４０＞請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 ＜請求項４１＞請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質
で一層で形成されている、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 （７）第五の発明（請求項４２−４７）は、次のように
構成されている。
【００４２】＜請求項４２＞ソース断続配線とゲート配
線とゲート絶縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備
えたＴＦＴアレイ基板であって、 少なくともゲート電
極およびゲート配線側面および第１の櫛形画素電極側面
が酸化されており、第２の櫛形画素金属電極がコンタク
ト電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されて
おり、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金属
電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されていること
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４３＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ゲート電極側面および第１の櫛形画素
電極側面の酸化膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４４＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ソース断続配線の一部および第１の櫛
形画素電極がゲート配線金属膜と半導体膜とコンタクト
電極金属膜と金属電極膜の５層構造となっている、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４５＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、半導体膜と櫛形電極の接続にコンタク
ト電極金属が形成されている、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４６＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ソース断続配線がゲート配線および第
１の櫛形電極により切断されておりゲート配線および第
１の櫛形電極上でコンタクト電極金属と金属電極を介し
て交差接続されている、ことを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４７＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２
層構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板。 ＜請求項４８＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の
間にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （８）第八の発明（請求項４９−５３）は、次のように
構成されている。 ＜請求項４９＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とを含むことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 ＜請求項５０＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、ゲート配線及びゲート電極
及び第１の櫛形画素電極となる部分を同時にエッチング
する、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板の製造方法。 ＜請求項５１＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、絶縁性基板表面とゲート配
線金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含
む、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
の製造方法。 ＜請求項５２＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、少なくともゲート配線金属
膜とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項５３＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、酸化する工程に陽極酸化法
を用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法。 （９）第九の発明（請求項５４−５６）は、次のように
構成されている。 ＜請求項５４＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面および第１の櫛形電極側面が酸化されており、第２
の櫛形画素金属電極がコンタクト電極金属を介してＴＦ
Ｔのドレーン領域に接続されており、ソース断続配線が
コンタクト電極金属および金属電極を介してＴＦＴのソ
ース領域に接続されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板基板の電極側とカラーフィルター基板のカラーフィ
ルター側が対向するように所定の間隙を保ちつつ張り合
わされており、前記間隙に配向膜として液晶が挟まれて
いることを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項５５＞請求項５４の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項５６＞請求項５５の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。
（１０）第１０の発明（請求項５７−５８）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項５７＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とによりボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造す
る工程と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カ
ラーフィルター基板の表面に配向膜を形成する工程と前
記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ち
つつ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第
１と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項５８＞請求項５７の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被う工程と、この保護膜をマスクに、
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート
絶縁膜とをエッチングしてゲート配線端子を露出させる
工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 ＜請求項５９＞請求項５８の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被い、この保護膜をマスクにエッチン
グしてゲート配線端子を露出させると、保護膜として、
シリカ膜またはチッ化珪素膜を形成する、ことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 （１１）第１１の発明（請求項６０−６６）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項６０＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備えたＴＦＴア
レイ基板であって、少なくともゲート電極およびゲート
配線側面が酸化されており、櫛形反射画素金属電極がコ
ンタクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造であり
コンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接
続されており、ソース断続配線がコンタクト金属電極お
よび金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続
されている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項６１＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極にアルミニウム系の金属を用
い、側面の絶縁膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６２＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と
金属電極膜の５層構造となっている、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６３＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース電極および櫛形電極と半導体膜の
間にコンタクト金属電極を形成しておく、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６４＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト金属電極および金
属電極の２層を介して交差接続されている、ことを特徴
とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６５＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項６６＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （１２）第１２の発明（請求項６７−７１）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項６７＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項６８＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をｉ型層に達すまでエッ
チングする、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 ＜請求項６９＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項７０＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項７１＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 （１３）第１３の発明（請求項７２−７４）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７２＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造でありコ
ンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接続
されており、ソース断続配線がコンタクト金属電極およ
び金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続さ
れているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレイ側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜を介して液晶が挟まれている、ことを特徴
とする液晶表示装置。 ＜請求項７３＞請求項７２の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項７４＞請求項７２の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 （１４）第１４の発明（請求項７５−７７）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７５＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程とにより
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さ
らにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルタ
ー基板の対向電極側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項７６＞請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイの
一部を保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 ＜請求項７７＞請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいて金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質で
一層で形成されている、ことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 （１５）第１５の発明（請求項７８−８４）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７８＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素極がコンタクト
電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されてお
り、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金属電
極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、さら
に絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成されてい
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 ＜請求項７９＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極側面の酸化膜が陽極酸化膜で
ある、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 ＜請求項８０＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と金属電極膜の５
層構造となっている、ことを特徴とするボトムゲート型
ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８１＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜とソース及びドレーン電極の間
にコンタクト電極金属が形成されている、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８２＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト電極金属と金属電
極を介して交差接続されている、ことを特徴とするボト
ムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８３＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項８４＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （１６）第１６の発明（請求項８５−８９）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項８５＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、さらに、絶縁膜
を介して第２の櫛形対向電極を第３のパターンで形成す
る工程を含む、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板の製造方法。 ＜請求項８６＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をエッチングする、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項８７＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項８８＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項８９＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 （１７）第１７の発明（請求項９０−９２）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９０＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続さ
れており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および
金属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されてお
り、さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成
されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴と
する液晶表示装置。 ＜請求項９１＞請求項９０の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項９２＞請求項９１の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 （１８）第１８の発明（請求項９３−９５）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９３＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、保護膜を介して
第２の櫛形の対向電極を第３のパターンで形成する工程
とによりボトムゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程
と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフ
ィルター基板のカラーフィルター側表面に配向膜を形成
する工程と前記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定
の間隙を保ちつつ位置合わせして周辺を接着固定する工
程と、前記第１と第２の基板の間に所定の液晶を注入す
る工程を含む、ことを特徴とした液晶表示装置の製造方
法。 ＜請求項９４＞請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて第２の櫛形対向電極形成後、少なくとも前記第２
の櫛形対向電極の一部を保護膜で被う工程を含む、こと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項９５＞請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて保護膜として、シリカ膜またはチッ化珪素膜を形
成する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （１９）第１９の発明（請求項９６−９７）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９６＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト電極金属との２層構造でＴＦＴのドレーン領域に
接続されており、ソース断続配線がコンタクト電極金属
および金属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続され
ており、さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が
形成されている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦ
Ｔアレイ基板。 ＜請求項９７＞請求項９６のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において少なくともソース断続配線が金属電極と
コンタクト電極金属との２層構造で接続されている、こ
とを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （２０）第２０の発明（請求項９８）は、次のように構
成されている。 ＜請求項９８＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分
の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタクト
電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリソ
グラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金
属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチン
グする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対向
電極を第３のパターンで形成する工程を含む、ことを特
徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （２１）第２１の発明（請求項９９）は、次のように構
成されている。 ＜請求項９９＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素極がコンタクト
電極金属と２層構造でＴＦＴのドレーン領域に接続され
ており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金
属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、
さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成され
ているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側とカラ
ーフィルター基板のカラーフィルター側が対向するよう
に所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記間隙
に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴とする
液晶表示装置。 （２２）第２２の発明（請求項１００−１０１）は、次
のように構成されている。 ＜請求項１００＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配
線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶
縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッ
チングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部
