JP2001139508A - 光学活性含弗素ビナフトール誘導体 - Google Patents
光学活性含弗素ビナフトール誘導体Info
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Abstract
斉合成において可能とし、不斉触媒等として有用な、新
規な光学活性ビナフトール誘導体と、これを用いた不斉
触媒並びに不斉合成法を提供する。 【解決手段】 次式(I) 【化1】 (式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を
示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導体
とする。
Description
含弗素ビナフトール誘導体に関するものである。さらに
詳しくは、反応収率、光学選択性ともに優れた不斉触媒
等として有用な、新しい光学活性含弗素ビナフトール誘
導体と、これを用いた不斉金属触媒、さらにはこの不斉
金属触媒を用いた不斉合成方法に関するものである
に用いられる有機化合物の合成法として不斉合成法が注
目されている。そして、この不斉合成のための触媒、あ
るいは反応促進剤を構成するものとして、光学活性なビ
ナフトール類が知られてもいる。
合物との反応によって不斉金属錯体を構成したもの等が
知られている。しかしながら、これまでに提案されてい
る光学活性ビナフトール類、たとえばハロゲン置換され
たビナフトール類等の場合には、これを不斉合成反応に
用いた場合、反応収率と光学収率(選択性)の向上は容
易ではなく、実用上の支障となっていた。
の従来技術の問題を解消し、より高い反応収率と光学収
率(選択性)を不斉合成反応において可能とし、不斉触
媒等として有用な、新規な光学活性ビナフトール誘導体
と、これを用いた不斉触媒並びに不斉合成法を提供する
ことを課題としている。
の課題を解決するものとして、第1には、次式(I)
炭化水素基を示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフ
トール誘導体を提供し、第2には、R1 およびR2 の弗
素化炭化水素基はパーフルオロアルキル基である上記の
光学活性含弗素ビナフトール誘導体を提供する。
第1または第2の発明の光学活性含弗素ビナフトール誘
導体の製造方法であって、次式(II)
護基をを示す)で表わされる光学活性ハロゲン化ビナフ
トール誘導体のハロゲン原子(X)を弗素化炭化水素基
により置換反応させ、次いで保護基(R)を脱離させる
ことを特徴とする光学活性含弗素ビナフトール誘導体の
製造方法を提供する。
または第2の発明の光学活性含弗素ビナフトール誘導体
と金属とを含有することを特徴とする不斉金属触媒を提
供し、第5には、金属は、ホウ素、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ランタノイド元素、ガリウム、ビス
マス、ケイ素およびスズの群より選択された少くとも1
種の元素である不斉金属触媒を提供する。
記第4または第5の発明の不斉金属触媒を用いて炭素−
炭素結合を形成させることを特徴とする不斉有機合成方
法を提供する。
特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。
(I)で表される光学活性含弗素ビナフトール誘導体が
提供されるが、この誘導体では式(I)において符号R
1 およびR2 は、弗素化炭化水素基であって、炭化水素
基の水素原子が弗素原子により置換された状態のものを
示している。なかでも炭化水素基は、飽和または不飽和
の脂肪族炭化水素基であって、この発明の弗素化炭化水
素基は、これらが弗素原子により置換されたものとして
例示することができる。そして特にこの発明において
は、弗素化炭化水素基としてはパーフルオロアルキル基
が具体的に好適なものとして示される。たとえば−CF
3 、−C2 F5 、−C2 F3 、−C3 F7等である。
