JP2001137657A - 排ガス処理装置及び処理方法 - Google Patents
排ガス処理装置及び処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば都市ゴミ焼却炉等から排出される排排
ガス中に含有されるダイオキシン類等のハロゲン化芳香
族化合物等の有害物質の環境ホルモンを無害化するため
の排ガス処理装置及び処理方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出さ
れる排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理装置であ
って、排ガス１１中の煤塵を集塵する前段側バグフィル
タ１２と、該前段側バグフィルタ１２の後流側に設けて
なり、中和剤１３の導入により中和反応により脱硫及び
脱塩処理すると共に排ガス１１中の煤塵を集塵する後段
側バグフィルタ１４とを一体化してなり、煤塵を含んだ
排ガスの一部を後段側バグフィルタに逃がすようにした
ものである。
ガス中に含有されるダイオキシン類等のハロゲン化芳香
族化合物等の有害物質の環境ホルモンを無害化するため
の排ガス処理装置及び処理方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出さ
れる排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理装置であ
って、排ガス１１中の煤塵を集塵する前段側バグフィル
タ１２と、該前段側バグフィルタ１２の後流側に設けて
なり、中和剤１３の導入により中和反応により脱硫及び
脱塩処理すると共に排ガス１１中の煤塵を集塵する後段
側バグフィルタ１４とを一体化してなり、煤塵を含んだ
排ガスの一部を後段側バグフィルタに逃がすようにした
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば都市ゴミ焼
却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉、
熱分解炉、溶融炉等から排出される排ガスを浄化する技
術に関し、特に排ガス中に含有される窒素酸化物やダイ
オキシン類等のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度
芳香族炭化水素，環境ホルモンを無害化するための排ガ
ス処理装置及び処理方法に関する。
却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉、
熱分解炉、溶融炉等から排出される排ガスを浄化する技
術に関し、特に排ガス中に含有される窒素酸化物やダイ
オキシン類等のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度
芳香族炭化水素，環境ホルモンを無害化するための排ガ
ス処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【背景技術】例えば都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却
炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉から排出される排ガス中
には、塩化水素（ＨＣｌ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、窒
素酸化物（ＮＯｘ）の他、ダイオキシン類やＰＣＢ類に
代表される有害なハロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳
香族炭化水素、環境ホルモン等の有害物質が含有され、
人体や動植物に被害をもたらし、自然環境を破壊するも
のとして、深刻な社会問題化している。
炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉から排出される排ガス中
には、塩化水素（ＨＣｌ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、窒
素酸化物（ＮＯｘ）の他、ダイオキシン類やＰＣＢ類に
代表される有害なハロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳
香族炭化水素、環境ホルモン等の有害物質が含有され、
人体や動植物に被害をもたらし、自然環境を破壊するも
のとして、深刻な社会問題化している。
【０００３】従来の都市ごみ焼却施設における排ガス処
理の一例を、図７及び図８に示す。図７に示すように、
従来の排ガス処理システムは、被処理物であるゴミ１０
０を焼却処理する都市ゴミ焼却炉１０１と、該焼却炉１
０１から排出される高温（７５０〜９５０℃）の排ガス
１１を水噴霧等によって約２００℃まで冷却するガス冷
却装置１０２と、排ガス１１中の塩化水素（ＨＣｌ）、
硫黄酸化物（ＳＯｘ）等の有害物質の脱硫及び脱塩処理
を行う反応塔１０３と、排ガス１１中の煤塵を濾布で濾
過集塵するバグフィルタ１０４と、浄化された排ガスを
誘引送風機１０５を介して外部排出する煙突１０６とか
ら構成されている。この排ガス浄化システムによれば、
反応塔１０３で中和した後、バグフィルタ１０４で排ガ
ス中の煤塵を除き、排ガス１１中の有害物質を濾布表面
で捕集して除くことができ、この際排ガス中の有害物質
も同時に捕集することで、煤塵や有害物質の除去が行わ
れている。
理の一例を、図７及び図８に示す。図７に示すように、
従来の排ガス処理システムは、被処理物であるゴミ１０
０を焼却処理する都市ゴミ焼却炉１０１と、該焼却炉１
０１から排出される高温（７５０〜９５０℃）の排ガス
１１を水噴霧等によって約２００℃まで冷却するガス冷
却装置１０２と、排ガス１１中の塩化水素（ＨＣｌ）、
硫黄酸化物（ＳＯｘ）等の有害物質の脱硫及び脱塩処理
を行う反応塔１０３と、排ガス１１中の煤塵を濾布で濾
過集塵するバグフィルタ１０４と、浄化された排ガスを
誘引送風機１０５を介して外部排出する煙突１０６とか
ら構成されている。この排ガス浄化システムによれば、
反応塔１０３で中和した後、バグフィルタ１０４で排ガ
ス中の煤塵を除き、排ガス１１中の有害物質を濾布表面
で捕集して除くことができ、この際排ガス中の有害物質
も同時に捕集することで、煤塵や有害物質の除去が行わ
れている。
【０００４】上記反応塔１０３では、中和剤として消石
灰（Ｃａ（ＯＨ）2 ）の粉末を相当量噴霧し、排ガスの
酸性成分である塩化水素（（ＨＣｌ）、硫黄酸化物（Ｓ
Ｏｘ）を中和し、その後、煤塵や中和された反応生成物
（ＣａＣｌ2 ，ＣａＳＯ4 ）がバグフィルタ１０４内に
装備した濾布によって集塵されている。また、反応塔１
０３内で反応しなかった未反応の酸性成分や未反応の消
石灰、あるいは、ダイオキシン類、重金属類もバグフィ
ルタ１０４内で除去されている。
灰（Ｃａ（ＯＨ）2 ）の粉末を相当量噴霧し、排ガスの
酸性成分である塩化水素（（ＨＣｌ）、硫黄酸化物（Ｓ
Ｏｘ）を中和し、その後、煤塵や中和された反応生成物
（ＣａＣｌ2 ，ＣａＳＯ4 ）がバグフィルタ１０４内に
装備した濾布によって集塵されている。また、反応塔１
０３内で反応しなかった未反応の酸性成分や未反応の消
石灰、あるいは、ダイオキシン類、重金属類もバグフィ
ルタ１０４内で除去されている。
【０００５】上記の処理においては、排ガス中の煤塵
（微細な焼却灰）、酸性物質と中和剤の反応生成物、未
反応の中和剤、重金属類、ダイオキシン類等の混合物が
バグフィルタ１０４の捕集灰（飛灰）として捕集され
る。この捕集された飛灰１０７は、逆洗浄作用により払
いおとされ、その後セメント固化剤で固化処理等を行
い、焼却灰１０８と共に埋立て処分している。
（微細な焼却灰）、酸性物質と中和剤の反応生成物、未
反応の中和剤、重金属類、ダイオキシン類等の混合物が
バグフィルタ１０４の捕集灰（飛灰）として捕集され
る。この捕集された飛灰１０７は、逆洗浄作用により払
いおとされ、その後セメント固化剤で固化処理等を行
い、焼却灰１０８と共に埋立て処分している。
【０００６】しかしながら、この飛灰１０７は水溶性の
塩類、重金属類を含んでいるので、セメント固化して
も、固化物が水によって脆くなったり、あるいは水に塩
類、重金属類が溶解し、環境汚染につながるという、問
題がある。また、近年では、焼却灰を埋立て処分する敷
地の確保が困難になってきている状況から、飛灰を焼却
灰と共に溶融処理する方法が注目されている。この溶融
処理するときには、飛灰１０７に含まれている塩類や重
金属類は再度揮散してダストが発生するうえに塩化物が
分解してＨＣｌを発生する、という問題がある。
塩類、重金属類を含んでいるので、セメント固化して
も、固化物が水によって脆くなったり、あるいは水に塩
類、重金属類が溶解し、環境汚染につながるという、問
題がある。また、近年では、焼却灰を埋立て処分する敷
地の確保が困難になってきている状況から、飛灰を焼却
灰と共に溶融処理する方法が注目されている。この溶融
処理するときには、飛灰１０７に含まれている塩類や重
金属類は再度揮散してダストが発生するうえに塩化物が
分解してＨＣｌを発生する、という問題がある。
【０００７】このことから、飛灰の煤塵（微細な焼却
灰）と中和剤との反応生成物等を分別して捕集し、煤塵
は溶融処理し、中和剤との反応生成物はセメント固化等
で処理することが提案されている（特公平７−１０３９
８０号公報参照）。この提案では、図８に示すように、