分の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタク
ト電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリ
ソグラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極
金属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチ
ングする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対
向電極を第３のパターンで形成する工程とによりボトム
ゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さらにその
上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルター基板の
カラーフィルター側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項１０１＞請求項１００の液晶表示装置の製造方
法において少なくとも前記第２の櫛形対向電極の一部を
保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
線とゲート絶縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備
えたＴＦＴアレイ基板であって、 少なくともゲート電
極およびゲート配線側面および第１の櫛形画素電極側面
が酸化されており、第２の櫛形画素金属電極がコンタク
ト電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されて
おり、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金属
電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されていること
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４３＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ゲート電極側面および第１の櫛形画素
電極側面の酸化膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４４＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ソース断続配線の一部および第１の櫛
形画素電極がゲート配線金属膜と半導体膜とコンタクト
電極金属膜と金属電極膜の５層構造となっている、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４５＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、半導体膜と櫛形電極の接続にコンタク
ト電極金属が形成されている、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４６＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、ソース断続配線がゲート配線および第
１の櫛形電極により切断されておりゲート配線および第
１の櫛形電極上でコンタクト電極金属と金属電極を介し
て交差接続されている、ことを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項４７＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２
層構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板。 ＜請求項４８＞請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の
間にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （８）第八の発明（請求項４９−５３）は、次のように
構成されている。 ＜請求項４９＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とを含むことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 ＜請求項５０＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、ゲート配線及びゲート電極
及び第１の櫛形画素電極となる部分を同時にエッチング
する、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板の製造方法。 ＜請求項５１＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、絶縁性基板表面とゲート配
線金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含
む、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
の製造方法。 ＜請求項５２＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、少なくともゲート配線金属
膜とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項５３＞請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、酸化する工程に陽極酸化法
を用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法。 （９）第九の発明（請求項５４−５６）は、次のように
構成されている。 ＜請求項５４＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面および第１の櫛形電極側面が酸化されており、第２
の櫛形画素金属電極がコンタクト電極金属を介してＴＦ
Ｔのドレーン領域に接続されており、ソース断続配線が
コンタクト電極金属および金属電極を介してＴＦＴのソ
ース領域に接続されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板基板の電極側とカラーフィルター基板のカラーフィ
ルター側が対向するように所定の間隙を保ちつつ張り合
わされており、前記間隙に配向膜として液晶が挟まれて
いることを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項５５＞請求項５４の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項５６＞請求項５５の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。
（１０）第１０の発明（請求項５７−５８）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項５７＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とによりボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造す
る工程と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カ
ラーフィルター基板の表面に配向膜を形成する工程と前
記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ち
つつ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第
１と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項５８＞請求項５７の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被う工程と、この保護膜をマスクに、
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート
絶縁膜とをエッチングしてゲート配線端子を露出させる
工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 ＜請求項５９＞請求項５８の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被い、この保護膜をマスクにエッチン
グしてゲート配線端子を露出させると、保護膜として、
シリカ膜またはチッ化珪素膜を形成する、ことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 （１１）第１１の発明（請求項６０−６６）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項６０＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備えたＴＦＴア
レイ基板であって、少なくともゲート電極およびゲート
配線側面が酸化されており、櫛形反射画素金属電極がコ
ンタクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造であり
コンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接
続されており、ソース断続配線がコンタクト金属電極お
よび金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続
されている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項６１＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極にアルミニウム系の金属を用
い、側面の絶縁膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６２＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と
金属電極膜の５層構造となっている、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６３＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース電極および櫛形電極と半導体膜の
間にコンタクト金属電極を形成しておく、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６４＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト金属電極および金
属電極の２層を介して交差接続されている、ことを特徴
とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項６５＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項６６＞請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （１２）第１２の発明（請求項６７−７１）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項６７＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項６８＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をｉ型層に達すまでエッ
チングする、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 ＜請求項６９＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項７０＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項７１＞請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 （１３）第１３の発明（請求項７２−７４）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７２＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造でありコ
ンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接続
されており、ソース断続配線がコンタクト金属電極およ
び金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続さ
れているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレイ側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜を介して液晶が挟まれている、ことを特徴
とする液晶表示装置。 ＜請求項７３＞請求項７２の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項７４＞請求項７２の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 （１４）第１４の発明（請求項７５−７７）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７５＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程とにより
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さ
らにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルタ
ー基板の対向電極側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項７６＞請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイの
一部を保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 ＜請求項７７＞請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいて金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質で
一層で形成されている、ことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 （１５）第１５の発明（請求項７８−８４）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項７８＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素極がコンタクト
電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されてお
り、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金属電
極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、さら
に絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成されてい
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 ＜請求項７９＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極側面の酸化膜が陽極酸化膜で
ある、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 ＜請求項８０＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と金属電極膜の５
層構造となっている、ことを特徴とするボトムゲート型
ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８１＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜とソース及びドレーン電極の間
にコンタクト電極金属が形成されている、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８２＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト電極金属と金属電
極を介して交差接続されている、ことを特徴とするボト
ムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 ＜請求項８３＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 ＜請求項８４＞請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （１６）第１６の発明（請求項８５−８９）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項８５＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、さらに、絶縁膜
を介して第２の櫛形対向電極を第３のパターンで形成す
る工程を含む、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板の製造方法。 ＜請求項８６＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をエッチングする、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項８７＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 ＜請求項８８＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 ＜請求項８９＞請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 （１７）第１７の発明（請求項９０−９２）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９０＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続さ
れており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および
金属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されてお
り、さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成
されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴と
する液晶表示装置。 ＜請求項９１＞請求項９０の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 ＜請求項９２＞請求項９１の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 （１８）第１８の発明（請求項９３−９５）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９３＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、保護膜を介して
第２の櫛形の対向電極を第３のパターンで形成する工程
とによりボトムゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程
と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフ
ィルター基板のカラーフィルター側表面に配向膜を形成
する工程と前記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定
の間隙を保ちつつ位置合わせして周辺を接着固定する工
程と、前記第１と第２の基板の間に所定の液晶を注入す
る工程を含む、ことを特徴とした液晶表示装置の製造方
法。 ＜請求項９４＞請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて第２の櫛形対向電極形成後、少なくとも前記第２
の櫛形対向電極の一部を保護膜で被う工程を含む、こと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項９５＞請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて保護膜として、シリカ膜またはチッ化珪素膜を形
成する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （１９）第１９の発明（請求項９６−９７）は、次のよ
うに構成されている。 ＜請求項９６＞ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト電極金属との２層構造でＴＦＴのドレーン領域に
接続されており、ソース断続配線がコンタクト電極金属
および金属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続され
ており、さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が
形成されている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦ
Ｔアレイ基板。 ＜請求項９７＞請求項９６のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において少なくともソース断続配線が金属電極と
コンタクト電極金属との２層構造で接続されている、こ
とを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 （２０）第２０の発明（請求項９８）は、次のように構
成されている。 ＜請求項９８＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分
の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタクト
電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリソ
グラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金
属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチン
グする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対向
電極を第３のパターンで形成する工程を含む、ことを特
徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （２１）第２１の発明（請求項９９）は、次のように構
成されている。 ＜請求項９９＞少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素極がコンタクト
電極金属と２層構造でＴＦＴのドレーン領域に接続され
ており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金
属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、
さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成され
ているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側とカラ
ーフィルター基板のカラーフィルター側が対向するよう
