JP2001147108A - 画像解析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法 - Google Patents
画像解析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームにおけるガイドホール等の直
径を高精度で計測できる画像解析による直径計測方法を
提供する。 【解決手段】 この計測方法はリードフレームまたはラ
インスキャンカメラの一方を一定速度で移動させながら
ガイドホール５等の一次元または二次元画像を撮影し、
この画像に対しライン方向と平行な方向にエッジ検出線
10を設定して第一および第二エッジ座標を求めかつこれ
等座標からエッジ間距離を求める距離計測工程と、エッ
ジ検出線の設定を１画素分平行にずらして距離計測工程
を繰返し順次データを比較して長さが１番目の第一およ
び第二エッジ座標A1、B1と２番目の第一および第二エッ
ジ座標A2、B2を特定する工程と、A1−B1間距離、A1−B2
間距離、A2−B1間距離をそれぞれ求めその最大値を上記
直径値とすることを特徴とする。
径を高精度で計測できる画像解析による直径計測方法を
提供する。 【解決手段】 この計測方法はリードフレームまたはラ
インスキャンカメラの一方を一定速度で移動させながら
ガイドホール５等の一次元または二次元画像を撮影し、
この画像に対しライン方向と平行な方向にエッジ検出線
10を設定して第一および第二エッジ座標を求めかつこれ
等座標からエッジ間距離を求める距離計測工程と、エッ
ジ検出線の設定を１画素分平行にずらして距離計測工程
を繰返し順次データを比較して長さが１番目の第一およ
び第二エッジ座標A1、B1と２番目の第一および第二エッ
ジ座標A2、B2を特定する工程と、A1−B1間距離、A1−B2
間距離、A2−B1間距離をそれぞれ求めその最大値を上記
直径値とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一パターンのリ
ードフレーム構造体が連続的に形成された帯状金属シー
ト若しくは上記リードフレーム構造体に設けられたガイ
ドホール等、円若しくは部分円形状部の直径を画像解析
により計測する方法に係り、特に、その計測精度を飛躍
的に向上できる直径計測方法の改良に関するものであ
る。
ードフレーム構造体が連続的に形成された帯状金属シー
ト若しくは上記リードフレーム構造体に設けられたガイ
ドホール等、円若しくは部分円形状部の直径を画像解析
により計測する方法に係り、特に、その計測精度を飛躍
的に向上できる直径計測方法の改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種のリードフレームとしては、図９
に示すようにＣｕまたはＣｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の
帯状金属シート１に対し金型を用いたプレスによる機械
的打抜き加工あるいはエッチングレジストとエッチング
液を用いたエッチング加工等を施してリードフレーム構
造体２を連続的に形成して成るものが例示され、また、
上記リードフレーム構造体２は、通常、単一のチップ搭
載用ステージ３、複数のリード４やガイドホール５等を
備えている。そして、これ等帯状金属シート１やリード
フレーム構造体２に設けられた上記ガイドホール５につ
いては、製品出荷検査や製造プロセス管理のため頻繁に
その直径が計測される。
に示すようにＣｕまたはＣｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の
帯状金属シート１に対し金型を用いたプレスによる機械
的打抜き加工あるいはエッチングレジストとエッチング
液を用いたエッチング加工等を施してリードフレーム構
造体２を連続的に形成して成るものが例示され、また、
上記リードフレーム構造体２は、通常、単一のチップ搭
載用ステージ３、複数のリード４やガイドホール５等を
備えている。そして、これ等帯状金属シート１やリード
フレーム構造体２に設けられた上記ガイドホール５につ
いては、製品出荷検査や製造プロセス管理のため頻繁に
その直径が計測される。
【０００３】図１０〜図１２はラインスキャンカメラを
用いた計測装置を示している。
用いた計測装置を示している。
【０００４】すなわち、この計測装置は、図１０〜図１
２に示すように帯状金属シート１の搬送路近傍に設けら
れかつ内部にＣＣＤアレイ６を有するラインスキャンカ
メラ７と、上記搬送路を挟んでラインスキャンカメラ７
の対向側に配置されたライン照明手段８と、この計測装
置における制御系の主要部を構成する図示外の制御用コ
ンピュータと、この制御用コンピュータに組込まれかつ
画像入力側が上記ラインスキャンカメラ７に接続される
と共にその画像出力側が撮影画像モニター用のディスプ
レイに接続された画像解析ボード（共に図示せず）を具
備するものであった。尚、図１０中の９１と９２は、上
記ラインスキャンカメラ７とライン照明手段８を同期さ
せて矢印方向へ移動させる搬送手段を示している。
２に示すように帯状金属シート１の搬送路近傍に設けら
れかつ内部にＣＣＤアレイ６を有するラインスキャンカ
メラ７と、上記搬送路を挟んでラインスキャンカメラ７
の対向側に配置されたライン照明手段８と、この計測装
置における制御系の主要部を構成する図示外の制御用コ
ンピュータと、この制御用コンピュータに組込まれかつ
画像入力側が上記ラインスキャンカメラ７に接続される
と共にその画像出力側が撮影画像モニター用のディスプ
レイに接続された画像解析ボード（共に図示せず）を具
備するものであった。尚、図１０中の９１と９２は、上
記ラインスキャンカメラ７とライン照明手段８を同期さ
せて矢印方向へ移動させる搬送手段を示している。
【０００５】そして、上記帯状金属シート１またはライ
ンスキャンカメラ７の一方を上記ＣＣＤアレイ６の配列
方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７のライン方
向）に対し垂直な方向へ移動させると、ライン照明手段
８で照明された帯状金属シート１におけるガイドホール
５周辺の投影像がラインスキャンカメラ７により順次撮
影され、かつ、この撮影データが上記画像解析ボードに
入力されて画像解析ボードの各座標位置にＣＣＤアレイ
６における対応する各画素の撮影濃度が記録されると共
に、撮影された上記ガイドホール５周辺の二次元投影像
（図１３参照）が撮影画像モニター用のディスプレイに
表示されるようになっている。尚、搬送路を挟んで上記
ラインスキャンカメラ７の対向側に配置されたライン照
明手段８に代えて反射照明若しくは同軸落射照明手段が
用いられる場合もある。この場合、上記ガイドホール５
周辺の二次元反射像が記録される。
ンスキャンカメラ７の一方を上記ＣＣＤアレイ６の配列
方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７のライン方
向）に対し垂直な方向へ移動させると、ライン照明手段
８で照明された帯状金属シート１におけるガイドホール
５周辺の投影像がラインスキャンカメラ７により順次撮
影され、かつ、この撮影データが上記画像解析ボードに
入力されて画像解析ボードの各座標位置にＣＣＤアレイ
６における対応する各画素の撮影濃度が記録されると共
に、撮影された上記ガイドホール５周辺の二次元投影像
（図１３参照）が撮影画像モニター用のディスプレイに
表示されるようになっている。尚、搬送路を挟んで上記
ラインスキャンカメラ７の対向側に配置されたライン照
明手段８に代えて反射照明若しくは同軸落射照明手段が
用いられる場合もある。この場合、上記ガイドホール５
周辺の二次元反射像が記録される。
【０００６】そして、得られたガイドホール５周辺の二
次元投影像に対し、図１３に示すように上記ＣＣＤアレ
イ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７の
ライン方向）と平行な方向でかつガイドホール５の縁を
横切るようにエッジ検出線１０を設定し、このエッジ検
出線１０上の画像濃度変化によるエッジ検出によりピク
セル精度若しくはサブピクセル精度で第一エッジ座標ａ
１（Ｘa、Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）を求
めると共に、得られた上記第一エッジ座標ａ１（Ｘa、
Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）からエッジ間
距離（Ｙa−Ｙb）を求める。
次元投影像に対し、図１３に示すように上記ＣＣＤアレ
イ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７の
ライン方向）と平行な方向でかつガイドホール５の縁を
横切るようにエッジ検出線１０を設定し、このエッジ検
出線１０上の画像濃度変化によるエッジ検出によりピク
セル精度若しくはサブピクセル精度で第一エッジ座標ａ
１（Ｘa、Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）を求
めると共に、得られた上記第一エッジ座標ａ１（Ｘa、
Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）からエッジ間
距離（Ｙa−Ｙb）を求める。
【０００７】次に、上記エッジ検出線１０の設定をＣＣ
Ｄアレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメ
ラ７のライン方向）と垂直な方向へ１画素分平行にずら
して同様にエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を求め、得られる
エッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を逐次比較してエッジ間距離
が１番大きい１番目エッジ間距離を上記ガイドホール５
の直径値としている。
Ｄアレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメ
