JP2001144145A - 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔をエッ
チングして所望の配線パターンが形成された電子部品実
装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅拡散スズメッキ
層(a)が形成されており、該配線パターンの端子部分を
除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる保
護層が形成されていると共に、該端子部分には、銅拡散
スズメッキ層(a)と、該銅拡散スズメッキ層(a)表面から
純スズメッキ層(b)の表面向かって銅拡散濃度が次第に
低下する銅・スズ含有領域を有し、この領域が実質的に
純スズメッキ層(b)と連続して形成されていることを特
徴とする。 【効果】本発明によれば、ソルダーレジスト下の配線パ
ターンにえぐれ部が形成されにくく、またホイスカーの
発生もない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball
Grid Array)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific
Integrated Circuit）テープなど）およびこのテープを
製造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、スズ
メッキを行う際に、メッキ液によって銅箔が浸食される
ことがないフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape Auto
mated Bonding)テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball Grid Arr
ay)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrat
ed Circuit）テープなど）およびこのテープを製造する
方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。このような電子機器
の小型化に伴いＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープおよび
ＡＳＩＣテープなどの電子部品実装用フィルムキャリア
テープが使用されている。この電子部品実装用フィルム
キャリアテープは次のようにして製造されている。例え
ば、ポリイミドフィルムなどの基材フィルムに銅箔を貼
着し、この銅箔表面にフォトレジストを塗布して、この
フォトレジストを形成しようとする配線パターン以外の
部分を露光し、露光されたフォトレジストを除去する。
次いで、フォトレジストが除去された部分の銅箔をエッ
チングにより除去し、さらにフォトレジストを除去する
ことにより配線パターンが形成される。こうして配線パ
ターンが形成された電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープに、インナーリードやハンダボール端子などの接続
部分を除いて回路の保護層となるソルダーレジストを塗
布する。このようにしてソルダーレジストを塗布した
後、露出する部分である接続端子部分にスズメッキ層を
形成する。

【０００３】しかしながら、このようにしてソルダーレ
ジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズメッキを行うと
ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソル
ダーレジストの下面にメッキ液が浸入し、局部電池を形
成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図２に示す
ように、基材１０上に接着剤層１２を介して銅箔３０を
貼着して常法に従って配線パターン３０を形成した後、
ソルダーレジスト２０を塗布し、乾燥硬化させ、これに
スズメッキ層３１を形成する際にメッキ液がソルダーレ
ジスト２０の端部２１からソルダーレジスト２０の下面
に浸入しこの部分で局部電池が形成され、この部分の銅
箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図２には
このえぐれた部分（えぐれ部）は、３５で示されてい
る。こうしてえぐれ部３５が形成された電子部品実装用
フィルムキャリアテープに曲げ応力がかかると、えぐれ
部３５に応力が集中して、最悪の場合、リード破断に至
る。

【０００４】このようなソルダーレジスト３０の端部か
らの液の浸入を防止することに関して、特開平６-３４
２９６９号公報には、「樹脂を基材とするフィルム上に
導電パターンを形成したフレキシブル回路基板におい
て、回路保護の目的で塗布されるソルダーレジストをパ
ターンにメッキした後に塗布した事を特徴とするフレキ
シブル回路基板、および、その製造方法。」が開示され
ている。

【０００５】上記公報に記載の発明によれば、ソルダー
レジストをメッキ後に塗布し、加熱硬化させているの
で、メッキ液がソルダーレジストの下面に浸入するとい
ったことは生じ得ず、また、ソルダーレジストの硬化の
際の加熱によって、スズメッキ層も加熱処理されること
から、ウィスカーの発生を防止するための加熱工程を改
めて行う必要がなくなると記載されている。

【０００６】ところが、実際の工程上では、メッキ工程
とソルダーレジストの加熱硬化工程とを連続して実施す
ることは困難であり、メッキ工程を経て得られたテープ
には、相当の時間を経た後、ソルダーレジストを塗布さ
れ、さらにソルダーレジストが加熱硬化される。ウィス
カーの成長を抑制するためには、メッキした直後にこの
メッキ層を加熱処理することが必要であり、時間の経過
と共にウィスカーが成長する。また、ソルダーレジスト
の加熱硬化の際の温度条件とウィスカーの成長を抑制す
る温度条件とは必ずしも一致するものではなく、いずれ
か一方の条件に合わせて加熱を行うと、他方の作用効果
が充分に得られないという問題がある。さらに、このよ
うな加熱処理によるウィスカーの成長の制御は、短期間
であれば有用性が高いが、長期間（例えば２〜３ヶ月）
にわたる場合には、そのウィスカー防止効果が減失す
る。

