JP2001117353A

JP2001117353A - 現像方法

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Publication number: JP2001117353A
Application number: JP30047299A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ishii; 洋石井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-10-22
Filing date: 1999-10-22
Publication date: 2001-04-27
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Abstract

(57)【要約】【課題】担持体の表面抵抗による潜像の電荷拡散を考
慮した現像条件を設定することにより、高解像度の原稿
像に対して良好な画質を実現する。【解決手段】担持体の静電容量をＣｐ（Ｆ／ｍ²）、
表面抵抗をＲｓ（Ω）、静電潜像形成領域から現像完了
領域までの移動時間をｔ（ｓｅｃ）、静電潜像形成時の
画像領域における静電潜像の非画像部の電位をＶｏ
（Ｖ）、現像部材がソリッド画像における飽和潜像電位
で現像を開始し始めるときの担持体の表面電圧をＶｔｈ
（Ｖ）、所望とする最小画像幅をＷ（ｍ）とし、該最小
画像幅における限界潜像電位Ｖ１（Ｖ）をＶ１＝（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１
６３）ＶｏＷｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗとしたとき、ａｂｓ（Ｖ１）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）ただし、ａｂｓ（Ｘ）はＸの絶対値に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式の画
像形成装置において、担持体上の静電潜像をトナーで可
視像化する現像方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】（従来技術１）静電潜像が形成される担
持体である感光体は、図２で示す等価回路のように、厚
み方向の抵抗成分ΔＲｖおよび容量成分ΔＣｐと、表面
方向の抵抗成分ΔＲｓとのモデルで表すことができる。
したがって、露光が終了してから現像が終了するまでの
間、抵抗成分ΔＲｓが充分高ければ容量成分ΔＣｐに蓄
積された電荷、すなわち静電潜像は保持される。ところ
が、汚れの付着などによって抵抗成分ΔＲｓが低くなっ
ていると、容量成分ΔＣｐに蓄積された電荷は消失して
しまい、所望する解像度が得られなくなってしまうとい
う問題がある。

【０００３】この様子を図３に示す。図３はｘ＝０の位
置をエッジとなるように形成した静電潜像の時間経過に
伴う拡散の一例を示す図である。これより、時間の経過
とともに表面方向に電荷の漏れが生じ、静電潜像が変化
していることがわかる。

【０００４】ここで、電荷の拡散による静電潜像の時間
変化の観点から感光体の解像度について検討した先行技
術として、「静電潜像の解析による感光体解像度特性の
検討」（電子写真学会誌第３０巻第４号（１９９
１）４３２〜４３８頁）がある。これによれば、感光
体の静電容量および帯電部材の抵抗による静電潜像の解
像度の経時劣化のシミュレーション結果が報告されてお
り、感光体上の電位変化を（δＶ／δｔ）＝（１／（Ｒｓ・Ｃｐ））・（δＶ²／δｘ²） −Ｖ／（Ｒｖ・ｄ・Ｃｐ）（１）で表し、その一般解をＶ＝Ｖｓ（ｘ，ｔ）・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・ｄ・Ｃｐ））（２）で表している。

【０００５】また、１次元の静電潜像のエッジ幅ＷをＷ＝３．５５（ｔ／（Ｃｐ・Ｒｓ））^1/2 （３）で表している。

【０００６】（従来技術２）感光体電位、トナー層厚、
トナー帯電量、現像ローラの抵抗値、現像バイアスなど
の組合わせによって決まる現像特性を最適化するために
現像領域をモデル化して現像特性を数式化する検討結果
が種々発表されている。その代表的な先行技術として、
「接触型一成分非磁性現像方式（１）」（電子写真学会
誌第３１巻第４号（１９９２）５３１〜５４１頁）
がある。これによれば、現像領域の電界をポアソン方程
式より導出し、現像方程式およびシミュレーション結果
が報告されており、半導電性現像ローラを用いた場合の
現像方程式として、ｍ_si＝（１／Ａ）・（ｍ_c＋（ｋ・ｍ_O／Ａ）・（ｑｐ／ｑ）・Ｒ₁）／（１＋（１／（Ａ・ｋ）・Ｒ₁））（４）ただし、Ａ＝ｄｐ／εｐ＋ｄｔ／εｔ（５）ｍ_c＝（１／Ａ）・（−（Ｖ₀−Ｖ_b）／ｑ＋（ｋ・ｍ_o／２）・（ｄｔ／εｔ））（６）を示している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来技術１では、現像
電位が感光体の未露光部の電位（反転現像ではＶＨ）と
露光部の電位（反転現像ではＶＬ）との中点に仮定され
たシミュレーションに基づくものである。これには、任
意の潜像電位との相関についての開示はなく、特に感光
体の特性はそのままでも、最も高い解像度を得ることが
できる現像電位や、汚れの付着に対しても初期の性能を
保証できる現像電位など、実際の使用状態に則した任意
の潜像電位における解像度がわからないという問題があ
る。

【０００８】従来技術２では、現像ニップ部の摩擦帯電
により生じた電荷ｑｐにより流れる現像電流が拡大され
すぎて取り扱われている。また、感光体側の抵抗に関し
ては全く配慮されていないといった問題がある。

