JP2001118952A - 多層回路基板およびその製造方法 - Google Patents
多層回路基板およびその製造方法Info
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Abstract
路基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成された多層回路基板において、絶縁層11中に、該絶
縁層11よりも誘電率の大きな強誘電体層16が表裏面
を前記絶縁層11の表裏面と面一にして形成され、この
強誘電体層16を挟んで両側に電極膜17、18が形成
されることによりキャアパシタ19が内蔵されているこ
とを特徴としている。
Description
その製造方法に関する。
は、ノイズの吸収をするためキャパシタを取り付けてい
る。従来はこのキャパシタは、チップキャパシタを多層
回路基板の外部に取り付けることにより対処している。
に、チップキャパシタを多層回路基板の外部に取り付け
たのでは、半導体チップとチップキャパシタの距離が大
きくなり、ノイズの吸収が十分でないという課題があ
る。また、チップキャパシタを含めた装置全体が大型化
するという課題もある。
れたものであり、その目的とするところは、ノイズの吸
収に優れ、小型化が可能な多層回路基板およびその製造
方法を提供するにある。
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁層を介して
配線パターンが多層に形成された多層回路基板におい
て、前記絶縁層中に、該絶縁層よりも誘電率が大きく、
絶縁層と同一厚さの強誘電体層が表裏面を前記絶縁層の
表裏面と面一にして形成され、この強誘電体層を挟んで
両側に電極膜が形成されたキャパシタが内蔵されている
ことを特徴としている。このように、キャパシタが内蔵
されることにより、ノイズの吸収に優れ、良好な電気特
性を発揮すると共に、全体装置の小型化も図れる。
該一方の電極膜が存在する側の前記配線パターンをグラ
ンド層に形成することにより、さらに電気特性に優れた
多層回路基板を提供できる。前記強誘電体層を、チタン
酸ストロンチウム、チタン酸ジルコニウム鉛、チタン酸
バリウム、酸化タンタルもしくは酸化アルミニウムで形
成することができる。
層を介して配線パターンが多層に形成された多層回路基
板において、前記絶縁層の厚み内に、該絶縁層よりも誘
電率の大きな強誘電体層が形成され、この強誘電体層を
両側から挟む位置の前記絶縁層上に電極膜が形成される
ことによりキャパシタが内蔵されていることを特徴とし
ている。この場合にあっても、キャパシタが内蔵される
ことにより、ノイズの吸収に優れ、良好な電気特性を発
揮すると共に、全体装置の小型化も図れる。また、前記
と同様に、前記電極膜のうちの一方の電極膜、および該
一方の電極膜が存在する側の前記配線パターンをグラン
ド層に形成すると好適である。また、同様に、前記強誘
電体層を、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコニ
ウム鉛、チタン酸バリウム、酸化タンタルもしくは酸化
アルミニウムで形成することができる。
は、絶縁層を介して配線パターンが多層に形成された多
層回路基板の製造方法において、エッチングにより除去
可能な材料よりなる支持体上に第1の導体層が形成され
た母材の該第1の導体層上に、前記絶縁層よりも誘電率
の大きな強誘電体層を形成する工程と、該強誘電体層の
一部を除去して、所要パターンの強誘電体層に形成する
工程と、該パターンに形成した強誘電体層および露出し
た前記第1の導体層を覆って絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層を研磨して前記強誘電体層の表面を露出させる
研磨工程と、該研磨した絶縁層上に第2の導体層を形成
する工程と、前記支持体を除去するエッチング工程と、
前記第1および第2の導体層をエッチングして所要の前
記配線パターンおよび前記強誘電体層を両側から挟む電
極膜を形成するエッチング工程とを含むことを特徴とし
ている。
法では、絶縁層を介して配線パターンが多層に形成され
た多層回路基板の製造方法において、エッチングにより
除去可能な材料よりなる支持体上に前記絶縁層よりも誘