【０００７】ところで、ウィスカーの成長を抑制する方
法として、上記のように、スズメッキを行った後、スズ
メッキ層を加熱（アニール処理）してスズメッキ層中に
銅を拡散する方法は既に知られている。この方法によれ
ば、短期間であればウィスカーの発生をある程度防止す
ることができるが、この方法では、長期間（例えば２〜
３ヶ月）にわたって完全にウィスカーの成長を防止する
ことはできないという問題がある。

【０００８】また、こうしたウィスカーの成長を制御す
る方法として、特開平５-３３１８７号公報には、「銅
又は銅合金の微細パターン上にスズメッキを施すに際
し、まず厚さ０.１５μｍ以上のスズメッキを施し、次
いで加熱処理して該純スズ層をすべて銅素地とのＣｕ−
Ｓｎ拡散層とし、その上にスズメッキを施し、純スズメ
ッキ厚を０.１５〜０.８μｍとすることを特徴とするス
ズメッキホイスカーの抑制方法。」が開示されている。
すなわち、この公報に記載の発明は、スズメッキ層を形
成し、このスズメッキ層を加熱処理してこのスズメッキ
層に銅を拡散させた後、再度メッキ（フラッシュメッ
キ）して、銅が拡散されたスズメッキ層表面に純スズメ
ッキ層を形成してウィスカーの形成を防止するものであ
る。

【０００９】しかしながら、この公報では、配線パター
ン上にソルダーレジストを塗布して硬化させた後にスズ
メッキを行い、さらに加熱処理してこのスズメッキ層に
銅を拡散させた後、この銅が拡散されたスズメッキ層の
表面に再度スズメッキ層を形成している。従って、この
公報に記載の発明では、ウィスカーの形成は制御される
が、ソルダーレジストを塗布して硬化させた後メッキし
ていることから、従来のメッキと同様にソルダーレジス
トの下面にメッキ液が浸入してえぐれ部３５が形成され
るという問題は依然として存在する。

【００１０】

【発明の目的】本発明は、無電解メッキによっても配線
パターンにえぐれ部が形成されることがなく、しかも長
期間にわたってウィスカーの成長を抑制することができ
る電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびこれを
製造する方法を提供することを目的としている。

【００１１】

【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔をエ
ッチングして所望の配線パターンが形成された電子部品
実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターン
のほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散したス
ズメッキ層(a)（銅拡散スズメッキ層(a)）が形成されて
おり、該配線パターンの端子部分を除く所定の位置にソ
ルダーレジストの硬化体からなる保護層が形成されてお
り、該端子部分には、銅が拡散したスズメッキ層(a)
と、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)（純スズ
メッキ層(b)）とが形成されており、該銅拡散スズメッ
キ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面に向かって銅
拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域が純スズメ
ッキ層(b)と連続して形成されていることを特徴として
いる。

【００１２】上記本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープは、絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成し、該形成さ
れたパターンのほぼ全体にスズメッキをし、該配線パタ
ーンの端子部分を除く所定の部分にソルダーレジストを
塗布して硬化させ、該ソルダーレジストが硬化した後、
配線パターンの端子部分に再びスズメッキを行う工程を
有する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
法であって、該端子部分に、銅拡散スズメッキ層(a)
と、純スズメッキ層とを形成する共に、該銅拡散スズメ
ッキ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面に向かって
銅拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域を純スズ
メッキ層(b)と連続するように形成することにより製造
することができる。

【００１３】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、ソルダーレジストが塗布される銅箔からなる
配線パターンの表面にスズメッキ層(a)が形成されてお
り、このスズメッキ層(a)は、加熱により、配線パター
ンからの銅が拡散し、銅拡散スズメッキ層となる。この
ようにして銅拡散スズメッキ層(a)を形成した後、この
銅拡散スズメッキ層(a)の表面に電極の接合部を除いて
所望の位置にソルダーレジストを塗布し、このソルダー
レジストを乾燥硬化させる。こうしてソルダーレジスト
を硬化させた後、再びスズメッキにより、銅拡散スズメ
ッキ層(a)の表面に純スズメッキ層(b)を形成すると共
に、この純スズメッキ層(b)に、銅拡散スズメッキ層(a)
あるいは配線パターンから銅を移行させて、銅・スズ含
有領域を、純スズメッキ層と連続するように形成する。

【００１４】このようにして形成されるキャリアテープ
は、１回目のスズメッキをする際には、ソルダーレジス
トは存在していないので、局部電池の形成によって銅に
えぐれ部が形成されることがなく、また、２回目のスズ
メッキの際には、ソルダーレジストの下面にメッキ液が
浸入したとしても、銅の表面は銅拡散スズメッキ層が形
成され、銅箔がメッキ液と接触することはないので、銅
を電極とする局部電池が形成されることはなく、従っ
て、図２に示すようなえぐれ部３５が形成されることが
ない。