【０００９】本発明は、上記に鑑み、担持体の表面抵抗
による潜像電荷の拡散を考慮した現像条件を設定するこ
とにより、高解像度化したときでも良好な画質を実現で
きる現像方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、担持体上に形成された静電潜像を現像部材によっ
て反転現像する現像方法において、担持体の静電容量を
Ｃｐ（Ｆ／ｍ²）、表面抵抗をＲｓ（Ω）、静電潜像形
成領域から現像完了領域までの移動時間をｔ（ｓｅ
ｃ）、静電潜像形成時の画像領域における静電潜像の非
画像部の電位をＶｏ（Ｖ）、現像部材がソリッド画像に
おける飽和潜像電位で現像を開始し始めるときの担持体
の表面電圧（現像開始電圧）をＶｔｈ（Ｖ）、所望とす
る最小画像幅をＷ（ｍ）とし、該最小画像幅における限
界潜像電位Ｖ１（Ｖ）をＶ１＝（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１
６３）ＶｏＷｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗとしたとき、ａｂｓ（Ｖ１）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）ただし、ａｂｓ（Ｘ）はＸの絶対値に設定するものであ
る。

【００１１】これによれば、電荷拡散による画質劣化の
限界値、すなわち解像度の限界値を引き出すことができ
る現像開始電圧を設定することができる。したがって、
これに基づいて現像条件を調整することにより、高解像
度化された原稿像に応じた静電潜像を形成することが可
能となり、良好な画質を実現することができる。

【００１２】ここで、担持体の厚み方向の抵抗をＲｖ
（Ω・ｍ²）とし、Ｖ１’＝Ｖ１・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒ
ｖ・Ｃｐ））とするとき、ａｂｓ（Ｖ１’）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）に設定することにより、暗減衰を考慮した現像開始電圧
が得られる。

【００１３】また、バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加され
た現像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を
所定幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、現像ニ
ップ通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ、現像部材上
のトナー層の電位をＶｔ（Ｖ）、現像部材の抵抗をＲｒ
（Ω・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担
持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）を
ｎとすると、（−Ｖ１＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０あるいは（−Ｖ１’＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することにより、周速比、ト
ナー層厚等を考慮した現像開始電圧が得られる。

【００１４】さらに、現像ニップ通過時のトナーとの摩
擦による担持体表面電位の変動をｄＶ（Ｖ）とすると
き、（−（Ｖ１＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０あるいは（−（Ｖ１’＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することにより、現像ニップ
における担持体とトナーとの摩擦帯電も考慮した現像開
始電圧が得られる。

【００１５】このように、現像開始電圧をより厳密に設
定すれば、高解像度化された原稿像の静電潜像に対して
電荷拡散による影響を少なくして解像度の低下を防止で
き、さらに良好な画質を実現することができる。

【００１６】なお、正転現像による現像方法においても
同様に、限界潜像電位Ｖ２（Ｖ）をＶ２＝（−０．３４８Ｗｒ²＋１．１６１Ｗｒ−０．０
１６３）ＶｏＷｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗとしたとき、ａｂｓ（Ｖ２）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）に設定することによって、高解像度化された原稿像に対
して良好な画質を実現することができる。

【００１７】そして、担持体の感光体層の厚みをｄｐ
（ｍ）、その誘電率をεｐ（Ｆ／ｍ）、現像前のトナー
層厚をｄｔ（ｍ）、その誘電率をεｔ（Ｆ／ｍ）、現像
部材の抵抗をＲｒ（Ω・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ
（ｍ／ｓｅｃ）と担持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との
比（ｖｂ／ｖｐ）をｎとするとき、Ｒｒ／ｎ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように各値を調整する。あるいは、担持体がＲ
ｐ（Ω・ｍ²）の抵抗層を有するときには、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように各値を調整する。このような現像条件に
すれば、高い現像効率が得られるので、安定した現像を
行うことができる。

【００１８】また、バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加され
た現像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を
所定幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、担持体
における画像部の電位の飽和値をＶｓａｔ（Ｖ）、担持
体の感光体層の厚みをｄｐ（ｍ）、その誘電率をεｐ
（Ｆ／ｍ）、担持体の抵抗層の抵抗をＲｐ（Ω・
ｍ²）、現像ニップ通過直後のトナー層の電荷密度をρ
ｄ（Ｃ／ｍ）、トナー層厚をｄｔ（ｍ）、その誘電率を
εｔ（Ｆ／ｍ）、現像部材の抵抗をＲｒ（Ω・ｍ²）、
現像ニップ通過時のトナーとの摩擦による担持体表面電
位の変動をｄＶ（Ｖ）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅ
ｃ）と担持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／
ｖｐ）をｎ、現像効率の許容値をηとするとき、 −（Ｖｓａｔ＋ｄＶ）＋Ｖｂ＋ｎ・Ｖｔ≧η・（ｎ・ｄ
ｔ）・ρｄ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ＋Ｒｒ／ｎ＋Ｒ
ｐ）を満たすように各値を調整する。これによって、現像ニ
ップに供給されるトナーを効率よく担持体に移動させる
ことができるので、現像効率以上の現像を保証すること
が可能となる。そのため、トナーが有効的に消費される
ことになり、トナー劣化やトナー固着を防止でき、トナ
ーや担持体の長寿命化を図れる。