従来の集塵手段であるバグフィルタを反応塔１０３を介
して第１段目のバグフィルタ１０４Ａと、第２段目のバ
グフィルタ１０４Ｂとの二段に設けるものである。この
提案によれば、第１段目のバグフィルタ１０４Ａでは煤
塵のみを含有する灰１０９を捕集し、第２段目バグフィ
ルタ１０４Ｂでは排ガス中の酸性成分の中和生成物（Ｃ
ａＣｌ2 ，ＣａＳＯ4 ）、未反応消石灰、重金属類等を
含有する飛灰１０７を捕集するようにしている。このよ
うに灰を分別捕集するので、反応生成物（ＣａＣｌ2 ，
ＣａＳＯ4 ）を含まない灰１０９は溶融処理でき、ま
た、中和後の灰処理の容積の低減を図っている。
灰）と中和剤との反応生成物等を分別して捕集し、煤塵
は溶融処理し、中和剤との反応生成物はセメント固化等
で処理することが提案されている（特公平７−１０３９
８０号公報参照）。この提案では、図８に示すように、
従来の集塵手段であるバグフィルタを反応塔１０３を介
して第１段目のバグフィルタ１０４Ａと、第２段目のバ
グフィルタ１０４Ｂとの二段に設けるものである。この
提案によれば、第１段目のバグフィルタ１０４Ａでは煤
塵のみを含有する灰１０９を捕集し、第２段目バグフィ
ルタ１０４Ｂでは排ガス中の酸性成分の中和生成物（Ｃ
ａＣｌ2 ，ＣａＳＯ4 ）、未反応消石灰、重金属類等を
含有する飛灰１０７を捕集するようにしている。このよ
うに灰を分別捕集するので、反応生成物（ＣａＣｌ2 ，
ＣａＳＯ4 ）を含まない灰１０９は溶融処理でき、ま
た、中和後の灰処理の容積の低減を図っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示す提案の場合においては、反応塔１０３を介して同様
なバグフィルタを２台設けているので、システム構成が
大がかりとなるという問題がある。さらに、第２段目の
バグフィルタ１０４Ｂではダイオキシン類がほとんど除
去できないという問題がある。この理由は煤塵中にはダ
イオキシン類を吸着できるダスト成分や多孔質無機成分
が含まれているが、これを第１段目バグフィルタ１０４
Ａで完全に除去してしまうので、第２段目バグフィルタ
１０４Ｂでダイオキシン類を吸着するための吸着ケーキ
層がバグフィルタ本体の表面に形成出来なくなるという
問題があり、この結果ダイオキシン類の除去効率が低下
する、という問題がある。
示す提案の場合においては、反応塔１０３を介して同様
なバグフィルタを２台設けているので、システム構成が
大がかりとなるという問題がある。さらに、第２段目の
バグフィルタ１０４Ｂではダイオキシン類がほとんど除
去できないという問題がある。この理由は煤塵中にはダ
イオキシン類を吸着できるダスト成分や多孔質無機成分
が含まれているが、これを第１段目バグフィルタ１０４
Ａで完全に除去してしまうので、第２段目バグフィルタ
１０４Ｂでダイオキシン類を吸着するための吸着ケーキ
層がバグフィルタ本体の表面に形成出来なくなるという
問題があり、この結果ダイオキシン類の除去効率が低下
する、という問題がある。
【０００９】本発明は、上記問題に鑑み、排ガス中のダ
イオキシン類等の有害物質の処理を高効率でしかもコン
パクトな構成で処理することができる排ガス処理装置及
び処理方法を提供することを課題とする。
イオキシン類等の有害物質の処理を高効率でしかもコン
パクトな構成で処理することができる排ガス処理装置及
び処理方法を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の［請求項１］の排ガス処理装置の発明は、焼却炉，
熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガス中の有害物質
を除去する排ガス処理装置であって、排ガス中の煤塵を
集塵する前段側バグフィルタと、該前段側バグフィルタ
の後流側に設けてなり、中和剤の導入により中和反応で
脱硫及び脱塩処理すると共に集塵する後段側バグフィル
タとを一体化してなり、煤塵を含んだ排ガスの一部を集
塵せずに後段側バグフィルタに逃がしつつ有害物質を除
去することを特徴とする。
明の［請求項１］の排ガス処理装置の発明は、焼却炉，
熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガス中の有害物質
を除去する排ガス処理装置であって、排ガス中の煤塵を
集塵する前段側バグフィルタと、該前段側バグフィルタ
の後流側に設けてなり、中和剤の導入により中和反応で
脱硫及び脱塩処理すると共に集塵する後段側バグフィル
タとを一体化してなり、煤塵を含んだ排ガスの一部を集
塵せずに後段側バグフィルタに逃がしつつ有害物質を除
去することを特徴とする。
【００１１】［請求項２］の発明は、請求項１におい
て、上記後段側バグフィルタ内に中和剤を導入する中和
剤導入手段を設けたことを特徴とする。
て、上記後段側バグフィルタ内に中和剤を導入する中和
剤導入手段を設けたことを特徴とする。
【００１２】［請求項３］の発明は、 請求項１又は２
において、上記前段側バグフィルタ及び後段側バグフィ
ルタが、排ガスを導入する入口ダクトと、該入口ダクト
に連通し、煤塵を除去する複数のバグフィルタ本体を備
えた除塵室と、煤塵処理後の清浄化排ガスを排出する出
口ダクトとから構成され、上記前段側バグフィルタの入
口ダクトから導入される排ガスの一部を、前段側バグフ
ィルタの除塵室内を通過せずに後段側バグフィルタの入
口ダクトへ直接導入してなることを特徴とする。
において、上記前段側バグフィルタ及び後段側バグフィ
ルタが、排ガスを導入する入口ダクトと、該入口ダクト
に連通し、煤塵を除去する複数のバグフィルタ本体を備
えた除塵室と、煤塵処理後の清浄化排ガスを排出する出
口ダクトとから構成され、上記前段側バグフィルタの入
口ダクトから導入される排ガスの一部を、前段側バグフ
ィルタの除塵室内を通過せずに後段側バグフィルタの入
口ダクトへ直接導入してなることを特徴とする。
【００１３】［請求項４］の発明は、請求項３におい
て、上記排ガスの一部を後段側バグフィルタの入口ダク
トへ導入する手段が、ダンパ手段であることを特徴とす
る。
て、上記排ガスの一部を後段側バグフィルタの入口ダク
トへ導入する手段が、ダンパ手段であることを特徴とす
る。
【００１４】［請求項５］の発明は、請求項１におい
て、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理率が７０〜
９９％であることを特徴とする。
て、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理率が７０〜
９９％であることを特徴とする。
【００１５】［請求項６］の発明は、請求項１におい
て、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理流速が１ｍ
／ｍｉｎ以上であることを特徴とする。
て、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理流速が１ｍ
／ｍｉｎ以上であることを特徴とする。
【００１６】［請求項７］の発明は、請求項１乃至６の
いずれか１項において、前段側バグフィルタの前流側で
活性炭を噴霧する活性炭噴霧手段を設けたことを特徴と
する。
いずれか１項において、前段側バグフィルタの前流側で
活性炭を噴霧する活性炭噴霧手段を設けたことを特徴と
する。
【００１７】［請求項８］の排ガス処理方法の発明は、
焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガス中の
有害物質を吸着除去する排ガス処理方法であって、煤塵
を除塵する前段側バグフィルタと、中和剤を導入して脱
塩及び脱硫処理をする後段側バグフィルタとを一体化さ
せ、煤塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフィルタへ
導入し、排ガスの煤塵と中和剤との混合物を後段側バグ
フィルタ本体の表面に付着させ、該表面にケーキ層を形
成し、該形成されたケーキ層において、脱塩及び脱硫処
理をすると共に、煤塵等からなるケーキ層に有害物質を
吸着させ、該有害物質を吸着除去することを特徴とす
る。
焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガス中の
有害物質を吸着除去する排ガス処理方法であって、煤塵
を除塵する前段側バグフィルタと、中和剤を導入して脱
塩及び脱硫処理をする後段側バグフィルタとを一体化さ
せ、煤塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフィルタへ
導入し、排ガスの煤塵と中和剤との混合物を後段側バグ
フィルタ本体の表面に付着させ、該表面にケーキ層を形
成し、該形成されたケーキ層において、脱塩及び脱硫処
理をすると共に、煤塵等からなるケーキ層に有害物質を
吸着させ、該有害物質を吸着除去することを特徴とす
る。
【００１８】［請求項９］の発明は、請求項８におい
て、上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハ
ロゲン化ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲ
ン化フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれ
る少なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮
合度芳香族炭化水素，環境ホルモンであることを特徴と