【００１５】さらに、１回目のスズメッキを行った後、
ソルダーレジストの硬化物からなる保護層を形成し、次
いで、２回目のスズメッキを行うことにより、ウィスカ
ーの成長を抑えウィスカーによる短絡を防止できる。図
２に示すようなえぐれ部３５が形成されるメカニズムに
ついてその全容が解明されているわけではないが、本発
明者は以下に記載するような局部電池の形成によってこ
のえぐれ部３５が形成されると考えている。図３は、局
部電池の形成によりえぐれ部３５が生ずるメカニズムを
模式的に示す図である。

【００１６】まず、メッキ液がソルダーレジスト端部か
らソルダーレジストの下面に浸入し始めると、ソルダー
レジストに残留する収縮力（内部応力）によって、レジ
ストが浮き上がり、メッキ液の液だまりが形成される。
このメッキ液には、スズが、ホウフッ化スズなどの形態
で含有されており、このスズと銅金属との間で電気化学
的な置換反応が進行し始め、置換した銅イオンが液だま
りに滞留する。

【００１７】この滞留した陽性の銅イオンを電気的に中
和するためにメッキ層中の陰イオン（例えばホウフッ化
イオン）が移動する。ソルダーレジスト端部では陰イオ
ンの移動により陽性のスズイオンが残り、銅イオンが溶
出部から電子を受け取って金属スズが析出する。銅イオ
ンの溶出、陰イオンの移動、電子の移動、スズの析出が
連鎖的に起こることにより、銅溶出部を陽極とし、スズ
析出部を陰極とする局部電池が形成される。

【００１８】上記のようなメカニズムによりソルダーレ
ジストの下面の銅箔からなる配線パターンが部分的に溶
出してえぐれ部を形成するものと考えられる。本発明の
電子部品実装用フィルムキャリアテープには、銅拡散ス
ズメッキ層(a)と、純スズメッキ層(b)との間に、該銅拡
散スズメッキ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面向
かって銅拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域が
形成されている。

【００１９】このように銅拡散スズメッキ層(a)とから
純スズメッキ層(b)に向かって、銅濃度が連続的に低下
する銅・スズ含有領域を純スズメッキ層と連続して形成
することにより、上記のようなえぐれ部がより形成され
にくくなると共に、ホイスカーの形成を恒久的にほぼ完
全に防止することができる。

【００２０】

【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープについて図面を参照しながらその
製造方法に沿って具体的に説明する。なお、以下に示す
図面において共通の部材には共通の付番を付してある。
図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテー
プの断面を模式的に示す断面図である。

【００２１】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１では、絶縁フィルム１０と、この表面に、例え
ば接着剤層１２により貼着された電解銅箔からなる配線
パターン３０がこの順序で積層されてなる。そして、こ
の配線パターン３０は、その表面を保護するようにソル
ダーレジスト２０からなる層（硬化物）が塗設されてい
る。

【００２２】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープを構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィ
ルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッチ
ングする際に酸などと接触することからこうした薬品に
侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加
熱によっても変質しないような耐熱性を有している。こ
のような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。

【００２３】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。

【００２４】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール、スプロケットホール、アウターリードの切断
穴などがパンチングにより形成されている。配線パター
ン３０は、上記のような所定の穴が形成された絶縁フィ
ルム１０に、絶縁性の接着剤を塗布して接着剤層１２を
形成し、この接着剤層１２で銅箔を接着し、この銅箔を
エッチングすることにより形成される。ここで銅箔とし
ては、電解銅箔、圧延銅箔のいずれをも使用することが
できるが、昨今のファインピッチ化に対応可能な電解銅
箔を使用することが好ましい。

【００２５】また、上記のような絶縁フィルムに銅箔を
積層する際には、接着剤を用いることなく積層すること
もできるし、また接着剤を使用して貼着することもでき
る。ここで使用される接着剤は、耐熱性、耐薬品性、接
着力、可撓性等の特性を有しているものであることが好
ましい。このような特性を有する接着剤の例としては、
エポキシ系接着剤およびフェノール系接着剤を挙げるこ
とができる。このような接着剤は、ウレタン樹脂、メラ
ミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などで変性されて
いてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム変性されてい
てもよい。このような接着剤は加熱硬化性である。この
ような接着剤層の厚さは、通常は８〜２３μm、好まし
くは１０〜２１μmの範囲内にある。このような接着剤
からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０の表面に塗
布して設けても良いし、また電解銅箔の表面に塗布して
設けても良い。ここで使用される電解銅箔としては電子
部品実装用フィルムキャリアテープの製造に通常使用さ
れている厚さの銅箔を使用することができるが、ファイ
ンピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを製
造するためには、銅箔として通常は６〜２５μmの範囲
内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内にある銅箔を使用
することが望ましい。このような薄い電解銅箔を使用す
ることにより、狭ピッチ幅のインナーリードを形成する
ことが容易になる。