【００１９】また、γ＝（１／η）−１で表すとき、現
像部材の抵抗Ｒｒ、担持体の抵抗層の抵抗Ｒｐとして、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦γ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように設定すれば、これが高い現像効率を確保
するための各抵抗の条件となる。したがって、各抵抗が
設定値より高いときに生じる現像量の減少を防止でき、
現像効率を高めることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の現像方法が適用される電
子写真方式の画像形成装置の一実施形態を図面に基づい
て説明する。この画像形成装置では、反転現像方式によ
る現像が行われ、担持体であるドラム状感光体の周囲
に、帯電装置、露光装置、現像装置、転写装置、クリー
ニング装置、除電装置が配されている。図１に画像形成
装置の主要部の概略構成を示す。図示しないクリーニン
グ装置によって残留トナーが除去された感光体１は、帯
電装置２によって所定の負電庄Ｖｈに帯電され、原稿像
の露光によって感光体１の表面の電荷が除去されて静電
潜像が形成される。静電潜像は現像装置３から供給され
る一成分非磁性現像剤によってトナー像に現像されて顕
像化され、図示しない転写装置によって記録紙に転写さ
れる。

【００２１】感光体１は、アルミニウムから成る円筒状
の導電性基材４に、リーク電流防止等のための高抵抗層
５と感光体層６とが積層されて形成されている。基材４
は、回転軸を介して回転自在に支持されるとともに、接
地されている。

【００２２】帯電装置２は、帯電ローラ７を用い、回転
自在な金属シャフト８を中心にして設けられた円筒状の
導電性基材９に、低抵抗を有する弾性体からなる抵抗層
１０が積層されて形成される。金属シャフト８には、定
電圧電源１１が接続され、所定の負電圧Ｖｈが印加され
ている。この帯電ローラ７は、感光体１の表面に帯電ニ
ップＷ１で密着している。

【００２３】現像装置３は、現像部材として現像ローラ
１２を用い、回転自在な金属シャフト１３を中心にして
設けられた円筒状の導電性基材１４に、低抵抗を有する
弾性体からなる抵抗層１５が積層されて形成される。金
属シャフト１３には、定電圧電源１６が接続され、現像
バイアスである所定の負電圧Ｖｂが印加されている。こ
の現像ローラ１２は、感光体１の表面に現像ニップＷ２
で密着している。なお、現像ローラ１２には、図示しな
いトナー槽からトナーが補給され、ドクターによってそ
のトナー層厚が規制される。

【００２４】また、感光体１は、周速ｖｐで回転駆動さ
れ、その表面に摺接する帯電ローラ７は感光体１に従動
して回転する。現像ローラ１２は、感光体１よりも速い
周速ｖｄで反対方向に回転駆動される。なお、露光装
置、転写装置、クリーニング装置、除電装置は図示して
いないが、公知のものを使用している。

【００２５】上述のように構成される画像形成装置にお
いて、まず、任意の露光幅Ｗを有する潜像電位Ｖ１
（Ｖ）と、露光時の画像領域における静電潜像の非画像
部の電位Ｖｏ（Ｖ）との間に、分布定数回路のトムソン
ケーブルあるいは熱伝導方程式等と同類の関係が適用で
きるものと予想し、従来技術の図３に示すデータを整理
して（７）式を求めた。

【００２６】Ｖ１＝（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１６３）Ｖｏ（７）ただし、Ｗｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗ（８）であり、Ｗは均一な光パワー分布でかつ充分な幅を有す
る露光を行なったときの露光部と未露光部の境界におけ
る潜像の電位が９０％〜１０％の範囲のエッジの幅
（ｍ）であり、所望とする最小画像幅に相当する。ま
た、Ｃｐは感光体１の単位面積当たりの静電容量（Ｆ／
ｍ²）、Ｒｓは単位長さ当たりの表面抵抗（Ω）、ｔは
露光領域から現像完了領域までの移動時間（ｓｅｃ）で
ある。

【００２７】そして、現像装置が現像を開始し始めると
きの感光体１の表面電圧をＶｔｈ（Ｖ）とするとき、ａｂｓ（Ｖ１）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）（９）ａｂｓ（Ｘ）はＸの絶対値となる条件を満たすことによ
り、感光体１上ヘトナー像を形成することが可能とな
る。

【００２８】ここで、上記（７）、（８）、（９）式の
導出課程を詳細に説明すると、本発明者も先行技術と同
様に感光体１上の電位変化を基本式である（δＶ／δ
ｔ）＝（１／（Ｒｓ・Ｃｐ））・（δＶ²／δｘ²）−Ｖ／（Ｒｖ・ｄ・Ｃｐ）（１０）（１０）式の一般解であるＶ＝Ｖｓ（ｘ，ｔ）・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・ｄ・Ｃｐ））（１１）（１１）式で一端にステップ電圧を加えた場合の解であ
るＶ（ｘ，ｔ）＝Ｖｏ・ｅｒｆｃ（０．５・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｘ）（１２）を基にして、露光による感光体１上の電位分布を初期条
件として検討を行なった。

【００２９】そして、表１に示す図３のデータの潜像の
電位が９０％〜１０％のエッジの幅Ｗ_90-10に注目し、０．５・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗ_90-10 ＝１．８１３（ｃｏｎｓｔ）（１３）が成り立つことを確認した。

【００３０】

【表１】

【００３１】次に、実使用状態に則するため，図４に示
すように光パワー分布が方形の露光を行い、孤立した線
を形成したときの潜像電位を求める。潜像電位のプロフ
ィールは、露光幅、感光体１の静電容量Ｃｐ、表面抵抗
Ｒｓや露光領域から現像完了領域までの移動時間ｔの組
合わせに基づき様々に変化する。露光の中央が潜像電位
の最小値となることより最低電位を正規化した正規化潜
像電位をＶｍｉｎｉとして、表２に示した条件１〜８に
おける露光幅Ｗに対する正規化潜像電位Ｖｍｉｎｉをプ
ロットした結果を図５に示す。