電率の大きな強誘電体層を形成する工程と、該強誘電体
層上に第1の絶縁層を形成する工程と、該第1の絶縁層
上に第3の導体層を形成する工程と、前記支持体を除去
するエッチング工程と、前記強誘電体層の一部を除去し
て、所要パターンの強誘電体層に形成する工程と、該パ
ターンに形成した強誘電体層および露出した前記第1の
絶縁層を覆って第2の絶縁層を形成する工程と、該第2
の絶縁層上に第4の導体層を形成する工程と、前記第3
および第4の導体層をエッチングして、所要の前記配線
パターンを形成すると共に、前記強誘電体層を両側から
挟む位置の前記第1および第2の絶縁層上に電極膜を形
成する工程とを含むことを特徴としている。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は多層回路
基板10の部分断面図を示す。多層回路基板10は、絶
縁層11、12を介して配線パターン13、14、15
が多層に形成されてなる。図1は2層の絶縁層11、1
2で示したが、もちろんそれ以上の多層に形成されても
よい。多層に形成するには公知のビルドアップ法により
絶縁層および配線パターンを多層に形成すればよい。
率の大きな強誘電体層16が表裏面を絶縁層11の表裏
面と面一にして形成されている。そして、この強誘電体
層16を挟んで両側に電極膜17、18が形成されるこ
とによりキャパシタ19が内蔵された多層回路基板10
に形成されているのである。
15の信号線等の線幅は数μm程度の極めて微細なもの
となってきている。このように信号線が微細なものにな
ると、インピーダンスをマッチングさせるために、絶縁
層11、12の厚さも必然的に薄いものになってくる。
本実施の形態では、この絶縁層が薄いものになってくる
のを利用して、回路基板内に高容量のキャパシタ19を
内蔵させることができたものである。
6を絶縁層11と同一の厚さにし、絶縁層11の中に、
絶縁層11と表裏を面一にして組み込んでいる。このよ
うにして、強誘電体層16が絶縁層11と同じ厚さの極
めて薄いものとなるので、それだけキャパシタ19の容
量を大きくできる。また強誘電体層16には、樹脂製の
絶縁層11よりも誘電率の大きな、例えばチタン酸スト
ロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコニウム鉛(PbZr
x Ti1-x O3)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、酸化タン
タル(Ta2 O5)、酸化アルミニウム(Al2 O3)などの強
誘電体を用いることにより、高容量のキャパシタ19に
形成できるのである。このように、高容量のキャパシタ
19を回路基板内に組み込んでしまったので、それだけ
装置全体の小型化が図れると共に、ノイズの吸収特性に
優れた多層回路基板を提供できる。なお、一方の電極膜
18、および該一方の電極膜18が存在する側の配線パ
ターン15をグランド層に形成することにより、より電
気特性を向上させることができる。
1の厚み内に、絶縁層11よりも誘電率の大きな強誘電
体層16を形成し、この強誘電体層16を両側から挟む
位置の絶縁層11上に電極膜17、18を形成して、キ
ャパシタ19を形成したものである。この多層回路基板
20でも、一方の電極膜18、および該一方の電極膜1
8が存在する側の配線パターン14をグランド層に形成
すると好適である。強誘電体層16は前記と同様にチタ
ン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコニウム鉛、チタン
酸バリウム、酸化タンタル、酸化アルミニウムなどで形
成することができる。この実施の形態に係る多層回路基
板20でも、高容量のキャパシタ19を回路基板内に組
み込んでしまったので、それだけ装置全体の小型化が図
れると共に、ノイズの吸収特性に優れた多層回路基板を
提供できる。
回路基板10の製造工程の一例を示す。まず、同図
(a)に示すように、アルミニウム等の、エッチングに
より除去可能な材料よりなる支持体21上に銅等からな
る第1の導体層22が形成された母材23の該第1の導
体層22上に、樹脂材よりも誘電率の大きな強誘電体層
24を形成する。強誘電体層24は、スパッタリングや
CVDにより形成するようにするとよい。なお、第1の