【００２６】このように絶縁フィルムの表面に銅箔を貼
着した後、この銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付け硬
化させ、硬化していない部分のフォトレジストを除去す
る。また逆に、露光することにより、特定媒体に溶解可
能となるフォトレジストを使用することもできる。こう
して硬化したフォトレジストによって所望の配線パター
ンが形成された絶縁フィルムと銅箔との積層体をエッチ
ングして、硬化したフォトレジストの存在しない部分の
銅箔を溶解除去して絶縁フィルムの表面に銅箔の配線パ
ターンを形成する。

【００２７】こうしてエッチングにより配線パターンを
形成した後、硬化したフォトレジストを、例えばアルカ
リ溶液などで除去する。本発明では上記のようにして配
線パターンを形成した後、この配線パターンの形成され
た絶縁フィルムをメッキ槽に移して、配線パターンの表
面にスズメッキ層(a)３１を形成する。本発明におい
て、スズメッキ層は、無電解スズメッキや電気スズメッ
キ等の方法によって形成される。こうして形成された当
初のスズメッキ層(a)３１は、通常は実質的にスズから
形成されているが、このスズメッキ層(a)３１の特性を
損なわない範囲内で他の金属が含有されていても良い。

【００２８】スズメッキ層(a)３１の厚さは、０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上であれば、ソルダー
レジストを塗布した後のメッキ工程において、仮にソル
ダーレジストの下面からメッキ液が浸入した場合であっ
ても、銅箔からなる配線パターンに局部電池が形成され
ることがなく、銅箔からなる配線パターンを有効に保護
することができる。

【００２９】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターン面を除き、配線パターンの全
面に形成される。スズメッキ層(a)３１の厚さが０.５μ
ｍより厚いと後に形成される純スズメッキ層(b)３３と
合計した厚さが０.６μｍを超え、こうした厚いスズメ
ッキ層では、インナーリードとチップとを接続する際に
メッキダレを生じ短絡を形成することがある。このこと
から、スズメッキ層(a)３１の厚さは、通常は０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上、特に好ましくは０.
３μm以上であり、またこの層３１の厚さの上限は通常
は０.５μｍである。

【００３０】このようにして形成されたスズメッキ層
(a)３１に銅を拡散させることにより、ウィスカーの形
成を防止できる。スズメッキ層(a)３１に銅を拡散させ
る方法としては、このスズメッキ(a)３１を配線パター
ンと共に加熱する方法を挙げることができる。この際、
加熱温度は、通常は７０〜２００℃、好ましくは１００
〜１５０℃であり、加熱時間はスズメッキの厚さにもよ
るが、通常は３０秒〜１２０分、好ましくは３０分〜６
０分である。このように加熱することにより、形成当初
はスズからなり実質的に他の金属を含有していなかった
スズメッキ層(a)３１に銅が拡散して、この層(a)が、銅
拡散スズメッキ層(a)となる。この銅拡散スズメッキ層
(a)において、銅濃度は、配線パターンから層(a)表面に
向かって次第に低下するが、この層(a)の表面まで銅が
拡散しており、表面においても銅濃度は０％とはならな
い。

【００３１】なお、この銅拡散スズメッキ層(a)を形成
するための加熱は、必ずしもここで行うことは必要では
なく、次のソルダーレジストを塗布した後、ソルダーレ
ジスト２０の硬化のための加熱までの時間が短い場合に
は、ソルダーレジスト２０を硬化させる際に加熱しても
よい。この場合における加熱前のスズメッキ層(a)３１
は、銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１である。

【００３２】このように銅拡散スズメッキ層(a)３１あ
るいは銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１の上にソル
ダーレジスト２０を塗布する。このソルダーレジスト２
０としては、高い耐熱性を有する熱硬化性樹脂を使用す
ることが好ましく、通常はエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、ウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂が使用される
が、紫外線感光型のソルダーレジストを使用することも
できる。このようなソルダーレジストは、上記形成した
銅拡散（あるいは拡散し得る）スズメッキ層(a)３１お
よび絶縁フィルム１０に対して良好な接着性を示す。こ
のようなソルダーレジストは、例えばスクリーン印刷技
術を利用して、銅拡散（あるいは拡散し得る）スズメッ
キ層(a)の表面に塗布される。ただし、配線パターン３
０の電気的接合部およびその近傍は、このようなソルダ
ーレジスト２０は塗布されない。このソルダーレジスト
２０の塗布厚さは、通常は５〜５０μｍ、好ましくは、
１０〜４０μｍの範囲内にある。このような厚さにソル
ダーレジストを塗布することにより、物理的に配線パタ
ーンを保護すると共に、配線パターン間の電気的な絶縁
性をより確実なものとすることができる。