ラ７のライン方向）と垂直な方向へ１画素分平行にずら
して同様にエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を求め、得られる
エッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を逐次比較してエッジ間距離
が１番大きい１番目エッジ間距離を上記ガイドホール５
の直径値としている。
【０００８】また、図１４は、上記ラインスキャンカメ
ラ７で順次撮影されるガイドホール５周辺の一次元投影
像からガイドホール５の直径を求める方法を示してい
る。
ラ７で順次撮影されるガイドホール５周辺の一次元投影
像からガイドホール５の直径を求める方法を示してい
る。
【０００９】すなわち、得られたガイドホール５周辺の
一次元投影像に対し、図１４に示すように上記ＣＣＤア
レイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７
のライン方向）と平行な方向でかつガイドホール５の縁
を横切るようにエッジ検出線１０を設定し、このエッジ
検出線１０上の画像濃度変化によるエッジ検出によりピ
クセル精度若しくはサブピクセル精度で第一エッジ座標
ａ１（Ｘa、Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）を
求めると共に、得られた第一エッジ座標ａ１（Ｘa、Ｙ
a）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）からエッジ間距
離（Ｙa−Ｙb）を求める。
一次元投影像に対し、図１４に示すように上記ＣＣＤア
レイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ７
のライン方向）と平行な方向でかつガイドホール５の縁
を横切るようにエッジ検出線１０を設定し、このエッジ
検出線１０上の画像濃度変化によるエッジ検出によりピ
クセル精度若しくはサブピクセル精度で第一エッジ座標
ａ１（Ｘa、Ｙa）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）を
求めると共に、得られた第一エッジ座標ａ１（Ｘa、Ｙ
a）と第二エッジ座標ｂ１（Ｘa、Ｙb）からエッジ間距
離（Ｙa−Ｙb）を求める。
【００１０】次に、順次得られるガイドホール５周辺の
一次元投影像に対し、同様にエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）
を求め、得られるエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を逐次比較
してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離を上
記ガイドホール５の直径値としている。
一次元投影像に対し、同様にエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）
を求め、得られるエッジ間距離（Ｙa−Ｙb）を逐次比較
してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離を上
記ガイドホール５の直径値としている。
【００１１】尚、図１３に示した計測方法ではそのエッ
ジ検出線１０の設定をＣＣＤアレイ６の配列方向（すな
わち、ラインスキャンカメラ７のライン方向）と平行な
方向に設定してガイドホール５の直径値を求めている
が、ＣＣＤアレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキ
ャンカメラ７のライン方向）と垂直な方向に設定してガ
イドホール５の直径値を求めることも可能である。但
し、後者の計測方法の場合、ガイドホール５周辺の画像
取り込に際して上記帯状金属シート１またはラインスキ
ャンカメラ７の移動速度むらが加わるため、その分、前
者の計測方法と較べて計測誤差が増大する弊害が存在す
る。このため、通常、エッジ検出線１０の設定をＣＣＤ
アレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ
７のライン方向）と平行な方向に設定して計測する方法
が採られている。
ジ検出線１０の設定をＣＣＤアレイ６の配列方向（すな
わち、ラインスキャンカメラ７のライン方向）と平行な
方向に設定してガイドホール５の直径値を求めている
が、ＣＣＤアレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキ
ャンカメラ７のライン方向）と垂直な方向に設定してガ
イドホール５の直径値を求めることも可能である。但
し、後者の計測方法の場合、ガイドホール５周辺の画像
取り込に際して上記帯状金属シート１またはラインスキ
ャンカメラ７の移動速度むらが加わるため、その分、前
者の計測方法と較べて計測誤差が増大する弊害が存在す
る。このため、通常、エッジ検出線１０の設定をＣＣＤ
アレイ６の配列方向（すなわち、ラインスキャンカメラ
７のライン方向）と平行な方向に設定して計測する方法
が採られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１３およ
び図１４で示した従来の直径計測方法においてラインス
キャンカメラ７がガイドホール５の二次元若しくは一次
元画像を取込むとき、図１５および図１６に示すように
ガイドホール５における中心線上のエッジａ、ｂが隣接
する画素列間の境界線上に位置された状態で取込まれる
場合があり、計測された１番目エッジ間距離がガイドホ
ール５の直径値より若干小さくなって真の直径値を示さ
なくなる問題点があった。特に、図１７に示すようにラ
インスキャンカメラの取込み速度に対し移動速度が速い
とき（すなわち、取込まれた二次元画像におけるアスペ
クト比が等しくない場合）にこの問題は顕著であった。
び図１４で示した従来の直径計測方法においてラインス
キャンカメラ７がガイドホール５の二次元若しくは一次
元画像を取込むとき、図１５および図１６に示すように
ガイドホール５における中心線上のエッジａ、ｂが隣接
する画素列間の境界線上に位置された状態で取込まれる
場合があり、計測された１番目エッジ間距離がガイドホ
ール５の直径値より若干小さくなって真の直径値を示さ
なくなる問題点があった。特に、図１７に示すようにラ
インスキャンカメラの取込み速度に対し移動速度が速い
とき（すなわち、取込まれた二次元画像におけるアスペ
クト比が等しくない場合）にこの問題は顕著であった。
【００１３】本発明はこの様な問題点に着目してなされ
たもので、その課題とするところは、計測対象物におけ
る円若しくは部分円形状部の直径を高い精度で計測でき
る直径計測方法を提供することにある。
たもので、その課題とするところは、計測対象物におけ
る円若しくは部分円形状部の直径を高い精度で計測でき
る直径計測方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、計測対象物またはラインスキャンカメラの一
方を一定速度で移動させながら計測対象物全体若しくは
一部の二次元投影像若しくは反射像を撮影し、かつ、得
られた二次元画像の画像解析により上記計測対象物にお
ける円若しくは部分円形状部の直径を計測する方法を前
提とし、上記円若しくは部分円形状部の二次元画像に対
しラインスキャンカメラのライン方向と平行な方向でか
つ円若しくは部分円形状部の縁を横切るようにエッジ検
出線を設定し、このエッジ検出線上の画像濃度変化によ
るエッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル
精度で第一エッジ座標と第二エッジ座標を求めると共
に、上記第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間
距離を求めるエッジ間距離計測工程と、上記エッジ検出
線の設定をラインスキャンカメラのライン方向と垂直な
方向へ１画素分平行にずらして上記エッジ間距離計測工
程を繰り返すと共に、得られたエッジ間距離を逐次比較
してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離の第
一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１および２番目に
大きい２番目エッジ間距離の第一エッジ座標Ａ２と第二
エッジ座標Ｂ２を少なくとも特定するエッジ座標特定工
程と、特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標
Ｂ１および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２か
ら、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離お
よび第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離を
求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２
間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距
離、および、上記１番目エッジ間距離を比較してその最
大値を計測対象物における円若しくは部分円形状部の直
径とする直径計測工程、を具備することを特徴とし、ま
た、請求項２に係る発明は、計測対象物またはラインス
キャンカメラの一方を一定速度で移動させながら計測対
象物全体若しくは一部の一次元投影像若しくは反射像を
撮影し、かつ、順次得られる一次元画像の画像解析によ
り上記計測対象物における円若しくは部分円形状部の直
径を計測する方法を前提とし、上記円若しくは部分円形
状部の一次元画像に対しラインスキャンカメラのライン
方向と平行な方向でかつ円若しくは部分円形状部の縁を
横切るように設定されたエッジ検出線上の画像濃度変化
によるエッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピク
セル精度で第一エッジ座標と第二エッジ座標を求め、か