に所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記間隙
に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴とする
液晶表示装置。 （２２）第２２の発明（請求項１００−１０１）は、次
のように構成されている。 ＜請求項１００＞少なくとも絶縁性基板表面にゲート配
線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶
縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッ
チングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部
分の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタク
ト電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリ
ソグラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極
金属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチ
ングする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対
向電極を第３のパターンで形成する工程とによりボトム
ゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さらにその
上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルター基板の
カラーフィルター側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 ＜請求項１０１＞請求項１００の液晶表示装置の製造方
法において少なくとも前記第２の櫛形対向電極の一部を
保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて具体的に説明する。
例に基づいて具体的に説明する。
【００４４】（実施例１−１）予め良く洗浄された透明
ガラス基板（絶縁性基板）１０１を準備し、アンダーコ
ート膜層１０２としてのシリカ（ＳｉＯ2）膜層をＣＶ
Ｄ法で０．４ミクロンの厚さに堆積した。続いてＸ配線
およびＹ断続配線形成用の金属膜層１０３として、Ａｌ
−Ｚｒ（９７：３）合金膜層をスパッタリング法を用い
て２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。更に続い
て、絶縁膜層層１０４として、プラズマＣＶＤ法を用い
てＳｉＮx膜を１５０ｎｍ堆積した(図１)。
ガラス基板（絶縁性基板）１０１を準備し、アンダーコ
ート膜層１０２としてのシリカ（ＳｉＯ2）膜層をＣＶ
Ｄ法で０．４ミクロンの厚さに堆積した。続いてＸ配線
およびＹ断続配線形成用の金属膜層１０３として、Ａｌ
−Ｚｒ（９７：３）合金膜層をスパッタリング法を用い
て２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。更に続い
て、絶縁膜層層１０４として、プラズマＣＶＤ法を用い
てＳｉＮx膜を１５０ｎｍ堆積した(図１)。
【００４５】次いで、第一のレジストパターン１０５
（図１）を用いたフォトリソグラフィ法で、絶縁膜層１
０４の上からアンダーコート膜層１０２に達するまでエ
ッチングを行い、Ｘ配線１０６と、Ｘ配線との交差部が
Ｘ配線で切断されかつＸ配線とＹ断続配線との間に隙間
が形成された形状のＹ断続配線１０７とを基板上にパタ
ーン状に形成した（図２）。
（図１）を用いたフォトリソグラフィ法で、絶縁膜層１
０４の上からアンダーコート膜層１０２に達するまでエ
ッチングを行い、Ｘ配線１０６と、Ｘ配線との交差部が
Ｘ配線で切断されかつＸ配線とＹ断続配線との間に隙間
が形成された形状のＹ断続配線１０７とを基板上にパタ
ーン状に形成した（図２）。
【００４６】この後、基板全体を硼酸アンモニアを用い
たｐＨ約７の電解液に浸漬し基板の外周よりＸ配線のみ
に通電する方法（陽極酸化法）でＸ配線の側面を酸化
し、側面に絶縁性の金属酸化膜１０６'（主成分Ａｌ2Ｏ
3 ）を形成した。
たｐＨ約７の電解液に浸漬し基板の外周よりＸ配線のみ
に通電する方法（陽極酸化法）でＸ配線の側面を酸化
し、側面に絶縁性の金属酸化膜１０６'（主成分Ａｌ2Ｏ
3 ）を形成した。
【００４７】次いで、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）からなる導電性膜層１０８を、Ｘ配線とＹ断続配線
との隙間が埋まるようにして絶縁性膜層１０４の上から
基板全面に堆積した（図３）。この後、第二のレジスト
パターンを用いて図４に示すように絶縁膜上の不要な導
電膜をエッチングし、Ｙ断続配線接続電極１０９を形成
した。このエッチングにより、並行に配列された隣のＹ
断続配線との間の導通が断たれ、かつＸＹ交差部でＸ配
線により切断されたＹ断続配線同士の導通（接続）がＹ
断続配線接続電極１０９により図られる構造の実施例１
−１にかる電気回路基板を完成させた。 （実施例１−２）実施例１−２では絶縁膜層１０４を堆
積することなく、金属膜層１０３の上から前記第一のレ
ジストパターン１０５を用いて、金属膜層１０３をアン
ダーコート膜層１０２に達するまでエッチングし、絶縁
膜が積層されていないＸ配線およびＹ断続配線を作製し
た。
Ｏ）からなる導電性膜層１０８を、Ｘ配線とＹ断続配線
との隙間が埋まるようにして絶縁性膜層１０４の上から
基板全面に堆積した（図３）。この後、第二のレジスト
パターンを用いて図４に示すように絶縁膜上の不要な導
電膜をエッチングし、Ｙ断続配線接続電極１０９を形成
した。このエッチングにより、並行に配列された隣のＹ
断続配線との間の導通が断たれ、かつＸＹ交差部でＸ配
線により切断されたＹ断続配線同士の導通（接続）がＹ
断続配線接続電極１０９により図られる構造の実施例１
−１にかる電気回路基板を完成させた。 （実施例１−２）実施例１−２では絶縁膜層１０４を堆
積することなく、金属膜層１０３の上から前記第一のレ
ジストパターン１０５を用いて、金属膜層１０３をアン
ダーコート膜層１０２に達するまでエッチングし、絶縁
膜が積層されていないＸ配線およびＹ断続配線を作製し
た。
【００４８】この後、上記実施例１−１と同様にして陽
極酸化法を用いて、Ｘ配線の酸化を行い、Ｘ配線の側面
および上面をＡｌ2Ｏ3 を主成分とする酸化膜で被覆し
た。なお、上記実施例１−１と同様な方法により、Ｘ配
線の側面と上面が酸化されるのは、実施例１−２では、
実施例１−１の場合と異なり、金属膜層１０３を絶縁膜
層層１０４で覆わなかったからである。
極酸化法を用いて、Ｘ配線の酸化を行い、Ｘ配線の側面
および上面をＡｌ2Ｏ3 を主成分とする酸化膜で被覆し
た。なお、上記実施例１−１と同様な方法により、Ｘ配
線の側面と上面が酸化されるのは、実施例１−２では、
実施例１−１の場合と異なり、金属膜層１０３を絶縁膜
層層１０４で覆わなかったからである。
【００４９】次いで、この基板全面に導電性膜層（例え
ばＩＴＯ、Ａｌなどを使用）を堆積し、しかる後に実施
例１−１と同様にして第二のレジストパターンを用い
て、不要な導電膜層をエッチングにより除去した。これ
により並行に配列された隣のＹ断続配線との間の導通が
なく、ＸＹ交差部で切断されたＹ断続配線同士が導電性
膜で接続された実施例１−２にかかる電気回路基板が完
成した。
ばＩＴＯ、Ａｌなどを使用）を堆積し、しかる後に実施
例１−１と同様にして第二のレジストパターンを用い
て、不要な導電膜層をエッチングにより除去した。これ
により並行に配列された隣のＹ断続配線との間の導通が
なく、ＸＹ交差部で切断されたＹ断続配線同士が導電性
膜で接続された実施例１−２にかかる電気回路基板が完
成した。
【００５０】なお、実施例１−１および１−２では、陽
極酸化法を用いて金属膜表面を酸化したが、この方法で
あると、Ｘ配線のみに選択的に金属酸化膜からなる絶縁
膜を形成することができるので、生産性に優れる。
極酸化法を用いて金属膜表面を酸化したが、この方法で
あると、Ｘ配線のみに選択的に金属酸化膜からなる絶縁
膜を形成することができるので、生産性に優れる。
【００５１】また上記図４では、Y断続配線に沿った帯
状の接続電極となしたが、これに限られるものではな
く、例えば前記第二のレジストパターンの形状を変える
ことにより、X配線とY断続配線の交差部分のみを覆う四
角形状や丸形状の接続電極パターンとしてもよい。
状の接続電極となしたが、これに限られるものではな
く、例えば前記第二のレジストパターンの形状を変える
ことにより、X配線とY断続配線の交差部分のみを覆う四
角形状や丸形状の接続電極パターンとしてもよい。
【００５２】（実施例２−１）予め良く洗浄された透明
ガラス基板（絶縁性基板）２０１を準備し、アンダーコ
ート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜をＣＶＤ法
で０．４ミクロンの厚さに堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金膜をスパッ
タリング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成
した。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣ
ＶＤ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍを積層した。次
いで半導体膜層２９９として、不純物を含まないアモル
ファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜２０５を５０ｎｍ
と、ｎ型不純物を含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−
Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続で堆積し、最後にコンタ
クト金属膜層２０７として、Ｔｉ金属膜をスパッタリン
グ法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した
後、通常の方法で第１回目のホトリソグラフィ法用の第
１のレジストパターン２０８を形成した（図５）。
ガラス基板（絶縁性基板）２０１を準備し、アンダーコ
ート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜をＣＶＤ法
で０．４ミクロンの厚さに堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金膜をスパッ
タリング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成
した。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣ
ＶＤ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍを積層した。次
いで半導体膜層２９９として、不純物を含まないアモル
ファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜２０５を５０ｎｍ
と、ｎ型不純物を含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−
Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続で堆積し、最後にコンタ
クト金属膜層２０７として、Ｔｉ金属膜をスパッタリン
グ法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した
後、通常の方法で第１回目のホトリソグラフィ法用の第
１のレジストパターン２０８を形成した（図５）。
【００５３】この後、コンタクト金属膜層２０７（Ｔｉ
金属膜）、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜層２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜層
２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮx膜）、およびG
-S金属膜層２０３（Ａｌ−Ｚｒ膜）を順次エッチング
し、ゲート電極２０３'あるいはゲート配線２０３"、ソ
ース断続配線２０９'・２０９''、ゲート絶縁膜２０
４'、半導体膜２９９（２０５'と２０６'）およびコン
タクト金属膜２０７'が積層された第１のパターン２１
０を形成した（図６）。
金属膜）、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜層２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜層
２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮx膜）、およびG
-S金属膜層２０３（Ａｌ−Ｚｒ膜）を順次エッチング
し、ゲート電極２０３'あるいはゲート配線２０３"、ソ
ース断続配線２０９'・２０９''、ゲート絶縁膜２０
４'、半導体膜２９９（２０５'と２０６'）およびコン
タクト金属膜２０７'が積層された第１のパターン２１
０を形成した（図６）。
【００５４】ここで、図６（ｂ）を上方からみた平面模
式図を図７に示す。図７により明らかになるように、ゲ
ート配線２０３''は図面の手前から奥の方に延びてお
り、ソース断続配線２０９'・２０９''は２０３''と直
交する方向(図面の左右方向)に延びている。そして、ソ
ース断続配線２０９'・２０９''は、両者の間をゲート
配線２０３''が横断することにより分断されており、ゲ
ート配線２０３''とソース断続配線２０９'・２０９''
の間には一定の隙間が形成されている。この隙間は、好
ましくは各層の合計厚み（エッチング深さ）と同程度の
寸法とする。
式図を図７に示す。図７により明らかになるように、ゲ
ート配線２０３''は図面の手前から奥の方に延びてお
り、ソース断続配線２０９'・２０９''は２０３''と直
交する方向(図面の左右方向)に延びている。そして、ソ
ース断続配線２０９'・２０９''は、両者の間をゲート
配線２０３''が横断することにより分断されており、ゲ
ート配線２０３''とソース断続配線２０９'・２０９''
の間には一定の隙間が形成されている。この隙間は、好
ましくは各層の合計厚み（エッチング深さ）と同程度の
寸法とする。
【００５５】なお、図６（ｂ）は、図７のＸ−Ｙ線断面
図である。
図である。
【００５６】次に、前記ゲート電極２０３'及びゲート
配線２０３"を硼酸アンモニウムを用いたＰＨ約７の電
解液中で選択的に陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2
Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成した（図８）。
配線２０３"を硼酸アンモニウムを用いたＰＨ約７の電
解液中で選択的に陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2
Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成した（図８）。
【００５７】この後、基板全面にインジュウム錫酸化膜
（ＩＴＯ）よりなる透明導電性膜２１２をスパッタリン
グ法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した
（図９）。この透明導電性膜２１２は、ドレーン領域に
接続する画素透明電極２１５と、ソース領域に接続する
とともに、分断されたソース断続配線同士を接続する
（ソース断続配線接続電極）ためのものである。
（ＩＴＯ）よりなる透明導電性膜２１２をスパッタリン
グ法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した
（図９）。この透明導電性膜２１２は、ドレーン領域に
接続する画素透明電極２１５と、ソース領域に接続する
とともに、分断されたソース断続配線同士を接続する
（ソース断続配線接続電極）ためのものである。
【００５８】次いで、常法により、第２回目のホトリソ
グラフィ法用の第２のレジストパターン２０８'（図１
０）を形成した。次いで、前記透明導電性膜２１２、コ
ンタクト金属膜２０７'、及びゲート電極上のｎ＋ａ−
Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜２０５'に到達
するまで順次エッチング除去して、ソース領域２１３と
ソース断続配線２０９'とをコンタクト電極２０７'と透
明導電膜２１４とで接続するとともに、画素透明電極２
１５をコンタクト電極２０７'を介してドレーン領域２
１６に接続した（図１１）。
グラフィ法用の第２のレジストパターン２０８'（図１
０）を形成した。次いで、前記透明導電性膜２１２、コ
ンタクト金属膜２０７'、及びゲート電極上のｎ＋ａ−
Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜２０５'に到達
するまで順次エッチング除去して、ソース領域２１３と
ソース断続配線２０９'とをコンタクト電極２０７'と透
明導電膜２１４とで接続するとともに、画素透明電極２
１５をコンタクト電極２０７'を介してドレーン領域２
１６に接続した（図１１）。
【００５９】これにより、分断されているソース断続配
線２０９'・２０９"は、ゲート配線２０３"上の透明導
電性膜２１４'及びコンタクト金属膜２０７'を介して接
続される（図１１）。
線２０９'・２０９"は、ゲート配線２０３"上の透明導
電性膜２１４'及びコンタクト金属膜２０７'を介して接
続される（図１１）。
【００６０】最後に、印刷焼成法を用いて基板の周辺を
のぞき、ＴＦＴを被うようにシリカ保護膜層２１７を３
００ｎｍ形成し、その後、このシリカ保護膜パターンを
マスクに外部駆動回路と接続する周辺部分の積層層より
ｉ型ａ−Ｓｉ膜２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮ
x膜）をエッチング除去し、ゲートＧ-Ｓ金属膜２０３を
露出させた（図２６参照）。これにより透過型液晶表示
装置に使用可能なＴＦＴアレイ基板２１８（図２６）が
作製できた。
のぞき、ＴＦＴを被うようにシリカ保護膜層２１７を３
００ｎｍ形成し、その後、このシリカ保護膜パターンを
マスクに外部駆動回路と接続する周辺部分の積層層より
ｉ型ａ−Ｓｉ膜２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮ
x膜）をエッチング除去し、ゲートＧ-Ｓ金属膜２０３を
露出させた（図２６参照）。これにより透過型液晶表示
装置に使用可能なＴＦＴアレイ基板２１８（図２６）が
作製できた。
【００６１】図１２は、この実施例で作製したＴＦＴア
レイ基板２１８主要部を拡大した平面模式図である。こ
こで、図１１(a)は、図１２におけるA-A'線断面部分で
あり、図１１(b)は、図１８におけるＢ−Ｂ線断面部分
である。
レイ基板２１８主要部を拡大した平面模式図である。こ
こで、図１１(a)は、図１２におけるA-A'線断面部分で
あり、図１１(b)は、図１８におけるＢ−Ｂ線断面部分
である。
【００６２】以上に説明した本実施例によれば、ゲート
配線とソース断続配線とを同一平面内に同時に形成し、
ゲート配線の側面は陽極酸化により選択的に酸化し絶縁
化する。そして、ゲート配線で分断されたソース断続配
線は、ゲート配線の上に積層されたコンタクト金属膜お
よび透明導電膜を介して接続される。よって、ソース断
続配線抵抗が大幅に高くなることはなない。また、この
構造によると、ＴＦＴアレイ表面の段差を十分に小さく
できる。
配線とソース断続配線とを同一平面内に同時に形成し、
ゲート配線の側面は陽極酸化により選択的に酸化し絶縁
化する。そして、ゲート配線で分断されたソース断続配
線は、ゲート配線の上に積層されたコンタクト金属膜お
よび透明導電膜を介して接続される。よって、ソース断
続配線抵抗が大幅に高くなることはなない。また、この
構造によると、ＴＦＴアレイ表面の段差を十分に小さく
できる。
【００６３】また、ＴＦＴアレイ基板の製造に用いるホ
トマスクは、従来の方法では５〜７枚必要であったが、
この実施例の方法によると２枚でよい。したがって、こ
の実施例の方法によると、ＴＦＴアレイ基板の製造コス
トを大幅に削減できる。
トマスクは、従来の方法では５〜７枚必要であったが、
この実施例の方法によると２枚でよい。したがって、こ
の実施例の方法によると、ＴＦＴアレイ基板の製造コス
トを大幅に削減できる。
【００６４】更に、基板への積層に際し，G-S金属膜層
とゲート絶縁膜層と半導体膜層とを連続して堆積するこ
とにより、チャネル部界面の汚染の少ない高信頼性ボト
ムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造できる。
とゲート絶縁膜層と半導体膜層とを連続して堆積するこ
とにより、チャネル部界面の汚染の少ない高信頼性ボト
ムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造できる。
【００６５】また、酸化法としては、ｐＨ７の電解液を
用いた陽極酸化法を用いると、ゲート電極とこれに接続
されたゲート配線の側面のみを効率良く選択的に酸化で
きる。しかもまた、この方法によるとピンホールのない
良質の酸化膜を形成できるので、ゲートリークの少ない
配線を実現することができる。
用いた陽極酸化法を用いると、ゲート電極とこれに接続
されたゲート配線の側面のみを効率良く選択的に酸化で
きる。しかもまた、この方法によるとピンホールのない
良質の酸化膜を形成できるので、ゲートリークの少ない
配線を実現することができる。
【００６６】さらに、この実験例では、ソース断続配線
がG-S金属膜と半導体膜とコンタクト金属膜と導電性膜
の５層構造となっているので、全体としてソース断続配
線抵抗が小さくなる。
がG-S金属膜と半導体膜とコンタクト金属膜と導電性膜
の５層構造となっているので、全体としてソース断続配
線抵抗が小さくなる。
【００６７】更にまた、この実施例では、G-S金属膜
（ゲート電極、ゲート配線、ソース断続配線）とコンタ
クト金属膜（コンタクト電極）との間にゲート絶縁膜と
半導体膜が堆積されているので、漏電が生じにくい。
（ゲート電極、ゲート配線、ソース断続配線）とコンタ
クト金属膜（コンタクト電極）との間にゲート絶縁膜と
半導体膜が堆積されているので、漏電が生じにくい。
【００６８】更にまた、この実施例では、半導体膜がｉ
型層とｎ型層の２層構造にしてあるので、ソース及びド
レーンのコンタクト抵抗を小さくできる。
型層とｎ型層の２層構造にしてあるので、ソース及びド
レーンのコンタクト抵抗を小さくできる。
【００６９】更にまた、絶縁性基板表面とゲート配線金
属膜の間にアンダーコート膜層を配置したので、基板か
らの不純物拡散が防止される。
属膜の間にアンダーコート膜層を配置したので、基板か
らの不純物拡散が防止される。
【００７０】更にまた、上記実施例では、透過型のＴＦ
Ｔアレイ基板を作製したが、透明導電性膜に代えて、A
ｌまたはＡｌ合金等の反射率の高い金属膜を用いること
により反射型液晶表示装置に使用できる反射型のＦＴア
レイ基板を作製することができる。
Ｔアレイ基板を作製したが、透明導電性膜に代えて、A
ｌまたはＡｌ合金等の反射率の高い金属膜を用いること
により反射型液晶表示装置に使用できる反射型のＦＴア
レイ基板を作製することができる。
【００７１】（実施例２−２）次に、上記実施例２−１
を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に液
晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスについて
図１３を用いて説明する。
を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に液
晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスについて
図１３を用いて説明する。
【００７２】まず、実施例２−１と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板２２３、および第１の電極群と対向するように
載置したカラーフィルター群２２４と第２の電極２２５