【００３３】こうしてソルダーレジストを塗布した後、
加熱硬化性樹脂の場合、このソルダーレジストを加熱し
て硬化させる。このソルダーレジストの硬化のための加
熱温度は、用いるソルダーレジストの種類によっても異
なるが、通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜
１６０℃であり、また、加熱時間は通常は４０分〜１８
０分、好ましくは６０分〜１２０分である。また、ソル
ダーレジスト中のボイド防止等のために、加熱温度を段
階的に上昇させる加熱工程（ステップキュア）によって
加熱してもよい。また、こうした加熱の際には、真空乾
燥法、赤外線乾燥法等を採用することができる。上記の
ようにキュアの際の加熱により、ソルダーレジスト２０
が充分に硬化すると同時に、スズメッキ層(a)３１もま
た加熱され、銅の拡散がさらに進行する。

【００３４】そして、上記ソルダーレジストを塗布する
前に加熱処理を行わなかった場合には、このソルダーレ
ジストを硬化させる際の加熱条件を、ソルダーレジスト
を硬化させるのに好適な条件にしてソルダーレジストを
硬化させた後、さらに、銅の拡散を促進させるための加
熱処理も連続して行うこともできる。上記のようにして
ソルダーレジスト２０を塗布して硬化させた後、本発明
ではソルダーレジスト２０が塗布されていない部分の配
線パターン表面（即ち端子部分）に再びスズメッキを施
す。

【００３５】このスズメッキ層(b)３３は実質的にスズ
以外の金属成分を含有しておらず、この点において上記
の銅拡散スズメッキ層(a)３１とは異なる。こうして形
成される純スズメッキ層(b)３３の厚さは、通常は０.０
１〜０.５μm、好ましくは０.１〜０.５μｍ、特に好ま
しくは０.１〜０.３μｍの範囲内にある。無電解メッキ
法によりこうした薄層の純スズメッキ層(b)３３を形成
することを本発明では特にフラッシュメッキと記載する
ことがある。この純スズメッキ層(b)３３の厚さを上記
範囲内にすることにより、確実なボンディングが可能と
なると共に、メッキダレを生ずることがなく、短絡が生
じにくい。

【００３６】なお、ソルダーレジストが、紫外線感光型
のフォトソルダーレジストである場合には、スクリーン
印刷技術を利用してスズメッキ層(a)の表面にソルダー
レジストを塗布した後、仮乾燥を行い、被覆する部分と
メッキする部分のパターンに露光して現像を行い、さら
にスズメッキ層(a)とフォトソルダーレジストとの密着
性を向上させるために加熱する。この際、加熱温度は、
通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１６０℃
であり、加熱時間は通常４０分〜１２０分、好ましくは
６０〜９０分である。

【００３７】純スズメッキ層(b)３３は、上記銅拡散ス
ズメッキ層(a)の表面であって、ソルダーレジスト２０
によって被覆されていない表面に形成される。すなわ
ち、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープに
おける配線パターンのソルダーレジストが塗布されてい
ない部分、殊にリード部分には、銅箔からなる配線パタ
ーン３０の表面に、銅拡散スズメッキ層(a)３１が形成
され、さらにこの銅拡散スズメッキ層(a)３１の表面に
は、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)３３、即
ち純スズメッキ層(b)３３が形成されている。

【００３８】上記銅からなる配線パターンの表面に形成
された銅拡散スズメッキ層(a)と実質的に銅を含有しな
い純スズメッキ層(b)との合計の厚さ[(a)+(b)]は、通常
は、０.０２〜０.６μｍの範囲、好ましくは０.２〜０.
６μｍの範囲内、特に好ましくは０.４〜０.５μｍの範
囲内にある。この純スズメッキ層(b)は形成直後は、他
の金属を含有していないほぼ純粋なスズメッキ層である
が、このスズメッキ層(b)の下層として存在するスズメ
ッキ層(a)が銅の拡散層であることから、加熱などによ
り、このスズメッキ層(b)の銅拡散スズメッキ層(a)に接
する面から銅の一部がスズメッキ層(b)に移行して銅・
スズ含有領域が形成される。この銅・スズ含有領域は、
表面に向かって銅の含有率が次第に低下して、やがて銅
の含有率がゼロになり、純スズメッキ層(b)に変化す
る。即ち、この銅・スズ含有領域について厚さ方向にお
ける銅濃度を測定すると、銅拡散スズメッキ層(a)の表
面と接合する部分における銅濃度が最も高く、銅拡散ス
ズメッキ層(a)から遠ざかるに従ってそのスズ濃度は低
くなり、やがて銅の含有率は０％となり、純スズメッキ
層(b)になる。

【００３９】このように銅・スズ含有領域を形成するこ
とにより、端子にえぐれ部が著しく形成されにくくなる
と共に、ホイスカーの発生を抑制することができる。こ
の純スズメッキ層(b)の厚さは、通常は０.０１〜０.５
μm、好ましくは０.１〜０.５μｍ、特に好ましくは０.
１〜０.３μｍの範囲内にある。この純スズメッキ層(b)
の厚さを上記範囲内にすることにより、確実なボンディ
ングが可能となると共に、メッキダレを生ずることがな
く、ホイスカーの発生をほぼ完全に防止することがで
き、短絡が生じにくい。