導体層22は支持体21上に、銅めっきや銅箔を接着す
ることにより形成できる。
層24の一部を除去して、所要パターンの強誘電体層1
6に形成する。この工程はフォトリソグラフィーのエッ
チングにより行える。
ン形成した強誘電体層16を覆って前記第1の導体層2
2上に絶縁層11を形成する。絶縁層11はポリイミド
やポリフェニレンエーテル等の樹脂を塗布、またはこれ
らの樹脂シートを接着して形成する。次に同図(d)に
示すように、絶縁層11を研磨して強誘電体層16の表
面を露出させる。すなわち、絶縁層11の表面と強誘電
体層16の表面とを面一にする。
層11にビア孔8を形成する。このビア孔8はレーザー
加工により形成する。なお、感光性のポリイミド樹脂を
用いて絶縁装置11を形成することもできる。この場合
は、感光性樹脂の露光、現像によりビア孔8を形成でき
る。次に同図(f)に示すように、無電解銅めっき、次
いで電解銅めっきを施して、ビア孔8内および絶縁層1
1上に第2の導体層26を形成する。なお、次に同図
(g)に示すように、アルミニウム等からなる支持体2
1をエッチングによって除去する。絶縁層11の両側に
第1の導体層22、第2の導体層26が形成されるの
で、支持体21を除去しても強度的には十分である。
よび第2の導体層22、26をエッチングして配線パタ
ーン13、14および強誘電体層16を両側から挟む電
極膜17、18を形成する。これによりキャパシタ19
が作り込まれる。配線パターン13と配線パターン14
とは、ビア孔8に形成されためっき皮膜によって電気的
に導通している。一方の配線パターン14と電極膜18
とはグランドに接続される構造にすると好適である。
り、絶縁層12を介して配線パターン15を形成した状
態を示す。このようにしてビルドアップ法とスパッタリ
ングを併用して、キャパシタ19が内蔵された多層回路
基板10に形成できる。キャパシタ19は任意の層中に
任意の個数形成できることはもちろんである。もちろん
搭載される半導体チップ(図示せず)の近くに配置する
のがノイズ吸収の観点から好適である。
基板20の製造工程の一例を示す。まず同図(a)に示
すように、アルミニウム等のエッチングにより除去可能
な材料よりなる支持体30上に樹脂材よりも誘電率の大
きな強誘電体層24を形成する。強誘電体層24は、ス
パッタリングやCVDにより形成するようにするとよ
い。
体層24上に第1の絶縁層31を形成し、この第1の絶
縁層31上に、無電解銅めっき、電解銅めっき等により
第3の導体層32を形成する。第1の絶縁層31はポリ
イミドやポリフェニレンエーテル等の樹脂を塗布、また
はこれらの樹脂シートを接着して形成する。感光性樹脂
等の樹脂を塗布あるいは接着して形成する。
30をエッチングにより除去する。また、強誘電体層2
4の一部を除去して、所要パターンの強誘電体層16に
形成する。この工程はフォトリソグラフィーのエッチン
グにより行える。強誘電体層24上に、第1の絶縁層3
1、第3の導体層32が形成されるので、支持体30を
除去しても、強度的には十分となる。
層16および第1の絶縁層31を覆って第2の絶縁層3
4を形成した後、第1および第2の絶縁層31、34の
所要個所にビア孔33をレーザー加工により形成する。
なお、第1および第2の絶縁層31,34を感光性樹脂
で形成し、露光、現像してビア孔33を形成してもよ
い。次いで同図(e)に示すように、第2の絶縁層34
上およびビア孔33内に無電解銅めっき、電解銅めっき
により第4の導体層35を形成する。
び第4の導体層32、35をエッチングして、配線パタ
ーン13、14を形成すると共に、強誘電体層16を両
側から挟む位置の第1および第2の絶縁層31、34上
に電極膜17、18を形成する。これによりキャパシタ
19が作り込まれる。配線パターン13と配線パターン
14とは、ビア孔に形成されためっき皮膜によって電気
的に導通している。一方の配線パターン14と電極膜1
8とはグランドに接続される構造にすると好適である。
そして、さらに必要に応じてビルドアップ法により絶縁
層を介して配線パターンを多層に形成することにより多
層回路基板20に形成できる。
リングを併用して、キャパシタ19が内蔵された多層回
路基板20に形成できる。キャパシタ19は任意の層中
に任意の個数形成できることはもちろんである。もちろ