【００３２】

【表２】

【００３３】図５からは両者の相関が読み取れないが、
本発明者はエッジの幅Ｗ_90-10に注目し、（１４）式に
示すように露光幅Ｗを幅Ｗ_90-10で除した正規化露光幅
Ｗｒを求め、これをプロットしたのが図６である。

【００３４】Ｗｒ＝Ｗ／Ｗ_90-10 ＝（０．５・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2）／１．８１３・Ｗ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2）・Ｗ（１４）図６から正規化幅Ｗｒと正規化潜像電位Ｖｍｉｎｉとの
間には一定の関係があることが判明し、潜像電位Ｖｍｉ
ｎｉについて下記の近似式（１５）式を得た。

【００３５】Ｖｍｉｎｉ＝（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１６３）・Ｖｏ（１５）図６および表２に示した本発明者の検討結果より、露光
幅Ｗ、感光体１の静電容量Ｃｐ、表面抵抗Ｒｓや露光領
域から現像完了領域までの移動時間ｔを変化させても、
正規化露光幅Ｗｒと正規化潜像電位Ｖｍｉｎｉとの関係
は、上記（７）式の曲線上にあることが理解される。

【００３６】このように、任意の感光体電位Ｖｏとエッ
ジ幅Ｗと潜像電位Ｖｍｉｎｉとの相関を求めることがで
き、潜像電位Ｖｍｉｎｉに対して現像開始電圧Ｖｔｈを
適切に設定することにより、所定のトナー像形成が可能
となる。そこで、この潜像電位Ｖｍｉｎｉが最小画像幅
の画像を形成可能な限界潜像電位Ｖ１となる。

【００３７】したがって、例えば感光体１の特性はその
ままでも、最も高い解像度を得ることができる現像電位
や汚れの付着に対しても初期の性能を保証できる現像電
位など、実際の使用状態に則した任意の潜像電位におけ
る解像度を求めることができる。そのため、実際の露光
幅に比べて電荷拡散によって潜像の幅が広くなり、解像
度が低下するといった画質劣化が生じるときの限界潜像
電位Ｖ１を導き出すことにより、（９）式に基づいてこ
れに対する現像開始電圧Ｖｔｈを適切に設定することが
でき、上記の画質劣化を防止することができる。

【００３８】また、上記（９）式において、感光体１の
厚み方向の単位面積当たりの抵抗値をＲｖ（Ω・ｍ²）
とするとき、ａｂｓ（Ｖ１’）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）（１６）ただし、Ｖ１’＝Ｖ１・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・Ｃｐ））（１７）としてもよい。これによって、暗所において帯電電荷が
感光体１の厚み方向に拡散してしまう暗減衰を考慮した
潜像電位の限界値を設定することができるので、高解像
度化したとき、より一層実際の使用状態に応じた良好な
画質を実現することができる。

【００３９】なお、誘電率εｐ（Ｆ／ｍ）、体積固有抵
抗ρｖ（Ω・ｍ）の感光体１で表面に付着物がなく、厚
みｄｐ（ｍ）、幅ΔＷ（ｍ）、長さΔｘ（ｍ）の微小立
方体を考えたとき、 ΔＣｐ＝Ｃｐ・Δｘ・ΔＷＣｐ＝εｐ／ｄｐ ΔＲｓ＝Ｒｓ・Δｘ／ΔＷＲｓ＝ρｖ／ｄｐ ΔＲｖ＝Ｒｖ／（Δｘ・ΔＷ）Ｒｖ＝ρｖ・ｄｐである。すなわち、感光体１の静電容量、表面抵抗、厚
み方向の抵抗は、いずれも感光体１の厚みの影響を受け
るものであるので、暗減衰を考慮しておくことは必要で
ある。

【００４０】上記では導電性現像ローラ１２を用いた場
合であるが、次に半導電性現像ローラ１２を用いたとき
の現像特性の導出課程を説明する。ここで、半導電性現
像ローラ１２とは、円筒状の導電性基材１４に半導電性
の弾性体層が積層されて形成されるものである。

【００４１】図７は周速比を考慮した現像動作の等価モ
デルである。現像電流の経路は、感光体１の抵抗層５の
抵抗Ｒｐ、感光体１の静電容量Ｃｐ、現像ローラ１２の
表面に形成されるトナー層を感光体１上に移行する領域
と現像ローラ１２上に残留する領域に分けて、２つのコ
ンデンサで表した場合の静電容量Ｃｔ１，Ｃｔ２、現像
ローラ１２の抵抗層１５の抵抗Ｒｒ、および現像バイア
スＶｂを発生する高圧直流の電源１６からなる直列回路
で表すことができる。

【００４２】感光体１側にも高抵抗の抵抗層５を配置し
たモデルとしたのは、感光体１の接触帯電技術として感
光体１側に抵抗を配置させるものが提案されていること
を考慮してである。その一例としては、帯電ローラ７、
現像ローラ１２ともに設けられる抵抗層を感光体１側に
設ける構造である。その動作は、帯電ローラ７自身の抵
抗成分は低抵抗ですむので、製造が容易になるととも
に、ロット間ばらつきや湿度などの環境要因による抵抗
値の変動があってもその幅は小さくなり、帯電特性や現
像特性には影響しない。また、抵抗層５は感光体１にコ
ートされて形成されるため、この層は吸湿のおそれが少
なく、抵抗値の変動を抑えることができる。