する。
て、上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハ
ロゲン化ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲ
ン化フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれ
る少なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮
合度芳香族炭化水素，環境ホルモンであることを特徴と
する。
【００１９】［請求項１０］の発明は、請求項９におい
て、上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダ
イオキシン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン
類（ＰＣＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシ
ン類（ＰＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢ
ＤＦｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（Ｐ
ＦＤＤｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩ
ＤＤｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）
であることを特徴とする。
て、上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダ
イオキシン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン
類（ＰＣＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシ
ン類（ＰＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢ
ＤＦｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（Ｐ
ＦＤＤｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩ
ＤＤｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）
であることを特徴とする。
【００２０】［請求項１１］の排ガス処理システムの発
明は、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガ
ス中の有害物質を除去する排ガス処理システムであっ
て、排ガスを冷却する冷却手段と、冷却された排ガス中
の煤塵を除塵する請求項１乃至７のいずれか一項の排ガ
ス処理装置とからなることを特徴とする。
明は、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガ
ス中の有害物質を除去する排ガス処理システムであっ
て、排ガスを冷却する冷却手段と、冷却された排ガス中
の煤塵を除塵する請求項１乃至７のいずれか一項の排ガ
ス処理装置とからなることを特徴とする。
【００２１】［請求項１２］の発明は、請求項１１にお
いて、排ガス中の窒素酸化物を処理する脱硝装置を設け
たことを特徴とする。
いて、排ガス中の窒素酸化物を処理する脱硝装置を設け
たことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】［第１の実施の形態］図１は第１の実施の
形態にかかる排ガス処理装置の概略図であり、図２はそ
の上記排ガス処理装置を組み込んだ排ガス浄化システム
の概略図である。
形態にかかる排ガス処理装置の概略図であり、図２はそ
の上記排ガス処理装置を組み込んだ排ガス浄化システム
の概略図である。
【００２４】先ず、図２に示すように、排ガス浄化シス
テム２００は、都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚
泥焼却炉等の各種焼却炉１０１から排出される排ガス１
１を冷却するガス冷却装置（ボイラ，水噴霧等の冷却手
段）１０２と、排ガス１１中の煤塵を除去すると共に脱
塩及び脱硫処理を行う排ガス処理装置２０３と、浄化さ
れた排ガスを外部へ誘引送風機１０５を介して排出する
煙突１０６とから構成されている。この排ガス浄化シス
テムによれば、除塵装置２０３で排ガス中の煤塵を除く
と共に、排ガス１１中の有害物質を吸着除去することで
排ガスの浄化をすることができる。
テム２００は、都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚
泥焼却炉等の各種焼却炉１０１から排出される排ガス１
１を冷却するガス冷却装置（ボイラ，水噴霧等の冷却手
段）１０２と、排ガス１１中の煤塵を除去すると共に脱
塩及び脱硫処理を行う排ガス処理装置２０３と、浄化さ
れた排ガスを外部へ誘引送風機１０５を介して排出する
煙突１０６とから構成されている。この排ガス浄化シス
テムによれば、除塵装置２０３で排ガス中の煤塵を除く
と共に、排ガス１１中の有害物質を吸着除去することで
排ガスの浄化をすることができる。
【００２５】本実施の形態にかかる上記排ガス処理装置
２０３の一例を図１に示す。図１に示すように、上記排
ガス処理装置２０３Ａは、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等
から排出される排ガス中の有害物質を除去する排ガス処
理装置であって、排ガス１１中の煤塵を集塵する前段側
バグフィルタ１２と、該前段側バグフィルタ１２の後流
側に設けてなり、中和剤１３の導入により中和反応によ
り脱硫及び脱塩処理すると共に排ガス１１中の煤塵を集
塵する後段側バグフィルタ１４とを一体化してなり、煤
塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフィルタに逃がす
ようにしたものである。
２０３の一例を図１に示す。図１に示すように、上記排
ガス処理装置２０３Ａは、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等
から排出される排ガス中の有害物質を除去する排ガス処
理装置であって、排ガス１１中の煤塵を集塵する前段側
バグフィルタ１２と、該前段側バグフィルタ１２の後流
側に設けてなり、中和剤１３の導入により中和反応によ
り脱硫及び脱塩処理すると共に排ガス１１中の煤塵を集
塵する後段側バグフィルタ１４とを一体化してなり、煤
塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフィルタに逃がす
ようにしたものである。
【００２６】上記前段側バグフィルタ１２及び後段側バ
グフィルタ１４は、共に排ガス１１を導入する入口ダク
ト２１と、該入口ダクト２１に連通し、煤塵を除去する
複数のバグフィルタ本体を備えた除塵室（本実施の形態
では４室）２２と、煤塵処理後の排ガス２３を排出する
出口ダクト２４とから構成され、前段側バグフィルタ１
２の出口ダクト２４と後段側バグフィルタ１４の入口ダ
クト２１とは連通管２５により連通されており、該連通
管２５内に中和剤１３を図示しない供給手段により供給
するようにしている。
グフィルタ１４は、共に排ガス１１を導入する入口ダク
ト２１と、該入口ダクト２１に連通し、煤塵を除去する
複数のバグフィルタ本体を備えた除塵室（本実施の形態
では４室）２２と、煤塵処理後の排ガス２３を排出する
出口ダクト２４とから構成され、前段側バグフィルタ１
２の出口ダクト２４と後段側バグフィルタ１４の入口ダ
クト２１とは連通管２５により連通されており、該連通
管２５内に中和剤１３を図示しない供給手段により供給
するようにしている。
【００２７】ここで、本実施の形態では、前段側バグフ
ィルタの濾過流速は１ｍ／ｍｉｎ以上と高流速としてお
り、煤塵除去率を７０〜９９％（好適には９０％程度）
としている。
ィルタの濾過流速は１ｍ／ｍｉｎ以上と高流速としてお
り、煤塵除去率を７０〜９９％（好適には９０％程度）
としている。
【００２８】これにより、後段側バグフィルタ１４に漏
れ出た煤塵を有する排ガスが流れ込み、図３に示すよう
に、排ガス１１中のダスト成分１１ａと中和剤１３とか
らなる混合物から形成してなるふんわりとした吸着ケー
キ層２６がバグフィルタ本体２７の表面に形成されるこ
とになる。この結果、上記吸着ケーキ層２６において、
脱塩及び脱硫反応がなされると共に、煤塵が吸着され、
煤塵中のダイオキシン類等の有害物質も同時に吸着処理
されることになり、バグフィルタ本体２７を通過した浄
化排ガス２８中にはダイオキシン類の有害物質が存在し
ないものとなる。
れ出た煤塵を有する排ガスが流れ込み、図３に示すよう
に、排ガス１１中のダスト成分１１ａと中和剤１３とか
らなる混合物から形成してなるふんわりとした吸着ケー
キ層２６がバグフィルタ本体２７の表面に形成されるこ
とになる。この結果、上記吸着ケーキ層２６において、
脱塩及び脱硫反応がなされると共に、煤塵が吸着され、
煤塵中のダイオキシン類等の有害物質も同時に吸着処理
されることになり、バグフィルタ本体２７を通過した浄
化排ガス２８中にはダイオキシン類の有害物質が存在し
ないものとなる。
【００２９】本実施の形態では、濾過流速を高速とし