タレン環の各種の位置に結合していてもよいが、より代
表的なものとしては、6,6′−あるいは3,3′−の
対称的な位置に結合しているもの等が例示さる。
フトール誘導体においては、前記式においては示されて
はいないが、所望の置換基をナフタレン環に結合してい
てもよい。
基は、一つのナフタレン環の複数箇所に結合されていて
もよい。そして、以上のようなこの発明の光学活性含弗
素ビナフトール誘導体は、前記のとおり、式(II)とし
て表わされるハロゲン化ビナフトール誘導体の置換反応
等によって製造することができる。
明においては、次式
α,α)−トリフルオロメチル−2,2′−ジヒドロキ
シ−1,1′−ビナフチル(化合物1)が提供される
が、このものは、たとえば次式の反応式
基による置換反応として製造することができる。同様の
方法によって、たとえば次式
α,α)−トリフルオロメチル−2,2′−ジヒドロキ
シ−1,1′−ビナフチル(化合物5)を製造すること
もできる。
ナフトール誘導体は、市販品あるいは公知の方法により
容易に入手できるものである。この場合、保護膜(R)
は、必要でなければ、−OH基のままの化合物を出発物
質としてもよいことは言うまでもない。置換反応は、以
上の方法に限られることなく各種の方法であってよい。
おいては、メトキシメチル基を保護基(R)としている
が、これは各種のものであってよい。また、出発物質と
してのジヨード置換体は、対応するジブロモビナフトー
ルより合成することができる。なお、反応の詳細な例は
実施例として説明する。
この発明の光学活性含弗素ビナフトール誘導体は、不斉
合成における不斉補助基や不斉配位子として有効に用い
られる。より具体的には、この発明によって、光学活性
含弗素ビナフトール誘導体と金属とを含有する不斉触媒
が提供される。この場合の金属としては、たとえばホウ
素;アルミニウム;チタン;ジルコニウム:スカンジウ
ム、イッテルビウム、ランタン等のランタノイド元素;
ガリウム;ビスマス;ケイ素;スズ等が考慮される。こ
れらの金属元素は、ハロゲン化物、アルコキシド、錯体
等の形態において前記の光学活性含弗素ビナフトール誘
導体と溶媒中において混合ないしは反応されることで不
斉金属触媒を構成することができる。
位子化合物や活性化合物を含有させてもよい。たとえば
アミン類、イミダゾール類、ホスフィン類等である。こ
のような不斉金属触媒は、たとえばアルドール縮合、デ
ィールズ、アルダー反応、アルキル化、アリル化等の反
応によって炭素−炭素結合を形成することによる不斉合
成反応等に有効に使用することができる。不斉合成の反
応収率、そして光学収率、選択性は極めて大きなものと
なる。
この発明の実施の形態について説明する。
6,6′−(α,α,α)−トリフルオロメチル−2,
2′−ジヒドロキシ−1,1′−ビナフチルを次の反応
式に従って合成した。
ロモ−2,2′−ジ(メトキシメチル)オキシ−1,
1′−ビナフチルの合成 油懸濁状の水素化ナトリウム(60%;9.0g、22
5mmol)を石油エーテルにより洗浄し、乾燥させた
のち無水テトラヒドロフラン(150ml)を加える。
これを0℃に冷却し、(R)−6,6′−ジブロモ−
2,2′−ジヒドロキシ−1,1′−ビナフチル(化合
物2;10g、22.5mmol)の無水テトラヒドロ
フラン溶液(可溶量)を滴下する。滴下終了後そのまま
の温度で1時間攪拌し、クロロメチルメチルエーテル
(17.1ml、225mmol)を加える。この混合
液を室温下、TLCにより原料である化合物2が確認で
きなくなるまで攪拌する。少量のメタノールを加え反応
を停止し、酢酸エチルと飽和塩化アンモニウム水溶液を
加え分配し、有機層を水と飽和食塩水で洗浄する。有機
層を無水硫酸マグネシウムで十分に乾燥し、濃縮後塩化
メチレンから再結晶すると化合物3がほぼ定量的(1
1.7g)に得られる。
ード−2,2′−ジ(メトキシメチル)オキシ−1,
1′−ビナフチルの合成 化合物3(8.75g、16.4mmol)を無水テト
ラヒドロフラン(80ml)に溶解させ、これに約1.