【００４３】また、感光体１の基材４を吸水率の小さな
導電性樹脂、例えばポリカーボネートにカーボンブラッ
クを分散させたものなどで成形し、抵抗層を兼ねるよう
にすれば、別途抵抗層を設ける必要がないので、感光体
１の構成を簡素化できる。さらに、抵抗層５が感光体１
に設けられる電荷注入阻止層を兼ねるようにしても、感
光体１の構成を簡素化できる。

【００４４】感光体１側に抵抗層５を有する第２の例と
しては、接触帯電における低電圧とオゾンを抑制する技
術として感光体最表面に抵抗層５を配置することによ
り、抵抗層５を介して感光体１へ直接、電荷注入を行な
う方法が特開平８−６９１５６号公報に提案されてい
る。

【００４５】以上のような感光体１側に抵抗層５を有す
る構成も考慮して、以下のように各パラメータを設定す
ることによって、高解像度を得ることができる現像が可
能になる。

【００４６】そこで、現像特性の検討をすると、まず現
像電流による電圧降下および電荷の移動を加味して電界
の平衡を求めることにより、現像量Ｍｐを導出する近似
式を以下に示す。トナー層の電荷密度をρ（Ｃ／
ｍ³）、現像前のトナー層層厚をｄｔ（ｍ）、トナー層
の誘電率をεｔ（Ｆ／ｍ）、現像ローラ１２の抵抗層１
５の単位面積当たりの厚み方向の抵抗をＲｒ（Ω・
ｍ²）、感光体層６の厚みをｄｐ（ｍ）、感光体１の誘
電率をεｐ（Ｆ／ｍ）、感光体１の抵抗層５の単位面積
当たりの厚み方向の抵抗をＲｐ（Ω・ｍ²）、現像ニッ
プ進入直前の感光体表面電位をＶｏ（Ｖ）、現像バイア
スをＶｂ（Ｖ）、現像ローラ１２の周速ｖｄと感光体１
の周速ｖｐとの周速比をｎ＝ｖｄ／ｖｐとする。

【００４７】周速比を考慮した等価モデル（コンデンサ
ーモデル）は図７に示すようになり、感光体側抵抗層
５、感光体層６、感光体側トナー層、現像ローラ側トナ
ー層、現像ローラ抵抗層１５の各電圧をそれぞれＶｒ
ｐ’、Ｖｐ’、Ｖ１’、Ｖ２’、Ｖｒｒ’とする。トナ
ー層の電界が０となるトナー層の切断条件より、Ｖｒｐ’＋Ｖｐ’＋Ｖ１’＝Ｖ２’−Ｖｒｒ’＋Ｖｂ（１８）である。現像後の感光体１上のトナー層の電荷をｎ・Ｑ
１’、その厚みをＸ、現像ニップ進入前の感光体１の電
荷をＱｐｏ、現像ニップ進入前のトナー層の電荷をＱｔ
とする。

【００４８】現像ニップ通過時に感光体１とトナーの摩
擦により発生する電荷としてトナー層側をｄｑ、感光体
側を逆極性の−ｎ・ｄｑ、電荷密度および帯電量の変動
分をｄρ、ｄｑ、すなわち現像ニップ通過後のトナー層
の電荷Ｑｔ’＝Ｑｔ＋ｄｑ、トナー層の電荷密度ρｄ＝
ρ＋ｄρとする。

【００４９】現像量ｎ・Ｑ１’、周速ｖｐ、ｖｄを考慮
すると、現像ローラ１２上の単位面積当たりの現像電流
Ｉｒ＝Ｑ１’、感光体１上での単位面積当たりの現像電
流Ｉｐ＝ｎ・Ｑ１’となり、これらを（１８）式に代入
するとｎ・Ｑ１’・Ｒｐ＋（Ｑｐｏ−ｎ・ｄｑ＋ｎ・Ｑ１’）／Ｃｐ＋ｎ・Ｑ１’／Ｃ１＝ｎ・Ｑ２’−Ｑ１’・Ｒｒ＋Ｖｂ（１９）ここで、（ρ＋ｄρ）・Ｘ＝ｎ・Ｑ１’ Ｑｔ’＝Ｑ１’＋Ｑ２’ １／Ｃ１＋１／Ｃ２＝ｄｔ／（２・εｔ）Ｃｔ＝εｔ／ｄｔＶｔ’＝（ρ＋ｄρ）・ｄｔ＾２／（２・εｔ）ｄＶ＝−ｎ・ｄｑ／Ｃｐを用いて、上式を整理すると、Ｘ＝（−（Ｖｏ＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ’＋Ｖｂ）／（ρ＋ｄρ）・（Ｒｐ＋１／Ｃｐ＋１／Ｃｔ＋Ｒｒ／ｎ））（２０）ただし、０≦Ｘ≦ｎ・ｄｔ

【００５０】なお、現像ニップ通過時の摩擦帯電による
電荷ｄｑについては、離接後、徐々にギャップが拡大す
る課程をコンデンサーによりモデル化して検討した結
果、ニップ部で付与された電荷ｄｑは離接時に電荷ｄｑ
の全てが移動するのではなく、電荷付与時に第１の電荷
の移動が起こり、その移動量は感光体とトナー層の静電
容量Ｃｐ、Ｃｔによって決まる。また、離接し始めると
移動方向が第１と逆である第２の電荷移動が緩やかに起
こり、最終的に付与された初期値に復元することが判明
した。例えば感光体１のＯＰＣ膜厚２０μｍとトナー層
厚１２μｍの場合では、付与直後、第１の電荷移動で電
荷ｄｑの約３０％が移動する。現像前後のトナー層電荷
の変動が３０％程度以下であり、総合すると１０％程度
以下であること、摩擦帯電はニップ全域で起きていると
考えるのが妥当であること、更に離接により最終的に０
に収束することより、上式には現像ローラ１２上に残留
したトナーの電荷ｄｑについても現像電流成分を考慮す
るという考え方は取り入れていない。