て、後段側へ煤塵を含む排ガス１１の一部を逃がすよう
にしているがそれ以外の方法としては、例えばバグフィ
ルタ本体の濾布材の目の粗さを調整することにより、後
段側バグフィルタへ排ガスを逃がすようにさせてもよ
い。なお、濾布の材質は例えばポリエステル，ポリアミ
ド，ポリプロピレン等の織布または、フェルト等の不織
布等公知のものを用いればよい。その他の材質として
は、ガラス繊維，耐熱ナイロン（商品名），テフロン
（商品名）を挙げることができる。また、付着した煤塵
の除去方法としては、振動式，逆洗浄式，パルスジェッ
ト式等の公知手段を適用すればよい。
て、後段側へ煤塵を含む排ガス１１の一部を逃がすよう
にしているがそれ以外の方法としては、例えばバグフィ
ルタ本体の濾布材の目の粗さを調整することにより、後
段側バグフィルタへ排ガスを逃がすようにさせてもよ
い。なお、濾布の材質は例えばポリエステル，ポリアミ
ド，ポリプロピレン等の織布または、フェルト等の不織
布等公知のものを用いればよい。その他の材質として
は、ガラス繊維，耐熱ナイロン（商品名），テフロン
（商品名）を挙げることができる。また、付着した煤塵
の除去方法としては、振動式，逆洗浄式，パルスジェッ
ト式等の公知手段を適用すればよい。
【００３０】この発明は上記のように構成されているの
で、次のように作用する。すなわち、焼却炉１０１内で
燃焼時に発生した排ガス１１はガス冷却装置１０２で約
２００℃程度まで冷却した後に、大部分（９９〜７０
％）は前段側バグフィルタ１２で煤塵処理がなされ、排
ガス１１の一部（１〜３０％）は後段側バグフィルタ１
４に導入される。後段側バグフィルタ１４では、導入さ
れた消石灰等の中和剤１３を加えることにより中和反応
で酸性ガスを処理すると共に、未反応の中和剤１３と排
ガス１１のダスト成分からなる吸着ケーキ層をバグフィ
ルタ本体の表面に形成することで、酸性ガスの処理と同
時に煤塵の吸着と共にダイオキシン類等も吸着され、浄
化された排ガス２８となる。上記装置によれば、一体化
によりコンパクト化を図ると共に、後段側バグフィルタ
１４においても煤塵処理を行うのでバグフィルタ本体の
表面に形成された吸着ケーキ層により、排ガス１１中の
有害物質であるダイオキシン類を吸着除去することがで
きる。なお、前段側バグフィルタ１２からの払い落とさ
れた飛灰は溶融処理することができる。また、後段側バ
グフィルタ１４から払い落とされた飛灰はキレート処
理，セメント固化処理等により処理される。
で、次のように作用する。すなわち、焼却炉１０１内で
燃焼時に発生した排ガス１１はガス冷却装置１０２で約
２００℃程度まで冷却した後に、大部分（９９〜７０
％）は前段側バグフィルタ１２で煤塵処理がなされ、排
ガス１１の一部（１〜３０％）は後段側バグフィルタ１
４に導入される。後段側バグフィルタ１４では、導入さ
れた消石灰等の中和剤１３を加えることにより中和反応
で酸性ガスを処理すると共に、未反応の中和剤１３と排
ガス１１のダスト成分からなる吸着ケーキ層をバグフィ
ルタ本体の表面に形成することで、酸性ガスの処理と同
時に煤塵の吸着と共にダイオキシン類等も吸着され、浄
化された排ガス２８となる。上記装置によれば、一体化
によりコンパクト化を図ると共に、後段側バグフィルタ
１４においても煤塵処理を行うのでバグフィルタ本体の
表面に形成された吸着ケーキ層により、排ガス１１中の
有害物質であるダイオキシン類を吸着除去することがで
きる。なお、前段側バグフィルタ１２からの払い落とさ
れた飛灰は溶融処理することができる。また、後段側バ
グフィルタ１４から払い落とされた飛灰はキレート処
理，セメント固化処理等により処理される。
【００３１】よって、本発明によれば、前段側バグフィ
ルタ１２において、排ガス１１中の大部分の煤塵が除去
され、後段側バグフィルタ１４において、一部逃がした
排ガス中の煤塵と酸性ガスや重金属類、ダイオキシン類
等の有害物質が分別除去される。また、ダイオキシン類
は比較的低温でも煤塵や重金属等が存在すればその触媒
作用により分解することが知られているので、後段側バ
グフィルタ１４ではそれらの触媒作用によりダイオキシ
ン類の分解率が大きくなる。すなわち、前段側バグフィ
ルタ１２にて、排ガス１１の一部を後段側バグフィルタ
１４に積極的に逃がすことにより、排ガス中の煤塵や重
金属が後段側バグフィルタ１４の濾布に積層し、ここ
で、ダイオキシン除去効果が向上することになる。この
結果、排ガス中のダイオキシン濃度が極めて低減される
ことになる。
ルタ１２において、排ガス１１中の大部分の煤塵が除去
され、後段側バグフィルタ１４において、一部逃がした
排ガス中の煤塵と酸性ガスや重金属類、ダイオキシン類
等の有害物質が分別除去される。また、ダイオキシン類
は比較的低温でも煤塵や重金属等が存在すればその触媒
作用により分解することが知られているので、後段側バ
グフィルタ１４ではそれらの触媒作用によりダイオキシ
ン類の分解率が大きくなる。すなわち、前段側バグフィ
ルタ１２にて、排ガス１１の一部を後段側バグフィルタ
１４に積極的に逃がすことにより、排ガス中の煤塵や重
金属が後段側バグフィルタ１４の濾布に積層し、ここ
で、ダイオキシン除去効果が向上することになる。この
結果、排ガス中のダイオキシン濃度が極めて低減される
ことになる。
【００３２】また、本実施の形態では、上記前段側バグ
フィルタ１２の入口ダクト２１には、吸着剤として活性
炭２９を図示しない噴霧手段により噴霧して排ガス中の
有害物質を吸着除去するようにしている。この活性炭２
９の噴霧により前段側バグフィルタ１２においても積極
的にダイオキシン類が吸着除去されることになる。上記
活性炭としては、コール炭，やしがら炭，樹脂炭，木質
炭，又はピート炭等を挙げることができるが、本発明は
これらに限定されるものではない。
フィルタ１２の入口ダクト２１には、吸着剤として活性
炭２９を図示しない噴霧手段により噴霧して排ガス中の
有害物質を吸着除去するようにしている。この活性炭２
９の噴霧により前段側バグフィルタ１２においても積極
的にダイオキシン類が吸着除去されることになる。上記
活性炭としては、コール炭，やしがら炭，樹脂炭，木質
炭，又はピート炭等を挙げることができるが、本発明は
これらに限定されるものではない。
【００３３】また、上記活性炭以外には、ダイオキシン
類を吸着する多孔性吸着剤として、例えば火山灰，シリ
カゲル，シラス，クロモソルブ等のシリカ系物質，ゼオ
ライト，モルデナイト等の粘土鉱物，アパタイト，骨
炭，リン酸アンモニウムマグネシウム造粒物等のリン酸
化合物，サンゴ化石，炭酸カルシウム等の炭酸系化合
物，アルミナ，結晶性シリケート，シリカアルミナ等が
用いられ、特にシリカゲル，結晶性シリケート，リン酸
アンモニウムマグネシウム造粒物，サンゴ化石，ゼオラ
イト及び火山灰を用いるのが好適である。
類を吸着する多孔性吸着剤として、例えば火山灰，シリ
カゲル，シラス，クロモソルブ等のシリカ系物質，ゼオ
ライト，モルデナイト等の粘土鉱物，アパタイト，骨
炭，リン酸アンモニウムマグネシウム造粒物等のリン酸
化合物，サンゴ化石，炭酸カルシウム等の炭酸系化合
物，アルミナ，結晶性シリケート，シリカアルミナ等が
用いられ、特にシリカゲル，結晶性シリケート，リン酸
アンモニウムマグネシウム造粒物，サンゴ化石，ゼオラ
イト及び火山灰を用いるのが好適である。
【００３４】ここで、本発明で処理される排ガス中の有
害物質とは、ダイオキシン類やＰＸＢ（Ｘはハロゲンを
表す。）類に代表される有害なハロゲン化芳香族化合
物、高縮合度芳香族炭化水素等の有害物質をいうが、本
発明により処理される排ガス中の有害物質（又は環境ホ
ルモン）であればこれらに限定されるものではない。
害物質とは、ダイオキシン類やＰＸＢ（Ｘはハロゲンを
表す。）類に代表される有害なハロゲン化芳香族化合
物、高縮合度芳香族炭化水素等の有害物質をいうが、本
発明により処理される排ガス中の有害物質（又は環境ホ
ルモン）であればこれらに限定されるものではない。
【００３５】本発明で処理する芳香族ハロゲン系化合物
としては、ダイオキシン類やＰＣＢ類に代表される有害
な物質（例えば環境ホルモン）であればこれらに限定さ
れるものではない。ここで、前記ダイオキシン類とは、
ポリハロゲン化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＸＤ
Ｄｓ）及びポリハロゲン化ジベンゾフラン類（ＰＸＤＦ
ｓ）の総称であり（Ｘはハロゲンを示す）、ハロゲン系
化合物とある種の有機ハロゲン化合物の燃焼時に微量発
生するといわれる。ハロゲンの数によって一ハロゲン化
物から八ハロゲン化物まであり、これらのうち、特に四
塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン（Ｔ4 ＣＤＤ）は、最
も強い毒性を有するものとして知られている。なお、有
害なハロゲン化芳香族化合物としては、ダイオキシン類
の他にその前駆体となる種々の有機ハロゲン化合物（例
えば、フェノール，ベンゼン等の芳香族化合物（例えば
ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化フェノール及びハロ
ゲン化トルエン等）、ハロゲン化アルキル化合物等）が
含まれており、除去する必要がある。すなわち、ダイオ
キシン類とは塩素化ダイオキシン類のみならず、臭素化
ダイオキシン類等のハロゲン化ダイオキシン類を表す。
また、ＰＸＢ類（ポリハロゲン化ビフェニル類）はビフ
ェニルにハロゲン原子が数個付加した化合物の総称であ