5Mのn−ブチルリチウム/ヘキサン溶液(32ml、
49.2mmol)を−78℃でゆっくり滴下する。滴
下終了後30分間攪拌し、これにヨウ素(12.5g、
49.2mmol)のテトラヒドロフラン(10ml)
溶液を滴下する。反応溶液を徐々に室温付近にまで昇温
しながら約12時間攪拌する。注意深く水を加え反応を
停止させ、同体積の亜硫酸水素ナトリウム10%水溶液
を加えしばらく攪拌する。有機層が黄色透明になったら
これを分離し、飽和重曹水、水、飽和食塩水で順次洗浄
する。無水硫酸マグネシウムで十分に乾燥し、濃縮後シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製すると化
合物4が得られる(7.33g、71%)。
(α,α,α)−トリフルオロメチル−2,2′−ジヒ
ドロキシ−1,1′−ビナフチルの合成 D.J.Burtonらの方法(J. Am. Chem. Soc. 1985, 107, 5
014-5015、J. Am. Chem. Soc. 1986, 108, 832-834)に
よりトリフルオロメチル銅試薬を大過剰量調製し、これ
に化合物4(360mg、0.57mmol)(注1)
を加え、80℃で12時間攪拌する。反応混合物にベン
ゼン(50ml)と水(50ml)を加え、一昼夜攪拌
し分配する。有機層を分離し、さらに水と飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。濃縮後カラム
クロマトグラフィー(ベンゼン:ヘキサン=1:1)に
より精製し、(R)−6,6′−(α,α,α)−トリ
フルオロメチル−2,2′−ジ(メトキシメチル)オキ
シ−1,1′−ビナフチルを得る(296.5mg、9
8%)。これを塩化メチレン(5ml)とメタノール
(5ml)に溶解し、0℃下TLCにより反応の進行を
確認しながら無水塩酸−メタノール溶液を加える。原料
が消失したら水と塩化メチレンで稀釈、分配する。有機
層を飽和重曹水、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫
酸ナトリウムにより乾燥させたのち、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製すると化合物1が得られ
る(定量的)。
−3,3′−(α,α,α)−トリフルオロメチル−
2,2′−ジヒドロキシ−1,1′−ビナフチルを次の
反応式に従って合成した。
(メトキシメチル)オキシ−1,1′−ビナフチルの合
成 油懸濁状の水素化ナトリウム(60%;14g、350
mmol)を石油エーテルにより洗浄し、乾燥させたの
ち無水テトラヒドロフラン(200ml)を加える。こ
れを0℃に冷却し、(R)−2,2′−ジヒドロキシ−
1,1′−ビナフチル(化合物6;10g、35mmo
l)の無水テトラヒドロフラン溶液(可溶量)を滴下す
る。滴下終了後そのままの温度で1時間攪拌し、クロロ
メチルエーテル(26.6mmol、350mmol)
を加える。この混合液を室温下、TLCにより原料であ
る化合物6が確認できなくなるまで攪拌する。少量のメ
タノールを加え反応を停止し、酢酸エチルと飽和塩化ア
ンモニウム水溶液を加え分配し、有機層を水と飽和食塩
水で洗浄する。有機層を無水硫酸マグネシウムで十分に
乾燥し、濃縮後塩化メチレンから再結晶すると化合物7
がほぼ定量的(13g)に得られる。
ード−2,2′−ジ(メトキシメチル)オキシ−1,
1′−ビナフチルの合成 化合物7(6.48g、17.3mmol)を無水エー
テル(200ml)に溶解させ、これに約1.5Mのn
−ブチルリチウム/ヘキサン溶液(33ml、49.5
mmol)を0℃で滴下する。滴下終了後室温下で3時
間攪拌し、これを再び0℃に冷却したのちヨウ素(1
2.3g、49.5mmol)のテラヒドロフラン(1
0ml)溶液を滴下する。反応容器を徐々に室温付近に
まで昇温しながら約12時間攪拌する。注意深く水を加
え反応を停止させ、同体積の亜硫酸水素ナトリウム10
%水溶液を加えしばらく攪拌する。有機層が黄色透明に
なったらこれを分離し、飽和重曹水、水、飽和食塩水で
順次洗浄する。無水硫酸マグネシウムで十分に乾燥し、
濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
すると化合物8が得られる(8.74g、80%)。
(α,α,α)−トリフルオロメチル−2,2′−ジヒ
ドロキシ−1,1′−ビナフチルの合成 D.J.Burtonらの方法(J. Am. Chem. Soc. 1985, 107, 5