を有するカラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通
常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行
い液晶配向膜２２７を作製した。
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板２２３、および第１の電極群と対向するように
載置したカラーフィルター群２２４と第２の電極２２５
を有するカラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通
常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行
い液晶配向膜２２７を作製した。
【００７３】次に、前記第１と第２の基板２２３、２２
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示装置を完成した。
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示装置を完成した。
【００７４】この様なデバイスは、バックライト２３３
を全面に照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトラ
ンジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映像を表示で
きた。 このとき、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板を製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくと
も前記ＴＦＴアレイ一を保護膜で被う工程を行うと信頼
性の高い液晶表示装置を製造できた。
を全面に照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトラ
ンジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映像を表示で
きた。 このとき、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板を製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくと
も前記ＴＦＴアレイ一を保護膜で被う工程を行うと信頼
性の高い液晶表示装置を製造できた。
【００７５】また、保護膜として、無機物であるシリカ
膜またはチッ化珪素膜を用いると、さらに信頼性の高い
液晶表示装置を製造できた。
膜またはチッ化珪素膜を用いると、さらに信頼性の高い
液晶表示装置を製造できた。
【００７６】さらに、透明導電性膜の代わりに金属電極
膜を形成したＴＦＴアレイ基板を用いると反射型液晶表
示装置を製造できた。
膜を形成したＴＦＴアレイ基板を用いると反射型液晶表
示装置を製造できた。
【００７７】（実施例２−３）実施例２−１と同様にし
て良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、アン
ダーコート膜層２０２としてのシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法堆積した。その後ゲート電極お
よびゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてのＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金膜をスパ
ッタリング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形
成した。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマ
ＣＶＤ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜
として不純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ
−Ｓｉ）膜層２０５を２００ｎｍ、さらにｎ型不純物を
含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜層２０６
を５０ｎｍ連続で堆積した。
て良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、アン
ダーコート膜層２０２としてのシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法堆積した。その後ゲート電極お
よびゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてのＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金膜をスパ
ッタリング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形
成した。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマ
ＣＶＤ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜
として不純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ
−Ｓｉ）膜層２０５を２００ｎｍ、さらにｎ型不純物を
含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜層２０６
を５０ｎｍ連続で堆積した。
【００７８】なお、ここでは、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜層２０６
の上にコンタタクト金属膜を堆積させないので、この点
で前記実施例２−１と相違する。
の上にコンタタクト金属膜を堆積させないので、この点
で前記実施例２−１と相違する。
【００７９】次いで常法により第１回目のホトリソグラ
フィ法用の第１のレジストパターン２０８を形成した
（図１４）。
フィ法用の第１のレジストパターン２０８を形成した
（図１４）。
【００８０】その後、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜層２０６、ｉ型ａ
−Ｓｉ膜層２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮ
x膜）、およびG-S金属膜層２０３（Ａｌ−Ｔａ膜）を順
次エッチングし、ゲート電極２０３'ゲート配線２０
３"、ソース断続配線２０９'、ゲート絶縁膜２０４'、
および半導体膜（２０５'＋２０６'）が積層された第１
のパターン２４０を形成した（図１５）。
−Ｓｉ膜層２０５、ゲート絶縁膜層２０４（ＳｉＮ
x膜）、およびG-S金属膜層２０３（Ａｌ−Ｔａ膜）を順
次エッチングし、ゲート電極２０３'ゲート配線２０
３"、ソース断続配線２０９'、ゲート絶縁膜２０４'、
および半導体膜（２０５'＋２０６'）が積層された第１
のパターン２４０を形成した（図１５）。
【００８１】次に、前記ゲート電極２０３'及びゲート
配線２０３"を電解液中で陽極酸化してこれらの側面に
Ａｌ2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成（図１６）
した後、ドレーン領域に接続した画素金属電極、および
ソース領域に接続したソース断続配線同士を接続するコ
ンタクト電極金属膜（Ｔｉ）２４１とアルミニウム膜
（Ａｌ）よりなる金属電極膜２４２をスパッタリング法
を用いてそれぞれ５０ｎｍと１００ｎｍ程度の膜厚まで
蒸着形成した（図１７）。
配線２０３"を電解液中で陽極酸化してこれらの側面に
Ａｌ2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成（図１６）
した後、ドレーン領域に接続した画素金属電極、および
ソース領域に接続したソース断続配線同士を接続するコ
ンタクト電極金属膜（Ｔｉ）２４１とアルミニウム膜
（Ａｌ）よりなる金属電極膜２４２をスパッタリング法
を用いてそれぞれ５０ｎｍと１００ｎｍ程度の膜厚まで
蒸着形成した（図１７）。
【００８２】その後、通常の方法で第２回目のホトリソ
グラフィ法用の第２のレジストパターン２０８'を形成
した（図１８）後、前記金属電極膜２４２、コンタクト
電極金属膜（Ｔｉ）２４１及びゲート電極上のｎ＋ａ−
Ｓｉ膜２０６'の一部を順次エッチング除去してソース
領域２１３とソース断続配線２０９'をコンタクト電極
金属膜（Ｔｉ）２４１と金属電極膜パターン２４２'で
接続するとともに、画素金属電極膜２４３をドレーン領
域２１６と接続形成する（図１９）。このとき、予め切
断され分断されているソース断続配線は２０９'はゲー
ト配線２０３"上でコンタクト電極金属膜（Ｔｉ）２４
１'と金属電極膜パターン２４２'で接続された（図１９
右）。
グラフィ法用の第２のレジストパターン２０８'を形成
した（図１８）後、前記金属電極膜２４２、コンタクト
電極金属膜（Ｔｉ）２４１及びゲート電極上のｎ＋ａ−
Ｓｉ膜２０６'の一部を順次エッチング除去してソース
領域２１３とソース断続配線２０９'をコンタクト電極
金属膜（Ｔｉ）２４１と金属電極膜パターン２４２'で
接続するとともに、画素金属電極膜２４３をドレーン領
域２１６と接続形成する（図１９）。このとき、予め切
断され分断されているソース断続配線は２０９'はゲー
ト配線２０３"上でコンタクト電極金属膜（Ｔｉ）２４
１'と金属電極膜パターン２４２'で接続された（図１９
右）。
【００８３】最後に、印刷焼成法を用いて基板の外周を
除き、ＴＦＴを被うように保護膜２１７を３００ｎｍ形
成し、その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに駆
動回路と接続する部分のゲート電極金属上の酸化膜をエ
ッチング除去すると画素部に反射型画素金属電極を有す
るＴＦＴアレイ基板２４５を作成できた（図２０）。
除き、ＴＦＴを被うように保護膜２１７を３００ｎｍ形
成し、その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに駆
動回路と接続する部分のゲート電極金属上の酸化膜をエ
ッチング除去すると画素部に反射型画素金属電極を有す
るＴＦＴアレイ基板２４５を作成できた（図２０）。
【００８４】本実施例によれば、ソース断続配線がコン
タクト金属電極および金属電極の２層を介して接続され
ているので、ソース断続配線を極めて低抵抗にできた。
タクト金属電極および金属電極の２層を介して接続され
ているので、ソース断続配線を極めて低抵抗にできた。
【００８５】また、反射画素金属電極にアルミニウムま
たはアルミニウム系の合金（Ａｌ−Ｚｒ、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｃｕ合金等）を用いることにより、反射性能に優れたＴ
ＦＴアレイ基板を製造できた。
たはアルミニウム系の合金（Ａｌ−Ｚｒ、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｃｕ合金等）を用いることにより、反射性能に優れたＴ
ＦＴアレイ基板を製造できた。
【００８６】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にゾルゲル法を用いてシリカ系のアンダーコート膜
を蒸着形成することにより基板ひずみを吸収できた。
の間にゾルゲル法を用いてシリカ系のアンダーコート膜
を蒸着形成することにより基板ひずみを吸収できた。
【００８７】また、ゲート配線金属膜として、アルミニ
ウム系の合金膜を形成すると、配線表面に凸凹が少ない
ＴＦＴアレイ基板を製造できた。
ウム系の合金膜を形成すると、配線表面に凸凹が少ない
ＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【００８８】さらに、酸化する工程に中性溶液中で陽極
酸化法を用いることによりゲート絶縁性に優れたＴＦＴ
アレイ基板を製造できた。
酸化法を用いることによりゲート絶縁性に優れたＴＦＴ
アレイ基板を製造できた。
【００８９】このとき、ゲート電極側面の酸化膜が中性
陽極酸化膜であると信頼性が高いをＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
陽極酸化膜であると信頼性が高いをＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
【００９０】また、ソース断続配線の一部がゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜と金属電極膜の５層構造にするとソース断続配線の抵
抗を低抵抗化できた。
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜と金属電極膜の５層構造にするとソース断続配線の抵
抗を低抵抗化できた。
【００９１】さらに、ゲート電極金属とコンタクト金属
電極との間にチッ化シリコン系のゲート絶縁膜と半導体
膜を形成しておくと安定性に優れたＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
電極との間にチッ化シリコン系のゲート絶縁膜と半導体
膜を形成しておくと安定性に優れたＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
【００９２】また、ソース断続配線がゲート配線により
切断されておりゲート配線上でコンタクト金属電極およ
び金属電極の２層を介して交差接続しておくと、ＴＦＴ
アレイ基板表面段差を小さくできた。
切断されておりゲート配線上でコンタクト金属電極およ
び金属電極の２層を介して交差接続しておくと、ＴＦＴ
アレイ基板表面段差を小さくできた。
【００９３】さらにまた、半導体膜の一部がｉ型層とｎ
＋型層の２層構造にしておくとソース、ドレーンのコン
タクト抵抗を小さくできた。
＋型層の２層構造にしておくとソース、ドレーンのコン
タクト抵抗を小さくできた。
【００９４】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜が形成されていると信頼性の高
いＴＦＴアレイ基板を製造できた。
の間にアンダーコート膜が形成されていると信頼性の高
いＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【００９５】（実施例２−４）次に、実施例２−３で得
られたＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に液晶表示装置
を製造した場合の製造プロセスについて図２１を用いて
説明する。
られたＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に液晶表示装置
を製造した場合の製造プロセスについて図２１を用いて
説明する。
【００９６】まず、実施例２−３と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群３２１とこの電極を駆
動するトランジスター群３２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板３２３上および第１の電極群と対向するように
載置したカラーフィルター群３２４と第２の電極３２５
を有するカラーフィルター基板３２６上に、それぞれ通
常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行
い液晶配向膜３２７を作製した。
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群３２１とこの電極を駆
動するトランジスター群３２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板３２３上および第１の電極群と対向するように
載置したカラーフィルター群３２４と第２の電極３２５
を有するカラーフィルター基板３２６上に、それぞれ通
常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行
い液晶配向膜３２７を作製した。
【００９７】次に、前記第１と第２の基板３２３、３２
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー３
２８と接着剤３２９でおよそ５ミクロンのギャップでセ
ルを作成した。さらに、前記第１と第２の基板の間に前
記ＴＮ液晶３３０を注入した後、偏光板３３１をカラー
フィルター側セル表面に組み合わせて反射型液晶表示素
子を完成した。
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー３
２８と接着剤３２９でおよそ５ミクロンのギャップでセ
ルを作成した。さらに、前記第１と第２の基板の間に前
記ＴＮ液晶３３０を注入した後、偏光板３３１をカラー
フィルター側セル表面に組み合わせて反射型液晶表示素
子を完成した。
【００９８】この様なデバイスは、ビデオ信号を用いて
各々のトランジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映
像を表示できた。
各々のトランジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映
像を表示できた。
【００９９】（実施例２−５）実施例２−１と同様に、
予め良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタ
リング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣＶ
Ｄ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜とし
て不純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓ
ｉ）膜層２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むア
モルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜層２０６を５０
ｎｍ連続で堆積し、最後にコンタクト金属膜層２０７と
して、Ｔｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎ
ｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。その後、通常の方法で
第１の櫛形画素電極を含む第１回目のホトリソグラフィ
法用の第１のレジストパターンを形成した。
予め良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタ
リング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣＶ
Ｄ法を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜とし
て不純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓ
ｉ）膜層２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むア
モルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜層２０６を５０
ｎｍ連続で堆積し、最後にコンタクト金属膜層２０７と
して、Ｔｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎ
ｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。その後、通常の方法で
第１の櫛形画素電極を含む第１回目のホトリソグラフィ
法用の第１のレジストパターンを形成した。
【０１００】その後、Ｔｉ金属膜２０７、ｎ＋ａ−Ｓｉ
膜層２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜層２０５、ゲート絶縁膜層
（ＳｉＮx膜）２０４、およびＧ-Ｓ金属膜層（Ａｌ−Ｚ
ｒ膜）２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'
あるいはゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、
ゲート絶縁膜層２０４'および半導体膜（２０５'）が積
層された第１の櫛形画素金属電極２５１を含む第１のパ
ターンを形成した。
膜層２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜層２０５、ゲート絶縁膜層
（ＳｉＮx膜）２０４、およびＧ-Ｓ金属膜層（Ａｌ−Ｚ
ｒ膜）２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'
あるいはゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、
ゲート絶縁膜層２０４'および半導体膜（２０５'）が積
層された第１の櫛形画素金属電極２５１を含む第１のパ
ターンを形成した。
【０１０１】次に、前記ゲート電極２０３'、ゲート配
線２０３"、および第１の櫛形画素金属電極２５１を硼
酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解液中で陽極酸化し
てパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１
１を形成した。
線２０３"、および第１の櫛形画素金属電極２５１を硼
酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解液中で陽極酸化し
てパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１
１を形成した。
【０１０２】さらに、ドレーン領域に接続した第２の櫛
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続する金属（Ａｌ）電極膜をスパッ
タリング法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成
した。
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続する金属（Ａｌ）電極膜をスパッ
タリング法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成
した。
【０１０３】その後、通常の方法で第２回目のホトリソ
グラフィ法用の第２のレジストパターンを形成した後、
前記金属電極膜２１２'、コンタクト電極２０７'、及び
ゲート電極上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ
−Ｓｉ膜に到達するまで順次エッチング除去してソース
領域２１３とソース断続配線２０９'をコンタクト電極
７と金属電極２１４'で接続するとともに、第２の櫛形
画素金属電極２５２をコンタクト電極金属２０７'を介
してドレーン領域２１６と接続形成した。
グラフィ法用の第２のレジストパターンを形成した後、
前記金属電極膜２１２'、コンタクト電極２０７'、及び
ゲート電極上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ
−Ｓｉ膜に到達するまで順次エッチング除去してソース
領域２１３とソース断続配線２０９'をコンタクト電極
７と金属電極２１４'で接続するとともに、第２の櫛形
画素金属電極２５２をコンタクト電極金属２０７'を介
してドレーン領域２１６と接続形成した。
【０１０４】このとき、予め切断されているソース断続
配線は２０９"、２０９"'はゲート配線２０３"上でコン
タクト電極金属７'を介して金属電極膜パターン２１４'
で接続された。
配線は２０９"、２０９"'はゲート配線２０３"上でコン
タクト電極金属７'を介して金属電極膜パターン２１４'
で接続された。
【０１０５】最後に、印刷焼成法を用いてＴＦＴを被う
ようにシリカ保護膜２１７を３００ｎｍ形成し、その
後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部駆動回路
と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−Ｓｉ膜２
０５、ＳｉＮx膜２０４をエッチング除去するとインプ
レーンスイッチング（ＩＰＳ）型液晶表示装置に使用可