つ、第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間距離
を求めるエッジ間距離計測工程と、順次得られる円若し
くは部分円形状部の一次元画像に対し上記エッジ間距離
計測工程を繰り返すと共に、得られたエッジ間距離を逐
次比較してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距
離の第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１および２
番目に大きい２番目エッジ間距離の第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ２を少なくとも特定するエッジ座標
特定工程と、特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッ
ジ座標Ｂ１および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標
Ｂ２から、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間
距離および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間
距離を求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座
標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、および、上記１番目エッジ間距離を比較して
その最大値を計測対象物における円若しくは部分円形状
部の直径とする直径計測工程、を具備することを特徴と
するものである。
る発明は、計測対象物またはラインスキャンカメラの一
方を一定速度で移動させながら計測対象物全体若しくは
一部の二次元投影像若しくは反射像を撮影し、かつ、得
られた二次元画像の画像解析により上記計測対象物にお
ける円若しくは部分円形状部の直径を計測する方法を前
提とし、上記円若しくは部分円形状部の二次元画像に対
しラインスキャンカメラのライン方向と平行な方向でか
つ円若しくは部分円形状部の縁を横切るようにエッジ検
出線を設定し、このエッジ検出線上の画像濃度変化によ
るエッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル
精度で第一エッジ座標と第二エッジ座標を求めると共
に、上記第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間
距離を求めるエッジ間距離計測工程と、上記エッジ検出
線の設定をラインスキャンカメラのライン方向と垂直な
方向へ１画素分平行にずらして上記エッジ間距離計測工
程を繰り返すと共に、得られたエッジ間距離を逐次比較
してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離の第
一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１および２番目に
大きい２番目エッジ間距離の第一エッジ座標Ａ２と第二
エッジ座標Ｂ２を少なくとも特定するエッジ座標特定工
程と、特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標
Ｂ１および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２か
ら、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離お
よび第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離を
求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２
間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距
離、および、上記１番目エッジ間距離を比較してその最
大値を計測対象物における円若しくは部分円形状部の直
径とする直径計測工程、を具備することを特徴とし、ま
た、請求項２に係る発明は、計測対象物またはラインス
キャンカメラの一方を一定速度で移動させながら計測対
象物全体若しくは一部の一次元投影像若しくは反射像を
撮影し、かつ、順次得られる一次元画像の画像解析によ
り上記計測対象物における円若しくは部分円形状部の直
径を計測する方法を前提とし、上記円若しくは部分円形
状部の一次元画像に対しラインスキャンカメラのライン
方向と平行な方向でかつ円若しくは部分円形状部の縁を
横切るように設定されたエッジ検出線上の画像濃度変化
によるエッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピク
セル精度で第一エッジ座標と第二エッジ座標を求め、か
つ、第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間距離
を求めるエッジ間距離計測工程と、順次得られる円若し
くは部分円形状部の一次元画像に対し上記エッジ間距離
計測工程を繰り返すと共に、得られたエッジ間距離を逐
次比較してエッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距
離の第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１および２
番目に大きい２番目エッジ間距離の第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ２を少なくとも特定するエッジ座標
特定工程と、特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッ
ジ座標Ｂ１および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標
Ｂ２から、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間
距離および第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間
距離を求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座
標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、および、上記１番目エッジ間距離を比較して
その最大値を計測対象物における円若しくは部分円形状
部の直径とする直径計測工程、を具備することを特徴と
するものである。
【００１５】次に、請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは請求項２に係る円若しくは部分円形状部の直径計測
方法においてその計測対象物を特定した発明に関する。
たは請求項２に係る円若しくは部分円形状部の直径計測
方法においてその計測対象物を特定した発明に関する。
【００１６】すなわち、請求項３に係る発明は、請求項
１または２記載の発明に係る画像解析による円若しくは
部分円形状部の直径計測方法を前提とし、同一パターン
のリードフレーム構造体が連続的に形成された帯状金属
シート若しくは上記リードフレーム構造体により計測対
象物が構成され、かつ、上記円若しくは部分円形状部が
帯状金属シートまたはリードフレーム構造体に設けられ
たガイドホールであることを特徴とするものである。
１または２記載の発明に係る画像解析による円若しくは
部分円形状部の直径計測方法を前提とし、同一パターン
のリードフレーム構造体が連続的に形成された帯状金属
シート若しくは上記リードフレーム構造体により計測対
象物が構成され、かつ、上記円若しくは部分円形状部が
帯状金属シートまたはリードフレーム構造体に設けられ
たガイドホールであることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】［第一実施の形態］この実施の形態におい
て適用される計測装置は、図１０〜図１２に示した従来
例に係る計測装置と同一である。
て適用される計測装置は、図１０〜図１２に示した従来
例に係る計測装置と同一である。
【００１９】すなわち、この計測装置は、内部にＣＣＤ
アレイを有するラインスキャンカメラ並びにライン照明
手段と、制御系の主要部を構成する制御用コンピュータ
と、この制御用コンピュータに組込まれかつ画像入力側
がラインスキャンカメラに接続され画像出力側が撮影画
像モニター用のディスプレイに接続された画像解析ボー
ド等を具備している。
アレイを有するラインスキャンカメラ並びにライン照明
手段と、制御系の主要部を構成する制御用コンピュータ
と、この制御用コンピュータに組込まれかつ画像入力側
がラインスキャンカメラに接続され画像出力側が撮影画
像モニター用のディスプレイに接続された画像解析ボー
ド等を具備している。
【００２０】尚、この計測装置においては、２倍レンズ
が取付けられた画素サイズ１４μｍ×１４μｍでかつ２
０４８画素のラインスキャンカメラが組込まれている。
そして、上記ラインスキャンカメラのラインスキャンレ
ートを１０ｋＨｚに設定した場合、２８０（ｍｍ／ｓｅ
ｃ）＝１４（μｍ）×２（倍）×１０ｋＨｚの速度条件
で計測対象物若しくはラインスキャンカメラをＣＣＤア
レイの配列方向（ラインスキャンカメラのライン方向）
に対し垂直な方向へ移動させると、取込まれた２次元画
像におけるＣＣＤアレイの配列方向と移動方向のアスペ
クト比（縦横比）は等しくなる。また、計測対象物若し
くはラインスキャンカメラの移動速度が１４０ｍｍ／ｓ
ｅｃならば２次元画像におけるＣＣＤアレイの配列方向
と移動方向のアスペクト比（縦横比）は１：２になり、
計測対象物若しくはラインスキャンカメラの移動速度が
５６０ｍｍ／ｓｅｃならば２次元画像におけるＣＣＤア
レイの配列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）は
１：０．５となる。