り、ハロゲンの置換数、置換位置により異性体がある
が、ＰＣＢ（ポリ塩化ビフェニル）の場合では、２，６
−ジクロロビフェニル、２，2'−ジクロロビフェニル、
２，３，５−トリクロロビフェニル等が代表的なもので
あり、毒性が強く、焼却した場合にはダイオキシン類が
発生するおそれがあるものとして知られており、除去す
る必要がある。なお、ＰＸＢ類には当然コプラナーＰＸ
Ｂも含まれるのはいうまでもない。
としては、ダイオキシン類やＰＣＢ類に代表される有害
な物質（例えば環境ホルモン）であればこれらに限定さ
れるものではない。ここで、前記ダイオキシン類とは、
ポリハロゲン化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＸＤ
Ｄｓ）及びポリハロゲン化ジベンゾフラン類（ＰＸＤＦ
ｓ）の総称であり（Ｘはハロゲンを示す）、ハロゲン系
化合物とある種の有機ハロゲン化合物の燃焼時に微量発
生するといわれる。ハロゲンの数によって一ハロゲン化
物から八ハロゲン化物まであり、これらのうち、特に四
塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン（Ｔ4 ＣＤＤ）は、最
も強い毒性を有するものとして知られている。なお、有
害なハロゲン化芳香族化合物としては、ダイオキシン類
の他にその前駆体となる種々の有機ハロゲン化合物（例
えば、フェノール，ベンゼン等の芳香族化合物（例えば
ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化フェノール及びハロ
ゲン化トルエン等）、ハロゲン化アルキル化合物等）が
含まれており、除去する必要がある。すなわち、ダイオ
キシン類とは塩素化ダイオキシン類のみならず、臭素化
ダイオキシン類等のハロゲン化ダイオキシン類を表す。
また、ＰＸＢ類（ポリハロゲン化ビフェニル類）はビフ
ェニルにハロゲン原子が数個付加した化合物の総称であ
り、ハロゲンの置換数、置換位置により異性体がある
が、ＰＣＢ（ポリ塩化ビフェニル）の場合では、２，６
−ジクロロビフェニル、２，2'−ジクロロビフェニル、
２，３，５−トリクロロビフェニル等が代表的なもので
あり、毒性が強く、焼却した場合にはダイオキシン類が
発生するおそれがあるものとして知られており、除去す
る必要がある。なお、ＰＸＢ類には当然コプラナーＰＸ
Ｂも含まれるのはいうまでもない。
【００３６】また、高縮合度芳香族炭化水素は多核芳香
族化合物の総称であり、単数又は複数のＯＨ基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。
族化合物の総称であり、単数又は複数のＯＨ基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。
【００３７】また、多くの製造工程においては、煤塵に
加えて、例えばホルムアルデヒド，ベンゼン又はフェノ
ールのような気体状有機化合物を含む排ガスが発生する
こともある。これらの有機化合物もまた、環境汚染物質
であり、人間の健康を著しく損ねるので、排ガスから除
去する必要がある。
加えて、例えばホルムアルデヒド，ベンゼン又はフェノ
ールのような気体状有機化合物を含む排ガスが発生する
こともある。これらの有機化合物もまた、環境汚染物質
であり、人間の健康を著しく損ねるので、排ガスから除
去する必要がある。
【００３８】また、本発明で処理される窒素酸化物と
は、通常ＮＯ及びＮＯ2 の他、これらの混合物をいい、
ＮＯｘとも称されている。しかし、該ＮＯｘにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってｘは特に限定されるもので
はないが通常１〜２の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはＮＯは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。
は、通常ＮＯ及びＮＯ2 の他、これらの混合物をいい、
ＮＯｘとも称されている。しかし、該ＮＯｘにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってｘは特に限定されるもので
はないが通常１〜２の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはＮＯは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。
【００３９】なお、本発明において、後段側のバグフィ
ルタ１４のバグフィルタ本体に脱硝及びダイオキシン類
分解作用を奏するダイオキシン類分解触媒を担持させる
ようにしてもよい。ここで、上記脱硝及びダイオキシン
類分解作用を奏するダイオキシン類分解触媒としては、
特に限定されるものではないが、例えばチタン（Ｔ
ｉ），シリコン（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），Ｚｒ
（ジルコニウム），Ｐ（リン），Ｂ（ボロン）から選ば
れる少なくとも一種からなる担体又はこれらの二種以上
の元素を含む複合酸化物からなる担体に、例えばバナジ
ウム（Ｖ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍ
ｏ），ニオブ（Ｎｂ）又はタンタル（Ｔａ）の酸化物の
うち少なくとも一種類の酸化物からなる活性成分を担持
してなるもの等の触媒や公知のダイオキシン類分解触媒
を用いることができ、特に限定されるものではない。
ルタ１４のバグフィルタ本体に脱硝及びダイオキシン類
分解作用を奏するダイオキシン類分解触媒を担持させる
ようにしてもよい。ここで、上記脱硝及びダイオキシン
類分解作用を奏するダイオキシン類分解触媒としては、
特に限定されるものではないが、例えばチタン（Ｔ
ｉ），シリコン（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），Ｚｒ
（ジルコニウム），Ｐ（リン），Ｂ（ボロン）から選ば
れる少なくとも一種からなる担体又はこれらの二種以上
の元素を含む複合酸化物からなる担体に、例えばバナジ
ウム（Ｖ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍ
ｏ），ニオブ（Ｎｂ）又はタンタル（Ｔａ）の酸化物の
うち少なくとも一種類の酸化物からなる活性成分を担持
してなるもの等の触媒や公知のダイオキシン類分解触媒
を用いることができ、特に限定されるものではない。
【００４０】上記ダイオキシン類分解触媒の触媒作用に
より、上記有害物質の内排ガス中のハロゲン化芳香族化
合物，ハロゲン化芳香族化合物の前駆体，ＰＸＢ等のハ
ロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素、環境
ホルモンを分解処理することができる。
より、上記有害物質の内排ガス中のハロゲン化芳香族化
合物，ハロゲン化芳香族化合物の前駆体，ＰＸＢ等のハ
ロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素、環境
ホルモンを分解処理することができる。
【００４１】また、ダイオキシン類分解触媒として例え
ばピリジン吸着酸量を0.３０ｍｍｏｌ／ｇ以上とした酸
化触媒の酸化分解によりより効果的に無害化処理をなす
ことができる。
ばピリジン吸着酸量を0.３０ｍｍｏｌ／ｇ以上とした酸
化触媒の酸化分解によりより効果的に無害化処理をなす
ことができる。
【００４２】なお、脱硝を同時に行う場合には、アンモ
ニアガス等を噴霧することにより、脱硝と脱ダイオキシ
ン類処理を併せて行うことができる。
ニアガス等を噴霧することにより、脱硝と脱ダイオキシ
ン類処理を併せて行うことができる。
【００４３】［第２の実施の形態］図４に第２の実施の
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。
【００４４】図４（Ａ）に示すように、本実施の形態に
かかる上記排ガス処理装置２０３Ｂは第１の実施の形態
において、前段側バグフィルタ１２から排ガス１１の一
部を煤塵除去せずに、ダンパ手段３１を介して後段側バ
グフィルタ１４へ逃がすようにしたものである。なお、
その他の構成は第１の実施の形態と同様であるので、同
一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
かかる上記排ガス処理装置２０３Ｂは第１の実施の形態
において、前段側バグフィルタ１２から排ガス１１の一
部を煤塵除去せずに、ダンパ手段３１を介して後段側バ
グフィルタ１４へ逃がすようにしたものである。なお、
その他の構成は第１の実施の形態と同様であるので、同
一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
【００４５】図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ部拡大図であ
る。図４（Ｂ）に示すように、上記前段側バグフィルタ
１２の入口ダクト２１の後端側には、連通管２５に開口
するダンパ手段３１が設けられており、排ガス１１の一
部を前段側バグフィルタ１２で処理せずにそのまま後段
側バグフィルタ１４へ逃がすようにしている。これによ
り、後段側バグフィルタ１４に漏れ出た煤塵を有する排
ガス１１が流れ込み、導入された中和剤１３と排ガス１
１中の煤塵中のダスト成分とからなる混合物からなるふ