能なＴＦＴアレイ基板２５３を作成できた（図２２）。
ようにシリカ保護膜２１７を３００ｎｍ形成し、その
後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部駆動回路
と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−Ｓｉ膜２
０５、ＳｉＮx膜２０４をエッチング除去するとインプ
レーンスイッチング（ＩＰＳ）型液晶表示装置に使用可
能なＴＦＴアレイ基板２５３を作成できた（図２２）。
【０１０６】このとき、ゲート配線及びゲート電極及び
第１の櫛形画素電極となる部分を同時にエッチングする
と、マスクを増やすことなくＩＰＳ型ＴＦＴアレイ基板
を製造できた。
第１の櫛形画素電極となる部分を同時にエッチングする
と、マスクを増やすことなくＩＰＳ型ＴＦＴアレイ基板
を製造できた。
【０１０７】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜を形成する工程を行うと安定性
に優れたＴＦＴアレイ基板を製造できた。
の間にアンダーコート膜を形成する工程を行うと安定性
に優れたＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１０８】さらに、ゲート配線金属膜とゲート絶縁膜
と半導体膜を連続して形成するとチャネル部の汚染を防
止できた。
と半導体膜を連続して形成するとチャネル部の汚染を防
止できた。
【０１０９】また、酸化する工程で、中性電解溶液中で
陽極酸化するとゲート電極側面および第１の櫛形画素電
極側面のみを選択的に酸化絶縁できた。
陽極酸化するとゲート電極側面および第１の櫛形画素電
極側面のみを選択的に酸化絶縁できた。
【０１１０】また、ソース断続配線の一部および第１の
櫛形画素電極をゲート配線金属膜と半導体膜とコンタク
ト電極金属膜と金属電極膜の５層構造にしておくとソー
ス断続配線抵抗が少ないＴＦＴアレイ基板を提供でき
た。
櫛形画素電極をゲート配線金属膜と半導体膜とコンタク
ト電極金属膜と金属電極膜の５層構造にしておくとソー
ス断続配線抵抗が少ないＴＦＴアレイ基板を提供でき
た。
【０１１１】さらに、半導体膜と櫛形電極の接続にコン
タクト電極金属を形成しておくと、ドレーンコンタクト
抵抗の小さなＴＦＴアレイ基板を提供できた。
タクト電極金属を形成しておくと、ドレーンコンタクト
抵抗の小さなＴＦＴアレイ基板を提供できた。
【０１１２】また、ソース断続配線がゲート配線および
第１の櫛形電極により切断されておりゲート配線および
第１の櫛形電極上でコンタクト電極金属と金属電極を介
して交差接続しておくと表面段差が少ないＴＦＴアレイ
基板を提供できた。
第１の櫛形電極により切断されておりゲート配線および
第１の櫛形電極上でコンタクト電極金属と金属電極を介
して交差接続しておくと表面段差が少ないＴＦＴアレイ
基板を提供できた。
【０１１３】また、半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の
２層構造にしておくと、さらにコンタクト抵抗の小さな
ＴＦＴアレイ基板を提供できた。
２層構造にしておくと、さらにコンタクト抵抗の小さな
ＴＦＴアレイ基板を提供できた。
【０１１４】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜を形成しておくと、基板から移
動してくる不純物拡散を防止できて、信頼性の高いＴＦ
Ｔアレイ基板を提供できた。
の間にアンダーコート膜を形成しておくと、基板から移
動してくる不純物拡散を防止できて、信頼性の高いＴＦ
Ｔアレイ基板を提供できた。
【０１１５】（実施例２−６）次に、上記ＴＦＴアレイ
基板を用いて実際にＩＰＳ型液晶表示デバイスを製造し
ようとする場合の製造プロセスについて説明する。
基板を用いて実際にＩＰＳ型液晶表示デバイスを製造し
ようとする場合の製造プロセスについて説明する。
【０１１６】まず、実施例２−５と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＩＰＳ用ＴＦＴアレイ基板、すなわち
マトリックス状に載置された第１の櫛形電極群とこの電
極を駆動するトランジスター群を有する第１のＴＦＴア
レイ基板、および第１の電極群と対向するように載置し
たカラーフィルター群を有するカラーフィルター基板上
に、それぞれ通常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化
しラビングを行い液晶配向膜を作製した。
用いて製造されたＩＰＳ用ＴＦＴアレイ基板、すなわち
マトリックス状に載置された第１の櫛形電極群とこの電
極を駆動するトランジスター群を有する第１のＴＦＴア
レイ基板、および第１の電極群と対向するように載置し
たカラーフィルター群を有するカラーフィルター基板上
に、それぞれ通常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化
しラビングを行い液晶配向膜を作製した。
【０１１７】次に、前記第１と第２の基板を配向膜が対
向するように位置合わせしてスペーサーと接着剤でおよ
そ５ミクロンのギャップでセルを作成した。その後、前
記第１と第２の基板にネマティック液晶を注入した後、
偏光板をクロスニコルに組み合わせて表示素子を完成し
た（図は図１９の第２の電極２２５を除いただけなので
省略）。
向するように位置合わせしてスペーサーと接着剤でおよ
そ５ミクロンのギャップでセルを作成した。その後、前
記第１と第２の基板にネマティック液晶を注入した後、
偏光板をクロスニコルに組み合わせて表示素子を完成し
た（図は図１９の第２の電極２２５を除いただけなので
省略）。
【０１１８】この様なデバイスは、バックライトを裏面
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
【０１１９】このとき、ＩＰＳ型ＴＦＴアレイ基板を製
造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記Ｔ
ＦＴアレイ基板の一部を保護膜で被う工程を行うと信頼
性の高い液晶表示装置を製造できた。
造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記Ｔ
ＦＴアレイ基板の一部を保護膜で被う工程を行うと信頼
性の高い液晶表示装置を製造できた。
【０１２０】このとき、ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板を製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも
前記ＴＦＴアレイ基板の一部を保護膜で被い、この保護
膜をマスクに、金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半
導体膜とゲート絶縁膜とをエッチングしてゲート配線端
子をを露出させると、低コストで液晶表示装置を製造で
きた。
板を製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも
前記ＴＦＴアレイ基板の一部を保護膜で被い、この保護
膜をマスクに、金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半
導体膜とゲート絶縁膜とをエッチングしてゲート配線端
子をを露出させると、低コストで液晶表示装置を製造で
きた。
【０１２１】また、保護膜として、シリカ膜またはチッ
化珪素膜等の無機物を形成すると信頼性に優れた液晶表
示装置を製造できた。
化珪素膜等の無機物を形成すると信頼性に優れた液晶表
示装置を製造できた。
【０１２２】（実施例２−７）実施例２−３と同様に、
予め良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法堆積した。その後ゲート電極及
びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜層
２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリ
ング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法を用
いてＳｉＮx膜４を１５０ｎｍと、半導体膜として不純
物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜
２０５を２００ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、通常の方法で第１の櫛形画素電極を有する第
１回目のホトリソグラフィ法用の第１のレジストパター
ン２０８を形成した。
予め良く洗浄された透明ガラス基板２０１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法堆積した。その後ゲート電極及
びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜層
２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリ
ング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法を用
いてＳｉＮx膜４を１５０ｎｍと、半導体膜として不純
物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜
２０５を２００ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、通常の方法で第１の櫛形画素電極を有する第
１回目のホトリソグラフィ法用の第１のレジストパター
ン２０８を形成した。
【０１２３】その後、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６、ｉ型ａ−
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、およびＡｌ−Ｔａ膜
２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'あるい
はゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、ゲート
絶縁膜層２０４'、および半導体膜（２０５'）が積層さ
れた第１の櫛形画素電極２６１を有する第１のパターン
を形成した。
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、およびＡｌ−Ｔａ膜
２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'あるい
はゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、ゲート
絶縁膜層２０４'、および半導体膜（２０５'）が積層さ
れた第１の櫛形画素電極２６１を有する第１のパターン
を形成した。
【０１２４】次に、前記ゲート電極２０３'、ゲート配
線２０３"および第１の櫛形画素電極２６１を硼酸アン
モニウム電解液中で陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ
2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成した。
線２０３"および第１の櫛形画素電極２６１を硼酸アン
モニウム電解液中で陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ
2Ｏ3を主成分とする絶縁膜２１１を形成した。
【０１２５】さらに、ドレーン領域に接続した第２の櫛
形画素金属電極、およびソース領域に接続し切断された
ソース断続配線を接続するコンタクト電極金属（Ｔｉ）
膜２４１とアルミニウム膜（Ａｌ）よりなる金属電極膜
２４２をスパッタリング法を用いてそれぞれ５０ｎｍと
１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
形画素金属電極、およびソース領域に接続し切断された
ソース断続配線を接続するコンタクト電極金属（Ｔｉ）
膜２４１とアルミニウム膜（Ａｌ）よりなる金属電極膜
２４２をスパッタリング法を用いてそれぞれ５０ｎｍと
１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
【０１２６】その後、通常の方法で第２の櫛形画素金属
電極を有する第２回目のホトリソグラフィ法用の第２の
レジストパターンを形成した後、前記金属電極膜２４
２、コンタクト電極金属（Ｔｉ）４１及びゲート電極上
のｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部を順次エッチング除去
してソース領域２１３とソース断続配線２０９'をコン
タクト電極金属（Ｔｉ）膜２４１'と金属電極膜パター
ン２４２'で接続するとともに、第２の櫛形画素金属電
極２６２コンタクト金属電極を介してドレーン領域２１
６と接続形成する。
電極を有する第２回目のホトリソグラフィ法用の第２の
レジストパターンを形成した後、前記金属電極膜２４
２、コンタクト電極金属（Ｔｉ）４１及びゲート電極上
のｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部を順次エッチング除去
してソース領域２１３とソース断続配線２０９'をコン
タクト電極金属（Ｔｉ）膜２４１'と金属電極膜パター
ン２４２'で接続するとともに、第２の櫛形画素金属電
極２６２コンタクト金属電極を介してドレーン領域２１
６と接続形成する。
【０１２７】このとき、予め切断されているソース断続
配線は２０９'はゲート配線２０３"上でコンタクト電極
金属（Ｔｉ）膜パターン２４１'と金属電極膜パターン
２４２'で接続された。
配線は２０９'はゲート配線２０３"上でコンタクト電極
金属（Ｔｉ）膜パターン２４１'と金属電極膜パターン
２４２'で接続された。
【０１２８】最後に、印刷焼成法を用いてＴＦＴを被う
ように保護膜２１７を３００ｎｍ形成し、その後、この
シリカ保護膜パターンをマスクに駆動回路と接続する部
分のゲート電極金属上の酸化膜をエッチング除去すると
画素部に第２の櫛形画素金属電極を有するＴＦＴアレイ
基板２６３を作成できた（図２３）。
ように保護膜２１７を３００ｎｍ形成し、その後、この
シリカ保護膜パターンをマスクに駆動回路と接続する部
分のゲート電極金属上の酸化膜をエッチング除去すると
画素部に第２の櫛形画素金属電極を有するＴＦＴアレイ
基板２６３を作成できた（図２３）。
【０１２９】このとき、半導体膜をｉ型層とｎ型層の２
層構造とし、ｎ型層の一部をｉ型層に達すまでエッチン
グするとホトマスクを増やすことなく低コストでＴＦＴ
アレイ基板を製造できた。
層構造とし、ｎ型層の一部をｉ型層に達すまでエッチン
グするとホトマスクを増やすことなく低コストでＴＦＴ
アレイ基板を製造できた。
【０１３０】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜を形成すると基板から発生する
不純物拡散を防止でき、信頼性の高いＴＦＴアレイ基板
を製造できた。
の間にアンダーコート膜を形成すると基板から発生する
不純物拡散を防止でき、信頼性の高いＴＦＴアレイ基板
を製造できた。
【０１３１】さらに、ゲート配線金属膜とゲート絶縁膜
と半導体膜を連続して形成するとチャネル部の汚染を最
小限に防止でき、Ｖｔの安定したたＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
と半導体膜を連続して形成するとチャネル部の汚染を最
小限に防止でき、Ｖｔの安定したたＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
【０１３２】また、酸化する工程に中性溶液で陽極酸化
を行うとピンホールが少なく、リーク電流が少ないＴＦ
Ｔアレイ基板を製造できた。
を行うとピンホールが少なく、リーク電流が少ないＴＦ
Ｔアレイ基板を製造できた。
【０１３３】さらにまた、ゾルゲル法を用いてＴＦＴア
レイ基板の一部をシリカやシリカ含有無機物質よりなる
保護膜で被っておくと信頼性の高いＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
レイ基板の一部をシリカやシリカ含有無機物質よりなる
保護膜で被っておくと信頼性の高いＴＦＴアレイ基板を
製造できた。
【０１３４】（実施例２−８）次に、上記ＴＦＴアレイ
基板を用いて実際に液晶表示デバイスを製造しようとす
る場合の製造プロセスについて説明する。
基板を用いて実際に液晶表示デバイスを製造しようとす
る場合の製造プロセスについて説明する。
【０１３５】まず、実施例２−７と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＩＰＳ用ＴＦＴアレイ基板、すなわち
マトリックス状に載置された第１の櫛形電極群とこの電
極を駆動するトランジスター群を有する第１のＴＦＴア
レイ基板上および第１の電極群と対向するように載置し
たカラーフィルター群を有するカラーフィルター基板上
に、それぞれ通常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化
しラビングを行い液晶配向膜を作製した。
用いて製造されたＩＰＳ用ＴＦＴアレイ基板、すなわち
マトリックス状に載置された第１の櫛形電極群とこの電
極を駆動するトランジスター群を有する第１のＴＦＴア
レイ基板上および第１の電極群と対向するように載置し
たカラーフィルター群を有するカラーフィルター基板上
に、それぞれ通常の方法でポリイミド樹脂を塗布・硬化
しラビングを行い液晶配向膜を作製した。
【０１３６】次に、前記第１と第２の基板を配向膜が対
向するように位置合わせしてスペーサーと接着剤でおよ
そ４ミクロンのギャップでセルを作成した。さらに、前
記第１と第２の基板の間に前記ネマチック液晶を注入し
た後、２枚の偏光板をクロスニコルに組み合わせて表示
素子を完成した。
向するように位置合わせしてスペーサーと接着剤でおよ
そ４ミクロンのギャップでセルを作成した。さらに、前
記第１と第２の基板の間に前記ネマチック液晶を注入し
た後、２枚の偏光板をクロスニコルに組み合わせて表示
素子を完成した。
【０１３７】この様なデバイスは、バックライトを裏面
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
【０１３８】このとき、ＴＦＴアレイ基板を製造する工
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた。
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた。
【０１３９】また、金属電極およびコンタクト金属電極
を同一材質で一層で形成すると、工程をより簡略化でき
た。
を同一材質で一層で形成すると、工程をより簡略化でき
た。
【０１４０】（実施例２−９）実施例２−１と同様に、
予め良く洗浄された透明ガラス基板１を準備し、アンダ
ーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を０．
４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極及び
ゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜層２
０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリン
グ法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜として不
純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）
膜２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、最後にコンタクト金属膜層２０７として、Ｔ
ｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎｍ程度の
膜厚まで蒸着形成した後、通常の方法で第１回目のホト
リソグラフィ法用の第１のレジストパターン２０８を形
成した。
予め良く洗浄された透明ガラス基板１を準備し、アンダ
ーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を０．
４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極及び
ゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜層２
０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリン
グ法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
その後、ゲート絶縁膜層２０４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜として不
純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）
膜２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、最後にコンタクト金属膜層２０７として、Ｔ
ｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎｍ程度の
膜厚まで蒸着形成した後、通常の方法で第１回目のホト
リソグラフィ法用の第１のレジストパターン２０８を形
成した。
【０１４１】その後、Ｔｉ金属膜２０７、ｎ＋ａ−Ｓｉ
膜２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、
およびＡｌ−Ｚｒ膜２０３を順次エッチングし、ゲート
電極２０３'あるいはゲート配線２０３"、ソース断続配
線２０９'、ゲート絶縁膜層２０４'、半導体膜（２０
５'と２０６'）およびコンタクト電極金属２０７'が積
層された第１のパターン２１０を形成した。
膜２０６、ｉ型ａ−Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、
およびＡｌ−Ｚｒ膜２０３を順次エッチングし、ゲート
電極２０３'あるいはゲート配線２０３"、ソース断続配
線２０９'、ゲート絶縁膜層２０４'、半導体膜（２０
５'と２０６'）およびコンタクト電極金属２０７'が積
層された第１のパターン２１０を形成した。
【０１４２】次に、前記ゲート電極３'及びゲート配線
３"を硼酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解液中で陽
極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分とする絶
縁膜２１１を形成した。
３"を硼酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解液中で陽
極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分とする絶
縁膜２１１を形成した。
【０１４３】さらに、ドレーン領域に接続した第１の櫛
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続する金属電極膜をスパッタリング
法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続する金属電極膜をスパッタリング
法を用いて１００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した。
【０１４４】その後、通常の方法で第１の櫛形電極パタ
ーンを持つ第２回目のホトリソグラフィ法用の第２のレ
ジストパターンを形成した後、前記透明導電性膜２１
２、コンタクト電極２０７'、及びゲート電極上のｎ＋
ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜に到達する
まで順次エッチング除去してソース領域２１３とソース
断続配線２０９'をコンタクト電極２０７'と金属電極２
１４"で接続するとともに、第１の櫛形画素金属電極７
１をコンタクト電極金属２０７'を介してドレーン領域
２１６と接続形成する。
ーンを持つ第２回目のホトリソグラフィ法用の第２のレ
ジストパターンを形成した後、前記透明導電性膜２１
２、コンタクト電極２０７'、及びゲート電極上のｎ＋
ａ−Ｓｉ膜２０６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜に到達する