が取付けられた画素サイズ１４μｍ×１４μｍでかつ２
０４８画素のラインスキャンカメラが組込まれている。
そして、上記ラインスキャンカメラのラインスキャンレ
ートを１０ｋＨｚに設定した場合、２８０（ｍｍ／ｓｅ
ｃ）＝１４（μｍ）×２（倍）×１０ｋＨｚの速度条件
で計測対象物若しくはラインスキャンカメラをＣＣＤア
レイの配列方向（ラインスキャンカメラのライン方向）
に対し垂直な方向へ移動させると、取込まれた２次元画
像におけるＣＣＤアレイの配列方向と移動方向のアスペ
クト比（縦横比）は等しくなる。また、計測対象物若し
くはラインスキャンカメラの移動速度が１４０ｍｍ／ｓ
ｅｃならば２次元画像におけるＣＣＤアレイの配列方向
と移動方向のアスペクト比（縦横比）は１：２になり、
計測対象物若しくはラインスキャンカメラの移動速度が
５６０ｍｍ／ｓｅｃならば２次元画像におけるＣＣＤア
レイの配列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）は
１：０．５となる。
【００２１】以下、上記計測装置を用いた第一実施の形
態に係る直径計測方法について説明する。
態に係る直径計測方法について説明する。
【００２２】まず、２次元画像におけるＣＣＤアレイの
配列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）が１：１
となるように計測対象物（リードフレーム構造体）若し
くはラインスキャンカメラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定してリードフレーム構造体のガイドホール５
近傍における２次元投影像（図１参照）を撮影する。
配列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）が１：１
となるように計測対象物（リードフレーム構造体）若し
くはラインスキャンカメラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定してリードフレーム構造体のガイドホール５
近傍における２次元投影像（図１参照）を撮影する。
【００２３】尚、ラインスキャンカメラにおけるＣＣＤ
アレイの出力側は画像メモリーを装備する上記画像解析
ボードに接続されており、図２（Ａ）に示す画像メモリ
ーのＸ軸（移動方向の座標位置を特定する）とＹ軸（Ｃ
ＣＤアレイ方向の座標位置を特定する）で指定される各
座標位置に、ＣＣＤアレイにおける対応する各画素の撮
影濃度（図２Ｂに示すように同一のＸ１座標列上に存在
するＤ11、Ｄ12、Ｄ13等の画像濃度データ群）が一画素
列毎（すなわち、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3等同一のＸ座標列上に
存在する各画素列毎）順次記録されるようになってい
る。また、Ｄ11、Ｄ12、Ｄ13等の画像濃度データは、図
３（Ａ）〜（Ｂ）に示すように１画素のＣＣＤが受光す
る平均エネルギー（例えば、図３Ｂに示されているよう
に図３Ａの暗部に対応する各画素の画像濃度は０、図３
Ａの明部に対応する各画素の画像濃度は２５５、図３Ａ
の中間部に対応する各画素の画像濃度は平均値としての
５０、１１０、２１０等）に基づき設定されている。ま
た、図２（Ｃ）に示すように同一のＸ座標列（例えば、
Ｘ１座標列）上に存在する同一画素列の相隣接する各画
素間における差分濃度、すなわち、（Ｄ11−Ｄ12＝Ｄ’
1112）、（Ｄ12−Ｄ13＝Ｄ’1213）、（Ｄ13−Ｄ14＝
Ｄ’1314）、（Ｄ14−Ｄ15＝Ｄ’1415）等を順次求める
ことにより画像濃度変化の一次微分値が得られる。
アレイの出力側は画像メモリーを装備する上記画像解析
ボードに接続されており、図２（Ａ）に示す画像メモリ
ーのＸ軸（移動方向の座標位置を特定する）とＹ軸（Ｃ
ＣＤアレイ方向の座標位置を特定する）で指定される各
座標位置に、ＣＣＤアレイにおける対応する各画素の撮
影濃度（図２Ｂに示すように同一のＸ１座標列上に存在
するＤ11、Ｄ12、Ｄ13等の画像濃度データ群）が一画素
列毎（すなわち、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3等同一のＸ座標列上に
存在する各画素列毎）順次記録されるようになってい
る。また、Ｄ11、Ｄ12、Ｄ13等の画像濃度データは、図
３（Ａ）〜（Ｂ）に示すように１画素のＣＣＤが受光す
る平均エネルギー（例えば、図３Ｂに示されているよう
に図３Ａの暗部に対応する各画素の画像濃度は０、図３
Ａの明部に対応する各画素の画像濃度は２５５、図３Ａ
の中間部に対応する各画素の画像濃度は平均値としての
５０、１１０、２１０等）に基づき設定されている。ま
た、図２（Ｃ）に示すように同一のＸ座標列（例えば、
Ｘ１座標列）上に存在する同一画素列の相隣接する各画
素間における差分濃度、すなわち、（Ｄ11−Ｄ12＝Ｄ’
1112）、（Ｄ12−Ｄ13＝Ｄ’1213）、（Ｄ13−Ｄ14＝
Ｄ’1314）、（Ｄ14−Ｄ15＝Ｄ’1415）等を順次求める
ことにより画像濃度変化の一次微分値が得られる。
【００２４】次に、図４（Ａ）に示すように撮影された
リードフレーム構造体のガイドホール５近傍における２
次元画像１００に対し、ラインスキャンカメラのライン
方向（ＣＣＤアレイの配列方向）と平行な方向でかつガ
イドホール５の縁（図４Ａに示すα、β）を横切るよう
にエッジ検出線１０を設定し、かつ、図４（Ｂ）に示す
ように上記エッジ検出線１０上の画像濃度変化によるエ
ッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル精度
でエッジ位置α（すなわち第一エッジ座標位置）とエッ
ジ位置β（すなわち第二エッジ座標位置）を求めると共
に、上記第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間
距離（すなわちエッジ位置αとエッジ位置β間距離）を
求める（エッジ間距離計測工程）。
リードフレーム構造体のガイドホール５近傍における２
次元画像１００に対し、ラインスキャンカメラのライン
方向（ＣＣＤアレイの配列方向）と平行な方向でかつガ
イドホール５の縁（図４Ａに示すα、β）を横切るよう
にエッジ検出線１０を設定し、かつ、図４（Ｂ）に示す
ように上記エッジ検出線１０上の画像濃度変化によるエ
ッジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル精度
でエッジ位置α（すなわち第一エッジ座標位置）とエッ
ジ位置β（すなわち第二エッジ座標位置）を求めると共
に、上記第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間
距離（すなわちエッジ位置αとエッジ位置β間距離）を
求める（エッジ間距離計測工程）。
【００２５】尚、図４（Ａ）においては１本のエッジ検
出線１０によりエッジ位置αとエッジ位置βを求める内
容になっているが、図４（Ａ）において１０１と１０２
に示すように同一のＸ座標列上に存在する２本のエッジ
検出線をそれぞれ設定してエッジ位置αとエッジ位置β
を別々に求める方法を採ってもよい。また、ピクセル精
度でエッジ位置を検出するとは、同一のＸ座標列（例え
ば、Ｘ１座標列）上に存在する同一画素列の相隣接する
各画素間における差分濃度、すなわち（Ｄ11−Ｄ12＝
Ｄ’1112）、（Ｄ12−Ｄ13＝Ｄ’1213）、（Ｄ13−Ｄ14
＝Ｄ’1314）、（Ｄ14−Ｄ15＝Ｄ’1415）等画像濃度変
化の１次微分値をコンピュータで計算し、その１次微分
値が最大の位置を１画素単位の精度で求めることを意味
し、また、サブピクセル精度でエッジ位置を検出すると
は、上記１次微分値をコンピュータで計算し、その変化
分を図５（Ａ）に示すようにガウス曲線にフィッティン
グさせると共に、図５（Ａ）〜（Ｂ）に示すようにその
最大の位置を上記ガウス曲線により１画素単位以下の精
度で求めることを意味する。
出線１０によりエッジ位置αとエッジ位置βを求める内
容になっているが、図４（Ａ）において１０１と１０２
に示すように同一のＸ座標列上に存在する２本のエッジ
検出線をそれぞれ設定してエッジ位置αとエッジ位置β
を別々に求める方法を採ってもよい。また、ピクセル精
度でエッジ位置を検出するとは、同一のＸ座標列（例え
ば、Ｘ１座標列）上に存在する同一画素列の相隣接する
各画素間における差分濃度、すなわち（Ｄ11−Ｄ12＝
Ｄ’1112）、（Ｄ12−Ｄ13＝Ｄ’1213）、（Ｄ13−Ｄ14
＝Ｄ’1314）、（Ｄ14−Ｄ15＝Ｄ’1415）等画像濃度変
化の１次微分値をコンピュータで計算し、その１次微分
値が最大の位置を１画素単位の精度で求めることを意味
し、また、サブピクセル精度でエッジ位置を検出すると
は、上記１次微分値をコンピュータで計算し、その変化
分を図５（Ａ）に示すようにガウス曲線にフィッティン
グさせると共に、図５（Ａ）〜（Ｂ）に示すようにその
最大の位置を上記ガウス曲線により１画素単位以下の精
度で求めることを意味する。
【００２６】次に、上記エッジ検出線１０の設定を、ラ
インスキャンカメラのライン方向と垂直な方向へ１画素
分平行にずらして上記エッジ間距離計測工程を繰り返す
と共に、得られるエッジ間距離を逐次比較してエッジ間
距離が１番大きい１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の
第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大きい２番目エッジ間
距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa
2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特
定する（図１参照）。尚、上記第一エッジ座標Ａ１（Ｘ
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）は順次更新（上書き）記録され、最終
的に、エッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離