んわりとした吸着ケーキ層がバグフィルタ本体の表面に
形成されることになる。上記ダンパ手段３１の開度は必
要に応じて開閉させ、良好なケーキ層を形成させるよう
にすればよい。
る。図４（Ｂ）に示すように、上記前段側バグフィルタ
１２の入口ダクト２１の後端側には、連通管２５に開口
するダンパ手段３１が設けられており、排ガス１１の一
部を前段側バグフィルタ１２で処理せずにそのまま後段
側バグフィルタ１４へ逃がすようにしている。これによ
り、後段側バグフィルタ１４に漏れ出た煤塵を有する排
ガス１１が流れ込み、導入された中和剤１３と排ガス１
１中の煤塵中のダスト成分とからなる混合物からなるふ
んわりとした吸着ケーキ層がバグフィルタ本体の表面に
形成されることになる。上記ダンパ手段３１の開度は必
要に応じて開閉させ、良好なケーキ層を形成させるよう
にすればよい。
【００４６】なお、本実施の形態では、前段側バグフィ
ルタ１２で処理せずにそのまま後段側バグフィルタ１４
へ逃がす手段としてダンパ手段３１を例示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば前段側バグ
フィルタ１２の入口ダクト２１から切替弁，ダンパ等を
介装したバイパス管を介して後段側バグフィルタ１４の
入口ダクト１２へ適宜逃がすようにしてもよい。
ルタ１２で処理せずにそのまま後段側バグフィルタ１４
へ逃がす手段としてダンパ手段３１を例示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば前段側バグ
フィルタ１２の入口ダクト２１から切替弁，ダンパ等を
介装したバイパス管を介して後段側バグフィルタ１４の
入口ダクト１２へ適宜逃がすようにしてもよい。
【００４７】［第３の実施の形態］図５に第３の実施の
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。
【００４８】本実施の形態にかかる上記排ガス処理装置
２０３Ｃは第２の実施の形態において、後段側バグフィ
ルタ１４の集塵室２２に個別に図示しない噴霧手段から
中和剤１３を直接導入するようにしたものである。な
お、その他の構成は第１の実施の形態と同様であるの
で、同一部材には同一符号を付してその説明は省略す
る。
２０３Ｃは第２の実施の形態において、後段側バグフィ
ルタ１４の集塵室２２に個別に図示しない噴霧手段から
中和剤１３を直接導入するようにしたものである。な
お、その他の構成は第１の実施の形態と同様であるの
で、同一部材には同一符号を付してその説明は省略す
る。
【００４９】図５に示すように、上記後段側バグフィル
タ１４の入口ダクト２１と連通する各集塵室２２には、
中和剤１３が直接導入されており、該導入された中和剤
１３と排ガス１１中のダスト成分とからなる混合物から
なるふんわりとした反応吸着ケーキ層がバグフィルタ本
体の表面に形成されることになる。そして、該ケーキ層
において、脱塩及び脱硫反応を行うと共に、ダイオキシ
ン類の有害物質の吸着除去をおこなうようにしている。
タ１４の入口ダクト２１と連通する各集塵室２２には、
中和剤１３が直接導入されており、該導入された中和剤
１３と排ガス１１中のダスト成分とからなる混合物から
なるふんわりとした反応吸着ケーキ層がバグフィルタ本
体の表面に形成されることになる。そして、該ケーキ層
において、脱塩及び脱硫反応を行うと共に、ダイオキシ
ン類の有害物質の吸着除去をおこなうようにしている。
【００５０】図６に排ガス処理システムの概略の他の一
例を示すが、本発明の排ガス処理装置を用いた処理シス
テムはこれに何ら限定されるものではない。
例を示すが、本発明の排ガス処理装置を用いた処理シス
テムはこれに何ら限定されるものではない。
【００５１】図６に示すように、本発明の他の処理シス
テムとしては、図２に示すシステムにおいて、排ガス処
理装置２０３の後流側に、別途脱硝装置２０４を設け、
排ガス処理装置２０３でダイオキシン類等の有害物質を
吸着除去した後に、上記脱硝装置２０４で窒素酸化物等
を分解除去するようにしている。
テムとしては、図２に示すシステムにおいて、排ガス処
理装置２０３の後流側に、別途脱硝装置２０４を設け、
排ガス処理装置２０３でダイオキシン類等の有害物質を
吸着除去した後に、上記脱硝装置２０４で窒素酸化物等
を分解除去するようにしている。
【００５２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の［請求項
１］の発明によれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から
排出される排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理装
置であって、排ガス中の煤塵を集塵する前段側バグフィ
ルタと、該前段側バグフィルタの後流側に設けてなり、
中和剤の導入により中和反応で脱硫及び脱塩処理すると
共に集塵する後段側バグフィルタとを一体化してなり、
煤塵を含んだ排ガスの一部を集塵せずに後段側バグフィ
ルタに逃がしつつ有害物質を除去するので、後段側バグ
フィルタでは後段側へ持ちこまれた煤塵と中和剤とから
なるケーキ層により排ガス中のダイオキシン類を吸着除
去することができる。また、排ガス中の煤塵がダイオキ
シン類の分解する触媒として作用するので処理した排ガ
ス中のダイオキシン類濃度を大幅に低減することが出来
る。
１］の発明によれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から
排出される排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理装
置であって、排ガス中の煤塵を集塵する前段側バグフィ
ルタと、該前段側バグフィルタの後流側に設けてなり、
中和剤の導入により中和反応で脱硫及び脱塩処理すると
共に集塵する後段側バグフィルタとを一体化してなり、
煤塵を含んだ排ガスの一部を集塵せずに後段側バグフィ
ルタに逃がしつつ有害物質を除去するので、後段側バグ
フィルタでは後段側へ持ちこまれた煤塵と中和剤とから
なるケーキ層により排ガス中のダイオキシン類を吸着除
去することができる。また、排ガス中の煤塵がダイオキ
シン類の分解する触媒として作用するので処理した排ガ
ス中のダイオキシン類濃度を大幅に低減することが出来
る。
【００５３】［請求項２］の発明によれば、請求項１に
おいて、上記後段側バグフィルタ内に中和剤を導入する
中和剤導入手段を設けたので、該中和剤と煤塵とが良好
なケーキ層の形成に寄与し、排ガス中のダイオキシン類
の除去及び脱硝等の反応処理が可能となる。
おいて、上記後段側バグフィルタ内に中和剤を導入する
中和剤導入手段を設けたので、該中和剤と煤塵とが良好
なケーキ層の形成に寄与し、排ガス中のダイオキシン類
の除去及び脱硝等の反応処理が可能となる。
【００５４】［請求項３］の発明によれば、 請求項１
又は２において、上記前段側バグフィルタ及び後段側バ
グフィルタが、排ガスを導入する入口ダクトと、該入口
ダクトに連通し、煤塵を除去する複数のバグフィルタ本
体を備えた除塵室と、煤塵処理後の清浄化排ガスを排出
する出口ダクトとから構成され、上記前段側バグフィル
タの入口ダクトから導入される排ガスの一部を、前段側
バグフィルタの除塵室内を通過せずに後段側バグフィル
タの入口ダクトへ直接導入してなるので、該後段側バグ
フィルタでは持ちこまれた煤塵が良好なケーキ層の形成
に寄与し、排ガス中のダイオキシン類の除去が可能とな
る。
又は２において、上記前段側バグフィルタ及び後段側バ
グフィルタが、排ガスを導入する入口ダクトと、該入口
ダクトに連通し、煤塵を除去する複数のバグフィルタ本
体を備えた除塵室と、煤塵処理後の清浄化排ガスを排出
する出口ダクトとから構成され、上記前段側バグフィル
タの入口ダクトから導入される排ガスの一部を、前段側
バグフィルタの除塵室内を通過せずに後段側バグフィル
タの入口ダクトへ直接導入してなるので、該後段側バグ
フィルタでは持ちこまれた煤塵が良好なケーキ層の形成
に寄与し、排ガス中のダイオキシン類の除去が可能とな
る。
【００５５】［請求項４］の発明によれば、請求項３に
おいて、上記排ガスの一部を後段側バグフィルタの入口
ダクトへ導入する手段が、ダンパ手段であるので、排ガ
スの一部持ち込みが可能となる。
おいて、上記排ガスの一部を後段側バグフィルタの入口
ダクトへ導入する手段が、ダンパ手段であるので、排ガ
スの一部持ち込みが可能となる。
【００５６】［請求項５］の発明によれば、請求項１に
おいて、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理率が７
０〜９９％であるので、該後段側バグフィルタでは持ち
こまれた煤塵が良好なケーキ層の形成に寄与し、排ガス
中のダイオキシン類の除去が可能となる。
おいて、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理率が７
０〜９９％であるので、該後段側バグフィルタでは持ち
こまれた煤塵が良好なケーキ層の形成に寄与し、排ガス
中のダイオキシン類の除去が可能となる。
【００５７】［請求項６］の発明によれば、請求項１に
おいて、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理流速が
１ｍ／ｍｉｎ以上であるので、該後段側バグフィルタで
は持ちこまれた煤塵が良好なケーキ層の形成に寄与し、
排ガス中のダイオキシン類の除去が可能となる。