【００５１】現像前の現像ローラ１２上のトナーの付着
量をｍ（ｋｇ／ｍ²）とすると、現像量Ｍｐ（ｋｇ／
ｍ²）は、Ｍｐ＝（ｍ／ｄｔ）・Ｘ（２１）と求まる。なお（２０）式において、感光体１の抵抗層
５を配置しない場合はＲｐに０を代入するか、もしくは
Ｒｐを消去すればよく、現像ニップにおける摩擦が無視
できる場合はｄＶおよびｄρに０を代入もしくは消去す
ればよい。

【００５２】（２１）式を用いて現像特性を求めた結果
例を図８、９に示す。横軸ＶｏｐはＶｏ−Ｖｂ（Ｖ）、
縦軸はＭｐ（ｋｇ／ｍ²）である。図８は現像ローラ１
２が導電性ローラの場合であり、プロットは実測値、ｆ
４−１はｎ＝１．３のとき、ｆ４−２はｎ＝２．３６の
とき、ｆ４−３はｎ＝３．３２のときを表す。また、図
９は現像ローラ１２が半導電性ローラの場合であり、ｎ
＝２．３６に固定し、プロットは実測値、ｆ５−１は現
像ローラ１２の抵抗値が１．１Ｅ５（Ω・ｍ²）のと
き、ｆ５−２は現像ローラ１２の抵抗値が１．３Ｅ６
（Ω・ｍ²）のときを表す。

【００５３】また、図１０に現像ローラ１２の抵抗値Ｒ
ｒと現像量Ｍｐとの関係を示す。ここではＶｏ−Ｖｂ＝
１００（Ｖ）、ｎ＝２．３６に固定しており、プロット
は実測値である。同図において、現像量Ｍｐの変極点に
対応する折点の抵抗値Ｒｃ以下、あるいは最大の現像量
Ｍｐの８０％となる抵抗値Ｒｃ’以下の抵抗では高い現
像効率が得られるので、この領域の現像特性を用いれば
安定した現像を行うことができる。

【００５４】したがって、（２０）式、（２１）式で求
められる所望とする現像量Ｍｐとなるように、感光体表
面電位Ｖｏに代えて、最小画像幅を考慮した限界潜像電
位Ｖ１を用いることにより、周速比、トナー層厚等を考
慮した限界値を設定できる。すなわち、摩擦帯電電荷ｄ
ｑが無視できる場合、（−Ｖ１＋ｎ・ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（２２）または、（−Ｖ１’＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（２３）とする。

【００５５】現像ニップにおける感光体１とトナーの摩
擦による感光体表面電位変動ｄＶ（＝−ｄｑ・ｎ／Ｃ
ｐ）（Ｖ）を考慮するときは、（−（Ｖ１＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（２４）または、（−（Ｖ１’＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（２５）とする。

【００５６】ところで、前述の現像ローラ１２の抵抗値
をＲｒ（Ω・ｍ²）および感光体１の抵抗層５の抵抗値
をＲｐ（Ω・ｍ²）としたとき、（Ｒｐ＋Ｒｒ／ｎ）／（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）≦１（２６）を満たす抵抗値であれば、図１０における抵抗値がＲｃ
以下となる条件に相当する。ｄｐは感光体層６の厚み
（ｍ）、εｐは感光体層６の誘電率（Ｆ／ｍ）、ｄｔは
現像前のトナー層厚（ｍ）、εｔはトナー層の誘電率
（Ｆ／ｍ）である。

【００５７】したがって、抵抗層Ｒｐを省略した場合
は、Ｒｒ／ｎ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）（２７）抵抗層Ｒｐを考慮した場合は、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）（２８）とすることによって、現像効率を確保でき、安定した現
像が可能となる。

【００５８】さらにまた、現像効率ηは、 η＝（感光体上に移動したトナー量）／（現像ニップに供給されたトナー量）（２９）であり、トナー層厚を用いると、 η＝（現像後の感光体上のトナー層厚）／（ｎ・ｄｔ）（３０）となる。ここで、画像部の感光体表面電位の飽和値をＶ
ｓａｔ、現像ニップ通過直後のトナー層の電荷密度をρ
ｄ（ｃ／ｍ³）として、（２０）式に代入することによ
り感光体１上のトナー層厚を求め、（２９）式に代入し
整理すると、 −（Ｖｓａｔ＋ｄＶ）＋Ｖｂ＋ｎ・Ｖｔ≧ η・（ｎ・ｄｔ）・ρｄ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ＋Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ）（３１）となる。したがって、現像効率ηを考慮した許容値で、
現像効率η以上を保証することにより、トナー劣化、ト
ナー固着などを防止でき、感光体１の長寿命を確保でき
る。

【００５９】また、現像ローラ１２の抵抗および感光体
１の抵抗層５の抵抗の影響を明確にするため、Ｒｒ、Ｒ
ｐ≒０としたときのトナー層厚Ｘｏ、所定の抵抗値Ｒ
ｒ、Ｒｐのときのトナー層厚Ｘｒを（２０）式に代入し
て、Ｘｏが飽和しない電位条件でＸｏ、Ｘｒを求め、比
をとると、Ｘｒ／Ｘｏ＝１／（（Ｒｐ＋Ｒｒ／ｎ）／（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）＋１）（３２）となる。ここで、上記電位条件より、Ｘｒ／Ｘｏ≧η （３３）であり、 γ＝（１／η）−１（３４）と定義し、（３２）、（３３）、（３４）式を整理する
と、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦γ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）（３５）となる。これより、現像効率を確保するための抵抗値の
条件が求まり、現像ローラ１２の抵抗および感光体１の
抵抗層５の抵抗による現像量の減少を防止できる。