【００４０】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、上記のように、銅拡散スズメッキ層(a)、銅
・スズ含有領域および純スズメッキ層(b)を有してお
り、それぞれの層の厚さは、その作用効果を考慮して上
記範囲内で適宜設定することができる。銅拡散濃度が次
第に低下する銅・スズ含有領域の平均厚さが、通常は
０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０.１〜０.５μｍ、
特に好ましくは０.１〜０.３μｍの範囲内にあるまた、
このような本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープにおいて、銅拡散スズメッキ層(a)と、銅・スズ含
有領域と、純スズメッキ層(b)との合計の厚さは、通常
は０.０２〜０．６μｍの範囲内、好ましくは０.０３〜
０.６μｍの範囲内、特に好ましくは０.２〜０.６μｍ
の範囲内、更に好ましくは０.４〜０.５μｍの範囲内に
ある。このようにスズメッキ層を形成することにより、
ファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテー
プにおいてもボンディングの信頼性が高く、しかもこう
したスズメッキ層を形成することによりリードの機械的
強度が向上すると共に、ホイスカーの発生を完全に防止
することができ、短絡の発生率が著しく低下する。

【００４１】上記のようにフラッシュメッキにより薄層
の純スズメッキ層(b)３３を形成することにより、配線
パターンからのウィスカーの成長をほぼ完全に防止する
ことができる。また、この純スズメッキ層(b)３３は、
実質的にスズからなり、例えば金バンプ電極を有するデ
バイスを実装する際には、このスズと金とが共晶化合物
を形成してバンプ電極と配線パターン３０（リード）と
が、強固に、かつ確実に接合される。

【００４２】しかも、このフラッシュメッキにより純ス
ズメッキ層(b)を形成する際に、ソルダーレジストは、
銅拡散スズメッキ層(a)と強固に接合しており、銅拡散
スズメッキ層(a)３１とソルダーレジスト２０とが強固
に接着しているので、ソルダーレジスト２０の下面と、
銅拡散スズメッキ層(a)の上面との間にメッキ液等が浸
入することがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液
が浸入したとしても、配線パターン３０の表面は、銅拡
散スズメッキ層(a)３１で被覆されており銅は露出して
いないので、浸入したメッキ液による局部電池が形成さ
れることはなく、従って、本発明によれば、従来の電子
部品実装用フィルムキャリアテープに、スズメッキの際
のえぐれ部（孔蝕）３５などが生ずることがなく、リー
ド破断などが生じにくい。

【００４３】また、このようにフラッシュメッキによっ
て純スズメッキ層(b)３３を形成することにより、スズ
ウィスカーの生成をほぼ恒久的に防止することが可能に
なる。なお、この純スズメッキ層(b)３３には、銅拡散
スズメッキ層(a)３１とは異なり、加熱処理する必要は
ない。また、配線パターンの上には、銅拡散スズメッキ
層(a)３１が形成され、この銅拡散スズメッキ層(a)３１
には配線パターンからの銅が拡散しているので、短期間
であれば、この銅拡散スズメッキ層(a)３１によりウィ
スカーの成長は制御され、その後のソルダーレジストの
塗布およびフラッシュメッキによる純スズメッキ層(b)
３３の形成までにある程度の時間があっても電子部品実
装用フィルムキャリアテープの性能が低下することがな
い。従って、本発明によれば、製造工程の管理が容易に
なる。

【００４４】なお、この純スズメッキ層(b)３３は、通
常は１回のメッキ処理工程で製造されるがこの純スズメ
ッキ層(b)３３を形成するためにメッキ処理工程を複数
回に分けて行っても良い。従って、こうした場合には純
スズメッキ層(b)３３は複数のスズメッキ層の複合体と
なる。こうして本発明で採用されている銅拡散スズメッ
キ層(a)と純スズメッキ層(b)と銅拡散スズメッキ層(a)
から銅含有率が厚さ方向に向かって低下する銅・スズ含
有領域とを有するメッキ層と、従来のスズメッキ層と
は、Ｘ線回折法、ＡＥＳ分析法等を利用することにより
区別することができる。例えば、Ｘ線回折により、層中
におけるＣｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５とのＸ線回折強度を
測定すると、本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープにおけるメッキ層では通常は１：０.３〜０.５で
あるのに対して、従来のメッキ層では１：１〜１.５の
範囲内にある。また、ＡＥＳ分析によれば、本発明にお
けるメッキ層の表面近傍では、純スズメッキ層であるの
に対して、従来のメッキ層では、銅が表面付近まで拡散
していることが確認することができる。