（Ｙa1−Ｙb1）の第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と
第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大き
い２番目エッジ間距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標
Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb
2）が特定される。
インスキャンカメラのライン方向と垂直な方向へ１画素
分平行にずらして上記エッジ間距離計測工程を繰り返す
と共に、得られるエッジ間距離を逐次比較してエッジ間
距離が１番大きい１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の
第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大きい２番目エッジ間
距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa
2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特
定する（図１参照）。尚、上記第一エッジ座標Ａ１（Ｘ
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）は順次更新（上書き）記録され、最終
的に、エッジ間距離が１番大きい１番目エッジ間距離
（Ｙa1−Ｙb1）の第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と
第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大き
い２番目エッジ間距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標
Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb
2）が特定される。
【００２７】次に、特定された第一エッジ座標Ａ１（Ｘ
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）から、第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）間距離および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）間距離を求め、かつ、第一エッジ座標
Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ１間距離、および、上記１番目エッ
ジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）を比較してその最大値を上記リ
ードフレーム構造体のガイドホール５の直径とする。
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）から、第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）間距離および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）間距離を求め、かつ、第一エッジ座標
Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ１間距離、および、上記１番目エッ
ジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）を比較してその最大値を上記リ
ードフレーム構造体のガイドホール５の直径とする。
【００２８】そして、この実施の形態に係る直径計測方
法によれば、図１に示すようにガイドホール５における
中心線上のエッジａ、ｂが、隣接する画素列間（すなわ
ち、隣接するＸa1座標列とＸa2座標列間）の境界線上に
位置された状態でガイドホール５の二次元画像が取込ま
れた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ
２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間
距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）
を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体のガ
イドホール５の直径としているため、計測されたガイド
ホール５の直径値が真の直径値と大幅にずれることが無
くその計測精度を飛躍的に向上させることが可能とな
る。
法によれば、図１に示すようにガイドホール５における
中心線上のエッジａ、ｂが、隣接する画素列間（すなわ
ち、隣接するＸa1座標列とＸa2座標列間）の境界線上に
位置された状態でガイドホール５の二次元画像が取込ま
れた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ
２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間
距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）
を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体のガ
イドホール５の直径としているため、計測されたガイド
ホール５の直径値が真の直径値と大幅にずれることが無
くその計測精度を飛躍的に向上させることが可能とな
る。
【００２９】尚、この実施の形態に係る直径計測方法に
おいては上記エッジ検出線１０の設定をラインスキャン
カメラのライン方向と垂直な方向へ１画素分平行にずら
してエッジ間距離計測工程を繰り返すと共に、得られる
エッジ間距離を逐次比較してエッジ間距離が１番大きい
１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の第一エッジ座標Ａ
１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）
および２番目に大きい２番目エッジ間距離（Ｙa2−Ｙb
2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ
座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特定しているが、こ
れ等座標に加えてエッジ間距離が３番目に大きい３番目
エッジ間距離（Ｙa3−Ｙb3）の第一エッジ座標Ａ３（Ｘ
a3、Ｙa3）と第二エッジ座標Ｂ３（Ｘa3、Ｙb3）を特定
すると共に、特定された第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）、第一エッジ
座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、
Ｙb2）および第一エッジ座標Ａ３（Ｘa3、Ｙa3）と第二
エッジ座標Ｂ３（Ｘa3、Ｙb3）から、第一エッジ座標Ａ
１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ１と
第二エッジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二
エッジ座標Ｂ１間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッ
ジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座
標Ｂ１間距離、および、第一エッジ座標Ａ３と第二エッ
ジ座標Ｂ２間距離を求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と
第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ１と第二
エッジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッ
ジ座標Ｂ１間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座
標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座標Ｂ２間
距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）
を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体のガ
イドホール５の直径としてもよい。
おいては上記エッジ検出線１０の設定をラインスキャン
カメラのライン方向と垂直な方向へ１画素分平行にずら
してエッジ間距離計測工程を繰り返すと共に、得られる
エッジ間距離を逐次比較してエッジ間距離が１番大きい
１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の第一エッジ座標Ａ
１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）
および２番目に大きい２番目エッジ間距離（Ｙa2−Ｙb
2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ
座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特定しているが、こ
れ等座標に加えてエッジ間距離が３番目に大きい３番目
エッジ間距離（Ｙa3−Ｙb3）の第一エッジ座標Ａ３（Ｘ
a3、Ｙa3）と第二エッジ座標Ｂ３（Ｘa3、Ｙb3）を特定
すると共に、特定された第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）、第一エッジ
座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、