【００６０】なお、静電潜像が正転現像される画像形成
装置の場合には、反転現像とは逆に露光中心が潜像電位
の最高値となるので、（７）式より最高潜像電位Ｖｍａ
ｘは、Ｖｍａｘ＝Ｖｏ−Ｖ１＝（１−（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１６３））Ｖｏ（３６）となる。これを整理して、潜像電位Ｖｍａｘを限界潜像
電位Ｖ２とし、Ｖ２＝（−０．３４８Ｗｒ²＋１．１６１Ｗｒ−０．０１６３）Ｖｏ（３７）とすればよい。また、（９）式は、ａｂｓ（Ｖ２）＞ａｂｓ（Ｖｔｈ）（３８）となり、同様に（１６）、（１７）、（２２）〜（２
５）式はそれぞれａｂｓ（Ｖ２’）＞ａｂｓ（Ｖｔｈ）（３９）Ｖ２’＝Ｖ２／ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・Ｃｐ））（４０）（−Ｖ２＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（４１）（−Ｖ２’＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（４２）（−（Ｖ２＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（４３）（−（Ｖ２’＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０（４４）とすればよい。

【００６１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、担持体としては、乾式現像の感光体、湿式現像の感
光体、静電プリンタの誘電体ドラムでもよい。また、上
記実施形態では、非磁性一成分トナーを用いたが、磁性
トナーを用いる現像方法にも適用が可能である。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、担持体の表面抵抗による潜像の電荷拡散を考慮
した現像条件を設定することにより、電荷拡散による解
像度劣化を防止でき、高解像度化した原稿像に対して良
好な画質を得ることができる。また、実際の使用状態に
則した現像条件に容易に調整可能となり、経時的な原因
による画質劣化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置の主要部の概略構成図