おいて、前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理流速が
１ｍ／ｍｉｎ以上であるので、該後段側バグフィルタで
は持ちこまれた煤塵が良好なケーキ層の形成に寄与し、
排ガス中のダイオキシン類の除去が可能となる。
【００５８】［請求項７］の発明によれば、請求項１乃
至６のいずれか１項において、前段側バグフィルタの前
流側で活性炭を噴霧する活性炭噴霧手段を設けたので、
該活性炭の吸着作用により排ガス中の有害物質を吸着除
去することができる。
至６のいずれか１項において、前段側バグフィルタの前
流側で活性炭を噴霧する活性炭噴霧手段を設けたので、
該活性炭の吸着作用により排ガス中の有害物質を吸着除
去することができる。
【００５９】［請求項８］の排ガス処理方法の発明によ
れば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガ
ス中の有害物質を吸着除去する排ガス処理方法であっ
て、煤塵を除塵する前段側バグフィルタと、中和剤を導
入して脱塩及び脱硫処理をする後段側バグフィルタとを
一体化させ、煤塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフ
ィルタへ導入し、排ガスの煤塵と中和剤との混合物を後
段側バグフィルタ本体の表面に付着させ、該表面にケー
キ層を形成し、該形成されたケーキ層において、脱塩及
び脱硫処理をすると共に、煤塵等からなるケーキ層に有
害物質を吸着させ、該有害物質を吸着除去するので、該
後段側バグフィルタではバイパス等で持ちこまれた煤塵
が良好なケーキ層の形成に寄与し、排ガス中のダイオキ
シン類の除去が可能となる。
れば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガ
ス中の有害物質を吸着除去する排ガス処理方法であっ
て、煤塵を除塵する前段側バグフィルタと、中和剤を導
入して脱塩及び脱硫処理をする後段側バグフィルタとを
一体化させ、煤塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフ
ィルタへ導入し、排ガスの煤塵と中和剤との混合物を後
段側バグフィルタ本体の表面に付着させ、該表面にケー
キ層を形成し、該形成されたケーキ層において、脱塩及
び脱硫処理をすると共に、煤塵等からなるケーキ層に有
害物質を吸着させ、該有害物質を吸着除去するので、該
後段側バグフィルタではバイパス等で持ちこまれた煤塵
が良好なケーキ層の形成に寄与し、排ガス中のダイオキ
シン類の除去が可能となる。
【００６０】［請求項９］の発明によれば、排ガス中の
有害物質であるダイオキシン類，ポリハロゲン化ビフェ
ニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化フェノール
類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少なくとも一
種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度芳香族炭化
水素，環境ホルモンを除去できる。
有害物質であるダイオキシン類，ポリハロゲン化ビフェ
ニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化フェノール
類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少なくとも一
種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度芳香族炭化
水素，環境ホルモンを除去できる。
【００６１】［請求項１０］の発明によれば、上記ダイ
オキシン類であるポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン
類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン類（ＰＣＤ
Ｆｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＢ
ＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢＤＦｓ）、
ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＦＤＤ
ｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦｓ）、ポリ
沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩＤＤｓ）、
ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）を除去でき
る。
オキシン類であるポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン
類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン類（ＰＣＤ
Ｆｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＢ
ＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢＤＦｓ）、
ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＦＤＤ
ｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦｓ）、ポリ
沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩＤＤｓ）、
ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）を除去でき
る。
【００６２】［請求項１１］の排ガス処理システムの発
明によれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出され
る排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理システムで
あって、排ガスを冷却する冷却手段と、冷却された排ガ
ス中の煤塵を除塵する請求項１乃至７のいずれか一項の
排ガス処理装置とからなるので、高効率で有害物質を処
理することができる。
明によれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出され
る排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理システムで
あって、排ガスを冷却する冷却手段と、冷却された排ガ
ス中の煤塵を除塵する請求項１乃至７のいずれか一項の
排ガス処理装置とからなるので、高効率で有害物質を処
理することができる。
【００６３】［請求項１２］の発明によれば、請求項１
１において、排ガス中の窒素酸化物を処理する脱硝装置
を設けたので、窒素酸化物の処理も可能となる。
１において、排ガス中の窒素酸化物を処理する脱硝装置
を設けたので、窒素酸化物の処理も可能となる。
【図１】第１の実施の形態にかかる排ガス処理装置の概
略図である。
略図である。
【図２】排ガス処理システムの一例を示す概略図であ
る。
る。
【図３】バグフィルタ本体の概略図である。
【図４】第２の実施の形態にかかる排ガス処理装置の概
略図である。
略図である。
【図５】第３の実施の形態にかかる排ガス処理装置の概
略図である。
略図である。
【図６】他の排ガス処理システムの一例を示す概略図で
ある。
ある。
【図７】従来技術にかかる排ガス処理システムの一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図８】従来技術にかかる排ガス処理システムの一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
１１ 排ガス １２ 前段側バグフィルタ １３ 中和剤 １４ 後段側バグフィルタ ２１ 入口ダクト ２２ 除塵室 ２３ 煤塵処理後の排ガス ２４ 出口ダクト ２５ 連通管 ２６ 吸着ケーキ層 ２７ バグフィルタ本体 ２８ 浄化排ガス ２９ 活性炭 １００ ゴミ １０１ 焼却炉 １０２ ガス冷却装置 １０３ 反応塔 １０４ バグフィルタ １０４Ａ 第１段目のバグフィルタ １０４Ｂ 第２段目のバグフィルタ １０５ 誘引送風機 １０６ 煙突 ２００ 排ガス浄化システム ２０３，２０３Ａ，２０３Ｂ，２０３Ｃ 排ガス処理装
置 ２０４ 脱硝装置
置 ２０４ 脱硝装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｄ 53/81 (72)発明者 佐久間 哲哉 神奈川県横浜市中区錦町12番地 三菱重工 業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 沢崎 哲夫 神奈川県横浜市中区錦町12番地 菱日エン ジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4D002 AA02 AA12 AA19 AA21 AC04 BA04 BA13 BA14 CA01 CA11 DA05 DA07 DA12 DA41 DA45 DA46 DA47 EA02 GA01 GA02 GB01 GB02 HA03 4D012 CA12 CA20 CC13 CG01 CH01 CJ04 CK07 4D058 JA04 KB12 NA01 QA01 QA03 QA13 QA19 QA23 TA01 TA03 UA03