Ｙb2）および第一エッジ座標Ａ３（Ｘa3、Ｙa3）と第二
エッジ座標Ｂ３（Ｘa3、Ｙb3）から、第一エッジ座標Ａ
１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ１と
第二エッジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二
エッジ座標Ｂ１間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッ
ジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座
標Ｂ１間距離、および、第一エッジ座標Ａ３と第二エッ
ジ座標Ｂ２間距離を求め、かつ、第一エッジ座標Ａ１と
第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ１と第二
エッジ座標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッ
ジ座標Ｂ１間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座
標Ｂ３間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、第一エッジ座標Ａ３と第二エッジ座標Ｂ２間
距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）
を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体のガ
イドホール５の直径としてもよい。
【００３０】そして、特定する第一エッジ座標と第二エ
ッジ座標の組数を多く設定することによりその計測精度
を更に向上させることが可能となる。
ッジ座標の組数を多く設定することによりその計測精度
を更に向上させることが可能となる。
【００３１】また、この実施の形態に係る直径計測方法
においては、計測対象物（リードフレーム構造体）若し
くはラインスキャンカメラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定して得られる２次元画像のＣＣＤアレイの配
列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）を１：１に
しているが、上記計測対象物（リードフレーム構造体）
若しくはラインスキャンカメラの移動速度を５６０ｍｍ
／ｓｅｃに設定して２次元画像のＣＣＤアレイの配列方
向と移動方向のアスペクト比（縦横比）を１：０．５と
なるようにしてもよい。この場合、前者の方法に較べて
倍の速度でガイドホール５の直径を求めることができる
利点を有する。但し、上記計測対象物（リードフレーム
構造体）若しくはラインスキャンカメラの移動速度を倍
にした場合、得られるガイドホール５の２次元画像は図
１７に示すような略楕円形状となるが、本発明に係る直
径計測方法においてはこの様な場合においても高い精度
でガイドホール５の直径を求めることができる利点を有
する。
においては、計測対象物（リードフレーム構造体）若し
くはラインスキャンカメラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定して得られる２次元画像のＣＣＤアレイの配
列方向と移動方向のアスペクト比（縦横比）を１：１に
しているが、上記計測対象物（リードフレーム構造体）
若しくはラインスキャンカメラの移動速度を５６０ｍｍ
／ｓｅｃに設定して２次元画像のＣＣＤアレイの配列方
向と移動方向のアスペクト比（縦横比）を１：０．５と
なるようにしてもよい。この場合、前者の方法に較べて
倍の速度でガイドホール５の直径を求めることができる
利点を有する。但し、上記計測対象物（リードフレーム
構造体）若しくはラインスキャンカメラの移動速度を倍
にした場合、得られるガイドホール５の２次元画像は図
１７に示すような略楕円形状となるが、本発明に係る直
径計測方法においてはこの様な場合においても高い精度
でガイドホール５の直径を求めることができる利点を有
する。
【００３２】［第二実施の形態］この実施の形態におい
て適用される計測装置も、図１０〜図１２に示した従来
例に係る計測装置と同一である。
て適用される計測装置も、図１０〜図１２に示した従来
例に係る計測装置と同一である。
【００３３】以下、上記計測装置を用いた第二実施の形
態に係る直径計測方法について説明する。
態に係る直径計測方法について説明する。
【００３４】まず、第一実施の形態と同様に計測対象物
（リードフレーム構造体）若しくはラインスキャンカメ
ラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓｅｃに設定してリードフ
レーム構造体のガイドホール５近傍における１次元投影
像（図６参照）を順次撮影する。
（リードフレーム構造体）若しくはラインスキャンカメ
ラの移動速度を２８０ｍｍ／ｓｅｃに設定してリードフ
レーム構造体のガイドホール５近傍における１次元投影
像（図６参照）を順次撮影する。
【００３５】次に、順次撮影されるリードフレーム構造
体のガイドホール５近傍における１次元画像に対し、図
６に示すようにラインスキャンカメラのライン方向（Ｃ
ＣＤアレイの配列方向）と平行な方向でかつガイドホー
ルの縁を横切るようにエッジ検出線１０を設定し、か
つ、このエッジ検出線１０上の画像濃度変化によるエッ
ジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル精度で
第一エッジ座標と第二エッジ座標を求めると共に、上記
第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間距離を求
める（エッジ間距離計測工程）。尚、第一実施の形態に
おいて述べたように同一のＸ座標列上に存在する２本の
エッジ検出線をそれぞれ設定して上記第一エッジ座標と
第二エッジ座標を別々に求める方法を採ってもよい。
体のガイドホール５近傍における１次元画像に対し、図
６に示すようにラインスキャンカメラのライン方向（Ｃ
ＣＤアレイの配列方向）と平行な方向でかつガイドホー
ルの縁を横切るようにエッジ検出線１０を設定し、か
つ、このエッジ検出線１０上の画像濃度変化によるエッ
ジ検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル精度で
第一エッジ座標と第二エッジ座標を求めると共に、上記
第一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間距離を求
める（エッジ間距離計測工程）。尚、第一実施の形態に
おいて述べたように同一のＸ座標列上に存在する２本の
エッジ検出線をそれぞれ設定して上記第一エッジ座標と
第二エッジ座標を別々に求める方法を採ってもよい。
【００３６】次に、順次得られるガイドホール５近傍の
１次元画像に対し上記エッジ間距離計測工程を繰り返す
と共に、得られるエッジ間距離を逐次比較してエッジ間
距離が１番大きい１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の
第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大きい２番目エッジ間
距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa
2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特
定する（図６参照）。
１次元画像に対し上記エッジ間距離計測工程を繰り返す
と共に、得られるエッジ間距離を逐次比較してエッジ間
距離が１番大きい１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）の
第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）および２番目に大きい２番目エッジ間
距離（Ｙa2−Ｙb2）の第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa
2）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）をそれぞれ特
定する（図６参照）。
【００３７】次に、特定された第一エッジ座標Ａ１（Ｘ
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）から、第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）間距離および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）間距離を求め、かつ、第一エッジ座標
Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ１間距離、および、上記１番目エッ
ジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）を比較してその最大値を上記リ
ードフレーム構造体のガイドホール５の直径とする。
a1、Ｙa1）と第二エッジ座標Ｂ１（Ｘa1、Ｙb1）および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
２（Ｘa2、Ｙb2）から、第一エッジ座標Ａ１（Ｘa1、Ｙ
a1）と第二エッジ座標Ｂ２（Ｘa2、Ｙb2）間距離および
第一エッジ座標Ａ２（Ｘa2、Ｙa2）と第二エッジ座標Ｂ
１（Ｘa1、Ｙb1）間距離を求め、かつ、第一エッジ座標
Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２
と第二エッジ座標Ｂ１間距離、および、上記１番目エッ
ジ間距離（Ｙa1−Ｙb1）を比較してその最大値を上記リ
ードフレーム構造体のガイドホール５の直径とする。
【００３８】そして、この実施の形態に係る直径計測方
法によれば、図６に示すようにガイドホール５における
中心線上のエッジａ、ｂが、隣接する画素列間（すなわ