【図２】感光体の電気的等価回路図

【図３】感光体表面上における静電潜像の時間経過に伴
う拡散を示す図

【図４】静電潜像の時間変化を示す図

【図５】正規化潜像電位と露光幅との関係を示す図

【図６】正規化潜像電位と正規化露光幅との関係を示す
図

【図７】半導電性現像ローラを用いたときの電気的等価
回路図

【図８】導電性現像ローラにおける現像特性を示す図

【図９】半導電性現像ローラにおける現像特性を示す図

【図１０】現像ローラの抵抗値と現像量との関係を示す
図

【符号の説明】

１感光体２帯電装置３現像装置５抵抗層６感光体層７帯電ローラ１２現像ローラ１５抵抗層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H027 DA02 DA16 DA17 DA38 EA05 EA07 EC09 EC11 ED03 ED08 EE03 EF06 2H073 AA01 BA02 BA13 BA23 BA25 CA02 2H077 AD02 AD06 AD35 EA13 EA14 EA15 FA13 FA22 FA25 GA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】担持体上に形成された静電潜像を現像部
材によって反転現像する現像方法において、担持体の静
電容量をＣｐ（Ｆ／ｍ²）、表面抵抗をＲｓ（Ω）、静
電潜像形成領域から現像完了領域までの移動時間をｔ
（ｓｅｃ）、静電潜像形成時の画像領域における静電潜
像の非画像部の電位をＶｏ（Ｖ）、現像部材がソリッド
画像における飽和潜像電位で現像を開始し始めるときの
担持体の表面電圧をＶｔｈ（Ｖ）、所望とする最小画像
幅をＷ（ｍ）とし、該最小画像幅における限界潜像電位
Ｖ１（Ｖ）をＶ１＝（０．３４８Ｗｒ²−１．１６１Ｗｒ＋１．０１
６３）ＶｏＷｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗとしたとき、ａｂｓ（Ｖ１）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）ただし、ａｂｓ（Ｘ）はＸの絶対値に設定することを特
徴とする現像方法。
【請求項２】担持体の厚み方向の抵抗をＲｖ（Ω・ｍ
²）とし、Ｖ１’＝Ｖ１・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・Ｃ
ｐ））とするとき、ａｂｓ（Ｖ１’）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）に設定することを特徴とする請求項１記載の現像方法。
【請求項３】バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加された現
像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を所定
幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、現像ニップ
通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ、現像部材上のト
ナー層の電位をＶｔ（Ｖ）、現像部材の抵抗をＲｒ（Ω
・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担持体
の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）をｎと
すると、（−Ｖ１＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
１記載の現像方法。
【請求項４】現像ニップ通過時のトナーとの摩擦によ
る担持体表面電位の変動をｄＶ（Ｖ）とするとき、（−（Ｖ１＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
３記載の現像方法。
【請求項５】バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加された現
像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を所定
幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、現像ニップ
通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ、現像部材上のト
ナー層の電位をＶｔ（Ｖ）、現像部材の抵抗をＲｒ（Ω
・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担持体
の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）をｎと
すると、（−Ｖ１’＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
２記載の現像方法。
【請求項６】現像ニップ通過時のトナーとの摩擦によ
る担持体表面電位の変動をｄＶ（Ｖ）とするとき、（−（Ｖ１’＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
５記載の現像方法。
【請求項７】担持体上に形成された静電潜像を現像部
材によって正転現像する現像方法において、担持体の静
電容量をＣｐ（Ｆ／ｍ²）、表面抵抗をＲｓ（Ω）、静
電潜像形成領域から現像完了領域までの移動時間をｔ
（ｓｅｃ）、静電潜像形成時の画像領域における静電潜
像の非画像部の電位をＶｏ（Ｖ）、現像部材がソリッド
画像における飽和潜像電位で現像を開始し始めるときの
担持体の表面電圧をＶｔｈ（Ｖ）、所望とする最小画像
幅をＷ（ｍ）とし、該最小画像幅における限界潜像電位
Ｖ２（Ｖ）をＶ２＝（−０．３４８Ｗｒ²＋１．１６１Ｗｒ−０．０
１６３）ＶｏＷｒ＝（１／３．６３）・（Ｒｓ・Ｃｐ／ｔ）^1/2・Ｗとしたとき、ａｂｓ（Ｖ２）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）ただし、ａｂｓ（Ｘ）はＸの絶対値に設定することを特
徴とする現像方法。
【請求項８】担持体の厚み方向の抵抗をＲｖ（Ω・ｍ
²）とし、Ｖ２’＝Ｖ２・ｅｘｐ（−ｔ／（Ｒｖ・Ｃ
ｐ））とするとき、ａｂｓ（Ｖ２’）＜ａｂｓ（Ｖｔｈ）に設定することを特徴とする請求項７記載の現像方法。
【請求項９】バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加された現
像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を所定
幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、現像ニップ
通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ、現像部材上のト
ナー層の電位をＶｔ（Ｖ）、現像部材の抵抗をＲｒ（Ω
・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担持体
の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）をｎと
すると、（−Ｖ２＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
７記載の現像方法。
【請求項１０】現像ニップ通過時のトナーとの摩擦に
よる担持体表面電位の変動をｄＶ（Ｖ）とするとき、（−（Ｖ２＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
９記載の現像方法。
【請求項１１】バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加された
現像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を所
定幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、現像ニッ
プ通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ、現像部材上の
トナー層の電位をＶｔ（Ｖ）、現像部材の抵抗をＲｒ
（Ω・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担
持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）を
ｎとすると、（−Ｖ２’＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
８記載の現像方法。
【請求項１２】現像ニップ通過時のトナーとの摩擦に
よる担持体表面電位の変動をｄＶ（Ｖ）とするとき、（−（Ｖ２’＋ｄＶ）＋ｎ・Ｖｔ＋Ｖｂ）／ρｄ＞０を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
１１記載の現像方法。
【請求項１３】担持体の感光体層の厚みをｄｐ
（ｍ）、その誘電率をεｐ（Ｆ／ｍ）、現像前のトナー
層厚をｄｔ（ｍ）、その誘電率をεｔ（Ｆ／ｍ）、現像
部材の抵抗をＲｒ（Ω・ｍ²）、現像部材の周速ｖｂ
（ｍ／ｓｅｃ）と担持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との
比（ｖｂ／ｖｐ）をｎとするとき、Ｒｒ／ｎ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
１または７記載の現像方法。
【請求項１４】担持体がＲｐ（Ω・ｍ²）の抵抗層を
有するとき、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
１３記載の現像方法。
【請求項１５】バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）が印加された
現像部材の表面にトナー層を形成し、この現像部材を所
定幅の現像ニップで担持体に摺接させるとき、担持体に
おける画像部の電位の飽和値をＶｓａｔ（Ｖ）、担持体
の感光体層の厚みをｄｐ（ｍ）、その誘電率をεｐ（Ｆ
／ｍ）、担持体の抵抗層の抵抗をＲｐ（Ω・ｍ²）、現
像ニップ通過直後のトナー層の電荷密度をρｄ（Ｃ／
ｍ）、トナー層厚をｄｔ（ｍ）、その誘電率をεｔ（Ｆ
／ｍ）、現像部材の抵抗をＲｒ（Ω・ｍ²）、現像ニッ
プ通過時のトナーとの摩擦による担持体表面電位の変動
をｄＶ（Ｖ）、現像部材の周速ｖｂ（ｍ／ｓｅｃ）と担
持体の周速ｖｐ（ｍ／ｓｅｃ）との比（ｖｂ／ｖｐ）を
ｎ、現像効率の許容値をηとするとき、 −（Ｖｓａｔ＋ｄＶ）＋Ｖｂ＋ｎ・Ｖｔ≧η・（ｎ・ｄ
ｔ）・ρｄ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ＋Ｒｒ／ｎ＋Ｒ
ｐ）を満たすように各値を調整することを特徴とする請求項
１または７記載の現像方法。
【請求項１６】現像ニップ通過時のトナーとの摩擦に
よる担持体表面電位の変動を無視できる、もしくは担持
体が抵抗層を有さないかあるいはこれを無視できる場
合、Ｒｐもしくはｄｖを省略するかその値を０とするこ
とを特徴とする請求項１５記載の現像方法。
【請求項１７】 γ＝（１／η）−１で表すとき、現像
部材の抵抗Ｒｒ、担持体の抵抗層の抵抗Ｒｐが、Ｒｒ／ｎ＋Ｒｐ≦γ・（ｄｔ／εｔ＋ｄｐ／εｐ）を満たすように設定されることを特徴とする請求項１ま
たは７記載の現像方法。
【請求項１８】担持体の抵抗層を有さないあるいは無
視できる場合、Ｒｐを省略するかその値を０とすること
を特徴とする請求項１７記載の現像方法。