まで順次エッチング除去してソース領域２１３とソース
断続配線２０９'をコンタクト電極２０７'と金属電極２
１４"で接続するとともに、第１の櫛形画素金属電極７
１をコンタクト電極金属２０７'を介してドレーン領域
２１６と接続形成する。
【０１４５】このとき、予め切断されているソース断続
配線は２０９"、２０９"'はゲート配線２０３"上でコン
タクト電極金属２０７'を介して金属電極２１４"で接続
された。
配線は２０９"、２０９"'はゲート配線２０３"上でコン
タクト電極金属２０７'を介して金属電極２１４"で接続
された。
【０１４６】次に、ゾルゲル法を用いてＴＦＴを被うよ
うにシリカ保護膜２１７を３００ｎｍ印刷・焼成形成
し、その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部
駆動回路と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４をエッチング除去し
た。
うにシリカ保護膜２１７を３００ｎｍ印刷・焼成形成
し、その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部
駆動回路と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４をエッチング除去し
た。
【０１４７】その後、全面にＡｌ−Ｚｒ合金を１５０ｎ
ｍの膜厚で蒸着形成し、第２の櫛形電極パターンを有す
るホトマスクを用いて第２の櫛形画素金属電極２７２を
形成しＩＰＳ用透過型液晶表示装置に使用可能なＴＦＴ
アレイ基板２７３をホトマスク３枚で作成できた（図２
４）。
ｍの膜厚で蒸着形成し、第２の櫛形電極パターンを有す
るホトマスクを用いて第２の櫛形画素金属電極２７２を
形成しＩＰＳ用透過型液晶表示装置に使用可能なＴＦＴ
アレイ基板２７３をホトマスク３枚で作成できた（図２
４）。
【０１４８】このとき、半導体膜がｉ型層とｎ型層の２
層構造であり、ｎ型層の一部をｉ型層に達するまでエッ
チングするとＴＦＴの工程を簡略化できた。
層構造であり、ｎ型層の一部をｉ型層に達するまでエッ
チングするとＴＦＴの工程を簡略化できた。
【０１４９】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜を形成すると特性の安定したＴ
ＦＴアレイ基板を製造できた。
の間にアンダーコート膜を形成すると特性の安定したＴ
ＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１５０】さらに、少なくともゲート配線金属膜とゲ
ート絶縁膜と半導体膜を連続して形成するとチャネル界
面の汚染を防止できた。
ート絶縁膜と半導体膜を連続して形成するとチャネル界
面の汚染を防止できた。
【０１５１】また、酸化する工程に陽極酸化法を用いる
とピンホールが少ない絶縁膜を作成できゲートリークが
少ないＴＦＴアレイ基板を製造できた。
とピンホールが少ない絶縁膜を作成できゲートリークが
少ないＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１５２】このとき、ゲート電極側面の酸化膜を陽極
酸化膜で形成しておくとリーク特性の優れたＴＦＴアレ
イ基板を製造できた。
酸化膜で形成しておくとリーク特性の優れたＴＦＴアレ
イ基板を製造できた。
【０１５３】また、ソース断続配線の一部をゲート配線
金属膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と金属電極膜
の５層構造にしておくと、ソース断続配線抵抗を小さく
できて、特性ばらつきの少ないＴＦＴアレイ基板を製造
できた。
金属膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と金属電極膜
の５層構造にしておくと、ソース断続配線抵抗を小さく
できて、特性ばらつきの少ないＴＦＴアレイ基板を製造
できた。
【０１５４】さらに、半導体膜とソース及びドレーン電
極の間にコンタクト電極金属を形成されていると内部抵
抗の少ないＴＦＴアレイ基板を製造できた。
極の間にコンタクト電極金属を形成されていると内部抵
抗の少ないＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１５５】また、ソース断続配線がゲート配線により
切断されておりゲート配線上でコンタクト電極金属と金
属電極を介して交差接続するとソース断続配線抵抗の小
さなＴＦＴアレイ基板を製造できた。
切断されておりゲート配線上でコンタクト電極金属と金
属電極を介して交差接続するとソース断続配線抵抗の小
さなＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１５６】また、半導体膜の一部をｉ型層とｎ型層の
２層構造にしておくとｎ型不純物拡散工程を省略でき
た。
２層構造にしておくとｎ型不純物拡散工程を省略でき
た。
【０１５７】また、絶縁性基板表面とゲート配線金属膜
の間にアンダーコート膜が形成されていると基板からの
ひずみの影響を少なくできた。
の間にアンダーコート膜が形成されていると基板からの
ひずみの影響を少なくできた。
【０１５８】（実施例２−１０）次に、上記実施例２−
９を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に
液晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスについ
て説明する。
９を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際に
液晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスについ
て説明する。
【０１５９】まず、実施例２−９と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２を有する第１のＴＦＴアレ
イ基板２２３、および第１、第２の櫛形電極群と対向す
るように載置したカラーフィルター群２２４を有するカ
ラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通常の方法で
ポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配向
膜２２７を作製した。
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２を有する第１のＴＦＴアレ
イ基板２２３、および第１、第２の櫛形電極群と対向す
るように載置したカラーフィルター群２２４を有するカ
ラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通常の方法で
ポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配向
膜２２７を作製した。
【０１６０】次に、前記第１と第２の基板２２３、２２
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示素子を完成した（本図は図２１と同様なため省略し
た）。
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示素子を完成した（本図は図２１と同様なため省略し
た）。
【０１６１】この様なデバイスは、バックライトを裏面
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト２１０で、上下左右１６０°の広
視野角が達成できた。
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト２１０で、上下左右１６０°の広
視野角が達成できた。
【０１６２】このとき、ＴＦＴアレイ基板を製造する工
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた。
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた。
【０１６３】（実施例２−１１）実施例２−８と同様
に、予め良く洗浄された透明ガラス基板１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタ
リング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜層４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜として不
純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）
膜２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、通常の方法で第１回目のホトリソグラフィ法
用の第１のレジストパターン２０８を形成した。
に、予め良く洗浄された透明ガラス基板１を準備し、ア
ンダーコート膜層２０２としてシリカ（ＳｉＯ2）膜を
０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。その後ゲート電極
及びゲート配線、並びにソース断続配線用のG-S金属膜
層２０３としてＡｌ−Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタ
リング法を用いて２００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成し
た。その後、ゲート絶縁膜層４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍと、半導体膜として不
純物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）
膜２０５を５０ｎｍ、さらにｎ型不純物を含むアモルフ
ァスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜２０６を５０ｎｍ連続
で堆積し、通常の方法で第１回目のホトリソグラフィ法
用の第１のレジストパターン２０８を形成した。
【０１６４】その後、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜２０６、ｉ型ａ−
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、およびＡｌ−Ｚｒ膜
２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'あるい
はゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、ゲート
絶縁膜層２０４'、および半導体膜（２０５'と２０
６'）が積層された第１のパターン２１０を形成した。
Ｓｉ膜２０５、ＳｉＮx膜２０４、およびＡｌ−Ｚｒ膜
２０３を順次エッチングし、ゲート電極２０３'あるい
はゲート配線２０３"、ソース断続配線２０９'、ゲート
絶縁膜層２０４'、および半導体膜（２０５'と２０
６'）が積層された第１のパターン２１０を形成した。
【０１６５】次に、前記ゲート電極２０３'及びゲート
配線２０３"を硼酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解
液中で陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分
とする絶縁膜２１１を形成した。
配線２０３"を硼酸アンモニアを用いｐＨ７付近の電解
液中で陽極酸化してパタ−ンの側面にＡｌ2Ｏ3を主成分
とする絶縁膜２１１を形成した。
【０１６６】さらに、ドレーン領域に接続した第１の櫛
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続するコンタクト金属膜層２０７と
して、Ｔｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎ
ｍ程度の膜厚まで蒸着形成した後、金属電極膜としてを
スパッタリング法を用いてＡｌ−Ｚｒ膜を１００ｎｍ程
度の膜厚まで蒸着形成した。
形画素金属電極およびソース領域に接続し、切断された
ソース断続配線を接続するコンタクト金属膜層２０７と
して、Ｔｉ金属膜をスパッタリング法を用いて１００ｎ
ｍ程度の膜厚まで蒸着形成した後、金属電極膜としてを
スパッタリング法を用いてＡｌ−Ｚｒ膜を１００ｎｍ程
度の膜厚まで蒸着形成した。
【０１６７】その後、通常の方法で第１の櫛形電極パタ
ーンを持つ第２回目のホトリソグラフィ法用の第２のレ
ジストパターンを形成した後、前記透明導電性膜１２、
コンタクト電極７'、及びゲート電極上のｎ＋ａ−Ｓｉ
膜６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜に到達するまで順次エッ
チング除去してソース領域１３とソース断続配線209'を
コンタクト電極２０７'と金属電極１４"で接続するとと
もに、第１の櫛形画素金属電極８１をコンタクト電極金
属７'を介してドレーン領域１６と接続形成する。
ーンを持つ第２回目のホトリソグラフィ法用の第２のレ
ジストパターンを形成した後、前記透明導電性膜１２、
コンタクト電極７'、及びゲート電極上のｎ＋ａ−Ｓｉ
膜６'の一部をｉ型-ａ−Ｓｉ膜に到達するまで順次エッ
チング除去してソース領域１３とソース断続配線209'を
コンタクト電極２０７'と金属電極１４"で接続するとと
もに、第１の櫛形画素金属電極８１をコンタクト電極金
属７'を介してドレーン領域１６と接続形成する。
【０１６８】このとき、予め切断されているソース断続
配線は９"、９"'はゲート配線３"上でコンタクト電極金
属７'と金属電極１４"の２層構造で接続された。
配線は９"、９"'はゲート配線３"上でコンタクト電極金
属７'と金属電極１４"の２層構造で接続された。
【０１６９】次に、ゾルゲル法を用いてＴＦＴを被うよ
うにシリカ保護膜１７を３００ｎｍ印刷・焼成形成し、
その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部駆動
回路と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−Ｓｉ
膜５、ＳｉＮx膜４をエッチング除去した。
うにシリカ保護膜１７を３００ｎｍ印刷・焼成形成し、
その後、このシリカ保護膜パターンをマスクに外部駆動
回路と接続する部分のゲート電極金属上のｉ型ａ−Ｓｉ
膜５、ＳｉＮx膜４をエッチング除去した。
【０１７０】最後に、もう一度全面にＡｌ−Ｚｒ合金を
１５０ｎｍの膜厚で蒸着形成し、第２の櫛形電極パター
ンを有するホトマスクを用いて第２の櫛形画素金属電極
８２を形成しＩＰＳ用透過型液晶表示装置に使用可能な
ＴＦＴアレイ基板８３をホトマスク３枚で作成できた
（図２５）。
１５０ｎｍの膜厚で蒸着形成し、第２の櫛形電極パター
ンを有するホトマスクを用いて第２の櫛形画素金属電極
８２を形成しＩＰＳ用透過型液晶表示装置に使用可能な
ＴＦＴアレイ基板８３をホトマスク３枚で作成できた
（図２５）。
【０１７１】これにより、少なくともソース断続配線が
金属電極とコンタクト電極金属との２層構造で接続され
ているのでソース断続配線抵抗を小さくできて、画像表
示特性に優れたＴＦＴアレイ基板を製造できた。
金属電極とコンタクト電極金属との２層構造で接続され
ているのでソース断続配線抵抗を小さくできて、画像表
示特性に優れたＴＦＴアレイ基板を製造できた。
【０１７２】（実施例２−１２）次に、上記実施例２−
１１を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際
に液晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスにつ
いて説明する。
１１を用いて作成したＴＦＴアレイ基板を用いて、実際
に液晶表示デバイスを製造した場合の製造プロセスにつ
いて説明する。
【０１７３】まず、実施例２−９と同様の２枚マスクを
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板２２３、および第１、第２の櫛形電極群と対向
するように載置したカラーフィルター群２２４を有する
カラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通常の方法
でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配
向膜２２７を作製した。
用いて製造されたＴＦＴアレイ基板、すなわちマトリッ
クス状に載置された第１の電極群２２１とこの電極を駆
動するトランジスター群２２２を有する第１のＴＦＴア
レイ基板２２３、および第１、第２の櫛形電極群と対向
するように載置したカラーフィルター群２２４を有する
カラーフィルター基板２２６上に、それぞれ通常の方法
でポリイミド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配
向膜２２７を作製した。
【０１７４】次に、前記第１と第２の基板２２３、２２
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示素子を完成した。
６を電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２
２８と接着剤２２９でおよそ５ミクロンのギャップで配
向方向が９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記
第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶２３０を注入した後、
偏光板２３１、２３２をクロスニコルに組み合わせて表
示素子を完成した。
【０１７５】この様なデバイスは、バックライトを裏面
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
から照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトランジ
スタを駆動することで映像を表示できた。このとき、視
野角は、コントラスト１０で、上下左右１６０°の広視
野角が達成できた。
【０１７６】このとき、ＴＦＴアレイ基板を製造する工
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた（本図は図２１と
同様なため省略した）。
程の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイ
基板の一部をシリカなど保護膜で被う工程を行うと、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できた（本図は図２１と
同様なため省略した）。
【０１７７】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明によれ
ば、平面交差型のＸ・Ｙ配線を有する電気回路基板を極
めて生産性よく製造することができる。このような電気
回路基板は広汎な電子デバイス用途において使用するこ
とができる。また、このような電気回路基板を応用した
本発明にかかるＴＦＴアレイ基板は、ホトマスク２枚で
製造することができるので、ＴＦＴアレイ基板の製造コ
ストを大幅に低減させることができる。更にこのような
ＴＦＴアレイ基板を用いることにより、液晶表示装置を
より安価に提供できる。
ば、平面交差型のＸ・Ｙ配線を有する電気回路基板を極
めて生産性よく製造することができる。このような電気
回路基板は広汎な電子デバイス用途において使用するこ
とができる。また、このような電気回路基板を応用した
本発明にかかるＴＦＴアレイ基板は、ホトマスク２枚で
製造することができるので、ＴＦＴアレイ基板の製造コ
ストを大幅に低減させることができる。更にこのような
ＴＦＴアレイ基板を用いることにより、液晶表示装置を
より安価に提供できる。
【図１】本発明の実施例１−１の電気回路基板を製造工
程を説明するための断面概念図である。
程を説明するための断面概念図である。
【図２】本発明の実施例１−１において、第一のレジス
トパターンでエッジングした後の基板面の状態を示す平
面図である。
トパターンでエッジングした後の基板面の状態を示す平
面図である。
【図３】本発明の実施例１−１において、基板全面に導
電性膜層を堆積した様子を示す平面図である。
電性膜層を堆積した様子を示す平面図である。
【図４】本発明の実施例１−１において、基板上の導電
性膜層を所定のパターン（Ｙ断続配線接続電極）に加工
した様子を示す平面図である。本発明の実施例２−１に
おけるＴＦＴアレイの製造工程を説明する工程断面概念
図である。
性膜層を所定のパターン（Ｙ断続配線接続電極）に加工
した様子を示す平面図である。本発明の実施例２−１に
おけるＴＦＴアレイの製造工程を説明する工程断面概念
図である。
【図５】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイの
製造工程を説明する工程断面概念図である。
製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図６】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイの
製造工程を説明する工程断面概念図である。
製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図７】上記図６（ｂ）を上方から見た平面模式図であ
る。
る。
【図８】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイの
製造工程を説明する工程断面概念図である。
製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図９】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイの
製造工程を説明する工程断面概念図である。
製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図１０】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイ
の製造工程を説明する工程断面概念図である。
の製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図１１】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイ
の製造工程を説明する工程断面概念図である。
の製造工程を説明する工程断面概念図である。
【図１２】本発明の実施例２−１におけるＴＦＴアレイ
基板の平面模式図である。
基板の平面模式図である。
【図１３】本発明の実施例２−２における液晶表示装置
を説明する断面概念図である。
を説明する断面概念図である。
【図１４】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
基板の製造工程を説明するための図である。
基板の製造工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
基板の製造工程を説明するための図である。
基板の製造工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
基板の製造工程を説明するための図である。
基板の製造工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施例２−３におけるＴＦＴアレイ
基板の製造工程を説明するための図である。
基板の製造工程を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施例４における液晶表示装置を説
明する断面概念図である。
明する断面概念図である。
【図２２】本発明の実施例５におけるＴＦＴの断面概念
図である。
図である。
【図２３】本発明の実施例２−７におけるＴＦＴの断面
概念図である。
概念図である。
【図２４】本発明の実施例２−９におけるＴＦＴの断面
概念図である。
概念図である。
【図２５】本発明の実施例２−１１におけるＴＦＴの断
面概念図である。
面概念図である。
【図２６】本発明の実施例２−１のＴＦＴアレイ基板の
全体図である。
全体図である。