Claims (12)
- 【請求項１】 焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出さ
れる排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理装置であ
って、 排ガス中の煤塵を集塵する前段側バグフィルタと、 該前段側バグフィルタの後流側に設けてなり、中和剤の
導入により中和反応で脱硫及び脱塩処理すると共に集塵
する後段側バグフィルタとを一体化してなり、煤塵を含
んだ排ガスの一部を集塵せずに後段側バグフィルタに逃
がしつつ有害物質を除去することを特徴とする排ガス処
理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 上記後段側バグフィルタ内に中和剤を導入する中和剤導
入手段を設けたことを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、 上記前段側バグフィルタ及び後段側バグフィルタが、排
ガスを導入する入口ダクトと、該入口ダクトに連通し、
煤塵を除去する複数のバグフィルタ本体を備えた除塵室
と、煤塵処理後の清浄化排ガスを排出する出口ダクトと
から構成され、 上記前段側バグフィルタの入口ダクトから導入される排
ガスの一部を、前段側バグフィルタの除塵室内を通過せ
ずに後段側バグフィルタの入口ダクトへ直接導入してな
ることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項４】 請求項３において、 上記排ガスの一部を後段側バグフィルタの入口ダクトへ
導入する手段が、ダンパ手段であることを特徴とする排
ガス処理装置。 - 【請求項５】 請求項１において、 前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理率が７０〜９９
％であることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項６】 請求項１において、 前段側バグフィルタの排ガスの煤塵処理流速が１ｍ／ｍ
ｉｎ以上であることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項におい
て、 前段側バグフィルタの前流側で活性炭を噴霧する活性炭
噴霧手段を設けたことを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項８】 焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出さ
れる排ガス中の有害物質を吸着除去する排ガス処理方法
であって、 煤塵を除塵する前段側バグフィルタと、中和剤を導入し
て脱塩及び脱硫処理をする後段側バグフィルタとを一体
化させ、 煤塵を含んだ排ガスの一部を後段側バグフィルタへ導入
し、排ガスの煤塵と中和剤との混合物を後段側バグフィ
ルタ本体の表面に付着させ、該表面にケーキ層を形成
し、該形成されたケーキ層において、脱塩及び脱硫処理
をすると共に、煤塵等からなるケーキ層に有害物質を吸
着させ、該有害物質を吸着除去することを特徴とする排
ガス処理方法。 - 【請求項９】 請求項８において、 上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハロゲ
ン化ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化
フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少
なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度
芳香族炭化水素，環境ホルモンであることを特徴とする
排ガス処理方法。 - 【請求項１０】 請求項９において、 上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオ
キシン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン類
（ＰＣＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン
類（ＰＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢＤ
Ｆｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＦ
ＤＤｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦｓ）、
ポリ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩＤＤ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）であ
ることを特徴とする排ガス処理方法。 - 【請求項１１】 焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出
される排ガス中の有害物質を除去する排ガス処理システ
ムであって、 排ガスを冷却する冷却手段と、冷却された排ガス中の煤
塵を除塵する請求項１乃至７のいずれか一項の排ガス処
理装置とからなることを特徴とする排ガス処理システ
ム。 - 【請求項１２】 請求項１１において、 排ガス中の窒素酸化物を処理する脱硝装置を設けたこと
を特徴とする排ガス処理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32221299A JP3492260B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 排ガス処理装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32221299A JP3492260B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 排ガス処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001137657A true JP2001137657A (ja) | 2001-05-22 |
| JP3492260B2 JP3492260B2 (ja) | 2004-02-03 |
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ID=18141215
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32221299A Expired - Fee Related JP3492260B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 排ガス処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007244958A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Nippon Steel Corp | ポリ塩化ビフェニル汚染物の処理設備 |
| JP2008132424A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 排ガス処理装置及びそれを備えた廃棄物処理施設の運転方法 |
| JP2015504367A (ja) * | 2011-11-21 | 2015-02-12 | フルーア・テクノロジーズ・コーポレイション | 二酸化炭素吸着プロセスにおけるニトロアミン生成の防止 |
| CN105709564A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-06-29 | 中山市宏迪节能科技有限公司 | 一种废气净化设备 |
| KR102359293B1 (ko) * | 2021-09-06 | 2022-02-08 | 주식회사 티지와이 | 금속 용해로용 집진장치 |
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-
1999
- 1999-11-12 JP JP32221299A patent/JP3492260B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2015504367A (ja) * | 2011-11-21 | 2015-02-12 | フルーア・テクノロジーズ・コーポレイション | 二酸化炭素吸着プロセスにおけるニトロアミン生成の防止 |
| CN105709564A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-06-29 | 中山市宏迪节能科技有限公司 | 一种废气净化设备 |
| KR102359293B1 (ko) * | 2021-09-06 | 2022-02-08 | 주식회사 티지와이 | 금속 용해로용 집진장치 |
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