014-5015、J. Am. Chem. Soc. 1986, 108, 832-834)に
よりトリフルオロメチル銅試薬を大過剰量調製し、これ
に化合物8(360mg、0.57mmol)を加え、
80℃で12時間攪拌する。反応混合物にベゼン(50
ml)と水(50ml)を加え、一昼夜攪拌し分配す
る。有機層を分離し、さらに水と飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥する。濃縮後カラムクロマト
グラフィー(ベンゼン:ヘキサン=1:1)により精製
し、(R)−6,6′−(α,α,α)−トリフルオロ
メチル−2,2′−ジ(メトキシメチル)オキシ−1,
1′−ビナフチルを得る。これを塩化メチレン(5m
l)とメタノール(5ml)に溶解し、0℃下TLCに
より反応の進行を確認しながら無水塩酸−メタノール溶
液を加える。原料が消失したら水と塩化メチレンで稀
釈、分配する。有機層を飽和重曹水、水、飽和食塩水で
順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにより乾燥させたの
ち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製す
ると化合物5が得られる。
合物1:(R)−6,6′−(α,α,α)−トリフル
オロメチル−2,2′−ジヒドロキシ−1,1′−ビナ
フチル、ジルコニウムとの不斉金属触媒の成分として用
い、次の反応式に沿って、触媒的不斉Mannich 型反応を
行い、アミノカルボン誘導体を合成した。
−ブトキシド(0.025mmol)の塩化メチレン溶
液(0.25ml)を化合物1(23.2mg、0.0
55mmol)と1−メチルイミダゾール(2.5m
g、0.030mmol)の塩化メチレン溶液(0.5
ml)に加え、室温下で1時間攪拌し、光学活性ジルコ
ニウム触媒の塩化メチレン溶液を調製した。この触媒溶
液を−78℃に冷却し、N−ベンジリデン−2−ヒドロ
キシアニリン(49.5mg、0.25mmol)と1
−メトキシ−1−トリメチルシリルオキシ−2−メチル
−プロペン(52.3mg、0.30mmol)の塩化
メチレン溶液(1.0ml)を加えた。20時間後飽和
重曹水で反応を停止し、有機層を塩化メチレンで抽出し
た。これを濃縮し、希塩酸/テトラヒドロフラン溶液を
加え0℃下1時間攪拌した。再び飽和重曹水で反応を停
止させ、常法に従い後処理を施し、前記反応式に示した
生成物を得た(73.0mg、収率97%)。得られた
生成物を光学活性カラムを装着させた高速液体クロマト
グラフィーを用いて光学純度を測定したところ、91%
の(R)体過剰率であることが明かとなった。
発明によって、より高い反応収率と光学収率(選択性)
を不斉合成において可能とし、不斉触媒等として有用
な、新規な光学活性ビナフトール誘導体と、これを用い
た不斉触媒並びに不斉合成法を提供することができる。
Claims (6)
- 【請求項1】 次式(I) 【化1】 (式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を
示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導
体。 - 【請求項2】 R1 およびR2 の弗素化炭化水素基はパ
ーフルオロアルキル基である請求項1の光学活性含弗素
ビナフトール誘導体。 - 【請求項3】 請求項1または2の光学活性含弗素ビナ
フトール誘導体の製造方法であって、次式(II) 【化2】 (式中のXはハロゲン原子を示し、Rは保護基を示す)
で表される光学活性ハロゲン化ビナフトール誘導体のハ
ロゲン原子(X)を弗素化炭化水素基により置換反応さ
せ、次いで保護基(R)を脱離させることを特徴とする
光学活性含弗素ビナフトール誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1または2の光学活性含弗素ビナ
フトール誘導体と金属とを含有することを特徴とする不
斉金属触媒。 - 【請求項5】 金属は、ホウ素、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ランタノイド元素、ガリウム、ビス
マス、ケイ素およびスズの群より選択された少くとも1
種の元素である請求項4の不斉金属触媒。 - 【請求項6】 請求項4または5の不斉金属触媒を介し
て炭素−炭素結合を形成させることを特徴とする不斉有
機合成方法。
Priority Applications (5)
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