【００４５】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、好適には上記の方法により形成されるもので
あり、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔をエッチ
ングして所望の配線パターンが形成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープであり、この配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅拡散スズメッキ
層(a)が形成されており、この配線パターンの端子部分
を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる
保護層が形成されていると共に、この端子部分には銅拡
散スズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を含有しない純
スズメッキ層(b)が形成されており、さらに、銅拡散ス
ズメッキ層の表面から銅濃度が表面に向かって低下する
銅・スズ含有領域が形成されているが、さらに、その特
性を損なわない範囲内で種々改変することができる。

【００４６】例えば、銅箔としては、銅箔だけでなく、
銅合金箔を用いることができるし、また、スズメッキ
は、純スズメッキであることが好ましいが、これらのス
ズメッキ層には、その特性を損なわない範囲内で他の金
属が含有されていてもよい。本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープには、上記のように配線パターン
のほぼ全面にわたって銅拡散スズメッキ層(a)とこの銅
拡散スズメッキ層(a)の端子部分の表面に純スズメッキ
層(b)が形成されており、さらに、端子部分に銅拡散ス
ズメッキ層(a)から純スズメッキ層(b)に向かって銅の含
有率が次第に低下する銅・スズ含有領域が形成されてい
る。

【００４７】この銅・スズ含有領域は、純スズメッキ層
(b)に向かって次第に銅濃度が低下するように、銅が含
有されている。この銅・スズ含有領域は、銅拡散スズメ
ッキ層(a)にメッキされた純スズメッキ層(b)に、この銅
拡散スズメッキ層(a)からの銅あるいは配線パターン中
の銅に移行することにより、純スズメッキ層(b)と連続
的に形成されている。この銅・スズメッキ領域における
銅は、銅拡散スズメッキ層(a)中の銅あるいは配線パタ
ーン中の銅が、主として銅拡散スズメッキ層(a)の銅が
移行したものであり、この銅・スズ領域における銅濃度
は、銅拡散スズメッキ層(a)における銅濃度よりも低い
のが一般的である。

【００４８】

【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープによれば、配線パターンからのウィスカーの成
長をほぼ完全に防止することができると共に、バンプ電
極と配線パターンとが、強固に、かつ確実に接合され
る。さらに、本発明によれば、ソルダーレジストの下面
と、スズメッキ層(a)のとの間にメッキ液等が浸入する
ことがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入
したとしても、配線パターンの表面は、スズメッキ層
(a)で被覆されており銅は露出していないので、従来の
ＴＡＢテープにおけるスズメッキの際のえぐれ部（孔
蝕）３５などが生ずることがなく、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープリードは破断などが生じに
くい。

【００４９】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープでは、ウィスカーが成長しにくい。特に銅
・スズ含有領域を形成した本発明の第２の電子部品実装
用フィルムキャリアテープはえぐれ部の発生をほぼ完全
に防止することができると共に、ホイスカーの発生もほ
ぼ恒久的に防止することができる。

【００５０】そして、本発明の製造方法によれば、製造
中にウィスカーが成長することがないので、製造工程の
管理が容易になる。

【００５１】

【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定される
ものではない

【００５２】

【実施例１】ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅
箔からなる配線パターンを形成した。このキャリアテー
プの配線パターンの全面に厚さ０.０４μｍのスズメッ
キ層を形成し、次いで、この配線パターンのリード部分
を残してソルダーレジストを塗布し、８０℃で４５分間
加熱し、さらに８秒間露光し、４０秒間現像した後、１
５０℃で６０分間加熱してソルダーレジストを完全に硬
化させ、この感熱硬化の際に配線パターン中の銅がこの
スズメッキ層に拡散して銅拡散スズメッキ層(a)が形成
された。

【００５３】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、リード部分に０.４０μｍの厚さのスズメッキ層を
形成し、感熱することにより、銅拡散スズメッキ層(a)
中の銅の一部及び配線パターン中の銅がこの形成された
スズメッキ層に移行して厚さ０．１９μmの厚さで、銅
・スズ含有領域が形成された。従って、この電子部品実
装用フィルムキャリアテープにおける純スズメッキその
厚さは、０．２１μmである。

【００５４】この電子部品実装用フィルムキャリアテー
プにおける銅拡散スズメッキ層(a)、銅・スズ含有領域
および純スズメッキ層(b)の合計の厚さは０．４４μmで
ある。なお、本発明におけるスズメッキ層の合計の厚さ
は蛍光Ｘ銭膜厚測定装置を用いて測定した。

【００５５】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキ液の潜り込み現象も見られなかっ
た。さらに、こうして形成されたリード部からのウィス
カーの成長は見られなかった。

【００５６】また、コクール膜厚測定装置を用いて測定
した純スズメッキ層の厚さは、０．２１μｍであり、蛍
光Ｘ線膜厚測定装置を用いて測定した銅拡散スズメッキ
層(a)、銅・スズ含有領域および純スズメッキ層(b)の合
計の厚さは、０．４４μｍであり、また上述のように銅
拡散スズメッキ層の厚さは０.０４μmであるから、銅・
スズ含有拡散領域の厚さは０．１９μｍである。