１０１ 透明ガラス基板 １０２ アンダーコート膜層 １０３ G-S金属膜層 １０４ ゲート電極 １０５ 第一のレジストパターン １０６ Ｘ断続配線 １０６' 金属酸化膜 １０７ Ｙ断続配線 １０８ 導電性膜 １０９ Ｙ断続配線接続電極 ２０１ 透明ガラス基板 ２０２ アンダーコート膜層 ２０３ G-S金属膜層 ２０３' ゲート電極 ２０３" ゲート配線 ２０４ ゲート絶縁膜層 ２０４' ゲート絶縁膜 ２９９ 半導体層 ２０５ ｉ型半導体層（ｉ型ａ−Ｓｉ） ２０５' ｉ型ａ−Ｓｉ膜 ２０６ ｎ型半導体層（ｎ型ａ−Ｓｉ） ２０７ コンタクト金属膜層 ２０７' コンタクト金属膜 ２０８ 第一のレジストパターン ２０７' 第二のレジストパターン ９ 透明電極 ２０９'、 ２０９’’ ソース断続配線 １１０ 第１のパターン １１１ 絶縁膜１０ ２１２ 透明電極膜 ２１３ ソース領域 ２１４ 透明導電膜層 ２１４' 導電膜 ２１５ 画素透明電極 ２１６ ドレーン領域 ２１７ 保護膜 ２１８ ＴＦＴアレイ ２２１ 第１の電極群 ２２２ トランジスタ群 ２２３ ＴＦＴアレイ基板 ２２４ カラーフィルター群 ２２５ 第２の電極 ２２６ カラーフィルター基板 ２２７ 液晶配向膜 ２２８ スペーサー ２２９ 接着剤 ２３０ 液晶 ２３１’偏光板 ２３２ 偏光板 ２３３ バックライト ２４０ 第１のパターン ２４１ コンタクト電極金属 ２４１' コンタクト電極金属パターン ２４２ 金属電極膜 ２４２' 金属電極膜パターン ２４３ 画素金属電極 ２４５ 反射表示用ＴＦＴアレイ ２５１ 第１の櫛形が素金属電極 ２５２ 第２の櫛形が素金属電極 ２５３ ＰＳ用ＴＦＴアレイ ２６１ 第１の櫛形が素金属電極 ２６２ 第２の櫛形が素金属電極 ２６３ ＩＰＳ用ＴＦＴアレイ ２７１ 第１の櫛形が素金属電極 ２７２ 第２の櫛形が素金属電極 ２７３ ＩＰＳ用ＴＦＴアレイ ２７１ 第１の櫛形が素金属電極 ２７２ 第２の櫛形が素金属電極 ２７３ ＩＰＳ用ＴＦＴアレイ ２８１ 第１の櫛形画素金属電極 ２８２ 第２の櫛形画素金属電極 ２８３ ＩＰＳ用ＴＦＴアレイ ３２１ 第１の電極群 ３２２ トランジスタ群 ３２３ ＴＦＴアレイ基板 ３２４ カラーフィルター群 ３２５ 第２の電極 ３２６ カラーフィルター基板 ３２７ 液晶配向膜 ３２８ スペーサー ３２９ 接着剤 ３３０ 液晶 ３３１’偏光板 ３３２ 偏光板 ３３３ バックライト
Claims (101)
- 【請求項１】絶縁性基板上の同一平面内に同一の導電性
金属膜よりそれぞれ形成された、Ｘ配線と、前記Ｘ配線
と交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配線と
離隔されたＹ断続配線と、を有し、 前記Ｘ配線の側面および上面が、絶縁性膜で覆われ、 前記絶縁性膜で覆われたＸ配線により切断され離隔され
たＹ断続配線同士が、前記絶縁性膜上に形成されたY断
続配線接続電極により電気的に接続されている、 ことを特徴とする電気回路基板。 - 【請求項２】請求項１の電気回路基板において、 少なくとも前記Ｘ配線の側面の絶縁性膜は、前記導電性
金属膜が酸化されてなる金属酸化膜である、ことを特徴
とする電気回路基板。 - 【請求項３】請求項２の電気回路基板において、 前記金属酸化膜は、陽極酸化法で形成された陽極酸化膜
である、ことを特徴とする電気回路基板。 - 【請求項４】絶縁性基板上に導電性金属膜層を堆積する
第一の工程と、 前記導電性金属膜層をエッチングし、Ｘ配線と、前記Ｘ
配線に交差し交差部分が前記Ｘ配線により切断されＸ配
線と離隔されたＹ断続配線とを同一平面内に同時に形成
する第二の工程と、 前記第二の工程の後、前記Ｘ配線の側面と上面を酸化
し、当該側面と上面を絶縁性の金属酸化膜で被覆する第
三の工程と、 前記第三の工程の後、少なくとも前記交差部分を覆うよ
うに導電性膜層を堆積し、前記Ｘ配線により切断され離
隔されたＹ断続配線同士を電気接続する第四の工程と、 を備えた電気回路基板の製造方法。 - 【請求項５】請求項４の電気回路基板の製造方法におい
て、 前記第二の工程におけるＸ配線の酸化を陽極酸化法で行
う、ことを特徴とする電気回路基板の製造方法。 - 【請求項６】絶縁性基板上に少なくとも導電性金属膜層
と絶縁性膜層を順次堆積する第一の工程と、 前記絶縁性膜層と前記導電性金属膜層とを含む層をエッ
チングし、同一平面内に、Ｘ配線と、前記Ｘ配線に交差
し交差部分において前記Ｘ配線により切断されＸ配線と
離隔されたＹ断続配線と、を同一平面内に同時に形成す
る第二の工程と、 前記第二の工程の後、前記Ｘ配線の側面を酸化し、当該
側面を絶縁性の金属酸化膜で被覆する第三の工程と、 前記第三の工程の後、少なくとも前記交差部分を覆うよ
うに導電性膜層を堆積し、前記Ｘ配線により切断され離
隔されたＹ断続配線同士を電気接続する第四の工程と、 を備えた電気回路基板の製造方法。 - 【請求項７】請求項６の電気回路基板の製造方法におい
て、 前記第二の工程におけるＸ配線の側面の酸化を陽極酸化
法で行う、ことを特徴とする電気回路基板の製造方法。 - 【請求項８】基板上に直接またはアンダーコート膜層を
介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲート
電極と、 前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とドレイ
ン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する半導
体膜と、 前記半導体膜のソース領域上に積層されたソースコンタ
クト電極と、 前記半導体膜のドレイン領域上に積層されたドレインコ
ンタクト電極と、 前記ドレインコンタクト電極を介して前記半導体膜のド
レイン領域に接続された画素電極と、前記ゲート電極に
接続され、側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線
と、 前記ゲート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で
前記ゲート配線と交差し、当該交差部において前記ゲー
ト配線で切断され離隔された形状のソース断続配線と、 ゲート配線で切断され離隔されたソース断続配線同士
を、ゲート配線の上方を経由して電気接続するソース線
接続電極と、 を有するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項９】前記画素電極と前記ソース線接続電極と
が、同質の透明導電膜材料で構成されている、ことを特
徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項１０】請求項９のボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板において、 前記ソース断続配線は、ソース断続配線、ゲート絶縁
膜、半導体膜、コンタクト金属膜、透明導電膜の各膜か
らなる５層構造のソース断続配線区画パターンの最下層
に位置し、 前記ゲート配線は、ゲート配線、ゲート絶縁膜、半導体
膜、コンタクト金属膜、透明導電膜からなる５層構造の
ゲート配線区画パターンの最下層に位置し、 かつ前記ソース断続配線と前記ゲート配線とは、前記基
板上の同一平面内に存在している、 ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項１１】請求項１０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 少なくとも前記ゲート配線の側面の絶縁性膜は、前記導
電性金属膜の酸化膜からなる、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項１２】請求項１１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 前記酸化膜は、陽極酸化法で形成された陽極酸化膜であ
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 - 【請求項１３】請求項１１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 半導体膜が、i型アモルファスシリコン層とｎ型アモル
ファスシリコン層の２層構造である、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項１４】請求項９のボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板において、 前記透明導電膜材料に代えて、光反射性の導電膜材料が
用いられている、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦ
Ｔアレイ基板。 - 【請求項１５】少なくとも絶縁性基板表面に、ゲート電
極とゲート配線とソース断続配線とを形成するためのG-
S金属膜層と、ゲート絶縁膜層と、半導体膜層と、コン
タクト金属膜層とを順次堆積する（A）工程と、 前記(A)工程の後、第１のレジストパターンを用いたフ
ォトリソグラフィ法で、前記各層を前記絶縁性基板表面
に達するまでエッチングし、ゲート電極とこの上に順次
積層されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコ
ンタクト金属膜を含むゲート電極区画パターンと、前記
ゲート電極に接続されたゲート配線とこの上に順次積層
されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタ
クト金属膜を含むゲート配線区画パターンと、前記ゲー
ト配線との交差部で切断され離隔されたソース断続線と
この上に順次積層されたゲート金属膜とゲート絶縁膜と
半導体膜とコンタクト金属膜を含むソース断続線区画パ
ターンと、を形成する（Ｂ）工程と、 前記（Ｂ）工程の後、ゲート電極区画パターン上のコン
タクト金属膜部分を前記半導体膜面に到達するまでエッ
チングして前記半導体膜上に、前記ゲート電極およびゲ
ート配線の側面を酸化して電気絶縁性の金属酸化膜を生
成させる（Ｃ）工程と、 前記（Ｃ）工程の後、前記コンタクト金属膜の上から基
板全面に透明導電膜層を堆積し、少なくとも前記ソース
断続配線相互が導電膜を介して電気的に接続されるよう
にする（Ｅ）工程と、 前記（Ｅ）工程の後、第２のレジストパターンを用いた
フォトリソグラフィ法で、前記透明導電膜層を所定のパ
ターンにエッチングし画素電極を形成するとともに、更
にこのエッチングにより露出させたチャネル領域を形成
する（Ｆ）工程と、 を備えたボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項１６】請求項項１５のボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法において、 前記ゲート配線の側面の酸化を陽極酸化法で行う、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項１７】請求項１５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 前記半導体膜層が、ｎ型アモルファスシリコン層とi型
アモルファスシリコン層との２層構造であり、前記
（Ｆ）工程におけるゲート電極区画パターン上のコンタ
クト金属膜部分のエッチングが、コンタクト金属膜の一
部とこれに続くｎ型アモルファスシリコン層の一部分を
i型アモルファスシリコン層に到達するまで行うエッチ
ングである、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 - 【請求項１８】請求項１５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 前記（Ｅ）工程における前記透明導電膜層に代えて、光
反射性の導電膜層を積層する、ことを特徴とするボトム
ゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項１９】基板上に直接またはアンダーコート膜層
を介して形成され、かつ側面が絶縁性膜で覆われたゲー
ト電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜
と、前記ゲート絶縁膜上に積層された、ソース領域とド
レイン領域と両領域に挟まれたチャネル領域とを有する
半導体膜と、前記半導体膜のソース領域上に積層された
ソースコンタクト電極と、前記半導体膜のドレイン領域
上に積層されたドレインコンタクト電極と、前記ドレイ
ンコンタクト電極を介して前記半導体膜のドレイン領域
に接続された画素電極と、前記ゲート電極に接続され、
側面と上面が絶縁性膜で覆われたゲート配線と、前記ゲ
ート配線と同一平面内に形成され、同一平面内で前記ゲ
ート配線と交差し、当該交差部において前記ゲート配線
で切断され離隔された形状のソース断続配線と、ゲート
配線で切断されたソース断続配線同士を、ゲート配線の
上方を経由して電気接続するソース線接続電極と、を有
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板と、 対向基板と、をＴＦＴの形成された面を内側にして所定
のギャップで対向させ、当該ギャップの間に液晶を保持
させた液晶表示装置。 - 【請求項２０】請求項１９の液晶表示装置において、 ＴＦＴアレイ基板の表面が保護膜で保護されている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２１】請求項２０の液晶表示装置において、 前記保護膜が、シリカ膜または窒化珪素膜である、こと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２２】請求項１９の液晶表示装置において、 前記画素電極が、透明金属膜で構成されている、ことを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２３】請求項１９の液晶表示装置において、 前記画素電極が、光反射性金属膜で構成されている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２４】ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と反射画素金属電極群を備えたボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板であって、 少なくともゲート電極およびゲート配線の側面が酸化さ
れており、反射画素金属電極がコンタクト金属電極と他
の金属電極膜との２層構造でありコンタクト金属電極を
介してＴＦＴのドレーン領域に接続されており、ソース
断続配線がコンタクト金属電極および金属電極の２層を
介してＴＦＴのソース領域に接続されていることを特徴
とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項２５】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 反射画素金属電極群がアルミニウムまたはアルミニウム
系の合金である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦ
Ｔアレイ基板。 - 【請求項２６】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 ソース断続配線の一部がコンタクト電極金属膜とアルミ
ニウム系の金属電極膜の２層構造となっている、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項２７】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 ゲート電極金属とコンタクト金属電極との間にゲート絶
縁膜と半導体膜が形成されている、ことを特徴とするボ
トムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項２８】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 ソース断続配線がゲート配線により切断されておりゲー
ト配線上でコンタクト金属電極および金属電極の２層を
介して交差接続されている、ことを特徴とするボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項２９】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 半導体膜の一部がｉ型層とｎ+型層の２層構造である、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項３０】請求項２４のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において、 絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間にアンダーコー
ト膜が形成されている、ことを特徴とするボトムゲート
型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項３１】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分
のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化する工程と、
コンタクト電極金属膜および金属電極膜とを形成する工
程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電極膜と
コンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２のパター
ンでエッチングする工程と、を含むことを特徴とするボ
トムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項３２】請求項３１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 金属電極膜としてアルミニウムまたはアルミニウム系の
合金膜を形成する、ことを特徴とするボトムゲート型Ｔ
ＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項３３】請求項３１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間にシリカ系のア
ンダーコート膜を形成する工程を含む、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項３４】請求項３１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 少なくともゲート配線金属膜としてアルミニウム系の合
金膜を形成する、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦ
Ｔアレイ基板の製造方法。 - 【請求項３５】請求項３１のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において、 酸化する工程に中性溶液中で陽極酸化法を用いる、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項３６】少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、反射画素金属電極がコンタクト
金属電極と他の金属電極膜との２層構造でありコンタク
ト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されて
おり、ソース断続配線がコンタクト金属電極および金属
電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続されてい
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレイ側と対向透
明電極が形成されたカラーフィルター基板のカラーフィ
ルター側が対向するように所定の間隙を保ちつつ張り合
わされており、前記間隙に配向膜を介して液晶が挟まれ
ている、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３７】請求項３６の液晶表示装置において、 少なくともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われてい
る、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３８】請求項３７の液晶表示装置において、 保護膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３９】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分
のゲート配線金属膜パターンの側面を酸化する工程と、
コンタクト電極金属膜および金属電極膜とを形成する工
程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電極膜と
コンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２のパター
ンでエッチングする工程とによりボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板を製造する工程と、さらにその上に配向膜を
形成する工程と、対向透明電極が形成されカラーフィル
ター基板の対向電極側表面に配向膜を形成する工程と前
記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ち
つつ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第
１と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程と、を
含むことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４０】請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程の後、
配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイの一部を
保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項４１】請求項３９の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質で一層で
形成されている、ことを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項４２】ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備えたＴＦＴア
レイ基板であって、 少なくともゲート電極およびゲート配線側面および第１
の櫛形画素電極側面が酸化されており、第２の櫛形画素
金属電極がコンタクト電極金属を介してＴＦＴのドレー
ン領域に接続されており、ソース断続配線がコンタクト
電極金属および金属電極を介してＴＦＴのソース領域に
接続されていることを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板。 - 【請求項４３】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極側面および第１の櫛形画素電
極側面の酸化膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項４４】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部および第１の櫛形
画素電極がゲート配線金属膜と半導体膜とコンタクト電
極金属膜と金属電極膜の５層構造となっている、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項４５】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜と櫛形電極の接続にコンタクト
電極金属が形成されている、ことを特徴とするボトムゲ
ート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項４６】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線および第１
の櫛形電極により切断されておりゲート配線および第１
の櫛形電極上でコンタクト電極金属と金属電極を介して
交差接続されている、ことを特徴とするボトムゲート型
ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項４７】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 - 【請求項４８】請求項４２のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項４９】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とを含むことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 - 【請求項５０】請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法においてゲート配線及びゲート電極及
び第１の櫛形画素電極となる部分を同時にエッチングす
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板
の製造方法。 - 【請求項５１】請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 - 【請求項５２】請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項５３】請求項４９のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 - 【請求項５４】少なくともゲート電極およびゲート配線
側面および第１の櫛形電極側面が酸化されており、第２
の櫛形画素金属電極がコンタクト電極金属を介してＴＦ
Ｔのドレーン領域に接続されており、ソース断続配線が
コンタクト電極金属および金属電極を介してＴＦＴのソ
ース領域に接続されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板基板の電極側とカラーフィルター基板のカラーフィ
ルター側が対向するように所定の間隙を保ちつつ張り合
わされており、前記間隙に配向膜として液晶が挟まれて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５５】請求項５４の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５６】請求項５５の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５７】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極及び第１の櫛形画
素電極となる部分の金属膜パターンの側面を酸化する工
程と、金属電極膜を形成する工程と、フォトリソグラフ
ィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と
半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチングする
工程とによりボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造す
る工程と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カ
ラーフィルター基板の表面に配向膜を形成する工程と前
記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ち
つつ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第
１と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５８】請求項５７の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被う工程と、この保護膜をマスクに、
金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート
絶縁膜とをエッチングしてゲート配線端子を露出させる
工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項５９】請求項５８の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記ＴＦＴアレイ
の一部を保護膜で被い、この保護膜をマスクにエッチン
グしてゲート配線端子を露出させると、保護膜として、
シリカ膜またはチッ化珪素膜を形成する、ことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６０】ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素金属電極群を備えたＴＦＴア
レイ基板であって、 少なくともゲート電極およびゲート配線側面が酸化され
ており、櫛形反射画素金属電極がコンタクト金属電極と
他の金属電極膜との２層構造でありコンタクト金属電極
を介してＴＦＴのドレーン領域に接続されており、ソー
ス断続配線がコンタクト金属電極および金属電極の２層
を介してＴＦＴのソース領域に接続されている、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６１】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極にアルミニウム系の金属を用
い、側面の絶縁膜が陽極酸化膜である、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６２】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と
金属電極膜の５層構造となっている、ことを特徴とする
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６３】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース電極および櫛形電極と半導体膜の
間にコンタクト金属電極を形成しておく、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６４】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト金属電極および金
属電極の２層を介して交差接続されている、ことを特徴
とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６５】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 - 【請求項６６】請求項６０のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項６７】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 - 【請求項６８】請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をｉ型層に達すまでエッ
チングする、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板の製造方法。 - 【請求項６９】請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 - 【請求項７０】請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項７１】請求項６７のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 - 【請求項７２】少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト金属電極と他の金属電極膜との２層構造でありコ
ンタクト金属電極を介してＴＦＴのドレーン領域に接続
されており、ソース断続配線がコンタクト金属電極およ
び金属電極の２層を介してＴＦＴのソース領域に接続さ
れているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のアレイ側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜を介して液晶が挟まれている、ことを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項７３】請求項７２の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７４】請求項７２の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７５】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極および第１
の櫛形電極となる部分のゲート配線金属膜パターンの側
面を酸化する工程と、コンタクト電極金属膜および金属
電極膜とを形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用
いて前記金属電極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜
の一部を第２のパターンでエッチングする工程とにより
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さ
らにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルタ
ー基板の対向電極側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７６】請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を製造する工程
の後、配向膜形成の前に少なくとも前記ＴＦＴアレイの
一部を保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項７７】請求項７５の液晶表示装置の製造方法に
おいて金属電極およびコンタクト金属電極が同一材質で
一層で形成されている、ことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項７８】ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、 少なくともゲート電極およびゲート配線側面が酸化され
ており、第１の櫛形画素極がコンタクト電極金属を介し
てＴＦＴのドレーン領域に接続されており、ソース断続
配線がコンタクト電極金属および金属電極を介してＴＦ
Ｔのソース領域に接続されており、さらに絶縁膜を介し
て第２の櫛形の対向電極が形成されている、ことを特徴
とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項７９】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてゲート電極側面の酸化膜が陽極酸化膜で
ある、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 - 【請求項８０】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線の一部がゲート配線金属
膜と半導体膜とコンタクト電極金属膜と金属電極膜の５
層構造となっている、ことを特徴とするボトムゲート型
ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項８１】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜とソース及びドレーン電極の間
にコンタクト電極金属が形成されている、ことを特徴と
するボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項８２】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板においてソース断続配線がゲート配線により切断
されておりゲート配線上でコンタクト電極金属と金属電
極を介して交差接続されている、ことを特徴とするボト
ムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項８３】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において半導体膜の一部がｉ型層とｎ型層の２層
構造である、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴア
レイ基板。 - 【請求項８４】請求項７８のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において絶縁性基板表面とゲート配線金属膜の間
にアンダーコート膜が形成されている、ことを特徴とす
るボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項８５】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、さらに、絶縁膜
を介して第２の櫛形対向電極を第３のパターンで形成す
る工程を含む、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴ
アレイ基板の製造方法。 - 【請求項８６】請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において半導体膜がｉ型層とｎ型層の
２層構造であり、ｎ型層の一部をエッチングする、こと
を特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項８７】請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において絶縁性基板表面とゲート配線
金属膜の間にアンダーコート膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製
造方法。 - 【請求項８８】請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において少なくともゲート配線金属膜
とゲート絶縁膜と半導体膜を連続して形成する、ことを
特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方
法。 - 【請求項８９】請求項８５のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板の製造方法において酸化する工程に陽極酸化法を
用いる、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ
基板の製造方法。 - 【請求項９０】少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素金属電極がコン
タクト電極金属を介してＴＦＴのドレーン領域に接続さ
れており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および
金属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されてお
り、さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成
されているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側と
カラーフィルター基板のカラーフィルター側が対向する
ように所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記
間隙に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項９１】請求項９０の液晶表示装置において少な
くともＴＦＴアレイの一部が保護膜で被われている、こ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９２】請求項９１の液晶表示装置において保護
膜が無機物である、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９３】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜とコンタクト電極金属
膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前
記コンタクト電極金属膜と半導体膜とゲート絶縁膜とゲ
ート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチングす
る工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分の金属
膜パターンの側面を酸化する工程と、金属電極膜を形成
する工程と、フォトリソグラフィ法を用いて前記金属電
極膜とコンタクト電極金属膜と半導体膜の一部を第２の
パターンで順次エッチングする工程と、保護膜を介して
第２の櫛形の対向電極を第３のパターンで形成する工程
とによりボトムゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程
と、さらにその上に配向膜を形成する工程と、カラーフ
ィルター基板のカラーフィルター側表面に配向膜を形成
する工程と前記２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定
の間隙を保ちつつ位置合わせして周辺を接着固定する工
程と、前記第１と第２の基板の間に所定の液晶を注入す
る工程を含む、ことを特徴とした液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項９４】請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて第２の櫛形対向電極形成後、少なくとも前記第２
の櫛形対向電極の一部を保護膜で被う工程を含む、こと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９５】請求項９３の液晶表示装置の製造方法に
おいて保護膜として、シリカ膜またはチッ化珪素膜を形
成する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９６】ソース断続配線とゲート配線とゲート絶
縁膜と半導体膜と櫛形画素電極群を備えたＴＦＴアレイ
基板であって、 少なくともゲート電極およびゲート配線側面が酸化され
ており、第１の櫛形画素金属電極がコンタクト電極金属
との２層構造でＴＦＴのドレーン領域に接続されてお
り、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金属電
極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、さら
に絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成されてい
る、ことを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基
板。 - 【請求項９７】請求項９６のボトムゲート型ＴＦＴアレ
イ基板において少なくともソース断続配線が金属電極と
コンタクト電極金属との２層構造で接続されている、こ
とを特徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板。 - 【請求項９８】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配線
金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、フ
ォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶縁
膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッチ
ングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部分
の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタクト
電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリソ
グラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極金
属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチン
グする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対向
電極を第３のパターンで形成する工程を含む、ことを特
徴とするボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項９９】少なくともゲート電極およびゲート配線
側面が酸化されており、第１の櫛形画素極がコンタクト
電極金属と２層構造でＴＦＴのドレーン領域に接続され
ており、ソース断続配線がコンタクト電極金属および金
属電極を介してＴＦＴのソース領域に接続されており、
さらに絶縁膜を介して第２の櫛形の対向電極が形成され
ているボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の電極側とカラ
ーフィルター基板のカラーフィルター側が対向するよう
に所定の間隙を保ちつつ張り合わされており、前記間隙
に配向膜として液晶が挟まれている、ことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項１００】少なくとも絶縁性基板表面にゲート配
線金属膜とゲート絶縁膜と半導体膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法を用いて前記半導体膜とゲート絶
縁膜とゲート配線金属膜とを第１のパターンで順次エッ
チングする工程と、ゲート配線及びゲート電極となる部
分の金属膜パターンの側面を酸化する工程と、コンタク
ト電極金属膜と金属電極膜を形成する工程と、フォトリ
ソグラフィ法を用いて前記金属電極膜とコンタクト電極
金属膜と半導体膜の一部を第２のパターンで順次エッチ
ングする工程と、さらに、絶縁膜を介して第２の櫛形対
向電極を第３のパターンで形成する工程とによりボトム
ゲートＴＦＴアレイ基板を製造する工程と、さらにその
上に配向膜を形成する工程と、カラーフィルター基板の
カラーフィルター側表面に配向膜を形成する工程と前記
２つの配向膜をそれぞれ内側にして所定の間隙を保ちつ
つ位置合わせして周辺を接着固定する工程と、前記第１
と第２の基板の間に所定の液晶を注入する工程を含む、
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０１】請求項１００の液晶表示装置の製造方
法において少なくとも前記第２の櫛形対向電極の一部を
保護膜で被う工程を含む、ことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000274114A JP2001147651A (ja) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP25438599 | 1999-09-08 | ||
| JP11-254385 | 1999-09-08 | ||
| JP2000274114A JP2001147651A (ja) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001147651A true JP2001147651A (ja) | 2001-05-29 |
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|---|---|---|---|
| JP2000274114A Pending JP2001147651A (ja) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | 電気回路基板及びこれを用いたｔｆｔアレイ基板及び液晶表示装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001147651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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