ち、隣接するＸa1座標列とＸa2座標列間）の境界線上に
位置された状態でガイドホール５の一次元画像が順次取
込まれた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座
標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙ
b1）を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体
のガイドホール５の直径としているため、第一実施の形
態に係る直径計測方法と同様に計測されたガイドホール
５の直径値が真の直径値と大幅にずれることが無くその
計測精度を飛躍的に向上させることが可能となる。
法によれば、図６に示すようにガイドホール５における
中心線上のエッジａ、ｂが、隣接する画素列間（すなわ
ち、隣接するＸa1座標列とＸa2座標列間）の境界線上に
位置された状態でガイドホール５の一次元画像が順次取
込まれた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座
標Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ
１間距離、および、上記１番目エッジ間距離（Ｙa1−Ｙ
b1）を比較してその最大値を上記リードフレーム構造体
のガイドホール５の直径としているため、第一実施の形
態に係る直径計測方法と同様に計測されたガイドホール
５の直径値が真の直径値と大幅にずれることが無くその
計測精度を飛躍的に向上させることが可能となる。
【００３９】尚、この実施の形態に係る直径計測方法と
第一実施の形態に係る直径計測方法を比較した場合、第
二実施の形態に係る直径計測方法においてはガイドホー
ル５近傍の１次元画像を取込んだ後、早い時点でガイド
ホール５の直径値が求まる利点がある。但し、この処理
のために、高速の演算処理能力が計測装置に要求され
る。従って、その用途に応じて第一実施の形態に係る直
径計測方法または第二実施の形態に係る直径計測方法を
適用するとよい。
第一実施の形態に係る直径計測方法を比較した場合、第
二実施の形態に係る直径計測方法においてはガイドホー
ル５近傍の１次元画像を取込んだ後、早い時点でガイド
ホール５の直径値が求まる利点がある。但し、この処理
のために、高速の演算処理能力が計測装置に要求され
る。従って、その用途に応じて第一実施の形態に係る直
径計測方法または第二実施の形態に係る直径計測方法を
適用するとよい。
【００４０】また、第一実施の形態並びに第二実施の形
態においてその計測対象物としてリードフレーム構造体
のガイドホール５が例示されているが、図７に示すよう
な円筒体２００の内径あるいは図８に示すような断面部
分円形状を有する構造体３００の内径の計測に本発明を
適用してもよい。
態においてその計測対象物としてリードフレーム構造体
のガイドホール５が例示されているが、図７に示すよう
な円筒体２００の内径あるいは図８に示すような断面部
分円形状を有する構造体３００の内径の計測に本発明を
適用してもよい。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００４２】まず、第一実施の形態に係る直径計測方法
（実施例）と図１３に示した従来法に係る直径計測方法
（比較例）を適用してリードフレーム構造体におけるガ
イドホールの直径をそれぞれ計測した。尚、計測装置と
しては、図１０〜図１２に示した従来の計測装置を適用
し、かつ、撮影条件も第一実施の形態と同一にして行な
った。
（実施例）と図１３に示した従来法に係る直径計測方法
（比較例）を適用してリードフレーム構造体におけるガ
イドホールの直径をそれぞれ計測した。尚、計測装置と
しては、図１０〜図１２に示した従来の計測装置を適用
し、かつ、撮影条件も第一実施の形態と同一にして行な
った。
【００４３】すなわち、２倍レンズが取付けられた画素
サイズ１４μｍ×１４μｍで２０４８画素のラインスキ
ャンカメラを用いると共に、ラインスキャンカメラのラ
インスキャンレートを１０ｋＨｚに設定し、かつ、２８
０（ｍｍ／ｓｅｃ）の速度条件でリードフレーム構造体
をＣＣＤアレイの配列方向（ラインスキャンカメラのラ
イン方向）に対し垂直な方向へ移動させた。また、得ら
れたリードフレーム構造体のガイドホール近傍における
２次元投影像に対し、サブピクセル精度で第一エッジ座
標と第二エッジ座標を求めている。
サイズ１４μｍ×１４μｍで２０４８画素のラインスキ
ャンカメラを用いると共に、ラインスキャンカメラのラ
インスキャンレートを１０ｋＨｚに設定し、かつ、２８
０（ｍｍ／ｓｅｃ）の速度条件でリードフレーム構造体
をＣＣＤアレイの配列方向（ラインスキャンカメラのラ
イン方向）に対し垂直な方向へ移動させた。また、得ら
れたリードフレーム構造体のガイドホール近傍における
２次元投影像に対し、サブピクセル精度で第一エッジ座
標と第二エッジ座標を求めている。
【００４４】そして、これ等の計測結果を以下の表１に
示す。
示す。
【００４５】
【表１】 「確 認」表１に示された結果から、実施例における計
測値の最大値（３１２μｍ）と最小値（３０９μｍ）の
差は３μｍであるのに対し、比較例における計測値の最
大値（３１２μｍ）と最小値（３０７μｍ）の差は５μ
ｍであり、実施例に係る計測方法は比較例に係る計測方
法よりその計測精度が改善されていることが確認され
る。
測値の最大値（３１２μｍ）と最小値（３０９μｍ）の
差は３μｍであるのに対し、比較例における計測値の最
大値（３１２μｍ）と最小値（３０７μｍ）の差は５μ
ｍであり、実施例に係る計測方法は比較例に係る計測方
法よりその計測精度が改善されていることが確認され
る。
【００４６】
【発明の効果】請求項１〜３記載の発明に係る直径計測
方法によれば、円若しくは部分円形状部における中心線
上のエッジが、隣接する画素列間の境界線上に位置され
た状態で計測対象物の一次元若しくは二次元画像が取込
まれた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標
Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１
間距離、および、１番目エッジ間距離を比較してその最
大値を上記円若しくは部分円形状部の直径としているた
め、計測された円若しくは部分円形状部の直径値が真の
直径値と大幅にずれることが無くその計測精度を飛躍的
に向上できる効果を有する。
方法によれば、円若しくは部分円形状部における中心線
上のエッジが、隣接する画素列間の境界線上に位置され
た状態で計測対象物の一次元若しくは二次元画像が取込
まれた場合でも、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標
Ｂ２間距離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１
間距離、および、１番目エッジ間距離を比較してその最
大値を上記円若しくは部分円形状部の直径としているた
め、計測された円若しくは部分円形状部の直径値が真の
直径値と大幅にずれることが無くその計測精度を飛躍的
に向上できる効果を有する。
【００４７】また、計測対象物またはラインスキャンカ
メラの一方を高速で移動させることでラインスキャンカ
メラのライン方向と上記移動方向のアスペクト比（縦横
比）が等しくならない場合でも、計測される円若しくは
部分円形状部の直径値が真の直径値と大幅にずれること
がないため計測精度を高めながら計測速度も速められる
効果を有する。
メラの一方を高速で移動させることでラインスキャンカ
メラのライン方向と上記移動方向のアスペクト比（縦横
比）が等しくならない場合でも、計測される円若しくは
部分円形状部の直径値が真の直径値と大幅にずれること
がないため計測精度を高めながら計測速度も速められる
効果を有する。
【図１】第一実施の形態に係る直径計測方法の説明図。
【図２】図２（Ａ）は画像解析ボードの画像メモリーを
示す説明図、図２（Ｂ）は画像メモリーに記録される画
像濃度のデータ説明図、図２（Ｃ）はこの画像濃度変化
の一次微分値のデータ説明図。
示す説明図、図２（Ｂ）は画像メモリーに記録される画
像濃度のデータ説明図、図２（Ｃ）はこの画像濃度変化
の一次微分値のデータ説明図。
【図３】図３（Ａ）は撮影された二次元投影像の説明
図、図３（Ｂ）はこの二次元投影像に対応する画像メモ
リーに記録された画像濃度のデータ説明図。
図、図３（Ｂ）はこの二次元投影像に対応する画像メモ
リーに記録された画像濃度のデータ説明図。
【図４】図４（Ａ）はディスプレイに表示されたガイド
ホール近傍の二次元画像とエッジ検出線との関係を示す
説明図、図４（Ｂ）は上記エッジ検出線上の画像濃度変
化を示すグラフ図。
ホール近傍の二次元画像とエッジ検出線との関係を示す
説明図、図４（Ｂ）は上記エッジ検出線上の画像濃度変
化を示すグラフ図。
【図５】図５（Ａ）は上記エッジ検出線上の位置と画像
濃度変化の一次微分値との関係を示すグラフ図、図５
（Ｂ）は上記エッジ検出線上におけるエッジ位置β近傍
の画像濃度変化を示すグラフ図。
濃度変化の一次微分値との関係を示すグラフ図、図５
（Ｂ）は上記エッジ検出線上におけるエッジ位置β近傍
の画像濃度変化を示すグラフ図。
【図６】第二実施の形態に係る直径計測方法の説明図。
【図７】本発明に係る直径計測方法の計測対象物の一例
を示す円筒体の概略斜視図。
を示す円筒体の概略斜視図。
【図８】本発明に係る直径計測方法の計測対象物の一例
を示す断面部分円形状を有する構造体の概略斜視図。
を示す断面部分円形状を有する構造体の概略斜視図。
【図９】同一パターンのリードフレーム構造体が連続的
に形成された帯状金属シートの平面図。
に形成された帯状金属シートの平面図。
【図１０】従来の直径計測方法に用いられる計測装置の
概略斜視図。
概略斜視図。
【図１１】図１０の一部省略平面図。
【図１２】図１０の側面図。
【図１３】二次元投影像を用いてガイドホールの直径値
を計測する従来例に係る直径計測方法の説明図。
を計測する従来例に係る直径計測方法の説明図。
【図１４】一次元投影像を用いてガイドホールの直径値