【００５７】なお、このコクール膜厚測定装置は、スズ
メッキ層の所定面積に電解液を滴下して電解し、電位が
上昇した時点で電解を停止し、このときの単位面積あた
りの通電量からスズ量を算定し、測定した面積とスズの
比重から純スズメッキ層の厚さを算定する装置である。
上記のようにして得られた電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにはえぐれ部は発生しておらず、またこの電
子部品実装用フィルムキャリアテープにはホイスカーは
発生しかなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにおけるリード部分の断面の例を示す断面図
である。

【図２】図２は、従来の電子部品実装用電子部品実装用
フィルムキャリアテープにおけるリード部分の断面の例
を示す断面図である。

【図３】図３は、えぐれ部が形成されるメカニズムを説
明するための図である。

【符号の説明】

１０・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤層 ２０・・・ソルダーレジスト ３０・・・配線パターン（銅箔） ３１・・・銅が拡散したスズメッキ層(a)（銅拡散スズ
メッキ層(a)） ３３・・・実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)
（純スズメッキ層(b)）

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔を
   エッチングして所望の配線パターンが形成された電子部
   品実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パター
   ンのほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散した
   スズメッキ層(a)が形成されており、該配線パターンの
   端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体
   からなる保護層が形成されており、該端子部分には、銅
   が拡散したスズメッキ層(a)と、実質的に銅を含有しな
   いスズメッキ層(b)とが形成されており、該銅が拡散し
   たスズメッキ層(a)表面から実質的に銅を含有しないス
   ズメッキ層(b)の表面向かって銅拡散濃度が次第に低下
   する銅・スズ含有領域が実質的に銅を含有しないスズメ
   ッキ層(b)と連続して形成されていることを特徴とする
   電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
2. 【請求項２】 上記銅が拡散したスズメッキ層(a)の平
   均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にあることを特
   徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキ
   ャリアテープ。
3. 【請求項３】 上記実質的に銅を含有しないスズメッキ
   層(b)平均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にある
   ことを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フ
   ィルムキャリアテープ。
4. 【請求項４】 上記銅からなる配線パターンの表面に形
   成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と、銅・スズ含
   有領域と、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)と
   の合計の厚さが、０.０２〜０.６μｍの範囲内にあるこ
   とを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィ
   ルムキャリアテープ。
5. 【請求項５】 絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔を
   エッチングして所望の配線パターンを形成し、該形成さ
   れたパターンのほぼ全体にスズメッキをし、該配線パタ
   ーンの端子部分を除く所定の部分にソルダーレジストを
   塗布して硬化させ、該ソルダーレジストが硬化した後、
   配線パターンの端子部分に再びスズメッキを行う工程を
   有する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
   法であって、 該端子部分に、銅が拡散したスズメッキ層(a)と、実質
   的に銅を含有しないスズメッキ層とを形成する共に、該
   銅が拡散したスズメッキ層(a)表面から実質的に銅を含
   有しないスズメッキ層(b)の表面に向かって銅拡散濃度
   が次第に低下する銅・スズ含有領域を実質的に銅を含有
   しないスズメッキ層(b)と連続するように形成すること
   を特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの
   製造方法。
6. 【請求項６】 上記配線パターン全体に銅が拡散するス
   ズメッキ層(a)を、無電解スズメッキにより形成した
   後、ソルダーレジストを塗布する前に、８０〜１５０℃
   に配線パターンを加熱することを特徴とする請求項第５
   項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造
   方法。
7. 【請求項７】 上記スズメッキ層(a)の平均厚さが０.０
   １〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
   第５項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
   製造方法。
8. 【請求項８】 上記実質的に銅を含有しないスズメッキ
   層(b)の平均厚さが、０．０１〜０．５μｍの範囲内に
   あることを特徴とする請求項第５項記載の電子部品実装
   用フィルムキャリアテープの製造方法。
9. 【請求項９】 上記銅拡散濃度が次第に低下する銅・ス
   ズ含有領域の平均厚さが、０．０１〜０．５μｍの範囲
   内にあることを特徴とする請求項第５項記載の電子部品
   実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
10. 【請求項１０】 上記銅からなる配線パターンの表面に
    形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と銅・スズ含
    有領域と実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)との
    合計の厚さが、０.０２〜０.６μｍの範囲内にあること
    を特徴とする請求項第５項記載の電子部品実装用フィル
    ムキャリアテープの製造方法。
11. 【請求項１１】 上記銅拡散濃度が次第に低下する銅・
    スズ含有領域銅における平均銅濃度が、銅が拡散したス
    ズメッキ層(a)における平均銅濃度よりも低いことを特
    徴とする請求項第５項記載の電子部品実装用フィルムキ
    ャリアテープの製造方法。