ん搭載される半導体チップ(図示せず)の近くに配置す
るのがノイズ吸収の観点から好適である。
発明は上記実施の形態のみに限定されるものでないこと
はもちろんである。
微細なものになると、インピーダンスをマッチングさせ
るために、絶縁層の厚さも必然的に薄いものになってく
るのを利用して、回路基板内に高容量のキャパシタを内
蔵させることができたものであり、小型化と電気特性に
優れる多層回路基板を提供できる。
面図である。
面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成された多層回路基板において、 前記絶縁層中に、該絶縁層よりも誘電率が大きく、絶縁
層と同一厚さの強誘電体層が表裏面を前記絶縁層の表裏
面と面一にして形成され、 この強誘電体層を挟んで両側に電極膜が形成されたキャ
パシタが内蔵されていることを特徴とする多層回路基
板。 - 【請求項2】 前記電極膜のうちの一方の電極膜、およ
び該一方の電極膜が存在する側の前記配線パターンがグ
ランド層に形成されていることを特徴とする請求項1記
載の多層回路基板。 - 【請求項3】 前記強誘電体層が、チタン酸ストロンチ
ウム、チタン酸ジルコニウム鉛、チタン酸バリウム、酸
化タンタルもしくは酸化アルミニウムからなることを特
徴とする請求項1または2記載の多層回路基板。 - 【請求項4】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成された多層回路基板において、 前記絶縁層の厚み内に、該絶縁層よりも誘電率が大き
く、絶縁層よりも厚さの薄い強誘電体層が形成され、 この強誘電体層を両側から挟む位置の前記絶縁層上に電
極膜が形成されたキャパシタが内蔵されていることを特
徴とする多層回路基板。 - 【請求項5】 前記電極膜のうちの一方の電極膜、およ
び該一方の電極膜が存在する側の前記配線パターンがグ
ランド層に形成されていることを特徴とする請求項4記
載の多層回路基板。 - 【請求項6】 前記強誘電体層が、チタン酸ストロンチ
ウム、チタン酸ジルコニウム鉛、チタン酸バリウム、酸
化タンタルもしくは酸化アルミニウムからなることを特
徴とする請求項4または5記載の多層回路基板。 - 【請求項7】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成された多層回路基板の製造方法において、 エッチングにより除去可能な材料よりなる支持体上に第
1の導体層が形成された母材の該第1の導体層上に、前
記絶縁層よりも誘電率の大きな強誘電体層を形成する工
程と、 該強誘電体層の一部を除去して、所要パターンの強誘電
体層に形成する工程と、 該パターンに形成した強誘電体層および露出した前記第
1の導体層を覆って絶縁層を形成する工程と、 該絶縁層を研磨して前記強誘電体層の表面を露出させる
研磨工程と、 該研磨した絶縁層上に第2の導体層を形成する工程と、 前記支持体を除去するエッチング工程と、 前記第1および第2の導体層をエッチングして所要の前
記配線パターンおよび前記強誘電体層を両側から挟む電
極膜を形成するエッチング工程とを含むことを特徴とす
る多層回路基板の製造方法。 - 【請求項8】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成された多層回路基板の製造方法において、 エッチングにより除去可能な材料よりなる支持体上に前
記絶縁層よりも誘電率の大きな強誘電体層を形成する工
程と、 該強誘電体層上に第1の絶縁層を形成する工程と、 該第1の絶縁層上に第3の導体層を形成する工程と、 前記支持体を除去するエッチング工程と、 前記強誘電体層の一部を除去して、所要パターンの強誘
電体層に形成する工程と、 該パターンに形成した強誘電体層および露出した前記第
1の絶縁層を覆って第2の絶縁層を形成する工程と、 該第2の絶縁層上に第4の導体層を形成する工程と、 前記第3および第4の導体層をエッチングして、所要の
前記配線パターンを形成すると共に、前記強誘電体層を
両側から挟む位置の前記第1および第2の絶縁層上に電
極膜を形成する工程とを含むことを特徴とする多層回路
基板の製造方法。
Priority Applications (3)
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