を計測する従来例に係る直径計測方法の説明図。
を計測する従来例に係る直径計測方法の説明図。
【図１５】図１３に示した従来例に係る直径計測方法の
問題点を示す説明図。
問題点を示す説明図。
【図１６】図１４に示した従来例に係る直径計測方法の
問題点を示す説明図。
問題点を示す説明図。
【図１７】取込んだ画像のアスペクト比が等しくない場
合の図１３に示した従来例に係る直径計測方法の問題点
を示す説明図。
合の図１３に示した従来例に係る直径計測方法の問題点
を示す説明図。
５ ガイドホール １０ エッジ検出線
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA27 AA56 BB13 BB15 BB24 CC02 CC06 DD03 DD06 FF04 GG16 JJ02 JJ25 MM07 QQ04 QQ25 QQ31 QQ35 5F067 AA19 BA10 DA00 EA02 EA04 5L096 CA02 CA14 CA16 CA17 FA04 FA06 FA64 GA02
Claims (3)
- 【請求項１】計測対象物またはラインスキャンカメラの
一方を一定速度で移動させながら計測対象物全体若しく
は一部の二次元投影像若しくは反射像を撮影し、かつ、
得られた二次元画像の画像解析により上記計測対象物に
おける円若しくは部分円形状部の直径を計測する方法に
おいて、 上記円若しくは部分円形状部の二次元画像に対しライン
スキャンカメラのライン方向と平行な方向でかつ円若し
くは部分円形状部の縁を横切るようにエッジ検出線を設
定し、このエッジ検出線上の画像濃度変化によるエッジ
検出によりピクセル精度若しくはサブピクセル精度で第
一エッジ座標と第二エッジ座標を求めると共に、上記第
一エッジ座標と第二エッジ座標からエッジ間距離を求め
るエッジ間距離計測工程と、 上記エッジ検出線の設定をラインスキャンカメラのライ
ン方向と垂直な方向へ１画素分平行にずらして上記エッ
ジ間距離計測工程を繰り返すと共に、得られたエッジ間
距離を逐次比較してエッジ間距離が１番大きい１番目エ
ッジ間距離の第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１
および２番目に大きい２番目エッジ間距離の第一エッジ
座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２を少なくとも特定するエ
ッジ座標特定工程と、 特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１お
よび第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２から、第
一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離および第
一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離を求め、
かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距
離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離、
および、上記１番目エッジ間距離を比較してその最大値
を計測対象物における円若しくは部分円形状部の直径と
する直径計測工程、を具備することを特徴とする画像解
析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法。 - 【請求項２】計測対象物またはラインスキャンカメラの
一方を一定速度で移動させながら計測対象物全体若しく
は一部の一次元投影像若しくは反射像を撮影し、かつ、
順次得られる一次元画像の画像解析により上記計測対象
物における円若しくは部分円形状部の直径を計測する方
法において、 上記円若しくは部分円形状部の一次元画像に対しライン
スキャンカメラのライン方向と平行な方向でかつ円若し
くは部分円形状部の縁を横切るように設定されたエッジ
検出線上の画像濃度変化によるエッジ検出によりピクセ
ル精度若しくはサブピクセル精度で第一エッジ座標と第
二エッジ座標を求め、かつ、第一エッジ座標と第二エッ
ジ座標からエッジ間距離を求めるエッジ間距離計測工程
と、 順次得られる円若しくは部分円形状部の一次元画像に対
し上記エッジ間距離計測工程を繰り返すと共に、得られ
たエッジ間距離を逐次比較してエッジ間距離が１番大き
い１番目エッジ間距離の第一エッジ座標Ａ１と第二エッ
ジ座標Ｂ１および２番目に大きい２番目エッジ間距離の
第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２を少なくとも
特定するエッジ座標特定工程と、 特定された第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ１お
よび第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ２から、第
一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距離および第
一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離を求め、
かつ、第一エッジ座標Ａ１と第二エッジ座標Ｂ２間距
離、第一エッジ座標Ａ２と第二エッジ座標Ｂ１間距離、
および、上記１番目エッジ間距離を比較してその最大値
を計測対象物における円若しくは部分円形状部の直径と
する直径計測工程、を具備することを特徴とする画像解
析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法。 - 【請求項３】同一パターンのリードフレーム構造体が連
続的に形成された帯状金属シート若しくは上記リードフ
レーム構造体により計測対象物が構成され、かつ、上記
円若しくは部分円形状部が帯状金属シートまたはリード
フレーム構造体に設けられたガイドホールであることを
特徴とする請求項１または２記載の画像解析による円若
しくは部分円形状部の直径計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33100199A JP2001147108A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 画像解析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33100199A JP2001147108A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 画像解析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001147108A true JP2001147108A (ja) | 2001-05-29 |
Family
ID=18238732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33100199A Pending JP2001147108A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 画像解析による円若しくは部分円形状部の直径計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001147108A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109190618A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 重庆大学 | 基于图像识别技术的高温熔渣流量测量装置及方法 |
| CN109708581A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-03 | 上海航天设备制造总厂有限公司 | 一种利用Autocal TCP校准设备测量物体直径的方法 |
| JP2020153664A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 信号処理回路、位置検出装置および磁気センサシステム |
| CN112651946A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 昆山丘钛光电科技有限公司 | 芯片金线检测方法、装置、电子设备及介质 |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33100199A patent/JP2001147108A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109190618A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 重庆大学 | 基于图像识别技术的高温熔渣流量测量装置及方法 |
| CN109190618B (zh) * | 2018-08-17 | 2021-06-25 | 重庆大学 | 基于图像识别技术的高温熔渣流量测量装置及方法 |
| CN109708581A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-03 | 上海航天设备制造总厂有限公司 | 一种利用Autocal TCP校准设备测量物体直径的方法 |
| JP2020153664A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 信号処理回路、位置検出装置および磁気センサシステム |
| CN112651946A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-13 | 昆山丘钛光电科技有限公司 | 芯片金线检测方法、装置、电子设备及介质 |
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